CN111218072B - 一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法 - Google Patents

一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111218072B
CN111218072B CN202010132560.8A CN202010132560A CN111218072B CN 111218072 B CN111218072 B CN 111218072B CN 202010132560 A CN202010132560 A CN 202010132560A CN 111218072 B CN111218072 B CN 111218072B
Authority
CN
China
Prior art keywords
strontium titanate
composite material
preparation
pvdf
energy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010132560.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111218072A (zh
Inventor
李丽丽
胡永倩
周炳
吴薇
董林玺
王高峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Dianzi University
Original Assignee
Hangzhou Dianzi University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Dianzi University filed Critical Hangzhou Dianzi University
Priority to CN202010132560.8A priority Critical patent/CN111218072B/zh
Publication of CN111218072A publication Critical patent/CN111218072A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111218072B publication Critical patent/CN111218072B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2327/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
    • C08J2327/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08J2327/12—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08J2327/16—Homopolymers or copolymers of vinylidene fluoride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24—Acids; Salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法。介电复合材料制备中，高体积分数无机物粒子的加入，会导致聚合物的机械性能和击穿强度大幅度降低。所述的复合材料是由片状钛酸锶和PVDF基聚合物组成的；钛酸锶纳米片在复合材料中的质量分数为1～30％，钛酸锶纳米片的粉体片径为0.1～10μm，厚度为10～100nm；所述的PVDF基聚合物包含聚偏氟乙烯PVDF和基于PVDF的P(VDF‑CTFE)、P(VDF‑HFP)、P(VDF‑TrFE)、P(VDF‑CTFE‑TrFE)。本发明使用二维片状钛酸锶作为无机添加粒子，可以有效降低添加物的含量，避免高含量无机粒子添加导致的机械性能和击穿强度的下降。

Description

一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法
技术领域
本发明属于功能材料制备技术领域，具体涉及一种基于二维高介电、高储能的片状钛酸锶复合材料及其制备方法。
背景技术
随着电子信息技术的飞速发展，电子产品对人们的生活越来越重要。电容作为一种需求量庞大的基础电子器件，几乎在所有电子电路的设计中，发挥着不可或缺的作用。此外，电容还常作为储能器件而被广泛应用在很多电力系统中。相对于锂电池等化学储能器件，介电电容具有功率密度高、损耗低及工作电压高的优点。
基于聚合物材料的电容器是一种在电子电路中常见的电容器类型，这种电容器有较高的击穿场强，但介电常数较低、储能密度小。如双轴取向聚丙烯材料(BOPP)虽然具有较高的击穿强度，但其能量密度(1J/cm3)和介电常数(εr＝2.2)非常小。常见的聚合物材料中介电常数最高的聚合物材料是聚偏氟乙烯(PVDF)，其介电常数通常在9-11之间，但PVDF仍无法满足高储能密度电容器的要求。
为了提高聚合物材料的介电常数和能量密度，可以通过向聚合物材料中掺杂无机物粒子实现，一种常用且简单有效的方法是将高介电的陶瓷粉体如钛酸钡、钛酸钠铋、氧化锌、钛酸锶等作为填料与具有高击穿强度的聚合物进行复合。这种方法可以有效的提高材料的介电性能(通常在高体积分数下实现)，能在较低的电场强度下得到较高的储能密度。但高体积分数(无机物粒子体积占复合材料总体积的比例)无机物粒子的加入，会导致聚合物的机械性能和击穿强度大幅度降低。并且，在向聚合物中掺杂无机物粒子的过程中，由于无机物粒子和聚合物的表面能不同，两者相容性较差，使得掺杂过程中容易出现空隙导致两相界面分离的情况，导致无机物粒子无法均匀的分布在聚合物材料中。
发明内容
本发明的目的在于对现有的问题加以解决，提供一种基于高介电的片状钛酸锶复合材料及其制备方法。采用具有高介电常数的二维片状陶瓷材料对复合材料进行掺杂，可以有效降低无机物的掺杂体积分数，在此基础上，利用淬火工艺对材料进行处理，获得高介电常数和高储能密度的复合材料。
本发明涉及的一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料，由片状钛酸锶和PVDF基聚合物组成的。钛酸锶纳米片在复合材料中的质量分数为1～30％；钛酸锶纳米片的粉体片径为0.1～10μm，厚度为10～100nm。
作为优选，所述的PVDF基聚合物包含PVDF和基于PVDF的P(VDF-CTFE)、P(VDF-HFP)、P(VDF-TrFE)、P(VDF-CTFE-TrFE)聚合物。
该高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料的制备方法，具体步骤如下：
步骤1、取表面改性剂加入第一溶剂中搅拌加热形成表面改性剂溶液，加热温度为50～80℃。
步骤2、取钛酸锶纳米片加入表面改性剂溶液中加热搅拌8～15h后，自然冷却至室温并离心出沉淀的片状无机物粒子，并对分离出的片状无机物粒子进行洗涤，在60～80℃下干燥10～16h后得到表面改性后的钛酸锶粒子。
步骤3、将PVDF基聚合物添加到极性溶剂中，搅拌溶解，得到聚合物溶液。
步骤4、将步骤2得到的钛酸锶粒子粉末添加到步骤3得到的聚合物溶液中，搅拌10～30min，超声10～30min，重复多次形成均匀悬浮液；再将悬浮液均匀涂覆在石英基板上，涂覆量为1.5～4ml，在60～100℃的加热台上加热0.5～1.5h得到复合薄膜雏形。
步骤5、将步骤4所得的复合薄膜雏形放于190～210℃的干燥箱中热处理1～2h，随后立即取出置于0℃的环境中淬火处理1～5min，得到致密的复合材料薄膜；最后将所得的致密复合薄膜放于60～80℃的干燥箱中热处理1～2h，使其表面水分完全蒸发后，得到最终的复合材料薄膜。
作为优选，步骤1中，所述表面改性剂与第一溶剂的料液比为10:1～100:1g/L。
作为优选，步骤1中所述的表面改性剂采用盐酸多巴胺、酞酸酯表面改性剂、硅烷表面改性剂或有机钛类表面改性剂；步骤3中所述的极性溶剂采用DMF、NMP或DMAC的分析纯溶剂。
作为优选，步骤2中，洗涤的过程为：用第一溶剂和第二溶剂分别离心洗涤片状无机物粒子两次；所述的第一溶剂采用去离子水或蒸馏水；所述的第二溶剂采用无水乙醇、N,N-二甲基甲酰胺乙二醇单甲醚、二甲苯中的一种或多种。
作为优选，步骤3中所述PVDF基聚合物与极性溶液的料液比为10:1～100:1g/L。
与现有的技术相比，本发明具有的有益效果是：
1、本发明使用二维片状钛酸锶作为无机添加粒子，可以有效降低添加物的含量，避免高含量无机粒子添加导致的机械性能和击穿强度的下降，进而影响储能密度下降。采用低含量的二维片状钛酸锶的添加，保证了较高的机械性能和击穿强度。
2、本发明使用盐酸多巴胺作为表面改性剂对无机粒子片状钛酸锶进行表面改性，通过表面改性剂盐酸多巴胺存在的两种基团分别与无机物和有机物结合，有效的解决了无机粒子与有机粒子之间由于表面能不同而引起的相容性差问题，使得改性后的片状钛酸锶在制备过程中能够均匀的分布在有机体中。
3、本发明制备的经表面改进的片状钛酸锶与聚合物PVDF复合形成的复合材料的介电性相比于PVDF有所提升，同时提高了复合材料的极化强度值，使得其可释放能量密度有了明显的提升。本发明制备的经表面改进的片状钛酸锶与聚合物PVDF复合形成的复合材料具有介电常数高、储能密度高、稳定性良好的特征，制备方法简单，易于大批量生产。
附图说明
图1a、1b分别为实施例1添加了SrTiO3所得的复合材料薄膜的在1μm标尺、400nm标尺下的SEM图；
图2为实施例1添加了SrTiO3所得的复合材料薄膜与纯聚合物的介电常数对比图；
图3为实施例1添加了SrTiO3所得的复合材料薄膜与纯聚合物的电滞回线对比图；
图4为实施例1添加了SrTiO3所得的复合材料薄膜与纯聚合物的可释放能量密度对比图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步说明。
实施例1.
一种高介电、高储能的二维片状钛酸锶复合材料的制备方法，具体如下：
(1)取0.01mol的盐酸多巴胺放入0.1L去离子水中搅拌加热形成盐酸多巴胺水溶液，加热温度为60℃。
(2)取厚度10～100nm,片径为0.1～10μm的片状钛酸锶放入盐酸多巴胺水溶液加热搅拌10小时后自然冷却至室温并离心出沉淀的片状无机物粒子；将沉淀的片状无机物粒子依次使用去离子水和无水乙醇分别离心洗涤两次，在70℃下干燥12小时后得到多巴胺表面改性后的片状无机粒子。改性后的片状无机粒子的片径在3～15μm之间，厚度在200～300nm之间，是一种二维纳米材料。
(3)将3g的PVDF(聚偏氟乙烯)添加到0.1L的DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中，充分搅拌，直至完全溶解，得到聚合物溶液。
(4)将所得的片状无机粒子粉末添加到聚合物溶液中，搅拌30分钟，超声30分钟，重复3次，形成均匀悬浮液；再将所得的均匀悬浮液涂覆于石英基板上，涂覆量为1.5ml，在70℃的温度下加热1小时，得到复合材料薄膜雏形。
(5)将所得的复合材料薄膜雏形放于200℃的环境下热处理1小时，随后置于0℃的环境中淬火处理1分钟，得到致密的复合膜；最后将所得的致密复合膜取出放于70℃的环境下热处理1小时，使其表面水分完全蒸发，得到最终的复合材料薄膜。复合材料薄膜中片状钛酸锶粉体均匀且水平的嵌入在PVDF中。
图1a、1b分别是实施例1中所得的PVDF/SrTiO3复合材料的1μm标尺、400nm标尺下SEM(扫描电子显微镜)图，从图中可以看出片状钛酸锶是水平嵌在PVDF基聚合物内，呈水平排列，分散较为均匀。说明了聚合物与片状分体之间相容性较好，且片状粉体结合较为紧密，无明显缺陷，提高了复合材料的介电常数和储能性能。
图2中，圆点连线表示本实施例制得的复合材料薄膜的介电常数-频率关系曲线；正方形连线表示纯聚合物的介电常数-频率关系曲线；可以看出，本实施例在任何频率下的介电常数与纯聚合物相比均要优于后者，说明该种复合材料的介电常数提升了。
图3中，实线表示纯聚合物的电滞回线；虚线表示本实施例制得复合材料的电滞回线；可释放能量密度是纵坐标，电滞回线上半边、纵坐标轴、过电滞回线最高点的纵坐标轴垂线合围成的形状的面积值为即为该种材料的可释放能量密度。
图4中，圆点连线表示本实施例制得的复合材料薄膜的可释放能量密度-电场强度关系曲线；正方形连线表示纯聚合物的可释放能量密度-电场强度关系曲线；可以看出，本实施例制得的复合材料薄膜在低电场强度下的可释放能量密度高于纯聚合物对照组最高电场强度下的可释放能量密度。这说明了本实施例制得的复合材料薄膜具有优良的储能性能。
实施例2.
一种高介电、高储能的二维片状钛酸锶复合材料的制备方法，具体如下：
取0.02mol的盐酸多巴胺放入0.1L去离子水中搅拌加热形成盐酸多巴胺水溶液，加热温度为50℃；取厚度10～100nm,片径为0.1～10μm的钛酸锶纳米片放入盐酸多巴胺水溶液加热搅拌8小时后自然冷却至室温并离心出沉淀的片状无机物粒子；将沉淀的片状无机物粒子依次使用去离子水和无水乙醇分别离心洗涤两次，在60℃下干燥16小时后得到多巴胺表面改性后的无机粒子；将10g的PVDF(聚偏氟乙烯)添加到0.1L的DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中，充分搅拌，直至完全溶解，得到聚合物溶液；将所得的无机粒子粉末添加到聚合物溶液中，搅拌10分钟，超声10分钟，重复3次，形成均匀悬浮液；再将所得的均匀悬浮液涂覆于石英基板上，涂覆量为3ml，在60℃的温度下加热1.5小时，得到复合材料薄膜雏形；随后将所得的复合材料薄膜雏形放于190℃的环境下热处理1小时，随后置于0℃的环境中淬火处理3分钟，得到致密的复合膜；最后将所得的致密复合膜取出放于60℃的环境下热处理1小时，使其表面水分完全蒸发，得到最终的复合材料薄膜。
实施例3.
一种高介电、高储能的二维片状钛酸锶复合材料的制备方法，具体如下：
取0.05mol的盐酸多巴胺放入0.1L去离子水中搅拌加热形成盐酸多巴胺水溶液，加热温度为60℃；取厚度10～100nm，片径为0.1～10μm的钛酸锶纳米片放入盐酸多巴胺水溶液加热搅拌10小时后自然冷却至室温并离心出沉淀的片状无机物粒子；将沉淀的片状无机物粒子依次使用去离子水和无水乙醇分别离心洗涤两次，在80℃下干燥12小时后得到多巴胺表面改性后的无机粒子；将5g的PVDF(聚偏氟乙烯)添加到0.1L的DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中，充分搅拌，直至完全溶解，得到聚合物溶液；将所得的无机粒子粉末添加到聚合物溶液中，搅拌20分钟，超声20分钟，重复3次，形成均匀悬浮液；再将所得的均匀悬浮液涂覆于石英基板上，涂覆量为3.5ml，在100℃的温度下加热0.5小时，得到复合材料薄膜雏形；随后将所得的复合材料薄膜雏形放于200℃的环境下热处理2小时，随后置于0℃的环境中淬火处理1分钟，得到致密的复合膜；最后将所得的致密复合膜取出放于70℃的环境下热处理2小时，使其表面水分完全蒸发，得到最终的复合材料薄膜。
实施例4.
一种高介电、高储能的二维片状钛酸锶复合材料的制备方法，具体如下：
取0.006mol的盐酸多巴胺放入0.1L去离子水中搅拌加热形成盐酸多巴胺水溶液，加热温度为80℃；取厚度10～100nm,片径为0.1～10μm的钛酸锶纳米片放入盐酸多巴胺水溶液加热搅拌15小时后自然冷却至室温并离心出沉淀的片状无机物粒子；将沉淀的片状无机物粒子依次使用去离子水和无水乙醇分别离心洗涤两次，在70℃下干燥10小时后得到多巴胺表面改性后的无机粒子；将1g的PVDF(聚偏氟乙烯)添加到0.1L的DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中，充分搅拌，直至完全溶解，得到聚合物溶液；将所得的无机粒子粉末添加到聚合物溶液中，搅拌20分钟，超声20分钟，重复3次，形成均匀悬浮液；再将所得的均匀悬浮液涂覆于石英基板上，涂覆量为4ml，在80℃的温度下加热1小时，得到复合材料薄膜雏形；随后将所得的复合材料薄膜雏形放于210℃的环境下热处理1小时，随后置于0℃的环境中淬火处理5分钟，得到致密的复合膜；最后将所得的致密复合膜取出放于80℃的环境下热处理1小时，使其表面水分完全蒸发，得到最终的复合材料薄膜。

Claims (6)

1.一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料，其特征在于：所述的复合材料由片状钛酸锶和PVDF基聚合物组成的；钛酸锶纳米片在复合材料中的质量分数为1～30％；钛酸锶纳米片的粉体片径为0.1～10μm，厚度为10～100nm；
该复合材料的制备过程如下：
步骤1、取表面改性剂加入第一溶剂中搅拌加热形成表面改性剂溶液，加热温度为50～80℃；所述的表面改性剂采用盐酸多巴胺；
步骤2、取钛酸锶纳米片加入表面改性剂溶液中加热搅拌8～15h后，自然冷却至室温并离心出沉淀的片状无机物粒子，并对分离出的片状无机物粒子进行洗涤，在60～80℃下干燥处理10～16h后得到表面改性后的钛酸锶粒子；
步骤3、将PVDF基聚合物添加到极性溶剂中，搅拌溶解，得到聚合物溶液；
步骤4、将步骤2得到的钛酸锶粒子粉末添加到步骤3得到的聚合物溶液中，搅拌10～30min，超声10～30min，重复多次形成均匀悬浮液；再将悬浮液均匀涂覆在石英基板上，涂覆量为1.5～4ml，在60～100℃加热台上加热0.5～1.5h，得到复合薄膜雏形；
步骤5、将步骤4所得的复合薄膜雏形放于190～210℃干燥箱中热处理1～2h，随后立即取出并进行淬火处理1～5min，得到致密的复合材料薄膜；最后将所得的致密复合薄膜放于60～80℃干燥箱中热处理1～2h，使其表面水分完全蒸发后，得到最终的复合材料薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料，其特征在于：所述的PVDF基聚合物包含PVDF和基于PVDF的P(VDF-CTFE)、P(VDF-HFP)、P(VDF-TrFE)、P(VDF-CTFE-TrFE)聚合物。
3.根据权利要求1所述的一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料的制备方法，其特征在于：步骤1中，所述表面改性剂与第一溶剂的料液比为10:1～100:1g/L。
4.根据权利要求1所述的一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料的制备方法，其特征在于：步骤3中所述的极性溶剂采用DMF、NMP或DMAC的分析纯溶剂。
5.根据权利要求1所述的一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料的制备方法，其特征在于：步骤2中，洗涤的过程为：用第一溶剂和第二溶剂分别离心洗涤片状无机物粒子两次；所述的第一溶剂采用去离子水或蒸馏水；所述的第二溶剂采用无水乙醇、N,N-二甲基甲酰胺乙二醇单甲醚、二甲苯中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料的制备方法，其特征在于：步骤3中所述PVDF基聚合物与极性溶液的料液比为10:1～100:1g/L。
CN202010132560.8A 2020-02-29 2020-02-29 一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法 Active CN111218072B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010132560.8A CN111218072B (zh) 2020-02-29 2020-02-29 一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010132560.8A CN111218072B (zh) 2020-02-29 2020-02-29 一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111218072A CN111218072A (zh) 2020-06-02
CN111218072B true CN111218072B (zh) 2022-04-01

Family

ID=70809518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010132560.8A Active CN111218072B (zh) 2020-02-29 2020-02-29 一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111218072B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114058046B (zh) * 2021-10-28 2024-01-16 杭州电子科技大学 P(VDF-CTFE)/PAMAM(Gx)@BaTiO3的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996009747A1 (en) * 1994-09-23 1996-03-28 W.L. Gore & Associates, Inc. High capacitance sheet adhesives and process for making the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100110608A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-06 Frank Wei Core-shell structured dielectric particles for use in multilayer ceramic capacitors
US8644000B2 (en) * 2011-09-13 2014-02-04 Fatih Dogan Nanostructured dielectric materials for high energy density multilayer ceramic capacitors
CN107359051B (zh) * 2017-06-30 2019-10-18 同济大学 一种高能量密度三明治结构柔性复合材料及其制备方法
CN108948603A (zh) * 2018-06-01 2018-12-07 杭州电子科技大学 基于表面改性反铁电陶瓷填料的复合薄膜材料的制备方法
CN109400924B (zh) * 2018-08-27 2021-03-23 杭州电子科技大学 基于高储能效率的二维纳米复合介电材料的制备方法
CN109461577B (zh) * 2018-11-01 2020-07-17 电子科技大学 一种介电储能复合材料的制备方法及应用
CN110233047A (zh) * 2019-07-03 2019-09-13 华中科技大学 一种高储能密度电介质材料的制备方法
CN110615956B (zh) * 2019-07-19 2021-10-29 杭州电子科技大学 基于高击穿高储能的纳米夹心结构复合材料的制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996009747A1 (en) * 1994-09-23 1996-03-28 W.L. Gore & Associates, Inc. High capacitance sheet adhesives and process for making the same

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Glass modified barium strontium titanate ceramics for energy storage capacitor at elevated temperatures";Shen, ZY 等;《JOURNAL OF MATERIOMICS》;20191231;第5卷(第4期);第641-648页 *
石墨烯/钛酸锶钡/聚偏氟乙烯复合薄膜介电性能研究;洪玮等;《人工晶体学报》;20170215(第02期);第91-97页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN111218072A (zh) 2020-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106915960B (zh) 一种无铅高储能密度和储能效率陶瓷材料及其制备方法
CN110615956B (zh) 基于高击穿高储能的纳米夹心结构复合材料的制备方法
CN107359051A (zh) 一种高能量密度三明治结构柔性复合材料及其制备方法
CN110164694B (zh) 一种具有超高介电常数有机/无机铁电复合材料、其制备方法及应用
CN105038045A (zh) 一种氧化石墨烯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法
Liu et al. Flexible BaTiO3nf-Ag/PVDF nanocomposite films with high dielectric constant and energy density
CN110885473B (zh) 一种纳米颗粒、复合薄膜及其制备方法和应用
Yin et al. Cellulose/BaTiO3 nanofiber dielectric films with enhanced energy density by interface modification with poly (dopamine)
CN111218072B (zh) 一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法
Su et al. Polyvinyl butyral composites containing halloysite nanotubes/reduced graphene oxide with high dielectric constant and low loss
Tao et al. Cellulose-and nanocellulose-based dielectric materials
CN113024974B (zh) 一种一维TiO2纳米线杂化结构掺杂的聚偏氟乙烯复合薄膜及其制备方法
CN108485133B (zh) 一种高储能密度复合材料及其制备方法
CN113121936A (zh) 全有机复合材料薄膜及其制备方法和应用
CN104098858A (zh) 聚合物基复合材料及其制备方法
CN107652588B (zh) 一种铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途
CN116120608A (zh) 一种高储能聚丙烯电容薄膜生产工艺
CN111218073B (zh) 一种基于二维层状钛酸铋的高储能复合材料及其制备方法
CN115418028A (zh) 一种改性钛酸钡纳米线及其高介电复合材料的制备方法
CN110452421B (zh) 一种基于核壳结构填料的介电复合材料
CN115073870A (zh) 一种改性钛酸钡/含氟共聚物复合材料及其制备方法
CN114559721A (zh) 三明治结构高储能密度聚酰亚胺基复合薄膜及其制备方法
CN114381079A (zh) 一种bt纳米颗粒/再生纤维素/pvdf复合材料及其制备方法
CN109401142B (zh) 一种具有海岛结构的pvdf基复合材料及其制备方法
Du et al. Bilayer PI/BaTiO3-P (VDF-TrFE-CFE) composites with high discharge energy density

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant