CN111055615A - 一种改性金葱镭射粉制作工艺 - Google Patents

一种改性金葱镭射粉制作工艺 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种改性金葱镭射粉制作工艺，包括以下步骤a涂布，b膜压，c镀铝，d UV涂布，e分条；其中步骤a将基膜平放在涂布机上进行涂布，涂布机以一定的速率运转，采用150目陶瓷辊进行居中涂布，两边漏涂不超过1.5mm，基膜横向收缩量控制在2mm之内，将一层离型层干涂在基膜上，涂布好一层离型层的基膜经过烘炉进行四节或五节烘干；通过在基膜均价涂布一层离型层，模压机压花金葱镭射粉，镀铝机上镀金属介质，使其具有金属质感，上UV涂布机上调节镭射粉亮度，最后在分条机上用刮刀刮粉，金葱镭射粉和薄膜分离，去掉金葱镭射粉中的薄膜，避免在环境中无法讲解，缩小金葱镭射粉直径到0.01mm，更加细腻，增加镭射金葱粉的亮度，使其效果更佳。

Description

一种改性金葱镭射粉制作工艺
技术领域
本发明涉及镭射粉技术领域，特别涉及一种改性金葱镭射粉制作工艺。
背景技术
镭射粉由精亮度极高的电镀材料经精密切割而成。其材质有PET、PVC、OPP、铝质材料，金葱粉粒径可从0.004mm-3.0mm均可生产。其形状有四角形、六角形、长方形等。金葱粉色彩有金色、银色、七彩色、彩色、幻彩色、珠光色、镭射等供于选择。各色系均加上表层保护层，色泽光亮，对气候，温度的轻度腐蚀性化学品具有一定抵抗力及耐温性。
冠晟镭射粉有金色镭射粉、银色镭射粉、大红镭射粉、宝兰镭射粉、海兰镭射粉、绿色镭射粉等。冠晟镭射粉作为一种效果独特的表层处理材料，冠晟镭射粉广泛应用于圣诞工艺品、蜡烛工艺、化妆品、丝网印刷行业(布料、皮革类、制鞋类---鞋材类、年画系列)、装饰材料(玻璃艺品、聚晶玻璃；水晶球)、油漆装璜、家具喷漆等领域，其特点在于增强产品的视觉效果，使装饰部分凹凸有层次，更具立体感。其高度闪光的特性，同时又使装饰物鲜艳夺目、倍添光彩。
传统的金葱镭射粉的制作,都是在UV涂布机上将化学基膜UV涂布压印金葱镭射粉，然后上镀铝机镀金属介质，使其具有金属质感，最后将具有金属质感、金葱镭射粉的PET膜打成粉，制成金葱镭射粉，金葱镭射粉广泛应用于包装及其他行业。但是此种镭射金葱粉具有以下缺点：(1)不环保，传统的金葱镭射粉的制作时，在上面覆盖一层塑料薄膜，塑料薄膜在自然环境中难以分解，造成环境白色污染。(2)传统的金葱镭射粉工艺制作得到的镭射粉直径大，一般0.3mm—1mm，粗糙感比较强，不适用于印刷精细光滑面。(3)传统的金葱镭射粉工艺制作的金葱镭射粉，亮度效果不好，使得印刷出来的产品色泽差。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种可得到环保的、镭射粉直径小、亮度效果好的改性金葱镭射粉制作工艺。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案为：
一种改性金葱镭射粉制作工艺，包括以下步骤：
a、涂布：将基膜平放在涂布机上进行涂布，涂布机以一定的速率运转，采用150目陶瓷辊进行居中涂布，两边漏涂不超过1.5mm，基膜横向收缩量控制在2mm之内，将一层离型层干涂在基膜上，涂布好一层离型层的基膜经过烘炉进行烘干，根据烘干效率及车间温湿度的变化可适当将烘箱温度上调5-10℃；
b、膜压：将步骤a中烘干好的基膜进行膜压，膜压选用金葱粉专版2#，控制膜压速率为45-55m/min，膜压机压花金葱镭射粉生产速率控制为20000m/张，其中版辊温度为165-175℃，胶辊硬度为94-96，胶辊压力：25-35kg/cm2；
c、镀铝：将步骤b中膜压机压花好金葱镭射粉的基膜，放置在镀铝机上进行左右均匀镀铝，基膜在镀铝机上前进的速度为400-600m/min，镀铝的厚度控制在2.0-2.4欧；
d、UV涂布：将步骤c中均匀镀铝的基膜放置在UV涂布机上进行上UV调节亮度，UV涂布机的机速为35-50m/min，采用350目的网目辊进行湿涂，其中网目辊的压力：5-15kg/cm2网目辊：350，湿涂量为4g/㎡，UV涂布的电晕值：1.35-1.45KW，得到金葱镭射粉依附在基膜上；
e、分条：将步骤d中UV涂布依附有金葱镭射粉的基膜放入分条机上用刮刀刮下金葱镭射粉粉，使得金葱镭射粉和基膜分离，基膜回收重复利用。
作为一优选的实施方式，所述步骤a中涂布机的速率为95-105m/min。
作为一优选的实施方式，所述步骤a中烘箱温度，采用四节烘干时，第一节温度为85℃，第二节温度为125℃，第三节温度为145℃，第四节温度为105℃。
作为一优选的实施方式，所述步骤a中烘箱温度，采用五节烘干时，第一节温度为75℃，第二节温度为115℃，第三节温度为135℃，第四节温度为125℃，第五节的温度为100℃。
作为一优选的实施方式，所述步骤a中离型层为乙酯：丁酮＝1:1调配得到。
本发明采用上述技术方案，通过在基膜均价涂布一层离型层，模压机压花金葱镭射粉，镀铝机上镀金属介质，使其具有金属质感，上UV涂布机上调节镭射粉亮度，最后在分条机上用刮刀刮粉，金葱镭射粉和薄膜分离，去掉金葱镭射粉中的薄膜，避免在环境中无法讲解，缩小金葱镭射粉直径到0.01mm，更加细腻，增加镭射金葱粉的亮度，使其效果更佳。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种改性金葱镭射粉制作工艺流程图；
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本发明，但并不构成对本发明的限定。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
实施例一
如图1所示，一种改性金葱镭射粉制作工艺，包括以下步骤：
a、涂布：将基膜平放在涂布机上进行涂布，涂布机的速率为95-105m/min，采用150目陶瓷辊进行居中涂布，两边漏涂不超过1.5mm，基膜横向收缩量控制在2mm之内，将一层离型层干涂在基膜上，离型层为乙酯：丁酮＝1:1，涂布好一层离型层的基膜经过烘炉进行烘干，采用四节烘干，第一节温度为85℃，第二节温度为125℃，第三节温度为145℃，第四节温度为105℃；根据烘干效率及车间温湿度的变化可适当将烘箱温度上调5-10℃；
b、膜压：将步骤a中烘干好的基膜进行膜压，膜压选用金葱粉专版2#，控制膜压速率为45-55m/min，膜压机压花金葱镭射粉生产速率控制为20000m/张，其中版辊温度为165-175℃，胶辊硬度为94-96，胶辊压力：25-35kg/cm2；
c、镀铝：将步骤b中膜压机压花好金葱镭射粉的基膜，放置在镀铝机上进行左右均匀镀铝，基膜在镀铝机上前进的速度为400-600m/min，镀铝的厚度控制在2.0-2.4欧；
d、UV涂布：将步骤c中均匀镀铝的基膜放置在UV涂布机上进行上UV调节亮度，UV涂布机的机速为35-50m/min，采用350目的网目辊进行湿涂，其中网目辊的压力：5-15kg/cm2网目辊：350，湿涂量为4g/㎡，UV涂布的电晕值：1.35-1.45KW，得到金葱镭射粉依附在基膜上；
e、分条：将步骤d中UV涂布依附有金葱镭射粉的基膜放入分条机上用刮刀刮下金葱镭射粉粉，使得金葱镭射粉和基膜分离，基膜回收重复利用。
实施例二
如图1所示，一种改性金葱镭射粉制作工艺，包括以下步骤：
a、涂布：将基膜平放在涂布机上进行涂布，涂布机的速率为95-105m/min，采用150目陶瓷辊进行居中涂布，两边漏涂不超过1.5mm，基膜横向收缩量控制在2mm之内，将一层离型层干涂在基膜上，离型层为乙酯：丁酮＝1:1，涂布好一层离型层的基膜经过烘炉进行烘干，采用五节烘干，第一节温度为75℃，第二节温度为115℃，第三节温度为135℃，第四节温度为125℃，第五节的温度为100℃；根据烘干效率及车间温湿度的变化可适当将烘箱温度上调5-10℃；
b、膜压：将步骤a中烘干好的基膜进行膜压，膜压选用金葱粉专版2#，控制膜压速率为45-55m/min，膜压机压花金葱镭射粉生产速率控制为20000m/张，其中版辊温度为165-175℃，胶辊硬度为94-96，胶辊压力：25-35kg/cm2；
c、镀铝：将步骤b中膜压机压花好金葱镭射粉的基膜，放置在镀铝机上进行左右均匀镀铝，基膜在镀铝机上前进的速度为400-600m/min，镀铝的厚度控制在2.0-2.4欧；
d、UV涂布：将步骤c中均匀镀铝的基膜放置在UV涂布机上进行上UV调节亮度，UV涂布机的机速为35-50m/min，采用350目的网目辊进行湿涂，其中网目辊的压力：5-15kg/cm2网目辊：350，湿涂量为4g/㎡，UV涂布的电晕值：1.35-1.45KW，得到金葱镭射粉依附在基膜上；
e、分条：将步骤d中UV涂布依附有金葱镭射粉的基膜放入分条机上用刮刀刮下金葱镭射粉粉，使得金葱镭射粉和基膜分离，基膜回收重复利用。
本发明得到的金葱镭射粉中不含塑料薄膜成分，制造过程用到的薄膜回收重复利用，对环境友好，避免造成白色污染，镭射粉直径0.01mm，适用于不同的印刷面，并且印刷面更精细更光滑，使得印刷出来的产品色泽更佳，在基膜上涂布离型层未水性涂料，使得制得的金葱镭射粉易分解。
以上结合附图对本发明的实施方式作了详细说明，但本发明不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本发明原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本发明的保护范围内。

Claims (5)

1.一种改性金葱镭射粉制作工艺，其特征在于：包括以下步骤：
a、涂布：将基膜平放在涂布机上进行涂布，涂布机以一定的速率运转，采用150目陶瓷辊进行居中涂布，两边漏涂不超过1.5mm，基膜横向收缩量控制在2mm之内，将一层离型层干涂在基膜上，涂布好一层离型层的基膜经过烘炉进行烘干，根据烘干效率及车间温湿度的变化可适当将烘箱温度上调5-10℃；
b、膜压：将步骤a中烘干好的基膜进行膜压，膜压选用金葱粉专版2#，控制膜压速率为45-55m/min，膜压机压花金葱镭射粉生产速率控制为20000m/张，其中版辊温度为165-175℃，胶辊硬度为94-96，胶辊压力：25-35kg/cm2；
c、镀铝：将步骤b中膜压机压花好金葱镭射粉的基膜，放置在镀铝机上进行左右均匀镀铝，基膜在镀铝机上前进的速度为400-600m/min，镀铝的厚度控制在2.0-2.4欧；
d、UV涂布：将步骤c中均匀镀铝的基膜放置在UV涂布机上进行上UV调节亮度，UV涂布机的机速为35-50m/min，采用350目的网目辊进行湿涂，其中网目辊的压力：5-15kg/cm2网目辊：350，湿涂量为4g/㎡，UV涂布的电晕值：1.35-1.45KW，得到金葱镭射粉依附在基膜上；
e、分条：将步骤d中UV涂布依附有金葱镭射粉的基膜放入分条机上用刮刀刮下金葱镭射粉粉，使得金葱镭射粉和基膜分离，基膜回收重复利用。
2.根据权利要求1所述的改性金葱镭射粉制作工艺，其特征在于：所述步骤a中涂布机的速率为95-105m/min。
3.根据权利要求1所述的改性金葱镭射粉制作工艺，其特征在于：所述步骤a中烘箱温度，采用四节烘干时，第一节温度为85℃，第二节温度为125℃，第三节温度为145℃，第四节温度为105℃。
4.根据权利要求1所述的改性金葱镭射粉制作工艺，其特征在于：所述步骤a中烘箱温度，采用五节烘干时，第一节温度为75℃，第二节温度为115℃，第三节温度为135℃，第四节温度为125℃，第五节的温度为100℃。
5.根据权利要求1所述的改性金葱镭射粉制作工艺，其特征在于：所述步骤a中离型层为乙酯：丁酮＝1:1调配得到。
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