CN110993834A - Oled显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Oled显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。OLED显示基板的制作方法，包括：在形成OLED显示基板的阳极之前，采用纳米压印工艺在OLED显示基板的像素区域形成多个阻隔墙，所述阻隔墙将每一像素区域分割成多个子像素区域；形成覆盖所述阻隔墙的阳极材料层；去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分，暴露出所述阻隔墙，所述阻隔墙将所述阳极材料层分割成多个阳极图形，每一所述阳极图形位于一所述子像素区域内。本发明的技术方案能够提高OLED显示基板的像素密度，进而能够基于OLED显示基板实现裸眼3D显示效果。

Description

OLED显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
基于现有显示产品，尤其是手机显示屏实现裸眼3D显示效果，存在PPI(像素密度)低、信息量少、3D视角小等缺陷，易使人产生头晕，且用户体验不佳。为了解决这些问题，可以提高显示产品的像素密度，从而实现高分辨率裸眼3D显示，但现有的OLED显示基板是通过构图工艺将阳极图形化，由于构图工艺精度的限制，OLED显示基板的PPI很难提升。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高OLED显示基板的像素密度，进而能够基于OLED显示基板实现裸眼3D显示效果。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种OLED显示基板的制作方法，包括：
在形成OLED显示基板的阳极之前，采用纳米压印工艺在OLED显示基板的像素区域形成多个阻隔墙，所述阻隔墙将每一像素区域分割成多个子像素区域；
形成覆盖所述阻隔墙的阳极材料层；
去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分，暴露出所述阻隔墙，所述阻隔墙将所述阳极材料层分割成多个阳极图形，每一所述阳极图形位于一所述子像素区域内。
可选地，形成所述阻隔墙之前，所述方法还包括：
形成像素界定层，所述像素界定层限定出所述像素区域。
可选地，形成所述像素界定层和所述阻隔墙包括：
采用纳米压印工艺同时形成所述像素界定层和所述阻隔墙。
可选地，所述去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分包括：
利用化学机械抛光工艺对所述阳极材料层进行磨平处理。
本发明的实施例提供了一种OLED显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。
可选地，所述阻隔墙远离所述衬底基板一侧表面的宽度不大于100nm。
可选地，所述子像素区域的宽度小于1微米。
可选地，所述阻隔墙在第一方向上的截面为三角形或梯形，所述第一方向垂直于所述衬底基板且垂直于所述阻隔墙的延伸方向。
可选地，所述三角形的底角大于60°；或所述梯形的底角大于60°。
本发明的实施例提供了一种显示装置，包括如上所述的OLED显示基板。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，采用纳米压印工艺在OLED显示基板的像素区域形成多个阻隔墙，之后形成阳极材料层，去除阳极材料层远离OLED显示基板的衬底基板的一部分后，暴露出的阻隔墙将阳极材料层分割成多个相互独立的阳极图形，从而将每一像素区域分割成多个子像素区域，由于纳米压印的精度很高，因此，通过本实施例的技术方案可以显著提高OLED显示基板的像素密度，进而能够基于OLED显示基板实现裸眼3D显示效果。
附图说明
图1为双视点的空间复用示意图；
图2和图3为本发明实施例形成阻隔墙后的示意图；
图4和图5为本发明实施例形成阳极材料层后的示意图；
图6和图7为本发明实施例形成阳极图形后的示意图；
图8为本发明实施例OLED显示基板的示意图。
附图标记
1基板
2像素界定层
3阻隔墙
4阳极材料层
5薄膜封装层
6光学胶层
7柔性基底
8凸透镜
9发光层
10阴极层
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
裸眼3D显示技术主要包括全息3D显示技术、自由立体3D显示技术等。其中自由立体3D显示技术由于能够获得动态、彩色以及大视场角的三维显示效果，一直被认为是可能最快进行商业化推广的裸眼3D显示技术。自由立体3D显示技术又大致可以分为两类：一类是基于几何光学的裸眼3D显示技术，像目前比较成熟的柱透镜阵列技术、视差屏障技术、微透镜阵列技术等。这类技术主要是基于光线的直线传播、反射、折射等原理，通过结构的设计，改变显示屏中每个像素的出射方向，将各视角图像投射于不同的视点位置，使人的左右眼观看到不同的视角图像，形成立体视觉感。
用于裸眼3D显示的光学屏幕上通常需要显示具有视差的多视点图像。通过光学分离部件将屏幕上显示的多个视点图像分离到不同的视区，观众在某一视区内只能观察到一个视点图像，当观众的左右眼同时处于左右两个不同视区时，左右视点图像间的水平视差经大脑融合产生正确的深度信息。空间复用是对多视点图像进行交织绘制的一种裸眼立体显示技术，即先将多个视点图像分别切分成多个块状子图像，然后经交织(按照一定规律依次从每个视点图像中挑选一部分块状子图像)合并成单幅图像并进行立体显示，如图1所示。
基于现有显示产品，尤其是手机显示屏实现裸眼3D显示效果，存在PPI低、信息量少、3D视角小等缺陷，易使人产生头晕，且用户体验不佳。为了解决手机裸眼3D显示技术这些问题，现有技术将RGB亚像素的阳极再次图形化，通过叠层阳极结构设计，将不同子像素的阳极实现无缝拼接，从而实现高分辨率裸眼3D显示。但该方案存在细分子像素阳极之间空隙(gap)过多，间隔(Space)大，容易产生摩尔纹不良；且通过叠层阳极结构设计子像素阳极中的垂直细分子像素容易造成OLED显示基板的金属阴极电阻增加甚至断路的风险。
本发明的实施例针对上述问题，提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高OLED显示基板的像素密度，进而能够基于OLED显示基板实现裸眼3D显示效果。
本发明的实施例提供一种OLED显示基板的制作方法，包括：
在形成OLED显示基板的阳极之前，采用纳米压印工艺在OLED显示基板的像素区域形成多个阻隔墙，所述阻隔墙将每一像素区域分割成多个子像素区域；
形成覆盖所述阻隔墙的阳极材料层；
去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分，暴露出所述阻隔墙，所述阻隔墙将所述阳极材料层分割成多个阳极图形，每一所述阳极图形位于一所述子像素区域内。
本实施例中，采用纳米压印工艺在OLED显示基板的像素区域形成多个阻隔墙，之后形成阳极材料层，去除阳极材料层远离OLED显示基板的衬底基板的一部分后，暴露出的阻隔墙将阳极材料层分割成多个相互独立的阳极图形，从而将每一像素区域分割成多个子像素区域，由于纳米压印的精度很高，因此，通过本实施例的技术方案可以显著提高OLED显示基板的像素密度，进而能够基于OLED显示基板实现裸眼3D显示效果。
本发明的示例性实施例中，形成所述阻隔墙之前，所述方法还包括：
形成像素界定层，所述像素界定层限定出所述像素区域。
其中，像素界定层可以采用构图工艺形成，也可以采用纳米压印工艺形成。在像素界定层采用纳米压印工艺形成时，可以采用纳米压印工艺同时形成所述像素界定层和所述阻隔墙，这样能够减少OLED显示基板的工艺次数，节省OLED显示基板的制作时间，降低OLED显示基板的生产成本。
本发明的示例性实施例中，所述去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分包括：
利用化学机械抛光工艺对所述阳极材料层进行磨平处理。当然，本发明的技术方案并不局限于采用化学机械抛光工艺去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分，还可以采用其他方式比如刻蚀工艺等去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分。
一具体实施例中，本发明的OLED显示基板的制作方法包括以下步骤：
步骤1、如图2和图3所示，在基板1上形成像素界定层2和阻隔墙3；
其中，基板1可以包括衬底基板和薄膜晶体管整列层。本实施例的技术方案与现有OLED显示基板的制作流程不同，是在形成阳极之前先制作像素界定层2，像素界定层2限定出多个像素区域，每个像素区域的最小宽度在2微米左右，这也是现有OLED显示基板每一像素所能达到的最小尺寸，因此现有OLED显示基板的像素密度较小。
采用纳米压印工艺在像素区域内形成阻隔墙3，纳米压印的精度很高，阻隔墙3的尺寸为纳米级别，阻隔墙3将像素区域分割成多个子像素区域，每一子像素区域的最大宽度不超过1微米，这样能够降低OLED显示基板的像素的尺寸，进而提高OLED显示基板的像素密度。
阻隔墙3在第一方向上的截面可以为三角形或梯形，所述第一方向垂直于所述衬底基板且垂直于所述阻隔墙的延伸方向。三角形或梯形的底角越大，则在阻隔墙3的底面尺寸相同的情况下，后续形成的阳极图形之间的间隔越小，为了使得后续形成的阳极图形之间的间隔较小，避免出现摩尔纹不良，所述三角形的底角可以大于60°；或所述梯形的底角可以大于60°。
步骤2、如图4和图5所示，形成覆盖阻隔墙3的阳极材料层4；
可以采用溅射或沉积工艺制备阳极材料层4，阳极材料层4的厚度需要满足大于阻隔墙3的高度，这样阳极材料层4可以完全覆盖阻隔墙3；当然，阳极材料层4的厚度也可以不大于阻隔墙3的高度，但在制备阳极材料层4的过程中，仍难免会有部分阳极材料会覆盖在阻隔墙3上，因此不同子像素区域的阳极材料层是连通的；
步骤3、如图6和图7所示，采用化学机械抛光工艺对阳极材料层4进行磨平处理，暴露出阻隔墙3，阻隔墙3将阳极材料层4分割成多个相互独立的阳极图形。
阳极材料层4形成之后，再利用化学机械抛光工艺(CMP)对阳极材料层4进行磨平处理，磨平到阻隔墙3上表面露出可将阳极断开的宽度，阻隔墙3的宽度根据实际情况可以为100nm上下或者更小。如图7所示，阳极图形的宽度为L1，可以为微米尺寸；阻隔墙3露出表面的宽度为L2为纳米尺寸，可小于等于100nm；阻隔墙3需要被磨掉的高度为h1，像素界定层2被磨掉的厚度为h2。当然，在磨平处理时，也可以仅对阻隔墙3进行磨平，而不磨平像素界定层2。
其中，阳极图形为矩形，阳极图形的宽度为矩形中较短的边的长度，阻隔墙3露出表面的宽度为该表面在垂直于阻隔墙3的延伸方向的方向上的宽度。
如图7所示，在阻隔墙3露出后，阻隔墙3将阳极材料层4分割成多个相互独立的阳极图形，相互独立的阳极图形可以分开驱动，从而将像素区域分割成多个能独立可控且连续发光的子像素区域，大大提高了OLED显示基板的像素密度，为OLED显示基板实现裸眼3D显示效果提供了基础。
本实施例中，由于相邻阳极图形之间的间隔很小，可以达到纳米级别，因此可以增大子像素的有效发光面积。另外，本实施例无需通过高度差来将相邻子像素区域的阳极断开，所有子像素的阳极图形都在一个平面内，没有OLED显示基板的阴极电阻增加甚至断路的风险。
本发明的实施例提供了一种OLED显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。
本实施例中，采用纳米压印工艺在OLED显示基板的像素区域形成多个阻隔墙，之后形成阳极材料层，去除阳极材料层远离OLED显示基板的衬底基板的一部分后，暴露出的阻隔墙将阳极材料层分割成多个相互独立的阳极图形，从而将每一像素区域分割成多个子像素区域，由于纳米压印的精度很高，因此，通过本实施例的技术方案可以显著提高OLED显示基板的像素密度，进而能够基于OLED显示基板实现裸眼3D显示效果。
可选地，所述子像素区域的宽度小于1微米。采用纳米压印工艺在像素区域内形成阻隔墙3，纳米压印的精度很高，阻隔墙3的尺寸为纳米级别，阻隔墙3将像素区域分割成多个子像素区域，每一子像素区域的最大宽度不超过1微米，这样能够降低OLED显示基板的像素的尺寸，进而提高OLED显示基板的像素密度。
如图3所示，阻隔墙3在第一方向上的截面可以为三角形或梯形，所述第一方向垂直于所述衬底基板且垂直于所述阻隔墙的延伸方向。三角形或梯形的底角越大，则在阻隔墙3的底面尺寸相同的情况下，后续形成的阳极图形之间的间隔越小，为了使得后续形成的阳极图形之间的间隔较小，所述三角形的底角可以大于60°；或所述梯形的底角可以大于60°。
可选地，所述阻隔墙远离所述衬底基板一侧表面的宽度不大于100nm，这样相邻阳极图形之间的间隔不大于100nm，能够避免出现摩尔纹不良。
如图8所示，本实施例的OLED显示基板还包括发光层9、阴极层10、薄膜封装层5、光学胶层6、柔性基底7和凸透镜8，凸透镜8能够对OLED显示基板出射的光线进行汇聚，提高OLED显示基板出射的光线的亮度，改善裸眼3D的显示效果。
本发明的实施例提供了一种显示装置，包括如上所述的OLED显示基板。
所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
该显示装置包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解，上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定，显示装置可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。在本发明实施例中，显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
在本发明各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
在形成OLED显示基板的阳极之前，采用纳米压印工艺在OLED显示基板的像素区域形成多个阻隔墙，所述阻隔墙将每一像素区域分割成多个子像素区域；
形成覆盖所述阻隔墙的阳极材料层；
去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分，暴露出所述阻隔墙，所述阻隔墙将所述阳极材料层分割成多个阳极图形，每一所述阳极图形位于一所述子像素区域内。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，形成所述阻隔墙之前，所述方法还包括：
形成像素界定层，所述像素界定层限定出所述像素区域。
3.根据权利要求2所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，形成所述像素界定层和所述阻隔墙包括：
采用纳米压印工艺同时形成所述像素界定层和所述阻隔墙。
4.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分包括：
利用化学机械抛光工艺对所述阳极材料层进行磨平处理。
5.一种OLED显示基板，其特征在于，采用如权利要求1-4中任一项所述的制作方法制作得到。
6.根据权利要求5所述的OLED显示基板，其特征在于，所述阻隔墙远离所述衬底基板一侧表面的宽度不大于100nm。
7.根据权利要求5所述的OLED显示基板，其特征在于，所述子像素区域的宽度小于1微米。
8.根据权利要求5所述的OLED显示基板，其特征在于，
所述阻隔墙在第一方向上的截面为三角形或梯形，所述第一方向垂直于所述衬底基板且垂直于所述阻隔墙的延伸方向。
9.根据权利要求8所述的OLED显示基板，其特征在于，
所述三角形的底角大于60°；或所述梯形的底角大于60°。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5-9中任一项所述的OLED显示基板。
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