CN110729880A - 电力变换装置的驱动电路及其应用装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电力变换装置的驱动电路及其应用装置，该驱动电路包括：至少一个电源切换电路、N个隔离模块和至少一个隔离电源；电源依次通过电源切换电路和相应的隔离电源，为各个隔离模块提供驱动电压；各个隔离模块的输出端分别通过对应的驱动电阻连接对应功率半导体器件的控制端；电源切换电路用于根据其控制端接收到的驱动电压控制信号改变自身的输出，以使各个隔离模块的驱动电压，在电力变换装置处于正常运行状态时等于正常电压，而在电力变换装置处于暂态过度过程中等于预设电压，进而避免各个功率半导体器件损坏的风险；并且无需永久性调整驱动电阻的阻值，避免了对于电力变换装置正常运行时性能的影响。

Description

电力变换装置的驱动电路及其应用装置
技术领域
本发明属于电力电子技术领域，更具体的说，尤其涉及一种电力变换装置的驱动电路及其应用装置。
背景技术
在电力电子的电源中，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)被广泛应用。MOSFET和IGBT都属于功率半导体器件，这种器件通过控制其驱动信号的电压值，实现其内部的导通和关断功能。正常情况下，施加大于其导通电压的正电压即可使其导通，施加负电压或0电压即可使其关断。在其导通时，驱动信号的电压值越高，其导通状态下的损耗越小、性能越好；在其关断时，驱动信号的电压值取负是为了保证器件可靠的关断。
在实际使用时，由于开关线路的寄生电感的存在，MOSFET和IGBT在关断时均有电压尖峰、关断电压应力较高。在导通时也会有续流二极管的反向恢复电流流过、增大导通损耗和电流应力。关断时的电压应力、导通时的电流应力，均会加大MOSFET和IGBT损坏的风险，降低其可靠性。
为了避免上述加大MOSFET和IGBT损坏的风险，降低其可靠性的问题，现有技术中存在一种方案是通过改变驱动电阻的大小，来调节导通和关断速度，进而降低相应的应力。但是驱动电阻永久调整后，不能兼顾正常运行和异常运行的性能。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种电力变换装置的驱动电路及其应用装置，用于将驱动电压在预设电压和正常电压之间切换，并且无需永久性调整驱动电阻的阻值，避免了在电力变换装置正常运行时性能的影响。
本发明第一方面公开了一种电力变换装置的驱动电路，包括：至少一个电源切换电路、N个隔离模块和至少一个隔离电源，N为所述电力变换装置的主电路中功率半导体器件的个数，且N为正整数；其中：
各个所述功率半导体器件的控制端，分别通过各自的驱动电阻连接对应所述隔离模块的输出端；
各个所述隔离模块的电源端，分别与对应所述隔离电源的输出端相连，接收相应的驱动电压；
各个所述隔离模块的输入端，分别与所述电力变换装置中控制器的对应第一输出端相连，用于接收相应功率半导体器件的PWM(Pulse-Width Modulation，脉冲宽度调制)信号；
所述隔离电源的输入端与所述电源切换电路的输出端相连；
所述电源切换电路的输入端与电源相连；
所述电源切换电路的控制端，与所述控制器的第二输出端相连，接收驱动电压控制信号；所述电源切换电路用于根据所述驱动电压控制信号改变自身的输出，以使各个所述隔离模块的驱动电压，在所述电力变换装置处于暂态过度过程中等于预设电压，而在所述电力变换装置处于正常运行状态时等于正常电压。
可选的，所述电源切换电路，包括：电容，和，输出电压不同的第一支路和第二支路；
所述第一支路和所述第二支路中的至少一个设置有控制端、作为所述电源切换电路的控制端；
所述第一支路的输入端作为所述电源切换电路的一个输入端，与第一电源相连；
所述第二支路的输入端作为所述电源切换电路的另一个输入端，与第二电源相连；
所述第一支路的输出端和所述第二支路的输出端均与所述电容的一端相连，连接点作为所述电源切换电路的输出端正极；
所述电容的另一端接地并作为所述电源切换电路的输出端负极。
可选的，所述第一支路包括第一限流电阻和第一二极管，所述第二支路包括串联连接的第二限流电阻、第一电子开关和第二二极管；
所述第一二极管的阴极作为所述第一支路的输出端；
所述第一二极管的阳极与所述第一限流电阻的一端相连；
所述第一限流电阻的另一端作为所述第一支路的输入端；
所述第二二极管的阴极作为所述第二支路的输出端；
所述第二二极管的阳极通过所述第二限流电阻与所述第一电子开关的输出端相连；
所述第一电子开关的输入端作为所述第二支路的输入端；
所述第一电子开关的控制端作为所述电源切换电路的控制端。
可选的，所述第一支路包括：串联连接的第一限流电阻和第二电子开关，所述第二支路包括：串联连接的第二限流电阻和第一电子开关；
所述第一电子开关的控制端为所述电源切换电路的控制端；
所述第一电子开关的控制端还通过反向器与所述第二电子开关的控制端相连。
可选的，所述第一支路的输出电压小于所述第二支路的输出电压；
所述驱动电压控制信号为：在所述电力变换装置处于正常运行状态时控制所述第一电子开关闭合，而在所述电力变换装置处于暂态过度过程中，控制所述第一电子开关关断的信号。
可选的，所述第二电源的电压大于所述第一电源的电压，所述第一限流电阻的阻值等于所述第二限流电阻的阻值；
或者，所述第二电源的电压等于所述第一电源的电压，所述第一限流电阻的阻值大于所述第二限流电阻的阻值；
又或者，所述第二电源的电压大于所述第一电源的电压，所述第一限流电阻的阻值大于所述第二限流电阻的阻值。
可选的，所述第一电子开关为以下任意一种：MOSFET，三极管，IGBT，以及，MOSFET、三极管和IGBT中至少两个的组合。
可选的，所述的电力变换装置的驱动电路，还包括：放大电路；
各个所述功率半导体器件的控制端，分别通过各自的驱动电阻连接对应所述放大电路的输出端；
各个所述放大电路的输入端，分别与相应所述隔离模块的输出端相连。
可选的，所述隔离电源采用开环型控制。
可选的，所述隔离模块为：隔离光耦、隔离型容耦和隔离型磁耦中的任意一种。
本发明第二方面公开了一种电力变换装置，包括：控制器、M个电力变换模块以及如第一方面任一所述的驱动电路；M为正整数；
所述控制器通过所述驱动电路与M个电力变换模块中各个功率半导体器件的控制端相连。
本发明第三方面公开了一种逆变器，包括：控制器、M个电力变换模块以及如第一方面任一所述的驱动电路；M为正整数；
M个电力变换模块中至少包括一个逆变电路；
所述控制器通过所述驱动电路与M个电力变换模块中各个功率半导体器件的控制端相连。
从上述技术方案可知，本发明提供的一种电力变换装置的驱动电路，包括：至少一个电源切换电路、N个隔离模块和至少一个隔离电源，各个功率半导体器件的控制端，分别通过各自的驱动电阻连接对应隔离模块的输出端，各个隔离模块的电源端，分别与对应隔离电源的输出端相连，接收相应的驱动电压，电源切换电路用于根据其控制端接收到的驱动电压控制信号改变自身的输出，以使各个隔离模块的驱动电压，在电力变换装置处于暂态过度过程中等于预设电压，进而避免各个功率半导体器件损坏的风险，而在电力变换装置处于正常运行状态时等于正常电压；并且无需永久性调整驱动电阻的阻值，避免了对于电力变换装置正常运行时性能的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种电力变换装置的驱动电路的示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种电力变换装置的驱动电路中电源切换电路的示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种电力变换装置的驱动电路中电源切换电路的示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种电力变换装置的驱动电路中电源切换电路的示意图；
图5是本发明实施例提供的一种逆变器的示意图；
图6是本发明实施例提供的另一种电力变换装置的驱动电路中电源切换电路的示意图；
图7是本发明实施例提供的另一种电力变换装置的驱动电路的示意图；
图8是本发明实施例提供的一种电力变换装置的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本申请中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本发明实施例提供一种电力变换装置的驱动电路，用于控制电力变换装置主电路中功率半导体器件的驱动电压在预设电压和正常电压之间切换，并且无需永久性调整驱动电阻的阻值，避免了在电力变换装置正常运行时性能的影响。
该电力变换装置的驱动电路，参见图1，包括：至少一个电源切换电路10、N个隔离模块(在此以隔离模块为隔离光耦30进行展示)和至少一个隔离电源20，N为电力变换装置的主电路中功率半导体器件的个数，且N为正整数；其中：
各个功率半导体器件的控制端，分别通过各自的驱动电阻连接对应隔离模块30的输出端。
各个隔离模块30的电源端，分别与对应隔离电源20的输出端相连，接收相应的驱动电压。需要说明的是，隔离电源20的输出端包括：正电压输出端、控制电压输出端和负电压输出端；三个输出端中相邻的两个输出端之间均设置有电容，正电压输出端的输出电压为VP，控制电压输出端的输出电压为VE，负电压输出端的输出电压为VN。隔离模块30的电源端包括：正电压输入端、控制电压输入端和负电压输入端。隔离模块30与隔离电源20之间的具体连接关系是：隔离模块30的正电压输入端与隔离电源20的正电压输出端相连；隔离模块30的控制电压输入端与隔离电源20的控制电压输出端相连；隔离模块30的负电压输入端与隔离电源20的负电压输出端相连；此种情况下，隔离电源20的正电压输出端的输出电压VP和负电压输出端的输出电压VN之间的电压差为隔离电源20向隔离模块30提供的驱动电压。或者，隔离模块30的负电压输入端还可以不与隔离电源20的负电压输出端相连，而是处于悬空状态；此种情况下，隔离电源20的正电压输出端的输出电压VP即为隔离电源20向隔离模块30提供的驱动电压。
在实际应用中，隔离模块30可以是隔离光耦、隔离型磁耦和隔离型容耦中的任意一种，当然，隔离模块30还可以是其他具有隔离和信号传输功能的器件或电路，在此不再一一赘述，均在本申请的保护范围内。
隔离电源20的输入端与电源切换电路10的输出端相连，电源切换电路10的输入端与电源相连。
在实际应用中，隔离电源20为开环型控制，因此，隔离电源20的输出电压和输入电压呈线性变化。如隔离电源20的输入电压较大，其输出电压也较大，隔离电源20的输入电压较小，其输出电压也较小，进而电源切换电路10向隔离电源20输出的电压，与隔离电源20输出的驱动电压呈线性变化。
在实际应用中，电力变换装置中的一个电力变换模块，比如逆变电路或者DC/DC变换电路，其内部的各个功率半导体器件，均配备有各自的隔离模块30。多个隔离模块30，比如同一电力变换模块内各个功率半导体器件的隔离模块30，可以共用一个隔离电源20；也可以是电力变换装置驱动板上的全部隔离模块30共用同一个隔离电源20，此处不做限定。当电力变换装置驱动板上包括多个隔离电源20时，这些隔离电源20也可以共用一个电源切换电路10。
在电力变换装置处于正常运行状态时，该驱动电路内部，电源切换电路10将其输入端接收到的电压转换后再通过其输出端输出至隔离电源20。隔离电源20通过其输出端向对应的隔离模块30的电源端输出相应的驱动电压。各个隔离模块30的输入端，分别与电力变换装置中控制器的对应第一输出端相连，接收相应功率半导体器件的PWM信号。各个隔离模块30根据接收到的PWM信号，通过自身的输出端向各自对应的功率半导体器件的控制端输出驱动信号，以使各个功率半导体器件依据驱动信号执行相应的动作。
电源切换电路10的控制端，与控制器的第二输出端相连，接收驱动电压控制信号；使得该电源切换电路10，能够根据其控制端接收到的驱动电压控制信号，改变自身的输出，以使各个隔离模块30的驱动电压，在电力变换装置处于暂态过度过程中等于预设电压，而在电力变换装置处于正常运行状态时等于正常电压。
具体的，该暂态过度过程是指低电压穿越、高电压穿越、启动过程及关机等过程，在电力变换装置处于上述任意一种暂态过度过程中时，电力变换装置的控制器向电源切换电路10的控制端输出第一驱动电压控制信号，比如某一电平下的驱动电压控制信号，以使电源切换电路10的输出电压较低，进而使得各个隔离模块30的驱动电压为预设电压。而在电力变换装置处于正常运行状态时，电力变换装置的控制器向电源切换电路10的控制端输出第二驱动电压控制信号，比如另一电平下的驱动电压控制信号，以使电源切换电路10的输出电压较高，进而使得各个隔离模块30的驱动电压为正常电压。该预设电压低于正常电压，进而确保电力变换装置处于低电压穿越、高电压穿越、启动过程及关机等暂态过度过程中任一种情况时，其主电路中的功率半导体器件接收到的驱动信号与电力变换装置正常运行状态时产生变化，放慢各个功率半导体器件的闭合和关断的速度，使其关断时的电压应力或导通时的电流应力，均处于允许范围内，降低功率半导体器件损坏的风险，提高其可靠性。并且无需永久性调整驱动电阻的阻值，避免了对于电力变换装置正常运行时性能的影响。值得说明的是，实际应用中，该预设电压也可以高于该正常电压，只要能够确保电力变换装置处于低电压穿越、高电压穿越、启动过程及关机等暂态过度过程中任一种情况时，放慢各个功率半导体器件的闭合和关断的速度，使其关断时的电压应力或导通时的电流应力，均处于允许范围内即可，均在本申请的保护范围内。
现有技术中还存在一种方案是：在隔离电源的二次侧设置有驱动电阻或调压电路，但是均需要设计2路隔离通道，来区分控制不同的驱动电阻切入电路或区分控制不同的功能使能，造成电路成本较高、也比较复杂。
而本发明实施例中，通过改变隔离电源20的原边电压，进而改变隔离电源20的副边电压，避免了需要多路隔离通道来区分控制，并且，在不改变隔离电源20和隔离模块30的情况下，一个电源切换电路10，可以对应多路隔离电源20，进一步降低单路成本、电路复杂程度。
此外，在图1的基础之上，还可以包括如图7所示的：放大电路40；其中：
各个功率半导体器件的控制端，分别通过各自的驱动电阻连接对应放大电路40的输出端，各个放大电路40的输入端，分别与相应隔离模块30的输出端相连。
需要说明的是，图7中其他器件的连接关系与图1中的连接关系相似，在此不再一一赘述，详情参见关于图1的描述，均在本申请的保护范围内。
在实际应用中，上述电源切换电路10的具体结构可以参见图2，包括：电容C，和，输出电压不同的第一支路201和第二支路202。
第一支路201和第二支路202中的至少一个设置有控制端、作为电源切换电路10的控制端。
第一支路201的输入端作为电源切换电路10的一个输入端，与第一电源V1相连，第二支路202的输入端作为电源切换电路10的另一个输入端，与第二电源V2相连，第一支路201的输出端和第二支路202的输出端均与电容C的一端相连，连接点作为电源切换电路10的输出端正极，电容C的另一端接地并作为电源切换电路10的输出端负极。
在实际应用中，第一支路201包括如图4所示的：第一限流电阻R1和第一二极管D1。
具体的，第一二极管D1的阴极作为第一支路201的输出端，第一二极管D1的阳极与第一限流电阻R1的一端相连，第一限流电阻R1的另一端作为第一支路201的输入端。
第二支路202包括如图4所示的：串联连接的第二限流电阻R2、第一电子开关K1和第二二极管D2。
具体的，第二二极管D2的阴极作为第二支路202的输出端，第二二极管D2的阳极通过第二限流电阻R2与第一电子开关K1的输出端相连，第一电子开关K1的输入端作为第二支路202的输入端，第一电子开关K1的控制端为电源切换电路10的控制端。
第一电子开关K1为一下任意一种：MOSFET，三极管，IGBT，以及，MOSFET、三极管和IGBT中至少两个的组合，第一电子开关K1也可以是其他半导体开关，在此不一一列举，视实际情况而定即可，均在本申请的保护范围内。
在实际应用中，第一支路201的输出电压小于第二支路202的输出电压。
可以将第一电源V1、第二电源V2、第一限流电阻R1和第二限流电阻R2分别设置为：第二电源V2的电压大于第一电源V1的电压，第一限流电阻R1的阻值等于第二限流电阻R2的阻值。
或者，将第一电源V1、第二电源V2、第一限流电阻R1和第二限流电阻R2分别设置为：第二电源V2的电压等于第一电源V1的电压，第一限流电阻R1的阻值大于第二限流电阻R2的阻值。此时，第一电源V1和第二电源V2可以为同一个电源，第一支路201的输入端和第二支路202的输入端相连，如图3所示，其他连接关系与图4相似，在此不再一一赘述。
又或者，将第一电源V1、第二电源V2、第一限流电阻R1和第二限流电阻R2分别设置为：第二电源V2的电压大于第一电源V1的电压，第一限流电阻R1的阻值大于第二限流电阻R2的阻值。
上述三种情况均是为了实现第一支路201的输出电压小于第二支路202的输出电压，其他可以是实现第一支路201的输出电压小于第二支路202的输出电压的方式，也在本申请的保护范围内。
在本实施例中，其驱动电压控制信号为：在电力变换装置处于正常运行状态时控制第一电子开关K1闭合，而在电力变换装置处于低电压穿越、高电压穿越、启动过程及关机等暂态过度过程中，控制第一电子开关K1关断的信号。
在第一电子开关K1闭合时，由于第一支路201的输出电压小于第二支路202的输出电压，第一支路201中的第一二极管D1将反向截止，第一支路201中的第一限流电阻R1无电流通过，此时仅第二支路202向电容C输出电压，进而使驱动电压等于正常电压。
在第一电子开关K1关断时，即第二支路202断开时，第一支路201向电容C输出电压，第二支路202中的第二二极管D2反向截止，由于第一支路201的输出电压小于第二支路202的输出电压，进而使驱动电压从正常电压切换为较低的预设电压。
无论第一支路201还是第二支路202向电容C输出电压，充电后的电容C的正极电压即为电源切换电路10的输出电压；由于第一支路201的输出电压小于第二支路202的输出电压，因此，在电力变换装置处于正常运行状态时，驱动电压控制信号控制输出电压较高的第二支路202向电容C输出电压，以使充电后的电容C的正极电压较高，进而使驱动电压等于正常电压；在电力变换装置处于低电压穿越、高电压穿越、启动过程及关机等暂态过度过程中，驱动电压控制信号控制输出电压较低的第一支路201向电容C输出电压，以使充电后的电容C的正极电压降低，进而使驱动电压等于预设电压。
实际应用中，如图6所示，也可以为第一支路201中设置一个第二电子开关K2，通过一个反向器使其控制信号与第二支路202中第一电子开关K1的控制信号取反即可，届时可以省略两个支路中的二极管，其工作原理与上述情况类似，此处不再赘述。
本发明实施例提供一种电力变换装置，参见图8，包括控制器830、M个电力变换模块820以及上述任一实施例所述的驱动电路810。
M为正整数，图8以M＝1为例进行展示。
M个电力变换模块820包括DC/AC变换电路、DC/DC变换电路、AC/AC变换电路和AC/DC变换电路中的至少一种，在此不做具体限定，视具体应用环境而定即可，均在本申请的保护范围内。
控制器830通过驱动电路810与M个电力变换模块820中各个功率半导体器件的控制端相连，向驱动电路810中的隔离模块30输出相应功率半导体器件的PWM信号，进而控制相应电力变换模块820中各个功率半导体器件闭合和关断。电力变换模块820中各个功率半导体器件可以是MOSFET，也可以是IGBT，还可以是其他功率半导体器件，在此不再一一列举，均在本申请的保护范围内。
驱动电路810的具体结构及工作原理在此不再一一赘述，详情参见上述各个实施例。
本发明实施例提供一种逆变器，参见图5，包括：控制器430、M个电力变换模块420以及上述任一实施例所述的驱动电路410。
M为正整数，图5以M＝1为例进行展示。
M个电力变换模块420中至少包括一个逆变电路，即M＝1时，该电力变换模块420为逆变电路；当M>1时，另外几个电力变换模块420可以是DC/DC变换电路。
控制器430通过驱动电路410与M个电力变换模块420中各个功率半导体器件的控制端相连，向驱动电路410中的隔离模块30输出相应功率半导体器件的PWM信号，进而控制相应电力变换模块420中各个功率半导体器件闭合和关断。电力变换模块420中各个功率半导体器件可以是MOSFET，也可以是IGBT，还可以是其他功率半导体器件，在此不再一一列举，均在本申请的保护范围内。
驱动电路410的具体结构及工作原理在此不再一一赘述，详情参见上述各个实施例。
在此，对逆变器的具体工作过程进行说明：
在逆变器处于运行状态时，其控制器430向驱动电路410中各个隔离模块30输出相应功率半导体器件的PWM信号，以控制相应功率半导体器件闭合和关断。其中，运行状态包括：正常运行状态、低电压穿越、高电压穿越、启动过程及关机等暂态过度过程。
具体的，当驱动电路410的隔离模块30接收到的PWM信号要求断开时，隔离模块30向相应功率半导体器件输出禁止控制信号，以使相应功率半导体器件断开。而当驱动电路410的隔离模块30接收到的PWM信号要求闭合时，隔离模块30向相应功率半导体器件输出使能控制信号，以使相应功率半导体器件闭合。
在逆变器处于正常运行状态时，其控制器430控制驱动电路410的驱动电压等于正常电压，以使M个电力变换模块420中各个功率半导体器件根据其PWM信号输出正常的驱动信号，进而正常运行。
在逆变器处于低电压穿越、高电压穿越、启动过程及关机等暂态过度过程中，其控制器430控制驱动电路410的驱动电压等于预设电压，使得在低电压穿越、高电压穿越、启动过程及关机等暂态过度过程中，放慢各个功率半导体器件的闭合和关断的速度，进而降低各个功率半导体器件的电压和电流应力，避免各个功率半导体器件损坏的风险，提高其可靠性。
在本实施例中，在逆变器处于不同状态下，驱动电路410的驱动电压在正常电压和预设电压之间切换，避免了在逆变器处于暂态电压应力和电流应力较高时，电力变换模块420中的各个功率半导体器件损坏的风险。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统或系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的系统及系统实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (12)

1.一种电力变换装置的驱动电路，其特征在于，包括：至少一个电源切换电路、N个隔离模块和至少一个隔离电源，N为电力变换装置的主电路中功率半导体器件的个数，且N为正整数；其中：
各个所述功率半导体器件的控制端，分别通过各自的驱动电阻连接对应所述隔离模块的输出端；
各个所述隔离模块的电源端，分别与对应所述隔离电源的输出端相连，接收相应的驱动电压；
各个所述隔离模块的输入端，分别与所述电力变换装置中控制器的对应第一输出端相连，用于接收相应功率半导体器件的脉冲宽度调制PWM信号；
所述隔离电源的输入端与所述电源切换电路的输出端相连；
所述电源切换电路的输入端与电源相连；
所述电源切换电路的控制端，与所述控制器的第二输出端相连，接收驱动电压控制信号；所述电源切换电路用于根据所述驱动电压控制信号改变自身的输出，以使各个所述隔离模块的驱动电压，在所述电力变换装置处于暂态过度过程中等于预设电压，而在所述电力变换装置处于正常运行状态时等于正常电压。
2.根据权利要求1所述的电力变换装置的驱动电路，其特征在于，所述电源切换电路，包括：电容，和，输出电压不同的第一支路和第二支路；
所述第一支路和所述第二支路中的至少一个设置有控制端、作为所述电源切换电路的控制端；
所述第一支路的输入端作为所述电源切换电路的一个输入端，与第一电源相连；
所述第二支路的输入端作为所述电源切换电路的另一个输入端，与第二电源相连；
所述第一支路的输出端和所述第二支路的输出端均与所述电容的一端相连，连接点作为所述电源切换电路的输出端正极；
所述电容的另一端接地并作为所述电源切换电路的输出端负极。
3.根据权利要求2所述的电力变换装置的驱动电路，其特征在于，所述第一支路包括第一限流电阻和第一二极管，所述第二支路包括串联连接的第二限流电阻、第一电子开关和第二二极管；
所述第一二极管的阴极作为所述第一支路的输出端；
所述第一二极管的阳极与所述第一限流电阻的一端相连；
所述第一限流电阻的另一端作为所述第一支路的输入端；
所述第二二极管的阴极作为所述第二支路的输出端；
所述第二二极管的阳极通过所述第二限流电阻与所述第一电子开关的输出端相连；
所述第一电子开关的输入端作为所述第二支路的输入端；
所述第一电子开关的控制端作为所述电源切换电路的控制端。
4.根据权利要求2所述的电力变换装置的驱动电路，其特征在于，所述第一支路包括：串联连接的第一限流电阻和第二电子开关，所述第二支路包括：串联连接的第二限流电阻和第一电子开关；
所述第一电子开关的控制端为所述电源切换电路的控制端；
所述第一电子开关的控制端还通过反向器与所述第二电子开关的控制端相连。
5.根据权利要求3或4所述的电力变换装置的驱动电路，其特征在于，所述第一支路的输出电压小于所述第二支路的输出电压；
所述驱动电压控制信号为：在所述电力变换装置处于正常运行状态时控制所述第一电子开关闭合，而在所述电力变换装置处于暂态过度过程中，控制所述第一电子开关关断的信号。
6.根据权利要求5所述的电力变换装置的驱动电路，其特征在于，所述第二电源的电压大于所述第一电源的电压，所述第一限流电阻的阻值等于所述第二限流电阻的阻值；
或者，所述第二电源的电压等于所述第一电源的电压，所述第一限流电阻的阻值大于所述第二限流电阻的阻值；
又或者，所述第二电源的电压大于所述第一电源的电压，所述第一限流电阻的阻值大于所述第二限流电阻的阻值。
7.根据权利要求3所述的电力变换装置的驱动电路，其特征在于，所述第一电子开关为以下任意一种：金属氧化物半导体场效应管MOSFET，三极管，绝缘栅双极型晶体管IGBT，以及，MOSFET、三极管和IGBT中至少两个的组合。
8.根据权利要求1-4任一所述的电力变换装置的驱动电路，其特征在于，还包括：放大电路；
各个所述功率半导体器件的控制端，分别通过各自的驱动电阻连接对应所述放大电路的输出端；
各个所述放大电路的输入端，分别与相应所述隔离模块的输出端相连。
9.根据权利要求1-4任一所述的电力变换装置的驱动电路，其特征在于，所述隔离电源采用开环型控制。
10.根据权利要求1-4任一所述的电力变换装置的驱动电路，其特征在于，所述隔离模块为：隔离光耦、隔离型容耦和隔离型磁耦中的任意一种。
11.一种电力变换装置，其特征在于，包括：控制器、M个电力变换模块和如权利要求1-10任一所述的驱动电路；M为正整数；
所述控制器通过所述驱动电路与M个电力变换模块中各个功率半导体器件的控制端相连。
12.一种逆变器，其特征在于，包括：控制器、M个电力变换模块以及如权利要求1-10任一所述的驱动电路；M为正整数；
M个电力变换模块中至少包括一个逆变电路；
所述控制器通过所述驱动电路与M个电力变换模块中各个功率半导体器件的控制端相连。
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