CN108539016A - 柔性衬底及其制备方法、显示面板的制备方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种柔性衬底及其制备方法、显示面板的制备方法和显示装置。该一种柔性衬底,用于承载柔性显示器件,所述柔性显示器件设有显示区,所述显示区内划分为多个像素区,相邻所述像素区之间为间隔区,所述柔性衬底包括支撑层,所述支撑层的一侧表层在对应着所述间隔区的区域设置有多个微型凹槽。该柔性衬底通过对支撑层进行图案化微型凹槽设计,使支撑层及其上方的走线具有凹凸起伏的构造,而控制元件对应的区域并不设置起伏构造、还在其下方处理为较坚硬的结构,适于将柔性发光器件与延展层结合,形成具有可拉伸性质的柔性器件,特别适用于对柔性显示器件支撑。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种柔性衬底及其制备 方法、显示面板的制备方法和显示装置。
背景技术
随着科学技术的发展,平板显示装置已取代笨重的CRT显示 装置日益深入人们的日常生活中。目前,常用的平板显示装置包 括LCD(Liquid Crystal Display:液晶显示装置)和OLED(Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管)显示装置。相比LCD装 置,OLED显示具有自发光、可柔性等优点。
近年来,柔性显示(Flexible Display)技术发展十分迅速, 各种柔性显示屏发展计划层出不穷,涉及显示、可穿戴式等多个 领域。柔性显示具备可拉伸性(stretchable),对其衬底、薄膜 晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)、发光器件、电路布 置等多个方面都提出了特别的要求。
薄膜晶体管形成在衬底上,为适应可拉伸性,一般将薄膜晶 体管做成独立岛状结构,以避免在拉伸动作时对显示器件造成破 坏。但是,一般的设计由于柔性基板较厚且弹性模量较大,所以 拉伸或变形时较为困难,甚至会造成断裂。
设计一种具有较好延展性,又对薄膜晶体管具有较好支撑性 的显示器件,成为目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中上述不足,提 供一种柔性衬底及其制备方法、显示面板的制备方法和显示装置, 该柔性衬底具有较好延展性,能更好的应对应力拉伸,又对薄膜 晶体管具有较好的支撑性,保证显示性能。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种柔性衬底,用 于承载柔性显示器件,所述柔性显示器件设有显示区,所述显示 区内划分为多个像素区,相邻所述像素区之间为间隔区,所述柔 性衬底包括支撑层,所述支撑层的一侧表层在对应着所述间隔区 的区域设置有多个微型凹槽。
优选的是,所述柔性显示器件还包括位于所述显示区外围的 非显示区,所述非显示区内设有绑定区,所述支撑层的一侧表层 在对应着所述非显示区除所述绑定区之外的区域设置有多个所述 微型凹槽。
优选的是,所述柔性衬底还包括延展层,所述延展层位于所 述支撑层未设置所述微型凹槽的一侧。
优选的是,每一所述像素区内均设置有控制元件,所述延展 层由受光能发生改质的材料形成,所述延展层对应着所述控制元 件的区域光照改质为加固区,所述加固区的弹性模量大于除所述 加固区以外的其他区域的弹性模量。
优选的是,所述微型凹槽的深度不大于所述支撑层的厚度的 十分之一。
优选的是,所述微型凹槽为圆形槽或矩形槽。
优选的是,在对应着所述间隔区的区域,多个所述微型凹槽 均匀分布;
在对应着所述非显示区除所述绑定区之外的区域中,多个所 述微型凹槽均匀分布;或者,多个所述微型凹槽在靠近边缘的密 度大于处于中间的密度;或者,多个所述微型凹槽在靠近边缘的 尺寸大小大于处于中间的尺寸大小。
优选的是,所述支撑层包括聚酰亚胺材料,所述延展层包括 聚二甲基硅氧烷材料。
一种柔性衬底的制备方法,所述柔性衬底用于承载柔性显示 器件,所述柔性显示器件设有显示区,所述显示区内划分为多个 像素区,相邻所述像素区之间为间隔区,包括:
设置支撑膜层;
在所述支撑膜层的一侧表层对应着所述间隔区的区域形成多 个微型凹槽,从而形成支撑层。
优选的是,所述柔性显示器件还包括位于所述显示区外围的 非显示区,所述非显示区内设有绑定区,所述制备方法包括:
在所述支撑膜层的一侧表层对应着所述间隔区的区域形成多 个微型凹槽的步骤中,还同时在所述支撑层的一侧表层在对应着 所述非显示区除所述绑定区之外的区域形成多个所述微型凹槽。
优选的是,形成多个所述微型凹槽的方法包括激光烧蚀方法, 或者干法刻蚀方法,或者湿法刻蚀方法,或者纳米压印方法。
优选的是,形成多个微型凹槽的步骤包括:
在所述支撑膜层的一侧表层形成抗蚀层;
对所述抗蚀层进行图案化处理,图案化处理后的抗蚀层包括 抗蚀层去除区域和抗蚀层保留区域;
利用刻蚀媒介所述抗蚀层去除区域对应的所述支撑膜层部 分,形成所述微型凹槽;
将所述抗蚀层剥离。
优选的是,所述制备方法还包括:
在所述支撑层未设置所述微型凹槽的一侧设置延展层,所述 延展层由受光能发生改质的材料形成。
优选的是,每一所述像素区内均设置有控制元件,所述制备 方法还包括:
对所述延展层远离所述支撑层的一侧表层在对应着所述控制 元件的区域采用紫外光照射,使得所述延展层对应着所述控制元 件的区域光照改质形成加固区,所述加固区的弹性模量大于除所 述加固区以外的其他区域的弹性模量。
一种显示面板的制备方法,包括:
在衬底衬垫的上方设置上述的柔性衬底的支撑层;
在所述支撑层设置有所述微型凹槽的一侧、对应着所述像素 区的区域内的一角形成控制元件;
在所述控制元件远离所述微型凹槽的一侧、对应着所述像素 区的区域形成发光器件;
将所述支撑层与所述衬底衬垫分离。
优选的是,还包括:
将所述支撑层及所述控制元件和所述发光器件转移到延展层 的上方,所述支撑层未设置所述微型凹槽的一侧与所述延展层接 触;
对所述延展层远离所述支撑层的一侧表层在对应着所述控制 元件的区域进行改质形成加固区,所述加固区的弹性模量大于除 所述加固区以外的其他区域的弹性模量。
一种显示装置,包括上述的制备方法形成的显示面板。
本发明的有益效果是:该柔性衬底,通过对支撑层进行图案 化微型凹槽设计,使支撑层及其上方的走线具有凹凸起伏的构造, 而控制元件对应的区域并不设置凹凸起伏构造、还在其下方处理 为较坚硬的结构,适于将柔性发光器件与延展层结合,形成具有 可拉伸性质的柔性器件,特别适用于对柔性显示器件支撑。
附图说明
图1为本发明实施例1中柔性衬底的剖视图;
图2为与图1对应的柔性衬底的平面示意图;
图3A-图3C为图2中以AA截面剖视示例柔性衬底的制备方 法的流程示意图;
图4A为在图3C基础上形成加固区的平面示意图;
图4B为紫外光照射前后检测延展层PDMS中各成分占比结果 图;
图5A-图5E为本发明实施例3中柔性显示面板的制备方法的 流程示意图;
图6A、图6B为对应图5C、图5E的平面示意图;
附图标识中:
1-衬底衬垫;10-像素区;11-间隔区;2-支撑层;20-微型凹 槽;21-支撑膜层;3-控制元件;4-发光器件;5-封装层;6-延展 层;60-加固区。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结 合附图和具体实施方式对本发明柔性衬底及其制备方法、显示面 板的制备方法和显示装置作进一步详细描述。
实施例1:
本实施例针对柔性衬底的品质影响控制元件TFT和发光器件 OLED的性能的问题,提供一种柔性衬底,在保证支撑性能的情况 下提供足够的延展性。
该柔性衬底用于承载柔性显示器件,柔性显示器件设有显示 区,显示区内划分为多个像素区,相邻像素区之间为间隔区,柔 性衬底包括支撑层,如图1和图2所示,支撑层2的一侧表层在 对应着相邻像素区10之间的间隔区11的区域设置有多个微型凹 槽20。该柔性衬底在用来形成显示面板的过程中,在支撑层2设 置柔性显示器件的一侧设置微型凹槽20,即微型凹槽20的槽口朝 向柔性显示器件。该柔性衬底通过在支撑层2中设置微型凹槽20, 由于微型凹槽20的存在,在支撑层2的表层形成厚薄不一的凹凸 结构,在外力作用相同的情况下,由于厚度较薄的区域容易拉伸, 所以容易吸收应力。从而避免了应力在像素区积累,而对像素区 内的结构造成破坏。因此,该柔性衬底通过在间隙区11设置微型 凹槽20实现图案化,在间隙区藉由材料形变来抵消应力,从而抵 消应力冲击,保证像素区不受应力破坏。
其中,柔性衬底还包括延展层6(在支撑层2的下方,图2 中未单独示出),延展层6位于支撑层2未设置微型凹槽20的一 侧,延展层6由受光照射能发生改质的材料形成,光照改质的目 的是提高材料的弹性模量,使其较不易形变。即在支撑层2背面 设置能局部改质的延展层6,在保证延展性的前提下对有具体需求 的部位或区域提供足够的支撑性能。
通常情况下,以柔性衬底为基础支撑柔性显示器件,柔性显 示器件的每一像素区10内均设置有控制元件3,延展层6对应着 控制元件3的区域光照改质为加固区60(在控制元件3的下方, 图2中未单独示出),加固区60的弹性模量大于除加固区60以 外的其他区域的弹性模量。控制元件3作为像素显示控制的核心 元件,通常不能被拉伸以免对其造成破坏,影响控制元件3的性 能。
如图2所示,控制元件3一般设置在像素区10内的一角,例 如靠近在像素区10的边缘并且靠近间隔区11,控制元件也可能设 置于整个像素区域,此处不做限制。根据上述的设计,间隔区11 设置有微型凹槽20具有较好的延展性,同时,在对应着控制元件 3的加固区60以外的区域因为没有被光改质,仍然具有较好的延 展性,从而保证了柔性器件整体的可拉伸性能。同时,加固区被 光改质后,硬度提高,不容易发生形变,因而,位于加固区上方的控制元件不容易发生形变,从而可以有效保证控制元件3的性 能。
这里的控制元件3为薄膜晶体管(Thin Film Transistor, 简称TFT),例如用于像素提供显示控制信号。薄膜晶体管包括栅 极、源极和漏极三个电极,例如通过栅极接收扫描信号,源极接 收显示数据信号,然后通过漏极输出至发光器件4,即有机电致发 光器件4(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)的阳极, 以控制发光器件4的发光。由于延展层6的材料较为柔软,可拉 伸性能好,而经过改质区域较为坚硬,可以维持薄膜晶体管的特性;此外,由于间隔区进行了微型凹槽20图案化,在拉伸时应力 可以在凹槽内部较薄的位置得到释放,从而更容易实现弯曲或拉 伸,并且不容易因为应力的积累而造成柔性衬底的破坏。
这里应该理解的是,像素区10内除薄膜晶体管之外的区域, 在不影响薄膜晶体管电性能的前提下,也可以被图案化凹槽。即 在综合考虑像素区像素结构的变形、发光面积以及不同颜色的混 色效果的前提下,也可以在像素区形成微型凹槽,从而存在更多 的应力释放区,有利于提高柔性衬底的可拉伸性和可弯折性,具 有更好的延展性。
提供给控制元件3的显示控制信号包括扫描信号和显示数据 信号,每一控制元件3均分别与栅线和数据线连接,扫描信号通 过扫描线或者栅线传送,显示数据信号通过数据线传送。在本实 施例的柔性衬底中,栅线和数据线设置于相邻像素区10之间的间 隔区11。间隔区10在柔性衬底拉伸时发生较大形变用于释放应 力,由于栅线和数据线主要由金属材料形成,其具有比较好的延 展性和可弯折性,所以不容易在柔性衬底拉伸和弯曲时被破坏。
由于厚度薄的区域延展好,支撑性差,因此在实际应用中可 设置合理的微型凹槽20的深度范围。优选的是,微型凹槽20的 深度不大于支撑层2的厚度的十分之一。在该微型凹槽20的深度 内,可获得较好的延展性和支撑性的平衡。
如图2所示,微型凹槽20为圆形槽或矩形槽。上述微型凹槽 20的形状能保证工艺便捷性,获得较高的工艺良率。在实际的工 艺过程中,圆形槽之间的壁厚相对较宽,而矩形槽可以实现更大 的开槽区面积占比,从而更利于形变和应力释放。
优选的是,微型凹槽20在对应着相邻像素区10之间的间隔 区11均匀分布,以保证对应力释放的一致性。
其中,支撑层2包括聚酰亚胺材料(PolyImide),延展层6 包括聚二甲基硅氧烷材料(PolyDiMethylSiloxane,简称PDMS)。 PDMS具有良好的可拉伸性,作为可拉伸显示的背膜使用,而PMDS 经过紫外光(UV)的照射后其成分发生变化,结构变硬,不容易 发生形变。被紫外光照射和未被照射的区域分别对应加固区与非 加固区,而应力能在非加固区释放。上述支撑层2和延展层6的 材料,取材容易,有利于降低成本。
相应的,本实施例还提供该柔性衬底的制备方法,柔性衬底 用于承载柔性显示器件,柔性显示器件设有显示区,显示区内划 分为多个像素区10,相邻像素区之间为间隔区11,通过在支撑层2上对应于间隔区11的区域设置微型凹槽20,基于前述理由,能 够在保证支撑性能的情况下提供足够的延展性。
参考图3A-图3C,该制备方法具体包括:
图3A中,在衬底衬垫1的上方设置支撑膜层21;
图3B中,在支撑膜层的一侧表层对应着间隔区的区域形成多 个微型凹槽,从而形成支撑层。例如,采用激光烧蚀方法,或者 干法刻蚀方法,或者湿法刻蚀方法,或者纳米压印方法,在支撑 膜层21的一侧表层对应着相邻像素区10之间的间隔区11的区域 形成多个微型凹槽20。
具体的,形成多个微型凹槽20的步骤包括:
在支撑膜层21的一侧表层形成抗蚀层,比如采用SiOx材料 形成抗蚀层;
对抗蚀层进行图案化处理,图案化处理后的抗蚀层包括抗蚀 层去除区域和抗蚀层保留区域;
利用刻蚀媒介刻蚀抗蚀层去除区域对应的支撑膜层21部分, 形成微型凹槽20;例如,湿法刻蚀通过刻蚀液进行刻蚀,干法刻 蚀通过刻蚀气体进行刻蚀。
将抗蚀层剥离。
进一步的,在支撑层2背面还形成延展层6,在保证支撑性 能的情况下提供足够的延展性。该制备方法还包括:在图3C中, 在支撑层2未设置微型凹槽的一侧设置延展层6,延展层6由受光 能发生改质的材料形成。藉由图案化紫外光照射进行延展层6表 层改质,即使得延展层6的某部分区域的表面得到光照射,而另 一部分区域的表面不接受光照射,从而图案化处理不同的区域, 并使光照射区具有较坚硬的特性,而对应于微型凹槽区域的延展 层仍然具有较佳的延展特性。
考虑到每一像素区10内均设置有控制元件3,该制备方法还 包括:如图4A所示,对延展层6远离支撑层2的一侧表层在对应 着控制元件3的区域采用紫外光照射,使得延展层6对应着控制 元件3的光照改质区域形成加固区60,加固区60的弹性模量大于 除加固区60以外的其他区域的弹性模量。延展层6的形成材料 PDMS的最要成分是C、O和Si,如图4B所示,根据X射线光电子 能谱仪(X-ray Photoelectron Spectroscopy,简称XPS)的检测结果中C、O和Si的比例变化表明,加固区60在紫外光不同时间照 射下,C含量下降,O含量上升,转化处形成大量的SiOx成分, 其质地坚硬,不会发生形变。通过在延展层6中进行局部改质形 成加固区60的方法,利用加固区60来保证位于其区域内的控制 元件3的性能。
这里应该理解的是,可以对延展层6对应着未设置微型凹槽 的所有区域均进行紫外光照射改质,一方面通过支撑层2的微型 凹槽来提升延展性,一方面通过延展层6的光改质来加强支撑性, 有利于提高柔性衬底的可拉伸性和可弯折性。
本实施例的柔性衬底,支撑层进行图案化微型凹槽设计,使 支撑层及其上方的走线具有凹凸起伏的构造,而控制元件对应的 区域并不设置凹凸起伏构造、还在其下方处理为较坚硬的结构, 从而得到具有可拉伸性质的柔性器件,因此特别适用于对柔性显 示器件支撑。
实施例2:
本实施例提供一种柔性衬底,在保证支撑性能的情况下提供 足够的延展性。
柔性显示器件还包括位于显示区外围的非显示区,非显示区 内设有绑定区,与实施例1不同的是,该柔性衬底在对应着非显 示区除绑定区之外的区域设置有多个微型凹槽20。
其中,在对应着非显示区除绑定区之外的区域中,多个微型 凹槽20均匀分布;或者,多个微型凹槽20在靠近边缘的密度大 于处于中间的密度,或者多个微型凹槽20在靠近边缘的尺寸大小 大于处于中间的尺寸大小。相同的应力条件下,厚度薄的区域延 展性好,受力后微型凹槽表面积增大。这里,定义边缘为外部施 加拉伸力进行拉伸的区域,中间区域为远离施力点的区域。
相对实施例1的柔性衬底的制备方法中,由于柔性显示器件 还包括位于显示区外围的非显示区,非显示区内设有绑定区,该 制备方法包括:采用激光烧蚀或干法刻蚀,在对应着间隔区11的 区域形成多个微型凹槽20的步骤中,还同时在支撑层2的一侧表 层对应着非显示区除绑定区之外的区域形成多个微型凹槽20,具 体的制备方法请参考前述实施例。绑定区内通常设置有触点,触 点与驱动控制板的信号点进行信号传递,在对应着绑定区的区域 不设置微型凹槽能保证该局部区域的支撑性,保证触点与信号点 之间的准确对位。
本实施例的柔性衬底,支撑层在显示区和非显示区均进行图 案化微型凹槽设计,保证了柔性衬底整体上的延展性,为柔性显 示提供了良好的支撑体系。
实施例3:
在实施例1、实施例2的基础上,本实施例提供一种显示面 板的制备方法,充分利用上述柔性衬底实现柔性显示器件的制备。
上述柔性衬底成为柔性显示面板的一部分,如图5A-图5E所 示,该显示面板的制备方法包括:
首先,在图5A中,在衬底衬垫1的上方设置上述的柔性衬底 的支撑膜层21。即在衬底衬垫1上设置支撑膜层21,并使用激光 (laser)刻蚀将支撑膜层21的表层进行图案化形 成图5B所示的微型凹槽20,微型凹槽20遍布支撑层2上对应着 间隔区11的区域内。
接着,在支撑层设置有微型凹槽的一侧、对应着像素区的区 域内的一角形成控制元件。在图5C和图6A中,在支撑层2上方 形成控制元件3,控制元件3位于对应着像素区10的区域内的一 角;进而,在控制元件3远离微型凹槽的一侧、对应着像素区10 的区域形成发光器件4。优选的是,在形成控制元件3的步骤中, 同时在对应着相邻像素区10之间的间隔区11形成栅线和数据线。 在相邻像素区10之间的间隔区11通过微型凹槽进行提升延展性的设置,而保证各像素区内部具有足够的支撑性,保证各像素区 的独立性、柔性和延展性。一般地,还需要进一步形成封装层5。
接下来,将支撑层与衬底衬垫分离。在图5D中,利用激光从 支撑层2未设置控制元件3的一侧照射支撑层2,以将支撑层2 与衬底衬垫1分离。
然后,将支撑层及控制元件和发光器件转移到延展层的上方, 支撑层未设置微型凹槽的一侧与延展层接触。在图5E中,在形成 柔性显示器件的基础上,进一步支撑层2背面还形成延展层6,或 者说将支撑层2转移至PDMS层上方。由于此时支撑层2已经与衬 底衬垫1分离,因此用手或机器将支撑层2拿起来,贴附在带胶 延展层6上,即可将支撑层2及其上方的控制元件3和发光器件4 转移到延展层6的上方。
最后,对延展层远离支撑层的一侧表层在对应着控制元件的 区域进行改质形成加固区,加固区的弹性模量大于除加固区以外 的其他区域的弹性模量。在图6B中,对延展层6远离支撑层2的 一侧表层在对应着控制元件3的区域采用紫外光照射,使得延展 层6对应着控制元件3的区域形成加固区60,加固区60的弹性模 量大于除加固区60以外的其他区域的弹性模量。
通过对延展层PDMS进行图案化紫外光改质,使对应着控制 元件例如薄膜晶体管的区域形成较为坚硬SiOx,在保证足够的延 展性的情况下提供支撑性能。
实施例4:
本实施例提供一种显示装置,该显示装置包括实施例3制备 的显示面板,该显示装置具有较好的柔性性能。
该显示装置可以为:台式电脑、平板电脑、笔记本电脑、手 机、PDA、GPS、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子 手表、计算器、电子仪器、仪表、液晶面板、电子纸、电视机、 显示器、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件, 可应用于公共显示和虚幻显示等多个领域。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理 而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领 域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况 下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的 保护范围。
Claims (17)
1.一种柔性衬底,用于承载柔性显示器件,所述柔性显示器件设有显示区,所述显示区内划分为多个像素区,相邻所述像素区之间为间隔区,其特征在于,所述柔性衬底包括支撑层,所述支撑层的一侧表层在对应着所述间隔区的区域设置有多个微型凹槽。
2.根据权利要求2所述的柔性衬底,其特征在于,所述柔性显示器件还包括位于所述显示区外围的非显示区,所述非显示区内设有绑定区,所述支撑层的一侧表层在对应着所述非显示区除所述绑定区之外的区域设置有多个所述微型凹槽。
3.根据权利要求1或2所述的柔性衬底,其特征在于,所述柔性衬底还包括延展层,所述延展层位于所述支撑层未设置所述微型凹槽的一侧。
4.根据权利要求3所述的柔性衬底,其特征在于,每一所述像素区内均设置有控制元件,所述延展层由受光能发生改质的材料形成,所述延展层对应着所述控制元件的区域光照改质为加固区,所述加固区的弹性模量大于除所述加固区以外的其他区域的弹性模量。
5.根据权利要求1或2所述的柔性衬底,其特征在于,所述微型凹槽的深度不大于所述支撑层的厚度的十分之一。
6.根据权利要求1或2所述的柔性衬底,其特征在于,所述微型凹槽为圆形槽或矩形槽。
7.根据权利要求2所述的柔性衬底,其特征在于,在对应着所述间隔区的区域,多个所述微型凹槽均匀分布;
在对应着所述非显示区除所述绑定区之外的区域中,多个所述微型凹槽均匀分布;或者,多个所述微型凹槽在靠近边缘的密度大于处于中间的密度;或者,多个所述微型凹槽在靠近边缘的尺寸大小大于处于中间的尺寸大小。
8.根据权利要求3所述的柔性衬底,其特征在于,所述支撑层包括聚酰亚胺材料,所述延展层包括聚二甲基硅氧烷材料。
9.一种柔性衬底的制备方法,所述柔性衬底用于承载柔性显示器件,所述柔性显示器件设有显示区,所述显示区内划分为多个像素区,相邻所述像素区之间为间隔区,其特征在于,包括:
设置支撑膜层;
在所述支撑膜层的一侧表层对应着所述间隔区的区域形成多个微型凹槽,从而形成支撑层。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述柔性显示器件还包括位于所述显示区外围的非显示区,所述非显示区内设有绑定区,所述制备方法包括:
在所述支撑膜层的一侧表层对应着所述间隔区的区域形成多个微型凹槽的步骤中,还同时在所述支撑层的一侧表层在对应着所述非显示区除所述绑定区之外的区域形成多个所述微型凹槽。
11.根据权利要求9或10所述的制备方法,其特征在于,形成多个所述微型凹槽的方法包括激光烧蚀方法,或者干法刻蚀方法,或者湿法刻蚀方法,或者纳米压印方法。
12.根据权利要求9或10所述的制备方法,其特征在于,形成多个微型凹槽的步骤包括:
在所述支撑膜层的一侧表层形成抗蚀层;
对所述抗蚀层进行图案化处理,图案化处理后的抗蚀层包括抗蚀层去除区域和抗蚀层保留区域;
利用刻蚀媒介所述抗蚀层去除区域对应的所述支撑膜层部分,形成所述微型凹槽;
将所述抗蚀层剥离。
13.根据权利要求9或10所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
在所述支撑层未设置所述微型凹槽的一侧设置延展层,所述延展层由受光能发生改质的材料形成。
14.根据权利要求13所述的制备方法,其特征在于,每一所述像素区内均设置有控制元件,所述制备方法还包括:
对所述延展层远离所述支撑层的一侧表层在对应着所述控制元件的区域采用紫外光照射,使得所述延展层对应着所述控制元件的区域光照改质形成加固区,所述加固区的弹性模量大于除所述加固区以外的其他区域的弹性模量。
15.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底衬垫的上方设置权利要求1或2所述的柔性衬底的支撑层;
在所述支撑层设置有所述微型凹槽的一侧、对应着所述像素区的区域内的一角形成控制元件;
在所述控制元件远离所述微型凹槽的一侧、对应着所述像素区的区域形成发光器件;
将所述支撑层与所述衬底衬垫分离。
16.根据权利要求15所述的制备方法,其特征在于,还包括:
将所述支撑层及所述控制元件和所述发光器件转移到延展层的上方,所述支撑层未设置所述微型凹槽的一侧与所述延展层接触;
对所述延展层远离所述支撑层的一侧表层在对应着所述控制元件的区域进行改质形成加固区,所述加固区的弹性模量大于除所述加固区以外的其他区域的弹性模量。
17.一种显示装置,其特征在于,包括采用权利要求15-16任一项所述的制备方法形成的显示面板。
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---|---|
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CN (1) | CN108539016B (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109273504A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN109285867A (zh) * | 2018-09-25 | 2019-01-29 | 云谷(固安)科技有限公司 | 有机发光显示设备的制造方法 |
CN109377887A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-02-22 | 武汉天马微电子有限公司 | 柔性显示面板和显示装置 |
CN109830184A (zh) * | 2019-02-22 | 2019-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN110993834A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111326067A (zh) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
CN111490084A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组的制备方法、显示模组及电子设备 |
CN111627330A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-09-04 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示模组、电子设备以及显示屏组件 |
CN114677918A (zh) * | 2022-03-22 | 2022-06-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法 |
WO2022226899A1 (zh) * | 2021-04-29 | 2022-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110429106B (zh) * | 2019-07-05 | 2021-01-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN110504386B (zh) * | 2019-08-29 | 2022-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN112366209B (zh) * | 2020-11-10 | 2024-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 |
CN114967244B (zh) * | 2022-05-16 | 2023-10-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100253902A1 (en) * | 2009-04-07 | 2010-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
CN104377118A (zh) * | 2014-09-29 | 2015-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板的制作方法及柔性显示基板母板 |
CN104392901A (zh) * | 2014-10-28 | 2015-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性衬底基板及其制作方法 |
CN104464524A (zh) * | 2015-01-06 | 2015-03-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示面板和显示装置 |
CN106653818A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-05-10 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及该显示面板的制备方法 |
CN106997930A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-08-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 柔性显示面板及显示装置 |
CN107611162A (zh) * | 2017-09-13 | 2018-01-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制作方法 |
CN107819014A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-03-20 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7242398B2 (en) * | 2002-02-18 | 2007-07-10 | Ignis Innovation Inc. | Flexible display device |
JP4977181B2 (ja) * | 2009-08-10 | 2012-07-18 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
CN102651331A (zh) * | 2011-06-14 | 2012-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板托盘及柔性电子器件制造方法 |
WO2013047195A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Hoya株式会社 | モールドブランク、マスターモールド、コピーモールドおよびモールドブランクの製造方法 |
US9632362B2 (en) * | 2014-07-03 | 2017-04-25 | Innolux Corporation | Liquid crystal display panel and liquid crystal display device containing the same |
US10132478B2 (en) * | 2016-03-06 | 2018-11-20 | Svv Technology Innovations, Inc. | Flexible solid-state illumination devices |
-
2018
- 2018-03-29 CN CN201810271099.7A patent/CN108539016B/zh active Active
-
2019
- 2019-01-25 US US16/258,011 patent/US10784452B2/en active Active
-
2020
- 2020-08-12 US US16/991,262 patent/US11251384B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100253902A1 (en) * | 2009-04-07 | 2010-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
CN104377118A (zh) * | 2014-09-29 | 2015-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板的制作方法及柔性显示基板母板 |
CN104392901A (zh) * | 2014-10-28 | 2015-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性衬底基板及其制作方法 |
CN104464524A (zh) * | 2015-01-06 | 2015-03-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示面板和显示装置 |
CN106653818A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-05-10 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及该显示面板的制备方法 |
CN106997930A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-08-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 柔性显示面板及显示装置 |
CN107611162A (zh) * | 2017-09-13 | 2018-01-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制作方法 |
CN107819014A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-03-20 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109285867A (zh) * | 2018-09-25 | 2019-01-29 | 云谷(固安)科技有限公司 | 有机发光显示设备的制造方法 |
CN109273504B (zh) * | 2018-09-27 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN109273504A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN111326067A (zh) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
CN109377887A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-02-22 | 武汉天马微电子有限公司 | 柔性显示面板和显示装置 |
CN109830184A (zh) * | 2019-02-22 | 2019-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
US11482138B2 (en) | 2019-02-22 | 2022-10-25 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Electroluminescent display panel, method for manufacturing the same, and display device |
CN109830184B (zh) * | 2019-02-22 | 2021-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN110993834A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN110993834B (zh) * | 2019-12-17 | 2022-08-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111490084A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组的制备方法、显示模组及电子设备 |
CN111627330A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-09-04 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示模组、电子设备以及显示屏组件 |
CN111627330B (zh) * | 2020-05-11 | 2022-04-01 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示模组、电子设备以及显示屏组件 |
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