CN110854037B - 加热板、具备其的基板热处理装置及加热板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种在接近销形成孔,并连接接近销的孔与真空孔,而防止在基板的热处理时产生气流的加热板、具备其的基板热处理装置及加热板的制造方法。本发明的加热板包括:主体部,在内部具有用于加热基板的加热器;多个第一孔,由主体部的上部向下方贯通主体部形成;多个接近销,形成于主体部的上部,以基板未与主体部的上部接触的方式支撑基板;及多个第二孔,形成于多个接近销中的至少一部分的接近销,并由接近销的表面向下方贯通接近销而形成,第一孔与第二孔相互连接,将第一孔与第二孔的内部制造为真空状态而固定基板。

Description

加热板、具备其的基板热处理装置及加热板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种在制造半导体元件时利用的加热板、具备其的基板热处理装置及加热板的制造方法。
背景技术
为了制造半导体元件,须在晶片(wafer)等基板上形成既定的图案。在基板上形成既定的图案时,连续执行沉积工艺(depositing process)、光刻工艺(lithographyprocess)、蚀刻工艺(etching process)等。
现有技术文献
【专利文献】
韩国公开专利第10-2007-0046303号(公开日:2007.05.03.)
发明的内容
发明要解决的技术问题
在所述工艺中,执行光刻工艺时,在制动室(bake chamber)中,对基板进行热处理。在制动室中对基板进行热处理时,起模顶杆(lift pin)在将基板处于加热板(hotplate)上之后,对基板进行热处理。此时,为了防止基板的撞击,而在加热板的上面形成接近销(proximity pin)。
但在对基板进行热处理时,因形成于加热板的真空孔(vacuum hole),而在接近销之间的空间形成向真空孔侧的气流。加热板因该气流,对形成于基板上的薄膜的质地的均匀度产生影响而在薄膜质地造成缺陷。
发明的内容
发明要解决的技术问题
在本发明中要解决的课题为提供一种加热板、具备其的基板热处理装置及加热板的制造方法,在接近销形成孔,并以连接接近销的孔与真空孔的方式形成,在基板的热处理时抑制气流的产生。
本发明的课题并非通过上述言及的课题限定,未言及的或其它课题通过下面的记载而使本领域技术人员明确理解。
用于解决问题的技术方案
用于实现所述课题的本发明的加热板一方面(aspect)包括:主体部,在内部具有用于加热基板的加热器;多个第一孔,由所述主体部的上部向下方贯通所述主体部而形成;多个接近销(proximity pin),形成于所述主体部的上部,以所述基板未与所述主体部的上部接触的方式支撑所述基板;及多个第二孔,形成于多个接近销中的至少一部分的接近销,并由所述接近销的表面向下方贯通所述接近销而形成,其中,所述第一孔与所述第二孔相互连接,将所述第一孔与所述第二孔的内部制造为真空状态而固定所述基板。
在从所述主体部的上部观察时,所述第二孔以与所述第一孔部分重叠(overlap)的方式与所述第一孔连接。
形成有所述第二孔的接近销处于所述第一孔上,未形成所述第二孔的接近销未处于所述第一孔上。
所述接近销由与所述主体部相同的材料形成,与所述主体部形成为一体型。
所述接近销由与所述主体部不同的材料形成,利用C字形环(C-ring)或E字形环(E-ring)而插入形成于所述主体部的凹槽之后固定。
用于实现所述课题的本发明的基板热处理装置的一方面(aspect)包括:加热单元,利用加热板而对基板进行加热;冷却单元,对被加热的所述基板进行冷却;及运送机器人,将所述基板由所述加热单元移送至所述冷却单元,所述加热板包括:主体部,在内部具有用于加热所述基板的加热器;多个第一孔,由所述主体部的上部向下方贯通所述主体部而形成;多个接近销(proximity pin),形成于所述主体部的上部,以所述基板未接触所述主体部的上部的方式支撑所述基板;及多个第二孔,形成于多个接近销中的至少一部分的接近销,由所述接近销的表面向下方贯通所述接近销而形成,所述第一孔与所述第二孔相互连接,将所述第一孔与所述第二孔的内部制造为真空状态而固定所述基板。
用于实现所述课题的本发明的加热板的制造方法的一方面(aspect)包括如下步骤:提供由第一材料构成的主体部与用于在所述主体部的上部支撑基板而形成并由所述第一材料构成的多个接近销;形成由所述主体部的上部向下方贯通所述主体部的第一孔与在所述接近销的表面向下方贯通所述接近销的第二孔,并且,所述第一孔与所述第二孔通过一次加工而形成为一体型。
其它实施例的具体事项包含于具体说明及附图中。
附图说明
图1为显示本发明的一个实施例的加热板的简要结构的截面图;
图2为显示本发明的另一个实施例的加热板的简要结构的截面图;
图3为用于说明在加热板仅形成第一孔的情况的参考图;
图4为用于说明在加热板连接第一孔与第二孔的情况的参考图;
图5为用于说明接近销与主体部由相同的材料形成时加热板的制造方法的流程图;
图6为用于说明接近销与主体部由相互不同的材料形成时加热板的制造方法的流程图;
图7为显示本发明的一个实施例的具有加热板的基板热处理装置的简要结构的平面图;
图8为显示本发明的一个实施例的具有加热板的基板热处理装置的简要结构的整图面;
图9为简要显示将基板传输至基板热处理装置的基板传输机器人的手臂的示例图。
附图标记说明
100:加热板 110:主体部
120:第一孔 130、130’、130”:接近销
140:第二孔 150:加热器
210:基板 500:基板热处理装置
510:外壳 520:冷却单元
530:加热单元 540:运送机器人
541:退回板 610:冷却区域
620:缓冲区域 630:加热区域
具体实施方式
下面,参照附图对本发明的优选的实施例进行具体说明。本发明的优点及特征及其实现其的方法与参照附图一起而参照具体说明的实施例而明确。但本发明并非限定于下面公开的实施例,能够由相互不同的形式实现,仅本实施例完全公开本发明,为了向本发明所属的技术领域中的普通技术人员完全理解发明的范围而提供,本发明通过权利要求范围定义。整个说明中相同参照符号表示相同构成要素。
元件(elements)或层不同的元件或层的“上(on)”或“上面(on)”表示并非直接处于其它元件或层上,也包含中间包含其它层或其它元件。而元件“直接处于~上(directlyon)”或“直接处于~上面”表示中间未介入其它元件或层。
空间相对的用语即“下(below)”、“下面(beneath)”、“下部(lower)”、“上(above)”、“上部(upper)”等如显示于附图所示,用于便于记述一个元件或构成要素与其它元件或构成要素的相关关系而使用。空间相对的用语在附图中显示的方向使用时或工作时,以包含元件的相互不同的方向的用语理解。例如,对于翻转附图显示的元件的情况,记述为其它元件的“下(below)”或“下面(beneath)”的元件放置于其它元件的“上面(above)”。因此,例示用语的“下面”包含下面与上面的方向。元件也以不同的方向排列,由此,空间相对的用语根据排列解释。
即使第一、第二等用于叙述各种元件、构成要素及/或部件而使用,但该元件、构成要素及/或部件并非通过该用语限定。该用语仅用于将一个元件、构成要素或部件与其它元件、构成要素或部件区分而使用。因此,下面言及的第一元件,第一构成要素或第一部件在本发明的记述的思想内也能够为第二元件、第二构成要素或第二部件。
在本说明书中使用的用语用于说明实施例,并非限定本发明。在本说明书中,对于单数型在文章中未作特别言及的情况,也包括复数型。说明书中所使用的“包含的(comprises)”及/或“要包含的(comprising)”言及的构成要素、步骤、动作及/或元件并未排除一个以上其它构成要素、步骤、动作及/或元件的存在或增加。
在未作其它定义的情况下,本说明书中使用的所有的用语(包含技术及科学用语)以在本发明所属技术领域中普通技术人员共同理解的意义使用。或者对于普通使用的词典定义的用语未作明确特别定义的,未作异常或过度解释。
下面,参照附图对本发明的实施例进行具体说明,参照附图进行说明,与附图符号无关,相同或对应的构成要素赋予相同的参照符号,省略对其重复说明。
本发明涉及一种抑制在对基板热处理时发生导致基板不合格的气流的加热板。并且,本发明涉及一种具有该加热板的基板热处理装置。下面,参照附图对本发明进行具体说明。
图1为显示本发明的一个实施例的加热板的简要结构的截面图。
加热板(hot plate;100)在对基板进行热处理时对基板施加热。根据图1,该加热板100包括主体部110、接近销(proximity pin;130)及加热器(heater;150)。
主体部110构成加热板100的主体。该主体部110形成为圆筒形。但本实施例并非限定于此。例如,主体部110为多面体形状,或也能够形成为椭圆体形状。
主体部110具有比基板大的直径。但本实施例并非限定于此。即,主体部110也能够具有与基板相同的直径。
主体部110以氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AIN)等陶瓷(ceramics)作为材料形成。但本实施例并非限定于此,主体部110将耐热性(heat-resisting property)或耐火性(refractoriness)优秀的金属原料作为材料形成。
主体部110具有上下方向贯通形成的多个第一孔(first hole;120)。第一孔120为真空孔(vacuum hole),形成真空压力,在对基板进行热处理时,起到固定基板的作用。
第一孔120的截面形成为圆形。但本实施例并非限定于此。例如,第一孔120的截面形成为多边形,或其截面也能够形成为椭圆形。
接近销130为起模顶杆(lift pin;未图示)在将基板(例如,晶片(wafer))处于加热板100上之后,利用加热器150,对基板进行加热时,为了防止基板撞击,而形成于主体部110的上部。即,接近销130形成于主体部110的上部,以使基板未与主体部110的上部接触的方式支撑基板。该接近销130与起模顶杆一起而在主体部110的上部形成多个。
接近销130在主体部110的上部向上侧方向突出形成。该情况,接近销130形成为半球(hemisphere)形状。但其仅为一例,本实施例并非限定于此。接近销130也能够为棱锥形状、多面体形状。
接近销130与主体部110一样,也将氧化铝、氮化铝等陶瓷作为材料形成。但本实施例并非限定于此,接近销130也能够由耐热性或耐火性优秀的其它材料形成。
接近销130由与主体部110相同的材料形成。但本实施例并非限定于此。即,接近销130也能够由与主体部110不同的材料形成。
第二孔(second hole;140)形成于接近销130,将接近销130以上下方向贯通形成。该第二孔140与第一孔120连接,以供空气通过。即,在主体部110的上部观察时,第二孔140与第一孔120部分重叠(overlap)。
对于第二孔140与第一孔120以连接的方式形成的情况,第二孔140的截面整体与第一孔120连接。但本实施例并非限定于此,也能够仅第二孔140的截面一部分与第一孔120连接。
第二孔140形成为与第一孔120相同的大小。此情况,如图1显示所示,第二孔140的截面整体与相同的大小的第一孔120连接。
第二孔140形成为与第一孔120相互不同的大小。对于第二孔140比第一孔120小的尺寸形成的情况,第二孔140的截面整体与第一孔120连接。而对于第二孔140形成为比第一孔120大的尺寸的情况,第一孔120的截面整体也能够与第二孔140连接。
第二孔140的截面形成为圆形。但本实施例并非限定于此。例如,第二孔140的截面形成为多边形,或其截面也能够形成为椭圆形。
第二孔140的截面形状形成为与第一孔120相同的形状。但本实施例并非限定于此。即,第二孔140的截面形状也能够形成与第一孔120不同的形状。
第二孔140形成为具备于加热板100上的几个接近销130。但本实施例并非限定于此,第二孔140也能够形成于位于加热板100上的所有的接近销130,或形成于位于加热板100上的任一个接近销130。
对于第二孔140位于形成于加热板100上的几个接近销130的情况,如图2显示所示,形成有第二孔140的接近销(130’)处于第一孔120上。而未形成有第二孔140的接近销(130”)未处于第一孔120上。图2为显示本发明的另一实施例的加热板的简要结构的截面图。
再次参照图1进行说明。
加热器150用于对处于起模顶杆上的基板施加热。该加热器150在主体部110的内部具有多个。加热器150由施加电流的发热的电阻实现,但在本实施例中的加热器150的具体形状并非限定于此。
为了进行光刻工艺(lithography process),加热板100的起模顶杆在放置基板之后,对基板进行热处理时,通过第一孔120形成真空压力,而固定基板。此时,在基板的厚度不足400μm的情况下,约需要-10kPa以上的压力,在基板的厚度为400μm~500μm的情况下,约需要-25kPa以上的压力。
图3及图4为显示切断加热板的一部分而显示形成于其部分的接近销130、第一孔120、第二孔140等。
但如图3显示所示,由于接近销,而在基板210与主体部110的上部之间形成有空间220,在主体部110形成第一孔120的情况下,形成从外部向空间220侧的第一气流231与从空间220向第一孔120侧的第二气流232。
如上说明所示,第二气流232在基板210的上部与下部之间也产生温度不均匀现状,由此,在形成于基板上的膜质的均匀度造成影响。
在本实施例中,如图4显示所示,在主体部110形成第一孔120,在接近销130形成第二孔140,第一孔120与第二孔140连接,以供空气相互通过,而即使在基板210与主体部110的上部之间形成有空间220,仅形成第一气流231,几乎未形成第二气流232。因此,在本实施例中,通过如图4显示所示的加热板100的结构,在基板210的下部各个侧容易传输均匀温度,在基板210的上部与下部之间产生的温度不均匀现状能够降到最小化。
接近销130如上说明所示,由与主体部110相同的材料形成,也能够由与主体部110不同的材料形成。下面对在接近销130与主体部110相同的材料形成时,加热板100的制造方法及接近销130由与主体部110不同的材料制造时,加热板100的制造方法进行说明。
首先对前者的情况进行说明。图5为说明接近销与主体部由相同的材料形成时,加热板的制造方法的流程图。下面说明参照图5。
首先准备主体部110,该主体部110的上面形成多个接近销130,制造具有接近销130的主体部110(S310)。此时,主体部110将陶瓷作为材料而制造,但本实施例并非限定于此。
之后,由接近销130的表面形成贯通主体部110的孔,制造形成有第一孔120与第二孔140的加热板100(S320)。在本实施例中,对于主体部110与接近销130由相同的材料形成的情况,将第一孔120与第二孔140一次性形成为一体型。
下面对于后者进行说明。图6为说明接近销与主体部由相互不同的材料形成时,加热板的制造方法的流程图。下面说明参照图6。
首先准备主体部110,在该主体部110形成多个第一孔120,制造具有第一孔120的主体部110(S410)。
在本实施例中,接近销130将陶瓷作为材料形成。此情况,主体部110将金属作为材料形成,例如,能够将耐热性或耐火性优秀的金属作为材料形成。
之后,准备接近销130,在该接近销130形成第二孔140,而制造形成有第二孔140的接近销130(S420)。
在接近销130形成第二孔140时,设定第二孔140的半径为接近销130的半径的1/2,但本实施例并非必须限定于此。在本实施例中,有选择地调节在加热板100对基板210施加热时利用的加热温度、根据基板210的特性而有选择调节对于接近销130的半径的第二孔140的半径的比例。
另外,制造形成有第二孔140的接近销130的步骤(S420),在制造具有第一孔120的主体部110的步骤(S410)之后执行,但本实施例并非必须限定于此。例如,制造形成有第二孔140的接近销130的步骤(S420)与制造具有第一孔120的主体部110的步骤(S410)同时执行,也能够比制造具有第一孔120的主体部110的步骤(S410)先执行。
在制造具有第一孔120的主体部110与形成有第二孔140的接近销130的情况下,之后,以第一孔120与第二孔140部分重叠而连接的方式将接近销130结合于主体部110的上部(S430)。
在将接近销130结合至主体部110的上部时,在第一孔120的上部形成凹槽,在该凹槽插入接近销130,而将接近销130结合至主体部110上。此时,利用C字形环(C-ring)、E字形环(E-ring)等而将接近销130固定至凹槽,由此,接近销130以物理方式接合至主体部110的方式结合。
但在本实施例中,将接近销130结合于主体部110的上部的方法并非限定于此。例如,金属化方法、工艺接合法、活性金属法、高压铸造接合法(SQ接合法)、固相接合法等接合陶瓷与金属的各种方法而也能够将接近销130接合至主体部110的上部。
综上,参照图5及图6,对加热板的制造方法进行了说明。对加热板的制造方法简要如下。
首先,执行提供由第一材料构成的主体部、在该主体部的上部用于支撑基板而形成并提供由第一材料构成的多个接近销的步骤。
之后,执行形成从主体部的上部向下方贯通主体部的第一孔、从接近销的表面向下方贯通接近销的第二孔,第一孔与第二孔通过一次性加工而形成为一体型的步骤。
光刻工艺(lithography process)按涂覆工艺、曝光工艺、显像工艺等顺序依次进行。涂覆工艺是指在基板上涂覆光致抗蚀剂(photoresist)而形成光致抗蚀剂层(photoresist layer)的工艺,曝光工艺是指将图案转印至光致抗蚀剂层而形成电路的工艺。并且,显像工艺是指将显像液供应至光致抗蚀剂层而有选择地去除曝光的区域等的工艺。
对于在执行涂覆工艺之前或之后(即,在基板上涂覆光致抗蚀剂之前或之后),在执行曝光工艺之前或之后(即,在基板上供应显像液之前或之后)等情况,在基板热处理装置(例如,制动室(bake chamber))对基板进行热处理。
下面,对利用加热板100而对基板进行热处理的基板热处理装置进行说明。图7为显示具有本发明的一个实施例的加热板的基板热处理装置的简要结构的平面图。并且,图8为显示具有本发明的一个实施例的加热板的基板热处理装置的简要结构的正面图。
参照图7及图8,基板热处理装置500包括外壳510、冷却单元520、加热单元530及运送机器人540。
外壳510内部具有冷却单元520、加热单元530及运送机器人540,以能够进行对基板的热处理。该外壳510的侧壁具有供基板出入的闸门(未图示)。
闸门在外壳510提供有一个,但也能够提供两个以上。闸门保持为开启的状态,也能够在外壳510的侧壁提供门(未图示),以供闸门能够开闭。
外壳510的内部区分为冷却区域610、缓冲区域620及加热区域630。在此,冷却区域610是指配置有冷却单元520的区域,加热区域630是指配置有加热单元530的区域。冷却区域610以与冷却单元520的宽度相同的方式提供,但也能够比冷却单元520的宽度宽的方式提供。同样地,加热区域630以与加热单元530的宽度相同的方式提供,但也能够以比加热单元530的宽度宽的方式提供。
缓冲区域620是指退回板541为原位置状态时配置的区域。该缓冲区域620以比退回板541的宽度更宽的方式提供。在缓冲区域620如所述一样提供的情况下,冷却单元520与加热单元530充分分隔而防止相互之间发生热干扰的情况。但在冷却区域610与加热区域630分别比冷却单元520与加热单元530的宽度更宽的方式提供的情况下,缓冲区域620也能够与退回板541的宽度相同的方式提供。
在本实施例中,从外壳510内部的左侧向右侧方向依次配置冷却区域610、缓冲区域620及加热区域630。但本实施例并非限定于此。例如也能够从外壳510内部的左侧向右侧方向依次配置加热区域630、缓冲区域620及冷却区域610。
冷却单元520用于对通过加热单元530加热的基板进行冷却(cooling),包括冷却板521及冷却部件522。
在通过加热单元530而对基板施加高温的热的情况下,发生基板弯曲的翘曲(warpage)。因此,在本实施例中,通过冷却单元520而对借助加热单元530而加热的基板进行冷却,由此,将基板恢复至原来状态。
从上部观察冷却板521时,形成为圆形的形状。但本实施例并非限定于此,冷却板521也能够形成为椭圆形的形状或多边形的形状等。
冷却部件522形成于冷却板521的内部。该冷却部件522在冷却板521的内部提供为供冷却流体流动的流路。
加热单元530用于对基板进行加热,包括加热板100、盖子531及驱动器532。
加热板100参照图1至图6进行了上述,在此,省略具体说明。
盖子531在加热板100对基板进行加热时,覆盖加热板100的上部。该盖子531根据驱动器532的控制而以上下方向移动,而覆盖加热板100的上部。
驱动器532将盖子531以上下方向移动。驱动器532在基板被安装在加热板100的上面,以用于基板的加热的情况下,将盖子531向下方移动,以使盖子531完全覆盖加热板100的上部。并且,驱动器532在基板的加热结束的情况下,运送机器人540将盖子531向上方移动,而将加热板100的上部露出至外部,以使基板移送至冷却单元520。
加热单元530在加热基板过程中供应气体,以提高光敏抗蚀剂的基板附着率。加热单元530为此将六甲基二硅烷(hexamethyldisilane)气体作为气体利用。
运送机器人540将基板移送至加热单元530,以用于加热基板。并且,运送机器人540将基板从加热单元530移送至冷却单元520,以用于冷却被加热的基板。
运送机器人540将退回板541与手臂结合,以用于将基板依次移送至加热单元530与冷却单元520,沿着导轨542将退回板541移动至加热单元530与冷却单元520。
退回板541为圆板状,具有与基板对应的直径。该退回板541在边缘形成多个切口543,一面形成多个缝隙形状的导槽544。.
运送机器人540通过外壳510的闸门而接收由外部的基板传输机器人700传输的基板。图9为简要显示将基板传输至基板热处理装置的基板传输机器人的手臂的示例图。
参照图9,在基板传输机器人700的手臂710形成多个突起711。退回板541的切口543具有与该突起711对应的形状,形成于与突起711对应的位置。并且,切口543提供为与突起711对应的数量。
在基板传输机器人700的手臂710与退回板541按上下方向排列的状态下,变更基板传输机器人700的手臂710与退回板541的上下位置时,在基板传输机器人700的手臂710与退回板541之间进行基板的传输。
导槽544从退回板541的末端向退回板541的内部方向延伸形成。此时,多个导槽544沿着相同的方向相互分隔形成。导槽544防止在退回板541与加热单元530之间进行基板的交接时,发生退回板541与起模顶杆发生相互干扰的情况。
对于基板W的加热在基板W直接处于加热板100上的状态下进行,基板W的冷却在放置基板W的退回板541与冷却板521接触的状态下进行。退回板541由热传输效率优秀的材质形成,以使热传输很好地在冷却板541与基板W进行。例如,退回板541由金属材质形成。
综上参照附图对本发明的实施例进行了说明,但本发明所属技术领域的普通技术人员应当理解,在不变更本发明技术思想或必要特征的范围内,能够以其它具体形式实施。因此,综上上述的实施例应以在所有方面进行例示,并非用于限定进行理解。

Claims (7)

1.一种加热板,其特征在于,
包括:
主体部,在内部具有用于加热基板的加热器;
多个第一孔,由所述主体部的上部向下方贯通所述主体部而形成;
多个接近销,形成于所述主体部的面向所述基板的表面,以所述基板未与所述主体部的上部接触的方式支撑所述基板;及
多个第二孔,形成于多个接近销中的至少一部分的接近销,并由所述接近销的表面向下方贯通所述接近销而形成,
所述第一孔与所述第二孔相互连接,将所述第一孔与所述第二孔的内部制造为真空状态而固定所述基板,
所述第二孔形成为与所述第一孔相同的大小,以及
所述接近销与所述主体部形成为一体型或者通过利用C字形环或E字形环而插入形成于所述主体部的凹槽而被固定到所述主体部。
2.根据权利要求1所述的加热板,其特征在于,
在从所述主体部的上部观察时,所述第二孔以与所述第一孔重叠的方式与所述第一孔连接。
3.根据权利要求1所述的加热板,其特征在于,
形成有所述第二孔的接近销处于所述第一孔上,未形成所述第二孔的接近销未处于所述第一孔上。
4.根据权利要求1所述的加热板,其特征在于,
当所述接近销与所述主体部形成为一体型时,所述接近销由与所述主体部相同的材料形成。
5.根据权利要求1所述的加热板,其特征在于,
当所述接近销通过利用C字形环或E字形环而插入形成于所述主体部的凹槽而被固定到所述主体部时,所述接近销由与所述主体部不同的材料形成。
6.一种基板热处理装置,其特征在于,
包括:
加热单元,利用加热板而对基板进行加热;
冷却单元,对被加热的所述基板进行冷却;及
运送机器人,将所述基板由所述加热单元移送至所述冷却单元,
所述加热板包括:
主体部,在内部具有用于加热所述基板的加热器;
多个第一孔,由所述主体部的上部向下方贯通所述主体部而形成;
多个接近销,形成于所述主体部的面向所述基板的表面,以所述基板未接触所述主体部的上部的方式支撑所述基板;及
多个第二孔,形成于多个接近销中的至少一部分的接近销,由所述接近销的表面向下方贯通所述接近销而形成,
所述第一孔与所述第二孔相互连接,将所述第一孔与所述第二孔的内部制造为真空状态而固定所述基板,
所述第二孔形成为与所述第一孔相同的大小,以及
所述接近销与所述主体部形成为一体型或者通过利用C字形环或E字形环而插入形成于所述主体部的凹槽而被固定到所述主体部。
7.一种加热板的制造方法,其特征在于,
包括如下步骤:
提供由第一材料构成的主体部与用于在所述主体部的一表面上支撑基板而形成并由所述第一材料构成的多个接近销;
形成由所述主体部的上部向下方贯通所述主体部的第一孔与在所述接近销的表面向下方而贯通所述接近销的第二孔,并且,所述第一孔与所述第二孔通过一次加工而形成为一体型,
其中,所述第二孔形成为与所述第一孔相同的大小,以及
其中,所述接近销与所述主体部形成为一体型或者通过利用C字形环或E字形环而插入形成于所述主体部的凹槽而被固定到所述主体部。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1745332A (zh) * 2003-01-30 2006-03-08 日本写真印刷株式会社 加热装置
CN1746776A (zh) * 2004-09-06 2006-03-15 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板定位装置
JP2007226128A (ja) * 2006-02-27 2007-09-06 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ製造用ホットプレート及びカラーフィルタ製造方法
CN103403857A (zh) * 2011-03-01 2013-11-20 应用材料公司 薄加热基板支撑件
CN206619582U (zh) * 2016-12-05 2017-11-07 K.C.科技股份有限公司 基板加热干燥装置
KR20180058390A (ko) * 2016-11-24 2018-06-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10279070A (ja) 1997-04-11 1998-10-20 Canon Inc 基板搬送用フィンガ
JP4601301B2 (ja) * 2003-01-30 2010-12-22 日本写真印刷株式会社 加熱装置
JP2004282047A (ja) * 2003-02-25 2004-10-07 Kyocera Corp 静電チャック
TWI266378B (en) * 2003-03-06 2006-11-11 Toshiba Corp Baking apparatus, heat treatment method, manufacturing method of semiconductor device and pattern forming method
KR100506315B1 (ko) 2003-08-22 2005-08-05 삼성전자주식회사 웨이퍼 베이크 시스템 및 그 동작 방법
KR100592940B1 (ko) 2004-07-22 2006-06-26 태화일렉트론(주) 글라스 지지용 근접핀
KR20070046303A (ko) 2005-10-31 2007-05-03 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 베이크 장치
JP5611152B2 (ja) * 2011-08-29 2014-10-22 東京エレクトロン株式会社 基板熱処理装置
KR20150035124A (ko) 2013-09-27 2015-04-06 주식회사 코디엠 기판제조용 오븐챔버의 근접 핀 높이조절 방법
KR20160017699A (ko) * 2014-07-31 2016-02-17 세메스 주식회사 베이크 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
JP2018010925A (ja) 2016-07-12 2018-01-18 東京エレクトロン株式会社 接合装置
KR102339350B1 (ko) * 2017-04-03 2021-12-16 주식회사 미코세라믹스 세라믹 히터
KR20180112489A (ko) 2017-04-04 2018-10-12 세메스 주식회사 기판 지지 부재 및 이의 기판 디척킹 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1745332A (zh) * 2003-01-30 2006-03-08 日本写真印刷株式会社 加热装置
CN1746776A (zh) * 2004-09-06 2006-03-15 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板定位装置
JP2007226128A (ja) * 2006-02-27 2007-09-06 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ製造用ホットプレート及びカラーフィルタ製造方法
CN103403857A (zh) * 2011-03-01 2013-11-20 应用材料公司 薄加热基板支撑件
KR20180058390A (ko) * 2016-11-24 2018-06-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN206619582U (zh) * 2016-12-05 2017-11-07 K.C.科技股份有限公司 基板加热干燥装置

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