CN111180470B - 显示基板及其制作方法、和显示装置 - Google Patents

显示基板及其制作方法、和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111180470B
CN111180470B CN202010112313.1A CN202010112313A CN111180470B CN 111180470 B CN111180470 B CN 111180470B CN 202010112313 A CN202010112313 A CN 202010112313A CN 111180470 B CN111180470 B CN 111180470B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
conductive trace
conductive
material layer
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010112313.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111180470A (zh
Inventor
黄勇潮
王庆贺
王海涛
刘军
成军
赵策
闫梁臣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202010112313.1A priority Critical patent/CN111180470B/zh
Publication of CN111180470A publication Critical patent/CN111180470A/zh
Priority to US17/183,909 priority patent/US11700688B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN111180470B publication Critical patent/CN111180470B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10128—Display
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4685—Manufacturing of cross-over conductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示基板及其制作方法、和显示装置，其中，显示基板包括位于衬底基板上沿第一方向延伸的第一导电走线、沿第二方向延伸的第二导电走线、以及位于所述第一导电走线和所述第二导电走线之间的绝缘层；其中，还包括位于所述绝缘层靠近所述衬底基板一侧的缓冲层，所述缓冲层开设有沿所述第一延伸方向延伸的凹槽，所述第一导电走线远离所述衬底基板一侧表面与所述缓冲层远离所述衬底基板一侧表面齐平。本发明提供的显示基板及其制作方法、和显示装置，能够提高显示装置的可靠性。

Description

显示基板及其制作方法、和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、和显示装置。
背景技术
随着相关显示装置分辨率的提高，TDDI(触控与显示驱动器集成)等新技术和驱动电路的复杂化，显示装置中尤其是LTPS产品不可避免的在各个区域存在交叉的金属驱动走线(如栅线和数据线)。在这些金属走线交叉的位置容易发生静电击穿，发生数据线和栅线短路不良(Data-Gate Short，DGS)，进而导致显示异常的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法、和显示装置，以解决相关技术中金属走线交叉的位置容易发生静电击穿，发生DGS，进而导致显示异常的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供技术方案如下：
第一方面，本发明实施例提供一种显示基板，包括位于衬底基板上沿第一方向延伸的第一导电走线、沿第二方向延伸的第二导电走线、以及位于所述第一导电走线和所述第二导电走线之间的绝缘层；所述第一导电走线和所述第二导电走线在目标区域交叉；其中，所述第一导电走线包括位于所述目标区域内的第一部分和除所述第一部分之外的第二部分，所述第一部分与所述绝缘层接触的表面与所述衬底基板平行。
进一步地，还包括位于所述绝缘层靠近所述衬底基板一侧的缓冲层，所述缓冲层开设有沿所述第一延伸方向延伸的凹槽，所述第一导电走线远离所述衬底基板一侧表面与所述缓冲层远离所述衬底基板一侧表面齐平。
进一步地，所述凹槽内还包括位于所述第一导电走线朝向所述衬底基板一侧的支撑图形，所述第一导电走线包括第三部分和第四部分，所述第三部分远离所述衬底基板一侧表面与所述第四部分远离所述衬底基板一侧表面齐平，所述第三部分在所述衬底基板上的正投影与所述支撑图形在所述衬底基板上的正投影重合。
进一步地所述支撑图形为导电图形。
第二方面，本发明实施例还提供一种显示基板的制作方法，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一导电走线；
在所述衬底基板上形成覆盖所述第一导电走线的绝缘层，所述第一导电走线包括位于所述目标区域内的第一部分和除所述第一部分之外的第二部分，所述第一部分与所述绝缘层接触的表面与所述衬底基板平行；
在所述绝缘层上形成沿第二方向延伸的第二导电走线，所述第二导电走线在所述目标区域内与所述第一导电走线交叉。
进一步地，在所述衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一导电走线的步骤之前，还包括：
在所述衬底基板上形成缓冲材料层；
刻蚀所述缓冲材料层，形成缓冲层，所述缓冲层包括沿所述第一方向延伸的凹槽；
在所述衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一导电走线的步骤，包括：
在所述凹槽内形成第一导电走线，所述第一导电走线远离所述衬底基板一侧表面与所述缓冲层远离所述衬底基板一侧表面齐平。
进一步地，在所述衬底基板上形成缓冲材料层的步骤之前，还包括：
在所述衬底基板上形成支撑材料层；
刻蚀所述支撑材料层，形成支撑图形，所述支撑图形在所述衬底基板上的正投影位于所述凹槽在所述衬底基板上的正投影内。
进一步地，所述在所述衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一导电走线的步骤，包括：
在所述衬底基板上形成覆盖所述凹槽的第一导电材料层；
刻蚀所述第一导电材料层，形成第一导电走线，所述第一导电走线包括第三部分和第四部分，所述第三部分远离所述衬底基板一侧表面与所述第四部分远离所述衬底基板一侧表面齐平，所述第三部分在所述衬底基板上的正投影与所述支撑图形在所述衬底基板上的正投影重合。
进一步地，所述刻蚀所述第一导电材料层，形成第一导电走线的步骤，包括：
利用半色调掩膜版刻蚀所述第一导电材料层，以去除所述第一导电材料层位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的部分。
第三方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
本发明提供的技术方案中，显示基板包括分别按不同方向延伸的第一导电走线和第二导电走线，第一导电走线和第二导电走线在目标区域交叉，通过将第一导电走线位于目标区域内的第一部分中与所述绝缘层接触的表面设计为与所述衬底基板平行，能够避免第一部分出现尖端而引发的尖端静电击穿的问题，进而避免第一导电走线和第二导电走线在交叉位置发生短路的情况，提高显示装置的可靠性。因此，本发明提供的技术方案能够提高显示装置的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的显示基板中第一导电走线和第二导电走线的示意图；
图2为本发明一实施例提供的显示基板的结构示意图；
图3为相关技术提供的显示基板形成第一导电材料层的结构示意图；
图4为本发明另一实施例提供的显示基板形成第一导电材料层的结构示意图；
图5为本发明一实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；
图6a-图6d为本发明另一实施例提供的显示基板的制作方法对应制作缓冲层和第一导电走线的结构变化示意图；
图7a-图7g为本发明另一实施例提供的显示基板的制作方法对应的结构变化示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示基板，如图1和图2所示，包括位于衬底基板110上沿第一方向延伸的第一导电走线120、沿第二方向延伸的第二导电走线130、以及位于所述第一导电走线120和所述第二导电走线130之间的绝缘层140；所述第一导电走线120和所述第二导电走线130在目标区域交叉；其中，所述第一导电走线120包括位于所述目标区域内的第一部分121和除所述第一部分121之外的第二部分122，所述第一部分121与所述绝缘层接触的表面与所述衬底基板平行。
本发明实施例中，显示基板包括分别按不同方向延伸的第一导电走线和第二导电走线，第一导电走线和第二导电走线在目标区域交叉，通过将第一导电走线位于目标区域内的第一部分中与所述绝缘层接触的表面设计为与所述衬底基板平行，能够避免第一部分出现尖端而引发的尖端静电击穿的问题，进而避免第一导电走线和第二导电走线在交叉位置发生短路的情况，提高显示装置的可靠性。因此，本发明提供的技术方案能够提高显示装置的可靠性。
上述显示基板可以为柔性显示基板，也可以是刚性显示基板。在显示基板为柔性显示基板时，衬底基板110采用柔性衬底基板，比如聚酰亚胺薄膜；在显示基板为刚性显示基板时，衬底基板110采用刚性衬底基板，比如石英基板或玻璃基板。
上述第一导电走线120和第二导电走线130可以是显示基板中延伸方向不同且层分布中相邻的两根导电走线，例如：与同一薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)相连的栅线和数据线。
如图1所示，第一导电走线120包括位于目标区域内的第一部分121和除第一部分121之外的第二部分122，其中，如图2所示，第一部分121与绝缘层140的接触面与衬底基板110平行，从而使得绝缘层140在目标区域内为平坦结构，即目标区域内的绝缘层140靠近衬底基板110的一侧表面平行于衬底基板110，且目标区域内的绝缘层140远离衬底基板110的一侧表面平行于衬底基板110。这样，后续在绝缘层140上形成的第二导电走线140位于目标区域内的目标部分131靠近第一导电走线120的一侧的表面平行于衬底基板110。
因为，第一导电走线120的目标部分121靠近第二导电走线130的一面平行于衬底基板110，第二导电走线130的目标部分131靠近第一导电走线120的一面平行于衬底基板110，这样第一部分121和目标部分131之间的间隔距离相等，不会引发尖端静电击穿的问题，从而防止第一导电走线120和第二导电走线130的交叉位置之间发生短路，提高显示装置的可靠性。
进一步地，还包括位于所述绝缘层140靠近所述衬底基板110一侧的缓冲层150，所述缓冲层150开设有沿所述第一延伸方向延伸的凹槽151，所述第一导电走线120远离所述衬底基板110一侧表面与所述缓冲层150远离所述衬底基板110一侧表面齐平。
本实施例中，第一导电走线120收容于所述凹槽151内，凹槽151相对设置的两个槽壁可以相互平行、也可以相互切斜，此处不作限定。另外，第一导电走线120垂直于衬底基板110的方向上的高度等于或小于所述缓冲层150垂直于衬底基板110的方向上的高度。
本实施例中，通过对缓冲层150开设凹槽151后，通过将第一导电走线120收容于凹槽151内，并使所述第一导电走线120远离所述衬底基板110一侧表面与所述缓冲层150远离所述衬底基板110一侧表面齐平，从而实现第一导电走线120接触绝缘层140的表面平行于衬底基板110。
需要说明的是，凹槽151可以是在缓冲层150内部，即凹槽151垂直于衬底基板110方向的高度小于缓冲层150垂直于衬底基板110方向的高度；凹槽151也可以是贯穿缓冲层150形成的，即凹槽151的槽壁为缓冲层150，凹槽151的槽底为缓冲层150靠近衬底基板110一侧的膜层。
进一步地，如图2所示，所述凹槽151内还包括位于所述第一导电走线120朝向所述衬底基板110一侧的支撑图形160，所述第一导电走线120包括第三部分123和第四部分124，所述第三部分123远离所述衬底基板110一侧表面与所述第四部分124远离所述衬底基板一侧表面齐平，所述第三部分123在所述衬底基板110上的正投影与所述支撑图形160在所述衬底基板110上的正投影重合。
本实施例中，支撑图形160的制作在形成于第一导电走线120之前，通过预先占据凹槽151中的部分空间，在形成第一导电走线120的过程中形成覆盖缓冲层150的第一导电材料层120’时，避免第一导电材料层120’进入凹槽151的体积过多造成第一导电材料层120’中对应凹槽151的部分远离所述衬底基板一侧表面距离衬底基板110的距离小于缓冲层150远离所述衬底基板一侧表面距离衬底基板110的距离的问题，如图3所示。
通过增加支撑图形160能够使得第一导电材料层120’对应凹槽151的部分远离所述衬底基板一侧表面距离衬底基板110的距离大于缓冲层150远离所述衬底基板一侧表面距离衬底基板110的距离，如图4所示。后续通过刻蚀即可去除凹槽151之外的第一导电材料层，使得所述第一导电走线120远离所述衬底基板110一侧表面与所述缓冲层150远离所述衬底基板110一侧表面齐平。
其中，支撑图形160可以是位于凹槽的中央位置，如图2所示，即第四部分124位于第三部分123平行于衬底基板方向的两侧；也可以是贴于凹槽的一侧壁设置，即第四部分124位于第三部分123平行于衬底基板方向的一侧。
进一步地，所述支撑图形160为导电图形。
支撑图形160与第一导电走线120连接，作为导电图形同样也可以用于传输第一导电走线120上的信号，相当增加了第一导电走线120在凹槽151内的厚度，降低了信号传输的电阻率，确保第一导电走线120上的信号能够正常传输。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，如图5所示，所述方法包括：
步骤510：提供衬底基板；
步骤520：在所述衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一导电走线；
步骤530：在所述衬底基板上形成覆盖所述第一导电走线的绝缘层，所述第一导电走线包括位于所述目标区域内的第一部分和除所述第一部分之外的第二部分，所述第一部分与所述绝缘层接触的表面与所述衬底基板平行；
步骤540：在所述绝缘层上形成沿第二方向延伸的第二导电走线，所述第二导电走线在所述目标区域内与所述第一导电走线交叉。
本发明实施例中，显示基板包括分别按不同方向延伸的第一导电走线和第二导电走线，第一导电走线和第二导电走线在目标区域交叉，通过将第一导电走线位于目标区域内的第一部分中与所述绝缘层接触的表面设计为与所述衬底基板平行，能够避免第一部分出现尖端而引发的尖端静电击穿的问题，进而避免第一导电走线和第二导电走线在交叉位置发生短路的情况，提高显示装置的可靠性。因此，本发明提供的技术方案能够提高显示装置的可靠性。
如图1所示，上述显示基板可以为柔性显示基板，也可以是刚性显示基板。在显示基板为柔性显示基板时，衬底基板110采用柔性衬底基板，比如聚酰亚胺薄膜；在显示基板为刚性显示基板时，衬底基板110采用刚性衬底基板，比如石英基板或玻璃基板。
上述第一导电走线120和第二导电走线130可以是显示基板中延伸方向不同且层分布中相邻的两根导电走线，例如：与同一薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)相连的栅线和数据线。
如图1所示，第一导电走线120包括位于目标区域内的第一部分121和除第一部分121之外的第二部分122，其中，如图2所示，第一部分121与绝缘层140的接触面与衬底基板110平行，从而使得绝缘层140在目标区域内为平坦结构，即目标区域内的绝缘层140靠近衬底基板110的一侧表面平行于衬底基板110，且目标区域内的绝缘层140远离衬底基板110的一侧表面平行于衬底基板110。这样，后续在绝缘层140上形成的第二导电走线140位于目标区域内的目标部分131靠近第一导电走线120的一侧的表面平行于衬底基板110。
因为，第一导电走线120的目标部分121靠近第二导电走线130的一面平行于衬底基板110，第二导电走线130的目标部分131靠近第一导电走线120的一面平行于衬底基板110，这样第一部分121和目标部分131之间的间隔距离相等，不会引发尖端静电击穿的问题，从而防止第一导电走线120和第二导电走线130的交叉位置之间发生短路，提高显示装置的可靠性。
进一步地，在所述衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一导电走线的步骤之前，还包括：
在所述衬底基板上形成缓冲材料层；
刻蚀所述缓冲材料层，形成缓冲层，所述缓冲层包括沿所述第一方向延伸的凹槽；
在所述衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一导电走线的步骤，包括：
在所述凹槽内形成第一导电走线，所述第一导电走线远离所述衬底基板一侧表面与所述缓冲层远离所述衬底基板一侧表面齐平。
本实施例中，在衬底基板上形成缓冲材料层150’后，如图6a所示；可以利用掩膜版曝光缓冲材料层150’，显影后得到包括沿第一方向延伸的凹槽151的缓冲层150，如图6b所示。
后续通过形成覆盖缓冲层150的第一导电材料层120’，如图6c所示；再刻蚀掉凹槽151之外的第一导电材料层120’，得到远离所述衬底基板110一侧表面与所述缓冲层150远离所述衬底基板110一侧表面齐平的第一导电走线120，如图6d所示。
如图2所示，本实施例中，第一导电走线120收容于所述凹槽151内，凹槽151相对设置的两个槽壁可以相互平行、也可以相互切斜，此处不作限定。另外，第一导电走线120垂直于衬底基板110的方向上的高度等于或小于所述缓冲层150垂直于衬底基板110的方向上的高度。
本实施例中，通过对缓冲层150开设凹槽151后，通过将第一导电走线120收容于凹槽151内，并使所述第一导电走线120远离所述衬底基板110一侧表面与所述缓冲层150远离所述衬底基板110一侧表面齐平，从而实现第一导电走线120接触绝缘层140的表面平行于衬底基板110。
需要说明的是，凹槽151可以是在缓冲层150内部，即凹槽151垂直于衬底基板110方向的高度小于缓冲层150垂直于衬底基板110方向的高度；凹槽151也可以是贯穿缓冲层150形成的，即凹槽151的槽壁为缓冲层150，凹槽151的槽底为缓冲层150靠近衬底基板110一侧的膜层
进一步地，在所述衬底基板上形成缓冲材料层的步骤之前，还包括：
在所述衬底基板上形成支撑材料层；
刻蚀所述支撑材料层，形成支撑图形，所述支撑图形在所述衬底基板上的正投影位于所述凹槽在所述衬底基板上的正投影内。
本实施例中，在衬底基板上形成支撑材料层160’后，如图7a所示；可以利用掩膜版曝光支撑材料层160’，显影后得到包括支撑图形160，如图7b所示。
本实施例中，支撑图形160的制作在形成于第一导电走线120之前，通过预先占据凹槽151中的部分空间，在形成第一导电走线120的过程中形成覆盖缓冲层150的第一导电材料层120’时，避免第一导电材料层120’进入凹槽151的体积过多造成第一导电材料层120’中对应凹槽151的部分远离所述衬底基板一侧表面距离衬底基板110的距离小于缓冲层150远离所述衬底基板一侧表面距离衬底基板110的距离的问题，如图3所示。
通过增加支撑图形160能够使得第一导电材料层120’对应凹槽151的部分远离所述衬底基板一侧表面距离衬底基板110的距离大于缓冲层150远离所述衬底基板一侧表面距离衬底基板110的距离，如图4所示。后续通过刻蚀即可去除凹槽151之外的第一导电材料层，使得所述第一导电走线120远离所述衬底基板110一侧表面与所述缓冲层150远离所述衬底基板110一侧表面齐平。
进一步地，所述支撑图形160为导电图形。
支撑图形160与第一导电走线120连接，作为导电图形同样也可以用于传输第一导电走线120上的信号，相当增加了第一导电走线120在凹槽151内的厚度，降低了信号传输的电阻率，确保第一导电走线120上的信号能够正常传输。
进一步地，所述在所述衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一导电走线的步骤，包括：
在所述衬底基板上形成覆盖所述凹槽的第一导电材料层；
刻蚀所述第一导电材料层，形成第一导电走线，所述第一导电走线包括第三部分和第四部分，所述第三部分远离所述衬底基板一侧表面与所述第四部分远离所述衬底基板一侧表面齐平，所述第三部分在所述衬底基板上的正投影与所述支撑图形在所述衬底基板上的正投影重合。
在图7b的基础上，按照图6a和图6b所示的方式可以制作得到形成缓冲层150的结构，如图7c所示。
通过在图7c所示的结构上形成覆盖所述凹槽的第一导电材料层120’，如图7d所示；刻蚀所述第一导电材料层120’，形成第一导电走线120，如图7e所示。
其中，支撑图形160可以是位于凹槽的中央位置，如图2所示，即第四部分124位于第三部分123平行于衬底基板方向的两侧；也可以是贴于凹槽的一侧壁设置，即第四部分124位于第三部分123平行于衬底基板方向的一侧。
后续基于图7e形成绝缘层140的结构如图7f所示，进一步形成第二导电走线130的结构如图7g所示。
其中，图7d至图7e过程中，所述刻蚀所述第一导电材料层，形成第一导电走线的步骤，包括：
利用半色调掩膜版刻蚀所述第一导电材料层，以去除所述第一导电材料层位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的部分。
由于图7d处目标区域内第一导电材料层120’所需刻蚀的深度大于其他区域所需刻蚀的深度，利用半色调掩膜版能够实现不同区域对第一导电材料层120’的刻蚀深度不同，从而使得最终刻蚀得到如图7e中远离所述衬底基板110一侧表面与所述缓冲层150远离所述衬底基板110一侧表面齐平的第一导电走线120。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
显示装置可以是显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本发明的保护之内。

Claims (7)

1.一种显示基板，其特征在于，包括位于衬底基板上沿第一方向延伸的第一导电走线、沿第二方向延伸的第二导电走线、以及位于所述第一导电走线和所述第二导电走线之间的绝缘层；所述第一导电走线和所述第二导电走线在目标区域交叉；其中，所述第一导电走线包括位于所述目标区域内的第一部分和除所述第一部分之外的第二部分，所述第一部分与所述绝缘层接触的表面与所述衬底基板平行；
其中，还包括位于所述绝缘层靠近所述衬底基板一侧的缓冲层，所述缓冲层开设有沿所述第一方向延伸的凹槽，所述第一导电走线远离所述衬底基板一侧表面与所述缓冲层远离所述衬底基板一侧表面齐平；所述凹槽内还包括位于所述第一导电走线朝向所述衬底基板一侧的支撑图形，所述支撑图形为导电图形；所述第一导电走线在所述衬底基板上的正投影与所述凹槽在所述衬底基板上的正投影重合，所述支撑图形的宽度小于所述凹槽的宽度。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一导电走线包括第三部分和第四部分，所述第三部分远离所述衬底基板一侧表面与所述第四部分远离所述衬底基板一侧表面齐平，所述第三部分在所述衬底基板上的正投影与所述支撑图形在所述衬底基板上的正投影重合。
3.一种显示基板的制作方法，应用于如权利要求1-2任一项所述的显示基板，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一导电走线；
在所述衬底基板上形成覆盖所述第一导电走线的绝缘层，所述第一导电走线包括位于目标区域内的第一部分和除所述第一部分之外的第二部分，所述第一部分与所述绝缘层接触的表面与所述衬底基板平行；
在所述绝缘层上形成沿第二方向延伸的第二导电走线，所述第二导电走线在所述目标区域内与所述第一导电走线交叉；
其中，在所述衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一导电走线的步骤之前，还包括：
在所述衬底基板上形成缓冲材料层；
刻蚀所述缓冲材料层，形成缓冲层，所述缓冲层包括沿所述第一方向延伸的凹槽；
在所述衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一导电走线的步骤，包括：
在所述凹槽内形成第一导电走线，所述第一导电走线远离所述衬底基板一侧表面与所述缓冲层远离所述衬底基板一侧表面齐平。
4.根据权利要求3所述的显示基板的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成缓冲材料层的步骤之前，还包括：
在所述衬底基板上形成支撑材料层；
刻蚀所述支撑材料层，形成支撑图形，所述支撑图形在所述衬底基板上的正投影位于所述凹槽在所述衬底基板上的正投影内。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成沿第一方向延伸的第一导电走线的步骤，包括：
在所述衬底基板上形成覆盖所述凹槽的第一导电材料层；
刻蚀所述第一导电材料层，形成第一导电走线，所述第一导电走线包括第三部分和第四部分，所述第三部分远离所述衬底基板一侧表面与所述第四部分远离所述衬底基板一侧表面齐平，所述第三部分在所述衬底基板上的正投影与所述支撑图形在所述衬底基板上的正投影重合。
6.根据权利要求5所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一导电材料层，形成第一导电走线的步骤，包括：
利用半色调掩膜版刻蚀所述第一导电材料层，以去除所述第一导电材料层位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的部分。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如利要求1-2中任一项所述的显示基板。
CN202010112313.1A 2020-02-24 2020-02-24 显示基板及其制作方法、和显示装置 Active CN111180470B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010112313.1A CN111180470B (zh) 2020-02-24 2020-02-24 显示基板及其制作方法、和显示装置
US17/183,909 US11700688B2 (en) 2020-02-24 2021-02-24 Display substrate, method for manufacturing the same and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010112313.1A CN111180470B (zh) 2020-02-24 2020-02-24 显示基板及其制作方法、和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111180470A CN111180470A (zh) 2020-05-19
CN111180470B true CN111180470B (zh) 2023-06-02

Family

ID=70648296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010112313.1A Active CN111180470B (zh) 2020-02-24 2020-02-24 显示基板及其制作方法、和显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11700688B2 (zh)
CN (1) CN111180470B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9987000B2 (en) 2014-12-18 2018-06-05 Ethicon Llc Surgical instrument assembly comprising a flexible articulation system
CN112186025B (zh) * 2020-10-13 2024-03-29 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN114023700B (zh) * 2021-10-29 2022-11-01 惠州华星光电显示有限公司 一种tft基板的制作方法及tft基板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102215853B1 (ko) * 2014-03-10 2021-02-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN104536207A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
CN109326614B (zh) 2018-10-15 2022-07-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
US20220157709A1 (en) * 2020-11-18 2022-05-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20210267053A1 (en) 2021-08-26
US11700688B2 (en) 2023-07-11
CN111180470A (zh) 2020-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111180470B (zh) 显示基板及其制作方法、和显示装置
US10937843B2 (en) Display panel and display apparatus
CN107527894B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
US8772780B2 (en) Array substrate structure of display panel and method of making the same
EP4220361A2 (en) Touch substrate and manufacturing method therefor, touch display substrate, and touch display device
CN107121860A (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN104516165A (zh) 显示装置及其制造方法
CN113964142A (zh) 显示面板和显示装置
CN109560086A (zh) 显示面板
US11982911B2 (en) Display panel and preparing method thereof
CN104793802A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN109768054B (zh) 阵列基板及显示屏
CN109148485B (zh) 阵列基板及其制作方法和显示装置
US10879277B2 (en) Display panel and manufacturing method thereof and display device
CN110764645A (zh) 像素阵列基板
US11937485B2 (en) Display panel and display device
KR101061915B1 (ko) 배선 단자를 구비한 전자 장치
TW200408297A (en) Photo-electronic device and semiconductor device
JP2012022941A (ja) マスクセット
KR100623974B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN112086424B (zh) 接合垫结构
US20210384277A1 (en) Flexible display substrate and method for preparing the same, and display device
CN216288456U (zh) 显示面板
KR19980070981A (ko) 반도체 집적회로 장치
CN113113458B (zh) 一种显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant