TW202025853A - 基板小片之切出方法及切出裝置 - Google Patents

基板小片之切出方法及切出裝置 Download PDF

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Abstract

本發明之課題在於，維持易自基板小片剝離PET層之狀態，並且於多層基板形成用以切出基板小片之切斷線。 自包含第1PET層L2、PI層L1、第2PET層L3、第1接著層L4、及第2接著層L5之多層基板P1，切出於X方向及Y方向上延伸且於Y方向之一端剝離了第1PET層L2之基板小片SP1的方法具備：於多層基板P1空出相當於基板小片SP1之X方向之寬度之間隔，形成沿著Y方向延伸之複數條第1切斷線SL1之步驟；及其後，形成沿著X方向延伸且用以自基板小片SP1之Y方向之一端剝離第1PET層L2之第4切斷線SL4之剝離切斷線形成步驟。

Description

基板小片之切出方法及切出裝置
本發明係關於一種自包含第1PET層、PI層、第2PET層之多層基板切出基板小片之方法、及自上述多層基板切出基板小片之切出裝置。
先前，自形成有如OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體)基板般之複數個基板小片之多層基板切出1個基板小片之方法為人所周知。 於自多層基板切出基板小片時，沿著各切出小片之邊形成切斷線。作為於上述多層基板形成切斷線之方法，自多層基板之一面照射雷射光而沿著所期望之線形成切斷線之方法為人所周知(例如參照專利文獻1)。
於如OLED基板般之形成有電路之基板小片中，為了保護OLED等不耐氧化等之電路而設置有保護層。因此，切出基板小片之多層基板具有：聚醯亞胺(PI)之基板層(稱為PI層)，其於表面形成有電路；及聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之保護層(稱為PET層)，其經由接著層接著於該PI層。 又，於PI層之形成有電路之表面上，形成有用以連接該電路與外部電路之連接端子。
於具有形成有電路與連接端子之PI層及保護該PI層之PET層之基板小片中，PI層之電路之形成部位需要由PET層保護，另一方面，連接端子之形成部位需要向外部露出。因此，自多層基板切出基板小片後，自基板小片之形成有連接端子之部位剝離PET層。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2018-15784號公報
[發明所欲解決之問題]
如上所述，於多層基板中，PET層藉由接著層(接著劑)接著於PI層。於此情形下，當藉由雷射照射而於多層基板上形成用以切出基板小片之切斷線時，認為接著層之狀態會因雷射照射而發生變化。推測因該接著層之狀態之變化而難以自基板小片剝離PET層。
本發明之目的在於，於自多層基板切出基板小片時，維持易自基板小片剝離PET層之狀態，並且於多層基板形成用以切出基板小片之切斷線。 [解決問題之技術手段]
以下，對作為解決問題之技術手段之複數個態樣進行說明。該等態樣可視需要進行任意組合。 本發明之一觀點之切出方法係自多層基板切出基板小片之方法。多層基板包含第1PET層、PI層、第2PET層、將第1PET層接著於PI層之第1接著層、及將第2PET層接著於PI層之第2接著層。基板小片為於第1方向及第2方向上延伸之基板。於基板小片中，於第1方向之一端剝離第1PET層。基板小片之切出方法具備以下步驟。 ◎第1切斷線形成步驟，其於多層基板上空開相當於基板小片之第2方向之寬度之間隔，形成沿著第1方向延伸之複數條第1切斷線。 ◎剝離切斷線形成步驟，其於第1切斷線形成步驟之後，形成沿著第2方向延伸且用以自基板小片之第1方向之一端剝離第1PET層之剝離切斷線。
於上述切出方法中，用以自基板小片之一端剝離第1PET層且於第2方向上延伸之剝離切斷線於在第1方向上延伸之第1切斷線形成之後形成。 藉由如上述般設定切斷線之形成順序，能夠使於剝離切斷線產生之損傷為最小限度，因此能夠維持易自基板小片剝離PET層之狀態，並且能夠於多層基板形成用以切出基板小片之切斷線。
基板小片之切出方法亦可進而具備以下步驟。 ◎第2切斷線形成步驟，其於第1切斷線形成步驟之後，在相當於基板小片之與剝離第1PET層之側為相反側之邊的多層基板之部位形成沿著第2方向延伸之第2切斷線。 ◎第3切斷線形成步驟，其於第2切斷線形成步驟後，在相當於基板小片之剝離第1PET層之側之邊的多層基板之部位形成沿著第2方向延伸之第3切斷線。 藉此，能夠維持易自基板小片剝離PET層之狀態，並且能夠於多層基板形成用以切出基板小片之切斷線。
第1切斷線、第2切斷線、及第3切斷線亦可具有形成於第1PET層及第1接著層之槽、及形成於PI層之PI切斷線。於此情形下，上述切出方法亦可進而具備以下步驟。 ◎藉由第1雷射光之照射，於第2PET層及第2接著層之形成有第1切斷線之位置所對應之位置形成第4槽之步驟。 ◎藉由第1雷射光之照射，於第2PET層及第2接著層之形成有第2切斷線及第3切斷線之位置所對應之位置形成第5槽之步驟。 藉此，能夠確實地切出基板小片。
第1切斷線形成步驟亦可具有以下步驟。 ◎藉由第1雷射光之照射，於第1PET層及第1接著層之形成第1切斷線之位置形成第1槽之步驟。 ◎一面使輪切設備通過第1槽，一面於PI層形成第1PI切斷線之步驟。 藉此，能夠藉由對PET層及PI層最佳之切斷線之形成方法而有效地形成切斷線。
第2切斷線形成步驟亦可具有以下步驟。 ◎藉由第1雷射光之照射，於第1PET層及第1接著層之形成第2切斷線之位置形成第2槽之步驟。 ◎藉由第1雷射光之照射，於第1PET層及第1接著層形成用以自基板小片剝離第1PET層之第4切斷線之步驟。 ◎一面使輪切設備通過第2槽，一面於PI層形成第2PI切斷線之步驟。 藉此，能夠藉由對PET層及PI層最佳之切斷線之形成方法而有效地形成切斷線，並且同時形成剝離切斷線。
第3切斷線形成步驟亦可具有以下步驟。 ◎藉由第1雷射光之照射，於第1PET層及第1接著層之形成第3切斷線之位置上形成第3槽之步驟。 ◎藉由通過第3槽照射第2雷射光，於PI層形成第3PI切斷線之步驟。 能夠藉由於PI層之剝離PET層之部位形成切斷線之最佳之方法而形成第3PI切斷線。
剝離切斷線形成步驟亦可具備藉由第1雷射光之照射，於第1PET層及第1接著層形成與剝離切斷線對應之槽之步驟。 藉此，能夠藉由對第1PET層及第1接著層最佳之方法而形成剝離切斷線。
本發明之其他觀點之切出裝置為自多層基板切出基板小片之裝置。多層基板為包含第1PET層、PI層、第2PET層、將第1PET層接著於PI層之第1接著層、及將第2PET層接著於PI層之第2接著層之基板。基板小片為於第1方向及第2方向上延伸，且於第1方向之一端剝離了第1PET層之基板。 切出裝置具備第1切斷線形成設備。 第1切斷線形成設備於多層基板上空開相當於基板小片之第2方向之寬度之間隔，形成沿著第1方向延伸之複數條第1切斷線。之後，第1切斷線形成設備形成沿著第2方向延伸且用以自基板小片之第1方向之一端剝離第1PET層之剝離切斷線。
於上述切出裝置中，第1切斷線形成設備於在第1方向上延伸之第1切斷線形成之後，形成用以自基板小片之一端剝離第1PET層且於第2方向上延伸之剝離切斷線。 藉由如上述般設定切斷線之形成順序，能夠使於剝離切斷線產生之損傷為最小限度，因此能夠維持易自基板小片剝離PET層之狀態，並且能夠於多層基板形成用以切出基板小片之切斷線。 [發明之效果]
於自包含第1PET層、PI層、第2PET層之多層基板切出於其一端剝離了第1PET層之基板小片時，於形成沿著第1方向延伸之第1切斷線後，形成沿著第2方向延伸且用以自基板小片之第1方向之一端剝離第1PET層之剝離切斷線，藉此，能夠維持易自基板小片剝離第1PET層之狀態，並且能夠於多層基板形成用以切出基板小片之切斷線。
1.第1實施形態 (1)多層基板之構造 以下，對本發明之一實施形態之自多層基板切出基板小片之方法進行說明。以下，將自陣列狀地形成有複數個OLED層d之多層基板切出包含1個OLED層d之基板小片SP1之方法，作為基板小片SP1之切出方法之一例進行說明。因此，首先，使用圖1及圖2，對多層基板P1之構成進行說明。圖1係表示多層基板之剖面構造之圖。圖1(a)表示自Y方向觀察多層基板之剖面構造，(b)表示自X方向觀察多層基板之剖面構造。圖2係表示多層基板之平面構造之圖。 於圖1及圖2中，將多層基板P1之橫方向定義為「X方向」，將縱方向定義為「Y方向」。又，將多層基板P1之縱方向(Y方向)定義為第1方向，將橫方向(X方向)定義為第2方向。
多層基板P1係於X方向及Y方向延伸之矩形基板。多層基板P1具有三層構造，即具有PI層L1、第1PET層L2、及第2PET層L3。 PI層L1為聚醯亞胺(PI)製之基板。如圖2所示，於PI層L1之一表面上，於X方向及Y方向陣列狀地排列形成有複數個OLED層d(有機LED(Light Emitting Diode，發光二極體))。具體而言，例如形成有發光層、用以控制發光層之發光之驅動用元件(例如TFT(薄膜電晶體))、及OLED層d之配線。 形成於多層基板P1之各OLED層d以基板小片SP1之形式自多層基板P1切出。
於OLED層d之Y方向(第1方向)之一端形成有用以將OLED層d與外部電路連接之連接部d1。於連接部d1形成有用以保護OLED層d免受空氣中之水分之影響之保護膜(例如SiO2 膜)。
第1PET層L2及第2PET層L3係聚對苯二甲酸乙二酯(PET)製之膜，保護形成於PI層L1之表面之OLED層d。但是，OLED層d之連接部d1所對應之部位之第1PET層L2於切出OLED層d作為基板小片SP1時剝離。 第1PET層L2藉由第1接著層L4接著於PI層L1之形成有OLED層d之側之表面。第1接著層L4例如由丙烯酸系或胺基甲酸酯系之接著劑形成。 另一方面，第2PET層L3藉由第2接著層L5接著於PI層L1之與形成有OLED層d之側為相反側之表面。第2接著層L5例如由丙烯酸系或胺基甲酸酯系之接著劑形成。
(2)切出裝置 其次，使用圖3對本實施形態之切出裝置1之構成進行說明。圖3係表示第1實施形態之切出裝置之構成之圖。切出裝置1係如下裝置：用以自具有上述構成之多層基板P1切出包含1個OLED層d之基板小片SP1，並自基板小片SP1剝離該基板小片SP1之OLED層d之連接部d1所對應之區域之第1PET層L2及第1接著層L4。 切出裝置1具備搬送裝置3、切斷裝置5、及剝離裝置7。 搬送裝置3係用以將多層基板P1搬送至切斷裝置5及剝離裝置7之裝置。搬送裝置3例如為帶式輸送機。於搬送裝置3中，切斷裝置5設置於多層基板P1之搬送方向之上游側。於搬送裝置3中，剝離裝置7設置於較切斷裝置5更靠多層基板P1之搬送方向之下游側。
(2-1)切斷裝置 切斷裝置5係形成用以自多層基板P1切出基板小片SP1之切斷線(劃線)之裝置。以下，使用圖4對切斷裝置之構成進行說明。圖4係表示切斷裝置之構成之圖。 切斷裝置5具備第1切斷線形成設備51、第2切斷線形成設備53、機械驅動系統55、及控制部57。
第1切斷線形成設備51係形成用以自多層基板P1切出基板小片SP1之切斷線(劃線)、及用以自基板小片SP1之一端剝離第1PET層L2之第4切斷線SL4(剝離切斷線之一例)之裝置。第1切斷線形成設備51於形成用以切出基板小片SP1之切斷線時，藉由雷射光之照射，於多層基板P1之PET層及接著層形成槽，並使刻劃輪SW(下述)通過該槽而於PI層L1形成切斷線(稱為PI切斷線)。 另一方面，第1切斷線形成設備51於形成用以自基板小片SP1之一端剝離第1PET層L2之第4切斷線SL4時，藉由雷射光之照射，於多層基板P1之PET層及接著層形成與第4切斷線SL4對應之槽。 具體而言，第1切斷線形成設備51具有第1雷射裝置51A及刻劃輪切斷裝置51B。
第1雷射裝置51A具有輸出第1雷射光LA1之雷射振盪器、及將該第1雷射光LA1傳輸至下述機械驅動系統55之傳輸光學系統(均未圖示)。雖未圖示，傳輸光學系統例如具有聚光透鏡、複數個反射鏡、稜鏡、及擴束器等。又，傳輸光學系統例如具有用以使組裝有雷射振盪器及其他光學系統之雷射照射頭(未圖示)於X軸方向上移動之X軸方向移動機構(未圖示)。第1雷射裝置51A之雷射振盪器例如為CO2 雷射。
刻劃輪切斷裝置51B係使刻劃輪SW(輪切設備之一例)滾動而切斷基板之裝置。於本實施形態中，刻劃輪切斷裝置51B被用於在多層基板P1之PI層L1上形成PI切斷線。 刻劃輪SW係外周部分形成為V字形之圓板狀構件。刻劃輪SW之上述外周部分成為於PI層L1形成PI切斷線之刀。刻劃輪SW例如直徑為5～15 mm，V字形之刀尖之頂角設為20～50°。
第2切斷線形成設備53係藉由使第2雷射光LA2通過形成於第1PET層L2及第1接著層L4之槽照射於PI層L1，而於PI層L1形成PI切斷線之裝置。 第2切斷線形成設備53具有輸出第2雷射光LA2之雷射振盪器、及將該第2雷射光LA2傳輸至下述機械驅動系統55之傳輸光學系統(均未圖示)。雖未圖示，傳輸光學系統例如具有聚光透鏡、複數個反射鏡、稜鏡、及擴束器等。又，傳輸光學系統例如具有用以使組裝有雷射振盪器及其他光學系統之雷射照射頭(未圖示)於X軸方向上移動之X軸方向移動機構(未圖示)。第2切斷線形成設備53之雷射振盪器例如為UV(Ultraviolet，紫外線)雷射。
如上所述，OLED層d之連接部d1因形成有SiO2 等之保護膜而變脆。若欲藉由刻劃輪SW等於較脆之連接部d1形成切斷線，則存在損傷連接部d1及/或OLED層d之可能性。 因此，對於OLED層d之連接部d1，藉由第2雷射光LA2之照射形成切斷線。藉此，能夠於不損傷較脆之保護層等之情形下，於連接部d1之附近形成用以切出基板小片SP1之切斷線。
機械驅動系統55係使多層基板P1於水平方向上移動，並圍繞中心軸旋轉之機構。具體而言，機械驅動系統55具有機座55A、載置多層基板P1之加工台55B、及使加工台55B相對於機座55A於水平方向上移動之移動裝置55C。移動裝置55C係具有導軌、移動台、旋轉機構、及馬達等之公知之機構。 於本實施形態之切斷裝置5中，移動裝置55C藉由使多層基板P1相對於第1切斷線形成設備51及第2切斷線形成設備53相對地移動，於多層基板P1形成切斷線。
又，機械驅動系統55具備使多層基板P1(加工台55B)旋轉之機構、及使多層基板P1之正背反轉之機構(均未圖示)。
控制部57係具有處理器(例如CPU(Central Processing Unit，中央處理單元))、記憶裝置(例如ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)、SSD(Solid State Disk，固態磁碟)等)、及各種介面(例如A/D(analog to digital，類比數位)轉換器、D/A(digital to analog，數位類比)轉換器、通信介面等)之電腦系統。控制部57藉由執行保存於記憶部(對應於記憶裝置之記憶區域之一部分或全部)之程式，進行各種控制動作。 控制部57可由單一之處理器構成，亦可由用於各控制而獨立之複數個處理器構成。
雖未圖示，於控制部57連接有檢測多層基板P1之大小、形狀及位置之感測器、用以檢測各裝置之狀態之感測器及開關、以及資訊輸入裝置。 於該實施形態中，控制部57能夠控制第1切斷線形成設備51、第2切斷線形成設備53、及移動裝置55C。
(2-2)剝離裝置 剝離裝置7係用以自形成於基板小片SP1(多層基板P1)之第1方向之一端之連接部d1剝離第1PET層L2之裝置。本實施形態之剝離裝置7係如下裝置，即，藉由膠帶接著欲剝離之第1PET層L2，使該膠帶相對於多層基板P1分離，藉此自基板小片SP1剝離第1PET層L2。 以下，使用圖5對剝離裝置之構成進行說明。圖5係表示剝離裝置之構成之圖。剝離裝置7主要具備載台71、黏著膠帶73、及加壓輥75。
載台71係用以固定並載置欲剝離第1PET層L2之多層基板P1之載台。於本實施形態中，載台71藉由使多層基板P1與載台71之間成為真空狀態，將多層基板P1固定於載台71。
黏著膠帶73以將接著面朝向多層基板P1側，且架設於送出卷軸73A與捲取卷軸73B之間之狀態配置。送出卷軸73A係送出黏著膠帶73之卷軸。捲取卷軸73B係捲取自送出卷軸73A送出之黏著膠帶73之卷軸。
加壓輥75係以特定之力將架設於送出卷軸73A與捲取卷軸73B之間之黏著膠帶73之接著面按壓於第1PET層L2之表面之輥。又，加壓輥75能夠以將黏著膠帶73之接著面按壓於第1PET層L2之表面之狀態，於多層基板P1之第1方向上移動。 藉由加壓輥75於第1方向上移動，按壓於第1PET層L2之黏著膠帶73之接著面自多層基板P1分離，與此同時，附著於該接著面之PET層自多層基板P1(基板小片SP1)剝離。
再者，剝離PET層時之加壓輥75之移動方向並未限定於多層基板P1之第1方向，亦可為與第1方向垂直之第2方向。又，加壓輥75亦可於水平面(與多層基板P1之主面平行之面)內之任意方向上移動。
此外，剝離裝置7具備控制加壓輥75、及送出卷軸73A、捲取卷軸73B之控制部(未圖示)。控制部係具有處理器、記憶裝置、及各種介面之電腦系統。
(3)基板小片之切出方法 以下，使用圖6～圖8，對自陣列狀地形成有複數個OLED層d之多層基板P1切出包含1個OLED層d之基板小片SP1之方法進行說明。圖6係模式地表示自多層基板之上表面方向觀察基板小片之切出方法之情形之圖。圖7及圖8係模式地表示自多層基板之剖面方向觀察基板小片之切出方法之情形之圖。 再者，為方便說明，於圖6中，切下多層基板P1中形成有於橫方向上2個及於縱方向上2個之合計4個OLED層d之部分，而表示基板小片SP1之切出方法。另一方面，於圖7及圖8中，切下多層基板P1中形成有1個OLED層d之部分，而表示基板小片SP1之切出方法。
於以下說明中，切斷裝置5之移動裝置55C設為能夠向一方向直線移動加工台55B上之多層基板P1。即，於以下說明中，切斷裝置5設為能夠僅於載置於加工台55B之多層基板P1之一方向掃描第1切斷線形成設備51及第2切斷線形成設備53。
於進行切出前，以使多層基板P1之第1PET層L2為上方，且使多層基板P1之Y方向與於切斷裝置5中之多層基板P1之移動方向成為平行之方式，將多層基板P1載置於加工台55B上。 將多層基板P1載置於加工台55B後，第1切斷線形成設備51於多層基板P1上空開相當於基板小片SP1之X方向(第2方向)之寬度之間隔，形成沿著Y方向(第1方向)延伸之複數條第1切斷線SL1(第1切斷線形成步驟)。
具體而言，如圖6(a)及圖7(a)所示，於第1PET層L2及第1接著層L4之形成第1切斷線SL1之位置形成第1槽G1。 第1槽G1能夠藉由如下方式形成：藉由第1雷射裝置51A，對第1PET層L2及第1接著層L4之形成第1切斷線SL1之位置照射第1雷射光LA1，藉由移動裝置55C之移動而沿著多層基板P1之Y方向掃描第1雷射光LA1。 再者，較佳為將利用第1雷射光LA1形成之槽之開口角度θ設為45°～100°之範圍。開口角度θ定義為槽之2個側壁所形成之角度。又，槽寬較佳為設為40 μm～200 μm之範圍。
於形成第1槽G1後，如圖6(b)及圖7(b)所示，使刻劃輪SW通過第1槽G1，而於PI層L1之第1槽G1所對應之位置形成第1PI切斷線PS1。 具體而言，於使刻劃輪SW通過第1槽G1內，並施加特定之負重而將刻劃輪SW之刀尖壓入PI層L1之狀態下使多層基板P1於Y方向上移動，進而使刻劃輪SW滾動，藉此能夠形成第1PI切斷線PS1。 如上所述，能夠於在基板小片SP1之Y方向(第1方向)上延伸之邊所對應之位置，形成由第1槽G1與第1PI切斷線PS1構成之第1切斷線SL1。
於形成第1切斷線SL1後，使多層基板P1旋轉90°，使多層基板P1之X方向與藉由移動裝置55C所形成之多層基板P1之移動方向平行。 使多層基板P1旋轉90°後，於基板小片SP1之X方向(第2方向)之邊所對應之位置形成切斷線。 於本實施形態中，基板小片SP1之於X方向上延伸之2邊中，首先在相當於基板小片SP1之與剝離第1PET層L2之側為相反側之邊的多層基板P1之部位上，形成第2切斷線SL2(第2切斷線形成步驟)。
具體而言，如圖6(c)及圖7(c)所示，於第1PET層L2及第1接著層L4之形成第2切斷線SL2之位置(與連接部d1所存在之側為相反側之邊所對應之位置)上形成第2槽G2。 第2槽G2能夠藉由如下方式形成：藉由第1雷射裝置51A，對第1PET層L2及第1接著層L4之形成第2切斷線SL2之位置照射第1雷射光LA1，並藉由移動裝置55C之移動而沿著多層基板P1之X方向掃描第1雷射光LA1。
又，如圖6(c)及圖7(c)所示，於本實施形態中，於形成第2槽G2之同時，亦形成能夠藉由第1雷射光LA1之照射而形成之於多層基板P1之X方向上延伸之其他槽。具體而言，於第1PET層L2及第1接著層L4上同時形成第3槽G3與第4切斷線SL4(剝離切斷線形成步驟)。 第3槽G3係用以形成下述第3切斷線SL3之槽。第4切斷線SL4係用以自基板小片SP1之Y方向之一端剝離第1PET層L2之槽。
第3槽G3能夠藉由如下方式形成：藉由第1雷射裝置51A，對第1PET層L2及第1接著層L4之形成第3切斷線SL3之位置(連接部d1所存在之側之邊所對應之位置)照射第1雷射光LA1，藉由移動裝置55C之移動而沿著多層基板P1之X方向掃描第1雷射光LA1。 第4切斷線SL4能夠藉由如下方式形成：一面藉由第1雷射裝置51A對第1PET層L2及第1接著層L4之形成第4切斷線SL4之位置(OLED層d與連接部d1之交界線所對應之位置)照射第1雷射光LA1，一面藉由移動裝置55C之移動而沿著多層基板P1之X方向掃描第1雷射光LA1。
於形成第2槽G2、第3槽G3、及第4切斷線SL4後，如圖6(d)及圖7(d)所示，使刻劃輪SW通過第2槽G2，於PI層L1之第2槽G2所對應之位置形成第2PI切斷線PS2。 藉此，基板小片SP1之於X方向(第2方向)上延伸之2邊中，能夠於未剝離第1PET層L2之側之邊所對應之位置，形成由第2槽G2與第2PI切斷線PS2構成之第2切斷線SL2。
於形成第2切斷線SL2後，在相當於基板小片SP1之於X方向(第2方向)上延伸之2邊中之另一條邊、即相當於剝離第1PET層L2之側之邊的多層基板P1之部位，形成第3切斷線SL3(第3切斷線形成步驟)。 具體而言，如圖6(e)及圖8(e)所示，將自第2切斷線形成設備53輸出之第2雷射光LA2通過已如上述般形成之第3槽G3照射至PI層L1，藉此於PI層L1形成第3PI切斷線PS3。 藉此，能夠於剝離第1PET層L2之側之邊所對應之位置，形成由第3槽G3與第3PI切斷線PS3構成之第3切斷線SL3。
於形成第1切斷線SL1～第4切斷線SL4後，使多層基板P1之正背反轉，進而，使多層基板P1旋轉90°。藉此，於多層基板P1之第2PET層L3朝上之狀態下，多層基板P1之Y方向與由移動裝置55C所致之多層基板P1之移動方向平行。
於多層基板P1之正背之反轉及90°旋轉後，如圖6(f)及圖8(f)所示，於第2PET層L3及第2接著層L5之第1切斷線SL1所對應之位置形成第4槽G4。 第4槽G4能夠藉由如下方式形成：一面藉由第1雷射裝置51A對第2PET層L3及第2接著層L5之第1切斷線SL1所對應之位置照射第1雷射光LA1，一面藉由移動裝置55C之移動而沿著多層基板P1之Y方向掃描第1雷射光LA1。
於第2PET層L3形成第4槽G4後，使多層基板P1旋轉90°，多層基板P1之X方向與由移動裝置55C所致之多層基板P1之移動方向平行。 其後，如圖6(g)及圖8(g)所示，於第2PET層L3及第2接著層L5之第2切斷線SL2及第3切斷線SL3所對應之位置形成第5槽G5。
第5槽G5能夠藉由如下方式形成：一面藉由第1雷射裝置51A對第2PET層L3及第2接著層L5之第2切斷線SL2及第3切斷線SL3所對應之位置照射第1雷射光LA1，一面藉由移動裝置55C之移動而沿著多層基板P1之X方向掃描第1雷射光LA1。
如上所述，於形成用以自多層基板P1切出基板小片SP1之第1切斷線SL1～第4切斷線SL4後，形成有該等切斷線之多層基板P1藉由搬送裝置3搬送至剝離裝置7。藉由剝離裝置7將基板小片SP1之連接部d1所對應之區域中存在之第1PET層L2剝離。
進而，能夠藉由形成於多層基板P1之第1切斷線SL1～第3切斷線SL3，如圖6(h)及圖8(h)所示，自多層基板P1切出於X方向(第2方向)及Y方向(第1方向)上延伸，且包含1個OLED層d之基板小片SP1。 又，如圖8(h)所示，於切出之基板小片SP1中，於OLED層d之連接部d1所對應之部位不存在第1PET層L2及第1接著層L4，而於其他部位存在第1PET層L2及第2PET層L3。 即，僅連接部d1露出，OLED層d之其他部位藉由第1PET層L2及第2PET層L3保護。
(4)總結 於使用上述圖6～圖8說明之自多層基板P1切出基板小片SP1之切出方法中，用以自基板小片SP1之Y方向之一端剝離第1PET層L2之於X方向上延伸的第4切斷線SL4，係於在Y方向上延伸之第1切斷線SL1形成之後形成。又，於X方向上延伸之其他切斷線(第2切斷線SL2及第3切斷線SL3)亦於第1切斷線SL1形成之後形成。
於在上述多層基板P1上形成切斷線之情形時，一般若於形成在一方向延伸之切斷線後，形成與該切斷線相交之於其他方向延伸之切斷線，則存在藉由先前形成之切斷線切斷之PET層再熔合等於先前形成之切斷線產生損傷之情況。
因此，於形成在Y方向上延伸之第1切斷線SL1後，形成於X方向上延伸之第4切斷線SL4，藉此能夠使於第4切斷線SL4(及第3切斷線SL3)產生之損傷為最小限度，因此能夠維持易自基板小片SP1剝離第1PET層L2之狀態，並且能夠於多層基板P1形成用以切出基板小片SP1之切斷線。
另一方面，關於第1切斷線SL1，即便因第4切斷線SL4之形成而受到損傷，於自多層基板P1切出基板小片SP1時亦不會成為問題。其原因在於，基板小片SP1自多層基板P1之切出係藉由一面按壓多層基板P1之第1切斷線SL1附近，一面吸附基板小片SP1而使基板小片SP1自多層基板P1分離而進行，因此於該分離時能夠破壞切斷線形成時之PET層之熔合。
為了確認上述效果，作為比較例，首先形成用以剝離第1PET層L2之第4切斷線SL4及基板小片SP1之於X方向上延伸之2邊之切斷線(第2切斷線SL2、第3切斷線SL3)，其後，形成於Y方向上延伸之2邊之切斷線(第1切斷線SL1)，自基板小片SP1剝離第1PET層L2。 其結果，於上述比較例中，試行了720次第1PET層L2之剝離，其中於30次之試行中無法適當地剝離第1PET層L2。即，於比較例之情形時，第1PET層L2之剝離之失敗率約為4%。
另一方面，於使用了上述說明之本實施形態之切出方法之情形時，即於形成第1切斷線SL1後形成第4切斷線SL4之情形時，即便試行240次第1PET層L2之剝離，剝離第1PET層L2皆未失敗。即，於本實施形態之情形時，剝離第1PET層L2之失敗率為0%。
又，於本實施形態中，使切斷多層基板P1之各層之方法不同。具體而言，藉由第1雷射光LA1之照射執行向PET層及接著層形成切斷線(槽)。藉由刻劃輪SW執行向PI層L1形成除連接部d1之於X方向上延伸之邊以外之3邊所對應之切斷線。進而，藉由第2雷射光LA2之照射執行向PI層L1形成連接部d1之於X方向上延伸之邊所對應之切斷線。 藉此，能夠藉由對PET層及PI層最佳之切斷線之形成方法而有效地形成切斷線。
2.其他實施形態 以上，對本發明之一實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，可於不脫離發明之主旨之範圍內進行各種變更。特別是本說明書所記載之複數個實施形態及變化例可視需要進行任意組合。 形成於PI層L1之器件並不限定於OLED層d，即便於在PI層L1形成其他可撓性之器件之情形時，亦能夠使用上述基板小片SP1之切出方法。
如上所述，多層基板P1具有3個層(PI層L1、第1PET層L2、第2PET層L3)，但對於具有2層之基板、及具有4層以上之層之基板，亦能夠應用上述切斷方法。 多層基板P1及/或基板小片SP1之形狀並無特別限定。
切斷裝置5及/或剝離裝置7之構成並不限定於上述實施形態中所說明之構成。例如，切斷裝置5之機械驅動系統55亦可具有使加工台55B及移動裝置55C旋轉之機構。
移動裝置55C並不限定於使多層基板P1向一方向直線移動，亦可使其於水平方向中之任意方向上移動。於此情形下，移動裝置55C亦可不使多層基板P1旋轉，而使多層基板P1於X方向及Y方向之兩個方向上移動。 藉此，能夠僅利用由移動裝置55C所致之移動，而於多層基板P1之X方向及Y方向之兩個方向上掃描第1切斷線形成設備51及第2切斷線形成設備53。 [產業上之可利用性]
本發明能夠廣泛地應用於自多層基板之基板小片之切出。
1:切出裝置 3:搬送裝置 5:切斷裝置 7:剝離裝置 51:第1切斷線形成設備 51A:第1雷射裝置 51B:刻劃輪切斷裝置 53:第2切斷線形成設備 55:機械驅動系統 55A:機座 55B:加工台 55C:移動裝置 57:控制部 71:載台 73:黏著膠帶 73A:送出卷軸 73B:捲取卷軸 75:加壓輥 d:OLED層 d1:連接部 G1:第1槽 G2:第2槽 G3:第3槽 G4:第4槽 G5:第5槽 L1:PI層 L2:第1PET層 L3:第2PET層 L4:第1接著層 L5:第2接著層 LA1:第1雷射光 LA2:第2雷射光 P1:多層基板 PS1:第1PI切斷線 PS2:第2PI切斷線 PS3:第3PI切斷線 SL1:第1切斷線 SL2:第2切斷線 SL3:第3切斷線 SL4:第4切斷線 SP1:基板小片 SW:刻劃輪 θ:開口角度
圖1(a)、(b)係表示多層基板之剖面構造之圖。 圖2係表示多層基板之平面構造之圖。 圖3係表示第1實施形態之切出裝置之構成之圖。 圖4係表示切斷裝置之構成之圖。 圖5係表示剝離裝置之構成之圖。 圖6(a)～(h)係模式地表示自多層基板之上表面方向觀察基板小片之切出方法之情形之圖。 圖7(a)～(d)係模式地表示自多層基板之剖面方向觀察基板小片之切出方法之情形之圖(其1)。 圖8(e)～(h)係模式地表示自多層基板之剖面方向觀察基板小片之切出方法之情形之圖(其2)。
d:OLED層
d1:連接部
G1:第1槽
G2:第2槽
G3:第3槽
G4:第4槽
G5:第5槽
P1:多層基板
SL1:第1切斷線
SL2:第2切斷線
SL3:第3切斷線
SL4:第4切斷線
SP1:基板小片

Claims (8)

  1. 一種切出方法，其係自包含第1PET層、PI層、第2PET層、將上述第1PET層接著於上述PI層之第1接著層、及將上述第2PET層接著於上述PI層之第2接著層之多層基板，切出於第1方向及第2方向上延伸且於上述第1方向之一端剝離了上述第1PET層之基板小片之方法，且具備： 第1切斷線形成步驟，其於上述多層基板空出相當於上述基板小片之上述第2方向之寬度之間隔，形成沿著上述第1方向延伸之複數條第1切斷線；及 剝離切斷線形成步驟，其於上述第1切斷線形成步驟之後，形成沿著上述第2方向延伸且用以自上述基板小片之上述第1方向之一端剝離上述第1PET層之剝離切斷線。
  2. 如請求項1之切出方法，其進而具備： 第2切斷線形成步驟，其於上述第1切斷線形成步驟之後，在相當於上述基板小片之與剝離上述第1PET層之側為相反側之邊的上述多層基板之部位，形成沿著上述第2方向延伸之第2切斷線；及 第3切斷線形成步驟，其於上述第2切斷線形成步驟之後，在相當於上述基板小片之剝離上述第1PET層之側之邊的上述多層基板之部位形成沿著上述第2方向延伸之第3切斷線。
  3. 如請求項2之切出方法，其中上述第1切斷線、上述第2切斷線、及上述第3切斷線具有形成於上述第1PET層及上述第1接著層之槽、及形成於上述PI層之PI切斷線；上述切出方法進而具備如下步驟： 藉由第1雷射光之照射，於上述第2PET層及上述第2接著層之形成有上述第1切斷線之位置所對應之位置形成第4槽；及 藉由上述第1雷射光之照射，於上述第2PET層及上述第2接著層之形成有上述第2切斷線及上述第3切斷線之位置所對應之位置形成第5槽。
  4. 如請求項3之切出方法，其中上述第1切斷線形成步驟具有如下步驟： 藉由上述第1雷射光之照射，於上述第1PET層及上述第1接著層之形成上述第1切斷線之位置形成第1槽；及 一面使輪切設備通過上述第1槽，一面於上述PI層形成第1PI切斷線。
  5. 如請求項3或4之切出方法，其中上述第2切斷線形成步驟具有如下步驟： 藉由上述第1雷射光之照射，於上述第1PET層及上述第1接著層之形成上述第2切斷線之位置形成第2槽； 藉由上述第1雷射光之照射，於上述第1PET層及上述第1接著層形成上述剝離切斷線；及 一面使輪切設備通過上述第2槽，一面於上述PI層形成第2PI切斷線。
  6. 如請求項3至5中任一項之切出方法，其中上述第3切斷線形成步驟具有如下步驟： 藉由上述第1雷射光之照射，於上述第1PET層及上述第1接著層之形成上述第3切斷線之位置形成第3槽；及 藉由通過上述第3槽照射第2雷射光，於上述PI層形成第3PI切斷線。
  7. 如請求項1至6中任一項之切出方法，其中上述剝離切斷線形成步驟具備如下步驟：藉由第1雷射光之照射，於上述第1PET層及上述第1接著層形成與上述剝離切斷線對應之槽。
  8. 一種切出裝置，其係自包含第1PET層、PI層、第2PET層、將上述第1PET層接著於上述PI層之第1接著層、及將上述第2PET層接著於上述PI層之第2接著層之多層基板，切出於第1方向及第2方向上延伸且於上述第1方向之一端剝離了上述第1PET層之基板小片者，且具備： 第1切斷線形成設備，其於上述多層基板上空開相當於上述基板小片之上述第2方向之寬度之間隔，形成沿著上述第1方向延伸之複數條第1切斷線，其後，形成沿著上述第2方向延伸且用以自上述基板小片之上述第1方向之一端剝離上述第1PET層之剝離切斷線。
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