CN110948119A - 基板小片的切割方法及切割装置 - Google Patents

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高松生芳
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Abstract

一种基板小片的切割方法及切割装置，能够维持易于从基板小片剥离PET层的状态，并且在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线。从由第一PET层(L2)、PI层(L1)、第二PET层(L3)、第一粘接层(L4)、第二粘接层(L5)构成的多层基板(P1)，切出沿X方向及Y方向延伸并在Y方向上的一端将第一PET层(L2)剥离的基板小片(SP1)的方法包括：在多层基板(P1)上隔开相当于基板小片(SP1)在X方向上的宽度的间隔而形成沿Y方向延伸的多条第一切断线(SL1)的步骤、以及之后形成沿X方向延伸，并用于从基板小片(SP1)的Y方向上的一端剥离第一PET层(L2)的第四切断线(SL4)的剥离切断线形成步骤。

Description

基板小片的切割方法及切割装置
技术领域
本发明涉及从由第一PET层、PI层、第二PET层构成的多层基板切出基板小片的方法、以及从上述多层基板切出基板小片的切割装置。
背景技术
以往，已知有从形成有OLED基板这样的多个基板小片的多层基板切出一个基板小片的方法。
在从多层基板切出基板片时，沿着各切出小片的边形成切断线。作为上述在多层基板上形成切断线的方法，已知有从多层基板的一个面照射激光而沿着所希望的线形成切断线的方法(例如参照专利文献1)。
在如OLED基板这样的形成有电路的基板小片中，为了保护OLED等相对于氧化等较弱的电路而设置有保护层。因此，切出基板小片的多层基板具有表面形成有电路的聚酰亚胺(PI)的基板层(称为PI层)、和经由粘接层粘接于该PI层的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的保护层(称为PET层)。
另外，在PI层的形成有电路的表面，形成有用于连接该电路与外部的电路的连接端子。
在具有形成有电路和连接端子的PI层和对其进行保护的PET层的基板小片中，需要利用PET层保护PI层的电路的形成部位，另一方面，需要使连接端子的形成部位露出于外部。因此，在从多层基板切出基板小片之后，从基板小片的形成有连接端子的部位剥离PET层。
专利文献1：日本特开2018-15784号公报
发明内容
如上所述，在多层基板中，PET层通过粘接层(粘接剂)粘接于PI层。该情况下，如果通过激光照射在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线，则能够考虑到粘接层的状态会因为激光照射而变化。推测由于该粘接层的状态的变化，难以从基板小片上剥离PET层。
本发明的目的在于，在从多层基板切出基板片时，维持易于从基板小片剥离PET层的状态，并且在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线。
以下，作为用于解决问题的技术方案，对多个方式进行说明。这些方式可以根据需要任意组合。
本发明的一个观点涉及的基板小片的切割方法是从多层基板切出基板小片的方法。多层基板由第一PET层、PI层、第二PET层、将第一PET层粘接于PI层的第一粘接层、以及将第二PET层粘接于PI层的第二粘接层构成。基板小片是沿第一方向及第二方向延伸的基板。在基板小片中，在第一方向上的一端将第一PET层剥离。基板小片的切割方法包括以下的步骤。
·第一切断线形成步骤，在多层基板上隔开相当于基板小片在第二方向上的宽度的间隔而形成沿第一方向延伸的多条第一切断线。
·剥离切断线形成步骤，在第一切断线形成步骤之后，形成沿第二方向延伸并用于从基板小片的第一方向上的一端剥离第一PET层的剥离切断线。
在上述切割方法中，在形成沿第一方向延伸的第一切断线之后形成用于从基板小片的一端剥离第一PET层且沿第二方向延伸的剥离切断线。
通过如上所述设定切断线的形成顺序，能够使剥离切断线上产生的损伤为最小限度，因而能够维持易于从基板小片剥离PET层的状态，并且在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线。
基板小片的切割方法也可以还包括以下的步骤。
·第二切断线形成步骤，在第一切断线形成步骤之后，在多层基板的相当于基板小片与第一PET层被剥离一侧相反一侧的边的部位处，形成沿第二方向延伸的第二切断线。
·第三切断线形成步骤，在第二切断线形成步骤之后，在多层基板的相当于基板小片第一PET层被剥离一侧的边的部位处，形成沿第二方向延伸的第三切断线的。
由此，能够维持易于从基板小片剥离PET层的状态，并且在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线。
第一切断线、第二切断线以及第三切断线也可以具有形成于第一PET层及第一粘接层的槽、和形成于PI层的PI切断线。该情况下，上述切割方法也可以还包括以下的步骤。
·通过照射第一激光，在第二PET层及第二粘接层与形成第一切断线的位置对应的位置形成第四槽的步骤。
·通过照射第一激光，在第二PET层及第二粘接层与形成第二切断线及第三切断线的位置对应的位置形成第五槽的步骤。
由此，能够可靠地切出基板小片。
第一切断线形成步骤也可以具有以下的步骤。
·通过照射第一激光，在第一PET层及第一粘接层的形成第一切断线的位置处形成第一槽的步骤。
·使轮切断单元从第一槽通过并且在PI层形成第一PI切断线的步骤。
由此，能够通过最佳的切断线的形成方法，高效地在PET层及PI层形成切断线。
第二切断线形成步骤也可以具有以下的步骤。
·通过照射第一激光，在第一PET层及第一粘接层的形成第二切断线的位置处形成第二槽的步骤。
·通过照射第一激光，在第一PET层及第一粘接层形成用于从基板小片剥离第一PET层的第四切断线的步骤。
·使轮切断单元从第二槽通过并且在PI层形成第二PI切断线的步骤。
由此，能够通过最佳的切断线的形成方法，高效地在PET层及PI层形成切断线，并且能够同时形成剥离切断线。
第三切断线形成步骤也可以具有以下的步骤。
·通过照射第一激光，在第一PET层及第一粘接层的形成第三切断线的位置处形成第三槽的步骤。
·通过穿过第三槽照射第二激光，在PI层形成第三PI切断线的步骤。
能够通过在PI层的剥离PET层的部位形成切断线的最佳方法形成第三PI切断线。
剥离切断线形成步骤也可以包括：通过照射第一激光，在第一PET层及第一粘接层形成对应于剥离切断线的槽的步骤。
由此，能够通过最佳的方法在第一PET层及第一粘接层上形成剥离切断线。
本发明的另一观点涉及的基板小片的切割装置是从多层基板切出基板小片的装置。多层基板是由第一PET层、PI层、第二PET层、将第一PET层粘接于PI层的第一粘接层、以及将第二PET层粘接于PI层的第二粘接层构成的基板。基板小片是沿第一方向以及第二方向延伸并在第一方向上的一端将第一PET层剥离的基板。
基板小片的切割装置具备第一切断线形成单元。
第一切断线形成单元在多层基板上隔开相当于基板小片在第二方向上的宽度的间隔而形成沿第一方向延伸的多条第一切断线。然后，第一切断线形成单元形成沿第二方向延伸并用于从基板小片的第一方向上的一端剥离第一PET层的剥离切断线。
在上述切割装置中，第一切断线形成单元在形成沿第一方向延伸的第一切断线之后形成用于从基板小片的一端剥离第一PET层且沿第二方向延伸的剥离切断线。
通过如上所述设定切断线的形成顺序，能够使剥离切断线上产生的损伤为最小限度，因而能够维持易于从基板小片剥离PET层的状态，并且在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线。
在从由第一PET层、PI层、第二PET层构成的多层基板切出在其一端将第一PET层剥离的基板小片时，通过在形成沿第一方向延伸的第一切断线之后形成沿第二方向延伸并用于从基板小片在第一方向上的一端剥离第一PET层的剥离切断线，从而能够维持易于从基板小片剥离第一PET层的状态，并且在多层基板上形成用于切出基板小片的切断线。
附图说明
图1是表示多层基板的剖面结构的图。
图2是表示多层基板的平面结构的图。
图3是表示第一实施方式涉及的切割装置的构成的图。
图4是表示切断装置的构成的图。
图5是表示剥离装置的构成的图。
图6是示意性表示从多层基板的上表面方向观察基板小片的切割方法的情况的图。
图7是示意性表示从多层基板的剖面方向观察基板小片的切割方法的情况的图(其一)。
图8是示意性表示从多层基板的剖面方向观察基板小片的切割方法的情况的图(其二)。
附图标记说明
1…切割装置；3…输送装置；5…切断装置；51…第一切断线形成单元；51A…第一激光装置；LA1…第一激光；51B…刻划轮切断装置；SW…刻划轮；53…第二切断线形成单元；LA2…第二激光；55…机械驱动系统；55A…底座；55B…加工台；55C…移动装置；57…控制部；7…剥离装置；71…工作台；73…粘接带；73A…输出筒管；73B…卷绕筒管；75…加压辊；P1…多层基板；SP1…基板小片；d…OLED层；d1…连接部；L1…PI层；L2…第一PET层；L3…第二PET层；L4…第一粘接层；L5…第二粘接层；SL1…第一切断线；SL2…第二切断线；SL3…第三切断线；SL4…第四切断线；G1…第一槽；G2…第二槽；G3…第三槽；G4…第四槽；G5…第五槽；PS1…第一PI切断线；PS2…第二PI切断线；PS3…第三PI切断线；θ…开口角度。
具体实施方式
1.第一实施方式
(1)多层基板的结构
以下，对本发明的一实施方式涉及的从多层基板切出基板小片的方法进行说明。以下，将从呈阵列状形成有多个OLED层d的多层基板切出包含一个OLED层d的基板小片SP1的方法作为基板小片SP1的切割方法的一例进行说明。因此，首先，使用图1及图2对多层基板P1的构成进行说明。图1是表示多层基板的剖面结构的图。图1的(a)表示从Y方向观察多层基板的剖面结构，(b)表示从X方向观察多层基板的剖面结构。图2是表示多层基板的平面结构的图。
在图1及图2中，将多层基板P1的横向定义为“X方向”，将纵向定义为“Y方向”。另外，将多层基板P1的纵向(Y方向)定义为第一方向，将横向(X方向)定义为第二方向。
多层基板P1是沿X方向及Y方向延伸的矩形基板。多层基板P1具有三层结构，具有PI层L1、第一PET层L2以及第二PET层L3。
PI层L1是聚酰亚胺(PI)制的基板。如图2所示，在PI层L1的一个表面，沿X方向及Y方向呈阵列状地排列形成有多个OLED层d(有机LED)。具体而言，例如形成有发光层、用于控制发光层的发光的驱动用元件(例如TFT(薄膜晶体管))以及OLED层d的配线。
形成于多层基板P1上的各OLED层d作为基板小片SP1从多层基板P1被切出。
在OLED层d的Y方向(第一方向)的一端，形成有用于连接OLED层d与外部的电路的连接部d1。连接部d1上形成有用于保护OLED层d不受空气中的水分影响的保护膜(例如SiO2膜)。
第一PET层L2及第二PET层L3是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制的薄膜，保护形成于PI层L1的表面的OLED层d。但是，与OLED层d的连接部d1对应的部位处的第一PET层L2在将OLED层d作为基板小片SP1切出时被剥离。
第一PET层L2通过第一粘接层L4粘接于PI层L1的形成有OLED层d侧的表面。第一粘接层L4例如由丙烯酸类或氨基甲酸酯类的粘接剂形成。
另一方面，第二PET层L3通过第二粘接层L5粘接于PI层L1与形成有OLED层d侧相反一侧的表面。第二粘接层L5例如由丙烯酸类或氨基甲酸酯类的粘接剂形成。
(2)切割装置
接着，使用图3对本实施方式的切割装置1的构成进行说明。图3是表示第一实施方式涉及的切割装置的构成的图。切割装置1是用于从具有上述构成的多层基板P1切出包含一个OLED层d的基板小片SP1，并从基板小片SP1剥离该基板小片SP1与OLED层d的连接部d1对应的区域的第一PET层L2及第一粘接层L4的装置。
切割装置1具备输送装置3、切断装置5以及剥离装置7。
输送装置3是用于向切断装置5及剥离装置7输送多层基板P1的装置。输送装置3例如为带式输送机。切断装置5在输送装置3中设置于多层基板P1的输送方向上的上游侧。剥离装置7在输送装置3中设置于比切断装置5更靠近多层基板P1的输送方向上的下游侧的位置处。
(2-1)切断装置
切断装置5是形成用于从多层基板P1切出基板小片SP1的切断线(刻划线)的装置。以下，使用图4对切断装置的构成进行说明。图4是表示切断装置的构成的图。
切断装置5具备第一切断线形成单元51、第二切断线形成单元53、机械驱动系统55以及控制部57。
第一切断线形成单元51是形成用于从多层基板P1切出基板小片SP1的切断线(刻划线)、以及用于从基板小片SP1的一端剥离第一PET层L2的第四切断线SL4(剥离切断线的一例)的装置。第一切断线形成单元51在形成用于切出基板小片SP1的切断线时，通过照射激光在多层基板P1的PET层及粘接层形成槽，并使刻划轮SW(后述)从该槽中通过而在PI层L1上形成切断线(称为PI切断线)。
另一方面，第一切断线形成单元51在形成用于从基板小片SP1的一端剥离第一PET层L2的第四切断线SL4时，通过照射激光在多层基板P1的PET层及粘接层形成与第四切断线SL4对应的槽。
具体而言，第一切断线形成单元51具有第一激光装置51A和刻划轮切断装置51B。
第一激光装置51A具有输出第一激光LA1的激光振荡器、以及将该第一激光LA1传输至后述的机械驱动系统55的传输光学系统(均未图示)。虽未图示，但传输光学系统具有例如聚光透镜、多个反射镜、棱镜、扩束器等。另外，传输光学系统具有例如用于使组装有激光振荡器及其他光学系统的激光照射头(未图示)沿X轴方向移动的X轴方向移动机构(未图示)。第一激光装置51A的激光振荡器例如为CO2激光器。
刻划轮切断装置51B是使刻划轮SW(轮切断单元的一例)滚动而将基板切断的装置。在本实施方式中，刻划轮切断装置51B用于在多层基板P1的PI层L1上形成PI切断线。
刻划轮SW是外周部分形成为V字形的圆板状的部件。刻划轮SW的上述外周部分成为在PI层L1上形成PI切断线的刀刃。刻划轮SW例如直径为5mm～15mm，V字形的刀尖的顶角为20°～50°。
第二切断线形成单元53通过穿过形成于第一PET层L2及第一粘接层L4的槽来向PI层L1照射第二激光LA2，从而在PI层L1上形成PI切断线的装置。
第二切断线形成单元53具有输出第二激光LA2的激光振荡器、以及将该第二激光LA2传输至后述的机械驱动系统55的传输光学系统(均未图示)。虽未图示，但传输光学系统具有例如聚光透镜、多个反射镜、棱镜、扩束器等。另外，传输光学系统具有例如用于使组装有激光振荡器及其他光学系统的激光照射头(未图示)沿X轴方向移动的X轴方向移动机构(未图示)。第二切断线形成单元53的激光振荡器例如为UV激光器。
如上所述，OLED层d的连接部d1上形成有SiO2等的保护膜，从而变脆。若想通过刻划轮SW等在较脆的连接部d1上形成切断线，则有可能使连接部d1和/或OLED层d破坏。
因此，关于OLED层d的连接部d1，通过照射第二激光LA2来形成切断线。由此，不会破坏较脆的保护层等，且能够在连接部d1的附近形成用于切出基板小片SP1的切断线。
机械驱动系统55是使多层基板P1沿水平方向移动，并围绕中心轴旋转的机构。具体而言，机械驱动系统55具有底座55A、载置多层基板P1的加工台55B、以及使加工台55B相对于底座55A在水平方向上移动的移动装置55C。移动装置55C是具有导轨、移动台、旋转机构、电动机等的公知机构。
在本实施方式的切断装置5中，通过由移动装置55C使多层基板P1相对于第一切断线形成单元51及第二切断线形成单元53相对移动，从而在多层基板P1上形成切断线。
另外，机械驱动系统55具备使多层基板P1(加工台55B)旋转的机构、以及使多层基板P1的表面背面翻转的机构(均未图示)。
控制部57是具有处理器(例如CPU)、存储装置(例如ROM、RAM、HDD、SSD等)、以及各种接口(例如A/D转换器、D/A转换器、通信接口等)的计算机系统。控制部57通过执行保存在存储部(对应于存储装置的存储区域的一部分或全部)中的程序来进行各种控制动作。
控制部57可以由单一的处理器构成，但也可以由为了各控制而独立的多个处理器构成。
虽未图示，但控制部57上连接有检测多层基板P1的尺寸、形状以及位置的传感器、用于检测各装置的状态的传感器及开关、以及信息输入装置。
在该实施方式中，控制部57能够控制第一切断线形成单元51、第二切断线形成单元53以及移动装置55C。
(2-2)剥离装置
剥离装置7是用于从形成于基板小片SP1(多层基板P1)在第一方向上的一端的连接部d1剥离第一PET层L2的装置。本实施方式的剥离装置7是利用胶带粘接想要剥离的第一PET层L2，并使该胶带与多层基板P1分离，从而将第一PET层L2从基板小片SP1剥离的装置。
以下，使用图5对剥离装置的构成进行说明。图5是表示切断装置的构成的图。剥离装置7主要具备工作台71、粘接带73以及加压辊75。
工作台71是用于固定并载置想要剥离第一PET层L2的多层基板P1的工作台。在本实施方式中，工作台71通过使多层基板P1与工作台71之间成为真空状态，从而将多层基板P1固定于工作台71。
粘接带73以粘接面朝向多层基板P1侧，并架设在输出筒管73A与卷绕筒管73B之间的状态配置。输出筒管73A是输出粘接带73的筒管。卷绕筒管73B是卷绕从输出筒管73A输出的粘接带73的筒管。
加压辊75是以预定的力将架设于输出筒管73A与卷绕筒管73B之间的粘接带73的粘接面按压于第一PET层L2的表面的辊。另外，加压辊75能够在将粘接带73的粘接面按压于第一PET层L2的表面的状态下，沿多层基板P1的第一方向移动。
通过加压辊75沿第一方向移动，被按压于第一PET层L2的粘接带73的粘接面与多层基板P1分离，与此同时，附着于该粘接面上的PET层被从多层基板P1(基板小片SP1)剥离。
此外，在剥离PET层时的加压辊75的移动方向并不限于多层基板P1的第一方向，也可以是与第一方向垂直的第二方向。或者，加压辊75也可以沿水平面(与多层基板P1的主面平行的面)内的任意方向移动。
此外，剥离装置7具备控制加压辊75、输出筒管73A、卷绕筒管73B的控制部(未图示)。控制部是具有处理器、存储装置以及各种接口的计算机系统。
(3)基板小片的切割方法
以下，使用图6至图8，对从呈阵列状地形成有多个OLED层d的多层基板P1切出包含一个OLED层d的基板小片SP1的方法进行说明。图6是示意性地表示从多层基板的上表面方向观察基板小片的切割方法的情况的图。图7及图8是示意性地表示从多层基板的剖面方向观察基板小片的切割方法的情况的图。
此外，为了简化说明，在图6中，以将多层基板P1中横向形成有两个和纵向形成有两个、共计形成有四个OLED层d的部分切除的方式示出基板小片SP1的切割方法。另一方面，在图7及图8中，以将多层基板P1中形成有一个OLED层d的部分切除的方式示出基板小片SP1的切割方法。
在以下的说明中，假设切断装置5的移动装置55C能够使加工台55B上的多层基板P1朝向一方向直线移动。即，在以下的说明中，假设切断装置5能够使第一切断线形成单元51及第二切断线形成单元53仅在载置于加工台55B的多层基板P1的一方向上进行扫描。
在进行切割之前，以多层基板P1的第一PET层L2朝上、且多层基板P1的Y方向与切断装置5中的多层基板P1的移动方向平行的方式，将多层基板P1载置于加工台55B上。
在将多层基板P1载置于加工台55B之后，第一切断线形成单元51隔开相当于基板小片SP1在X方向(第二方向)上的宽度的间隔，在多层基板P1上形成沿着Y方向(第一方向)延伸的多条第一切断线SL1(第一切断线形成步骤)。
具体而言，如图6的(a)及图7的(a)所示，在第一PET层L2及第一粘接层L4的形成第一切断线SL1的位置处形成第一槽G1。
第一槽G1可以通过利用第一激光装置51A向第一PET层L2及第一粘接层L4的形成第一切断线SL1的位置照射第一激光LA1，并通过移动装置55C的移动使第一激光LA1沿多层基板P1的Y方向进行扫描而形成。
需要说明的是，利用第一激光LA1形成的槽优选其开口角度θ为45°～100°的范围。开口角度θ被定义为槽的两个侧壁所形成的角度。另外，优选槽宽为40μm～200μm的范围。
在形成第一槽G1之后，如图6的(b)及图7的(b)所示，使刻划轮SW通过第一槽G1，从而在PI层L1与第一槽G1对应的位置形成第一PI切断线PS1。
具体而言，通过使刻划轮SW从第一槽G1内通过，并以施加预定的负荷将刻划轮SW的刀尖压入PI层L1的状态使多层基板P1沿Y方向移动，进而使刻划轮SW滚动，从而可以形成第一PI切断线PS1。
如上所述，可以在与基板小片SP1的沿Y方向(第一方向)延伸的边对应的位置上，形成由第一槽G1和第一PI切断线PS1构成的第一切断线SL1。
在形成第一切断线SL1之后，将多层基板P1旋转90°，使多层基板P1的X方向与通过移动装置55C使多层基板P1移动的方向平行。
在将多层基板P1旋转90°之后，在与基板小片SP1的X方向(第二方向)的边对应的位置处形成切断线。
在本实施方式中，首先在多层基板P1的相当于基板小片SP1沿X方向延伸的两边中与基板小片SP1的第一PET层L2被剥离侧相反一侧的边的部位上形成第二切断线SL2(第二切断线形成步骤)。
具体而言，如图6的(c)及图7的(c)所示，在第一PET层L2及第一粘接层L4的形成第二切断线SL2的位置(与存在连接部d1的一侧的相反侧的边对应的位置)处形成第二槽G2。
第二槽G2可以通过利用第一激光装置51A向第一PET层L2及第一粘接层L4的形成第二切断线SL2的位置照射第一激光LA1，并且通过移动装置55C的移动使第一激光LA1沿着多层基板P1的X方向进行扫描而形成。
另外，如图6的(c)及图7的(c)所示，在本实施方式中，在形成第二槽G2的同时，还形成能够通过第一激光LA1的照射而形成的沿多层基板P1的X方向延伸的其他槽。具体而言，在第一PET层L2及第一粘接层L4上，同时形成第三槽G3和第四切断线SL4(剥离切断线形成步骤)。
第三槽G3是用于形成后述的第三切断线SL3的槽。第四切断线SL4是用于从基板小片SP1在Y方向上的一端剥离第一PET层L2的槽。
第三槽G3可以通过利用第一激光装置51A向第一PET层L2及第一粘接层L4的形成第三切断线SL3的位置(与存在连接部d1的一侧的边对应的位置)照射第一激光LA1，并且通过移动装置55C的移动使第一激光LA1沿着多层基板P1的X方向进行扫描而形成。
第四切断线SL4可以通过利用第一激光装置51A向第一PET层L2及第一粘接层L4的形成第四切断线SL4的位置(与OLED层d和连接部d1的边界线对应的位置)照射第一激光LA1，并且通过移动装置55C的移动使第一激光LA1沿着多层基板P1的X方向进行扫描而形成。
在形成第二槽G2、第三槽G3以及第四切断线SL4之后，如图6的(d)及图7的(d)所示，使刻划轮SW从第二槽G2通过，在PI层L1与第二槽G2对应的位置处形成第二PI切断线PS2。
由此，能够在与基板小片SP1的沿X方向(第二方向)延伸的两边中不剥离第一PET层L2的一侧的边对应的位置处，形成由第二槽G2和第二PI切断线PS2构成的第二切断线SL2。
在形成第二切断线SL2之后，在多层基板P1的相当于基板小片SP1的沿X方向(第二方向)延伸的两边中的另一个边，即第一PET层L2被剥离的一侧的边的部位上，形成第三切断线SL3(第三切断线形成步骤)。
具体而言，如图6的(e)及图8的(e)所示，将从第二切断线形成单元53输出的第二激光LA2穿过如上述那样已经形成的第三槽G3而照射至PI层L1，从而在PI层L1上形成第三PI切断线PS3。
由此，能够在与剥离第一PET层L2的一侧的边对应的位置处，形成由第三槽G3和第三PI切断线PS3构成的第三切断线SL3。
在形成第一切断线SL1至第四切断线SL4之后，使多层基板P1的表面背面翻转，进而使多层基板P1旋转90°。由此，在多层基板P1的第二PET层L3朝上的状态下，多层基板P1的Y方向与通过移动装置55C使多层基板P1移动的方向平行。
在使多层基板P1表面背面翻转以及旋转90°之后，如图6的(f)及图8的(f)所示，在第二PET层L3及第二粘接层L5的与第一切断线SL1对应的位置处形成第四槽G4。
第四槽G4可以通过利用第一激光装置51A向第二PET层L3及第二粘接层L5的与第一切断线SL1对应的位置照射第一激光LA1，并且通过移动装置55C的移动使第一激光LA1沿着多层基板P1的Y方向进行扫描而形成。
在第二PET层L3上形成第四槽G4之后，使多层基板P1旋转90°，使多层基板P1的X方向与通过移动装置55C使多层基板P1移动的方向平行。
之后，如图6的(g)及图8的(g)所示，在第二PET层L3及第二粘接层L5的与第二切断线SL2及第三切断线SL3对应的位置处形成第五槽G5。
第五槽G5可以通过利用第一激光装置51A向第二PET层L3及第二粘接层L5的与第二切断线SL2及第三切断线SL3对应的位置照射第一激光LA1，并且通过移动装置55C的移动使第一激光LA1沿着多层基板P1的X方向进行扫描而形成。
如上所述，在形成用于从多层基板P1切出基板小片SP1的第一切断线SL1至第四切断线SL4之后，通过输送装置3将形成有这些切断线的多层基板P1输送至剥离装置7。通过剥离装置7，将基板小片SP1的与连接部d1对应的区域中存在的第一PET层L2剥离。
进而，如图6的(h)及图8的(h)所示，通过形成于多层基板P1的第一切断线SL1至第三切断线SL3，能够从多层基板P1切出包含一个OLED层d的基板小片SP1。
另外，如图8的(h)所示，在切出的基板小片SP1中，与OLED层d的连接部d1对应的部位不存在第一PET层L2及第一粘接层L4，其他部位上存在第一PET层L2及第二PET层L3。
即，仅连接部d1露出，OLED层d的其他部位由第一PET层L2及第二PET层L3保护。
(4)结论
在使用上述图6至图8说明的从多层基板P1切出基板小片SP1的切割方法中，在形成沿Y方向延伸的第一切断线SL1之后形成用于从基板小片SP1在Y方向上的一端剥离第一PET层L2且沿X方向延伸的第四切断线SL4。另外，沿X方向延伸的其他切断线(第二切断线SL2及第三切断线SL3)也是在形成第一切断线SL1之后形成。
在上述多层基板P1上形成切断线的情况下，一般而言，若在形成沿一方向延伸的切断线之后形成沿着与该切断线相交的其他方向延伸的切断线，则有时会在先形成的切断线上产生损伤，例如被先形成的切断线切断的PET层被重新熔接等。
因此，通过在形成沿Y方向延伸的第一切断线SL1之后，形成沿X方向延伸的第四切断线SL4，能够使在第四切断线SL4(以及第三切断线SL3)上产生的损伤为最小限度，因此，能够维持易于从基板小片SP1剥离第一PET层L2的状态，并且在多层基板P1上形成用于切出基板小片SP1的切断线。
另一方面，关于第一切断线SL1，即使因为第四切断线SL4的形成而受到损伤，在从多层基板P1切出基板小片SP1时也不会成为问题。这是因为，从多层基板P1切出基板小片SP1是通过将多层基板P1的第一切断线SL1附近压住且吸住基板小片SP1并使基板小片SP1从多层基板P1分离而进行的，因此，能够在该分离时破坏切断线形成时的PET层的熔接。
为了确认上述效果，作为比较例，首先形成用于剥离第一PET层L2的第四切断线SL4以及沿基板小片SP1的X方向延伸的两边的切断线(第二切断线SL2、第三切断线SL3)，然后形成沿Y方向延伸的两边的切断线(第一切断线SL1)，从而将第一PET层L2从基板小片SP1剥离。
其结果是，在上述比较例中，进行了720次第一PET层L2的剥离试验，其中30次的试验中无法适当地剥离第一PET层L2。即，在比较例的情况下，第一PET层L2的剥离的失败率约为4％。
另一方面，在使用上述说明的本实施方式的切割方法的情况下，即，在形成第一切断线SL1之后形成第四切断线SL4的情况下，进行了240次第一PET层L2的剥离试验，全部成功剥离第一PET层L2。即，在本实施方式的情况下，第一PET层L2的剥离的失败率为0％。
另外，在本实施方式中，切断多层基板P1的各层的方法不同。具体而言，通过照射第一激光LA1来执行形成对PET层及粘接层的切断线(槽)。PI层L1的与连接部d1的沿X方向延伸的边以外的其他三条边对应的切断线的形成通过刻划轮SW来执行。进而，PI层L1上的与连接部d1的沿X方向延伸的边对应的切断线的形成通过照射第二激光LA2来执行。
由此，能够通过最佳的切断线的形成方法，高效地在PET层及PI层形成切断线。
2.其他实施方式
以上，对本发明的一实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种变更。特别是，本说明书中记载的多个实施方式以及变形例可以根据需要任意组合。
形成于PI层L1的器件并不限于OLED层d，即使在PI层L1上形成其他的柔性器件的情况下，也能够使用上述基板小片SP1的切割方法。
在上述中，多层基板P1具有三个层(PI层L1、第一PET层L2、第二PET层L3)，但对于具有两层的基板以及具有四层以上的层的基板，也能够应用上述切断方法。
多层基板P1和/或基板小片SP1的形状没有特别限定。
切断装置5和/或剥离装置7的构成并不限于上述实施方式中说明的构成。例如，切断装置5的机械驱动系统55也可以具有使加工台55B及移动装置55C旋转的机构。
移动装置55C并不限于使多层基板P1朝向一方向直线移动，也可以是能够在水平方向上朝向任意的方向移动。该情况下，移动装置55C也可以不使多层基板P1旋转，而使多层基板P1在X方向和Y方向这两个方向上移动。
由此，仅通过移动装置55C的移动，就能够使第一切断线形成单元51和第二切断线形成单元53在多层基板P1的X方向和Y方向这两个方向上进行扫描。
产业上的可利用性
本发明可以广泛适用于从多层基板切出基板小片中。

Claims (8)

1.一种基板小片的切割方法，从多层基板切出基板小片，所述多层基板由第一PET层、PI层、第二PET层、将所述第一PET层粘接于所述PI层的第一粘接层、以及将所述第二PET层粘接于所述PI层的第二粘接层构成，所述基板小片是沿第一方向及第二方向延伸并在所述第一方向上的一端将所述第一PET层剥离掉的小片，其特征在于，所述切割方法包括：
第一切断线形成步骤，在所述多层基板上隔开相当于所述基板小片在所述第二方向上的宽度的间隔而形成沿所述第一方向延伸的多条第一切断线；以及
剥离切断线形成步骤，在所述第一切断线形成步骤之后，形成沿所述第二方向延伸并用于从所述基板小片的所述第一方向上的一端剥离所述第一PET层的剥离切断线。
2.根据权利要求1所述的基板小片的切割方法，其特征在于，所述切割方法还包括：
第二切断线形成步骤，在所述第一切断线形成步骤之后，在所述多层基板的相当于所述基板小片与所述第一PET层被剥离一侧相反一侧的边的部位处，形成沿所述第二方向延伸的第二切断线；以及
第三切断线形成步骤，在所述第二切断线形成步骤之后，在所述多层基板的相当于所述基板小片的所述第一PET层被剥离一侧的边的部位处，形成沿所述第二方向延伸的第三切断线。
3.根据权利要求2所述的基板小片的切割方法，其特征在于，
所述第一切断线、所述第二切断线以及所述第三切断线具有形成于所述第一PET层及所述第一粘接层的槽、和形成于所述PI层的PI切断线；
所述切割方法还包括：
通过照射第一激光，在所述第二PET层及所述第二粘接层与形成所述第一切断线的位置对应的位置形成第四槽的步骤；以及
通过照射所述第一激光，在所述第二PET层及所述第二粘接层与形成所述第二切断线及所述第三切断线的位置对应的位置形成第五槽的步骤。
4.根据权利要求3所述的基板小片的切割方法，其特征在于，
所述第一切断线形成步骤包括：
通过照射所述第一激光，在所述第一PET层及所述第一粘接层的形成所述第一切断线的位置处形成第一槽的步骤；以及
使轮切断单元从所述第一槽通过并且在所述PI层形成第一PI切断线的步骤。
5.根据权利要求3或4所述的基板小片的切割方法，其特征在于，
所述第二切断线形成步骤包括：
通过照射所述第一激光，在所述第一PET层及所述第一粘接层的形成所述第二切断线的位置处形成第二槽的步骤；
通过照射所述第一激光，在所述第一PET层及所述第一粘接层形成所述剥离切断线的步骤；以及
使轮切断单元从所述第二槽通过并且在所述PI层形成第二PI切断线的步骤。
6.根据权利要求3或4所述的基板小片的切割方法，其特征在于，
所述第三切断线形成步骤包括：
通过照射所述第一激光，在所述第一PET层及所述第一粘接层的形成所述第三切断线的位置处形成第三槽的步骤；以及
通过穿过所述第三槽照射第二激光，在所述PI层形成第三PI切断线的步骤。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的基板小片的切割方法，其特征在于，
所述剥离切断线形成步骤包括：通过照射第一激光，在所述第一PET层及所述第一粘接层形成对应于所述剥离切断线的槽的步骤。
8.一种基板小片的切割装置，用于从多层基板切出基板小片，所述多层基板由第一PET层、PI层、第二PET层、将所述第一PET层粘接于所述PI层的第一粘接层、以及将所述第二PET层粘接于所述PI层的第二粘接层构成，所述基板小片是沿第一方向及第二方向延伸并在所述第一方向上的一端将所述第一PET层剥离掉的小片，其特征在于，
所述切割装置具备第一切断线形成单元，所述第一切断线形成单元在所述多层基板上隔开相当于所述基板小片在所述第二方向上的宽度的间隔而形成沿所述第一方向延伸的多条第一切断线，然后，形成沿所述第二方向延伸并用于从所述基板小片的所述第一方向上的一端剥离所述第一PET层的剥离切断线。
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