CN112234962A - 一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路 - Google Patents
一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112234962A CN112234962A CN202011480264.3A CN202011480264A CN112234962A CN 112234962 A CN112234962 A CN 112234962A CN 202011480264 A CN202011480264 A CN 202011480264A CN 112234962 A CN112234962 A CN 112234962A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- module
- current
- switch module
- signal
- signal processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
本发明提供了一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路，包括：第一开关模块、第二开关模块、第一信号处理模块、第二信号处理模块、第一电流采样模块、第二电流采样模块以及IGBT模块；第一电流采样模块用于采集流过第一开关模块的第一电流信号；第二电流采样模块用于采集流过第二开关模块的第二电流信号；第一信号处理模块用于依据第一电流信号输出第一控制信号，调整第一开关模块的导通状态，以调整IGBT模块的门极电流；第二信号处理模块用于依据第二电流信号输出第二控制信号，调整第二开关模块的导通状态，以调整IGBT模块的门极电流；实现了IGBT模块的开通关断的控制过程的动态调整。
Description
技术领域
本发明涉及半导体驱动电路技术领域，更具体地说，涉及一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路。
背景技术
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，驱动隔离电源）是HVIC(HighVoltage IC，高压集成电路)的典型电路之一，由于其高可靠性， 面积小，效果高等特点被广泛应用于家用电器与工业设备、航空、航天、武器系统等方面。
但是，目前IGBT模块的开通关断的控制过程不能进行动态调整，无法满足驱动器匹配不同信号IGBT时的参数要求，在不改变硬件参数的情况下，无法针对不同型号的IGBT进行调整开关速度以及抑制关断尖峰。
发明内容
有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路，技术方案如下：
一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路，所述功率半导体驱动电路包括：第一开关模块、第二开关模块、第一信号处理模块、第二信号处理模块、第一电流采样模块、第二电流采样模块以及IGBT模块；
其中，所述第一信号处理模块的信号接收端和所述第二信号处理模块的信号接收端均与控制信号端连接；所述第一信号处理模块的信号输出端与所述第一开关模块的控制端连接；所述第一信号处理模块的电流信号接收端与所述第一电流采样模块的输出端连接；
所述第一电流采样模块的采样端与所述第一开关模块的第二端连接；所述第一开关模块的第一端与正压端连接；
所述第二信号处理模块的信号输出端与所述第二开关模块的控制端连接；所述第二信号处理模块的电流信号接收端与所述第二电流采样模块的输出端连接；
所述第二电流采样模块的采样端与所述第二开关模块的第一端连接；所述第二开关模块的第二端与负压端连接；
所述第一开关模块的第二端与所述第二开关模块的第一端的连接节点与所述IGBT模块的门极连接；
其中，所述第一电流采样模块用于采集流过所述第一开关模块的第一电流信号；所述第二电流采样模块用于采集流过所述第二开关模块的第二电流信号；
所述第一信号处理模块用于依据所述第一电流信号输出第一控制信号，调整所述第一开关模块的导通状态，以调整所述IGBT模块的门极电流；
所述第二信号处理模块用于依据所述第二电流信号输出第二控制信号，调整所述第二开关模块的导通状态，以调整所述IGBT模块的门极电流；
所述第一开关模块和所述第二开关模块，其中一个处于导通状态时，另一个处于关断状态。
可选的，在上述功率半导体驱动电路中，所述第一开关模块为第一场效应管；
所述第一场效应管的栅极为所述第一开关模块的控制端，所述第一场效应管的第一电极端和第二电极端分别为所述第一开关模块的第一端和第二端。
可选的，在上述功率半导体驱动电路中，所述第二开关模块为第二场效应管；
所述第二场效应管的栅极为所述第二开关模块的控制端，所述第二场效应管的第一电极端和第二电极端分别为所述第二开关模块的第一端和第二端。
可选的，在上述功率半导体驱动电路中，所述IGBT模块包括：第一电容和三极管；
其中，所述三极管的基极与所述第一电容的第一端连接，且连接节点作为所述IGBT模块的门极；
所述三极管的集电极与外部主功率回路的母线连接；
所述三极管的发射极与所述第一电容的第二端连接，且连接节点接地。
可选的，在上述功率半导体驱动电路中，所述第一电流采样模块为第一比较器；
其中，所述第一比较器的第一输入端与所述第一开关模块的第二端连接；
所述第一比较器的第二输入端与第一参考电流输入端连接；
所述第一比较器的输出端与所述第一信号处理模块的电流信号接收端连接。
可选的，在上述功率半导体驱动电路中，所述第二电流采样模块为第二比较器；
其中，所述第二比较器的第一输入端与所述第二开关模块的第一端连接；
所述第二比较器的第二输入端与第二参考电流输入端连接；
所述第二比较器的输出端与所述第二信号处理模块的电流信号接收端连接。
可选的，在上述功率半导体驱动电路中，所述功率半导体驱动电路还包括：第一电压采样模块和第二电压采样模块；
其中，所述第一电压采样模块的采样端与所述第一开关模块的第二端连接；所述第一电压采样模块的输出端与所述第一信号处理模块的电压信号接收端连接；
所述第二电压采样模块的采样端与所述第二开关模块的第二端连接；所述第二电压采样模块的输出端与所述第二信号处理模块的电压信号接收端连接；
所述第一电压采样模块用于采集所述第一开关模块两端的第一电压信号；所述第二电压采样模块用于采集所述第二开关模块两端的第二电压信号；
所述第一信号处理模块用于依据所述第一电流信号和/或所述第一电压信号输出第一控制信号，调整所述第一开关模块的导通状态，以调整所述IGBT模块的门极电流；
所述第二信号处理模块用于依据所述第二电流信号和/或所述第二电压信号输出第二控制信号，调整所述第二开关模块的导通状态，以调整所述IGBT模块的门极电流。
可选的，在上述功率半导体驱动电路中，所述第一电压采样模块为第三比较器；
其中，所述第三比较器的第一输入端与所述第一开关模块的第二端连接；
所述第三比较器的第二输入端与第一参考电压输入端连接；
所述第三比较器的输出端与所述第一信号处理模块的电压信号接收端连接。
可选的，在上述功率半导体驱动电路中，所述第二电压采样模块为第四比较器；
其中，所述第四比较器的第一输入端与所述第二开关模块的第一端连接；
所述第四比较器的第二输入端与第二参考电压输入端连接；
所述第四比较器的输出端与所述第二信号处理模块的电压信号接收端连接。
可选的，在上述功率半导体驱动电路中，所述功率半导体驱动电路还包括：电源模块、第二电容和第三电容；
其中，所述第二电容的第一端与所述第三电容的第一端连接，且连接节点与所述电源模块的第一端连接；
所述第二电容的第二端与所述电源模块的第二端连接，且连接节点与所述正压端连接；
所述第三电容的第二端与所述电源模块的第三端连接，且连接节点与所述负压端连接。
相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：
本发明提供的一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路包括：第一开关模块、第二开关模块、第一信号处理模块、第二信号处理模块、第一电流采样模块、第二电流采样模块以及IGBT模块；其中，所述第一电流采样模块用于采集流过所述第一开关模块的第一电流信号；所述第二电流采样模块用于采集流过所述第二开关模块的第二电流信号；所述第一信号处理模块用于依据所述第一电流信号输出第一控制信号，调整所述第一开关模块的导通状态，以调整所述IGBT模块的门极电流；所述第二信号处理模块用于依据所述第二电流信号输出第二控制信号，调整所述第二开关模块的导通状态，以调整所述IGBT模块的门极电流；所述第一开关模块和所述第二开关模块，其中一个处于导通状态时，另一个处于关断状态。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的信号波形示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图1，图1为本发明实施例提供的一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图。
所述功率半导体驱动电路包括：第一开关模块11、第二开关模块12、第一信号处理模块13、第二信号处理模块14、第一电流采样模块15、第二电流采样模块16以及IGBT模块17；
其中，所述第一信号处理模块13的信号接收端和所述第二信号处理模块14的信号接收端均与控制信号端连接；所述第一信号处理模块13的信号输出端与所述第一开关模块11的控制端连接；所述第一信号处理模块13的电流信号接收端与所述第一电流采样模块15的输出端连接；
所述第一电流采样模块15的采样端与所述第一开关模块11的第二端连接；所述第一开关模块11的第一端与正压端VDD连接；
所述第二信号处理模块14的信号输出端与所述第二开关模块12的控制端连接；所述第二信号处理模块14的电流信号接收端与所述第二电流采样模块16的输出端连接；
所述第二电流采样模块16的采样端与所述第二开关模块12的第一端连接；所述第二开关模块12的第二端与负压端VSS连接；
所述第一开关模块11的第二端与所述第二开关模块12的第一端的连接节点与所述IGBT模块17的门极GATE连接；
其中，所述第一电流采样模块15用于采集流过所述第一开关模块11的第一电流信号；所述第二电流采样模块16用于采集流过所述第二开关模块12的第二电流信号；
所述第一信号处理模块13用于依据所述第一电流信号输出第一控制信号，调整所述第一开关模块11的导通状态，以调整所述IGBT模块17的门极电流IG；
所述第二信号处理模块14用于依据所述第二电流信号输出第二控制信号，调整所述第二开关模块12的导通状态，以调整所述IGBT模块17的门极电流IG；
所述第一开关模块11和所述第二开关模块12，其中一个处于导通状态时，另一个处于关断状态。
需要说明的是，所述控制信号端用于输出PWM信号。
在该实施例中，参考图2，图2为本发明实施例提供的一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的信号波形示意图。通过检测流过第一开关模块11和流过第二开关模块12的电流，调整第一开关模块11和第二开关模块12的导通状态，来调整IGBT模块17的门极电流IG，特别是在米勒平台时，提高IGBT模块的门极电流IG的大小，减少开关时间，可降低开关损耗。
若需要抑制关断尖峰时，则关断时刻在米勒平台，降低IGBT模块17的门极电流IG，减缓关断速度，抑制关断尖峰。
进一步的，基于本发明上述实施例，参考图3，图3为本发明实施例提供的另一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图。
所述第一开关模块11为第一场效应管Q1；
所述第一场效应管Q1的栅极为所述第一开关模块11的控制端，所述第一场效应管Q1的第一电极端和第二电极端分别为所述第一开关模块11的第一端和第二端。
在该实施例中，所述第一场效应管Q1以P型场效应管为例进行说明。
进一步的，基于本发明上述实施例，参考图4，图4为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图。
所述第二开关模块12为第二场效应管Q2；
所述第二场效应管Q2的栅极为所述第二开关模块12的控制端，所述第二场效应管Q2的第一电极端和第二电极端分别为所述第二开关模块12的第一端和第二端。
在该实施例中，所述第二场效应管Q2以N型场效应管为例进行说明。
进一步的，基于本发明上述实施例，参考图5，图5为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图。
所述IGBT模块17包括：第一电容C1和三极管T1；
其中，所述三极管T1的基极与所述第一电容C1的第一端连接，且连接节点作为所述IGBT模块17的门极；
所述三极管T1的集电极与外部主功率回路的母线连接；
所述三极管T1的发射极与所述第一电容的第二端连接，且连接节点接地。
在该实施例中，所述外部主功率回路为所述功率半导体驱动电路应用集成电路中的主功率回路。
进一步的，基于本发明上述实施例，参考图6，图6为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图。
所述第一电流采样模块15为第一比较器U1；
其中，所述第一比较器U1的第一输入端与所述第一开关模块11的第二端连接；
所述第一比较器U1的第二输入端与第一参考电流输入端IREF1连接；
所述第一比较器U1的输出端与所述第一信号处理模块13的电流信号接收端连接。
在该实施例中，所述第一参考电流输入端用于输出第一参考电流，所述第一参考电流的大小可根据实际情况而定，在本发明实施例中并不作限定。
需要说明的是，所述第一比较器U1的第一输入端与所述第一开关模块11的第二端之间至少还包括电流互感器等器件，用于采集电流信号。
进一步的，基于本发明上述实施例，参考图7，图7为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图。
所述第二电流采样模块16为第二比较器U2；
其中，所述第二比较器U2的第一输入端与所述第二开关模块12的第一端连接；
所述第二比较器U2的第二输入端与第二参考电流输入端IREF2连接；
所述第二比较器U2的输出端与所述第二信号处理模块14的电流信号接收端连接。
在该实施例中，所述第二参考电流输入端用于输出第二参考电流，所述第二参考电流的大小可根据实际情况而定，在本发明实施例中并不作限定。
需要说明的是，所述第二比较器U2的第一输入端与所述第二开关模块12的第一端之间至少还包括电流互感器等器件，用于采集电流信号。
进一步的，基于本发明上述实施例，参考图8，图8为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图。
所述功率半导体驱动电路还包括：第一电压采样模块18和第二电压采样模块19；
其中，所述第一电压采样模块18的采样端与所述第一开关模块11的第二端连接；所述第一电压采样模块18的输出端与所述第一信号处理模块13的电压信号接收端连接；
所述第二电压采样模块19的采样端与所述第二开关模块12的第二端连接；所述第二电压采样模块19的输出端与所述第二信号处理模块14的电压信号接收端连接；
所述第一电压采样模块18用于采集所述第一开关模块11两端的第一电压信号；所述第二电压采样模块19用于采集所述第二开关模块12两端的第二电压信号；
所述第一信号处理模块13用于依据所述第一电流信号和/或所述第一电压信号输出第一控制信号，调整所述第一开关模块11的导通状态，以调整所述IGBT模块17的门极电流IG；
所述第二信号处理模块14用于依据所述第二电流信号和/或所述第二电压信号输出第二控制信号，调整所述第二开关模块12的导通状态，以调整所述IGBT模块17的门极电流IG。
在该实施例中，如图2所示，通过检测流过第一开关模块11和流过第二开关模块12的电流，以及第一开关模块11两端的电压和第二开关模块12两端的电压，调整第一开关模块11和第二开关模块12的导通状态，以使第一场效应管Q1和第二场效应管Q2处于线性工作区域，来调整IGBT模块17的门极电流IG，特别是在米勒平台时，提高IGBT模块17的门极电流IG的大小，减少开关时间，可降低开关损耗。
若需要抑制关断尖峰时，则关断时刻在米勒平台，降低IGBT模块17的门极电流IG，减缓关断速度，抑制关断尖峰。
进一步的，基于本发明上述实施例，参考图9，图9为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图。
所述第一电压采样模块18为第三比较器U3；
其中，所述第三比较器U3的第一输入端与所述第一开关模块11的第二端连接；
所述第三比较器U3的第二输入端与第一参考电压输入端VREF1连接；
所述第三比较器U3的输出端与所述第一信号处理模块13的电压信号接收端连接。
在该实施例中，所述第一参考电压输入端用于输出第一参考电压，所述第一参考电压的大小可根据实际情况而定，在本发明实施例中并不作限定。
进一步的，基于本发明上述实施例，参考图10，图10为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图。
所述第二电压采样模块19为第四比较器U4；
其中，所述第四比较器U4的第一输入端与所述第二开关模块12的第一端连接；
所述第四比较器U4的第二输入端与第二参考电压输入端VREF2连接；
所述第四比较器U4的输出端与所述第二信号处理模块14的电压信号接收端连接。
在该实施例中，所述第二参考电压输入端用于输出第二参考电压，所述第二参考电压的大小可根据实际情况而定，在本发明实施例中并不作限定。
进一步的，基于本发明上述实施例，参考图11，图11为本发明实施例提供的又一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路的结构示意图。
所述功率半导体驱动电路还包括：电源模块20、第二电容C2和第三电容C3；
其中，所述第二电容C2的第一端与所述第三电容C3的第一端连接，且连接节点与所述电源模块20的第一端连接，且接地；
所述第二电容C2的第二端与所述电源模块20的第二端连接，且连接节点与所述正压端VDD连接；
所述第三电容C3的第二端与所述电源模块20的第三端连接，且连接节点与所述负压端VSS连接。
需要说明的是，所述功率半导体驱动电路还包括：设置在所述第一信号处理模块13和所述第一场效应管Q1之间的D/A模块，用于将所述第一信号处理模块13输出的数字信号转换为模拟信号，实现对第一场效应管Q1的驱动。
所述功率半导体驱动电路还包括：设置在所述第二信号处理模块14和所述第二场效应管Q2之间的D/A模块，用于将所述第二信号处理模块14输出的数字信号转换为模拟信号，实现对第二场效应管Q2的驱动。
以上对本发明所提供的一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素，或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路，其特征在于，所述功率半导体驱动电路包括：第一开关模块、第二开关模块、第一信号处理模块、第二信号处理模块、第一电流采样模块、第二电流采样模块以及IGBT模块；
其中，所述第一信号处理模块的信号接收端和所述第二信号处理模块的信号接收端均与控制信号端连接；所述第一信号处理模块的信号输出端与所述第一开关模块的控制端连接；所述第一信号处理模块的电流信号接收端与所述第一电流采样模块的输出端连接；
所述第一电流采样模块的采样端与所述第一开关模块的第二端连接；所述第一开关模块的第一端与正压端连接；
所述第二信号处理模块的信号输出端与所述第二开关模块的控制端连接；所述第二信号处理模块的电流信号接收端与所述第二电流采样模块的输出端连接；
所述第二电流采样模块的采样端与所述第二开关模块的第一端连接；所述第二开关模块的第二端与负压端连接；
所述第一开关模块的第二端与所述第二开关模块的第一端的连接节点与所述IGBT模块的门极连接；
其中，所述第一电流采样模块用于采集流过所述第一开关模块的第一电流信号；所述第二电流采样模块用于采集流过所述第二开关模块的第二电流信号；
所述第一信号处理模块用于依据所述第一电流信号输出第一控制信号，调整所述第一开关模块的导通状态，以调整所述IGBT模块的门极电流；
所述第二信号处理模块用于依据所述第二电流信号输出第二控制信号，调整所述第二开关模块的导通状态，以调整所述IGBT模块的门极电流；
所述第一开关模块和所述第二开关模块，其中一个处于导通状态时，另一个处于关断状态。
2.根据权利要求1所述的功率半导体驱动电路，其特征在于，所述第一开关模块为第一场效应管；
所述第一场效应管的栅极为所述第一开关模块的控制端，所述第一场效应管的第一电极端和第二电极端分别为所述第一开关模块的第一端和第二端。
3.根据权利要求1所述的功率半导体驱动电路，其特征在于，所述第二开关模块为第二场效应管；
所述第二场效应管的栅极为所述第二开关模块的控制端，所述第二场效应管的第一电极端和第二电极端分别为所述第二开关模块的第一端和第二端。
4.根据权利要求1所述的功率半导体驱动电路，其特征在于，所述IGBT模块包括：第一电容和三极管；
其中，所述三极管的基极与所述第一电容的第一端连接，且连接节点作为所述IGBT模块的门极；
所述三极管的集电极与外部主功率回路的母线连接；
所述三极管的发射极与所述第一电容的第二端连接，且连接节点接地。
5.根据权利要求1所述的功率半导体驱动电路，其特征在于，所述第一电流采样模块为第一比较器；
其中，所述第一比较器的第一输入端与所述第一开关模块的第二端连接；
所述第一比较器的第二输入端与第一参考电流输入端连接；
所述第一比较器的输出端与所述第一信号处理模块的电流信号接收端连接。
6.根据权利要求1所述的功率半导体驱动电路，其特征在于，所述第二电流采样模块为第二比较器；
其中，所述第二比较器的第一输入端与所述第二开关模块的第一端连接；
所述第二比较器的第二输入端与第二参考电流输入端连接；
所述第二比较器的输出端与所述第二信号处理模块的电流信号接收端连接。
7.根据权利要求1所述的功率半导体驱动电路，其特征在于，所述功率半导体驱动电路还包括：第一电压采样模块和第二电压采样模块；
其中，所述第一电压采样模块的采样端与所述第一开关模块的第二端连接；所述第一电压采样模块的输出端与所述第一信号处理模块的电压信号接收端连接；
所述第二电压采样模块的采样端与所述第二开关模块的第二端连接；所述第二电压采样模块的输出端与所述第二信号处理模块的电压信号接收端连接；
所述第一电压采样模块用于采集所述第一开关模块两端的第一电压信号；所述第二电压采样模块用于采集所述第二开关模块两端的第二电压信号；
所述第一信号处理模块用于依据所述第一电流信号和/或所述第一电压信号输出第一控制信号，调整所述第一开关模块的导通状态，以调整所述IGBT模块的门极电流；
所述第二信号处理模块用于依据所述第二电流信号和/或所述第二电压信号输出第二控制信号，调整所述第二开关模块的导通状态，以调整所述IGBT模块的门极电流。
8.根据权利要求7所述的功率半导体驱动电路，其特征在于，所述第一电压采样模块为第三比较器；
其中，所述第三比较器的第一输入端与所述第一开关模块的第二端连接；
所述第三比较器的第二输入端与第一参考电压输入端连接；
所述第三比较器的输出端与所述第一信号处理模块的电压信号接收端连接。
9.根据权利要求7所述的功率半导体驱动电路，其特征在于，所述第二电压采样模块为第四比较器；
其中，所述第四比较器的第一输入端与所述第二开关模块的第一端连接；
所述第四比较器的第二输入端与第二参考电压输入端连接；
所述第四比较器的输出端与所述第二信号处理模块的电压信号接收端连接。
10.根据权利要求1所述的功率半导体驱动电路，其特征在于，所述功率半导体驱动电路还包括：电源模块、第二电容和第三电容；
其中，所述第二电容的第一端与所述第三电容的第一端连接，且连接节点与所述电源模块的第一端连接；
所述第二电容的第二端与所述电源模块的第二端连接，且连接节点与所述正压端连接；
所述第三电容的第二端与所述电源模块的第三端连接，且连接节点与所述负压端连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011480264.3A CN112234962A (zh) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011480264.3A CN112234962A (zh) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112234962A true CN112234962A (zh) | 2021-01-15 |
Family
ID=74123980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011480264.3A Pending CN112234962A (zh) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112234962A (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109698611A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-30 | 东南大学 | 多级降栅压型SiC-MOSFET驱动电路 |
| CN109716651A (zh) * | 2016-09-20 | 2019-05-03 | 三菱电机株式会社 | 用于控制切换的装置和方法 |
| CN110401331A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-01 | 湖南大学 | 一种电动汽车电机控制器的SiC功率器件主动驱动电路 |
| CN110729880A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-01-24 | 阳光电源股份有限公司 | 电力变换装置的驱动电路及其应用装置 |
| CN110829804A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-02-21 | 无锡市晶源微电子有限公司 | 一种具有输出管保护的驱动电路 |
| CN110830015A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-21 | 清华大学 | 功率半导体元件的驱动保护电路及其控制方法 |
| CN111130532A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-08 | 苏州伟创电气科技股份有限公司 | Igbt门极推挽驱动电路、方法及igbt驱动电路 |
| CN210577767U (zh) * | 2019-08-29 | 2020-05-19 | 东风航盛（武汉）汽车控制系统有限公司 | 一种带过流保护的igbt驱动电路 |
-
2020
- 2020-12-16 CN CN202011480264.3A patent/CN112234962A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109716651A (zh) * | 2016-09-20 | 2019-05-03 | 三菱电机株式会社 | 用于控制切换的装置和方法 |
| CN109698611A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-30 | 东南大学 | 多级降栅压型SiC-MOSFET驱动电路 |
| CN110401331A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-01 | 湖南大学 | 一种电动汽车电机控制器的SiC功率器件主动驱动电路 |
| CN210577767U (zh) * | 2019-08-29 | 2020-05-19 | 东风航盛（武汉）汽车控制系统有限公司 | 一种带过流保护的igbt驱动电路 |
| CN110830015A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-21 | 清华大学 | 功率半导体元件的驱动保护电路及其控制方法 |
| CN110729880A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-01-24 | 阳光电源股份有限公司 | 电力变换装置的驱动电路及其应用装置 |
| CN110829804A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-02-21 | 无锡市晶源微电子有限公司 | 一种具有输出管保护的驱动电路 |
| CN111130532A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-08 | 苏州伟创电气科技股份有限公司 | Igbt门极推挽驱动电路、方法及igbt驱动电路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9590617B2 (en) | Semiconductor device, and inverter, converter and power conversion device employing the same | |
| CN102969915A (zh) | 一种高功率因数恒流控制电路 | |
| CN216564923U (zh) | 一种功率器件驱动电路 | |
| CN110401335A (zh) | 驱动电路、功率模块以及电力变换系统 | |
| US11929669B2 (en) | Totem-pole bridgeless power factor correction device and power supply | |
| CN112187220B (zh) | 一种半导体驱动电路 | |
| CN100461062C (zh) | 电源电路 | |
| CN112234962A (zh) | 一种门极电流动态可控的功率半导体驱动电路 | |
| CN108471236B (zh) | 一种环路稳定的电源系统 | |
| CN116449249A (zh) | 一种碳化硅mosfet管短路检测电路及装置 | |
| CN217546015U (zh) | Pmos管快速开关的驱动电路、驱动电路基板及扫地机器人 | |
| CN203014698U (zh) | 一种高功率因数恒流控制电路 | |
| CN115664194A (zh) | 电磁干扰调制电路、电源管理芯片以及显示装置 | |
| CN114814515A (zh) | SiC MOSFET的短路检测电路及方法 | |
| CN109462336B (zh) | 电压型pwm比较器及dc/dc变换器 | |
| US9755498B2 (en) | Semiconductor device, and inverter, converter and power conversion device employing the same | |
| US11611291B2 (en) | Power system and pulse width modulation method therefor | |
| CN219760870U (zh) | 电源控制电路与家用电器 | |
| CN110896283B (zh) | 同步整流控制电路、隔离式电源变换电路及控制方法 | |
| CN110417257B (zh) | Buck软开关模块、buck电路、一字型和t字型三电平电路 | |
| CN213547477U (zh) | 一种igbt驱动电路 | |
| CN217445246U (zh) | 电压比较器及其电流极限控制电路 | |
| CN220022774U (zh) | Igbt的驱动电路 | |
| CN218569832U (zh) | 一种单向保护电路、车电系统及集成芯片 | |
| JP5892772B2 (ja) | 半導体装置と、それを用いたインバータ、コンバータおよび電力変換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 311100 2 / F, building 1, No. 96, longchuanwu Road, Donghu street, Yuhang District, Hangzhou City, Zhejiang Province Applicant after: HANGZHOU FIRSTACK TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: No. 310011, 1 Gongshu Road, Hangzhou Applicant before: HANGZHOU FIRSTACK TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210115 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |