CN110817959B - 一种v2o5纳米带的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种V2O5纳米带的制备方法,属于过渡金属氧化物制备技术领域。该制备方法为:配制V2O5/水/双氧水溶液,将配制好的溶液冷冻干燥后,经快速加热获得V2O5纳米带。本发明采用快速加热的方法制备V2O5纳米带,生产方便,纯度高,成本低,产量高,具有很好的重复性。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料、半导体材料技术领域,涉及一维纳米纤维,特别涉及一种V2O5纳米带的制备方法。
背景技术
V2O5是一种重要的半导体材料,具有独特的光学和电学性能,在能量存储、红外探测、光电调节,温度传感,电致变色、气敏传感、冶金、催化等众多领域具有广泛应用。纳米化的V2O5材料除具备氧化钒的诸多优点外,还具有比表面积大的特点,不仅材料的表面原子参与反应,更允许反应物贯穿材料的内部参与反应,极大地提高了反应效率。因此,各种形貌的V2O5纳米结构的制备已经引起国内外研究者的极大兴趣。
为了更好的满足不同领域对V2O5纳米材料结构的要求,研究者们成功制备出了三维多孔V2O5、V2O5纳米片、V2O5纳米球、V2O5纳米纤维,V2O5纳米薄膜等众多V2O5纳米结构。在这些结构中,一维结构的V2O5纳米材料不仅能为电子、光子提供有效的传输通道,而且其稳定的几何构架可以保证纳米结构的功能性,能有效提高电化学性能,在锂离子电池,钠离子电池、超级电容器,锌离子电池,液流电池等领域具有潜在的应用价值。
目前,一维V2O5纳米材料的开发研究已经取得了较大的进展,基于不同的原理,制备方法主要有静电纺丝法、水热法、溶胶凝胶法、化学固相法等。但是,现存的制备方法或多或少都存在着制备过程复杂,材料纯度不高,产量较低的缺点,因此开发一种简单、经济、高效的一维V2O5纳米材料制备方法依然面临着严峻的挑战。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种V2O5纳米带的制备方法,其工艺简单,效率高,成本低,得到的产品纯度好,且产量较高。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种V2O5纳米带的制备方法,将氧化钒溶于双氧水和蒸馏水的混合溶液中配制V2O5/水/双氧水溶液,将配制好的溶液冷冻干燥后,经快速加热获得V2O5纳米带。所得V2O5纳米带的长度为5-100μm,厚度为50-200nm,宽度为200-5000 nm。
优选地,原料中采用的V2O5可为普通商业氧化钒原料,V2O5、水、双氧水的质量比为30:(0-3):(0.1-3)。其中所述双氧水的质量浓度一般为30%。
优选地,所述冷冻干燥的方式为低温阴干至0℃以下或者使用冷冻干燥机干燥至0℃以下,获得固态前驱体。更优选地,为-95℃
优选地,所述快速加热是在350-600℃保温处理1min-1h。更优选地,是在 550℃保温处理3min或10min,或600℃保温处理1min,或350℃保温1小时。可选择将马弗炉升温至上述温度恒温,然后迅速加入冷冻干燥的样品,在炉中处理一段时间后取出冷却即得。
所述快速加热的气氛为空气。
与现有技术相比,本发明采用的快速加热法制备工艺简单、成本低廉、产率高、重复性好,同时该方法可以产业化应用。
附图说明
图1是本发明实施例1中制得的氧化钒纳米带低分辨倍率下扫描电镜图。
图2是本发明实施例1中制得的氧化钒纳米带高分辨倍率下扫描电镜图。
图3是本发明实施例1中制得的氧化钒纳米带X-射线衍射图谱。
图4是商业氧化钒和本发明实施例1中制得的氧化钒纳米带的倍率性能对比示意图(1C=147mA/g)。
图5是商业氧化钒和本发明实施例1中制得的氧化钒纳米带在1C下的循环性能对比示意图。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例,并结合附图说明对本发明的技术方案作进一步的描述,但本发明并不限于这些实施例。
实施例1:
将0.3g商业氧化钒原料分散于10g水中,然后加入10g双氧水(30wt%),常温下搅拌2小时后得到砖红色溶液。
将配制好的溶液置于培养皿内,放置于冷冻干燥机中于-95℃,真空度为1Pa 冷冻干燥24小时,获得固态前驱体。
最后将固态前驱体加入到550℃的马弗炉内,空气气氛中保温3分钟后取出冷却,得到V2O5纳米带。
图1、图2为实施例1所制备的高纯度V2O5纳米带材料的典型低倍和高倍扫描电镜照片,可以看到经过短暂的3分钟的快速加热,样品已经完全转化为纳米带,表明所制备的材料为带状结构纳米材料,产率高,产量好。图3为实施例1所制备的V2O5纳米带相应的X-射线衍射(XRD)图谱,可以看到所制备的纳米带材料为纯的V2O5正交晶相,表明样品具有良好的结晶性,产品纯度好。
实施例2:
将0.3g商业氧化钒原料分散于15g水中,然后加入10g双氧水(30wt%),常温下搅拌2小时后得到砖红色溶液。
将配制好的溶液置于培养皿内,放置于冷冻干燥机中于-95℃,真空度为1Pa 冷冻干燥24小时,获得固态前驱体。
最后将固态前驱体加入到550℃的马弗炉内,空气气氛中保温10分钟后取出冷却,得到V2O5纳米带。
实施例3:
将0.3g商业氧化钒原料分散于10g水中,然后加入5g双氧水(30wt%),常温下搅拌2小时后得到砖红色溶液。
将配制好的溶液置于培养皿内,放置于冷冻干燥机中于-95℃,真空度为1Pa 冷冻干燥24小时,获得固态前驱体。
最后将固态前驱体加入到600℃的马弗炉内,空气气氛中保温1分钟后取出冷却,得到V2O5纳米带。
实施例4:
将0.3g商业氧化钒原料分散于10g水中,然后加入10g双氧水(30wt%),常温下搅拌2小时后得到砖红色溶液。
将配制好的溶液置于培养皿内,放置于冷冻干燥机中于-95℃,真空度为1Pa 冷冻干燥24小时,获得固态前驱体。
最后将固态前驱体加入到350℃的马弗炉内,空气气氛中保温1小时后取出冷却,得到V2O5纳米带。
为了验证这种方法可以获得具有优异性能的V2O5材料,将上述获得实施例 1V2O5纳米带样品用作锂离子电池的正极材料,电池极片的制作工艺如下:将上述V2O5纳米带,导电炭黑和粘接剂PVDF按照质量比80:10:10均匀混合均匀,加入有机溶剂NMP得到正极浆料。将正极浆料涂覆于铝箔上,控制刮涂的厚度为60微米,经干燥、轧膜及冲片处理后,得到锂离子电容器正极片,与锂片组成锂离子半电池,以LiPF6(EC:DEC=1:1)为有机电解液,组装成2032 型扣式电池,在电压区间为2.5-4V测试其电化学性能,见图4和图5,图4为实施例1所制备的V2O5纳米带和商业氧化钒的倍率性能图,可以看到V2O5纳米带在电流密度为0.2C,0.5C,1C,2C,5C和10C时展现出了126,125,112, 105,92,82mAh/g的放电比容量,远高于商业氧化钒,表明所制备的V2O5纳米带具有更加优异的倍率性能。图5为实施例1所制备的V2O5纳米带和商业氧化钒在电流密度为1C下的循环性能图,可以看到经过200次的循环后,V2O5纳米带的放电比容量依然保持在106mAh/g,而商业氧化钒只有87mAh/g,表明所制备的V2O5纳米带具有更加优异的循环性能。
Claims (8)
1.一种V2O5纳米带的制备方法,其特征在于,配制V2O5/水/双氧水溶液,将配制好的溶液冷冻干燥后,经快速加热获得V2O5纳米带,其中所述快速加热是在350-600℃保温处理1min-1h,所得V2O5纳米带的长度为5-100μm,厚度为50-200nm,宽度为200-5000nm。
2.根据权利要求1所述V2O5纳米带的制备方法,其特征在于,原料中采用的V2O5为普通商业氧化钒原料。
3.根据权利要求1所述V2O5纳米带的制备方法,其特征在于,原料中所述V2O5、水、双氧水的质量比为30:(0-3):(0.1-3)。
4.根据权利要求3所述V2O5纳米带的制备方法,其特征在于,所述双氧水的质量浓度为30%。
5.根据权利要求1所述V2O5纳米带的制备方法,其特征在于,所述冷冻干燥的方式为低温阴干至0℃以下或者使用冷冻干燥机干燥至0℃以下,获得固态前驱体。
6.根据权利要求1所述V2O5纳米带的制备方法,其特征在于,所述冷冻干燥的方式为低温阴干至-95℃或者使用冷冻干燥机干燥至-95℃,获得固态前驱体。
7.根据权利要求1所述V2O5纳米带的制备方法,其特征在于,所述快速加热是在550℃保温处理3min或10min,或600℃保温处理1min,或350℃保温1小时。
8.根据权利要求1或7所述V2O5纳米带的制备方法,其特征在于,所述快速加热的气氛为空气。
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