CN111052341A - 基板处理系统和基板处理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 421
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 24
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 78
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 78
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 5
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 87
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 17
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
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Abstract
基板处理系统,其具备:紫外线照射部,其用于对保护基板的保护带照射紫外线;安装部,其借助粘着带将所述基板安装于框架,该粘着带以所述基板为基准设于与紫外线照射后的所述保护带相反的一侧;以及剥离部,其自借助所述粘着带安装于所述框架的所述基板剥离所述保护带,所述紫外线照射部在所述安装部的铅垂方向上方与所述安装部重叠地设置。
Description
技术领域
本公开涉及基板处理系统和基板处理方法。
背景技术
近年来,为了应对半导体装置的小型化、轻型化的要求,在半导体晶圆等基板的第1主表面形成元件、电路、端子等之后,对基板的与第1主表面相反的一侧的第2主表面进行磨削,而对基板进行薄板化。在进行薄板化之后或进行薄板化之前,进行切片(日文:ダイシング)。
在进行薄板化、切片等加工的期间,基板的第1主表面由保护带保护。作为保护带,使用通过照射紫外线而使粘着力降低的保护带。在粘着力降低之后,能够利用剥离操作自基板简单地剥离保护带。
在对保护带照射紫外线之后且在自基板剥离保护带之前,基板借助有别于保护带的粘着带安装于框架。粘着带以覆盖环状的框架的开口部的方式安装于框架,在框架的开口部与基板的第2主表面贴合。
专利文献1的装置具有:加工部,其用于对晶圆的背面进行磨削;UV照射部,其用于对保护晶圆的表面的保护带照射紫外线;安装部,其借助在晶圆的背面粘贴的粘着带将晶圆安装于框架;以及剥离部,其用于自晶圆剥离保护带。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-343756号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的一技术方案提供能够减少在铅垂方向观察时的基板处理系统的设置面积的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案所涉及的基板处理系统具备:
紫外线照射部,其用于对保护基板的保护带照射紫外线;
安装部,其借助粘着带将所述基板安装于框架,该粘着带以所述基板为基准设于与紫外线照射后的所述保护带相反的一侧;以及
剥离部,其自借助所述粘着带安装于所述框架的所述基板剥离所述保护带,
所述紫外线照射部在所述安装部的铅垂方向上方与所述安装部重叠地设置。
发明的效果
根据本公开的一技术方案,能够减少在铅垂方向观察时的基板处理系统的设置面积。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板处理系统进行处理前的基板的立体图。
图2是表示一实施方式的基板处理系统进行处理后的基板的立体图。
图3是表示一实施方式的基板处理系统的俯视图。
图4是表示一实施方式的切片部的图。
图5是表示一实施方式的薄板化部的粗磨部的图。
图6是表示一实施方式的紫外线照射部的图。
图7是表示一实施方式的安装部的图。
图8是表示一实施方式的剥离部的图。
图9是表示一实施方式的ID粘贴部的图。
图10是表示一实施方式的基板处理方法的流程图。
图11是表示一实施方式的基板处理系统的主要部分的俯视图。
图12是表示一实施方式的安装部以及在安装部的上方与安装部重叠地设置的紫外线照射部以及交接部的侧视图。
图13是表示一实施方式的剥离部以及在剥离部的上方与剥离部重叠地设置的ID粘贴部的侧视图。
图14是表示一实施方式的第2副输送部的动作的图。
图15是表示第1变形例的剥离部以及在剥离部的上方与剥离部重叠地设置的ID粘贴部的侧视图。
图16是表示第2变形例的基板处理系统的主要部分的俯视图。
具体实施方式
以下,参照附图对本公开的实施方式进行说明。在各附图中,对相同或相对应的结构标注相同或相对应的附图标记而省略说明。在以下的说明中,X方向、Y方向、Z方向为相互垂直的方向,X方向和Y方向为水平方向,Z方向为铅垂方向。也将以铅垂轴线为旋转中心的旋转方向称为θ方向。在本说明书中,下方是指铅垂方向下方,上方是指铅垂方向上方。
图1是表示一实施方式的基板处理系统进行处理前的基板的立体图。基板10为例如半导体基板、蓝宝石基板等。基板10的第1主表面11由形成为格子状的多个迹道划分,在被划分出的各区域预先形成元件、电路、端子等。沿着形成为格子状的多个迹道分割基板10,从而得到芯片13(参照图2)。
在基板10的第1主表面11贴合有保护带14。保护带14在进行切片、薄板化等加工的期间保护基板10的第1主表面11,并保护在第1主表面11预先形成的元件、电路、端子等。保护带14覆盖基板10的整个第1主表面11。
保护带14由片状基材和在片状基材的表面涂布的粘着剂构成。该粘着剂可以是在照射紫外线时固化而降低粘着力的粘着剂。能够在粘着力降低之后,利用剥离操作自基板10简单地剥离保护带14。
图2是表示一实施方式的基板处理系统进行处理后的基板的立体图。基板10在被切片而薄板化之后,借助粘着带18安装于框架19。另外,图1所示的保护带14可以自基板10剥离、去除。
粘着带18由片状基材和在片状基材的表面涂布的粘着剂构成。粘着带18以覆盖环状的框架19的开口部的方式安装于框架19,在框架19的开口部与基板10贴合。由此,能够保持框架19而输送基板10,从而能够提高基板10的处理性。
如图2所示,也可以在粘着带18和基板10之间设置DAF(Die Attach Film:芯片粘结膜)15。DAF15为芯片粘接用的粘接片。DAF15用于芯片13的层叠等。DAF15可以具有导电性、绝缘性中的任一者。
DAF15形成得比框架19的开口部小,设于框架19的内侧。DAF15覆盖基板10的整个第2主表面12。另外,在不进行芯片13的层叠的情况下,由于不需要DAF15,因此也可以将基板10仅借助粘着带18安装于框架19。
图3是表示一实施方式的基板处理系统的俯视图。在图3中,剖切送入盒35以及送出盒45,来图示出送入盒35的内部以及送出盒45的内部。在图3中,箭头示出安装部500、剥离部600等处的基板10和框架19的移动方向。
基板处理系统1进行基板10的切片、基板10的薄板化、相对于保护带14照射紫外线、基板10的安装、自基板10剥离保护带14、相对于框架19粘贴ID等各种处理。
基板处理系统1具备:控制部20、送入部30、送出部40、主输送路径50、主输送部58以及各种处理部。作为处理部,不特别限定,例如设有切片部100、薄板化部200、紫外线照射部400、安装部500、剥离部600以及ID粘贴部700。
控制部20由例如计算机构成,如图3所示,具有:CPU(Central Processing Unit:中央处理单元)21、存储器等存储介质22、输入接口23以及输出接口24。控制部20通过使CPU21执行存储于存储介质22的程序来进行各种控制。此外,控制部20利用输入接口23接收来自外部的信号,并利用输出接口24向外部发送信号。
控制部20的程序存储于信息存储介质,并从信息存储介质进行加载。作为信息存储介质,能够举出例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)以及存储卡等。另外,程序也可以经由互联网从服务器下载并进行安装。
送入部30用于自外部将收纳有处理前的基板10的送入盒35送入。送入盒35在Z方向上空开间隔地收纳有多个借助例如粘着带18安装于框架19之前的基板10。
送入盒35在Z方向上空开间隔地具有多个水平地配置的成对的收纳板36,以在Z方向上空开间隔地收纳多张基板10。如图3所示,成对的收纳板36支承基板10的Y方向两端部。
送入盒35也可以以保护带14朝向上的方式水平地收纳基板10,以抑制保护带14的翘起等变形。自送入盒35取出来的基板10在进行了上下翻转之后,向切片部100等处理部输送。
送入部30具备供送入盒35载置的载置板31。载置板31在Y方向上成一列地设有多个。另外,载置板31的个数不限定于图示的数量。
送出部40用于将收纳有处理后的基板10的送出盒45向外部送出。送出盒45在Z方向上空开间隔地收纳多个借助例如粘着带18安装于框架19之后的基板10。
送出盒45在Z方向上空开间隔地具有多个水平地配置的成对的收纳板46,以在Z方向上空开间隔地收纳多张基板10。如图3所示,一对收纳板46支承框架19的Y方向两端部。
送出部40具备供送出盒45载置的载置板41。载置板41在Y方向上成一列地设有多个。另外,载置板41的个数不限定于图示的数量。
主输送路径50为主输送部58相对于送入部30、送出部40以及多个处理部输送基板10的通路,沿例如Y方向延伸。在主输送路径50设有沿Y方向延伸的Y轴引导件51,Y轴滑动件52沿着Y轴引导件51移动自如。
主输送部58保持基板10并且沿着主输送路径50移动,来输送基板10。主输送部58也可以借助框架19保持基板10。主输送部58真空吸附基板10、框架19,但也可以静电吸附基板10、框架19。主输送部58包含作为输送基体的Y轴滑动件52等,并沿着Y方向移动。主输送部58不仅能够沿Y方向移动,也能够沿X方向、Z方向以及θ方向移动。
主输送部58也可以具有多个保持基板10的保持部。多个保持部在Z方向上空开间隔地排列设置。多个保持部也可以与基板10的处理阶段相应地区别使用。
例如,主输送部58具有:第1保持部,其用于自送入盒35取出基板10;以及第2保持部,其用于输送由切片、薄板化等加工而强度降低了的基板10。第2保持部也可以用于输送安装于框架19之前的基板10。在该情况下,主输送部58还可以具有第3保持部,该第3保持部用于输送安装于框架19之后的基板10。第3保持部借助框架19保持基板10。
送入部30、送出部40以及多个处理部在铅垂方向观察时与主输送路径50相邻地设置。例如,将主输送路径50的长度方向设为Y方向。在主输送路径50的X方向单侧(在图3中为左侧,以下也称为“前侧”),送入部30和送出部40相邻地设置。此外,在主输送路径50的X方向相反侧(在图3中为右侧,以下也称为“后侧”),切片部100、薄板化部200、剥离部600以及ID粘贴部700相邻地设置。剥离部600与ID粘贴部700在Z方向上层叠,ID粘贴部700在剥离部600的上方与剥离部600重叠地设置。而且,在主输送路径50的Y方向一端部相邻地设置有安装部500。安装部500与紫外线照射部400在Z方向上层叠,紫外线照射部400在安装部500的上方与安装部500重叠地设置。
根据本实施方式,送入部30以及多个处理部与主输送路径50相邻地设置。因此,主输送部58能够相对于送入部30以及多个处理部对基板10进行交接。由此,使主输送部58多功能化,能够增加主输送部58的工作量,而能够改善主输送部58的稼动率。
此外,根据本实施方式,送出部40也与主输送路径50相邻地设置。因此,主输送部58能够相对于送出部40对基板10进行传递。由此,使主输送部58进一步多功能化,能够进一步增加主输送部58的工作量,而能够进一步改善主输送部58的稼动率。此外,送出部40以及多个处理部与主输送路径50相邻地设置,因此对于在一处理部于基板10发生了异常的情况下,能够不将发生了异常的基板10向其他处理部输送而迅速地将其向送出部40输送。
另外,处理部的配置、个数不限定于图3所示的配置、个数,能够任意地选择。此外,多个处理部也可以以任意的单位分散或合并地配置。以下,对各处理部进行说明。
图4是表示一实施方式的切片部的图。切片部100用于进行基板10的切片。在本说明书中,基板10的切片是指用于将基板10分割为多个芯片13的加工,分割基板10包括在基板10形成分割起点。切片部100例如具有:切片台110、基板加工部120以及移动机构部130。
切片台110借助保护带14保持基板10。例如,切片台110以基板10的第2主表面12朝向上的方式将基板10水平地保持。作为切片台110,使用例如真空卡盘,但也可以使用静电卡盘等。
基板加工部120进行例如由切片台110保持的基板10的切片。基板加工部120例如具有激光振荡器121和对基板10照射来自于激光振荡器121的激光光线的光学系统122。光学系统122由将来自于激光振荡器121的激光光线朝向基板10进行聚光的聚光透镜等构成。
移动机构部130使切片台110和基板加工部120相对地移动。移动机构部130例如由使切片台110在X方向、Y方向、Z方向以及θ方向上移动的XYZθ工作台等构成。
控制部20控制基板加工部120以及移动机构部130来沿着基板10的迹道进行基板10的切片。如图4所示,可以在基板10的内部形成成为断裂的起点的改性层2,也可以在基板10的激光照射面(例如在图4中为上表面)形成激光加工槽。激光加工槽既可以在板厚方向上贯穿基板10也可以不贯穿基板10。
在基板10的内部形成改性层2的情况下,使用相对于基板10具有透过性的激光光线。改性层2例如通过局部地熔融基板10的内部并使其固化而形成。另一方面,对于在基板10的激光照射面形成激光加工槽的情况,使用相对于基板10具有吸收性的激光光线。
另外,基板加工部120在本实施方式中具有对基板10照射激光光线的激光振荡器121,但也可以具有用于切削基板10的切削刀片,也可以具有在基板10的表面形成划线槽的划针。
另外,切片部100在本实施方式中作为基板处理系统1的一部分而设置,但也可以设于基板处理系统1的外部。在该情况下,基板10在被切片之后,自外部向送入部30送入,在送入部30中自送入盒35取出,替代切片部100而向薄板化部200输送。
薄板化部200(参照图3)用于对已切片的基板10的与由保护带14保护的第1主表面11相反的一侧的第2主表面12进行加工,从而对基板10进行薄板化。
在由切片部100形成分割起点的情况下,在薄板化部200对基板10作用加工应力,从而使裂纹从分割起点沿着板厚方向进展,而使基板10分割为多个芯片13。
此外,对于利用切片部100在基板10的内部形成改性层2的情况,利用薄板化部200对基板10进行薄板化,从而去除改性层2。
例如如图3所示,薄板化部200具有:旋转台201、卡盘台202、粗磨部210、精磨部220以及损伤层去除部230。
旋转台201以旋转台201的中心线为中心旋转。在旋转台201的旋转中心线的周围等间隔配设多个(例如在图3中为四个)卡盘台202。
多个卡盘台202与旋转台201一起以旋转台201的中心线为中心旋转。旋转台201的中心线设为铅垂。每次在旋转台201旋转时,与粗磨部210、精磨部220以及损伤层去除部230相面对的卡盘台202被变更。
各卡盘台202借助保护带14保持基板10。卡盘台202以基板10的第2主表面12朝向上的方式将基板10水平地保持。作为卡盘台202,使用例如真空卡盘,但也可以使用静电卡盘等。
图5是表示一实施方式的薄板化部的粗磨部的图。粗磨部210用于进行基板10的粗磨。例如如图5所示,粗磨部210具有旋转磨石211。旋转磨石211以其中心线为中心旋转并且下降,对由卡盘台202保持着的基板10的上表面(也就是第2主表面12)进行加工。
精磨部220用于进行基板10的精磨。精磨部220的结构与粗磨部210的结构大致相同。其中,精磨部220的旋转磨石的磨粒的平均粒径小于粗磨部210的旋转磨石的磨粒的平均粒径。
损伤层去除部230用于去除由粗磨、精磨等磨削导致的在基板10的第2主表面12形成的损伤层。例如,损伤层去除部230对基板10供给处理液而进行湿蚀刻处理,来去除损伤层。另外,损伤层的去除方法并不特别限定。
另外,薄板化部200也可以具有用于进行基板10的研磨的研磨部。研磨部的结构与粗磨部210的结构大致相同。作为基板10的研磨,能够列举例如CMP(Chemical MechanicalPolishing:化学机械抛光)等。此外,薄板化部200也可以具有形成用于捕获杂质的去疵部位(例如晶体缺陷、应变)的去疵部。卡盘台202的数量在图3中为四个,但可以与加工的种类的数量相应地进行适当变更。此外,一个加工部(例如损伤层去除部230)也可以进行多个种类的加工(例如损伤层去除和去疵部位形成)。
图6是表示一实施方式的紫外线照射部的图。紫外线照射部400对保护带14照射紫外线,该保护带14保护被切片并进行了薄板化的基板10。能够利用紫外线的照射使保护带14的粘着剂固化,而能够降低保护带14的粘着力。在粘着力降低之后,能够利用剥离操作自基板10简单地剥离保护带14。
紫外线照射部400在由保护带14保护的基板10被送入的壳体的内部具有UV灯410。UV灯410以保护带14作为基准自与基板10相反的一侧对保护带14照射紫外线。
图7是表示一实施方式的安装部的图。在图7中,双点划线示出安装了粘着带18和DAF15后的状态。安装部500借助以基板10作为基准设于与紫外线照射后的保护带14相反的一侧的粘着带18,将基板10安装于框架19。粘着带18以覆盖环状的框架19的开口部的方式安装于框架19,并在框架19的开口部与基板10贴合。
安装部500也可以仅借助粘着带18将被切片并进行了薄板化的基板10安装于框架19,但在图7中借助预先层叠起来的粘着带18和DAF15将基板10安装于框架19。DAF15形成得比框架19的开口部小,设于框架19的内侧。DAF15覆盖基板10的整个第2主表面12。
安装部500例如具有:安装台510,其用于保持基板10和框架19;以及层压用辊520,其借助粘着带18将基板10安装于由安装台510保持着的框架19。
安装台510将框架19和配置于框架19的开口部的基板10平行地保持。也可以将框架19以及基板10水平地保持。框架19的上表面和基板10的上表面之间也可以具有与DAF15的厚度同样程度的高低差。另外,在不使用DAF15的情况下,框架19的上表面和基板10的上表面也可以配置于同一平面上。
粘着带18等以卷绕于芯的状态被供给,被自芯拉出来使用。粘着带18一边因张力紧贴于层压用辊520一边在层压用辊520和基板10之间经过,并层叠于基板10。此外,粘着带18一边因张力紧贴于层压用辊520一边在层压用辊520和框架19之间经过,层叠于框架19。
如图7所示,安装部500使粘着带18自框架19的一端侧朝向另一端侧依次与框架19以及基板10贴合。由此,能够抑制空气的进入等。此外,在使粘着带18与基板10贴合期间,由于平坦地保持基板10,因此能够抑制基板10的破损。
图8是表示一实施方式的剥离部的图。在图8中,双点划线示出保护带14的剥离前的状态。剥离部600自借助粘着带18安装于框架19的基板10剥离保护带14。能够去除不要的保护带14。剥离部600例如具有剥离台610和剥离用辊620。
保护带14一边因张力紧贴于剥离用辊620一边在剥离用辊620和基板10之间经过,自基板10剥离。在此期间,剥离台610借助粘着带18等将基板10和框架19平坦地保持。自基板10剥离了的保护带14被卷绕于未图示的卷绕芯。
如图8所示,剥离部600使保护带14一边从基板10的一端侧朝向另一端侧依次变形,一边自基板10剥离。由此,能够顺畅地使保护带14和基板10之间剥离。此外,在使保护带14和基板10之间剥离期间,由于平坦地保持基板10,因此能够抑制基板10的破损。
另外,剥离部600也可以平行地使保护带14和基板10之间剥离。
图9是表示一实施方式的ID粘贴部的图。ID粘贴部700读取剥离了保护带14的基板10的识别信息16(参照图2),将读取到的识别信息16打印于标签17(参照图2),将打印出的标签17粘贴于框架19。识别信息16为用于识别基板10的信息,以数字或文字、符号、一维码、二维码等表示。
ID粘贴部700例如具有:ID粘贴台710、读取装置720以及标签打印装置730。ID粘贴台710借助粘着带18等保持基板10和框架19。读取装置720用于读取预先形成于基板10的识别信息16。标签打印装置730将由读取装置720读取到的识别信息16打印于标签17,并利用层压机等将打印出的标签17粘贴于框架19。打印于标签17的识别信息16和预先形成于基板10的识别信息16可以如图2所示那样以不同的形式表示同样的内容。
接着,对使用上述结构的基板处理系统1的基板处理方法进行说明。图10是表示一实施方式的基板处理方法的流程图。
如图10所示,基板处理方法包括:送入工序S101、切片工序S102、薄板化工序S103、紫外线照射工序S104、安装工序S105、剥离工序S106、ID粘贴工序S107以及送出工序S108。这些工序在由控制部20进行的控制下实施。另外,这些工序的顺序不限定于如图10所示的顺序。例如,也可以在薄板化工序S103之后进行切片工序S102。
在送入工序S101中,主输送部58自配置于送入部30的送入盒35取出基板10,将取出的基板10向切片部100输送。
在切片工序S102中,如图4所示,切片部100进行基板10的切片。在进行基板10的切片期间,基板10的第1主表面11由保护带14保护。利用主输送部58将在切片部100进行了切片的基板10向薄板化部200输送。
在薄板化工序S103中,如图5所示,薄板化部200对基板10的第2主表面12进行加工,从而对基板10进行薄板化。在进行基板10的薄板化期间,基板10的第1主表面11由保护带14保护。利用主输送部58将在薄板化部200进行了薄板化的基板10输送至后述的交接部300之后,利用后述的第1副输送部910将该基板10向紫外线照射部400输送。
在紫外线照射工序S104中,如图6所示,紫外线照射部400对保护带14照射紫外线。能够利用紫外线的照射使保护带14的粘着剂固化,而能够降低保护带14的粘着力。在粘着力降低之后,能够利用剥离操作自基板10简单地剥离保护带14。
紫外线照射工序S104也可以在安装工序S105之后进行,但在本实施方式中在安装工序S105之前进行。由此,能够防止在安装工序S105中与基板10贴合的粘着带18因紫外线照射而劣化。带有在紫外线照射部400进行了紫外线照射的保护带14的基板10利用后述的第1副输送部910向安装部500输送。
在安装工序S105中,如图7所示,安装部500借助粘着带18将被切片并进行了薄板化的基板10安装于框架19。安装部500可以仅借助粘着带18将被切片并进行了薄板化的基板10安装于框架19,但在本实施方式中借助预先层叠起来的粘着带18和DAF15将该基板10安装于框架19。在安装部500借助粘着带18安装于框架19的基板10由后述的第2副输送部920向剥离部600输送。
在剥离工序S106中,如图8所示,剥离部600自由安装部500借助粘着带18安装于框架19的基板10剥离保护带14。能够去除不要的保护带14。在剥离部600剥离了保护带14的基板10由后述的第3副输送部930向ID粘贴部700输送。
在ID粘贴工序S107中,如图9所示,ID粘贴部700读取预先形成在基板10的识别信息16(参照图2),将读取到的识别信息16打印于标签17(参照图2),将打印出的标签17粘贴于框架19。
在送出工序S108中,主输送部58自ID粘贴部700向送出部40输送基板10,在送出部40将基板10收纳于送出盒45的内部。送出盒45自送出部40向外部送出。与送出盒45一起向外部送出的基板10以芯片13为单位被拾取。如此,制造芯片13。
图11是表示一实施方式的基板处理系统的主要部分的俯视图。图12是表示一实施方式的安装部以及在安装部的上方与安装部重叠地设置的紫外线照射部以及交接部的侧视图。图13是表示一实施方式的剥离部以及在剥离部的上方与剥离部重叠地设置的ID粘贴部的侧视图。在图11~图13中,箭头示出安装部500、剥离部600等处的基板10和框架19的移动方向。
基板处理系统1具备安装部500。如图12所示,安装部500例如具有:安装台510、层压用辊520、安装台引导件530、框架供给部540以及框架输送部550。
如图11所示,安装台引导件530沿X方向延伸,在Y方向上空开间隔地设有一对。安装台510能够沿着一对安装台引导件530移动。作为使安装台510移动的驱动源,使用例如伺服马达。
如图12所示,在安装台引导件530的后侧的端部的上方设有层压用辊520,在安装台引导件530的前侧的端部的下方设有框架供给部540。框架供给部540为将收纳有安装基板10之前的框架19的框架盒541自外部送入的构件。框架盒541在Z方向上排列地收纳多个框架19。另外,也可以没有框架盒541,也可以是操作员将框架19组装于框架供给部540。框架19也可以以分为多次且每次多张的方式组装于框架供给部540。
如图3所示,在主输送路径50的宽度方向单侧(前侧)设有送入部30和送出部40,安装部500也可以与主输送路径50的长度方向一端部相邻地设置。在该情况下,如图12所示,也可以使框架盒541自前侧向框架供给部540送入。处理前的物品(基板10、框架19)自前侧送入,处理后的物品(安装有基板10的框架19)向前侧送出。能够使物品的送入送出集中在前侧,而能够提高维护性、输送效率。
框架输送部550自配置于框架供给部540的框架盒541取出框架19,将取出来的框架19载置于安装台510。框架输送部550例如配置于在Z方向观察时的一对安装台引导件530之间,并能够在Z方向上移动。作为使框架输送部550移动的驱动源,使用例如伺服马达等。
框架输送部550具有用于吸附框架19的吸附部559。吸附部559例如在X方向上空开间隔地设有多个,用于吸附框架19的X方向两端部。吸附部559具有抽吸孔。抽吸孔的气体由例如真空泵等抽吸源进行抽吸。通过使抽吸源工作而在吸附部559产生负压,从而使框架输送部550真空吸附框架19。另一方面,通过使抽吸源的工作停止而使抽吸孔相对于大气开放,从而使框架输送部550解除框架19的真空吸附。也可以在解除真空吸附时于框架输送部550产生正压。在本说明书中,负压是指比大气压低的压力,正压是指比大气压高的压力。
在安装台引导件530的靠主输送路径50侧(前侧)的端部,安装台510自框架输送部550取得框架19。具体而言,首先,框架输送部550自图12中以实线所示的位置向图12中以双点划线所示的位置上升,而沿Z方向于在Y方向上空开间隔地设置的一对安装台引导件530之间经过。此刻,安装台510在不妨碍框架输送部550上升的退避位置待机。之后,在使安装台510向框架输送部550的正下方移动时,使框架输送部550下降,而使由框架输送部550保持的框架19载置于安装台510。
之后,安装台510以远离主输送路径50的方式向X方向(后侧)移动,在朝向层压用辊520的正下方移动的中途,自后述的第1副输送部910取得基板10。基板10配置于框架19的开口部,安装台510借助保护带14保持基板10。
之后,安装台510以远离主输送路径50的方式进一步向X方向(后侧)移动,朝向层压用辊520的正下方移动。如图7所示,层压用辊520将粘着带18贴合于在安装台510载置的框架19以及在框架19的开口部配置的基板10。粘着带18以基板10为基准设于与保护带14相反的一侧(上侧)。
基板处理系统1具备紫外线照射部400。如图11以及图12所示,紫外线照射部400在安装部500的上方与安装部500重叠地设置。例如,紫外线照射部400在Z方向观察时与一对安装台引导件530重叠地设置。
由于使紫外线照射部400和安装部500在Z方向上层叠,因此与在Z方向观察时紫外线照射部400和安装部500在横向上排列地设置的情况相比较,能够减少基板处理系统1在Z方向观察时的设置面积。此外,自紫外线照射部400向安装部500输送基板10的流程较佳。
也可以是,基板处理系统1具备自主输送部58(参照图3)取得被切片并进行了薄板化的基板10的交接部300。交接部300自主输送部58取得基板10,并将取得的基板10向后述的第1副输送部910传递。
交接部300如图11所示那样与主输送路径50相邻,并且如图12所示那样在安装部500的上方与安装部500重叠地设置。例如,交接部300在Z方向观察时与一对安装台引导件530重叠地设置。在安装部500与主输送路径50的Y方向端部相邻地设置的情况下,交接部300也与主输送路径50的Y方向端部相邻地设置。
由于交接部300和安装部500在Z方向上层叠,因此与在Z方向观察时安装部500和交接部300在横向上排列地设置的情况相比较,能够减少基板处理系统1在Z方向观察时的设置面积。此外,能够将交接部300配置在与紫外线照射部400同样的高度,并能够将交接部300配置在紫外线照射部400的旁边,自交接部300向紫外线照射部400输送基板10的流程较佳。
例如如图11所示,在Z方向观察时,交接部300、紫外线照射部400以及层压用辊520以交接部300、紫外线照射部400以及层压用辊520的顺序从前侧到后侧排列地设置。因此,能够优化基板10从交接部300经由紫外线照射部400到向安装台510载置的流程,而能够提高基板10的输送效率。
也可以是,交接部300兼用作获取用于使基板10相对于框架19安装的安装位置定位的信息的对准部。由此,对于例如由于在薄板化部200和主输送部58之间进行的基板10的交接、在主输送部58和交接部300之间进行的基板10的交接等而产生基板10的错位的情况下,能够矫正基板10的在X方向、Y方向、θ方向上的位置。该矫正以使框架19的开口部的中心与基板10的中心一致的方式进行,并以基板10相对于框架19的朝向成为规定的朝向的方式进行。
如图12所示,交接部300例如具有:交接台310,其用于保持基板10;拍摄部320,其用于拍摄由交接台310保持着的基板10的图像;以及旋转驱动部330,其用于使交接台310旋转。作为交接台310,使用例如真空卡盘,但也可以使用静电卡盘等。拍摄部320设于例如交接台310的上方,自在交接台310保持的基板10的上方拍摄基板10。旋转驱动部330通过使交接台310旋转,从而变更由交接台310保持的基板10的拍摄位置。
交接部300将由拍摄部320拍摄到的基板10的图像转换为电信号向控制部20发送。控制部20对由拍摄部320拍摄到的基板10的图像进行图像处理,从而检测在交接台310保持的基板10的位置。作为该检测方法,使用对基板10的图案(例如分割图案)和基准图案进行匹配的方法、由基板10在外周上的多个点求出基板10的中心点和基板10的朝向的方法等公知的方法。从在基板10的外周形成的凹口的位置等检测基板10的朝向。也可以使用配向平面替代凹口。由此,控制部20能够掌握基板10在固定于交接台310的坐标系中的位置。
基板10的θ方向定位通过例如使交接台310旋转来进行。另一方面,基板10的X方向定位、基板10的Y方向定位在解除了由交接台310进行的基板10的保持之后进行,在将基板10自交接部300经由紫外线照射部400向安装部500输送的期间进行。例如,基板10的X方向定位、基板10的Y方向定位在后述的第1副输送部910自交接台310取得基板10时、或者,在第1副输送部910将基板10向安装台510传递时进行。由此,进行基板10相对于安装台510载置的载置位置的定位,进而,进行基板10相对于框架19安装的安装位置的定位。
基板处理系统1具备剥离部600。如图13所示,剥离部600例如具有:剥离台610、剥离用辊620以及剥离台引导件630。
如图11所示,剥离台引导件630沿X方向延伸,在Y方向上空开间隔地设有一对。剥离台610能够沿着一对剥离台引导件630移动。作为使剥离台610移动的驱动源,使用例如伺服马达。
如图13所示,剥离台610在剥离台引导件630的X方向中央部自后述的第2副输送部920取得框架19。借助粘着带18预先将基板10安装于框架19。剥离台610借助粘着带18保持基板10、框架19。
之后,剥离台610以远离主输送路径50的方式向X方向(后侧)移动,而朝向剥离用辊620的正下方移动。如图8所示,剥离用辊620使保护带14一边从基板10的一端侧朝向另一端侧依次变形,一边自基板10剥离。
也可以是,基板处理系统1具备ID粘贴部700。如图11以及图13所示,ID粘贴部700与主输送路径50相邻地设置。主输送部58将由ID粘贴部700粘贴了标签17的框架19自ID粘贴部700向送出部40输送,并收纳在配置于送出部40的送出盒45。
如图11以及图13所示,对于基板处理系统1,也可以是,ID粘贴部700在剥离部600的上方与剥离部600重叠地设置。例如,ID粘贴部700在Z方向观察时与一对剥离台引导件630重叠地设置。
由于使剥离部600和ID粘贴部700在Z方向上层叠,因此与在Z方向观察时剥离部600和ID粘贴部700在横向上排列地设置的情况相比较,能够减少基板处理系统1在Z方向观察时的设置面积。此外,自剥离部600向ID粘贴部700输送基板10的流程较佳。
也可以是,如图11等所示,基板处理系统1具有:主输送部58(参照图3)、第1副输送部910、第2副输送部920以及第3副输送部930。主输送部58将基板10自送入部30经由切片部100、薄板化部200向交接部300输送。第1副输送部910将基板10自交接部300经由紫外线照射部400向安装部500输送。第2副输送部920将基板10自安装部500向剥离部600输送,并且将基板10上下翻转。第3副输送部930将基板10自剥离部600向ID粘贴部700输送。主输送部58将基板10自ID粘贴部700向送出部40输送。
第1副输送部910能够在X方向和Z方向上移动。例如如图11所示,X轴引导件911相对于安装部500固定。Z轴引导件913固定在沿着X轴引导件911在X方向上移动的X轴滑动件912。第1副输送部910固定在沿着Z轴引导件913在Z方向上移动的Z轴滑动件914。另外,第1副输送部910也可以为了基板10的Y方向定位而还能够在Y方向上移动。
第1副输送部910吸附基板10。第1副输送部910也可以为了抑制基板10的变形、破损,而具有比基板10的主表面(例如第2主表面12)大的吸附面。能够平坦地保持基板10的整个第2主表面12,而能够抑制基板10的变形、破损。
第1副输送部910例如由多孔卡盘构成,具有多孔体。多孔体的孔的气体由例如真空泵等抽吸源进行抽吸。通过使抽吸源工作而在第1副输送部910产生负压,从而第1副输送部910真空吸附基板10。另一方面,通过使抽吸源的工作停止而使多孔体的孔相对于大气开放,从而第1副输送部910解除基板10的真空吸附。也可以在解除真空吸附时,在第1副输送部910产生正压。
第1副输送部910通过保持基板10并在X方向和Z方向上移动,从而将基板10自交接部300经由紫外线照射部400向安装部500输送。例如,基板10自交接台310被抬起,经过UV灯410的上方,而在安装台510被放下。作为使第1副输送部910移动的驱动源,使用例如伺服马达等。
第1副输送部910以保护带14朝向下的方式自上方保持基板10,并在沿Y方向延伸的UV灯410的上方在X方向上移动。UV灯410的Y方向尺寸大于基板10的直径,以使UV灯410能够照射保护带14的Y方向整体。第1副输送部910经过UV灯410之上的速度设定为能够充分地降低保护带14的粘着力。
根据本实施方式,在对保护带14照射紫外线期间,由于利用第1副输送部910保持基板10,因此能够利用主输送部58保持并输送其他基板10。因此,能够提高整个基板处理系统1中的基板10的输送效率,而能够提高整个基板处理系统1中的基板10的处理速度。
第2副输送部920能够在Y方向、Z方向上移动。例如如图12所示,Y轴引导件921相对于安装部500以及剥离部600固定。Y轴引导件921在Z方向观察时以横跨安装部500以及剥离部600这两者的方式设置。Z轴引导件923固定在沿着Y轴引导件921在Y方向上移动的Y轴滑动件922。翻转部925固定在沿着Z轴引导件923在Z方向上移动的Z轴滑动件924。翻转部925以翻转轴926为中心将第2副输送部920保持为能够上下翻转。翻转轴926的轴向在本实施方式中设为Y方向,但可以设为X方向。
第2副输送部920具有用于吸附框架19的吸附部929。吸附部929在翻转轴926的轴向(例如Y方向)上空开间隔地设有多个(参照图14),用于吸附框架19的Y方向两端部。吸附部929具有抽吸孔。抽吸孔的气体由例如真空泵等抽吸源进行抽吸。通过使抽吸源工作而在第2副输送部920产生负压,从而第2副输送部920真空吸附框架19。另一方面,通过使抽吸源的工作停止而使抽吸孔相对于大气开放,从而第2副输送部920解除框架19的真空吸附。也可以在解除真空吸附时,在第2副输送部920产生正压。
图14是表示一实施方式的第2副输送部的动作的图。在图14中,箭头示出基板10和框架19自安装部500到剥离部600的移动方向。第2副输送部920通过保持框架19并在Y方向和Z方向上移动,从而将借助粘着带18安装于框架19的基板10自安装部500向剥离部600输送。作为使第2副输送部920移动的驱动源,使用例如伺服马达等。
第2副输送部920在自安装台510抬起框架19之后,利用翻转部925使该框架19自例如图14中以实线示出的位置向图14中以单点划线示出的位置移动。由此,使借助粘着带18安装于框架19的基板10上下翻转。之后,第2副输送部920如图14中以双点划线所示的那样将框架19载置于剥离台610。剥离台610以不与在翻转轴926的轴向(在本实施方式中为Y方向)上空开间隔地设置的多个吸附部929干渉的方式保持框架19的Y方向中央部。
根据本实施方式,基板10在自安装部500向剥离部600输送的过程中,利用翻转部925上下翻转。由此,能够使隔着基板10设置的粘着带18和保护带14之间的配置相反。具体而言,粘着带18配置在基板10的下侧,保护带14配置在基板10的上侧。保护带14以基板10为基准配置在与剥离台610相反的一侧,因此易于自基板10剥离。
第3副输送部930能够在X方向和Z方向上移动。例如如图11所示,X轴引导件931相对于剥离部600固定。Z轴引导件933固定在沿着X轴引导件931在X方向上移动的X轴滑动件932。第3副输送部930固定在沿着Z轴引导件933在Z方向上移动的Z轴滑动件934。另外,第3副输送部930也可以为了基板10的Y方向定位而还能够在Y方向上移动。
第3副输送部930具有用于吸附框架19的吸附部939。吸附部939在例如X方向上空开间隔地设有多个,用于吸附框架19的X方向两端部。吸附部939具有抽吸孔。抽吸孔的气体由例如真空泵等抽吸源进行抽吸。通过使抽吸源工作而在第3副输送部930产生负压,从而第3副输送部930真空吸附框架19。另一方面,通过使抽吸源的工作停止而使抽吸孔相对于大气开放,从而第3副输送部930解除框架19的真空吸附。也可以在解除真空吸附时,在第3副输送部930产生正压。
第3副输送部930通过保持框架19并在X方向和Z方向上移动,从而将借助粘着带18安装于框架19的基板10自剥离部600向ID粘贴部700输送。例如,基板10被自剥离台610抬起,并在ID粘贴台710被放下。作为使第3副输送部930移动的驱动源,使用例如伺服马达等。
在下述第1变形例中,与上述实施方式不同,没有第3副输送部930,而是使主输送部58起到第3副输送部930的作用。也就是说,主输送部58将基板10自剥离部600向ID粘贴部700输送。以下,主要对不同点进行说明。
图15是表示第1变形例的剥离部以及在剥离部的上方与剥离部重叠地设置的ID粘贴部的侧视图。在图15中,箭头示出剥离部600等处的基板10和框架19的移动方向。如图15所示,剥离部600与主输送路径50相邻地设置。
剥离台610在剥离台引导件630的X方向中央部自第2副输送部920取得框架19。借助粘着带18预先将基板10安装于框架19。剥离台610借助粘着带18保持基板10、框架19。
之后,剥离台610以远离主输送路径50的方式向X方向(后侧)移动,而朝向剥离用辊620的正下方移动。如图8所示,剥离用辊620使保护带14一边从基板10的一端侧朝向另一端侧依次变形,一边自基板10剥离。
之后,剥离台610以靠近主输送路径50的方式向X方向(前侧)移动,在剥离台引导件630的靠主输送路径50侧(前侧)的端部处,将框架19向主输送部58(参照图3)传递。主输送部58一边保持框架19一边在Z方向和X方向上移动,从而将框架19载置于ID粘贴台710。
根据本变形例,与上述实施方式不同,没有第3副输送部930,而是使主输送部58起到第3副输送部930的作用。也就是说,主输送部58将基板10自剥离部600向ID粘贴部700输送。由此,能够使主输送部58多功能化,增加主输送部58的工作量,而能够改善主输送部58的稼动率。
在下述第2变形例中,与上述实施方式以及上述第1变形例不同,没有第1副输送部910,而是使主输送部58起到第1副输送部910的作用。也就是说,主输送部58将被切片并进行了薄板化的基板10向紫外线照射部400以及安装部500以紫外线照射部400、安装部500的顺序输送。在本变形例中,由于没有第1副输送部910,因此也可以没有将基板10自主输送部58向第1副输送部910传递的交接部300。以下,主要对不同点进行说明。
图16是表示第2变形例的基板处理系统的主要部分的俯视图。在图16中,箭头示出安装部500、剥离部600等处的基板10和框架19的移动方向。如图16所示,紫外线照射部400以及安装部500与主输送路径50相邻地设置。在安装部500与主输送路径50的Y方向一端部相邻地设置的情况下,紫外线照射部400也与主输送路径50的Y方向一端部相邻地设置。
主输送部58(参照图3)通过保持基板10并在Y方向和Z方向上移动,从而将基板10向紫外线照射部400以及安装部500以紫外线照射部400、安装部的顺序输送。主输送部58首先自主输送路径50向紫外线照射部400插入。
主输送部58以保护带14朝向下的方式自上方保持基板10,并在沿X方向延伸的UV灯410的上方在Y方向上移动。UV灯410的X方向尺寸大于基板10的直径,以使UV灯410能够照射保护带14的X方向整体。主输送部58经过UV灯410之上的速度设定为能够充分地降低保护带14的粘着力。
接着,主输送部58自紫外线照射部400抽出至主输送路径50,在主输送路径50下降,接下来自主输送路径50向安装部500插入。之后,主输送部58在安装部500的内部下降,将基板10向安装台510传递。
安装台510在安装台引导件530的靠主输送路径50侧(前侧)的端部处取得基板10和框架19这两者。安装台510可以先取得基板10和框架19中的任一者。
根据本变形例,与上述实施方式以及上述第1变形例不同,没有第1副输送部910,而是使主输送部58起到第1副输送部910的作用。也就是说,主输送部58将被切片并进行了薄板化的基板10向紫外线照射部400以及安装部500以紫外线照射部400、安装部500的顺序输送。由此,能够使主输送部58多功能化,增加主输送部58的工作量,而能够改善主输送部58的稼动率。
以上,对本公开的基板处理系统和基板处理方法的实施方式等进行了说明,但本公开不限定于上述实施方式等。在权利要求书所记载的范围内,能够进行各种变更、修改、置换、增加、删除以及组合。这些当然也属于本公开的技术范围。
本申请基于2017年8月28日向日本特许厅提交的特愿2017-163600号主张优先权,将该特愿2017-163600号的全部内容引用至本申请。
附图标记说明
1、基板处理系统;10、基板;14、保护带;18、粘着带;19、框架;20、控制部;30、送入部;35、送入盒;40、送出部;45、送出盒;50、主输送路径;58、主输送部;100、切片部;200、薄板化部;300、交接部;400、紫外线照射部;500、安装部;600、剥离部;700、ID粘贴部;910、第1副输送部;920、第2副输送部;930、第3副输送部。
Claims (18)
1.一种基板处理系统,其中,
该基板处理系统具备:
紫外线照射部,其用于对保护基板的保护带照射紫外线;
安装部,其借助粘着带将所述基板安装于框架,该粘着带以所述基板为基准设于与紫外线照射后的所述保护带相反的一侧;以及
剥离部,其自借助所述粘着带安装于所述框架的所述基板剥离所述保护带,
所述紫外线照射部在所述安装部的铅垂方向上方与所述安装部重叠地设置。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具备:
送入部,其自外部送入收纳有借助所述粘着带安装于所述框架之前的所述基板的送入盒;
送出部,其将收纳有借助所述粘着带安装于所述框架之后的所述基板的送出盒向外部送出;
主输送路径,其在铅垂方向观察时与所述送入部、所述安装部、所述剥离部以及所述送出部相邻地设置;以及
主输送部,其保持所述基板并且沿着所述主输送路径移动,输送所述基板。
3.根据权利要求2所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具备ID粘贴部,该ID粘贴部读取剥离了所述保护带的所述基板的识别信息,将读取到的所述识别信息打印于标签,并将打印出的标签粘贴于所述框架,
所述ID粘贴部在铅垂方向观察时与所述主输送路径相邻地设置。
4.根据权利要求3所述的基板处理系统,其中,
所述ID粘贴部在所述剥离部的铅垂方向上方与所述剥离部重叠地设置。
5.根据权利要求3所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具备:
交接部,其在铅垂方向观察时与所述主输送路径相邻并且在所述安装部的铅垂方向上方与所述安装部重叠地设置,该交接部自所述主输送部取得所述基板;
第1副输送部,其将所述基板自所述交接部经由所述紫外线照射部向所述安装部输送;
第2副输送部,其将所述基板自所述安装部向所述剥离部输送并且使所述基板上下翻转;以及
第3副输送部,其将所述基板自所述剥离部向所述ID粘贴部输送,
所述主输送部将所述基板自所述送入部向所述交接部输送,并将所述基板自所述ID粘贴部向所述送出部输送。
6.根据权利要求3所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具备:
交接部,其在铅垂方向观察时与所述主输送路径相邻并且在所述安装部的铅垂方向上方与所述安装部重叠地设置,该交接部自所述主输送部取得所述基板;
第1副输送部,其将所述基板自所述交接部经由所述紫外线照射部向所述安装部输送;以及
第2副输送部,其将所述基板自所述安装部向所述剥离部输送并且使所述基板上下翻转,
所述主输送部将所述基板自所述送入部向所述交接部输送,并将所述基板自所述剥离部经由所述ID粘贴部向所述送出部输送。
7.根据权利要求5所述的基板处理系统,其中,
所述交接部兼用作获取用于使所述基板相对于所述框架安装的安装位置定位的信息的对准部。
8.根据权利要求3所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具备副输送部,该副输送部将所述基板自所述安装部向所述剥离部输送并且使所述基板上下翻转,
所述紫外线照射部在铅垂方向观察时与所述主输送路径相邻地设置,
所述主输送部将所述基板自所述送入部经由所述紫外线照射部向所述安装部输送,并将所述基板自所述剥离部经由所述ID粘贴部向所述送出部输送。
9.根据权利要求2所述的基板处理系统,其中,
所述主输送路径沿水平的规定方向延伸,所述送入部和所述送出部设于所述主输送路径的宽度方向单侧,所述安装部与所述主输送路径的长度方向一端部相邻地设置,
所述安装部具有框架供给部,该框架供给部自外部送入收纳有安装所述基板之前的所述框架的框架盒,
所述框架盒自所述宽度方向一侧向所述框架供给部送入。
10.一种基板处理方法,其中,
该基板处理方法包括:
紫外线照射部对保护基板的保护带照射紫外线;
安装部借助粘着带将所述基板安装于框架,该粘着带以所述基板作为基准设于与紫外线照射后的所述保护带相反的一侧;
剥离部自借助所述粘着带安装于所述框架的所述基板剥离所述保护带;以及
自在所述安装部的铅垂方向上方与所述安装部重叠地设置的所述紫外线照射部将所述基板向所述安装部输送。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法,其中,
该基板处理方法包括:
自配置于送入部的送入盒取出借助所述粘着带安装于所述框架之前的所述基板;
将借助所述粘着带安装于所述框架之后的所述基板收纳于配置在送出部的送出盒;
沿着与所述送入部、所述安装部、所述剥离部以及所述送出部相邻地设置的主输送路径,使保持所述基板的主输送部移动。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法,其中,
该基板处理方法包括:
ID粘贴部读取剥离了的所述保护带的所述基板的识别信息,将读取到的所述识别信息打印于标签,将打印出的标签粘贴于所述框架;以及
自在铅垂方向观察时与所述主输送路径相邻地设置的所述ID粘贴部将所述基板向所述送出部输送。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法,其中,
自所述剥离部将所述基板向在所述剥离部的铅垂方向上方与所述剥离部重叠地设置的所述ID粘贴部输送。
14.根据权利要求12所述的基板处理方法,其中,
该基板处理方法包括:
在将所述基板自所述送入部向交接部输送时,使所述主输送部移动,该交接部在铅垂方向观察时与所述主输送路径相邻并且在所述安装部的铅垂方向上方与所述安装部重叠地设置;
在将所述基板自所述交接部经由所述紫外线照射部向所述安装部输送时,使保持所述基板的第1副输送部移动;
在将所述基板自所述安装部向所述剥离部输送并且使所述基板上下翻转时,使保持所述框架的第2副输送部移动;
在将所述基板自所述剥离部向所述ID粘贴部输送时,使保持所述框架的第3副输送部移动;以及
在将所述基板自所述ID粘贴部向所述送出部输送时,使所述主输送部移动。
15.根据权利要求12所述的基板处理方法,其中,
该基板处理方法包括:
在将所述基板自所述送入部向交接部输送时,使所述主输送部移动,该交接部在铅垂方向观察时与所述主输送路径相邻并且在所述安装部的铅垂方向上方与所述安装部重叠地设置;
在将所述基板自所述交接部经由所述紫外线照射部向所述安装部输送时,使保持所述基板的第1副输送部移动;
在将所述基板自所述安装部向所述剥离部输送并且使所述基板上下翻转时,使保持所述框架的第2副输送部移动;以及
在将所述基板自所述剥离部经由所述ID粘贴部向所述送出部输送时,使所述主输送部移动。
16.根据权利要求14所述的基板处理方法,其中,
该基板处理方法包括:在所述交接部获取用于使所述基板相对于所述框架安装的安装位置定位的信息。
17.根据权利要求12所述的基板处理方法,其中,
该基板处理方法包括:
在将所述基板自所述送入部经由所述紫外线照射部向所述安装部输送时,使所述主输送部移动;
在将所述基板自所述安装部向所述剥离部输送并且使所述基板上下翻转时,使保持所述框架的副输送部移动;以及
在将所述基板自所述剥离部经由所述ID粘贴部向所述送出部输送时,使所述主输送部移动。
18.根据权利要求11所述的基板处理方法,其中,
所述主输送路径沿水平的规定方向延伸,所述送入部和所述送出部设于所述主输送路径的宽度方向单侧,所述安装部与所述主输送路径的长度方向一端部相邻地设置,
所述安装部具有框架供给部,该框架供给部自外部送入收纳有安装所述基板之前的所述框架的框架盒,
该基板处理方法包括:自所述宽度方向单侧向所述框架供给部送入所述框架盒。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310366231.3A CN116435236A (zh) | 2017-08-28 | 2018-08-15 | 基板处理系统和基板处理方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-163600 | 2017-08-28 | ||
JP2017163600 | 2017-08-28 | ||
PCT/JP2018/030350 WO2019044506A1 (ja) | 2017-08-28 | 2018-08-15 | 基板処理システム、および基板処理方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310366231.3A Division CN116435236A (zh) | 2017-08-28 | 2018-08-15 | 基板处理系统和基板处理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111052341A true CN111052341A (zh) | 2020-04-21 |
Family
ID=65525535
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310366231.3A Pending CN116435236A (zh) | 2017-08-28 | 2018-08-15 | 基板处理系统和基板处理方法 |
CN201880054597.4A Pending CN111052341A (zh) | 2017-08-28 | 2018-08-15 | 基板处理系统和基板处理方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310366231.3A Pending CN116435236A (zh) | 2017-08-28 | 2018-08-15 | 基板处理系统和基板处理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JPWO2019044506A1 (zh) |
KR (2) | KR20240038173A (zh) |
CN (2) | CN116435236A (zh) |
TW (1) | TWI772493B (zh) |
WO (1) | WO2019044506A1 (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7358014B2 (ja) | 2019-10-29 | 2023-10-10 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
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-
2018
- 2018-08-15 CN CN202310366231.3A patent/CN116435236A/zh active Pending
- 2018-08-15 KR KR1020247008803A patent/KR20240038173A/ko active Application Filing
- 2018-08-15 KR KR1020207008567A patent/KR102649682B1/ko active Application Filing
- 2018-08-15 CN CN201880054597.4A patent/CN111052341A/zh active Pending
- 2018-08-15 JP JP2019539343A patent/JPWO2019044506A1/ja not_active Ceased
- 2018-08-15 WO PCT/JP2018/030350 patent/WO2019044506A1/ja active Application Filing
- 2018-08-21 TW TW107129049A patent/TWI772493B/zh active
-
2021
- 2021-07-07 JP JP2021113047A patent/JP7133686B2/ja active Active
-
2022
- 2022-08-29 JP JP2022135737A patent/JP7434463B2/ja active Active
-
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- 2024-02-07 JP JP2024017062A patent/JP2024036600A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116435236A (zh) | 2023-07-14 |
JP2024036600A (ja) | 2024-03-15 |
JP2022169731A (ja) | 2022-11-09 |
JP7434463B2 (ja) | 2024-02-20 |
JP2021170659A (ja) | 2021-10-28 |
KR20240038173A (ko) | 2024-03-22 |
JPWO2019044506A1 (ja) | 2020-09-10 |
WO2019044506A1 (ja) | 2019-03-07 |
JP7133686B2 (ja) | 2022-09-08 |
TWI772493B (zh) | 2022-08-01 |
TW201921463A (zh) | 2019-06-01 |
KR20200039008A (ko) | 2020-04-14 |
KR102649682B1 (ko) | 2024-03-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
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|
TA01 | Transfer of patent application right | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |