CN111052313A - 基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

基板处理方法具有：加工工序，自基板的与粘贴有保护带的第1主表面相反的一侧的第2主表面侧对所述基板进行加工；以及输送工序，将能够利用静电吸附力进行吸附的静电支承件安装于在加工工序中进行了加工的基板并进行输送。以将静电支承件安装于施加了加工后的基板的状态对其进行输送，因此，能够利用静电支承件针对基板的脆弱性进行加强，能够良好地防止输送时的基板的变形、破损。

Description

基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理方法。
背景技术
近年来，为了应对半导体装置的小型化、轻型化的要求，在半导体晶圆等基板的第1主表面形成元件、电路、端子等之后，对基板的与第1主表面相反的一侧的第2主表面进行磨削，而对基板进行薄板化。在对基板进行薄板化时，基板的第1主表面由保护带保护(例如参照专利文献1)。在进行薄板化之后或之前，进行基板的切割。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011－91240号公报
发明内容
发明要解决的问题
在半导体装置的制造过程中，需要在实施各工序的单元间输送基板。特别是，由于进行了薄板化、切割等加工的基板较为脆弱，因此存在基板在输送时破损的可能性。此外，虽然可以如上述那样在基板粘贴保护带，但由于保护带的刚性也较低因此难以抑制基板的破损。
本公开的目的在于提供一种在半导体装置的制造过程中能够提高基板的输送强度的基板处理方法。
用于解决问题的方案
本发明的实施方式的一观点的基板处理方法具有：加工工序，自基板的与粘贴有保护带的第1主表面相反的一侧的第2主表面侧对所述基板进行加工；以及输送工序，将能够利用静电吸附力进行吸附的静电支承件安装于在所述加工工序中进行了加工的所述基板并进行输送。
发明的效果
根据本公开，能够提供在半导体装置的制造过程中能够提高基板的输送强度的基板处理方法。
附图说明
图1是表示实施方式的基板处理系统的俯视图。
图2是表示由基板处理系统进行处理后的基板的立体图。
图3是表示切割部的图。
图4是表示支承件安装部中的基板以及静电支承件的状态的图。
图5是表示支承件卸下部中的基板以及静电支承件的状态的图。
图6是表示薄板化部的粗磨削部的图。
图7是表示支承件安装部中的基板以及静电支承件的状态的图。
图8是表示紫外线照射部的图。
图9是支承件卸下部中的基板以及静电支承件的状态的图。
图10是表示装配部的图。
图11是表示保护带剥离部中的基板以及保护带的状态的图。
图12是实施方式的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边对实施方式进行说明。为了易于理解说明，在各附图中，对相同的构成要素尽可能标注相同的附图标记，省略重复的说明。另外，在以下的说明中，X方向、Y方向、Z方向为相互垂直的方向，X方向以及Y方向为水平方向，Z方向为铅垂方向。将以铅垂轴线为旋转中心的旋转方向称为θ方向。
图1是表示实施方式的基板处理系统1的俯视图。基板处理系统1进行基板10的切割、基板10的薄板化、基板10的装配、DAF向基板10的附着等。基板处理系统1具备送入送出站20、处理站30以及控制装置90。
从外部相对于送入送出站20送入送出盒C。盒C在Z方向上隔开间隔地收纳多张基板10。送入送出站20具备载置台21和输送区域25。
载置台21具备多个载置板22。多个载置板22沿Y方向排列为一列。在各载置板22载置有盒C。一个载置板22上的盒C收纳处理前的基板10且另一个载置板22上的盒C收纳处理后的基板10较好。
输送区域25与载置台21在X方向上相邻地配置。在输送区域25设有在Y方向上延伸的输送路径26和能够沿着输送路径26移动的输送装置27。输送装置27不仅能够在Y方向上移动，也能够在X方向、Z方向以及θ方向上移动较好。输送装置27在载置于载置板22的盒C与处理站30的传送部35之间进行基板10的输送。
处理站30具备输送区域31、传送部35以及后述的各种处理部。另外，处理部的配置、个数不限定于图1所示的配置、个数，能够任意地选择。此外，多个处理部也可以以任意的单位分散或合并地配置。
输送区域31以传送部35作为基准设于在X方向上与输送区域25相反的一侧。传送部35、各种处理部相对于输送区域31相邻地设置，并以包围输送区域31的方式设置。
在输送区域31设有在X方向上延伸的输送路径32和能够沿着输送路径32移动的输送装置33。输送装置33不仅能够在X方向上移动，也能够在Y方向、Z方向以及θ方向上移动较好。输送装置33在与输送区域31相邻的处理部彼此之间输送基板10。
控制装置90例如由计算机构成，如图1所示，具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)91、存储器等存储介质92、输入接口93以及输出接口94。控制装置90通过使CPU91执行存储于存储介质92的程序来进行各种控制。此外，控制装置90利用输入接口93接收来自外部的信号，并利用输出接口94向外部发送信号。
控制装置90的程序存储于信息存储介质，并从信息存储介质进行加载。作为信息存储介质，可以举出例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)以及存储卡等。另外，程序还可以经由互联网从服务器进行下载并进行加载。
图2是表示由基板处理系统1进行处理后的基板10的立体图。基板10在被施加了切割、薄板化、DAF15等处理之后，借助粘接带51安装于框架59。
粘接带51由片基材和在片基材的表面涂布的粘接剂构成。粘接带51以覆盖环状的框架59的开口部的方式安装于框架59，该粘接带51在框架59的开口部与基板10贴合。由此，能够保持框架59而输送基板10，能够提高基板10的处理性。
如图2所示，也可以在粘接带51和基板10之间设置DAF(Die Attach Film：芯片粘贴膜)15。DAF15为芯片粘接用的粘接片。DAF15用于层叠的芯片彼此之间的粘接、芯片和基材之间的粘接等。DAF15也可以具有导电性、绝缘性中的任一者。
DAF15形成为比框架59的开口部小，设于框架59的内侧。DAF覆盖基板10的整个第2主表面12。另外，在不进行芯片13的层叠的情况，由于不需要DAF15，因此基板10仅借助粘接带51安装于框架59较好。
以下，以如下顺序对配设于处理站30的部件进行说明：切割部100、支承件安装部110、支承件卸下部240、薄板化部200、支承件安装部250、紫外线照射部300、支承件卸下部410、装配部420、保护带剥离部500。
图3是表示切割部100的图。切割部100进行基板10的切割。在此，基板10的切割的意思是指将基板10分割为多个芯片13所用的加工，特别是在本实施方式中，如图3所示，使用激光束进行在基板10的内部形成成为断裂的起点的改性层14的隐形切割(SD)。
此外，由基板处理系统1进行处理前的基板10为例如硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体基板、蓝宝石基板等。处理前的基板10的第1主表面11由形成为格子状的多个通路(日文：ストリート)划分，在被划分的区域预先形成有包含元件、电路、端子等的器件层。此外，在处理前的基板10的第1主表面11贴合有保护带41。保护带41保护基板10的第1主表面11，保护在第1主表面11预先形成的元件、电路、端子等。
保护带41由片基材和在片基材的表面涂布的粘接剂构成。该粘接剂为在照射紫外线时固化而降低粘接力的粘接剂较好。在粘接力降低之后，能够利用剥离操作自基板10简单地剥离保护带41。保护带41例如覆盖基板10的整个第1主表面11而粘贴于基板10。另外，作为保护带41的固化方法除了紫外线照射以外还可以应用使用热、激光的方法。
另外，基板10在本实施方式中以粘贴有保护带41的状态向基板处理系统1供给，但也可以在基板处理系统1的内部粘贴保护带41。也就是说，基板处理系统1也可以具有将保护带41粘贴于基板10的处理部。
切割部100具有例如基板保持部140、基板加工部120以及移动机构部130。
基板保持部140借助保护带41保持基板10。基板10被水平地保持较好。例如，将基板10的由保护带41保护的第1主表面11设为下表面，将基板10的第2主表面12设为上表面。基板保持部140例如为真空卡盘。
基板加工部120例如进行由基板保持部140保持的基板10的切割。基板加工部120例如具有激光振荡器121和向基板10照射来自于激光振荡器121的激光光线的光学系统122。光学系统122由朝向基板10对来自于激光振荡器121的激光光线进行聚光的聚光透镜等构成。
移动机构部130使基板保持部140和基板加工部120相对地移动。移动机构部130例如由使基板保持部140在X方向、Y方向、Z方向以及θ方向上移动的XYZθ工作台等构成。
控制装置90控制基板加工部120以及移动机构部130，沿着将基板10划分为多个芯片13的通路进行基板10的切割。在本实施方式中，使用相对于基板10具有透过性的激光光线。
另外，切割部100在本实施方式中配设于基板处理系统1的处理站30，但也可以设于基板处理系统1的外部。在该情况，在对基板10进行切割之后，自外部向送入送出站20送入该基板10。
图4是表示支承件安装部110中的基板10以及静电支承件42的状态的图。支承件安装部110将静电支承件42安装于进行了切割的基板10。
静电支承件42为用于在输送基板10时安装于基板10而防止输送中的基板10的变形并提高输送强度的加强件。静电支承件42能够通过施加电压而利用在其与基板10间产生的库仑力来吸附基板10。
支承件安装部110具有输送静电支承件42的输送装置111，利用输送装置111使静电支承件42自上方靠近基板10。输送装置111具有例如对静电支承件42的一对内部电极分别施加+、－电压的供电装置，通过施加电压使在自电极表面至支承件表面的介电层中产生介电极化。由此，在静电支承件42和基板10之间产生引力(库仑力)，使静电支承件42和基板10之间吸附。该库仑力在停止自支承件安装部110向静电支承件42的供电之后也会残留，因此在利用输送装置33自切割部100的模块向薄板化部200的模块输送基板10期间能够使基板10持续吸附于静电支承件42。
另外，静电支承件42不限于本实施方式的双极型，也可以是单极型。此外，静电支承件42也可以是代替如本实施方式那样利用库仑力的结构而利用约翰逊·拉贝克力(Johnson-Rahbek force)、梯度力的结构。在以下，有时将这些库仑力、约翰逊·拉贝克力、梯度力统称为“静电吸附力”。
支承件安装部110将静电支承件42安装于基板10的第2主表面12较好。与借助保护带41将静电支承件42安装于基板10的第1主表面11的情况相比，能够使静电支承件42和基板10之间的距离靠近，能够增大静电吸附力。由此，能够抑制静电支承件42和基板10之间的意外分离。
图5是表示支承件卸下部240中的基板10以及静电支承件42的状态的图。支承件卸下部240设于薄板化部200的模块。支承件卸下部240用于从如下基板10卸下静电支承件42，该基板10是安装有静电支承件42并被从切割部100的模块输送到薄板化部200的模块的基板10。
支承件卸下部240具有例如与支承件安装部110同样的输送装置111，输送装置111具有对静电支承件42的一对内部电极分别施加+、－电压的供电装置。支承件卸下部240利用供电装置的电压施加使静电支承件42和基板10之间的吸附力消除，而自基板10卸下静电支承件42。由此，能够利用薄板化部200对基板10的卸下了静电支承件42的第2主表面12进行加工。
薄板化部200(参照图1)对已切割的基板10的与由保护带41保护的第1主表面11相反的一侧的第2主表面12进行加工，从而对基板10进行薄板化。在利用切割部100形成分割的起点(改性层14)的情况，在薄板化的过程中对基板10作用有加工应力，从而裂纹从分割的起点向板厚方向进展，使基板10分割为多个芯片13。在对基板10进行切割之后对其进行薄板化，从而能够去除改性层14。
例如如图1所示，薄板化部200具有旋转台201、作为基板吸附部的卡盘台202、粗磨削部210、精磨削部220以及损伤层去除部230。
旋转台201以旋转台201的中心线为中心进行旋转。在旋转台201的旋转中心线的周围等间隔配设有多个(例如在图1中为四个)卡盘台202。
多个卡盘台202与旋转台201一起以旋转台201的中心线为中心旋转。旋转台201的中心线设为铅垂。在旋转台201每次旋转时，与粗磨削部210、精磨削部220以及损伤层去除部230相面对的卡盘台202发生变更。
卡盘台202借助保护带41吸附基板10。卡盘台202例如为真空卡盘。基板10被水平地保持较好。例如，将基板10的由保护带41保护的第1主表面11设为下表面，将基板10的第2主表面12设为上表面。
图6是表示薄板化部200的粗磨削部210的图。粗磨削部210进行基板10的粗磨削。例如如图6所示，粗磨削部210具有旋转磨石211。旋转磨石211在以其中心线为中心旋转的同时下降，对由卡盘台202保持的基板10的上表面(也就是第2主表面12)进行加工。向基板10的上表面供给磨削液。
精磨削部220进行基板10的精磨削。
损伤层去除部230去除由粗磨削、精磨削等磨削而在基板10的第2主表面12形成的损伤层。
图7是表示支承件安装部250中的基板10以及静电支承件42的状态的图。支承件安装部250将静电支承件42安装于进行了薄板化的基板10。
支承件安装部250具有例如与支承件安装部110同样的输送装置111，输送装置111具有对静电支承件42的一对内部电极分别施加+、－电压的供电装置。支承件安装部250利用供电装置的电压施加而在静电支承件42和基板10之间产生引力，使基板10吸附于静电支承件42。
支承件安装部250将静电支承件42安装于基板10的第2主表面12较好。与借助保护带41将静电支承件42安装于基板10的第1主表面11的情况相比，能够使静电支承件42和基板10之间的距离靠近，能够增大静电吸附力。由此，能够抑制静电支承件42和基板10之间的意外分离。此外，在将静电支承件42安装于基板10的第2主表面12的状态下，能够对在基板10的第1主表面11粘贴的保护带41照射紫外线。
图8是表示紫外线照射部300的图。紫外线照射部300对在基板10粘贴的保护带41照射紫外线。能够利用紫外线的照射使保护带41的粘接剂固化，能够降低保护带41的粘接力。在粘接力降低之后，能够利用剥离操作自基板10简单地剥离保护带41。
作为紫外线照射部300使用UV灯等。由紫外线照射部300进行的紫外线的照射在保护带41的粘接力较高的情况下进行并且在进行保护带41的剥离操作之前进行。
紫外线照射部300设于以保护带41为基准的与基板10相反的一侧较好。由此，能够对在基板10的第1主表面11粘贴的保护带41直接照射紫外线。另外，作为保护带41的固化方法除了紫外线照射以外还可以应用使用热、激光的方法。
图9是表示支承件卸下部410中的基板10以及静电支承件42的状态的图。支承件卸下部410设于装配部420的模块。支承件卸下部410用于从如下基板10卸下静电支承件42，该基板10是安装有静电支承件42并被从紫外线照射部300的模块输送到装配部420的模块的基板10。
支承件卸下部410具有例如与支承件卸下部240同样的输送装置111，输送装置111具有对静电支承件42的一对内部电极分别施加+、－电压的供电装置。支承件卸下部410利用供电装置的电压施加使静电支承件42和基板10之间的吸附力消除，而自基板10卸下静电支承件42。由此，能够将粘接带51粘贴于基板10的卸下了静电支承件42的第2主表面12。
在本实施方式中，在框架59设置于基板10的周围之后，支承件卸下部410自基板10卸下静电支承件42。也就是说，在将基板10设置于装配部420的规定位置之后进行静电支承件42的卸下。然而，自基板10卸下静电支承件42的卸下时刻不限于此。只要至少在利用装配部420将粘接带51粘贴于基板10的第2主表面12之前即可。
图10是表示装配部420的图。装配部420借助粘接带51将进行了切割并薄板化的基板10自第2主表面12侧安装于框架59。粘接带51如图10中双点划线所示那样以覆盖环状的框架59的开口部的方式安装于框架59，该粘接带51在框架59的开口部中与基板10的第2主表面12侧贴合。
装配部420也可以仅借助粘接带51将进行了切割并薄板化的基板10安装于框架59，但在图10中借助预先层叠的粘接带51以及DAF15将进行了切割并薄板化的基板10安装于框架59。
图11是表示保护带剥离部500中的基板10以及保护带41的状态的图。如图11中双点划线所示那样，保护带剥离部500用于从如下基板10剥离保护带41，该基板10是利用装配部420借助粘接带51安装于框架59的基板10。
保护带剥离部500使保护带41一边从基板10的一端侧朝向另一端侧依次变形，一边自基板10剥离。
接下来，对使用上述结构的基板处理系统1的基板处理方法进行说明。图12是实施方式的基板处理方法的流程图。
如图12所示，基板处理方法具有送入工序S101、切割工序S102(加工工序)、支承件安装工序S103(切割后支承件安装工序)、输送工序S104(切割后输送工序)、支承件卸下工序S105(切割后支承件卸下工序)、薄板化工序S106(加工工序)、支承件安装工序S107(薄板化后支承件安装工序)、输送工序S108(薄板化后输送工序)、紫外线照射工序S109、支承件卸下工序S110(薄板化后支承件卸下工序)、装配工序S111、保护带剥离工序S112以及送出工序S113。这些工序在由控制装置90进行的控制下实施。另外，这些工序的顺序不限定于图12所示的顺序。例如也可以在薄板化工序S106之后实施切割工序S102。
在送入工序S101中，输送装置27自载置台21上的盒C向处理站30的传送部35输送基板10，接着，输送装置33自传送部35向切割部100输送基板10。
在切割工序S102中，如图3所示，切割部100沿着将基板10划分为多个芯片13的通路进行基板10的切割。
在支承件安装工序S103中，如图4所示，支承件安装部110将静电支承件42安装于基板10的在步骤S102中进行了切割的第2主表面12。
在输送工序S104中，输送装置33借助静电支承件42对在步骤S103中安装了静电支承件42的基板10进行吸附，将该基板10自切割部100的模块向薄板化部200的模块输送。在基板10安装有静电支承件42，来提高输送中的基板10的强度，因此即使进行部分吸引而不进行整面吸引、也能够稳定地输送基板10。
在支承件卸下工序S105中，如图5所示，支承件卸下部240从如下基板10卸下静电支承件42，该基板10是在步骤S104中安装有静电支承件42并自切割部100的模块输送到薄板化部200的模块的基板10。
在薄板化工序S106中，如图6所示，薄板化部200对基板10的与第1主表面11相反的一侧的第2主表面12进行加工，从而对基板10进行薄板化。此时，基板10的第1主表面11侧被保护带41保护。
在支承件安装工序S107中，如图7所示，支承件安装部250将静电支承件42安装于基板10的在步骤S106中进行了薄板化的第2主表面12。在对由薄板化部200进行了磨削的第2主表面12进行清洗并干燥之后，支承件安装部250使静电支承件42吸附于基板10的第2主表面12。
在输送工序S108中，输送装置33借助静电支承件42对在步骤S107中安装了静电支承件42的基板10进行吸附，将该基板10自支承件安装部250的模块向紫外线照射部300的模块输送。
在紫外线照射工序S109中，如图8所示，紫外线照射部300对保护带41照射紫外线。紫外线照射部300例如设于以保护带41为基准的与基板10相反的一侧，由此，构成为能够对在基板10的第1主表面11粘贴的保护带41直接照射紫外线。能够利用紫外线的照射使保护带41的粘接剂固化，能够降低保护带41的粘接力，能够在保护带剥离工序S112中自基板10简单地剥离保护带41。
紫外线照射工序S109也可以在装配工序S111之后进行，但在本实施方式中在装配工序S111之前进行。由此，能够防止因紫外线的照射而产生的粘接带51的劣化。另外，作为保护带41的固化方法除了紫外线照射以外还可以应用使用热、激光的方法。在完成本步骤之后，输送装置33自紫外线照射部300的模块向装配部420的模块输送基板10。
在支承件卸下工序S110中，如图9所示，支承件卸下部410从如下基板10卸下静电支承件42，该基板10是从紫外线照射部300的模块输送到装配部420的模块的基板10。在本实施方式中，如参照图9所示地后述那样，在框架59设置于基板10的周围之后，支承件卸下部410自基板10卸下静电支承件42。然而，自基板10卸下静电支承件42的卸下时刻不限于此。只要至少在利用装配部420将粘接带51粘贴于基板10和框架59之前即可。
在装配工序S111，如图10所示，装配部420借助粘接带51将进行了切割并薄板化的基板10自第2主表面12侧安装于框架59。
在保护带剥离工序S112中，如图11所示，保护带剥离部500从如下基板10剥离保护带41，该基板10是在装配工序S111中借助粘接带51安装于框架59的基板10。
在送出工序S113中，输送装置33自保护带剥离部500向传送部35输送基板10，接着，输送装置27自传送部35向载置台21上的盒C输送基板10。输送装置33、输送装置27保持框架59而输送基板10。使盒C自载置台21向外部送出。向外部送出的基板10以每个芯片13为单位被拾取。这样，制造包含芯片13的半导体装置。
接着对本实施方式的基板处理方法的效果进行说明。基板处理方法具有：加工工序(切割工序S102、薄板化工序S106)，从基板10的与粘贴有保护带41的第1主表面11相反的一侧的第2主表面12侧对基板10进行加工；以及输送工序S104、S108，将能够利用静电吸附力进行吸附的静电支承件42安装于在加工工序中进行了加工的基板10并进行输送。
在利用输送装置33对加工后的基板10进行直接吸附并进行输送的情况，由于基板10较薄因此在输送中基板10有可能发生卷曲、变形或破损。与此相对，在本实施方式，根据上述结构，以将静电支承件42安装于施加了薄板化、切割等加工后的基板10的状态对其进行输送，因此，能够利用静电支承件42针对基板10的脆弱性进行加强，能够良好地防止输送时的基板10的变形、破损。因而，本实施方式的基板处理方法能够提高在半导体装置的制造过程中基板10的输送强度。
此外，以往，为了稳定地输送施加了薄板化、切割等加工后的基板10，输送装置33对基板10进行整面吸附并输送的情况较多。在整面吸附的情况，需要对输送装置33的卡盘和基板10之间的位置关系谋求高精度等复杂的构造。与此相对，在本实施方式中，如上述结构，在输送工序S104、S108中，基板10借助静电支承件42吸附于输送装置33而被输送。也就是说，输送装置33不直接吸附基板10，而是吸附静电支承件42并输送基板10。静电支承件42与基板10相比刚性较高，因此，不需要利用输送装置33进行的静电支承件42的整面吸附，使用部分吸附等定位精度的要求比较低的方法也能够稳定地对基板10进行吸附、输送。因此，与以往相比较，能够简单地实现用于提高基板10的输送强度的构造、控制。
另外，也存在以对加工对象的基板10粘接了用于加强该基板10的强度的支承基板的状态进行半导体装置的制造的方法(例如参照日本特开2014－110387号公报等)，但需要在加工完成后向基板10和支承基板之间的粘接部插入锋利构件而自基板10剥离支承基板的作业、清洗基板10的与支承基板粘接的粘接面的作业，作业的工时增加而变得繁杂。与此相对，对于本实施方式，作为用于加强基板10的强度的要素而使用能够利用静电吸附力安装于基板10的静电支承件42，因此，仅利用向静电支承件42供电就能够进行基板10和静电支承件42之间的装卸，能够防止作业的繁杂化。
此外，本实施方式的基板处理方法包含对第2主表面12进行磨削而对基板10进行薄板化的薄板化工序S106。此外，具有：支承件安装工序S107，将静电支承件42安装于基板10的在薄板化工序S106中进行了薄板化的第2主表面12；输送工序S108，利用输送装置33借助静电支承件42对在支承件安装工序S107中安装了静电支承件42的基板10进行吸附并进行输送；以及支承件卸下工序S110，在利用输送工序S108输送到规定位置(在本实施方式中为装配部420)后自基板10卸下静电支承件42。
在支承件安装工序S107中，通过将静电支承件42安装于基板10的第2主表面12，从而与借助保护带41将静电支承件42安装于基板10的第1主表面11的情况相比较，能够使静电支承件42和基板10之间的距离靠近，能够增大静电吸附力。由此，能够抑制在输送工序S108中静电支承件42和基板10之间的意外分离。此外，在支承件卸下工序S110中自基板10卸下静电支承件42，从而能够在之后的装配工序S111中将粘接带51粘贴于基板10的卸下了静电支承件42的第2主表面12。
此外，本实施方式的基板处理方法具有：切割工序S102，自第2主表面12侧进行基板10的切割；支承件安装工序S103，将静电支承件42安装于基板10的在切割工序S102中进行了切割的第2主表面12；输送工序S104，利用输送装置33借助静电支承件42对在支承件安装工序S103中安装了静电支承件42的基板10进行吸附并进行输送；以及支承件卸下工序S105，在利用输送工序S104输送到规定位置(在本实施方式中为薄板化部200)后自基板10卸下静电支承件42。
在支承件安装工序S103中，通过将静电支承件42安装于基板10的第2主表面12，从而与借助保护带41将静电支承件42安装于基板10的第1主表面11的情况相比较，能够使静电支承件42和基板10之间的距离靠近，能够增大静电吸附力。由此，能够抑制在输送工序S104中静电支承件42和基板10之间的意外分离。此外，在支承件卸下工序S105中自基板10卸下静电支承件42，从而能够在之后的薄板化工序S106对基板10的卸下了静电支承件42的第2主表面12进行薄板化加工。
此外，在本实施方式的基板处理方法，在切割工序S102中进行了基板10的切割后，在薄板化工序S106中进行基板10的薄板化。由此，能够利用薄板化加工完全地去除由切割形成于基板10的内部的改性层14。
另外，在本实施方式中，例示了实施如步骤S103～S105那样在自切割部100的模块向薄板化部200的模块输送基板10时将静电支承件42安装于基板10的方法以及如步骤S107～S110那样在自支承件安装部250的模块经由紫外线照射部300的模块向装配部420输送时将静电支承件42安装于基板10的方法这两者的构成，但也可以是仅实施任一者的构成。此外，在切割工序S102和薄板化工序S106的顺序交换的情况下，步骤S107～S110成为先于步骤S103～S105。
此外，本实施方式的基板处理方法在保护带剥离工序S112之前具有对在基板10的第1主表面11粘贴的保护带41照射紫外线的紫外线照射工序S109。在紫外线照射工序S109中，利用在基板10的第2主表面12安装的静电支承件42支承基板10。
将静电支承件42安装于基板的与保护带41相反的一侧的第2主表面12，从而在紫外线照射工序S109中能够易于对保护带41照射紫外线，在之后的保护带剥离工序S112中能够容易地进行自基板10剥离保护带41的剥离作业。此外，不需要在紫外线照射工序S109中卸下静电支承件42，能够提高作业效率。
以上，参照具体例对本实施方式进行了说明。然而，本公开并不限定于这些具体例。本领域技术人员对这些具体例适当加以设计变更而得到的方案，只要具备本公开的特征，就包含于本公开的范围内。所述的各具体例所具备的各要素及其配置、条件、形状等并不限定于例示的内容，能够适当变更。上述的各具体例所具备的各要素只要不产生技术上的矛盾，就能够适当改变组合。
本国际申请基于2017年8月10日提出申请的日本特许出愿2017－155478号要求优先权，并将日本特许出愿2017－155478号的所有内容引用于本国际申请。
附图标记说明
10、基板；11、第1主表面；12、第2主表面；41、保护带；42、静电支承件；51、粘接带；59、框架；S102、切割工序(加工工序)；S103、支承件安装工序(切割后支承件安装工序)；S104、输送工序(切割后输送工序)；S105、支承件卸下工序(切割后支承件卸下工序)；S106、薄板化工序(加工工序)；S107、支承件安装工序(薄板化后支承件安装工序)；S108、输送工序(薄板化后输送工序)；S109、紫外线照射工序；S110、支承件卸下工序(薄板化后支承件卸下工序)；S111、装配工序；S112、保护带剥离工序。

Claims (6)

1.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有：
加工工序，自基板的与粘贴有保护带的第1主表面相反的一侧的第2主表面侧对所述基板进行加工；以及
输送工序，将能够利用静电吸附力进行吸附的静电支承件安装于在所述加工工序中进行了加工的所述基板并进行输送。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有：
薄板化工序，对所述第2主表面进行磨削而对所述基板进行薄板化；
薄板化后支承件安装工序，将所述静电支承件安装于所述基板的在所述薄板化工序中进行了薄板化的所述第2主表面；
薄板化后输送工序，利用输送装置借助所述静电支承件对在所述薄板化后支承件安装工序中安装了所述静电支承件的所述基板进行吸附并进行输送；以及
薄板化后支承件卸下工序，在利用所述薄板化后输送工序输送到规定位置后自所述基板卸下所述静电支承件，
所述加工工序包含所述薄板化工序，
所述输送工序包含所述薄板化后输送工序。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有：
切割工序，自所述第2主表面侧进行所述基板的切割；
切割后支承件安装工序，将所述静电支承件安装于所述基板的在所述切割工序中进行了切割的所述第2主表面；
切割后输送工序，利用输送装置借助所述静电支承件对在所述切割后支承件安装工序中安装了所述静电支承件的所述基板进行吸附并进行输送；以及
切割后支承件卸下工序，在利用所述切割后输送工序输送到规定位置后自所述基板卸下所述静电支承件，
所述加工工序包含所述切割工序，
所述输送工序包含所述切割后输送工序。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有：
切割工序，自所述第2主表面侧进行所述基板的切割；
切割后支承件安装工序，将所述静电支承件安装于所述基板的在所述切割工序中进行了切割的所述第2主表面；
切割后输送工序，利用输送装置借助所述静电支承件对在所述切割后支承件安装工序中安装了所述静电支承件的所述基板进行吸附并进行输送；
切割后支承件卸下工序，在利用所述切割后输送工序输送到规定位置后自所述基板卸下所述静电支承件；
薄板化工序，对在所述切割后支承件卸下工序中卸下了所述静电支承件的所述第2主表面进行磨削而对所述基板进行薄板化；
薄板化后支承件安装工序，将所述静电支承件安装于所述基板的在所述薄板化工序中进行了薄板化的所述第2主表面；
薄板化后输送工序，利用输送装置借助所述静电支承件对在所述薄板化后支承件安装工序中安装了所述静电支承件的所述基板进行吸附并进行输送；以及
薄板化后支承件卸下工序，在利用所述薄板化后输送工序输送到规定位置后自所述基板卸下所述静电支承件，
所述加工工序包含所述切割工序以及所述薄板化工序，
所述输送工序包含所述切割后输送工序以及所述薄板化后输送工序。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有：
装配工序，借助粘接带将所述基板自所述第2主表面侧安装于框架；以及
保护带剥离工序，从在所述装配工序中安装于所述框架的所述基板剥离所述保护带。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法具有紫外线照射工序，在所述保护带剥离工序之前，对在所述基板的所述第1主表面粘贴的所述保护带照射紫外线，
在所述紫外线照射工序中，利用在所述基板的所述第2主表面安装的所述静电支承件支承所述基板。
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