CN111009541A - 改善影像效果的封装方法及半导体器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种改善影像效果的封装方法及半导体器件，其中，所述改善影像效果的封装方法包括：在晶圆具有感光区域的一面设置第一保护层；在晶圆具有感光区域的一面设置键合于第一保护层上的第二保护层；在晶圆的另一面进行布线、设置锡球；将第二保护层进行解键合；切割形成单颗半导体器件。本发明在封装过程中，通过在晶圆具有感光区域的一面设置保护层，对感光区域进行保护，避免了切割或者运输过程中感光区域被划伤，或者被灰尘等污染物所污染，有利于提高器件的影像效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种改善影像效果的封装方法及半导体器件。
背景技术
传统的图像传感器的晶圆级芯片封装方法中，图形传感器晶圆与玻璃空腔键合，通过硅背面通孔打开晶圆的焊盘，再重新布线路与焊盘连通，再切割成单颗芯片。该类图像传感器芯片的感光区需要透过玻璃层，会有很大的光损耗。将玻璃与晶圆进行临时键合，在晶圆完成封装工艺后，将玻璃解键合下来，再将晶圆切割成单颗芯片，可以有效降低图像传感器芯片的光损耗。
然而，图像传感器晶圆在解键合后，晶圆切割或者芯片运输过程中，产品感光区极易被刮伤，另外，会有颗粒降落在感光区而难于清理，影响图像传感器的成像。因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。
发明内容
本发明旨在提供一种改善影像效果的封装方法及半导体器件，以克服现有技术中存在的不足。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
一种改善影像效果的封装方法，其包括：
在晶圆具有感光区域的一面设置第一保护层；
在晶圆具有感光区域的一面设置键合于第一保护层上的第二保护层；
在晶圆的另一面进行布线、设置锡球；
将第二保护层进行解键合；
切割形成单颗半导体器件。
作为本发明的改善影像效果的封装方法的改进，所述第一保护层为通过涂布方式形成的透射率99％以上的透明胶层，或者，所述第一保护层为通过涂布方式形成的适于洗脱的胶层。
作为本发明的改善影像效果的封装方法的改进，所述第二保护层为玻璃载片。
作为本发明的改善影像效果的封装方法的改进，在晶圆的另一面进行布线、设置焊球包括：
对晶圆的另一面进行减薄，在减薄的一面制作钝化层；
打开钝化层的对应区域，使钝化层下方的焊盘暴露出来；
布置连接于焊盘上的线路层；
在线路层上制作锡球。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
一种改善影像效果的封装方法，其包括：
在晶圆具有感光区域的一面键合第一保护层；
在晶圆的另一面进行布线、设置锡球；
将第一保护层进行解键合；
在晶圆具有感光区域的一面设置第二保护层；
切割形成单颗半导体器件。
作为本发明的改善影像效果的封装方法的改进，所述第一保护层为玻璃载片。
作为本发明的改善影像效果的封装方法的改进，在晶圆的另一面进行布线、设置焊球包括：
对晶圆的另一面进行减薄，在减薄的一面制作钝化层；
打开钝化层的对应区域，使钝化层下方的焊盘暴露出来；
布置连接于焊盘上的线路层；
在线路层上制作锡球。
作为本发明的改善影像效果的封装方法的改进，所述第二保护层为通过涂布方式形成的透射率99％以上的透明胶层，或者，所述第二保护层为通过涂布方式形成的适于洗脱的胶层。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
一种半导体器件，其包括：晶圆、设置于所述晶圆具有感光区域一面的保护层；
所述晶圆具有感光区域一面设置有焊盘，所述晶圆另一面设置有钝化层，所述钝化层上设置有线路层，所述线路层连接至所述焊盘上，所述线路层上还设置有锡球，所述保护层为通过涂布方式形成的透射率99％以上的透明胶层，或者，为通过涂布方式形成的适于洗脱的胶层。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
一种半导体器件，其由如上所述的封装方法制造而成。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明在封装过程中，通过在晶圆具有感光区域的一面设置保护层，对感光区域进行保护，避免了切割或者运输过程中感光区域被划伤，或者被灰尘等污染物所污染，有利于提高器件的影像效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的改善影像效果的封装方法实施例1的方法流程示意图；
图2为本发明的改善影像效果的封装方法实施例2的方法流程示意图；
图3为本发明的半导体器件一实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明在于提供一种改善影像效果的封装方法，该封装方法通过在晶圆具有感光区域的一面设置保护层，实现对感光区域在封装过程中以及后续运输过程中的保护。下面结合两个实施例对本发明的改善影像效果的封装方法的技术方案进行举例说明。
实施例1
本实施例在键合之前在晶圆具有感光区域的一面设置保护层。
如图1所示，本发明实施例的改善影像效果的封装方法包括：
在晶圆具有感光区域的一面设置第一保护层。具体地，设置的第一保护层为通过涂布方式形成的透射率99％以上的透明胶层，或者，第一保护层为通过涂布方式形成的适于洗脱的胶层。
当采用透射率99％以上的透明胶层作为第一保护层时，在后续得到的半导体器件组装前可不必清除。而当采用适于洗脱的胶层为第一保护层时，在后续得到的半导体器件组装前需要利用溶剂将第一保护层洗掉。本实施例中，所采用的胶层可以为含聚丙烯酸酯类胶，此时可以采用二氯甲烷、丙酮或者THF洗掉上述含聚丙烯酸酯类胶层。其中，二氯甲烷为优选实施方式。此外，通过涂布方式形成第一保护层时，待胶固化后进行后续步骤。
在晶圆具有感光区域的一面设置键合于第一保护层上的第二保护层。具体地，第二保护层为玻璃载片。
在晶圆的另一面进行布线、设置锡球。具体地，该步骤包括：
通过研磨或干法蚀刻的方式对晶圆的另一面进行减薄，通过光刻或化学气相沉积在减薄的一面制作钝化层；
通过通过氧化层刻蚀打开钝化层的对应区域，使钝化层下方的焊盘暴露出来；
通过物理气相沉积、电镀/化镀和光刻相结合布置连接于焊盘上的线路层；
通过光刻法包裹上阻焊剂，再用印刷、植球或者电镀的方法在线路层上制作锡球。
将第二保护层进行解键合。
切割形成单颗半导体器件。
实施例2
本实施例在解键合之后在晶圆具有感光区域的一面设置保护层。
如图2所示，本发明实施例的改善影像效果的封装方法包括：
在晶圆具有感光区域的一面键合第一保护层。具体地，第一保护层为玻璃载片。
在晶圆的另一面进行布线、设置锡球。具体地，该步骤包括：
通过研磨或干法蚀刻的方式对晶圆的另一面进行减薄，通过光刻或化学气相沉积在减薄的一面制作钝化层；
通过通过氧化层刻蚀打开钝化层的对应区域，使钝化层下方的焊盘暴露出来；
通过物理气相沉积、电镀/化镀和光刻相结合布置连接于焊盘上的线路层；
通过光刻法包裹上阻焊剂，再用印刷、植球或者电镀的方法在线路层上制作锡球。
将第一保护层进行解键合。
在晶圆具有感光区域的一面设置第二保护层。具体地，设置的第二保护层为通过涂布方式形成的透射率99％以上的透明胶层，或者，第二保护层为通过涂布方式形成的适于洗脱的胶层。
当采用透射率99％以上的透明胶层作为第二保护层时，在后续得到的半导体器件组装前可不必清除。而当采用适于洗脱的胶层为第二保护层时，在后续得到的半导体器件组装前需要利用溶剂将第一保护层洗掉。本实施例中，所采用的胶层可以为含聚丙烯酸酯类胶，此时可以采用二氯甲烷、丙酮或者THF洗掉上述含聚丙烯酸酯类胶层。其中，二氯甲烷为优选实施方式。此外，通过涂布方式形成第二保护层时，待胶固化后进行后续步骤。
切割形成单颗半导体器件。
本发明还在于提供一种半导体器件。该半导体器件由上述实施例1或者实施例2所述的封装方法制造而成。
本发明还在于提供一种半导体器件。
如图3所示，本发明一实施例的半导体器件包括：晶圆1、设置于晶圆1具有感光区域一面的保护层2。其中，晶圆1具有感光区域一面设置有焊盘3，晶圆1另一面设置有钝化层4，钝化层4上设置有线路层5，线路层5连接至焊盘3上，线路层5上还设置有锡球6，保护层2为通过涂布方式形成的透射率99％以上的透明胶层，或者，为通过涂布方式形成的适于洗脱的胶层。
综上所述，本发明在封装过程中，通过在晶圆具有感光区域的一面设置保护层，对感光区域进行保护，避免了切割或者运输过程中感光区域被划伤，或者被灰尘等污染物所污染，有利于提高器件的影像效果。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (10)
1.一种改善影像效果的封装方法，其特征在于，所述改善影像效果的封装方法包括：
在晶圆具有感光区域的一面设置第一保护层；
在晶圆具有感光区域的一面设置键合于第一保护层上的第二保护层；
在晶圆的另一面进行布线、设置锡球；
将第二保护层进行解键合；
切割形成单颗半导体器件。
2.根据权利要求1所述的改善影像效果的封装方法，其特征在于，所述第一保护层为通过涂布方式形成的透射率99％以上的透明胶层，或者，所述第一保护层为通过涂布方式形成的适于洗脱的胶层。
3.根据权利要求1所述的改善影像效果的封装方法，其特征在于，所述第二保护层为玻璃载片。
4.根据权利要求1所述的改善影像效果的封装方法，其特征在于，在晶圆的另一面进行布线、设置焊球包括：
对晶圆的另一面进行减薄，在减薄的一面制作钝化层；
打开钝化层的对应区域，使钝化层下方的焊盘暴露出来；
布置连接于焊盘上的线路层；
在线路层上制作锡球。
5.一种改善影像效果的封装方法，其特征在于，所述改善影像效果的封装方法包括：
在晶圆具有感光区域的一面键合第一保护层；
在晶圆的另一面进行布线、设置锡球；
将第一保护层进行解键合；
在晶圆具有感光区域的一面设置第二保护层；
切割形成单颗半导体器件。
6.根据权利要求5所述的改善影像效果的封装方法，其特征在于，所述第一保护层为玻璃载片。
7.根据权利要求5所述的改善影像效果的封装方法，其特征在于，在晶圆的另一面进行布线、设置焊球包括：
对晶圆的另一面进行减薄，在减薄的一面制作钝化层；
打开钝化层的对应区域，使钝化层下方的焊盘暴露出来；
布置连接于焊盘上的线路层；
在线路层上制作锡球。
8.根据权利要求5所述的改善影像效果的封装方法，其特征在于，所述第二保护层为通过涂布方式形成的透射率99％以上的透明胶层，或者，所述第二保护层为通过涂布方式形成的适于洗脱的胶层。
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：晶圆、设置于所述晶圆具有感光区域一面的保护层；
所述晶圆具有感光区域一面设置有焊盘，所述晶圆另一面设置有钝化层，所述钝化层上设置有线路层，所述线路层连接至所述焊盘上，所述线路层上还设置有锡球，所述保护层为通过涂布方式形成的透射率99％以上的透明胶层，或者，为通过涂布方式形成的适于洗脱的胶层。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件由权利要求1～8任一项所述的封装方法制造而成。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200414 |