CN111033602B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111033602B
CN111033602B CN201880053292.1A CN201880053292A CN111033602B CN 111033602 B CN111033602 B CN 111033602B CN 201880053292 A CN201880053292 A CN 201880053292A CN 111033602 B CN111033602 B CN 111033602B
Authority
CN
China
Prior art keywords
region
display
light
emitting element
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880053292.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111033602A (zh
Inventor
中村太纪
杉泽希
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to CN202210185945.XA priority Critical patent/CN114497170A/zh
Publication of CN111033602A publication Critical patent/CN111033602A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111033602B publication Critical patent/CN111033602B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/828Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/40Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character is selected from a number of characters arranged one beside the other, e.g. on a common carrier plate
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/46Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character is selected from a number of characters arranged one behind the other
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/813Anodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/822Cathodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/826Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/90Assemblies of multiple devices comprising at least one organic light-emitting element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Abstract

提供一种包括接缝不容易被看到的显示区域的显示装置。本发明的一个方式是一种包括第一显示面板及第二显示面板的显示装置。第一显示面板具有第一显示区域及使可见光透过的区域。第二显示面板具有第二显示区域。第一显示区域相邻于使可见光透过的区域。第一显示区域包括第一发光元件及第二发光元件。第一发光元件所包括的第一公共电极具有与第二发光元件所包括的第二公共电极接触的部分。第一公共电极具有反射可见光的功能。第二公共电极具有使可见光透过的功能。第二发光元件比第一发光元件更靠近使可见光透过的区域。第二显示区域具有与第二发光元件重叠的部分及使可见光透过的区域。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本发明的一个方式涉及一种显示面板、显示装置、电子设备及其制造方法。
注意,本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本发明的一个方式的技术领域的例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如,触摸传感器等)、输入输出装置(例如,触摸面板等)、其驱动方法或者其制造方法。
背景技术
近年来,对显示装置有大型化的需求。在用于大型显示装置时,例如,可以举出家用电视装置(也称为电视或电视接收器)、数字标牌(Digital Signage)或公共信息显示器(PID:Public Information Display)等。显示装置的显示区域越大,能够一次提供的信息量越多。另外,显示区域越大,越容易吸引人的注意,从而例如期待广告宣传效果的提高。
利用电致发光(Electroluminescence,以下称为EL)现象的发光元件(也记载为“EL元件”)具有容易实现薄型轻量化;能够高速地响应输入信号;以及能够使用直流低电压电源等而驱动等的特征,并且有望将其应用于显示装置。例如,专利文献1公开了使用有机EL元件的具有柔性的发光装置。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2014-197522号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明的一个方式的目的之一是实现显示装置的大型化。本发明的一个方式的目的之一是提供一种接缝不容易被看到的显示区域的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是抑制显示装置的显示不均匀或亮度不均匀。本发明的一个方式的目的之一是实现显示装置的薄型化或轻量化。本发明的一个方式的目的之一是提供一种能够沿着曲面显示的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种一览性强的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的显示装置。
注意,这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式的显示面板具有显示区域及使可见光透过的区域。显示区域相邻于使可见光透过的区域。显示区域包括第一发光元件及第二发光元件。第一发光元件包括第一像素电极及第一公共电极。第二发光元件包括第二像素电极及第二公共电极。第一公共电极具有与第一像素电极重叠的第一部分。第二公共电极具有与第二像素电极重叠的第二部分。第二公共电极具有与第一公共电极接触的第三部分。第一公共电极具有反射可见光的功能。第一像素电极、第二像素电极及第二公共电极都具有使可见光透过的功能。第二发光元件比第一发光元件更靠近使可见光透过的区域。第二公共电极优选具有第四部分。第四部分是与第二像素电极重叠且与第一公共电极接触的部分。第二公共电极优选延伸到使可见光透过的区域。显示面板优选在第一发光元件上及第二发光元件上包括保护层。
本发明的一个方式的显示面板具有显示区域及使可见光透过的区域。显示区域相邻于使可见光透过的区域。显示区域包括绝缘层、分隔壁及发光元件。发光元件包括像素电极及公共电极。绝缘层具有开口。绝缘层覆盖像素电极的端部。公共电极隔着开口与像素电极重叠。分隔壁位于绝缘层上。分隔壁位于发光元件与使可见光透过的区域间。分隔壁沿着使可见光透过的区域设置。分隔壁的顶面的高度高于公共电极中的与开口重叠的部分的顶面的高度。使可见光透过的区域及分隔壁优选沿着显示区域的连续的两个边设置。显示面板优选在发光元件上包括保护层。
本发明的一个方式的显示装置包括第一显示面板及第二显示面板。第一显示面板具有第一显示区域及使可见光透过的区域。第二显示面板具有第二显示区域。第一显示区域相邻于使可见光透过的区域。第一显示区域包括第一发光元件及第二发光元件。第一发光元件包括第一像素电极及第一公共电极。第二发光元件包括第二像素电极及第二公共电极。第一公共电极具有与第一像素电极重叠的第一部分。第二公共电极具有与第二像素电极重叠的第二部分。第二公共电极具有与第一公共电极接触的第三部分。第一公共电极具有反射可见光的功能。第一像素电极、第二像素电极及第二公共电极都具有使可见光透过的功能。第二发光元件比第一发光元件更靠近使可见光透过的区域。第二显示区域具有与第二发光元件重叠的部分及与使可见光透过的区域重叠的部分。第二公共电极优选具有第四部分。第四部分是与第二像素电极重叠且与第一公共电极接触的部分。第二公共电极优选延伸到使可见光透过的区域。第一显示面板优选在第一发光元件上及第二发光元件上包括保护层。第二显示区域优选包括第三发光元件及第四发光元件。第三发光元件穿过第二发光元件发射光。第四发光元件穿过使可见光透过的区域发射光。
本发明的一个方式的显示装置包括第一显示面板及第二显示面板。第一显示面板具有第一显示区域及使可见光透过的区域。第二显示面板具有第二显示区域。第一显示区域相邻于使可见光透过的区域。第一显示区域包括绝缘层、分隔壁及发光元件。发光元件包括像素电极及公共电极。绝缘层具有开口。绝缘层覆盖像素电极的端部。公共电极隔着开口与像素电极重叠。分隔壁位于绝缘层上。分隔壁位于发光元件与使可见光透过的区域间。分隔壁沿着使可见光透过的区域设置。分隔壁的顶面的高度高于公共电极中的与开口重叠的部分的顶面的高度。第二显示区域具有与使可见光透过的区域重叠的部分。使可见光透过的区域及分隔壁优选沿着第一显示区域的连续的两个边设置。第一显示面板优选在发光元件上设置保护层。
发明效果
根据本发明的一个方式,可以实现显示装置的大型化。根据本发明的一个方式,可以提供一种接缝不容易被看到的显示区域大的显示装置。根据本发明的一个方式,可以抑制显示装置的显示不均匀或亮度不均匀。根据本发明的一个方式,可以实现显示装置的薄型化或轻量化。根据本发明的一个方式,可以提供一种能够沿着曲面显示的显示装置。根据本发明的一个方式,可以提供一种一览性强的显示装置。另外,根据本发明的一个方式,可以提供一种新颖的显示装置。
注意,这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。本发明的一个方式并不需要实现所有上述效果。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述效果以外的效果。
附图简要说明
[图1]是示出显示面板的一个例子的俯视图及截面图。
[图2]是示出显示面板的比较例子的俯视图及截面图。
[图3]是示出显示面板的一个例子的俯视图及截面图。
[图4]是示出显示面板的一个例子的截面图。
[图5]是示出显示面板的一个例子的俯视图及截面图。
[图6]是示出显示面板的一个例子的截面图。
[图7]是示出显示面板的一个例子的截面图。
[图8]是示出显示面板的配置例子的截面图。
[图9]是示出显示面板的一个例子的截面图。
[图10]是示出显示面板的一个例子的截面图。
[图11]是示出显示面板的一个例子的俯视图及截面图。
[图12]是示出显示面板的一个例子的截面图。
[图13]是示出显示面板的配置例子的截面图。
[图14]是示出显示面板的配置例子的俯视图。
[图15]是示出显示系统的一个例子的图。
[图16]A是示出显示装置的一个例子的图。B1、B2是示出在显示系统中进行的处理的一个例子的图。
[图17]是示出晶体管的结构例子的截面图。
[图18]是示出电子设备的一个例子的图。
实施发明的方式
参照附图对实施方式进行详细说明。注意,本发明不局限于以下说明,所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此,本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
注意,在下面说明的发明结构中,在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分,而省略反复说明。此外,当表示具有相同功能的部分时有时使用相同的阴影线,而不特别附加附图标记。
另外,为了便于理解,有时附图中示出的各构成的位置、大小及范围等并不表示其实际的位置、大小及范围等。因此,所公开的发明不一定局限于附图所公开的位置、大小、范围等。
另外,根据情况或状态,可以互相调换“膜”和“层”。例如,可以将“导电层”变换为“导电膜”。此外,可以将“绝缘膜”变换为“绝缘层”。
(实施方式1)
在本实施方式中,参照图1至图17说明本发明的一个方式的显示面板及显示装置。
通过将多个显示面板排列在一个以上的方向(例如,一列或矩阵状等)上,可以制造包括很大的显示区域的显示装置。
在使用多个显示面板制造大型显示装置时,一个显示面板的尺寸不需要大。因此,也可以不使用来制造该显示面板的制造装置大型化,而可以节省空间。另外,可以利用中小型显示面板的制造装置,由此不需要伴随显示装置的大型化而利用新颖的制造装置,从而可以抑制制造成本。另外,可以抑制伴随显示面板的大型化的成品率下降。
在显示面板的尺寸相同的情况下,与包括一个显示面板的显示部相比,包括多个显示面板的显示部的显示区域更大,从而具有能够同时显示的信息量更多等效果。
在此考虑显示面板以围绕显示区域的方式包括非显示区域的情况。例如,在使用多个显示面板的输出图像显示一个图像的情况下,从显示装置的使用者看来该图像是分离的。
虽然通过使各显示面板的非显示区域缩小(使用窄边框的显示面板),可以抑制各显示面板的显示被看为是分离的,但是难以完全消除显示面板的非显示区域。
此外,当显示面板的非显示区域的面积小时,显示面板的端部与显示面板内的元件之间的距离短,由此有时因从显示面板的外部侵入的杂质而元件容易劣化。
于是,在本发明的一个方式中,多个显示面板以其一部分彼此重叠的方式配置。在重叠的两个显示面板中的至少位于显示面一侧(上侧)的显示面板中,使可见光透过的区域与显示区域相邻。在本发明的一个方式中,配置在下侧的显示面板的显示区域与配置在上侧的显示面板的透过可见光的区域重叠。因此,可以缩小重叠的两个显示面板的显示区域之间的非显示区域,甚至可以消除该非显示区域。由此,可以实现使用者几乎没有看到显示面板的接缝的大型显示装置。
位于上侧的显示面板的非显示区域中的至少一部分是使可见光透过的区域,可以与位于下侧的显示面板的显示区域重叠。另外,位于下侧的显示面板的非显示区域中的至少一部分可以与位于上侧的显示面板的显示区域或遮蔽可见光的区域重叠。因为这些部分对显示装置的窄边框化(像素部以外的面积的缩小化)没有影响,所以也可以不进行面积的缩小化。
当显示面板的非显示区域大时,显示面板的端部与显示面板内的元件之间的距离长,由此有时可以抑制因从显示面板的外部侵入的杂质而元件劣化。例如,在作为显示元件使用有机EL元件的情况下,显示面板的端部与有机EL元件之间的距离越长,水分及氧等杂质越不容易从显示面板的外部侵入(或到达)有机EL元件。因为在本发明的一个方式的显示装置中,能够充分确保显示面板的非显示区域的面积,所以即使适用使用有机EL元件等的显示面板,也可以实现可靠性高的大型显示装置。
如此,当在显示装置中设置多个显示面板时,在多个显示面板中,优选在相邻的显示面板间连贯地配置显示区域。
本实施方式的显示面板具有底面发射(底部发射)结构。
在顶面发射(顶部发射)的显示面板中,将发光元件所发射的光穿过公共电极提取到外部,所以公共电极要使可见光透过。在使用使可见光透过的导电材料时,发生公共电极的电阻增高的问题。在发生起因于公共电极的电阻的电压下降,显示面内的电位分布不均匀,发光元件的亮度偏差而显示品质降低。
另一方面,本实施方式的显示面板具有底部发射结构,发光元件所发射的光穿过像素电极提取到外部,而对公共电极的可见光的透过性没有限制。通过使用电阻率低的金属或合金等,可以提高公共电极的导电性,所以可以抑制起因于公共电极的电阻的电压下降并提高显示品质。另外,由于不需要设置用来降低公共电极的电阻的辅助布线等,所以可以使显示面板的结构简化。
[显示面板的具体例子1]
图1A都示出显示面板DP1的俯视图。
图1A所示的显示面板DP1包括显示区域71、使可见光透过的区域72及遮蔽可见光的区域73。使可见光透过的区域72和遮蔽可见光的区域73都以与显示区域71相邻的方式设置。图1A示出显示面板DP1设置有FPC74的例子。
显示区域71包括多个像素。使可见光透过的区域72可以设置有构成显示面板DP1的一对衬底及用来密封夹在该一对衬底之间的显示元件的密封剂等。此时,作为设置于使可见光透过的区域72的构件,使用使可见光透过的材料。遮蔽可见光的区域73可以设置有与包括在显示区域71中的像素电连接的布线等。此外,遮蔽可见光的区域73也可以设置有扫描线驱动电路和信号线驱动电路中的一方或双方。另外,遮蔽可见光的区域73也可以设置有与FPC74连接的端子及与该端子连接的布线等。
显示面板DP1具有底部发射结构。图1A示出显示面板DP1的与显示面相反一侧的面。
图1B和图1C示出显示面板DP1中的包括显示区域71与使可见光透过的区域72的边界的部分的放大图。图1D是沿着图1B所示的点划线A1-A2的截面图。
图2A示出比较例子的显示面板中的包括显示区域71与使可见光透过的区域72的边界的部分的放大图。图2B是沿着图2A所示的点划线A3-A4的截面图。
图2A、图2B所示的比较例子的显示面板包括衬底101、发光元件110、绝缘层103及保护层105。
发光元件110包括像素电极111、EL层112及公共电极113a。像素电极111设置在衬底101上。EL层112设置在像素电极111上。公共电极113a设置在EL层112上。像素电极111具有使可见光透过的功能。公共电极113a具有反射可见光的功能。发光元件110向衬底101一侧发射光。
在对像素电极111和公共电极113a之间施加比发光元件110的阈值电压高的电压时,空穴从阳极一侧被注入到EL层112中,而电子从阴极一侧被注入到EL层112中。被注入的电子和空穴在EL层112中复合,而包含在EL层112中的发光物质发光。
在此,在形成公共电极时,因金属掩模的弯曲而公共电极在比所希望的区域大的范围形成。因此,如图2A、图2B所示,公共电极113a有时除了显示区域71以外还延伸到使可见光透过的区域72。在公共电极113a包括金属膜或合金膜等时,使可见光透过的区域72中的公共电极113a超出的部分的透光性下降。具体而言,在使可见光透过的区域72中,透光性的高低在图2B所示的区域124与其他区域之间产生差异。由此,在将使可见光透过的区域72与其他显示面板的显示区域重叠时,光提取效率产生差异,有时发生显示不均匀。另外,在区域124中,在与其他显示面板的显示区域重叠时,不充分地提取发光元件的发光而容易被看到两个显示面板的接缝。
于是,在本发明的一个方式中,如图1B至图1D所示,作为与使可见光透过的区域72相邻的发光元件使用使可见光透过的公共电极113b。
在图1B中,示出作为使可见光透过的区域72一侧的一个列的发光元件使用公共电极113b的例子。在图1C中,示出作为使可见光透过的区域72一侧的三个列的发光元件使用公共电极113b的例子。公共电极113b可以用于一个列或多个列的发光元件。
另外,如图1A所示,在使可见光透过的区域72设置在显示区域71的连续的两个边的情况下,优选作为使可见光透过的区域72一侧的一个行或多个行的发光元件也使用公共电极113b。
如图1D所示,在使用公共电极113a的发光元件110a与使可见光透过的区域72之间设置使用公共电极113b的发光元件110b。因此,即使因金属掩模的弯曲而公共电极113a在比所希望的区域大的范围形成,也可以抑制公共电极113a延伸到使可见光透过的区域72。因此,公共电极113a的透光性没有限制,可以使用电阻率低的金属或合金等。由此,可以抑制起因于公共电极113a的电阻的电压下降而提高显示品质。
另外,由于公共电极113b具有使可见光透过的功能,所以即使因金属掩模的弯曲而公共电极113b延伸到使可见光透过的区域72,也可以抑制使可见光透过的区域72的透光性的下降。具体而言,在使可见光透过的区域72中,可以减小图1D所示的区域123与其他区域之间的透光性的高低之差。由此,在将使可见光透过的区域72与其他显示面板的显示区域重叠时不容易产生光提取效率的差异而可以抑制显示不均匀。另外,也在区域123中,在与其他显示面板的显示区域重叠时可以充分地提取发光元件的发光,从而可以不容易被看到两个显示面板的接缝。由此,可以提高显示装置的显示品质。
图1D所示的显示面板包括衬底101、发光元件110a、发光元件110b、绝缘层103及保护层105。
发光元件110a包括像素电极111、EL层112及公共电极113a。像素电极111设置在衬底101上,EL层112设置在像素电极111上,公共电极113a设置在EL层112上。像素电极111具有使可见光透过的功能。公共电极113a具有反射可见光的功能。发光元件110a向衬底101一侧发射光。
发光元件110b包括像素电极111、EL层112及公共电极113b。像素电极111设置在衬底101上,EL层112设置在像素电极111上,公共电极113b设置在EL层112上。像素电极111及公共电极113b都具有使可见光透过的功能。发光元件110b的一部分设置有公共电极113a。发光元件110b的该部分向衬底101一侧发射光。发光元件110b的其他部分向衬底101一侧和保护层105一侧的双方发射光(可以说是双面发射结构)。
公共电极113b的可见光的透过性优选高于公共电极113a的可见光的透过性。例如,公共电极113b的波长450nm以上且700nm以下的范围内的光透过率的平均值优选高于公共电极113a的波长450nm以上且700nm以下的范围内的光透过率的平均值。
公共电极113b具有与公共电极113a接触的部分。该部分可以与绝缘层103重叠地设置。并且,也可以与发光元件110b所包括的像素电极111重叠地设置。
像素电极111是取出光一侧的电极。像素电极111及公共电极113b优选包括使可见光透过的导电膜。
使可见光透过的导电膜例如可以使用氧化铟、铟锡氧化物(ITO:Indium TinOxide)、铟锌氧化物、氧化锌(ZnO)、镓锌氧化物(Ga-Zn氧化物)、铝锌氧化物(Al-Zn氧化物)等形成。另外,也可以通过将金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯或钛等金属材料、包含这些金属材料的合金或这些金属材料的氮化物(例如,氮化钛)等形成得薄到具有透光性来使用。此外,可以使用上述材料的叠层膜作为导电膜。例如,当使用银和镁的合金与ITO的叠层膜等时,可以提高导电性,所以是优选的。另外,也可以使用石墨烯等。
EL层112至少包括发光层。EL层112也可以包括多个发光层。除了发光层之外,EL层112还可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质或双极性物质(电子传输性及空穴传输性高的物质)等的层。EL层112包含一种或多种发光物质。
作为EL层112,可以使用低分子类化合物和高分子类化合物中的任一个,或者也可以包含无机化合物。构成EL层112的层都可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法、涂敷法等方法形成。
发光元件既可以是包括一个EL层的单元件,又可以是隔着电荷产生层层叠有多个EL层的串联元件。
在本发明的一个方式中,也可以采用使用了量子点等无机化合物的发光元件。
公共电极113a优选包括反射可见光的导电膜。
作为反射可见光的导电膜,例如可以使用铝、金、铂、银、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜或钯等的金属材料或者包含这些金属材料的合金。此外,上述金属材料或合金也可以添加有镧、钕或锗等。此外,可以使用铝和钛的合金、铝和镍的合金、铝和钕的合金、铝、镍及镧的合金(Al-Ni-La)等的含铝的合金(铝合金)、银和铜的合金、银、钯及铜的合金(Ag-Pd-Cu,也表示为APC)或银和镁的合金等的含银的合金形成。包含银和铜的合金具有高耐热性,所以是优选的。再者,在与铝合金膜接触地层叠金属膜或金属氧化物膜时,可以抑制铝合金膜的氧化。作为该金属膜或金属氧化物膜的材料,可以举出钛、氧化钛等。此外,可以层叠在下面示出的使可见光透过的导电膜和包含上述金属材料或合金的导电膜。例如,可以使用银和ITO的叠层膜、银和镁的合金与ITO的叠层膜等。
像素电极111、公共电极113a和公共电极113b都可以通过蒸镀法或溅射法形成。除此之外,也可以通过喷墨法等喷出法、丝网印刷法等印刷法、或者镀法形成。
绝缘层103设置在衬底101上。绝缘层103包括与像素电极111重叠的开口。发光元件的发光区域相当于绝缘层103有开口的部分。绝缘层103覆盖像素电极111的端部。
保护层105以覆盖多个发光元件的方式设置。通过使用阻挡性高的膜作为保护层105,可以抑制侵入发光元件中的水分及氧等杂质。由此,可以抑制发光元件的劣化来提高显示面板的可靠性。
保护层105设置在公共电极113a上及公共电极113b上。保护层105设置在与提取光一侧相反一侧,所以可见光的透过性没有限制。由此,可以扩大可用于保护层105的材料的选择范围。例如,可以形成厚度厚的在可见区域具有吸收的氮化硅膜等无机绝缘膜。另外,可以设置被着色的聚酰亚胺膜等有机绝缘膜。另外,在保护层105的可见光的透过性低时,保护层105优选以不延伸到使可见光透过的区域72的方式设置。例如,保护层105的端部优选位于显示区域71内。保护层105优选覆盖EL层112的端部且在EL层112的端部的外侧与阻挡性高的层接触。由此,可以抑制杂质侵入发光元件而提高显示面板的可靠性。
绝缘层103和保护层105优选都包括无机膜(或无机绝缘膜)。通过由无机膜围绕发光元件,可以抑制从外部侵入发光元件中的水分及氧等杂质。构成发光元件的有机化合物或金属材料与杂质起反应会导致发光元件的劣化。因此,通过采用杂质不容易侵入的结构,发光元件的劣化受到抑制,从而可以提高发光元件的可靠性。
如图1D所示,在两个发光元件分别包括的EL层112互相分离时,优选的是,公共电极113a或公共电极113b覆盖EL层112的端部,并公共电极113a或公共电极113b在EL层112的端部的外侧与绝缘层103及保护层105接触。特别是,如这三个层(即,公共电极113a或公共电极113b、绝缘层103及保护层105)是无机膜,则可以使杂质不容易侵入EL层112中,所以是优选的。
无机膜(或无机绝缘膜)优选具有高防潮性,并使水不容易扩散并穿过。再者,无机膜(或无机绝缘膜)优选使氢和氧中的一方或双方不容易扩散并穿过。由此,可以使无机膜(或无机绝缘膜)用作阻挡膜。而且,可以有效地抑制从外部扩散到发光元件的杂质,从而可以实现可靠性高的显示面板。
绝缘层103可以由1层以上的绝缘膜形成。保护层105优选包括1层以上的绝缘膜。作为绝缘层103及保护层105,可以使用氧化绝缘膜、氮化绝缘膜、氧氮化绝缘膜及氮氧化绝缘膜等。作为氧化绝缘膜,可以举出氧化硅膜、氧化铝膜、氧化镓膜、氧化锗膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镧膜、氧化钕膜、氧化铪膜及氧化钽膜等。作为氮化绝缘膜,可以举出氮化硅膜及氮化铝膜等。作为氧氮化绝缘膜,可以举出氧氮化硅膜等。作为氮氧化绝缘膜,可以举出氮氧化硅膜等。
在本说明书中,氧氮化物是指在其组成中氧含量多于氮含量的材料,而氮氧化物是指在其组成中氮含量多于氧含量的材料。
特别是,氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧化铝膜的防潮性都高,所以适合于绝缘层103及保护层105。
此外,作为保护层105,可以使用包含ITO、Ga-Zn氧化物、Al-Zn氧化物或In-Ga-Zn氧化物等的无机膜。该无机膜优选具有高电阻,具体而言,该无机膜优选具有比公共电极113b高的电阻。该无机膜还可以包含氮。
例如,用于公共电极113b的使可见光透过的导电膜和用于保护层105的使可见光透过的无机膜也可以具有相同金属元素。在此情况下,可以提高公共电极113b和保护层105的紧密性,并可以抑制膜剥离及从界面侵入的杂质。
例如,作为公共电极113b可以使用第一ITO膜,而作为保护层105可以使用第二ITO膜。第二ITO膜的电阻率优选比第一ITO膜高。此外,例如,作为公共电极113b可以使用第一Ga-Zn氧化物膜,作为保护层105可以使用第二Ga-Zn氧化物膜。第二Ga-Zn氧化物膜的电阻率优选比第一Ga-Zn氧化物膜高。
包含Ga、Zn及O的无机膜例如可以通过使用Ga-Zn-O类金属氧化物靶材(Ga2O3和ZnO的混合烧结体)在氧气氛下或氩和氧的混合气氛下进行成膜来得到。此外,包含Al、Zn及O的绝缘膜例如可以通过使用Al-Zn-O类金属氧化物靶材(Al2O3和ZnO的混合烧结体)在上述同样的气氛下进行成膜来得到。另外,通过在氩、氧和氮的混合气氛下使用与上述同样的靶材进行成膜,可以得到包含Ga(或Al)、Zn、O和N的无机膜。
绝缘层103和保护层105的在20℃下的固有电阻优选都为1010Ωcm以上。
绝缘层103和保护层105都可以通过化学气相沉积(CVD:Chemical VaporDeposition)法(等离子体增强化学气相沉积(PECVD:Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)法等)、溅射法(DC溅射法、RF溅射法、离子束溅射法等)、原子层沉积(ALD:Atomic Layer Deposition)法等形成。
溅射法及ALD法可以实现低温成膜。包括在发光元件中的EL层112的耐热性低。因此,在制造发光元件之后形成的保护层105优选以比较低,典型为100℃以下的温度形成,优选使用溅射法及ALD法。
另外,在制造发光元件之前形成的绝缘层103可以以高温沉积形成。通过将成膜时的衬底温度设定为高温(例如,100℃以上且350℃以下),可以形成致密且阻挡性高的膜。除了溅射法及ALD法以外,还优选使用CVD法形成绝缘层103。CVD法的成膜速度快,所以是优选的。
作为绝缘层103及保护层105,也可以层叠两层以上的通过不同成膜方法形成的绝缘膜。
例如,优选首先通过溅射法形成第一层的无机膜,然后通过ALD法形成第二层的无机膜。
与通过ALD法形成的膜相比,在通过溅射法形成的膜中杂质少且密度高。与通过溅射法形成的膜相比,在通过ALD法形成的膜中台阶覆盖性高且不容易受到被成膜面的形状影响。
在第一层的无机膜中,杂质少且密度高。第二层的无机膜以覆盖因被形成面的台阶的影响而不能由第一层的无机膜充分覆盖的部分的方式形成。由此,可以形成与只形成一层的无机膜的情况相比可以进一步抑制水等的扩散的保护层。
具体而言,优选首先通过溅射法形成氧化铝膜、氧化锆膜、ITO膜、Ga-Zn氧化物膜、Al-Zn氧化物膜或In-Ga-Zn氧化物膜,然后通过ALD法形成氧化铝膜或氧化锆膜。
通过溅射法形成的无机膜的厚度优选为50nm以上且1000nm以下,更优选为100nm以上且300nm以下。
通过ALD法形成的无机膜的厚度优选为1nm以上且100nm以下,更优选为5nm以上且50nm以下。
绝缘层103及保护层105的水蒸气透过率都为小于1×10-2g/(m2·day),优选为5×10-3g/(m2·day)以下,更优选为1×10-4g/(m2·day)以下,进一步优选为1×10-5g/(m2·day)以下,更进一步优选为1×10-6g/(m2·day)以下。水蒸气透过率越低,越可以减少从外部向晶体管及发光元件的水的扩散。
绝缘层103的厚度和保护层105的厚度都为1nm以上且1000nm以下,优选为50nm以上且500nm以下,更优选为100nm以上且300nm以下。绝缘层的厚度越薄,越可以减小显示面板的总厚度,所以是优选的。绝缘层的厚度越薄,越可以提高产率,由此可以提高显示面板的生产性。
另外,绝缘层103和保护层105都可以采用使用无机膜(无机绝缘膜)和有机绝缘膜中的一方或双方的单层结构或叠层结构。
作为可以用于有机绝缘膜的有机绝缘材料,例如可以举出丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、聚硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂及酚醛树脂等。
接着,使用图3及图4说明与图1B至图1D不同的本发明的一个方式的显示面板的具体例子。
图3A、图3B示出包括显示区域71与使可见光透过的区域72的边界的部分的放大图。图3C是沿着图3A所示的点划线A5-A6的截面图。图3D是沿着图3B所示的点划线A7-A8的截面图。
在金属掩模的弯曲少等时,公共电极有时可以形成在所希望的区域中。例如,如图3A、图3C所示,公共电极113b不延伸到使可见光透过的区域72而公共电极113b的端部包括在显示区域71的结构也是本发明的一个方式。
另外,如图3B、图3D所示,公共电极113a不与发光元件110b的发光区域重叠的结构也是本发明的一个方式。此时,本发明的一个方式是发光元件110b的发光区域整体向衬底101一侧和保护层105一侧的双方发射光的结构。
图4A至图4C示出包括显示区域71与使可见光透过的区域72的边界的部分的截面图。
在图1D等中,示出公共电极113b的端部位于公共电极113a上的例子,但是如图4A所示,公共电极113a的端部也可以位于公共电极113b上。换言之,具有反射可见光的功能的公共电极113a与具有使可见光透过的功能的公共电极113b的叠层顺序没有限制。该叠层顺序可以根据发光元件的结构等决定。
如图4B所示,也可以使用具有平坦化功能的绝缘层104代替绝缘层103。绝缘层104优选使用上述有机绝缘材料形成。
在作为覆盖像素电极111的端部的绝缘层使用无机绝缘膜时,与使用有机绝缘膜的情况相比,杂质不容易侵入发光元件,从而可以提高发光元件的可靠性。在作为覆盖像素电极111的端部的绝缘层使用有机绝缘膜时,与使用无机绝缘膜的情况相比,台阶覆盖性高且不容易受到像素电极111的形状的影响。因此,可以防止发光元件的短路。
显示面板可以采用分别涂布方式或滤色片方式。在采用滤色片方式时,优选与白色发光的发光元件组合。在图1D等中,示出按发光元件设置EL层112的例子,但是图4B示出EL层112设置在多个发光元件的例子。各发光元件的发光可以透过着色层被提取。在图4B中,示出发光元件110a的发光透过第一颜色的着色层131A被提取,发光元件110b的发光透过第二颜色的着色层131B被提取的例子。另外,在按发光元件设置EL层112时也可以使用滤色片。
着色层是使特定的波长区域的光透过的有色层。例如,可以使用使红色、绿色、蓝色或黄色的波长区域的光透过的滤色片等。作为可以用于着色层的材料,可以举出金属材料、树脂材料、包含有颜料或染料的树脂材料等。
另外,如图4C所示,也可以在发光元件110b的发光区域整体设置公共电极113a。此时,发光元件110b的发光区域整体具有向衬底101一侧发射光的结构(也可以说是底部发射结构)。
[显示面板的具体例子2]
图5A及图5B示出显示面板的俯视图。图5C示出沿着图5A的点划线C1-C2的截面图。图6示出沿着图5A的点划线C3-C4的截面图。
图5A及图5B所示的显示面板包括显示区域71、使可见光透过的区域72及驱动电路78。显示面板连接有FPC74。图5A及图5B示出使可见光透过的区域72与显示区域71相邻而沿着显示区域71的两个边配置的例子。再者,图5A及图5B示出驱动电路78沿着显示区域71的另两个边配置的例子。
图5A所示的显示面板的角部为角形,而图5B所示的显示面板的角部为弧形。使用薄膜衬底的显示面板可以具有各种俯视形状。例如,在显示面板的角部具有曲率的情况下,有时在显示面板的分割时较不容易产生裂缝而容易制造。
如图5C及图6所示,显示面板370A包括衬底361、粘合层363、绝缘层365、367、晶体管301、303、导电层307、355、358、绝缘层314、发光元件110a、发光元件110b、绝缘层104、保护层105、粘合层317及衬底371等。
显示面板370A是具有应用分别涂布方式的底部发射结构的显示面板。
发光元件110a包括像素电极111、EL层112及公共电极113a。发光元件110b包括像素电极111、EL层112及公共电极113b。像素电极111与晶体管303的源极或漏极电连接。它们直接连接或经过其他导电层连接。每个发光元件设置有EL层112。公共电极113a及公共电极113b分别覆盖EL层112的端部,并在EL层112的端部的外侧与绝缘层104接触。公共电极113b具有与公共电极113a接触的部分。
像素电极111具有使可见光透过的功能。公共电极113a具有反射可见光的功能。发光元件110a向衬底101一侧发射光。
像素电极113b具有使可见光透过的功能。发光元件110b的一部分(部分110b2)设置有公共电极113a。发光元件110b的该部分110b2向衬底101一侧发射光。发光元件110b的其他部分110b1向衬底101一侧和保护层105一侧的双方发射光。
在显示面板370A的连接部306附近,绝缘层314设置有到达绝缘层313的开口308,在该开口308中绝缘层313与保护层105接触。如此,即使有机绝缘膜还设置在显示面板的端部,在该有机绝缘膜包括开口,且无机膜(或无机绝缘膜)在该开口中彼此接触时水分等杂质也不容易从显示面板的外部侵入,从而可以抑制晶体管及发光元件的劣化。此外,在显示面板370A的显示区域71中,在使可见光透过的区域72附近保护层105覆盖绝缘层314的端部及绝缘层104的端部。再者,保护层105在绝缘层314的端部及绝缘层104的端部的外侧与绝缘层313接触使可见光透过的区域。由此,水分等杂质不容易从显示面板的外部侵入,从而可以抑制晶体管及发光元件的劣化。
如图6所示,在使用公共电极113a的发光元件110a与使可见光透过的区域72之间设置使用公共电极113b的发光元件110b。因此,即使因金属掩模的弯曲而公共电极113a在比所希望的区域大的范围形成,也可以抑制公共电极113a延伸到使可见光透过的区域72。因此,公共电极113a的透光性没有限制,可以使用电阻率低的金属或合金等。由此,可以抑制起因于公共电极113a的电阻的电压下降而提高显示品质。
另外,由于公共电极113b具有使可见光透过的功能,所以即使因金属掩模的弯曲而公共电极113b延伸到使可见光透过的区域72,也可以抑制使可见光透过的区域72的透光性的下降。具体而言,在使可见光透过的区域72中,可以减小图6所示的区域387与其他区域之间的透光性的高低之差。由此,在将使可见光透过的区域72与其他显示面板的显示区域重叠时不容易产生光提取效率的差异而可以抑制显示不均匀。另外,也在区域387中,在与其他显示面板的显示区域重叠时可以充分地提取发光元件的发光,从而可以不容易被看到两个显示面板的接缝。由此,可以提高显示装置的显示品质。
在金属掩模的弯曲少等时,公共电极有时可以形成在所希望的区域中。例如,像图7A所示的显示面板370B那样,公共电极113b不延伸到使可见光透过的区域72而公共电极113b的端部包括在显示区域71的结构也是本发明的一个方式。在图7A中,示出公共电极113b的端部位于绝缘层104上的例子。
另外,像图7B所示的显示面板370C那样,公共电极113a不与发光元件110b的发光区域重叠的结构也是本发明的一个方式。此时,本发明的一个方式是发光元件110b的发光区域整体向衬底101一侧和保护层105一侧的双方发射光的结构。在图7B中,示出公共电极113a的端部及公共电极113b的端部都位于绝缘层104上的例子。
发光元件110a及发光元件110b还包括光学调整层114。通过将微腔结构应用于发光元件,可以从显示面板取出色纯度高的光。
绝缘层104覆盖像素电极111的端部及光学调整层114的端部。相邻的两个像素电极111由绝缘层104电绝缘。
在图7A、图7B所示的显示面板370B、370C的显示区域71中,保护层105在使可见光透过的区域72附近覆盖公共电极113a的端部及公共电极113b的端部且在公共电极113a的端部及公共电极113b的端部的外侧与绝缘层104接触。并且,保护层105覆盖绝缘层314的端部及绝缘层104的端部且在绝缘层314的端部及绝缘层104的端部的外侧与绝缘层313接触。由此,可以抑制杂质侵入公共电极113a及公共电极113b。
在本实施方式的显示面板的各种绝缘层及保护层105中,无机膜(或无机绝缘膜)的端部优选位于有机膜的端部的外侧,且在显示面板的端部及其附近,无机膜(或无机绝缘膜)优选彼此接触地层叠。
衬底361和衬底371由粘合层317贴合。此外,衬底361和绝缘层365由粘合层363贴合。
显示面板370A通过将形成在形成用衬底上的晶体管、发光元件110a、发光元件110b等转置在衬底361上来形成。
衬底361及衬底371可以采用玻璃、石英、树脂、金属、合金、半导体等的材料。从发光元件取出光一侧的衬底使用使该光透过的材料。作为衬底361及衬底371,优选使用具有柔性的衬底。
作为粘合层,可以使用紫外线固化粘合剂等光固化粘合剂、反应固化粘合剂、热固化粘合剂、厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。此外,也可以使用粘合薄片等。
驱动电路78包括晶体管301。显示区域71包括晶体管303。
各晶体管包括栅极、栅极绝缘层311、半导体层、背栅极、源极及漏极。栅极(下侧的栅极)与半导体层隔着栅极绝缘层311重叠。背栅极(上侧的栅极)与半导体层隔着绝缘层312及绝缘层313重叠。两个栅极优选电连接。
驱动电路78和显示区域71也可以具有互不相同的晶体管结构。驱动电路78和显示区域71也可以都包括多种晶体管。
优选对绝缘层365、绝缘层367、绝缘层312、绝缘层313和绝缘层314中的至少一个使用水或氢等杂质不容易扩散的材料。由此,可以有效地抑制来自外部的杂质扩散到晶体管中,从而可以提高显示面板的可靠性。绝缘层314被用作平坦化层。
显示区域71包括导电层358。导电层358是像素内的布线的一个例子。连接部306包括导电层307。导电层307与将来自外部的信号或电位传达给驱动电路78的外部输入端子电连接。在此,示出作为外部输入端子设置FPC74的例子。FPC74与导电层307经过连接体319电连接。导电层307及导电层358可以使用晶体管的源极及漏极相同的材料且通过晶体管的源极及漏极相同的工序形成。
作为连接体319,可以使用各种各向异性导电膜(ACF:Anisotropic ConductiveFilm)及各向异性导电膏(ACP:Anisotropic Conductive Paste)等。
图8示出以彼此重叠的方式配置两个显示面板370A的例子。
图8示出下侧的显示面板的显示区域71a及使可见光透过的区域72a以及上侧的显示面板的显示区域71b及驱动电路78b。
在图8中,位于显示面一侧(下侧)的显示面板包括与显示区域71a相邻的使可见光透过的区域72a。上侧的显示面板的显示区域71b与下侧的显示面板的使可见光透过的区域72a重叠。因此,可以缩小重叠的两个显示面板的显示区域之间的非显示区域,甚至可以消除该非显示区域。由此,可以实现使用者几乎没有看到显示面板的接缝的大型显示装置。
并且,显示区域71b也与下侧的显示面板所具有的发光元件110b的发光区域重叠。发光元件110b的发光有时向保护层105一侧发射,所以在下侧的显示面板中,有时在使用发光元件110a的显示和使用发光元件110b的显示之间产生亮度不均匀。因此,优选将显示区域71a所包括的发光元件110b与显示区域71b所包括的发光元件110a重叠而使用该发光元件110a进行显示。如图8所示,可以使用显示区域71a所包括的发光元件110b和显示区域71b所包括的发光元件110a的双方进行显示,也可以使发光元件110b处于非发光状态。另外,在显示区域71b所包括的公共电极113a反射发光元件110b的发光时,有时可以将发光元件110b的发光提取到显示面板的外部。
在此,各显示面板优选被输入以缓和两个显示面板的接缝中的图像的不连续性的方式校正的图像信号。由此,可以显示接缝不容易被看到且自然地显示的图像。
尤其是,优选使用人工智能(AI:Artificial Intelligence)校正图像信号。
人工智能是指以人类的智能为模型的计算机。例如,可以使用人工神经网络(ANN:Artificial Neural Network)校正图像信号。人工神经网络是以由神经元和突触构成的神经网为模型的电路,人工神经网络是人工智能的一种。
本实施方式的显示面板可以用于后面说明的显示系统(图15)的显示部。该显示系统包括信号生成部及显示部。信号生成部可以校正图像数据。本实施方式的显示面板可以通过使用上述被校正的图像数据显示图像显示接缝不容易被看到且自然地显示的图像。
另外,如图8所示,两个显示面板隔着透光层318彼此重叠。具体而言,在使可见光透过的区域72a与显示区域71b间设置有其折射率高于空气的使可见光透过的透光层318。由此,可以抑制空气侵入使可见光透过的区域72a与显示区域71b间而可以减少折射率的差异所导致的界面反射。并且,可以抑制显示装置中的显示不均匀或亮度不均匀。
透光层318可以重叠于下侧的显示面板的衬底371的表面的一部分或全部。另外,透光层318可以重叠于上侧的显示面板的衬底361的表面的一部分或全部。例如,透光层318也可以只重叠于使可见光透过的区域72a及显示区域71b。另外,透光层318也可以重叠于驱动电路78b。
接着,使用图9及图10说明与显示面板370A、370B、370C不同的本发明的一个方式的显示面板的具体例子。
图9A及图10A示出显示面板370D的截面图。图9B及图10B示出显示面板370E的截面图。图9A、图9B相当于沿着图5A所示的点划线C1-C2的截面图。图10A、图10B相当于沿着图5A所示的点划线C3-C4的截面图。
显示面板370D、370E与显示面板370A不同之处是在覆盖晶体管的绝缘层315与绝缘层314之间设置着色层且EL层112横跨配置在多个像素。关于与显示面板370A相同的部分,省略其说明。
虽然显示面板370A示出应用分别涂布方式的例子,但是也可以应用如显示面板370D、370E那样的滤色片方式。
包括在使可见光透过的区域72中的各层使可见光透过。在图6所示的显示面板370A中,使可见光透过的区域72包括衬底361、粘合层363、绝缘层365、绝缘层367、栅极绝缘层311、绝缘层312、绝缘层313、保护层105、粘合层317及衬底371的例子。在该叠层结构中,优选的是,以各界面的折射率之差小的方式选择各层的材料。通过缩小彼此接触的两个层的折射率,使用者不容易看到两个显示面板的接缝。
此外,如图10A所示的显示面板370D、图10B所示的显示面板370E那样,使可见光透过的区域72中的绝缘层的数量优选比显示区域71中的使可见光透过的区域72附近的部分少。
显示面板370D与显示面板370A不同之处在于使可见光透过的区域72不包括栅极绝缘层311、绝缘层312及绝缘层313。
显示面板370E与显示面板370A不同之处在于使可见光透过的区域72不包括绝缘层367、栅极绝缘层311、绝缘层312、绝缘层313及保护层105。
通过减少使可见光透过的区域72所包括的绝缘层的数量,可以减少折射率之差大的界面。由此,可以抑制使可见光透过的区域72中的外光反射。而且,可以提高使可见光透过的区域72的可见光的透过率。从而,可以减小配置在下侧的显示面板的显示中的通过使可见光透过的区域72被看到的部分和不通过该区域被看到的部分的亮度(明亮度)之差。因此,可以抑制显示装置的显示不均匀或亮度不均匀。
另外,显示面板370E具有显示区域71所包括的晶体管303的一部分使可见光透过的结构。具体而言,晶体管303所包括的源极和漏极中的一方(导电层203t)、两个栅电极及半导体层使可见光透过。
如此,通过作为包括在显示区域71的晶体管的至少一部分采用使可见光透过的结构,可以将晶体管的至少一部分与发光元件的发光区域重叠地配置,从而可以提高显示区域71的开口率。另外,通过包括在显示区域71的电容器等也采用使可见光透过的结构且与发光元件的发光区域重叠地配置,可以进一步提高显示区域71的开口率。
注意,晶体管303所包括的源极和漏极中的另一方(导电层203s)与像素电极111的接触部不设置有着色层。因此,在导电层203s使可见光透过时,有时发光元件110a的发光不透过着色层而泄漏到显示面板的外部。由此,作为导电层203s优选使用金属膜或合金膜等遮蔽可见光的导电膜。
另外,在显示区域71中,作为扫描线及信号线优选都使用金属膜或合金膜等遮蔽可见光的导电膜。在作为扫描线及信号线使用金属膜或合金膜等,可以降低扫描线及信号线的电阻值。作为驱动电路78的晶体管及布线等也使用金属膜或合金膜等。扫描线及信号线优选都通过与驱动电路78的晶体管301及布线等相同的工序形成。例如,导电层358可以被用作扫描线或信号线。例如,作为导电层358以及驱动电路78所包括的导电层201a及导电层203s优选都使用金属膜或合金膜等。
当形成栅极时,优选使用多灰度掩模(半色调掩模、灰色调掩模等)。当使用多灰度掩模时,可以在不增加掩模的个数的状态下在显示区域71中形成使可见光透过的栅极,并且在驱动电路78中形成电阻低的栅极及栅极布线。同样地,在形成导电层203s及导电层203t时,优选使用多灰度掩模(半色调掩模、灰色调掩模等)。注意,导电层203s也可以采用导电层203t(使可见光透过的导电膜)与金属膜或合金膜等的叠层结构。
作为对可见光具有透过性的半导体膜的材料,可以举出金属氧化物或氧化物半导体(Oxide Semiconductor)等。氧化物半导体优选至少包含铟。尤其优选包含铟及锌。除此之外,也可以还包含选自铝、镓、钇、铜、钒、铍、硼、硅、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁等中的一种或多种。
作为对可见光具有透过性的导电膜的材料优选包含选自铟、锌和锡中的一种或多种。具体而言,可以举出In氧化物、In-Sn氧化物(也称为ITO:Indium Tin Oxide)、In-Zn氧化物、In-W氧化物、In-W-Zn氧化物、In-Ti氧化物、In-Sn-Ti氧化物、In-Sn-Si氧化物、Zn氧化物、Ga-Zn氧化物等。
此外,晶体管所包括的导电膜的材料也可以使用通过使其含有杂质元素等而实现低电阻化的氧化物半导体形成。该实现低电阻化的氧化物半导体可以被称为氧化物导电体(OC:Oxide Conductor)。
例如,在氧化物半导体中形成氧缺陷且对该氧缺陷添加氢,由此氧化物导电体在导带附近形成施主能级。由于在氧化物半导体中形成施主能级,氧化物半导体具有高导电性,而被导电体化。
注意,氧化物半导体具有大能隙(例如,能隙为2.5eV以上),因此对可见光具有透光性。此外,如上所述,氧化物导电体是在导带附近具有施主能级的氧化物半导体。因此,氧化物导电体的起因于该施主能级的吸收的影响较小,而对可见光具有与氧化物半导体相同程度的透光性。
此外,氧化物导电体优选含有一种以上的包含在晶体管所包括的半导体膜中的金属元素。通过将含有相同的金属元素的氧化物半导体用于构成晶体管的层中的两层以上,可以在两个以上的工序中共同使用制造装置(例如,成膜装置、加工装置等),所以可以抑制制造成本。
[显示面板的具体例子3]
图11A示出显示面板DP2的俯视图。
图11A所示的显示面板DP2包括显示区域71、使可见光透过的区域72及遮蔽可见光的区域73。使可见光透过的区域72和遮蔽可见光的区域73都以与显示区域71相邻的方式设置。图11A示出显示面板DP2设置有FPC74的例子。
显示面板DP2的显示区域71设置有分隔壁118。分隔壁118沿着使可见光透过的区域72设置。在图11A中,使可见光透过的区域72沿着显示区域71的连续的两个边设置,所以分隔壁118也沿着该两个边设置。
显示面板DP2具有底部发射结构。图11A示出显示面板DP2的与显示面相反一侧的面。
图11B示出显示面板DP2中的包括显示区域71与使可见光透过的区域72的边界的部分的放大图。图11C、图11D是沿着图11B所示的点划线B1-B2的截面图。
图11C、图11D所示的显示面板包括衬底101、发光元件110、分隔壁118、绝缘层103及保护层105。
发光元件110包括像素电极111、EL层112及公共电极113a。像素电极111设置在衬底101上。EL层112设置在像素电极111上,公共电极113a设置在EL层112上。像素电极111具有使可见光透过的功能。公共电极113a具有反射可见光的功能。发光元件110向衬底101一侧发射光。
分隔壁118设置在绝缘层103上。分隔壁118的顶面的高度T2高于发光元件110的发光区域中的公共电极113a的顶面的高度T1。分隔壁118的宽度W2比两个发光元件110间的宽度W1小。在宽度W2比宽度W1大时,在重叠两个显示面板时像素间距错开而有时显示品质下降。分隔壁118优选在两个显示面板的接缝中以像素间距不错开的方式设置。
通过在形成公共电极113a时使金属掩模与分隔壁118接触,可以防止公共电极113a超出到使可见光透过的区域72。因此,可以以公共电极113a的端部位于分隔壁118的内侧的方式形成公共电极113a(参照图11B至图11D)。由于公共电极113a不延伸到使可见光透过的区域72而可以在所希望的区域形成,所以可以提高显示装置的显示品质。注意,如图11D所示,有时公共电极113a因蒸镀时的图案模糊等而接触于分隔壁118。
保护层105优选覆盖公共电极113a的端部且在公共电极113a的端部的外侧与绝缘层103接触。在图11C中示出保护层105延伸到使可见光透过的区域72的例子,在图11D中示出保护层105不设置在使可见光透过的区域72的例子。
[显示面板的具体例子4]
图12A示出显示面板370F的截面图。图12B示出显示面板370G的截面图。图12A、图12B相当于沿着图5A所示的点划线C3-C4的截面图。关于与显示面板370A相同的部分,省略其说明。
如图12A、图12B所示,显示面板370F、370G各自包括衬底361、粘合层363、绝缘层365、367、导电层358、绝缘层314、发光元件110、绝缘层104、保护层105、分隔壁118、粘合层317及衬底371等。
发光元件110包括像素电极111、EL层112及公共电极113a。像素电极111设置在绝缘层314上,EL层112设置在像素电极111上,公共电极113a设置在EL层112上。像素电极111具有使可见光透过的功能。公共电极113a具有反射可见光的功能。发光元件110向衬底361一侧发射光。
分隔壁118设置在绝缘层104上。分隔壁118的顶面的高度高于发光元件110的发光区域中的公共电极113a的顶面的高度。
通过在形成公共电极113a时使金属掩模与分隔壁118接触,可以防止公共电极113a超出到使可见光透过的区域72。因此,可以以公共电极113a的端部位于分隔壁118的内侧的方式形成公共电极113a(参照图12A及图12B)。由于公共电极113a不延伸到使可见光透过的区域72而可以在所希望的区域形成,所以可以提高显示装置的显示品质。
保护层105优选覆盖公共电极113a的端部且在公共电极113a的端部的外侧与绝缘层104接触。在图12A中示出保护层105延伸到使可见光透过的区域72的例子,在图12B中示出保护层105不设置在使可见光透过的区域72且保护层105的端部位于绝缘层104上的例子。
图13示出以彼此重叠的方式配置两个显示面板370F的例子。
图13示出下侧的显示面板的显示区域71a及使可见光透过的区域72a以及上侧的显示面板的显示区域71b及驱动电路78b。
在图13中,位于显示面一侧(下侧)的显示面板包括与显示区域71a相邻的使可见光透过的区域72a。上侧的显示面板的显示区域71b与下侧的显示面板的使可见光透过的区域72a重叠。因此,可以缩小重叠的两个显示面板的显示区域之间的非显示区域,甚至可以消除该非显示区域。由此,可以实现使用者几乎没有看到显示面板的接缝的大型显示装置。
[显示装置的具体例子]
接着,参照图14说明包括多个显示面板的显示装置。
图14A及图14B是将显示面板配置为2×2的矩阵状(在纵方向及横方向上分别配置两个显示面板)的例子。
图14A示出连接于一个显示面板的FPC74以延伸到该显示面板的外侧的方式设置的例子。
在图14B中,示出连接于一个显示面板的FPC74以重叠于该显示面板的显示区域71的方式设置的例子。本实施方式的显示面板可以在与显示面相反一侧的面连接有FPC。由此,可以实现显示装置的小型化、电子设备的小型化。例如,有时可以省略用来使FPC弯曲的空间。
四个显示面板以具有彼此重叠的区域的方式配置。具体而言,各显示面板以一个显示面板所具有的使可见光透过的区域72具有与其他显示面板所包括的显示区域71之上(显示面一侧)重叠的区域的方式配置。另外,在一个显示面板所具有的遮蔽可见光的区域(图14A、图14B中的引绕布线257、驱动电路78等)中,各显示面板以不重叠于其他显示面板的显示区域上的方式配置。
因此,可以将几乎没有接缝地配置有四个显示区域71的区域作为显示装置的显示区域而使用。
另外,为了减小两个相邻的显示面板间的台阶,优选显示面板的厚度较薄。例如,显示面板的厚度优选为1mm以下,更优选为300μm以下,进一步优选为100μm以下。
在显示面板内优选配置有扫描线驱动电路和信号线驱动电路的双方。当在显示面板的外部设置驱动电路时,包括驱动电路的印刷电路板、多个布线及端子等配置于显示面板的背面一侧(与显示面一侧相反一侧)。因此,显示装置整体的构件个数庞大,显示装置的重量会增加。在显示面板包括扫描线驱动电路和信号线驱动电路的双方时,可以缩减显示装置的构件个数,从而可以实现显示装置的轻量化。由此,可以提高显示装置的可携带性。
在此,根据显示图像的帧频率,扫描线驱动电路及信号线驱动电路被要求以高驱动频率进行工作。特别是,信号线驱动电路被要求以比扫描线驱动电路更高的驱动频率进行工作。因此,适用于信号线驱动电路的晶体管中的一部分有时被要求流过大电流的能力。另一方面,设置于显示区域的晶体管中的一部分有时被要求足以驱动显示元件的耐压性能。
于是,优选分别制造使驱动电路所包括的晶体管的结构和显示区域所包括的晶体管的结构。例如,将高耐压的晶体管应用于设置于显示区域的晶体管中的一个或多个,而将驱动频率高的晶体管应用于设置于驱动电路的晶体管中的一个或多个。
更具体而言,将其栅极绝缘层比适用于显示区域的晶体管薄的晶体管适用于信号线驱动电路的晶体管中的一个或多个。如此,通过分别制造两种晶体管,可以在设置有显示区域的衬底上制造信号线驱动电路。
此外,优选将其沟道长度比适用于显示区域的晶体管短的晶体管适用于信号线驱动电路的晶体管中的一个或多个。例如,构成信号线驱动电路的晶体管的沟道长度短于1.5μm,优选为1.2μm以下,更优选为1.0μm以下,进一步优选为0.9μm以下,更进一步优选为0.8μm以下,还进一步优选为0.6μm以下且为0.1μm以上。
另一方面,设置于显示区域的各晶体管的沟道长度优选比构成信号线驱动电路的晶体管中的沟道长度最短的晶体管的沟道长度长。例如,设置于显示区域的晶体管的沟道长度为1μm以上,优选为1.2μm以上,更优选为1.4μm以上,且为20μm以下,优选为15μm以下,更优选为10μm以下。
此外,在适用于扫描线驱动电路、信号线驱动电路及显示区域的各晶体管中,优选将金属氧化物应用于形成沟道的半导体。由此,例如可以将在应用非晶硅的显示面板中很难实现的信号线驱动电路安装在显示面板中。另外,因为与应用多晶硅等的情况相比,特性不均匀较小且较容易实现大面积化,所以可以以低成本及高成品率制造显示面板。
例如,优选将下述晶体管210a用作显示区域的晶体管,而将晶体管210b用作驱动电路的晶体管(参照图17A1、图17A2)。
注意,在本说明书等中,晶体管的沟道长度方向是指与以最短距离连接源极和漏极的直线平行的方向中的一个。也就是说,沟道长度方向相当于在晶体管处于开启状态时流过半导体层中的电流的方向。此外,沟道宽度方向是指与该沟道长度方向正交的方向。另外,根据晶体管的结构及形状,沟道长度方向及沟道宽度方向有时不限于一个值。
此外,在本说明书等中,晶体管的沟道长度例如是指:在晶体管的俯视图或截面图中,半导体层和栅电极的重叠区域的沟道长度方向上的长度。另外,晶体管的沟道宽度是指该区域的沟道宽度方向上的长度。
此外,根据晶体管的结构及形状,沟道长度及沟道宽度有时不限于一个值。因此,在本说明书等中,沟道长度及沟道宽度可以为其最大值、最小值、平均值或最大值和最小值之间的任意值。典型地使用沟道长度的最小值及沟道宽度的最小值。
此外,根据晶体管的结构,晶体管有时包括夹着半导体层的一对栅电极(第一栅电极、第二栅电极)。此时,晶体管的沟道长度及沟道宽度对应于各栅电极而分别定义为两个。因此,在本说明书等中简单地表示为沟道长度的情况下,其是指两个沟道长度中的较长的一方和较短的一方中的任一个、两个或它们的平均值。同样地,在本说明书等中简单地表示为沟道宽度的情况下,其是指两个沟道宽度中的较长的一方和较短的一方中的任一个、两个或它们的平均值。
[显示系统的结构例子]
图15示出显示系统10的方框图。
显示系统10具有利用从外部接收的数据生成图像数据的功能以及根据该图像数据显示图像的功能。
显示系统10包括显示部20及信号生成部30。显示部20包括多个显示面板DP。显示面板DP可以使用本实施方式所说明的显示面板的结构。信号生成部30具有利用从外部收到的数据生成图像数据的功能。显示面板DP具有根据该图像数据显示图像的功能。
图15示出显示部20包括配置为x行y列(x、y都是1以上的整数)的矩阵状的多个显示面板DP的例子。显示面板DP的显示可以分别独立地控制。
信号生成部30包括前端部31、译码器32、第一处理部33、接收部34、接口35、控制部36、第二处理部40及分割部45。
前端部31具有接收从外部输入的信号而适当地进行信号处理的功能。例如,以指定的方式编码而调制的广播信号等输入到前端部31。前端部31可以具有对收到的图像信号进行解调、进行模拟-数字变换等的功能。另外,前端部31可以具有进行错误纠正的功能。被前端部31接收并进行信号处理的数据输出到译码器32。
译码器32具有解密被编码的信号的功能。当输入到前端部31的广播信号所包括的图像数据被压缩时,利用译码器32对信号进行解压缩。例如,译码器32可以具有进行熵解码、逆量子化、逆离散余弦变换(IDCT)或逆离散正弦变换(IDST)等逆正交变换、帧内预测、帧间预测等的功能。
作为8K广播的编码标准采用H.265/MPEG-H High Efficiency Video Coding(以下也称为HEVC)。在对前端部31输入到的广播信号所包括的图像数据根据HEVC被编码时,通过译码器32进行根据HEVC的解密(译码)。通过译码器32的解密处理生成的图像数据被输出到第一处理部33。
第一处理部33具有对从译码器32输入的图像数据进行图像处理而生成第一图像数据SD1,并将第一图像数据SD1输出到第二处理部40的功能。
作为图像处理,例如可以举出噪声去除处理、灰度转换处理、色调校正处理、亮度校正处理等。色调校正处理或亮度校正处理可以使用伽马校正等进行。此外,第一处理部33也可以具有执行如下处理的功能:伴随分辨率的上变频(up-conversion)的像素间补充处理;以及伴随帧频率的上变频的帧间补充处理等。
作为噪声去除处理,可以举出如下处理:去除各种噪声诸如产生在文字等的轮廓附近的蚊状噪声、产生在高速的动态图像中的块状噪声、产生闪烁的随机噪声、分辨率的上变频所引起的点状噪声等。
灰度转换处理是指将第一图像数据SD1的灰度转换为对应于显示部20的输出特性的灰度的处理。例如,在灰度数增大时,通过对以较小的灰度数输入的图像数据补充且分配对应于各像素的灰度值,可以进行使直方图平滑化的处理。此外,扩大动态范围的高动态范围(HDR)处理也包括在灰度转换处理中。
色调校正处理是指校正图像的色调的处理。此外,亮度校正处理是指校正图像的亮度(亮度对比)的处理。例如,根据设置有显示部20的空间的照明的种类、亮度或色纯度将显示在显示部20上的图像的亮度或色调校正为最适合的亮度或色调。
像素间补充处理是在使分辨率上变频时补充本来不存在的数据的处理。例如,作为重新插补的像素的颜色的数据(例如,对应于红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各颜色的灰度),参照该像素附近的像素的颜色的数据,将数据插补为该像素附近的像素的颜色的中间颜色的数据。
在帧间补充处理中,当增大显示的影像的帧频率时,生成本来不存在的帧(补充帧)的图像。例如,利用某两个图像的差异生成插入在两个图像之间的补充帧的图像。或者,也可以在两个图像之间生成多个补充帧的图像。例如,当图像数据的帧频率为60Hz时,通过生成多个补充帧,可以将输出到显示部20的图像信号的帧频率增大为两倍的120Hz、四倍的240Hz或八倍的480Hz等。
上述图像处理也可以使用独立于第一处理部33的图像处理部进行。另外,上述图像处理中的一个或多个通过第二处理部40进行。
接收部34具有接收从外部输入的数据或控制信号的功能。可以利用运算处理装置50、遥控器、便携式信息终端(智能手机、平板终端等)、显示部20中设置的操作按钮、触摸面板等对接收部34输入数据或控制信号。
另外,运算处理装置50可以将在第二处理部40中使用的权系数等供应到显示系统10。作为运算处理装置50可以举出具有优良的运算处理能力的计算机,诸如电脑、服务器、云服务器等。运算处理装置50经过接收部34将通过学习而得到的权系数供应给第二处理部40。
接口35对接收部34所收到的数据或控制信号适当地进行信号处理而将该数据或信号输出到控制部36的功能。
控制部36具有对信号生成部30所包括的各电路供应控制信号的功能。例如,控制部36具有对译码器32、第一处理部33以及第二处理部40供应控制信号的功能。利用控制部36的控制可以根据接收部34所接收的控制信号等进行。
第二处理部40具有校正从第一处理部33输入的第一图像数据SD1而生成第二图像数据SD2的功能。由第二处理部40生成的第二图像数据SD2被输出到显示部20所包括的信号线驱动电路。
例如,第二处理部40具有以不容易被看到显示部20的显示不均匀的方式校正第一图像数据SD1的功能。例如,如下原因导致显示不均匀:显示面板DP所包括的晶体管的特性或电容器的尺寸不同;信号线的寄生电阻或寄生电容的影响;信号线驱动电路的驱动能力的面内不均匀;以及显示元件的特性的面内不均匀等。在此情况下,也可以通过由第二处理部40生成第二图像数据SD2显示不容易被看到不均匀的图像。
另外,第二处理部40具有以补偿两个显示面板DP间的边界中的图像不连续性的方式校正第一图像数据SD1的功能。通过由第二处理部40生成第二图像数据SD2,可以显示不容易被看到接缝的图像。
分割部45具有将从第二处理部40输入的第二图像数据SD2分割的功能。第二图像数据SD2被分割为设置在显示部20中的显示面板DP的数量相同的数量。在图15中,第二图像数据SD2被分割为x×y个(第二图像数据SD2[1,1]至SD2[x,y])而输出到显示部20。第二图像数据SD2[p,q](p是1以上且x以下的整数,q是1以上且y以下的整数)分别是对应于显示在显示面板DP[p,q]上的图像的图像数据。分割部45从控制部36被供应控制信号。
对显示面板DP输入从信号生成部30供应的图像信号。
如图16A所示,在显示部20中存在有显示面板DP相邻的区域,即显示面板DP的接缝区域(图中的区域S)。在使用多个显示面板DP显示图像时,优选确保区域S中的图像的连续性。
但是,像素所包括的晶体管的特性或电容器的尺寸、信号线的寄生电阻或寄生电容以及信号线驱动电路的驱动能力等根据显示面板DP不同。由此,对各显示面板DP供应图像信号时,各显示面板DP在所显示的图像中发生误差,因此在接缝区域中图像会不连续。另外,一个显示面板DP的显示区域71包括与使其他显示面板DP的可见光透过的区域72重叠的区域时,在接缝区域中显示在显示区域71上的图像通过使可见光透过的区域72被看到,所以发生灰度的误差。由此,在将由第一处理部33生成的第一图像数据SD1直接分割的数据(第一图像数据SD1[1,1]至SD1[x,y])供应到各显示面板DP时,如图16B1所示,在区域S中会看到不连续的图像。
在此,根据本发明的一个方式的显示系统包括能够利用人工智能校正图像信号的第二处理部40。具体而言,第二处理部40可以以缓和两个显示面板DP间的接缝中的图像的不连续性的方式校正图像信号。由此,在使用多个显示面板DP构成显示部20时可以在显示面板DP中接缝不容易被看到图像畸变而提高图像的品质。
图15所示的第二处理部40具有校正从第一处理部33输入的图像信号的功能。具体而言,第二处理部40以在两个显示面板DP的边界中显示连续的图像,即补偿接缝中的图像不连续性的方式校正第一图像数据SD1的功能。
第一图像数据SD1的校正由第二处理部40进行。第二处理部40进行学习以适当地校正图像信号,以便缓和接缝区域中的图像的不连续性。在对第二处理部40供应第一图像数据SD1时,第二处理部40进行推论而输出第二图像数据SD2。然后,通过由分割部45将第二处理部40所生成的第二图像数据SD2分割为x×y个而对显示面板DP[p,q]供应第二图像数据SD2[p,q],显示如图16B2所示那样的接缝不容易被看到的图像。
具体而言,可以进行将接缝区域比其他区域亮的处理。由此,可以在多个显示面板DP上实现接缝不容易被看到且自然地显示的图像。另外,可以同时校正显示不均匀,所以可以进一步提高显示部的显示品质。
[晶体管的结构例子]
接着,对可以用于显示面板或显示装置的晶体管进行说明。
对显示面板或显示装置所包括的晶体管结构没有特别的限制。例如,可以采用平面型晶体管、交错型晶体管或反交错型晶体管。此外,晶体管都可以具有顶栅结构或底栅结构。或者,也可以在沟道的上下设置有栅电极。
图17示出晶体管的结构例子。各晶体管设置在绝缘层141和绝缘层208之间。绝缘层141优选被用作基底膜。绝缘层208优选被用作平坦化膜。
图17A1及图17A2所示的晶体管210a和210b都是在半导体层中包括金属氧化物的顶栅结构的晶体管。金属氧化物可以被用作氧化物半导体。
作为晶体管的半导体,优选使用氧化物半导体。通过使用带隙比硅宽且载流子密度比硅小的半导体材料,可以降低晶体管的关态电流,所以是优选的。
晶体管210a、210b包括导电层201、绝缘层202、导电层203a、导电层203b、半导体层、导电层205及绝缘层207。晶体管210a还包括绝缘层206a,晶体管210b还包括绝缘层206b。导电层201被用作栅极。导电层205被用作背栅极。绝缘层202、绝缘层206a及绝缘层206b被用作栅极绝缘层。半导体层包括沟道形成区域204a及一对低电阻区域204b。沟道形成区域204a隔着绝缘层206a或绝缘层206b与导电层205重叠。沟道形成区域204a隔着绝缘层202与导电层201重叠。导电层203a通过设置于绝缘层207的开口与一对低电阻区域204b中的一方电连接。同样地,导电层203b与一对低电阻区域204b中的另一方电连接。可以将各种无机绝缘膜用于绝缘层202、绝缘层206a、绝缘层206b及绝缘层207。特别是,作为包括在绝缘层202、绝缘层206a及绝缘层206b中的与沟道形成区域204a接触的绝缘膜,优选使用氧化物绝缘膜,而作为绝缘层207,优选使用氮化物绝缘膜。
晶体管210b中的用作栅极绝缘层的绝缘层206b的厚度比晶体管210a中的用作栅极绝缘层的绝缘层206a的厚度薄。此外,晶体管210b的沟道长度Lb比晶体管210a的沟道长度La短。由此可知,晶体管210b可以实现比晶体管210a高的驱动频率,而晶体管210a可以实现比晶体管210b高的耐压性。因此,优选的是,在显示面板中,作为显示区域的晶体管使用晶体管210a,而作为驱动电路的晶体管使用晶体管210b。
另外,也可以只使用晶体管210a和210b中的一方制造显示面板。此外,也可以组合晶体管210a和210b中的一方和其他晶体管制造显示面板。
晶体管210a、210b应用由两个栅极夹有形成沟道的半导体层的结构。优选通过连接两个栅极连接并对它们供应同一信号来驱动晶体管。这种晶体管可以实现比其他晶体管高的场效应迁移率,从而可以增大开启电流。其结果是,可以制造能够进行高速驱动的电路。再者,还可以缩小电路部的占有面积。通过应用开启电流大的晶体管,在使显示面板或显示面板大型化或高清晰化时即便布线数量增加也能够降低各布线的信号延迟,从而能够抑制显示不均匀。或者,通过对两个栅极中的一方施加用来控制阈值电压的电位,对另一方施加用来进行驱动的电位,可以控制晶体管的阈值电压。
用作半导体层的金属氧化物膜可以使用惰性气体和氧气体中的任一方或双方沉积形成。注意,对沉积形成金属氧化物膜时的氧流量比(氧分压)没有特别的限制。但是,在要获得场效应迁移率高的晶体管的情况下,沉积形成金属氧化物膜时的氧流量比(氧分压)优选为0%以上且30%以下,更优选为5%以上且30%以下,进一步优选为7%以上且15%以下。
金属氧化物优选至少包含铟或锌。尤其优选包含铟及锌。关于金属氧化物,在实施方式3中进行详细说明。
金属氧化物的能隙优选为2eV以上,更优选为2.5eV以上,进一步优选为3eV以上。如此,通过使用能隙宽的金属氧化物,可以减少晶体管的关态电流。
金属氧化物膜可以通过溅射法形成。除此之外,还可以利用PLD法、PECVD法、热CVD法、ALD法、真空蒸镀法等。
图17B所示的晶体管220是在半导体层204中包括金属氧化物的底栅结构的晶体管。
晶体管220包括导电层201、绝缘层202、导电层203a、导电层203b及半导体层204。导电层201被用作栅极。绝缘层202被用作栅极绝缘层。半导体层204隔着绝缘层202与导电层201重叠。导电层203a和导电层203b都与半导体层204电连接。晶体管220优选被绝缘层211及绝缘层212覆盖。作为绝缘层211及绝缘层212可以使用各种无机绝缘膜。特别是,作为绝缘层211,优选使用氧化物绝缘膜,而作为绝缘层212,优选使用氮化物绝缘膜。
图17C所示的晶体管230是在半导体层中包括低温多晶硅(LTPS(Low TemperaturePoly-Silicon))的顶栅结构的晶体管。
晶体管230包括导电层201、绝缘层202、导电层203a、导电层203b、半导体层及绝缘层213。导电层201被用作栅极。绝缘层202被用作栅极绝缘层。半导体层包括沟道形成区域214a及一对低电阻区域214b。半导体层也可以包括LDD(Lightly Doped Drain)区域。图17C示出在沟道形成区域214a和低电阻区域214b之间包括LDD区域214c的例子。沟道形成区域214a隔着绝缘层202与导电层201重叠。导电层203a通过设置于绝缘层202及绝缘层213的开口与一对低电阻区域214b中的一方电连接。同样地,导电层203b与一对低电阻区域214b中的另一方电连接。作为绝缘层213,可以使用各种无机绝缘膜。特别是,作为绝缘层213,优选使用氮化物绝缘膜。
图17D所示的晶体管240是在半导体层224中包括氢化非晶硅的底栅结构的晶体管。
晶体管240包括导电层201、绝缘层202、导电层203a、导电层203b、杂质半导体层225及半导体层224。导电层201被用作栅极。绝缘层202被用作栅极绝缘层。半导体层224隔着绝缘层202与导电层201重叠。导电层203a和导电层203b都经过杂质半导体层225与半导体层224电连接。晶体管240优选被绝缘层226覆盖。作为绝缘层226,可以使用各种无机绝缘膜。特别是,作为绝缘层226,优选使用氮化物绝缘膜。
如此,在本实施方式的显示面板中,采用在形成公共电极时因金属掩模的弯曲而可见光的透过性低的导电膜不容易形成在使可见光透过的区域的结构。因此,可以使用本实施方式的显示面板提供不容易被看到两个显示面板的接缝且显示品质高的显示装置。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。此外,在本说明书中,在一个实施方式示出多个结构例子的情况下,可以适当地组合该结构例子。
(实施方式2)
在本实施方式中,对可用于在本发明的一个方式中公开的晶体管的金属氧化物进行说明。以下,特别是对金属氧化物和CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS的详细内容进行说明。
CAC-OS或CAC-metal oxide在材料的一部分中具有导电性的功能,在材料的另一部分中具有绝缘性的功能,作为材料的整体具有半导体的功能。此外,在将CAC-OS或CAC-metal oxide用于晶体管的沟道形成区域的情况下,导电性的功能是使被用作载流子的电子(或空穴)流过的功能,绝缘性的功能是不使被用作载流子的电子流过的功能。通过导电性的功能和绝缘性的功能的互补作用,可以使CAC-OS或CAC-metal oxide具有开关功能(开启/关闭的功能)。通过在CAC-OS或CAC-metal oxide中使各功能分离,可以最大限度地提高各功能。
此外,CAC-OS或CAC-metal oxide包括导电性区域及绝缘性区域。导电性区域具有上述导电性的功能,绝缘性区域具有上述绝缘性的功能。此外,在材料中,导电性区域和绝缘性区域有时以纳米粒子级分离。另外,导电性区域和绝缘性区域有时在材料中不均匀地分布。此外,有时导电性区域被观察为其边缘模糊且以云状连接。
在CAC-OS或CAC-metal oxide中,有时导电性区域及绝缘性区域分别分散在材料以0.5nm以上且10nm以下,优选为0.5nm以上且3nm以下的尺寸分散在材料中。
此外,CAC-OS或CAC-metal oxide由具有不同带隙的成分构成。例如,CAC-OS或CAC-metal oxide由具有起因于绝缘性区域的宽隙的成分及具有起因于导电性区域的窄隙的成分构成。在该结构中,当使载流子流过时,载流子主要在具有窄隙的成分中流过。此外,具有窄隙的成分与具有宽隙的成分互补作用,与具有窄隙的成分联动地在具有宽隙的成分中载流子流过。因此,在将上述CAC-OS或CAC-metal oxide用于晶体管的沟道形成区域时,在晶体管的导通状态中可以得到高电流驱动力,即大通态电流及高场效应迁移率。
就是说,也可以将CAC-OS或CAC-metal oxide称为基质复合材料(matrixcomposite)或金属基质复合材料(metal matrix composite)。
CAC-OS例如是指包含在金属氧化物中的元素不均匀地分布的构成,其中包含不均匀地分布的元素的材料的尺寸为0.5nm以上且10nm以下,优选为1nm以上且2nm以下或近似的尺寸。注意,在下面也将在金属氧化物中一个或多个金属元素不均匀地分布且包含该金属元素的区域混合的状态称为马赛克(mosaic)状或补丁(patch)状,该区域的尺寸为0.5nm以上且10nm以下,优选为1nm以上且2nm以下或近似的尺寸。
金属氧化物优选至少包含铟。尤其是,优选包含铟及锌。除此之外,也可以还包含选自铝、镓、钇、铜、钒、铍、硼、硅、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁等中的一种或多种。
例如,In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中,尤其可以将In-Ga-Zn氧化物称为CAC-IGZO)是指材料分成铟氧化物(以下,称为InOX1(X1为大于0的实数))或铟锌氧化物(以下,称为InX2ZnY2OZ2(X2、Y2及Z2为大于0的实数))以及镓氧化物(以下,称为GaOX3(X3为大于0的实数))或镓锌氧化物(以下,称为GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4及Z4为大于0的实数))等而成为马赛克状,且马赛克状的InOX1或InX2ZnY2OZ2均匀地分布在膜中的构成(以下,也称为云状)。
换言之,CAC-OS是具有以GaOX3为主要成分的区域和以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域混在一起的构成的复合金属氧化物。在本说明书中,例如,当第一区域的In与元素M的原子个数比大于第二区域的In与元素M的原子个数比时,第一区域的In浓度高于第二区域。
注意,IGZO是通称,有时是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作为典型例子,可以举出以InGaO3(ZnO)m1(m1为自然数)或In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1≤x0≤1,m0为任意数)表示的结晶性化合物。
上述结晶性化合物具有单晶结构、多晶结构或CAAC(c-axis aligned crystal)结构。CAAC结构是多个IGZO的纳米晶具有c轴取向性且在a-b面上以不取向的方式连接的结晶结构。
另一方面,CAC-OS与金属氧化物的材料构成有关。CAC-OS是指如下构成:在包含In、Ga、Zn及O的材料构成中,一部分中观察到以Ga为主要成分的纳米粒子状区域以及一部分中观察到以In为主要成分的纳米粒子状区域分别以马赛克状无规律地分散。因此,在CAC-OS中,结晶结构是次要因素。
CAC-OS不包含组成不同的两种以上的膜的叠层结构。例如,不包含由以In为主要成分的膜与以Ga为主要成分的膜的两层构成的结构。
注意,有时观察不到以GaOX3为主要成分的区域与以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域之间的明确的边界。
在CAC-OS中包含选自铝、钇、铜、钒、铍、硼、硅、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁等中的一种或多种以代替镓的情况下,CAC-OS是指如下构成:一部分中观察到以该元素为主要成分的纳米粒子状区域以及一部分中观察到以In为主要成分的纳米粒子状区域以马赛克状无规律地分散。
CAC-OS例如可以通过在对衬底不进行意图性的加热的条件下利用溅射法来形成。在利用溅射法形成CAC-OS的情况下,作为成膜气体,可以使用选自惰性气体(典型的是氩)、氧气体和氮气体中的一种或多种。另外,成膜时的成膜气体的总流量中的氧气体的流量比越低越好,例如,将氧气体的流量比设定为0%以上且低于30%,优选为0%以上且10%以下。
CAC-OS具有如下特征:通过根据X射线衍射(XRD:X-ray diffraction)测量法之一的Out-of-plane法利用θ/2θ扫描进行测量时,观察不到明确的峰值。也就是说,根据X射线衍射,可知在测量区域中没有a-b面方向及c轴方向上的取向。
另外,在通过照射束径为1nm的电子束(也称为纳米束)而取得的CAC-OS的电子衍射图案中,观察到环状的亮度高的区域以及在该环状区域内的多个亮点。由此,根据电子衍射图案,可知CAC-OS的结晶结构具有在平面方向及截面方向上没有取向的nc(nano-crystal)结构。
另外,例如在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中,根据通过能量分散型X射线分析法(EDX:Energy Dispersive X-ray spectroscopy)取得的EDX面分析图像(EDX-mapping),可确认到:具有以GaOX3为主要成分的区域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域不均匀地分布而混合的构成。
CAC-OS的结构与金属元素均匀地分布的IGZO化合物不同,具有与IGZO化合物不同的性质。换言之,CAC-OS具有以GaOX3等为主要成分的区域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域互相分离且以各元素为主要成分的区域为马赛克状的构成。
在此,以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域的导电性高于以GaOX3等为主要成分的区域。换言之,当载流子流过以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域时,呈现氧化物半导体的导电性。因此,当以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域在氧化物半导体中以云状分布时,可以实现高场效应迁移率(μ)。
另一方面,以GaOX3等为主要成分的区域的绝缘性高于以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域。换言之,当以GaOX3等为主要成分的区域在氧化物半导体中分布时,可以抑制泄漏电流而实现良好的开关工作。
因此,当将CAC-OS用于半导体元件时,通过起因于GaOX3等的绝缘性及起因于InX2ZnY2OZ2或InOX1的导电性的互补作用可以实现高通态电流(Ion)及高场效应迁移率(μ)。
另外,使用CAC-OS的半导体元件具有高可靠性。因此,CAC-OS适合于显示器等各种半导体装置。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
(实施方式3)
在本实施方式中,参照图18说明本发明的一个方式的电子设备。
本实施方式的电子设备包括本发明的一个方式的显示装置。由此,电子设备的显示部可以显示高品质的图像。
在本实施方式的电子设备的显示部上例如可以显示具有全高清、2K、4K、8K、16K或更高的分辨率的图像。另外,显示部的屏幕尺寸可以为对角线20英寸以上、30英寸以上、50英寸以上、60英寸以上或70英寸以上。
作为电子设备,例如除了电视装置、台式或笔记本型个人计算机、用于计算机等的显示器、数字标牌(Digital Signage)、弹珠机等大型游戏机等具有较大的屏幕的电子设备以外,还可以举出数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置等。
本发明的一个方式的电子设备也可以包括天线。通过由天线接收信号,可以在显示部上显示图像或信息等。另外,在电子设备包括天线及二次电池时,可以将天线用于非接触电力传送。
本发明的一个方式的电子设备也可以包括传感器(该传感器具有测量如下因素的功能:力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)。
本发明的一个方式的电子设备可以具有各种功能。例如,可以具有如下功能:将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部上的功能;触摸面板的功能;显示日历、日期或时间等的功能;执行各种软件(程序)的功能;进行无线通信的功能;读出储存在存储介质中的程序或数据的功能;等。
图18A示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中,外壳7101中组装有显示部7000。在此示出利用支架7103支撑外壳7101的结构。
可以对显示部7000适用本发明的一个方式的显示装置。
可以通过利用外壳7101所具备的操作开关或另外提供的遥控操作机7111进行图18A所示的电视装置7100的操作。另外,也可以在显示部7000中具备触摸传感器,通过用手指等触摸显示部7000可以进行电视装置7100的操作。另外,也可以在遥控操作机7111中具备显示从该遥控操作机7111输出的数据的显示部。通过利用遥控操作机7111所具备的操作键或触摸面板,可以进行频道及音量的操作,并可以对显示在显示部7000上的图像进行操作。
另外,电视装置7100采用具备接收机及调制解调器等的结构。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者,通过调制解调器将电视装置7100连接到有线或无线方式的通信网络,从而进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
图18B示出笔记型个人计算机的一个例子。笔记型个人计算机7200包括外壳7211、键盘7212、指向装置7213、外部连接端口7214等。在外壳7211中组装有显示部7000。
可以对显示部7000适用本发明的一个方式的显示装置。
图18C、图18D示出数字标牌的一个例子。
图18C所示的数字标牌7300包括外壳7301、显示部7000及扬声器7303等。另外,还可以包括LED灯、操作键(包括电源开关或操作开关)、连接端子、各种传感器以及麦克风等。
图18D示出设置于圆柱状柱子7401上的数字标牌7400。数字标牌7400包括沿着柱子7401的曲面设置的显示部7000。
在图18C和图18D中,可以对显示部7000适用本发明的一个方式的显示装置。
显示部7000越大,显示装置一次能够提供的信息量越多。显示部7000越大,越容易吸引人的注意,例如可以提高广告宣传效果。
通过将触摸面板用于显示部7000,不仅可以在显示部7000上显示静态图像或动态图像,使用者还能够直觉性地进行操作,所以是优选的。另外,在用于提供线路信息或交通信息等信息的用途时,可以通过直觉性的操作提高易用性。
如图18C和图18D所示,数字标牌7300或数字标牌7400优选通过无线通信可以与使用者所携带的智能手机等信息终端设备7311或信息终端设备7411联动。例如,显示在显示部7000上的广告的信息可以显示在信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕。此外,通过操作信息终端设备7311或信息终端设备7411,可以切换显示部7000的显示。
此外,可以在数字标牌7300或数字标牌7400上以信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕为操作单元(控制器)执行游戏。由此,不特定多个使用者可以同时参加游戏,享受游戏的乐趣。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
[符号说明]
DP1:显示面板、DP2:显示面板、10:表示系统、20:显示部、30:信号生成部、31:前端部、32:译码器、33:第一处理部、34:接收部、35:接口、36:控制部、40:第二处理部、45:分割部、50:运算处理装置、71:显示区域、71a:显示区域、71b:显示区域、72:使可见光透过的区域、72a:使可见光透过的区域、73:遮蔽可见光的区域、74:FPC、78:驱动电路、78b:驱动电路、101:衬底、103:绝缘层、104:绝缘层、105:保护层、110:发光元件、110a:发光元件、110b:发光元件、110b1:部分、110b2:部分、111:像素电极、112:EL层、113a:公共电极、113b:公共电极、114:光学调整层、118:分隔壁、123:区域、124:区域、131A:着色层、131B:着色层、141:绝缘层、201:导电层、201a:导电层、202:绝缘层、203a:导电层、203b:导电层、203s:导电层、203t:导电层、204:半导体层、204a:沟道形成区域、204b:低电阻区域、205:导电层、206a:绝缘层、206b:绝缘层、207:绝缘层、208:绝缘层、210a:晶体管、210b:晶体管、211:绝缘层、212:绝缘层、213:绝缘层、214a:沟道形成区域、214b:低电阻区域、214c:LDD区域、220:晶体管、224:半导体层、225:杂质半导体层、226:绝缘层、230:晶体管、240:晶体管、257:布线、301:晶体管、303:晶体管、306:连接部、307:导电层、308:开口、311:栅极绝缘层、312:绝缘层、313:绝缘层、314:绝缘层、315:绝缘层、317:粘合层、318:透光层、319:连接体、355:导电层、358:导电层、361:衬底、363:粘合层、365:绝缘层、367:绝缘层、370A:显示面板、370B:显示面板、370C:显示面板、370D:显示面板、370E:显示面板、370F:显示面板、370G:显示面板、371:衬底、387:区域、7000:显示部、7100:电视装置、7101:外壳、7103:支架、7111:遥控操作机、7200:笔记型个人计算机、7211:外壳、7212:键盘、7213:指向装置、7214:外部连接端口、7300:数字标牌、7301:外壳、7303:扬声器、7311:信息终端设备、7400:数字标牌、7401:柱子、7411:信息终端设备。

Claims (9)

1.一种显示面板,包括:
显示区域;以及
使可见光透过的区域,
其中,所述显示区域相邻于所述使可见光透过的区域,
所述显示区域包括第一发光元件及第二发光元件,
所述第一发光元件包括第一像素电极及第一公共电极,
所述第二发光元件包括第二像素电极及第二公共电极,
所述第一公共电极具有与所述第一像素电极重叠的第一部分,
所述第二公共电极具有与所述第二像素电极重叠的第二部分,
所述第二公共电极具有与所述第一公共电极接触的第三部分,
所述第一公共电极具有反射可见光的功能,
所述第一像素电极、所述第二像素电极及所述第二公共电极都具有使可见光透过的功能,
并且,所述第二发光元件比所述第一发光元件更靠近所述使可见光透过的区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板,
其中所述第二公共电极具有第四部分,
并且所述第四部分是与第二像素电极重叠且与所述第一公共电极接触的部分。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,
其中所述第二公共电极延伸到所述使可见光透过的区域。
4.根据权利要求1所述的显示面板,
其中所述显示面板在所述第一发光元件上及所述第二发光元件上包括保护层。
5.一种显示装置,包括:
第一显示面板;以及
第二显示面板,
其中,所述第一显示面板具有第一显示区域及使可见光透过的区域,
所述第二显示面板具有第二显示区域,
所述第一显示区域相邻于所述使可见光透过的区域,
所述第一显示区域包括第一发光元件及第二发光元件,
所述第一发光元件包括第一像素电极及第一公共电极,
所述第二发光元件包括第二像素电极及第二公共电极,
所述第一公共电极具有与所述第一像素电极重叠的第一部分,
所述第二公共电极具有与所述第二像素电极重叠的第二部分,
所述第二公共电极具有与所述第一公共电极接触的第三部分,
所述第一公共电极具有反射可见光的功能,
所述第一像素电极、所述第二像素电极及所述第二公共电极都具有使可见光透过的功能,
所述第二发光元件比所述第一发光元件更靠近所述使可见光透过的区域,
并且,所述第二显示区域具有与所述第二发光元件重叠的部分及所述使可见光透过的区域。
6.根据权利要求5所述的显示装置,
其中所述第二公共电极具有第四部分,
并且所述第四部分是与所述第二像素电极重叠且与所述第一公共电极接触的部分。
7.根据权利要求5所述的显示装置,
其中所述第二公共电极延伸到所述使可见光透过的区域。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中在所述第一发光元件上及所述第二发光元件上包括保护层。
9.根据权利要求5所述的显示装置,
其中所述第二显示区域包括第三发光元件及第四发光元件,
所述第三发光元件穿过所述第二发光元件发射光,
并且所述第四发光元件穿过所述使可见光透过的区域发射光。
CN201880053292.1A 2017-08-25 2018-08-09 显示面板及显示装置 Active CN111033602B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210185945.XA CN114497170A (zh) 2017-08-25 2018-08-09 显示面板及显示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017162045 2017-08-25
JP2017-162045 2017-08-25
PCT/IB2018/055989 WO2019038619A1 (ja) 2017-08-25 2018-08-09 表示パネル及び表示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210185945.XA Division CN114497170A (zh) 2017-08-25 2018-08-09 显示面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111033602A CN111033602A (zh) 2020-04-17
CN111033602B true CN111033602B (zh) 2022-03-22

Family

ID=65438441

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210185945.XA Pending CN114497170A (zh) 2017-08-25 2018-08-09 显示面板及显示装置
CN201880053292.1A Active CN111033602B (zh) 2017-08-25 2018-08-09 显示面板及显示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210185945.XA Pending CN114497170A (zh) 2017-08-25 2018-08-09 显示面板及显示装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11302898B2 (zh)
JP (2) JP7114601B2 (zh)
KR (1) KR20200046035A (zh)
CN (2) CN114497170A (zh)
DE (1) DE112018004715T5 (zh)
WO (1) WO2019038619A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11158836B2 (en) * 2019-03-19 2021-10-26 Innolux Corporation Light emitting device
US11355564B2 (en) * 2019-12-04 2022-06-07 Arolltech Co., Ltd. AMOLED and micro-OLED for augmented reality and autostereoscopic 3D displays
JPWO2022162491A1 (zh) * 2021-01-28 2022-08-04
US20240090253A1 (en) * 2021-01-28 2024-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20240000526A (ko) * 2021-04-23 2024-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 모듈, 전자 기기, 및 표시 장치의 제작 방법
KR20230069535A (ko) * 2021-11-12 2023-05-19 엘지디스플레이 주식회사 대면적 표시장치 및 대면적 표시장치 구동 시스템
WO2023144643A1 (ja) * 2022-01-28 2023-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び表示装置の作製方法

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6358631B1 (en) 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
JP3454971B2 (ja) 1995-04-27 2003-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 画像表示装置
US6061477A (en) 1996-04-18 2000-05-09 Sarnoff Corporation Quality image warper
US7023021B2 (en) 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2002040985A (ja) 2000-07-21 2002-02-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 縮小表示方法
JP2004251981A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Seiko Epson Corp 複合型表示装置
KR100560402B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2006010811A (ja) * 2004-06-23 2006-01-12 Sony Corp 表示装置
JP5160754B2 (ja) 2006-01-31 2013-03-13 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド El装置
JP2007317558A (ja) 2006-05-26 2007-12-06 Optrex Corp 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法
JP2008098148A (ja) 2006-09-14 2008-04-24 Canon Inc 有機発光装置
US8994757B2 (en) 2007-03-15 2015-03-31 Scalable Display Technologies, Inc. System and method for providing improved display quality by display adjustment and image processing using optical feedback
US8125603B2 (en) * 2007-05-17 2012-02-28 Lg Display Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
JP5245287B2 (ja) 2007-05-18 2013-07-24 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法、薄膜トランジスタ基板の製造方法および表示装置の製造方法
JP2009054328A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
US8194211B2 (en) * 2008-03-18 2012-06-05 Nlt Technologies, Ltd. Transflective liquid crystal display unit
KR101551882B1 (ko) 2008-11-07 2015-09-10 삼성전자주식회사 멀티 디스플레이 장치
JP2010257957A (ja) 2009-04-01 2010-11-11 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP5201484B2 (ja) * 2009-08-25 2013-06-05 カシオ計算機株式会社 発光装置及びその製造方法並びに電子機器
US8305294B2 (en) 2009-09-08 2012-11-06 Global Oled Technology Llc Tiled display with overlapping flexible substrates
CN102844806B (zh) 2009-12-28 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及电子设备
KR101146984B1 (ko) * 2010-03-09 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2012028638A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンス装置および有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
KR101788285B1 (ko) * 2010-10-22 2017-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US8552440B2 (en) * 2010-12-24 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
KR20120119430A (ko) 2011-04-21 2012-10-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR101407587B1 (ko) 2011-06-02 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20130043063A (ko) * 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101457746B1 (ko) * 2011-10-26 2014-11-04 엘지디스플레이 주식회사 입체 영상 표시장치
KR101880114B1 (ko) 2012-02-08 2018-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US9379173B2 (en) 2012-02-29 2016-06-28 Konica Minolta, Inc. Light emitting panel and method for manufacturing same
KR102079188B1 (ko) 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
KR101994227B1 (ko) 2012-12-07 2019-09-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
JP6196568B2 (ja) 2013-03-27 2017-09-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置
KR102114317B1 (ko) * 2013-09-13 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치의 제조방법
CN103472647B (zh) * 2013-09-22 2016-04-06 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
KR102152846B1 (ko) * 2013-12-11 2020-09-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
CN108987574B (zh) 2014-02-11 2023-05-09 株式会社半导体能源研究所 显示设备及电子设备
JP2016029464A (ja) 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102380645B1 (ko) * 2014-07-31 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
JP6602585B2 (ja) 2014-08-08 2019-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
WO2016055897A1 (en) * 2014-10-08 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2016095502A (ja) 2014-11-11 2016-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム、表示装置
WO2016083928A1 (en) 2014-11-28 2016-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image processing device, display system, and electronic device
JP2016110943A (ja) * 2014-12-10 2016-06-20 株式会社Joled 有機el表示パネル及びその製造方法
JP6823927B2 (ja) 2015-01-21 2021-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
US10062861B2 (en) 2015-02-24 2018-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
KR102352002B1 (ko) 2015-07-31 2022-01-17 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 이용한 멀티 디스플레이 장치
KR102324876B1 (ko) * 2015-08-18 2021-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102430819B1 (ko) * 2015-08-19 2022-08-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN108369788B (zh) * 2015-09-08 2020-08-18 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
KR102380132B1 (ko) * 2015-09-22 2022-03-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US10354574B2 (en) 2015-09-25 2019-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver IC and electronic device
US10516118B2 (en) 2015-09-30 2019-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, display device, method for manufacturing the same, and system including a plurality of display devices
US10424632B2 (en) * 2015-11-30 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR102617041B1 (ko) 2015-12-28 2023-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기
US10027896B2 (en) 2016-01-15 2018-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image display system, operation method of the same, and electronic device
TWI704671B (zh) 2016-06-24 2020-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置以及其驅動方法
KR102504630B1 (ko) * 2016-07-01 2023-03-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2018063399A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び表示装置の駆動方法
KR20190086758A (ko) * 2016-11-30 2019-07-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
TWI748035B (zh) 2017-01-20 2021-12-01 日商半導體能源硏究所股份有限公司 顯示系統及電子裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US11302898B2 (en) 2022-04-12
US11805674B2 (en) 2023-10-31
CN111033602A (zh) 2020-04-17
WO2019038619A1 (ja) 2019-02-28
US20220216449A1 (en) 2022-07-07
DE112018004715T5 (de) 2020-06-18
KR20200046035A (ko) 2020-05-06
CN114497170A (zh) 2022-05-13
JP7114601B2 (ja) 2022-08-08
JP2022160518A (ja) 2022-10-19
JPWO2019038619A1 (ja) 2020-10-01
US20210159461A1 (en) 2021-05-27
JP7314369B2 (ja) 2023-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111033602B (zh) 显示面板及显示装置
JP6814266B2 (ja) アクティブマトリクス型表示装置
JP6852043B2 (ja) 発光装置
TWI527225B (zh) 半導體裝置及其製造方法
TWI543261B (zh) 半導體裝置及其製造方法
JP2017228538A (ja) 発光装置
US20220157926A1 (en) Display panel, display device, display module, and electronic device
CN116347951A (zh) 显示装置、显示模块及电子设备
JP7289793B2 (ja) 表示装置およびその補正方法
CN110943104B (zh) 有机发光二极管显示屏及电子设备
US20240147758A1 (en) Display panel and display device
US20240049543A1 (en) Display device
CN116601694A (zh) 显示装置
CN115769295A (zh) 显示装置及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant