CN111129029B - 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法。所述阵列基板还包括第一过孔和第二过孔。导电层填充所述第一过孔和所述第二过孔将第一金属层与第二金属层电连接；所述第一过孔位于所述第二过孔的一侧，且钝化层部分延伸至所述第一过孔与所述第二过孔之间。显示面板包括上述阵列基板。阵列基板的制造方法包括步骤：制造第一金属层、制造栅极绝缘层、制造第二金属层、制造钝化层、制造光阻层、蚀刻挖孔步骤和制造导电层。通过调整所述第一过孔和所述第二过孔之间的距离实现在制作过程中保留所述第一过孔和所述第二过孔之间钝化层，可避免钝化层下方的栅极绝缘层出现底切现象。

Description

一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法。
背景技术
如图1所示，当前液晶显示面板的周边布线处的阵列基板90包括层叠设置的第一金属层91、栅极绝缘层92、第二金属层93、钝化层94和导电层95。为实现第一金属层91与第二金属层93导通传输电信号，通常需要设置第一过孔96和第二过孔97将导电层95导通第一金属层91与第二金属层93。
目前的过孔设置的方式有两种，一种为双孔设计(即第一过孔96和第二过孔97相离)，另一种为深浅孔单孔设计(即第一过孔96和第二过孔97相邻，看似一个过孔)。
如图2所示，为采用双孔设计的方式的俯视图，并结合图1可知，其具体为在第一金属层91上设置第一过孔96，第一过孔96贯穿钝化层94和栅极绝缘层92；在第二金属层93上设置第二过孔97，第二过孔97贯穿钝化层94；再设置导电层95通过连通第一过孔96和第二过孔97将第一金属层91与第二金属层93导通，但这种方式需设置双孔，故占用面积大，会降低像素开口率。
如图3所示，为采用深浅孔单孔设计的俯视图，结合图1可简单理解为将第一过孔96和第二过孔97的距离拉近，使得在第一过孔96和第二过孔97之间的钝化层94消失，从而制作后的第一过孔96和第二过孔97连通为一个过孔，由于第一过孔96的深度大于第二过孔97的深度故称为深浅孔单孔。在较深的第一过孔96内会出现很多加工问题和显示问题，例如由于栅极绝缘层92侧面被蚀刻等原因而容易产生栅极绝缘层92底切、鸟嘴、导电层95断裂等搭接不良的问题，使得第一金属层91与第二金属层93的接触电阻变大。
再比如，在3TFT(3个TFT包括主TFT、次TFT和共享TFT)电荷共享式8畴(domain)视角改善技术中，为保证足够的开口率，需要采用深浅孔单孔的结构增大开口率，且在深浅孔尺寸有限的情况下，导电层搭接不良会使得共享TFT(share TFT)漏电不畅，电荷积累，从而带来一系列的显示问题，并且增加制造成本。
因此，需要设计一种新的阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法，来解决现有技术中的问题。
发明内容
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法，通过改善深浅孔过孔技术，可解决深浅孔处导电层搭接不良的问题，进而能降低深浅孔处第一金属层与第二金属层的接触电阻、提高产品良率、降低生产成本。
本发明目的通过以下技术方案实现：
本发明的一个目的在于提供一种阵列基板，包括层叠设置的第一金属层、栅极绝缘层、第二金属层、钝化层和导电层，所述导电层将所述第一金属层与所述第二金属层导通。具体地讲，所述栅极绝缘层位于所述第一金属层上；所述第二金属层位于所述栅极绝缘层上；所述钝化层位于所述第二金属层上；所述导电层位于所述钝化层上。
所述阵列基板还包括第一过孔和第二过孔。具体地讲，所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述栅极绝缘层并裸露所述第一金属层；所述第二过孔贯穿所述钝化层并裸露所述第二金属层；其中，所述导电层填充所述第一过孔和所述第二过孔将所述第一金属层与所述第二金属层电连接；所述第一过孔位于所述第二过孔的一侧，且所述钝化层部分延伸至所述第一过孔与所述第二过孔之间。
进一步的，所述第一过孔与所述第二过孔的间距小于2倍光阻层蚀刻消退距离，所述光阻层蚀刻消退距离为制作所述第一过孔与所述第二过孔时对为保护所述钝化层作用而提供的光阻层的蚀刻消退距离。
进一步的，所述第一金属层或所述第二金属层的材料为铜、铝、钼中的一种或几种的堆叠组合。
进一步的，所述栅极绝缘层或所述钝化层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
进一步的，所述导电层的材料包括氧化铟锡。
本发明另一目的在于提供一种显示面板，包括上述任一种所述的阵列基板。
本发明再一目的在于提供一种阵列基板的制造方法，包括以下步骤：
制造第一金属层，其为提供一玻璃基底，在玻璃基底上制作所述第一金属层；
制造栅极绝缘层，在所述第一金属层上制作所述栅极绝缘层；
制造第二金属层，在所述栅极绝缘层上制作所述第二金属层并图形化处理；
制造钝化层，在所述栅极绝缘层上制作所述钝化层，所述钝化层覆盖所述第二金属层，并且所述钝化层部分延伸至所述第一金属层上；
制造光阻层，在所述钝化层上制作所述光阻层，所述光阻层包括第一蚀刻孔和第二蚀刻孔，所述第二蚀刻孔与所述第二金属层相对设置，所述第一蚀刻孔位于所述第二蚀刻孔的一侧；
蚀刻挖孔步骤，在所述光阻层一侧进行蚀刻，蚀刻后形成与所述第一蚀刻孔相对应的第一过孔以及与所述第二蚀刻孔相对应的第二过孔；所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述栅极绝缘层并裸露所述第一金属层，所述第二过孔贯穿所述钝化层并裸露所述第二金属层，并且所述钝化层部分延伸至所述第一过孔与所述第二过孔之间；
去除光阻层步骤，去除剩余的所述光阻层；
制造导电层，在所述钝化层一侧制作所述导电层，所述导电层铺设于所述第一过孔和所述第二过孔中且将所述第一金属层与所述第二金属层导通。
进一步的，所述去除剩余的所述光阻层的方式为通过干燥烘烤所述光阻层，使得所述光阻层脱落。
进一步的，制造光阻层的步骤具体包括：
设置光罩，在所述光阻层上设置光罩，所述光罩包括与所述第一蚀刻孔相对设置的第一通孔以及与所述第二蚀刻孔相对设置的第二通孔；
曝光显影蚀刻，经曝光显影蚀刻后的所述光阻层形成与所述第一通孔相对应的第一蚀刻孔以及与所述第二通孔相对应的第二蚀刻孔。
进一步的，所述光罩包括半色调掩膜板(Half Tone Mask，HTM)。
本发明的有益效果在于，提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法，通过改善深浅孔过孔结构，调整所述第一过孔和所述第二过孔之间的距离实现在制作过程中保留所述第一过孔和所述第二过孔之间钝化层，可避免在较深的第一过孔内由于栅极绝缘层侧刻等原因又很容易遇到栅极绝缘层底切、鸟嘴、导电层断裂等搭接不良的问题，可解决深浅孔(指所述第一过孔和所述第二过孔的结合)处导电层搭接不良的问题，进而能降低深浅孔处第一金属层与第二金属层的接触电阻、提高产品良率、降低生产成本。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有的一种阵列基板的结构示意图；
图2为现有的采用双孔设计的方式的俯视图；
图3为现有的采用深浅孔单孔设计的俯视图；
图4为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例中的阵列基板的俯视图；
图6为本发明实施例中的阵列基板的制造流程图；
图7为图6中所述制造光阻层步骤的制造流程图；
图8为本发明实施例中所述光罩的结构示意图；
图9为本发明实施例中完成所述制造光阻层步骤的结构示意图。
图中部件标识如下：
1、第一金属层，2、栅极绝缘层，3、第二金属层，4、钝化层，
5、导电层，6、光阻层，61、第一蚀刻孔，62、第二蚀刻孔，
10、阵列基板，11、第一过孔，12、第二过孔，
20、光罩，21、第一通孔，22、第二通孔。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
请参阅图4所示，本发明其中一实施例中提供一种阵列基板10，包括层叠设置的第一金属层1、栅极绝缘层2、第二金属层3、钝化层4和导电层5，所述导电层5将所述第一金属层1与所述第二金属层3导通。具体地讲，所述栅极绝缘层2位于所述第一金属层1上；所述第二金属层3位于所述栅极绝缘层2上；所述钝化层4位于所述第二金属层3上；所述导电层5位于所述钝化层4上。
所述阵列基板10还包括第一过孔11和第二过孔12。具体地讲，所述第一过孔11贯穿所述钝化层4和所述栅极绝缘层2并裸露所述第一金属层1；所述第二过孔12贯穿所述钝化层4并裸露所述第二金属层3；其中，所述导电层5填充所述第一过孔11和所述第二过孔12将所述第一金属层1与所述第二金属层3电连接；所述第一过孔11位于所述第二过孔12的一侧，且所述钝化层4部分延伸至所述第一过孔11与所述第二过孔12之间。
本实施例中，所述第一过孔11与所述第二过孔12的间距小于2倍光阻层蚀刻消退距离，所述光阻层蚀刻消退距离为制作所述第一过孔11与所述第二过孔12时对为保护所述钝化层4作用而提供的光阻层6的蚀刻消退距离。
举例说明所述光阻层蚀刻消退距离，如预设形成A*B的过孔，其中的A、B为所述过孔的边长，在实际蚀刻挖孔过程中，所述光阻层6会被缓慢蚀刻，从而形成(A+n)*(B+n)的过孔，其中的n即为所述光阻层蚀刻消退距离，换句话讲，n为所述光阻层6被蚀刻导致的所述光阻层6的减少量，通过将所述第一过孔11与所述第二过孔12之间的距离控制在所述光阻层蚀刻消退距离的2倍以内可保证所述光阻层6下方的所述钝化层4在经过所述蚀刻挖孔步骤后仍有剩余，从而可预防所述第一过孔11与所述第二过孔12之间不会出现所述钝化层4下方的所述栅极绝缘层2侧面被蚀刻，因此避免栅极绝缘层2底切、鸟嘴、导电层5断裂等搭接不良的问题。
请参阅图5所示，图5为本实施例阵列基板10采用深浅孔单孔设计的俯视图，所述第一过孔11与所述第二过孔12之间包括所述钝化层4。位于所述第一过孔11与所述第二过孔12之间的所述钝化层4的宽度小于2倍光阻层蚀刻消退距离。
本实施例中，所述第一过孔11与所述第二过孔12的间距大于0.5倍光阻层蚀刻消退距离，优选为1倍光阻层蚀刻消退距离。
本实施例中，所述第一金属层1或所述第二金属层3的材料为铜、铝、钼中的一种或几种的堆叠组合。
本实施例中，所述栅极绝缘层2或所述钝化层4的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
本实施例中，所述导电层5的材料包括氧化铟锡。
本发明的有益效果在于，提供一种阵列基板10，通过改善深浅孔过孔结构，调整所述第一过孔11和所述第二过孔12之间的距离实现在制作过程中保留所述第一过孔11和所述第二过孔12之间钝化层4，可避免在较深的第一过孔11内由于栅极绝缘层2侧刻等原因又很容易遇到栅极绝缘层2底切、鸟嘴、导电层5断裂等搭接不良的问题，可解决深浅孔(指所述第一过孔11和所述第二过孔12的结合)处导电层5搭接不良的问题，进而能降低深浅孔处第一金属层1与第二金属层3的接触电阻、提高产品良率、降低生产成本。
基于同样的发明构思，本发明其中一实施例中提供一种显示面板，包括上述任一种所述的阵列基板10。
本实施例中的显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例提供的显示面板的工作原理，与前述阵列基板10的实施例工作原理一致，具体结构关系及工作原理参见前述阵列基板10实施例，此处不再赘述。
请参阅图6、图9所示，本发明其中一实施例中提供一种阵列基板10的制造方法，包括步骤S1-S8。
步骤S1：制造第一金属层1，其为提供一玻璃基底，在玻璃基底上制作所述第一金属层1。
步骤S2：制造栅极绝缘层2，在所述第一金属层1上制作所述栅极绝缘层2。
步骤S3：制造第二金属层3，在所述栅极绝缘层2上制作所述第二金属层3并图形化处理。
步骤S4：制造钝化层4，在所述栅极绝缘层2上制作所述钝化层4，所述钝化层4覆盖所述第二金属层3，并且所述钝化层4部分延伸至所述第一金属层1上。
步骤S5：制造光阻层6，在所述钝化层4上制作所述光阻层6，如图9所示，所述光阻层6包括第一蚀刻孔61和第二蚀刻孔62，所述第二蚀刻孔62与所述第二金属层3相对设置，所述第一蚀刻孔61位于所述第二蚀刻孔62的一侧。
值得注意的是，在制造光阻层6步骤中，所述第一蚀刻孔61与所述第二蚀刻孔62的水平距离小于2倍光阻层蚀刻消退距离(CD loss)；所述光阻层蚀刻消退距离为制作所述第一过孔11与所述第二过孔12时对保护所述钝化层4作用的光阻层6的蚀刻消退距离。也就是说，所述第一过孔11与所述第二过孔12之间的距离控制在蚀刻挖孔步骤时所述光阻层蚀刻消退距离的2倍以内。
所述第一蚀刻孔61与所述第二蚀刻孔62的水平距离是指两者底部位置的水平间隔，通过所述第一蚀刻孔61与所述第二蚀刻孔62的水平距离限定可直接影响所述第一过孔11与所述第二过孔12之间的底部位置的水平间隔，也就决定了位于所述第一过孔11与所述第二过孔12之间的所述钝化层4的宽度，即决定了位于所述第一过孔11与所述第二过孔12之间的所述钝化层4上的所述光阻层6的宽度。更详细的讲，所述第一过孔11与所述第二过孔12的间距大于0.5倍光阻层蚀刻消退距离，优选为1倍光阻层蚀刻消退距离；位于所述第一过孔11与所述第二过孔12之间的所述钝化层4的宽度小于2倍光阻层蚀刻消退距离。
举例说明所述光阻层蚀刻消退距离，如预设形成A*B的过孔，其中的A、B为所述过孔的边长，在实际蚀刻挖孔过程中，所述光阻层6会被缓慢蚀刻，从而形成(A+n)*(B+n)的过孔，其中的n即为所述光阻层蚀刻消退距离，换句话讲，n为所述光阻层6被蚀刻导致的所述光阻层6的减少量，通过将所述第一过孔11与所述第二过孔12之间的距离控制在所述光阻层蚀刻消退距离的2倍以内可保证所述光阻层6下方的所述钝化层4在经过所述蚀刻挖孔步骤后仍有剩余，从而可预防所述第一过孔11与所述第二过孔12之间不会出现所述钝化层4下方的所述栅极绝缘层2侧面被蚀刻，因此避免栅极绝缘层2底切、鸟嘴、导电层5断裂等搭接不良的问题。
步骤S6：蚀刻挖孔步骤，在所述光阻层6一侧进行蚀刻，蚀刻后形成与所述第一蚀刻孔61相对应的第一过孔11以及与所述第二蚀刻孔62相对应的第二过孔12；所述第一过孔11贯穿所述钝化层4和所述栅极绝缘层2并裸露所述第一金属层1，所述第二过孔12贯穿所述钝化层4并裸露所述第二金属层3。
值得注意的是，在蚀刻挖孔步骤中，由于所述光阻层蚀刻消退距离的范围使得蚀刻过后在所述第一过孔11和所述第二过孔12之间保留所述钝化层4，从而能避免在较深的第一过孔11内由于栅极绝缘层2侧刻等原因又很容易遇到栅极绝缘层2底切、鸟嘴、导电层5断裂等搭接不良的问题。
步骤S7：去除光阻层6步骤，去除剩余的所述光阻层6。其中所述移除剩余的所述光阻层6的方式为通过干燥烘烤所述光阻层6使得所述光阻层6脱落。
步骤S8：制造导电层5，在所述钝化层4一侧制作所述导电层5，所述导电层5填充所述第一过孔11和所述第二过孔12将所述第一金属层1与所述第二金属层3导通。
请参阅图7-图9所示，本实施例中，制造光阻层6的步骤S5具体包括步骤S51-S52。
步骤S51：设置光罩20，在所述光阻层6上设置光罩20，如图8所示，所述光罩20包括与所述第一蚀刻孔61相对设置的第一通孔21以及与所述第二蚀刻孔62相对设置的第二通孔22。所述第一通孔21和所述第二通孔22的间距大于0.5倍光阻层蚀刻消退距离，优选为1倍光阻层蚀刻消退距离。
步骤S52：曝光显影蚀刻，如图9所示，经曝光显影蚀刻后的所述光阻层6形成与所述第一通孔相对应的第一蚀刻孔61以及与所述第二通孔相对应的第二蚀刻孔62。
本实施例中，所述第一金属层1或所述第二金属层3的材料为铜、铝、钼中的一种或几种的堆叠组合。
本实施例中，所述栅极绝缘层2或所述钝化层4的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
本实施例中，所述导电层5的材料包括氧化铟锡。
本发明的有益效果在于，提供一种阵列基板10的制造方法，通过改善深浅孔过孔结构，调整所述第一过孔11和所述第二过孔12之间的距离实现在制作过程中保留所述第一过孔11和所述第二过孔12之间钝化层4，可避免在较深的第一过孔11内由于栅极绝缘层2侧刻等原因又很容易遇到栅极绝缘层2底切、鸟嘴、导电层5断裂等搭接不良的问题，可解决深浅孔(指所述第一过孔11和所述第二过孔12的结合)处导电层5搭接不良的问题，进而能降低深浅孔处第一金属层1与第二金属层3的接触电阻、提高产品良率、降低生产成本。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括
第一金属层；
栅极绝缘层，位于所述第一金属层上；
第二金属层，位于所述栅极绝缘层上；
钝化层，位于所述第二金属层上；以及
导电层，位于所述钝化层上；
其特征在于，所述阵列基板还包括
第一过孔，所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述栅极绝缘层并裸露所述第一金属层；以及
第二过孔，所述第二过孔贯穿所述钝化层并裸露所述第二金属层；
其中，所述导电层铺设于所述第一过孔和所述第二过孔内以电连接所述第一金属层与所述第二金属层；
所述第一过孔位于所述第二过孔的一侧，且所述钝化层部分延伸至所述第一过孔与所述第二过孔之间；所述钝化层覆盖位于所述第一过孔一侧的所述第二金属层；
所述第一过孔与所述第二过孔的间距小于2倍光阻层蚀刻消退距离，所述光阻层蚀刻消退距离为制作所述第一过孔与所述第二过孔时对为保护所述钝化层作用而提供的光阻层的蚀刻消退距离。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层或所述第二金属层的材料为铜、铝、钼中的一种或几种的堆叠组合。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层或所述钝化层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层的材料包括氧化铟锡。
5.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的阵列基板。
6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：
制造第一金属层，其为提供一玻璃基底，在玻璃基底上制作所述第一金属层；
制造栅极绝缘层，在所述第一金属层上制作所述栅极绝缘层；
制造第二金属层，在所述栅极绝缘层上制作所述第二金属层并图形化处理；
制造钝化层，在所述栅极绝缘层上制作所述钝化层，所述钝化层覆盖所述第二金属层，并且所述钝化层部分延伸至所述第一金属层上；
制造光阻层，在所述钝化层上制作所述光阻层，所述光阻层包括第一蚀刻孔和第二蚀刻孔，所述第二蚀刻孔与所述第二金属层相对设置，所述第一蚀刻孔位于所述第二蚀刻孔的一侧；
蚀刻挖孔步骤，在所述光阻层一侧进行蚀刻，蚀刻后形成与所述第一蚀刻孔相对应的第一过孔以及与所述第二蚀刻孔相对应的第二过孔；所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述栅极绝缘层并裸露所述第一金属层，所述第二过孔贯穿所述钝化层并裸露所述第二金属层，并且所述钝化层部分延伸至所述第一过孔与所述第二过孔之间；
去除光阻层步骤，去除剩余的所述光阻层；
制造导电层，在所述钝化层一侧制作所述导电层，所述导电层铺设于所述第一过孔和所述第二过孔中且将所述第一金属层与所述第二金属层导通；所述第一过孔与所述第二过孔的间距小于2倍光阻层蚀刻消退距离，所述光阻层蚀刻消退距离为制作所述第一过孔与所述第二过孔时对为保护所述钝化层作用而提供的光阻层的蚀刻消退距离。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述去除剩余的所述光阻层的方式为通过干燥烘烤所述光阻层，使得所述光阻层脱落。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，制造光阻层的步骤具体包括：
设置光罩，在所述光阻层上设置光罩，所述光罩包括第一通孔以及第二通孔；
曝光显影蚀刻，经曝光显影蚀刻后的所述光阻层形成与所述第一通孔相对应的第一蚀刻孔以及与所述第二通孔相对应的第二蚀刻孔。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述光罩包括半色调掩膜板。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114415432B (zh) * 2021-12-17 2022-12-27 惠科股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080040505A (ko) * 2006-11-03 2008-05-08 삼성전자주식회사 표시 장치
KR101461123B1 (ko) * 2008-05-08 2014-11-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조방법
CN102566165B (zh) * 2010-12-20 2015-01-07 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
KR102100766B1 (ko) * 2013-09-30 2020-04-14 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102258374B1 (ko) * 2013-10-18 2021-06-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN106653774B (zh) * 2017-01-04 2019-12-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置
CN106684155B (zh) * 2017-01-05 2021-03-30 京东方科技集团股份有限公司 双栅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置
CN107204344B (zh) * 2017-05-23 2020-05-29 深圳市华星光电技术有限公司 Tft阵列基板结构
CN107180838B (zh) * 2017-06-23 2019-12-31 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制造方法
CN108319105A (zh) * 2018-02-06 2018-07-24 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板以及阵列基板的制备方法
CN108538859A (zh) * 2018-04-24 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板的制作方法
CN108550580B (zh) * 2018-04-27 2019-10-11 武汉华星光电技术有限公司 Tft阵列基板
CN109509707B (zh) * 2018-12-11 2023-04-28 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法
CN109459894A (zh) * 2018-12-24 2019-03-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素电极结构及其制作方法

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