CN111009532A - 显示装置 - Google Patents

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transistor
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朴埈贤
金瞳祐
文盛载
赵康文
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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一晶体管，包括半导体层、第一电极和第二电极以及第一栅电极和第二栅电极，第一电极和第二电极分别电连接到半导体层的源区和漏区，第一栅电极和第二栅电极与半导体层的沟道区对应并且彼此面对；以及电容器，包括第一电容器电极、位于第一电容器电极上方的第二电容器电极和位于第一电容器电极下方的第三电容器电极。

Description

显示装置
技术领域
示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括双栅极晶体管的显示装置。
背景技术
诸如有机发光显示装置或液晶显示装置等的显示装置包括阵列基底，阵列基底包括薄膜晶体管(“TFT”)、电容器和多条布线。阵列基底包括诸如TFT、电容器和多条布线的精细图案，并且显示装置经由TFT、电容器以及多条布线之间的复杂连接来操作。
近期，随着对具有高分辨率的紧凑的显示装置的需求一直在增加，对包括在显示装置中的TFT、电容器和布线的高效空间布置、连接结构和驱动方法的需求和对通过这样的显示装置实现的图像质量的改善的需求也一直在增加。
发明内容
示例性实施例包括其中可以改善晶体管的特性并且可以确保电容器的容量的显示装置。
附加的示例性实施例将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而清楚，或者可以通过给出的实施例的实践来获悉。
在示例性实施例中，显示装置包括：第一晶体管，包括半导体层、第一电极和第二电极以及第一栅电极和第二栅电极，第一电极和第二电极分别电连接到半导体层的源区和漏区，第一栅电极和第二栅电极与半导体层的沟道区对应并且彼此面对；以及电容器，包括第一电容器电极、位于第一电容器电极上方的第二电容器电极和位于第一电容器电极下方的第三电容器电极，其中，第一晶体管的第一栅电极电连接到第一晶体管的第一电极和第二电极中的一个，并且第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个电连接到第三电容器电极。
在示例性实施例中，电容器的第二电容器电极和第三电容器电极可以彼此电连接。
在示例性实施例中，第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个和电容器的第二电容器电极可以电连接到像素电极。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括连接电极，连接电极电连接到第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个并电连接到电容器的第二电容器电极，其中，像素电极电连接到连接电极。
在示例性实施例中，第一晶体管的第一栅电极可以从电容器的第三电容器电极延伸。
在示例性实施例中，第一晶体管的第二栅电极可以从电容器的第一电容器电极延伸。
在示例性实施例中，第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个可以从电容器的第二电容器电极延伸。
在示例性实施例中，第一晶体管的第一栅电极和电容器的第三电容器电极可以设置在同一层中，并且第一晶体管的第二栅电极和电容器的第一电容器电极可以设置在同一层中，并且第一晶体管的第一电极和第二电极以及电容器的第二电容器电极可以设置在同一层中。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括第二晶体管，第二晶体管连接在第一晶体管的第二栅电极与数据线之间。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括第三晶体管，第三晶体管连接在第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个与感测线之间。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括发光器件，发光器件连接到第一晶体管，其中，发光器件包括：像素电极，连接到第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个；对电极，面对像素电极；以及发射层，位于像素电极与对电极之间。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括电力线，电力线电连接到对电极并且设置为与第一晶体管相邻。
在示例性实施例中，显示装置包括：第一电力线；第二电力线；以及像素，包括第一晶体管、电容器和发光器件，第一晶体管和电容器电连接到第一电力线，发光器件电连接到第二电力线，其中，第一晶体管包括半导体层、分别电连接到半导体层的源区和漏区的第一电极和第二电极以及与半导体层的沟道区对应并且彼此面对的第一栅电极和第二栅电极，其中，第一晶体管的第一栅电极电连接到第一晶体管的第一电极和第二电极中的一个，其中，第一电力线包括沿第一方向延伸的1-1电力线和沿不同于第一方向的第二方向延伸并且电连接到1-1电力线的1-2电力线，其中，第二电力线包括沿第一方向延伸的2-1电力线和沿第二方向延伸并且电连接到2-1电力线的2-2电力线。
在示例性实施例中，第一电力线的1-2电力线和第二电力线的2-2电力线中的一个可以设置在多个行中的每个中，其中，1-2电力线和2-2电力线沿第一方向交替设置。
在示例性实施例中，电容器可以包括第一电容器电极、位于第一电容器电极上方的第二电容器电极和位于第一电容器电极下方的第三电容器电极，并且第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个可以电连接到第三电容器电极。
在示例性实施例中，第一电力线的1-2电力线和第二电力线的2-2电力线可以设置在多个行中的每个中。
在示例性实施例中，电容器的第二电容器电极和第三电容器电极可以彼此电连接。
在示例性实施例中，发光器件可以包括：像素电极，连接到第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个；对电极，面对像素电极；以及发射层，位于像素电极与对电极之间，其中，第二电力线电连接到对电极。
在示例性实施例中，第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个以及电容器的第二电容器电极可以电连接到像素电极。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括连接电极，连接电极电连接到第一晶体管的第一电极和第二电极中的所述一个并电连接到电容器的第二电容器电极，其中，像素电极电连接到连接电极。
附图说明
通过结合附图对示例性实施例的以下描述，这些和/或其他示例性实施例将变得清楚并且更容易理解，在附图中：
图1是示出显示装置的结构的示例性实施例的示意图；
图2示出了图1中示出的像素的示例；
图3A和图3B是示出像素单元的布线布置的示例性实施例的示意图；
图4A是在图3A中示出的像素的示例性实施例的平面图；图4B是沿图4A的线A-A'截取的剖视图；图4C是图4B的部分X的剖视图；图4D是示出单元像素的布置的示例性实施例的平面图；
图5A是在图3B中示出的像素的示例性实施例的平面图；图5B是沿图5A的线B-B'截取的剖视图；图5C是图5B的部分X的剖视图；图5D是示出单元像素的布置的示例性实施例的平面图；
图6A和图6B是像素的另一示例性实施例的剖视图；以及
图7和图8是像素的其他示例性实施例的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，实施例的示例示出在附图中，在附图中，同样的附图标号始终指示同样的元件。在这方面，示出的示例性实施例可以具有不同形式并且不应该被理解为限于在这里阐述的描述。因此，通过参照附图，下面仅描述实施例来解释说明书的示例性实施例。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。诸如“……中的至少一个”的表达位于一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰所述列中的个别元件。
由于本公开可以具有各种变型和若干个实施例，所以在图中示出了实施例并且将详细描述实施例。将与附图一起参照下面详细描述的示例性实施例来说明效果、特征和实现效果、特征的方法。然而，示例性实施例可以具有不同形式并且不应该被理解为限于在这里阐述的描述。
虽然可以使用诸如“第一”、“第二”等的术语来描述各种组件，但是组件不必限于以上术语。以上术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
以单数使用的表达包括复数的表达，除非其在上下文中具有明显不同含义。
在下面的示例性实施例中，还将理解的是，在这里使用的术语“包括”和/或“具有”说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。
在下面的示例性实施例中，将理解的是，当诸如层、区域或元件的部分被描述为“在”另一部分“上”或“上方”时，它可以直接在所述另一部分上或上方，或者也可以存在中间部分。
为了便于说明，可以夸大或缩小图中的组件的尺寸。例如，因为为了便于说明而任意地示出了图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
如在这里使用的，依据上下文，术语“对应的”或“对应地”可以表示元件布置在同一列或同一行中或者连接到同一列或同一行。例如，当第一构件连接到来自多个第二构件中的对应的第二构件时，其表示第一构件连接到与第一构件布置在同一列或同一行中的第二构件。
考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如在这里使用的“约”或“近似”包括所述值并且表示在如由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
在下文中，将参照其中示出了发明的示例性实施例的附图更加全面地描述发明。在附图中，同样的附图标记表示同样的元件并且将省略其重复描述。
图1是示出显示装置10的结构的示例性实施例的示意图。
参照图1，显示装置10的示例性实施例可以包括扫描驱动器100、数据驱动器200、控制线驱动器300、感测单元400、像素单元500和控制器600。
扫描驱动器100可以根据控制器600的控制产生扫描信号，并且将扫描信号供应到扫描线SL1至SLn(其中，n是自然数)。扫描驱动器100可以将扫描信号顺序地供应到扫描线SL1至SLn。当扫描信号被顺序地供应到扫描线SL1至SLn时，可以以水平线(行)为单位选择像素PX。扫描信号可以被设定为可以以其导通包括在像素PX中的晶体管的栅极导通电压。
数据驱动器200可以根据从控制器600供应的第二数据Data2来产生数据信号，并且将数据信号供应到数据线DL1至DLm(其中，m是自然数)。供应到数据线DL1至DLm的数据信号可以被供应到经由扫描信号选择的像素PX。像素PX可以根据数据信号发射预定亮度的光，于是在像素单元500上显示特定图像。
第二数据Data2是以从外部输入的根据将由像素单元500显示的图像的第一数据Data1为基础的值，并且可以被具体地设定为通过修改第一数据Data1以补偿包括在每个像素PX中的驱动晶体管的偏差而获得的值。
控制线驱动器300根据控制器600的控制将控制信号供应到控制线CL1至CLn。控制线驱动器300可以在其中感测到每个像素PX的特性信息的时段(感测时段)期间将控制信号顺序地供应到控制线CL1至CLn。控制信号可以被设定为可以以其导通包括在像素PX中的晶体管的栅极导通电压。已经接收到控制信号的像素PX可以电连接到感测线SENL1至SENLm。
在发明的另一示例性实施例中，可以不必包括控制线驱动器300。例如，在示例性实施例中，扫描驱动器100而不是控制线驱动器300可以将控制信号供应到控制线CL1至CLn。另外，像素PX与感测线SENL1至SENLm之间的电连接在感测时段期间可以由扫描线SL1至SLn控制，而不用形成额外的控制线CL1至CLn。
感测单元400可以连接到感测线SENL1至SENLm。感测单元400可以感测感测线SENL1至SENLm中的每条的偏差信息(即，沟道的偏差信息)。例如，在示例性实施例中，感测单元400可以感测感测线SENL1至SENLm中的每条中提供的寄生电容器的容量作为每个沟道的偏差信息。感测单元400可以通过感测到的沟道的偏差信息产生指示每个像素PX的特性信息的感测数据。特性信息可以包括每个像素PX的驱动晶体管的阈值电压信息、驱动晶体管的迁移率信息和/或有机发光二极管的劣化信息。
多个像素PX可以布置在像素单元500中。每个像素PX可以连接到来自多条扫描线SL1至SLn中的对应的扫描线、来自多条控制线CL1至CLn中的对应的控制线、来自多条感测线SENL1至SENLm中的对应的感测线和来自多条数据线DL1至DLm中的对应的数据线。像素单元500可以被设定为显示图像的显示区域。每个像素PX可以接收第一电力电压ELVDD和第二电力电压ELVSS。第一电力电压ELVDD和第二电力电压ELVSS可以彼此不同。第二电力电压ELVSS可以比第一电力电压ELVDD低。例如，在示例性实施例中，第一电力电压ELVDD可以是正电压，第二电力电压ELVSS可以是负电压或接地电压。在说明书中，像素PX主要指一个子像素。然而，发明不限于此，并且像素PX也可以指包括多个子像素的一个单元像素。也就是说，在说明书中描述的像素PX可以解释为一个子像素或解释为构成一个单元像素的多个子像素。子像素可以包括发光器件和电连接到发光器件的像素电路。
控制器600可以控制扫描驱动器100、数据驱动器200、控制线驱动器300和感测单元400。通过来自感测单元400的感测数据，控制器600可以将第一数据Data1转换为其中补偿了特性偏差的第二数据Data2。
扫描驱动器100、数据驱动器200、控制线驱动器300、感测单元400和/或控制器600可以与像素单元500一起直接设置在基底上，或者可以经由额外的组件(例如，电路板)连接到像素单元500。在另一示例性实施例中，扫描驱动器100、数据驱动器200、控制线驱动器300、感测单元400和控制器600中的一些可以与像素单元500一起直接设置在基底上，而其他的可以经由额外的组件(例如，电路板)连接到像素单元500。
图2示出了图1中示出的像素PX的示例。在图2中，为了便于描述，作为示例将描述连接到第m数据线DLm和第n扫描线SLn的像素PX。
参照图2，像素PX的示例性实施例可以包括发光器件和像素电路510。发光器件可以是有机发光二极管OLED。
有机发光二极管OLED的像素电极(阳极电极)可以连接到像素电路510，有机发光二极管OLED的对电极(阴极电极)可以连接到第二电力电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以以与从像素电路510供应的电流量对应的亮度发光。
像素电路510可以根据数据信号控制从第一电力电压ELVDD经过有机发光二极管OLED而流到第二电力电压ELVSS的电流量。像素电路510可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和电容器Cst。
第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的至少一个可以是包括有源层的氧化物半导体薄膜晶体管(“TFT”)，有源层包括氧化物半导体。第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的至少一个可以是包括有源层的硅半导体TFT，有源层包括多晶硅。取决于晶体管的类型，第一电极可以是源电极和漏电极中的一个，第二电极可以是源电极和漏电极中的另一个。
第一晶体管M1的第一电极可以连接到第一电力电压ELVDD，第一晶体管M1的第二电极可以连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第一晶体管M1可以是具有两个栅电极的双栅极晶体管。第一晶体管M1的第一栅电极和第二栅电极可以定位为彼此面对且绝缘层在第一栅电极和第二栅电极之间。第一晶体管M1的第一栅电极可以根据施加到第一栅电极的电压使第一晶体管M1的阈值电压偏移。因此，可以补偿第一晶体管M1的特性中的变化。第一晶体管M1的第一栅电极可以连接到第一晶体管M1的第二电极。当施加到第一晶体管M1的第二电极的电压施加到第一晶体管M1的第一栅电极时，在第一晶体管M1的电压-电流特性曲线的饱和区域中，电流变化(倾斜度)减小，从而改善第一晶体管M1的输出饱和特性。第一晶体管M1的第二栅电极可以连接到第一节点N1。第一晶体管M1可以是根据第一节点N1的电压控制从第一电力电压ELVDD经过有机发光二极管OLED而流到第二电力电压ELVSS的电流量的驱动晶体管。
第二晶体管M2的第一电极可以连接到数据线DLm，第二晶体管M2的第二电极可以连接到第一节点N1。第二晶体管M2的栅电极可以连接到扫描线SLn。第二晶体管M2可以在扫描线SLn供应扫描信号时导通，从而将数据线DLm和第一节点N1电连接。
第三晶体管M3的第一电极可以连接到第一晶体管M1的第二电极，第三晶体管M3的第二电极可以连接到感测线SENLm。第三晶体管M3的栅电极可以连接到控制线CLn。第三晶体管M3可以在控制线CLn供应控制信号时导通，从而将感测线SENLm和第一晶体管M1的第二电极电连接。第三晶体管M3可以感测第一晶体管M1的特性信息。
电容器Cst可以连接在第一节点N1与第一晶体管M1的第二电极之间并且存储第一节点N1的电压。电容器Cst的第一电极可以连接到第一晶体管M1的第二栅电极，电容器Cst的第二电极可以连接到第一晶体管M1的第二电极。
在图2中，虽然将第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3示出为负金属氧化物半导体(“NMOS”)，但发明不限于此。例如，在示例性实施例中，第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的至少一个可以是正金属氧化物半导体(“PMOS”)。
图3A和图3B是示出像素单元500A和500B的布线布置的示例性实施例的示意图。
参照图3A，在像素单元500A的示例性实施例中，多个像素PX1可以在第一方向和第二方向上布置，其中，第二方向与第一方向交叉。像素PX1可以连接到扫描线SL、数据线DL、感测线SENL和控制线CL。像素PX1可以连接到第一电力线VDL和第二电力线VSL。
第一电力线VDL可以包括沿第一方向延伸的1-1电力线VDL1和沿第二方向延伸并且连接到1-1电力线VDL1的1-2电力线VDL2。第二电力线VSL可以包括沿第一方向延伸的2-1电力线VSL1和沿第二方向延伸并且连接到2-1电力线VSL1的2-2电力线VSL2。
1-1电力线VDL1和2-1电力线VSL1可以平行地布置在像素PX的左侧或右侧上。在图3A中，1-1电力线VDL1和2-1电力线VSL1平行地布置在像素PX1的左侧上。2-1电力线VSL1可以相对于1-1电力线VDL1布置在外部部分上。1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2可以以行为单位在第一方向上交替地布置。例如，在示例性实施例中，奇数行中的像素PX1可以连接到2-2电力线VSL2，偶数行中的像素PX1可以连接到1-2电力线VDL2。在可选的示例性实施例中，偶数行中的像素PX1可以连接到2-2电力线VSL2，奇数行中的像素PX1可以连接到1-2电力线VDL2。
数据线DL和感测线SENL可以沿第一方向延伸。数据线DL和感测线SENL可以平行地布置在像素PX的右侧或左侧上。例如，在图3A中，数据线DL和感测线SENL布置在像素PX1的右侧上。感测线SENL可以相对于数据线DL布置在外部部分上。
扫描线SL和控制线CL可以沿第二方向延伸。扫描线SL可以布置在像素PX1上方，控制线CL可以布置在像素PX1下方。
多个像素PX2可以布置在图3B中示出的像素单元500B中。每个像素PX2可以连接到扫描线SL、数据线DL、感测线SENL和控制线CL。第一电力线VDL和第二电力线VSL可以连接到像素PX2。图3B示出了其中1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2布置在每行中的示例，其他布线布置与图3A的布线布置相似。
图4A是在图3A中示出的像素PX1的示例性实施例的平面图。图4B是沿图4A的线A-A'截取的像素PX1的剖视图。图4C是图4B的像素PX1的部分X的剖视图。图4D是示出单元像素的布置的平面图。在图4B中，还示出了垫(“pad”，也被称为焊盘、焊垫)单元PAD1的垫电极901。
参照图4A和图4B，像素PX1的示例性实施例可以包括设置在基底50上的像素电路和有机发光二极管OLED，像素电路包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和电容器Cst。第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3均可以具有其中两个晶体管并联连接的结构。导电层可以布置在基底50上并且用作第一晶体管M1的底栅电极。
第一晶体管M1可以是双栅极晶体管。第一晶体管M1可以包括作为底栅电极的第一栅电极601、作为顶栅电极的第二栅电极603、半导体层602、第一电极604和第二电极605。第一绝缘层51可以布置在第一栅电极601与半导体层602之间。第二绝缘层52可以布置在半导体层602与第二栅电极603之间。第一栅电极601和第二栅电极603可以设置为与半导体层602的源区与漏区之间的沟道区对应。
第三绝缘层53可以布置在第二栅电极603上，第一电极604和第二电极605可以布置在第三绝缘层53上。第四绝缘层54可以布置在第一电极604和第二电极605上。第一电极604可以经由接触孔CNT1接触并且电连接到半导体层602的源区和漏区中的一个，第二电极605可以经由接触孔CNT2接触并且电连接到半导体层602的源区和漏区中的另一个。第二电极605可以通过接触孔CNT3接触并且电连接到第一栅电极601。第一电极604可以经由接触孔CNT5接触并且电连接到在第四绝缘层54上的1-1电力线VDL1。在示出的示例性实施例中，提供了向其施加电压的第一栅电极601，因此，可以稳定地维持第一晶体管M1的背沟道电势。第一栅电极601还可以用作屏蔽层。也就是说，第一栅电极601可以改善晶体管特性，同时确保第一晶体管M1不被外部的光和/或周围的电压波动影响。
第二晶体管M2可以包括栅电极613、半导体层612、第一电极614和第二电极615。第二绝缘层52可以布置在半导体层612与栅电极613之间。栅电极613可以设置为与半导体层612的源区与漏区之间的沟道区对应。栅电极613可以通过至少一个连接电极电连接到扫描线SL。当位于第三绝缘层53上并且经由接触孔接触栅电极613的连接电极与位于第四绝缘层54上并且经由接触孔接触扫描线SL的连接电极经由接触孔彼此接触时，连接电极可以彼此电连接。
第三绝缘层53可以布置在栅电极613上，第一电极614和第二电极615可以布置在第三绝缘层53上。第四绝缘层54可以布置在第一电极614和第二电极615上。第一电极614可以经由接触孔接触并且电连接到半导体层612的源区和漏区中的一个，第二电极615可以经由接触孔接触并且电连接到半导体层612的源区和漏区中的另一个。第一电极614可以经由接触孔接触并且电连接到数据线DL。第二电极615可以经由接触孔电连接到电容器Cst的第一电极701。
第三晶体管M3可以包括栅电极623、半导体层622、第一电极624和第二电极625。第二绝缘层52可以布置在半导体层622与栅电极623之间。栅电极623可以设置为与半导体层622的源区与漏区之间的沟道区对应。第三晶体管M3的半导体层622可以从第二晶体管M2的半导体层612延伸以与其是一体的。栅电极623可以通过至少一个连接电极连接到控制线CL。当位于第三绝缘层53上并且经由接触孔接触栅电极623的连接电极与位于第四绝缘层54上并且经由接触孔接触控制线CL的连接电极经由接触孔彼此接触时，连接电极可以彼此电连接。
第三绝缘层53可以布置在栅电极623上，第一电极624和第二电极625可以布置在第三绝缘层53上。第四绝缘层54可以布置在第一电极624和第二电极625上。第一电极624可以经由接触孔接触并且电连接到半导体层622的源区和漏区中的一个，第二电极625可以经由接触孔接触并且电连接到半导体层622的源区和漏区中的另一个。第三晶体管M3的第一电极624可以与第一晶体管M1的第二电极605是一体的。也就是说，第三晶体管M3的第一电极624可以通过接触孔CNT2接触并且电连接到半导体层622的源区和漏区中的一个。第二电极625可以经由接触孔接触连接电极CE2，连接电极CE2可以经由接触孔接触并且电连接到接触感测线SENL的连接线CSENL。因此，第二电极625可以电连接到感测线SENL。连接线CSENL可以沿第二方向在第二绝缘层52上延伸，连接电极CE2可以沿第一方向在第四绝缘层54上延伸并且与控制线CL交叉。
扫描线SL和控制线CL可以在第二绝缘层52上沿第二方向延伸。1-1电力线VDL1和2-1电力线VSL1可以在第四绝缘层54上沿第一方向延伸。1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2可以在第三绝缘层53上沿第二方向延伸。1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2可以以行为单位交替布置。2-1电力线VSL1和2-2电力线VSL2可以经由接触孔CNT4电连接。尽管在图中未示出，但是1-1电力线VDL1和相邻行的1-2电力线VDL2可以经由接触孔电连接。2-1电力线VSL1可以具有比1-1电力线VDL1的(沿垂直于其延伸方向的方向截取的)宽度和面积大的宽度和面积。2-2电力线VSL2可以具有比1-2电力线VDL2的(沿垂直于其延伸方向的方向截取的)宽度和面积大的宽度和面积。
电容器Cst可以包括第一电极701和第二电极702。第一电极701可以布置在第二绝缘层52上，第二电极702可以覆盖第一电极701并且布置在第三绝缘层53上。从第一电极701的一部分延伸的部分可以用作第一晶体管M1的第二栅电极603，从第一电极701的另一部分延伸的部分可以电连接到第二晶体管M2的第二电极615。从第二电极702的一端延伸的部分可以用作第一晶体管M1的第二电极605，从第二电极702的另一端延伸的部分可以经由接触孔CNT6电连接到连接电极CE3。
第五绝缘层55可以布置在1-1电力线VDL1和2-1电力线VSL1上。像素电极801可以布置在第五绝缘层55上。像素电极801可以经由接触孔CNT7电连接到连接电极CE3。因此，第一晶体管M1的第一栅电极601可以接收施加到像素电极801的电压。
覆盖像素电极801的边缘的第六绝缘层56可以布置在第五绝缘层55上。包括发射层的中间层802可以布置在像素电极801上。面对像素电极801的对电极803可以布置在中间层802上。对电极803可以通过接触孔CNT8接触并且电连接到2-1电力线VSL1。有机发光二极管OLED可以是前侧发光器件。
垫单元PAD1可以被包括在围绕显示区域的非显示区域中，第四绝缘层54上的垫电极901可以被包括在垫单元PAD1中。垫电极901上的第五绝缘层55和第六绝缘层56可以被去除，因此垫电极901的一部分可以暴露于外侧。
第一绝缘层51至第六绝缘层56可以被设置为包括无机材料和/或有机材料的单层或多层。
虽然在图4B中第二绝缘层52设置在基底50的整个表面上，但是，如图4C中所示，第二绝缘层52可以具有与栅电极603、613和623的宽度以及电容器Cst的第一电极701的宽度基本上相等的宽度。例如，在示例性实施例中，第二绝缘层52可以在与栅电极603、613和623以及电容器Cst的第一电极701相同的掩模操作中设置，因此，第二绝缘层52的侧表面可以与栅电极603、613和623的侧表面以及电容器Cst的第一电极701的侧表面对应并且可以与栅电极603、613和623的侧表面以及电容器Cst的第一电极701的侧表面布置在同一平面中。
图4D示出了构成单元像素PX1的第一子像素SPX11、第二子像素SPX12、第三子像素SPX13和布线的布置。第一子像素SPX11、第二子像素SPX12和第三子像素SPX13可以彼此相邻地布置在同一行中。第一子像素SPX11可以布置在第一列中，第二子像素SPX12可以布置在第二列中，第三子像素SPX13可以布置在第三列中。第一子像素SPX11可以是发射第一颜色的光的像素。第二子像素SPX12可以是发射第二颜色的光的像素。第三子像素SPX13可以是发射第三颜色的光的像素。例如，在示例性实施例中，第一子像素SPX11可以是红色像素，第二子像素SPX12可以是绿色像素，第三子像素SPX13可以是蓝色像素。然而，发明不限于此，并且单元像素PX1可以包括发射不同颜色的光的一个或更多个子像素。
参照图4D，在每个单元像素PX1中，2-1电力线VSL1可以在像素PX1的左侧上沿第一方向延伸，感测线SENL可以在像素PX1的右侧上沿第一方向延伸。1-1电力线VDL1可以在第一子像素SPX11、第二子像素SPX12和第三子像素SPX13中的每个的左侧上沿第一方向延伸，数据线DL可以在第一子像素SPX11、第二子像素SPX12和第三子像素SPX13中的每个的右侧上沿第一方向延伸。2-1电力线VSL1可以相对于布置在第一子像素SPX11的左侧上的1-1电力线VDL1布置在外部部分中。感测线SENL可以相对于布置在第三子像素SPX13的右侧上的数据线DL布置在外部部分中。感测线SENL可以电连接到沿第二方向延伸的连接线CSENL。连接线CSENL可以通过连接电极CE2(图4A)电连接到第一子像素SPX11、第二子像素SPX12和第三子像素SPX13中的每个的第三晶体管M3的第二电极。在像素PX1中，1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2中的一个可以沿第二方向延伸。也就是说，第一子像素SPX11、第二子像素SPX12和第三子像素SPX13可以连接到1-2电力线VDL2或2-2电力线VSL2。在图4D的示例性实施例中，第一行的像素PX1连接到2-2电力线VSL2，而第二行的像素PX1连接到1-2电力线VDL2。
第一子像素SPX11、第二子像素SPX12和第三子像素SPX13中的每个可以连接到同一扫描线SL和同一控制线CL。扫描线SL可以沿第二方向延伸并且在第二方向上布置在第一子像素SPX11、第二子像素SPX12和第三子像素SPX13之上。扫描线SL可以通过至少一个连接电极电连接到第一子像素SPX11、第二子像素SPX12和第三子像素SPX13中的每个的第二晶体管M2的栅电极。控制线CL可以沿第二方向延伸并且在第二方向上布置在第一子像素SPX11、第二子像素SPX12和第三子像素SPX13下方。控制线CL可以通过至少一个连接电极电连接到第一子像素SPX11、第二子像素SPX12和第三子像素SPX13中的每个的第三晶体管M3的栅电极。
第一子像素SPX11、第二子像素SPX12和第三子像素SPX13中的每个的电容器Cst的容量(大小)可以彼此不同。通过对第一子像素SPX11、第二子像素SPX12和第三子像素SPX13的电容器Cst的第一电极701的面积进行区分，可以区分关于第二电极702覆盖第一电极701的叠置面积，从而使电容器Cst的容量不同。可以考虑子像素的发光特性来确定电容器Cst的容量。
图5A是在图3B中示出的像素PX2的示例性实施例的平面图。图5B是沿图5A的线B-B'截取的像素PX2的剖视图。图5C是图5B的像素PX2的部分X的剖视图。图5D是示出单元像素的布置的平面图。在图5B中，还示出了垫单元PAD2的垫电极901。除了电容器Cst的结构和电力线的布置之外，在图5A中示出的像素PX2具有与在图4A中示出的像素PX1的结构相同的结构。在下文中，描述将聚焦在与图4A至图4D的示例性实施例的不同。
参照图5A和图5B，像素PX2的示例性实施例可以包括设置在基底50上的像素电路和有机发光二极管OLED，像素电路包括第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3以及电容器Cst。导电层可以布置在基底50上，并且导电层的一部分可以用作第一晶体管M1的底栅电极，导电层的另一部分可以用作电容器Cst的电极。
第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3可以均具有其中两个晶体管并联连接的结构。电容器Cst可以具有其中两个电容器并联连接的结构。第一晶体管M1可以是双栅极晶体管。
电容器Cst可以包括第一电极701、第二电极702和第三电极703。第一绝缘层51和第二绝缘层52可以布置在第三电极703与第一电极701之间，第三绝缘层53可以布置在第一电极701与第二电极702之间。第三电极703可以布置在基底50上，第一电极701可以覆盖第三电极703并且布置在第二绝缘层52上，第二电极702可以覆盖第一电极701并且布置在第三绝缘层53上。从第一电极701的一部分延伸的部分可以用作第一晶体管M1的第二栅电极603，从第一电极701的另一部分延伸的部分可以电连接到第二晶体管M2的第二电极615。从第二电极702的一端延伸的部分可以用作第一晶体管M1的第二电极605，从第二电极702的另一端延伸的部分可以电连接到连接电极CE3。从第三电极703延伸的部分可以用作第一晶体管M1的第一栅电极601。第三电极703可以经由接触孔CNT3电连接到第二电极702。因此，第一晶体管M1的第一栅电极601和电容器Cst的第三电极703可以接收施加到像素电极801的电压。
1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2可以布置在每行中。2-1电力线VSL1和2-2电力线VSL2可以经由接触孔CNT4电连接。1-1电力线VDL1和1-2电力线VDL2可以经由接触孔CNT9电连接。2-1电力线VSL1可以具有比1-1电力线VDL1的(沿垂直于其延伸方向的方向截取的)宽度和面积大的宽度和面积。2-2电力线VSL2可以具有比1-2电力线VDL2的(沿垂直于其延伸方向的方向截取的)宽度和面积大的宽度和面积。
在非显示区域的垫单元PAD2中可以在第四绝缘层54上包括垫电极901。垫电极901上的第五绝缘层55和第六绝缘层56可以被去除，因此垫电极901的一部分可以暴露于外侧。
在图5A中示出的像素PX2中，可以用比图4A中示出的像素PX1的面积小的面积提供充足的电容器容量，因此，第二电力线VSL的2-2电力线VSL2可以布置在每行中，从而防止第二电力电压ELVSS的电压降。
虽然在图5B中示出了第二绝缘层52设置在基底50的整个表面上，但是，如图5C中所示，第二绝缘层52可以具有与栅电极603、613和623的宽度基本上相等的宽度和与电容器Cst的第一电极701的宽度基本上相等的宽度。
图5D示出了构成单元像素PX2的第一子像素SPX21、第二子像素SPX22、第三子像素SPX23和布线的布置。参照图5D，在第一子像素SPX21、第二子像素SPX22和第三子像素SPX23中的每个的电容器Cst中，通过第三电极703与第一电极701提供的电容器和通过第一电极701与第二电极702提供的电容器并联连接，因此，可以用比图4A中示出的电容器Cst的面积小的面积提供更高的容量。因此，可以在每行中确保用于布置1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2中的全部的空间。第一子像素SPX21、第二子像素SPX22和第三子像素SPX23中的每个的电容器Cst的容量(大小)可以不同。
在每个像素PX2中，1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2可以沿第二方向延伸。也就是说，第一子像素SPX21、第二子像素SPX22和第三子像素SPX23可以连接到1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2。1-2电力线VDL2可以相对于2-2电力线VSL2布置在外部部分中。
图6A和图6B是像素PX3的另一示例性实施例的剖视图。
图6A仅示出了像素PX3的第一晶体管M1和电容器Cst。
导电层60可以布置在基底50上，第一绝缘层51可以布置在导电层60上。导电层60的一部分可以用作第一晶体管M1的第一栅电极601，导电层60的另一部分可以用作电容器Cst的第三电极703。
第一晶体管M1的半导体层602可以布置在第一绝缘层51上。第二绝缘层52可以布置在半导体层602上。第一晶体管M1的第二栅电极603和电容器Cst的第一电极701可以布置在第二绝缘层52上。第三绝缘层53可以布置在第一晶体管M1的第二栅电极603和电容器Cst的第一电极701上。第一晶体管M1的第一电极604和第二电极605以及电容器Cst的第二电极702可以布置在第三绝缘层53上。第一晶体管M1的第一电极604可以经由接触孔CNT11接触并且电连接到半导体层602的源区和漏区中的一个。第一晶体管M1的第二电极605可以经由接触孔CNT12接触并且电连接到半导体层602的源区和漏区中的一个。第一晶体管M1的第二电极605可以经由接触孔CNT13接触并且电连接到导电层60。第一晶体管M1的第二电极605可以用作将布置在不同层中的半导体层602的源区和漏区中的一个连接到导电层60的连接电极。电容器Cst的第二电极702可以经由接触孔CNT14接触并且电连接到导电层60。第四绝缘层54可以布置在第一晶体管M1的第一电极604和第二电极605以及电容器Cst的第二电极702上。经由接触孔CNT15电连接到第一晶体管M1的第二电极605的保护电极810可以布置在第四绝缘层54上。保护电极810可以防止形成像素电极801时由于第一晶体管M1的第二电极605的暴露导致的损坏。
第五绝缘层55可以布置在保护电极810上。像素电极801可以布置在第五绝缘层55上。当像素电极801经由接触孔CNT16电连接到保护电极810时，像素电极801可以电连接到第一晶体管M1的第二电极605和导电层60。也就是说，第一晶体管M1的第一栅电极601和电容器Cst的第二电极702可以接收与施加到像素电极801的电压相同的电压。在示例性实施例中，保护电极810可以包括诸如氧化铟锡(“ITO”)或氧化铟锌(“IZO”)等的透明材料。
第一垫电极902和第二垫电极903可以布置在非显示区域的垫单元PAD3中。第一垫电极902可以布置在第三绝缘层53上。第二垫电极903可以在去除了第一垫电极902上的第四绝缘层54的部分中接触第一垫电极902以电连接到第一垫电极902。第二垫电极903可以防止由于第一垫电极902暴露于外侧导致的腐蚀。在示例性实施例中，第二垫电极903可以包括诸如ITO或IZO等的透明材料。
在图6B中，不同于第二绝缘层52设置在基底50的整个表面上的图6A，第二绝缘层52具有与栅电极603、613和623(参见图4A至图5D)的宽度以及电容器Cst的第一电极701的宽度基本上相等的宽度。例如，在示例性实施例中，第二绝缘层52可以在与第一晶体管M1的第二栅电极603和电容器Cst的第一电极701的掩模操作相同的掩模操作中设置，因此，第二绝缘层52的侧表面可以与第一晶体管M1的第二栅电极603的侧表面和电容器Cst的第一电极701的侧表面对应，并且可以与第二栅电极603的侧表面和第一电极701的侧表面布置在同一平面中。
尽管在图中未示出，但是构成第二晶体管M2和第三晶体管M3的半导体层、栅电极、第一电极和第二电极可以包括分别与第一晶体管M1的半导体层、第二栅电极、第一电极和第二电极的材料相同的材料，并且可以设置在与其中分别设置第一晶体管M1的半导体层、第二栅电极、第一电极和第二电极的层相同的层中。
覆盖像素电极801的边缘的第六绝缘层56可以布置在第五绝缘层55上。包括发射层的中间层和在中间层上面对像素电极801的对电极可以布置在像素电极801上。
尽管在图6A和图6B中未示出，但是可以参照图4A至图5D来理解1-1电力线VDL1、1-2电力线VDL2、2-1电力线VSL1和2-2电力线VSL2。1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2可以布置在第二绝缘层52上，即，与第二栅电极603在同一层中。1-1电力线VDL1和2-1电力线VSL1可以布置在第三绝缘层53上，即，与第一电极604和第二电极605在同一层中。1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2可以以行为单位交替布置。1-1电力线VDL1和1-2电力线VDL2可以经由接触孔电连接。2-1电力线VSL1和2-2电力线VSL2可以经由接触孔电连接。对电极可以接触并且电连接到2-1电力线VSL1，2-1电力线VSL1连接到像素PX3。1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2可以布置在每行中。
图7是像素PX4的另一示例性实施例的剖视图。
图7的示例性实施例与图4B的示例性实施例的不同之处在于1-1电力线VDL1和2-1电力线VSL1具有双层结构。在下文中，描述将聚焦在与图4B的示例性实施例的不同，并且将省略关于图4B的示例性实施例提供的元件的描述。
参照图7，4-1绝缘层54a可以布置在像素PX4的第一晶体管M1的第一电极604和第二电极605、第二晶体管M2的第一电极614和第二电极615以及第三晶体管M3的第一电极624和第二电极625上。
1-1电力线VDL1和2-1电力线VSL1以及连接电极CE3可以布置在4-1绝缘层54a上。4-2绝缘层54b可以布置在1-1电力线VDL1和2-1电力线VSL1以及连接电极CE3上。
经由接触孔电连接到2-1电力线VSL1的第一辅助线AL1、经由接触孔电连接到1-1电力线VDL1的第二辅助线AL2和经由接触孔电连接到连接电极CE3的第三辅助线AL3可以布置在4-2绝缘层54b上。第一辅助线AL1、第二辅助线AL2和第三辅助线AL3可以降低在其下方的1-1电力线VDL1和2-1电力线VSL1以及连接电极CE3的电阻，从而使电压降最小化。
第五绝缘层55可以布置在第一辅助线AL1、第二辅助线AL2和第三辅助线AL3上，像素电极801可以布置在第五绝缘层55上。当像素电极801经由接触孔电连接到第三辅助线AL3时，像素电极801可以电连接到连接电极CE3和第一晶体管M1的第一栅电极601。也就是说，第一晶体管M1的第一栅电极601可以接收与施加到像素电极801的电压相同的电压。
4-1绝缘层54a上的第一垫电极901和4-2绝缘层54b上的第二垫电极904可以设置在垫单元PAD4中。第二垫电极904可以经由4-2绝缘层54b的在第一垫电极901上的接触孔接触并电连接到第一垫电极901。可以去除在第二垫电极904上的第五绝缘层55和第六绝缘层56，因此可以使第二垫电极904的一部分暴露于外侧。
图8是像素PX5的另一示例性实施例的剖视图。
图8的示例性实施例与图6A的示例性实施例的不同之处在于第一晶体管M1的第一电极604和第二电极605以及电容器Cst的第二电极702具有双层结构。在下文中，描述将聚焦在与图6A的示例性实施例的不同，并且将省略关于图6A的示例性实施例提供的元件的描述。
参照图8，第一晶体管M1的第一电极604和第二电极605以及电容器Cst的第二电极702可以布置在像素PX5的第三绝缘层53上。第一晶体管M1的第一电极604可以通过接触孔接触并且电连接到半导体层602的源区和漏区中的一个。第一晶体管M1的第二电极605可以通过接触孔接触并且电连接到半导体层602的源区和漏区中的另一个。第一晶体管M1的第二电极605可以经由接触孔接触导电层60以电连接到导电层60。第一晶体管M1的第二电极605可以用作将布置在不同层中的半导体层602的源区和漏区中的一个连接到导电层60的连接电极。
电容器Cst的第二电极702可以经由接触孔接触导电层60以电连接到导电层60。4-1绝缘层54a可以布置在第一晶体管M1的第一电极604和第二电极605以及电容器Cst的第二电极702上。
经由接触孔电连接到第一晶体管M1的第二电极605的第四辅助线AL4、经由接触孔电连接到第一晶体管M1的第一电极604的第五辅助线AL5和经由接触孔电连接到电容器Cst的第二电极702的第六辅助线AL6可以布置在4-1绝缘层54a上。第四辅助线AL4、第五辅助线AL5和第六辅助线AL6可以分别降低分别在第四辅助线AL4、第五辅助线AL5和第六辅助线AL6下方的第二电极605、第一电极604和第二电极702的电阻。
4-2绝缘层54b可以布置在第四辅助线AL4、第五辅助线AL5和第六辅助线AL6上，经由接触孔电连接到第四辅助线AL4的保护电极810可以布置在4-2绝缘层54b上。保护电极810可以防止形成像素电极801时由于第四辅助线AL4的暴露导致的损坏。
第五绝缘层55可以布置在保护电极810上。像素电极801可以布置在第五绝缘层55上。当像素电极801经由接触孔电连接到保护电极810时，像素电极801可以电连接到第一晶体管M1的第二电极605和导电层60。也就是说，第一晶体管M1的第一栅电极601和电容器Cst的第二电极702可以接收与施加到像素电极801的电压相同的电压。
导电层60的一部分可以用作第一晶体管M1的第一栅电极601，导电层60的另一部分可以用作电容器Cst的第三电极703。
在垫单元PAD5中，可以包括第三绝缘层53上的第一垫电极902、4-1绝缘层54a上的第二垫电极905和4-2绝缘层54b上的第三垫电极906。第二垫电极905可以经由在4-1绝缘层54a中的接触孔接触并且电连接到第一垫电极902。第三垫电极906可以在去除了第二垫电极905上的4-2绝缘层54b的部分中接触并且电连接到第二垫电极905。可以去除第三垫电极906上的第五绝缘层55和第六绝缘层56，因此可以使第三垫电极906的一部分暴露于外侧。第三垫电极906可以防止由于第二垫电极905暴露于外侧导致的腐蚀。
在示例性实施例中，保护电极810和第三垫电极906可以包括诸如ITO或IZO等的透明材料。
在图4A至图5D和图7的示例性实施例中，1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2被描述为设置在与电容器Cst的第二电极702的层相同的层中并且包括与电容器Cst的第二电极702的材料相同的材料，但是1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2可以设置在与电容器Cst的第一电极701或第三电极703的层相同的层中并且包括与电容器Cst的第一电极701或第三电极703的材料相同的材料。在可选的示例性实施例中，1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2可以包括与电容器Cst的第一电极701、第二电极702和/或第三电极703的材料相同的材料作为双布线或三布线。
在图6A、图6B和图8的示例性实施例中，1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2被描述为设置在第二绝缘层52上，即，设置在与电容器Cst的第一电极701的层相同的层中并且包括与电容器Cst的第一电极701的材料相同的材料。1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2可以设置在与电容器Cst的第二电极702或第三电极703的层相同的层中并且包括与电容器Cst的第二电极702或第三电极703的材料相同的材料。在可选的示例性实施例中，1-2电力线VDL2和2-2电力线VSL2可以包括与电容器Cst的第一电极701、第二电极702和/或第三电极703的材料相同的材料作为双布线或三布线。
在发明的示例性实施例中，驱动晶体管实现为双栅极晶体管，当驱动晶体管的源极电压施加到下栅电极时，可以改善晶体管特性。
另外，在发明的示例性实施例中，通过实现竖直布置的两个电容器的并联结构，可以使用相对小的面积确保大容量。因此，当电连接到发光器件的阴极电极的电力线可以布置在每个像素中时，可以防止在阴极电极中的电压降。
在发明的示例性实施例中，双栅极晶体管可以用来增强晶体管特性，并且可以用相对小的面积确保充足的电容器容量，从而提供其中防止图像质量的劣化的显示装置。
根据发明的显示装置的示例性实施例可以应用于诸如平板个人计算机(“PC”)、智能电话、个人数字助理(“PDA”)、便携式多媒体播放器(“PMP”)、游戏机、腕表型电子装置的便携终端。显示装置不限于便携终端，并且可以用在诸如电视机或外部广告牌的大型电子设备或诸如个人计算机、笔记本计算机、汽车导航单元或照相机的中小型电子设备中。发明不限于上述示例，并且还可以应用于发明的范围内的其他电子设备。
应理解的是，这里描述的实施例应当仅以描述性意义来考虑而非限制的目的。每个示例性实施例中的特征的描述通常应被认为可用于其他示例性实施例中的其他类似特征。
尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一晶体管，包括半导体层、第一电极和第二电极以及第一栅电极和第二栅电极，所述第一电极和所述第二电极分别电连接到所述半导体层的源区和漏区，所述第一栅电极和所述第二栅电极与所述半导体层的沟道区对应并且彼此面对；以及
电容器，包括第一电容器电极、位于所述第一电容器电极上方的第二电容器电极和位于所述第一电容器电极下方的第三电容器电极，
其中，所述第一晶体管的所述第一栅电极电连接到所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的一个，并且
所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的所述一个电连接到所述第三电容器电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电容器的所述第二电容器电极和所述第三电容器电极彼此电连接。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括像素电极，
其中，所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的所述一个和所述电容器的所述第二电容器电极电连接到所述像素电极。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括连接电极，所述连接电极电连接到所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的所述一个并电连接到所述电容器的所述第二电容器电极，
其中，所述像素电极电连接到所述连接电极。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管的所述第一栅电极从所述电容器的所述第三电容器电极延伸。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管的所述第二栅电极从所述电容器的所述第一电容器电极延伸。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的所述一个从所述电容器的所述第二电容器电极延伸。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管的所述第一栅电极和所述电容器的所述第三电容器电极设置在同一层中，并且
所述第一晶体管的所述第二栅电极和所述电容器的所述第一电容器电极设置在同一层中，并且
所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极以及所述电容器的所述第二电容器电极设置在同一层中。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括第二晶体管，所述第二晶体管连接在所述第一晶体管的所述第二栅电极与数据线之间。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括第三晶体管，所述第三晶体管连接在所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的所述一个与感测线之间。
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