CN106111481A - 一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法 - Google Patents

一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106111481A
CN106111481A CN201610552485.4A CN201610552485A CN106111481A CN 106111481 A CN106111481 A CN 106111481A CN 201610552485 A CN201610552485 A CN 201610552485A CN 106111481 A CN106111481 A CN 106111481A
Authority
CN
China
Prior art keywords
hydrophilic
copper
hydrophobic
kinds
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610552485.4A
Other languages
English (en)
Inventor
罗小兵
黄梦宇
袁超
马预谱
程焱华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huazhong University of Science and Technology
Original Assignee
Huazhong University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huazhong University of Science and Technology filed Critical Huazhong University of Science and Technology
Priority to CN201610552485.4A priority Critical patent/CN106111481A/zh
Publication of CN106111481A publication Critical patent/CN106111481A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/002—Pretreatement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/24—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials for applying particular liquids or other fluent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2202/00—Metallic substrate
    • B05D2202/40—Metallic substrate based on other transition elements
    • B05D2202/45—Metallic substrate based on other transition elements based on Cu
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2350/00—Pretreatment of the substrate

Abstract

本发明公开了一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板的制备方法，属于表面梯度自由能材料的制备方法。本发明包括电子束蒸发镀膜步骤、等离子体处理步骤、制备分子自组装薄膜(SAM)步骤；首先通过电子束蒸发镀膜机在Cu板表面蒸镀上一层较薄的Al膜；将样品放入等离子体清洗机中进行处理，提高样品的整体亲水性；将样品浸入硫醇溶液进行反应，取出样品清洗后得到疏水的铜表面和亲水的铝表面。本发明操作简便，实现了同一基板两种不同的润湿特性表面的制备，由此可实现液滴在非外力作用下的自发运动。本发明所制备的铜基板可应用于换热器表面，通过控制冷凝液滴的流动，提高换热器的换热效率。

Description

一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法
技术领域
本发明属于表面梯度自由能材料的制备方法，具体涉及一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法。
背景技术
梯度自由能表面是一种结构、组分和润湿性等随空间连续变化或者阶梯变化的高性能材料，液滴在润湿性发生梯度变化的材料表面受到的各个方向的表面张力不平衡，这会使液滴存在由低表面能处向高表面能处自发流动的趋势和能力。润湿性梯度表面在生物学、诊断学、微流体器件、液体自运输等领域具有广阔的应用前景。目前，国内外众多学者致力于研究以硅、玻璃为基底材料的梯度表面制备方法，常用的方法包括气相沉积法、化学修饰法、激光刻蚀法等。本发明着眼于提高换热器的散热性能，针对换热器中常用的金属(铜、铝)作为基底材料，在金属表面进行亲、疏水两种润湿特性的制备。旨在降低换热器表面液滴的凝结，控制液滴的流动，提高换热器的换热效率。
虽然激光刻蚀法也能够实现在金属表面制备梯度表面，但是该方法需要依赖于昂贵的光刻仪器，且对于制备过程中的仪器精度和基底材料要求较高，制备成品极高。而本发明所用设备操作简单，制作成本低廉，在任意形状的金属基材上均可制备润湿性梯度表面，便于在工业领域大范围推广。
发明内容
本发明提供一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法，液滴在梯度表面的自流动解决了换热器表面冷凝液滴附着的问题，可提高换热器的换热效率。
本发明所提供的一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法，包括如下步骤：
A、电子束蒸发镀膜步骤：在铜基板表面镀上设定图案的铝膜，得到镀铝铜板样品；
B、等离子体处理步骤：将镀铝铜板样品放入等离子体清洗机的腔体中，清洗干净取出，得到极亲水的铜、铝表面；
C、制备分子自组装薄膜(SAM)步骤：将清洗后镀铝铜板样品浸入1H,1H,2H,2H-全氟十二烷硫醇(HDFT)溶液中1.5-2min取出，用二氯甲烷溶液清洗，去除表面残留溶液，得到较强的疏水铜表面和极亲水的铝表面。
进一步的，所述电子束蒸发镀膜步骤包括下述子步骤：
A1：将铜板浸入装有二氯甲烷溶液的容器中，放入超声波清洗机中清洗10～20min取出；
A2：在耐200摄氏度以上的高温薄膜材料上制作出需要镀铝的图案，作为掩膜覆盖在铜板上；
A3：将贴好掩膜的铜板放入电子束蒸发镀膜机中进行镀铝，镀膜厚度为50～200nm；
A4：去掉铜板上的掩膜，得到带有设定图案的镀铝铜板。
进一步的，所述等离子体处理步骤包括下述子步骤：
B1：将镀铝的铜板样品放入等离子体清洗机的腔体中，关闭清洗机舱门；
B2：将清洗舱内抽真空，之后通入氩气和氧气的混合气体作为等离子体清洗的保护气体及反应气体；其中，氩气和氧气的流量比不能低于4:1；否则氧气含量过高易于油泵反应产生副产物爆炸；
B3：增加等离子体清洗机功率，直至出现铜板样品辉光放电现象，处理20-40min，使金属表面的亲水性由原来的45-50°变为15-20°的超亲水表面。
进一步的，所述子步骤B2中，清洗舱内真空度为100mTorr。
进一步的，所述制备分子自组装薄膜(SAM)步骤包括下述子步骤：
C1：将等离子体清洗后的镀铝铜板样品放入HDFT和二氯甲烷的混合溶液中浸泡后取出；浸泡时间的长短决定了分子自组装薄膜的致密程度，从而影响铜表面疏水性的强弱；
C2：然后将样品放入二氯甲烷溶液中清洗干净，放在环境中干燥，得到拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板。
进一步的，所述子步骤C1中，HDFT溶液的浓度为5.0×10-4—1.0×10-3mol/L。
进一步的，所述的高温薄膜材料为铝箔纸。
本发明中，铜和铝具有互换性。在上述发明中，将铜基板换成铝基板，电子束蒸发镀铝膜换成镀铜膜，即可得到拥有亲、疏水两种润湿特性的铝基板。
本发明简单易操作，便于进行大批量生产，制备所得的亲、疏水两种不同润湿特性的表面能够控制液滴的流动方向，提高换热器的换热效率。
附图说明
图1为实施例中用铝箔纸裁剪的顶角分别为(20°、35°)的掩膜；
图2为实施例中所制备的楔形角度的镀铝铜基板示意图；
图3为实施例中所制备的铜表面分子自组装薄膜的原理图；
图4为实施例中所制备的不同楔形顶角梯度表面液滴流动距离随时间的变化图；
图中标记：20°楔形角1、35°楔形角2、铜表面3、铝表面4、楔形顶角5。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
实施例1，包括电子束蒸发镀膜步骤、等离子体处理步骤、制备分子自组装薄膜(SAM)步骤及实验验证步骤：
A、电子束蒸发镀膜步骤，包括下述子步骤：
子步骤A1：将通过砂纸打磨光滑的铜板30mm×30mm×1mm，浸入装有50mL二氯甲烷(DCM,99％)溶液的烧杯中清洗，并将烧杯放入超声波清洗机中清洗10min取出；
子步骤A2：取铝箔纸，裁剪出需要的图案(顶角分别为20°、35°的楔形区域)，如图1，裁剪后的铝箔纸作为掩膜覆盖在铜板上；
子步骤A3：将贴好掩膜的铜板背面用高温双面胶固定在样品台上，之后放入电子束蒸发镀膜机中进行镀铝，镀膜厚度为50nm；
子步骤A4：去掉铜板上的铝箔掩膜，得到不同顶角的镀铝样品，如图2所示。
B、等离子体处理步骤，包括下述子步骤：
子步骤B1：将不同顶角的样品放入等离子体清洗机(PDC-002-HP)的腔体中，关闭清洗机舱门；
子步骤B2：将清洗舱内抽真空至100mTorr，之后将氩气和氧气按照流量比4:1混合后通入反应腔，作为等离子体清洗的保护气体及反应气体；
子步骤B3：将射频发生器功率开关调至HIGH档(功率为29.6W)，观察到辉光放电现象，等待样品处理20min。
C、分子自组装薄膜(SAM)步骤，包括下述子步骤：
子步骤C1：将7.15μL 1H,1H,2H,2H-全氟十二烷硫醇(HDFT,97％,Aldrich)加入50mL二氯甲烷(DCM,99％)溶液中混合,得到浓度为5.0×10-4mol/L的混合溶液，将等离子体清洗过的样品浸泡在混合溶液中1.5min取出。如图3，为铜表面分子自组装薄膜制备的原理图；
子步骤C2：用50mL二氯甲烷(99％)溶液清洗样品2次，之后将样品放置在环境中干燥，得到拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板。
D、实验验证步骤，包括下述子步骤：
子步骤D1：将33μL液滴滴落在顶角为20°的楔形梯度顶角处，液滴从顶角自发的流动到亲水区域；
子步骤D2：将33μL液滴滴落在顶角为35°的楔形梯度顶角处，液滴迅速地从顶角自发的流动到亲水区域。
实施例2，包括电子束蒸发镀膜步骤、等离子体处理步骤、制备分子自组装薄膜(SAM)步骤及实验验证步骤：
A、电子束蒸发镀膜步骤，包括下述子步骤：
子步骤A1：将通过砂纸打磨光滑的铜板30mm×30mm×1mm，浸入装有50mL二氯甲烷(DCM,99％)溶液的烧杯中清洗，并将烧杯放入超声波清洗机中清洗20min取出；
子步骤A2：如图1，取铝箔纸，裁剪出需要的图案(顶角分别为20°、35°的楔形区域)，裁剪后的铝箔纸作为掩膜覆盖在铜板上；
子步骤A3：将贴好掩膜的铜板背面用高温双面胶固定在样品台上，之后放入电子束蒸发镀膜机中进行镀铝，镀膜厚度为200nm；
子步骤A4：去掉铜板上的铝箔掩膜，得到不同顶角的镀铝样品，如图2所示。
B、等离子体处理步骤，包括下述子步骤：
子步骤B1：将不同顶角的样品放入等离子体清洗机(PDC-002-HP)的腔体中，关闭清洗机舱门；
子步骤B2：将清洗舱内抽真空至100mTorr，之后将氩气和氧气按照流量比4:1混合后通入反应腔，作为等离子体清洗的保护气体及反应气体；
子步骤B3：将射频发生器功率开关调至HIGH档(功率为29.6W)，观察到辉光放电现象，等待样品处理40min。
C、分子自组装薄膜(SAM)步骤，包括下述子步骤：
子步骤C1：将14.3μL 1H,1H,2H,2H-全氟十二烷硫醇(HDFT,97％,Aldrich)加入50mL二氯甲烷(DCM,99％)溶液中混合，得到浓度为1.0×10-3mol/L的混合溶液，将等离子体清洗过的样品浸泡在混合溶液中2min取出。如图3，为铜表面分子自组装薄膜制备的原理图；
子步骤C2：用50mL二氯甲烷(99％)溶液清洗样品2次，之后将样品放置在环境中干燥，得到拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板。
D、实验验证步骤，包括下述子步骤：
子步骤D1：将33μL液滴滴落在顶角为20°的楔形梯度顶角处，液滴从顶角自发的流动到亲水区域；
子步骤D2：将33μL液滴滴落在顶角为35°的楔形梯度顶角处，如图4所示，为液滴的流动距离随时间的变化曲线。
由图4可以看出，液滴在顶角为20°的楔形梯度表面流动时，流动的速度相较35°顶角处的液滴较慢，但是流动的距离较长。因此，可以通过改变楔形顶角的大小，来控制液滴流动的速度和距离。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、电子束蒸发镀膜步骤：在铜基板表面镀上设定图案的铝膜，得到镀铝铜板样品；
B、等离子体处理步骤：将镀铝铜板样品放入等离子体清洗机的腔体中，清洗干净取出，得到极亲水的铜、铝表面；
C、制备分子自组装薄膜SAM步骤：将清洗后镀铝铜板样品浸入1H,1H,2H,2H-全氟十二烷硫醇HDFT溶液中1.5-2min取出，用二氯甲烷溶液清洗，去除表面残留溶液，得到较强的疏水铜表面和极亲水的铝表面。
2.如权利要求1所述的拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法，其特征在于，所述电子束蒸发镀膜步骤包括下述子步骤：
A1：将铜板浸入装有二氯甲烷溶液的容器中，放入超声波清洗机中清洗10～20min取出；
A2：在耐200摄氏度以上的高温薄膜材料上制作出需要镀铝的图案，作为掩膜覆盖在铜板上；
A3：将贴好掩膜的铜板放入电子束蒸发镀膜机中进行镀铝，镀膜厚度为50～200nm；
A4：去掉铜板上的掩膜，得到带有设定图案的镀铝铜板。
3.如权利要求1所述的拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法，其特征在于，所述等离子体处理步骤包括下述子步骤：
B1：将镀铝的铜板样品放入等离子体清洗机的腔体中，关闭清洗机舱门；
B2：将清洗舱内抽真空，之后通入氩气和氧气的混合气体作为等离子体清洗的保护气体及反应气体；
B3：增加等离子体清洗机功率，直至出现铜板样品辉光放电现象，处理 20-40min，使金属表面的亲水性由原来的45-50°变为15-20°的超亲水表面。
4.如权利要求3所述的拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法，其特征在于：所述子步骤B2中，清洗舱内真空度为100mTorr。
5.如权利要求1所述的拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法，其特征在于，所述制备分子自组装薄膜SAM步骤包括下述子步骤：
C1：将等离子体清洗后的镀铝铜板样品放入HDFT和二氯甲烷的混合溶液中浸泡后取出；浸泡时间的长短决定了分子自组装薄膜的致密程度，从而影响铜表面疏水性的强弱；
C2：然后将样品放入二氯甲烷溶液中清洗干净，放在环境中干燥，得到拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板。
6.如权利要求5所述的拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法，其特征在于：
所述子步骤C1中，HDFT混合溶液的浓度为5.0×10-4-1.0×10-3mol/L。
7.如权利要求1所述的拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法，其特征在于，所述的高温薄膜材料为铝箔纸。
8.如权利要求3所述的拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法其中，氩气和氧气的流量比不能低于4:1。
9.如权利要求1-8任一制备方法，其特征在于，将铜基板换成铝基板，电子束蒸发镀铝膜换成镀铜膜。
CN201610552485.4A 2016-07-14 2016-07-14 一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法 Pending CN106111481A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610552485.4A CN106111481A (zh) 2016-07-14 2016-07-14 一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610552485.4A CN106111481A (zh) 2016-07-14 2016-07-14 一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106111481A true CN106111481A (zh) 2016-11-16

Family

ID=57283234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610552485.4A Pending CN106111481A (zh) 2016-07-14 2016-07-14 一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106111481A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109295431A (zh) * 2018-09-29 2019-02-01 西安交通大学 一种具有分形特性的非均匀润湿表面及其制备方法
CN110752296A (zh) * 2019-11-22 2020-02-04 中国科学院化学研究所 溶液法制备ofet中顶接触源漏电极的方法
CN116003863A (zh) * 2023-01-05 2023-04-25 大连理工大学 基于氧等离子体改性的空间湿润性梯度表面改性装置及表面改性方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ALHESHIBRI,M. H.;等: "Spontaneous movement of water droplets on patterned Cu and Al surfaces with wedge-shaped gradients", 《APPLIED PHYSICS LETTERS》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109295431A (zh) * 2018-09-29 2019-02-01 西安交通大学 一种具有分形特性的非均匀润湿表面及其制备方法
CN110752296A (zh) * 2019-11-22 2020-02-04 中国科学院化学研究所 溶液法制备ofet中顶接触源漏电极的方法
CN110752296B (zh) * 2019-11-22 2022-02-25 中国科学院化学研究所 溶液法制备ofet中顶接触源漏电极的方法
CN116003863A (zh) * 2023-01-05 2023-04-25 大连理工大学 基于氧等离子体改性的空间湿润性梯度表面改性装置及表面改性方法
CN116003863B (zh) * 2023-01-05 2024-02-02 大连理工大学 基于氧等离子体改性的空间湿润性梯度表面改性装置及表面改性方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Domenech et al. Electroless plating of nickel–phosphorous on surface-modified poly (ethylene terephthalate) films
Miljkovic et al. Electric-field-enhanced condensation on superhydrophobic nanostructured surfaces
CN106111481A (zh) 一种拥有亲、疏水两种润湿特性的铜基板制备方法
Huang et al. Fabrication of high wettability gradient on copper substrate
Alawajji et al. Fabrication of transparent superhydrophobic polytetrafluoroethylene coating
Jo et al. Supersonically sprayed nanotextured surfaces with silver nanowires for enhanced pool boiling
CN103469179B (zh) 一种真空环境下基于溶液的无机梯度薄膜制备方法
Petr et al. Surfaces with roughness gradient and invariant surface chemistry produced by means of gas aggregation source and magnetron sputtering
Yanqing et al. A facile approach for TiO 2-based superhydrophobic–superhydrophilic patterns by UV or solar irradiation without a photomask
KR20120007381A (ko) 패턴 제조 방법
CN105951049B (zh) 一种具有纳米级间隙的金属颗粒制造方法
CN102644049A (zh) 一种基于TiO2纳米薄膜浸润性的微流体驱动方法
CN105951162A (zh) 一种在金属基体上实现超亲水/超疏水润湿性图案的方法
CN104906816A (zh) 一种基于多孔复合材料的可控液体蒸发方法
CN108091699A (zh) 基于柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件及制备方法
Serles et al. Superhydrophobic and superhydrophilic functionalized surfaces by picosecond laser texturing
Ma et al. Simultaneous realization of superhydrophobicity and multiple droplet bouncing through laser ablation, organic adsorption and fluorination treatment
Zhang et al. A laser scanning method to control the location, shape, contact angle and sliding of water droplet on superhydrophobic surface
Lee et al. Wetting properties of hybrid structure with hydrophilic ridges and hydrophobic channels
CN104882378B (zh) 一种基于氧等离子体工艺的纳米介质层制备方法
Zhang et al. Surface topography by water jet-guided laser texturing on wettability of monocrystalline silicon
Ten et al. Femtosecond laser-induced chemical vapor deposition of tungsten quasi-periodic structures on silicon substrates
Atay Fabrication methods for polymer coatings
Wang et al. Formation of AlOOH and silica composite hierarchical nanostructures thin film by sol–gel dip-coating for superhydrophobic surface with high adhesion force
CN109587966B (zh) 液态金属电路的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20161116

RJ01 Rejection of invention patent application after publication