CN110752296A - 溶液法制备ofet中顶接触源漏电极的方法 - Google Patents
溶液法制备ofet中顶接触源漏电极的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110752296A CN110752296A CN201911153305.5A CN201911153305A CN110752296A CN 110752296 A CN110752296 A CN 110752296A CN 201911153305 A CN201911153305 A CN 201911153305A CN 110752296 A CN110752296 A CN 110752296A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hydrophilic
- solution
- source
- silver
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 19
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims abstract description 15
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- PLKATZNSTYDYJW-UHFFFAOYSA-N azane silver Chemical compound N.[Ag] PLKATZNSTYDYJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- MZBIWFMZBZJUHX-UHFFFAOYSA-N 2,6-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=C2C(C=CC(=C2)C=2C=CC=CC=2)=C2)C2=C1 MZBIWFMZBZJUHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 n-octyl Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 2
- CTYHHUNEBWPRDG-PHEQNACWSA-N 2,6-bis[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C(C=C1C=C2C=C3)=CC=C1C=C2C=C3\C=C\C1=CC=CC=C1 CTYHHUNEBWPRDG-PHEQNACWSA-N 0.000 claims 1
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 125000005582 pentacene group Chemical group 0.000 claims 1
- OFPPMFSHIKARPG-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b][1]benzothiole Chemical class S1C2=CC=CC=C2C2=C1C=CS2 OFPPMFSHIKARPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229920005548 perfluoropolymer Polymers 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IVMQGAAXFSYEQZ-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(ethenyl)anthracene Chemical compound C(=C)C1=CC2=CC3=CC=C(C=C3C=C2C=C1)C=C IVMQGAAXFSYEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKDRXBCSQODPBY-VRPWFDPXSA-N D-fructopyranose Chemical compound OCC1(O)OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O LKDRXBCSQODPBY-VRPWFDPXSA-N 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种溶液法制备OFET中顶接触源漏电极的方法。所述方法包括如下步骤：在OFET的半导体层表面制备亲疏水图案；然后利用银镜反应即在所述亲疏水图案上构筑源漏电极；构筑所述源漏电极的步骤如下：将葡萄糖溶液与银氨溶液的混合液滴加至所述亲疏水图案上，在所述亲疏水图案的亲水区得到银，即为所述源漏电极。本发明方法制备的银电极(源漏电极)可用于制备有机电子器件，如所述有机电子器件为OFET、反相器或振荡器等。
Description
技术领域
本发明涉及一种溶液法制备OFET中顶接触源漏电极的方法，属于有机场效应晶体管技术领域。
背景技术
有机场效应晶体管(OFET)由于可溶液法制备，正在引起越来越多的关注。其中源漏电极的溶液法制备至今只能停留在底接触构型上，因为溶液法制备的电极通常都是通过打印墨水的方法实现，这种方法需要很高或很长的热退火处理，如果直接打印在半导体表面，会对其性质产生很恶劣的影响。底接触构型中，源漏极和半导体层只有很狭小的接触面积，不利于电荷的注入，进而会减弱器件性能，而顶接触构型则有很大的接触面积。因此，发展全溶液法制备的顶接触源漏电极在OFET领域显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的是提供一种溶液法制备OFET中顶接触的源漏电极的方法，是利用含有金属离子的溶液在基底的亲水区域优先发生化学反应生成金属薄膜，采用半导体时即在所述半导体层上直接沉积顶接触的源漏电极。
本发明中“顶接触”指的是源漏电极在半导体层上方。
本发明中“含有金属离子的溶液”指的是银氨溶液。
本发明中涉及的“化学反应”如下：
C6H12O6+2Ag(NH3)2OH＝C5H11O5COONH4+3NH3+2Ag↓+H2O
具体地，本发明提供的溶液法制备OFET中顶接触的源漏电极的方法，包括如下步骤：
在OFET的半导体层表面制备亲疏水图案；然后利用银镜反应即在所述亲疏水图案上构筑源漏电极。
上述的方法中，构筑所述源漏电极的步骤如下：
将葡萄糖溶液与银氨溶液的混合液滴加至所述亲疏水图案上，在所述亲疏水图案的亲水区得到银，即为所述源漏电极。
上述的方法中，所述葡萄糖溶液与所述银氨溶液的体积比可为0.5～2，如1；
其中，所述葡萄糖溶液的浓度可为5～15mg/mL，如10mg/mL；
所述银氨溶液由氨水和硝酸银溶液反应得到，具体是：将所述氨水滴到所述硝酸银溶液中，待溶液由浑浊变澄清后，即得到所述银氨溶液；
所述硝酸银溶液的浓度可为10～30mg/mL，如20mg/mL，所述氨水的质量浓度可为1～3％，如2％。
本发明提供了两种亲疏水图案的制备方法，具体如下：
一种方法是：在所述半导体层表面固定具有电极图案的金属掩膜板；在所述半导体层表面沉积铝，去掉所述金属掩膜板，则沉积所述铝的电极区域为亲水区，裸露的所述半导体层区域为疏水区，即得到亲疏水图案；
具体可采用真空蒸镀的方式沉积所述铝，可在常规条件下进行；
所述铝的厚度为0.5～5nm。
另一种方法是：在所述半导体层表面制备PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)膜；在所述PMMA膜上打印能够暴露PMMA的CYTOP层，则被所述CYTOP层覆盖的区域为疏水区，裸露所述PMMA的区域为亲水区，即得到亲疏水图案；
所述CYTOP层中的CYTOP可由体积比为1：2的全氟聚合物CTL-809M与CT-SOLV180配制得到。
本发明涉及的半导体层可为真空沉积的有机小分子薄膜(如并五苯、2，6-二本乙烯基蒽(DPVAnt)、2，6-二苯蒽(DPA)、全氟酞菁铜(F16CuPc))、滴注法生长的二维小分子薄膜(如1,4-二-5’-己基-2,2’-二噻吩-5-乙炔基苯(HTEB)、正辛基取代的苯并噻吩并噻吩并苯(C8-BTBT))、旋涂法沉积的聚合物半导体薄膜(如IDT-BT)。
本发明方法制备的银电极(源漏电极)可用于制备有机电子器件，如所述有机电子器件为OFET、反相器或振荡器等。
本发明具有以下优点：
1)方法简单易行，无需复杂昂贵的设备，结果重复性好，具有非常好的普适性；
2)所需材料简单、易得、廉价；
3)银电极的获得不需要热退火处理或只需很低温度的热处理，保证了半导体层性能的完好；
4)得到的银电极图形规整，尺寸的可控性强；
5)利用此方法构筑的OFET器件，和基于传统蒸镀的电极器件相比，性能相当，稳定性良好。
6)其中打印全氟聚合物的制备亲疏水团的方法为全溶液有机电子器件的实现奠定了基础。
附图说明
图1为本发明在OFET中半导体层表面通过溶液法制备源漏电极的示意图。
图2(a)和图2(b)分别为本发明通过在并五苯表面真空沉积铝获得的亲疏水图案和利用溶液法制备的电极的显微镜照片。
图3(a)和图3(b)分别为利用溶液法制备的并五苯器件的转移特性曲线和输出特性曲线。
图3(c)和图3(d)分别为用传统蒸镀金做源漏电极的并五苯器件的转移特性曲线和输出特性曲线。
图4(a)和图4(b)均为利用途径一(固定金属掩模板)在聚合物半导体IDT-BT表面和小分子HTEB薄膜表面制备的源漏电极的显微镜照片(半导体层分别为IDT-BT和HTEB)。
图5(a)和图5(b)分别为利用途径二(打印全氟聚合物)通过在聚合物IDT-BT表面先旋涂PMMA再打印CYTOP获得的亲疏水图案和利用溶液法制备的银电极的显微镜照片。
具体实施方式
下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明，均为常规方法。
下述实施例中所用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。
实施例1、利用金属掩膜板和真空沉积系统制备亲疏水图案
按照图1所示的示意图，把带有条形电极图案的金属掩膜板固定在半导体层表面，通过金属沉积系统，在真空度约为1×10-4Pa时，以
的速度蒸镀0.5～5nm铝。把金属掩膜板去掉以后，沉积有铝的条形电极区域即为亲水区，被掩膜板挡着的区域即为疏水区。
按照上述方法在并五苯(真空沉积系统，在真空度约为1×10-4Pa时，以
的速度沉积30～50nm并五苯)表面制备亲疏水图案：把带有条形电极图案的金属掩膜板固定在并五苯薄膜表面，利用金属沉积系统，在真空度约为1×10-4Pa时，以
的速度沉积0.5～5nm铝，即在小分子并五苯薄膜表面得到亲疏水图案，如图2(a)所示，图中条形区域沉积有铝，为亲水区，其他区域为裸露的并五苯，是疏水区。
实施例2、利用打印的方法制备亲疏水图案
在尺寸约1cm×1cm的聚合物半导体IDT-BT薄膜表面，先旋涂一层PMMA(Mw＝120～350kDa，浓度1～5mg/mL，溶剂为乙酸正丁酯)，厚度1～10nm。再用打印机(型号：SonoPlotMicroplotterⅡ)在PMMA表面中心区域打印约0.3cm×0.3cm范围的1：2CYTOP(全氟聚合物CTL-809M与CT-SOLV18的体积比为1：2)薄膜，其中中间有条形空白区域，如图5a所示，为后续利用银镜反应制备电极提供空间。
实施例3、利用传统银镜反应制备OFET的顶接触源漏电极
溶液法生长银电极的过程为：先将氨水(质量浓度2％)滴到硝酸银溶液(质量浓度为20mg/mL)中，待溶液由浑浊变澄清后，即制得银氨溶液。然后，将葡萄糖溶液(10mg/mL)和银氨溶液混合(体积比1)，将混合液滴到浸润性有差异的区域，待3～5分钟后，亲水区会长出明亮的银，用去离子水冲掉反应液，再用氮气吹干，最后80℃退火10分钟。
图2(b)、图4(a)和图4(b)所示为基于实施例1制备的银电极的显微镜照片，所用半导体层分别为并五苯、IDT-BT和HTEB，其中因二维小分子薄膜HTEB耐热性差，所以不退火，可以看出，银原子在不同的半导体表面都实现了很好的选择性沉积，在亲水区沉积形成连续、均匀、致密的银膜，足以构筑OFET器件。
图5(b)为基于实施例2制备的银电极的显微镜照片，所用半导体层IDT-BT，可以看出，通过实施例2同样实现了银原子在亲疏水区的选择性沉积，为构筑OFET器件提供了充分条件。
图3(a)和图3(b)为利用溶液法制备银电极的并五苯器件的转移特性曲线和输出特性曲线，图3(c)和图3(d)为利用传统真空沉积系统制备金电极的器件的转移和输出曲线，可以看出，基于溶液法制备电极的并五苯器件展示出经典的OFET性能，说明此溶液法确实可以用来构筑OFET中的电极，且和传统蒸镀法构筑的器件性能相当。
由上述各实施例可以看出，本发明方法是一种普适性好、操作简便、成本低的顶接触源漏电极的制备方法。
Claims (10)
1.一种溶液法制备OFET中顶接触的源漏电极的方法，包括如下步骤：
在OFET的半导体层表面制备亲疏水图案；然后利用银镜反应即在所述亲疏水图案上构筑源漏电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：构筑所述源漏电极的步骤如下：
将葡萄糖溶液与银氨溶液的混合液滴加至所述亲疏水图案上，在所述亲疏水图案的亲水区得到银，即为所述源漏电极。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述葡萄糖溶液与所述银氨溶液的体积比为0.5～2。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于：所述葡萄糖溶液的浓度为5～15mg/mL；
所述银氨溶液由氨水和硝酸银溶液反应得到；
所述硝酸银溶液的浓度为10～30mg/mL，所述氨水的质量浓度为1～3％。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于：所述亲疏水图案按照下述方法制备得到：
在所述半导体层表面固定具有电极图案的金属掩膜板；在所述半导体层表面沉积铝，去掉所述金属掩膜板，则沉积所述铝的电极区域为亲水区，裸露的所述半导体层区域为疏水区。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：采用真空蒸镀的方式沉积所述铝；
所述铝的厚度为0.5～5nm。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于：所述亲疏水图案按照下述方法制备得到：
在所述半导体层表面制备PMMA膜；在所述PMMA膜上打印能够暴露PMMA的CYTOP层，则被所述CYTOP层覆盖的区域为疏水区，裸露所述PMMA的区域为亲水区。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于：所述半导体层采用的半导体材料为并五苯、IDT-BT、1,4-二-5’-己基-2,2’-二噻吩-5-乙炔基苯、2,6-二苯乙烯基蒽、2,6-二苯蒽、全氟酞菁铜或正辛基取代的苯并噻吩并噻吩并苯。
9.权利要求1-8中任一项所述方法制备的源漏电极。
10.权利要求9所述源漏电极在制备有机电子器件中的应用；
所述有机电子器件为OFET、反相器或振荡器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911153305.5A CN110752296B (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 溶液法制备ofet中顶接触源漏电极的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911153305.5A CN110752296B (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 溶液法制备ofet中顶接触源漏电极的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110752296A true CN110752296A (zh) | 2020-02-04 |
| CN110752296B CN110752296B (zh) | 2022-02-25 |
Family
ID=69284198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911153305.5A Active CN110752296B (zh) | 2019-11-22 | 2019-11-22 | 溶液法制备ofet中顶接触源漏电极的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110752296B (zh) |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1282175A2 (en) * | 2001-08-03 | 2003-02-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Conductive pattern material and method for forming conductive pattern |
| CN1767158A (zh) * | 2004-10-27 | 2006-05-03 | 三星电子株式会社 | 制备薄膜晶体管的方法 |
| US7166502B1 (en) * | 1999-11-10 | 2007-01-23 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film transistor |
| CN101101967A (zh) * | 2006-07-05 | 2008-01-09 | 中国科学院化学研究所 | 低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法 |
| CN101339156A (zh) * | 2008-08-19 | 2009-01-07 | 西北农林科技大学 | 一种农药残留生物传感器薄层电极及其制作工艺 |
| US20090142482A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Xerox Corporation | Methods of Printing Conductive Silver Features |
| CN101485007A (zh) * | 2006-05-04 | 2009-07-15 | 巴斯夫欧洲公司 | 生产有机场效应晶体管的方法 |
| US20120083069A1 (en) * | 2007-07-31 | 2012-04-05 | Do Hwan Kim | Organic thin film transistor and method of manufacturing the same |
| CN102655216A (zh) * | 2011-03-02 | 2012-09-05 | 中国科学院微电子研究所 | 一种有机场效应晶体管结构及其制备方法 |
| CN102738394A (zh) * | 2012-05-29 | 2012-10-17 | 中国科学院化学研究所 | 一种制备银电极的方法及其应用 |
| CN102752962A (zh) * | 2011-04-21 | 2012-10-24 | 明阅科技有限公司 | 具金属层的底材及其制造方法 |
| US20120280216A1 (en) * | 2009-07-10 | 2012-11-08 | Henning Sirringhaus | Patterning |
| CN102881828A (zh) * | 2012-10-10 | 2013-01-16 | 上海交通大学 | 一种短沟道有机薄膜晶体管的制备方法 |
| CN103943477A (zh) * | 2014-04-01 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件 |
| CN105152125A (zh) * | 2015-08-10 | 2015-12-16 | 中山大学 | 一种基于微沟道结构的微纳米材料有序自组装图形化方法 |
| CN106111481A (zh) * | 2016-07-14 | 2016-11-16 | 华中科技大学 | 一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法 |
| CN106159040A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-11-23 | 华南师范大学 | 一种全湿法制备柔性金属网络透明电极的方法 |
| CN107644806A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-30 | 中山大学 | 金属氧化物有序自组装图形化制备方法及金属氧化物薄膜 |
-
2019
- 2019-11-22 CN CN201911153305.5A patent/CN110752296B/zh active Active
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7166502B1 (en) * | 1999-11-10 | 2007-01-23 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film transistor |
| EP1282175A2 (en) * | 2001-08-03 | 2003-02-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Conductive pattern material and method for forming conductive pattern |
| CN1767158A (zh) * | 2004-10-27 | 2006-05-03 | 三星电子株式会社 | 制备薄膜晶体管的方法 |
| CN101485007A (zh) * | 2006-05-04 | 2009-07-15 | 巴斯夫欧洲公司 | 生产有机场效应晶体管的方法 |
| CN101101967A (zh) * | 2006-07-05 | 2008-01-09 | 中国科学院化学研究所 | 低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法 |
| US20120083069A1 (en) * | 2007-07-31 | 2012-04-05 | Do Hwan Kim | Organic thin film transistor and method of manufacturing the same |
| US20090142482A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Xerox Corporation | Methods of Printing Conductive Silver Features |
| CN101339156A (zh) * | 2008-08-19 | 2009-01-07 | 西北农林科技大学 | 一种农药残留生物传感器薄层电极及其制作工艺 |
| US20120280216A1 (en) * | 2009-07-10 | 2012-11-08 | Henning Sirringhaus | Patterning |
| CN102655216A (zh) * | 2011-03-02 | 2012-09-05 | 中国科学院微电子研究所 | 一种有机场效应晶体管结构及其制备方法 |
| CN102752962A (zh) * | 2011-04-21 | 2012-10-24 | 明阅科技有限公司 | 具金属层的底材及其制造方法 |
| CN102738394A (zh) * | 2012-05-29 | 2012-10-17 | 中国科学院化学研究所 | 一种制备银电极的方法及其应用 |
| CN102881828A (zh) * | 2012-10-10 | 2013-01-16 | 上海交通大学 | 一种短沟道有机薄膜晶体管的制备方法 |
| CN103943477A (zh) * | 2014-04-01 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件 |
| CN105152125A (zh) * | 2015-08-10 | 2015-12-16 | 中山大学 | 一种基于微沟道结构的微纳米材料有序自组装图形化方法 |
| CN106111481A (zh) * | 2016-07-14 | 2016-11-16 | 华中科技大学 | 一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法 |
| CN106159040A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-11-23 | 华南师范大学 | 一种全湿法制备柔性金属网络透明电极的方法 |
| CN107644806A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-30 | 中山大学 | 金属氧化物有序自组装图形化制备方法及金属氧化物薄膜 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JI, DEYANG ; JIANG, LANG; DONG, HUANLI; 等: "Silver mirror reaction for organic electronics: towards high-performance organic field-effect transistors and circuits", 《JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C》 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110752296B (zh) | 2022-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Jang et al. | Highly crystalline soluble acene crystal arrays for organic transistors: mechanism of crystal growth during dip‐coating | |
| JP3872246B2 (ja) | 半導体チャネルとして有機／無機混成材料を有する電界効果トランジスタ及びこれの製造方法 | |
| TW574387B (en) | Method of manufacturing high-mobility organic thin films using organic vapor phase deposition | |
| Aramaki et al. | Solution-processible organic semiconductor for transistor applications: Tetrabenzoporphyrin | |
| US7285440B2 (en) | Organic underlayers that improve the performance of organic semiconductors | |
| JP5913107B2 (ja) | 有機半導体材料、有機半導体組成物、有機薄膜及び電界効果トランジスタ並びにその製造方法 | |
| KR20080008999A (ko) | 전기 전도성 피쳐의 제조방법 | |
| JP5092269B2 (ja) | 有機半導体薄膜および有機半導体デバイスの製造方法 | |
| KR20080101734A (ko) | 박막 트랜지스터용 반도체 층 | |
| CN111564558B (zh) | 有机晶态薄膜的制备方法及有机场效应晶体管 | |
| JP2005032774A (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| WO2008003760A2 (en) | THE USE OF CHLORINATED COPPER PHTHALOCYANINES AS AIR-STABLE n-CHANNEL ORGANIC SEMICONDUCTORS | |
| Nam et al. | Direct printing of soluble acene crystal stripes by a programmed dip-coating process for organic field-effect transistor applications | |
| Bharti et al. | Directional solvent vapor annealing for crystal alignment in solution-processed organic semiconductors | |
| JP2006216654A (ja) | 有機半導体膜の形成方法および有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2007266411A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP5913108B2 (ja) | 有機半導体材料及び電界効果トランジスタ並びにその製造方法 | |
| WO2013065276A1 (en) | Organic single crystal film, organic single crystal film array, and semiconductor device including an organic single crystal film | |
| JP2008198992A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Liu et al. | Experimental study and statistical analysis of solution-shearing processed organic transistors based on an asymmetric small-molecule semiconductor | |
| CN110752296B (zh) | 溶液法制备ofet中顶接触源漏电极的方法 | |
| JP4868825B2 (ja) | 有機系電界効果トランジスタ | |
| KR20140027391A (ko) | 재료의 배향 결정화 방법 | |
| CN102738394A (zh) | 一种制备银电极的方法及其应用 | |
| KR101910680B1 (ko) | 유기 트랜지스터의 제조 방법, 유기 트랜지스터, 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치 및 전자 기기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |