CN220022774U - Igbt的驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种IGBT的驱动电路，包括控制芯片，所述控制芯片的型号为M57962，所述控制芯片的第4引脚和第6引脚电连接供电电路，所述控制芯片的第13引脚和第14引脚输出驱动信号，所述控制芯片的第8引脚电连接信号指示电路，所述控制芯片的第1引脚和第5引脚电连接保护电路，本实用新型使用M57962芯片具有较强的动态驱动能力，与其配置的电路控制驱动具有足够的输入输出电隔离能力，并且具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿，输入输出信号传输无延时，在出现短路、过流的情况下，能迅速发出过流保护信号，供控制电路进行处理，通过向IGBT提供适当的正向栅压，向IGBT提供足够的反向栅压，可以使IGBT迅速可靠的关断，达到预期的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路领域，具体为一种IGBT的驱动电路。
背景技术
IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。但现有的IGBT的驱动电路基本是如图1所示的电路，整体电路结构比较简单，不能短路过流保护，驱动能力弱。
实用新型内容
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
IGBT的驱动电路，包括控制芯片，所述控制芯片的型号为M57962芯片，所述控制芯片的第4引脚和第6引脚电连接供电电路，所述控制芯片的第13引脚和第14引脚输出驱动信号，所述控制芯片的第8引脚电连接信号指示电路，所述控制芯片的第1引脚和第5引脚电连接保护电路。
进一步，所述供电电路包括与控制芯片第4引脚电连接的正向电压和与控制芯片第6引脚电连接的负向电压，输入的正向电压分别电连接一个电容C4的一端、一个二极管D1的一端、一个电容C5的一端,所述电容C4的另一端电连接负向电压，所述二极管D1的另一端电连接一个电阻R1，所述电容C5的另一端电连接一个电容C6的一端，所述电阻R1、电容C6的另一端分别电连接负向电压。
进一步，所述保护电路包括和与控制芯片第1引脚电连接的二极管D2,所述二极管D2电连接一个二极管D3，二极管D3电连接一个三极管集电极，还包括与控制芯片第5引脚电连接的电阻R2，电阻R2分别电连接一个电阻R3的一端和所述三极管的基极，所述电阻R3的另一端电连接所述三极管的发射极，所述电阻R3的另一端还分别电连接所述二极管D1、电阻R1、电容C5、电容C6，所述电阻R3的另一端还接地。
进一步，所述控制芯片第2引脚电连接一个电容C1的一端,所述电容C1的另一端电连接正向电压端，所述控制芯片的第10引脚电连接一个电容C2的一端，所述控制芯片的第9引脚电连接一个电容C3的一端，所述电容C2、电容C3的另一端电连接负向电压端。
进一步，所述信号指示电路包括与述控制芯片第3引脚电连接的光电耦合器，所述光电耦合器的输出端电连接一个电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端电连接正向电压端。
进一步，所述控制芯片的第14引脚分别电连接一个电容C7的一端和一个电阻R4的一端，所述电容C7和电阻R4的的另一端电连接后输出正向驱动信号，所述控制芯片的第13引脚输出负向驱动信号。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：
本实用新型使用M57962芯片具有较强的动态驱动能力，与其配置的电路控制驱动具有足够的输入输出电隔离能力，并且具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿，输入输出信号传输无延时，在出现短路、过流的情况下，能迅速发出过流保护信号，供控制电路进行处理，通过向IGBT提供适当的正向栅压，向IGBT提供足够的反向栅压，可以使IGBT迅速可靠的关断，达到预期的效果。
附图说明
图1为现有技术中的电路原理图；
图2为本申请的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本申请提供一种IGBT的驱动电路，如图2所示，包括控制芯片，所述控制芯片的型号为M57962芯片，所述控制芯片的第4引脚和第6引脚电连接供电电路，所述控制芯片的第13引脚和第14引脚输出驱动信号，所述控制芯片的第8引脚电连接信号指示电路，所述控制芯片的第1引脚和第5引脚电连接保护电路。所述供电电路包括与控制芯片第4引脚电连接的正向电压和与控制芯片第6引脚电连接的负向电压，输入的正向电压分别电连接一个电容C4的一端、一个二极管D1的一端、一个电容C5的一端,所述电容C4的另一端电连接负向电压，所述二极管D1的另一端电连接一个电阻R1，所述电容C5的另一端电连接一个电容C6的一端，所述电阻R1、电容C6的另一端分别电连接负向电压。所述保护电路包括和与控制芯片第1引脚电连接的二极管D2,所述二极管D2电连接一个二极管D3，二极管D3电连接一个三极管集电极，还包括与控制芯片第5引脚电连接的电阻R2，电阻R2分别电连接一个电阻R3的一端和所述三极管的基极，所述电阻R3的另一端电连接所述三极管的发射极，所述电阻R3的另一端还分别电连接所述二极管D1、电阻R1、电容C5、电容C6，所述电阻R3的另一端还接地。所述控制芯片第2引脚电连接一个电容C1的一端,所述电容C1的另一端电连接正向电压端，所述控制芯片的第10引脚电连接一个电容C2的一端，所述控制芯片的第9引脚电连接一个电容C3的一端，所述电容C2、电容C3的另一端电连接负向电压端。所述信号指示电路包括与述控制芯片第3引脚电连接的光电耦合器，所述光电耦合器的输出端电连接一个电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端电连接正向电压端。所述控制芯片的第14引脚分别电连接一个电容C7的一端和一个电阻R4的一端，所述电容C7和电阻R4的的另一端电连接后输出正向驱动信号，所述控制芯片的第13引脚输出负向驱动信号。
本实用新型使用M57962芯片具有较强的动态驱动能力，与其配置的电路控制驱动具有足够的输入输出电隔离能力，并且具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿，输入输出信号传输无延时，在出现短路、过流的情况下，能迅速发出过流保护信号，供控制电路进行处理，通过向IGBT提供适当的正向栅压，向IGBT提供足够的反向栅压，可以使IGBT迅速可靠的关断，达到预期的效果。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.IGBT的驱动电路，其特征在于，包括控制芯片，所述控制芯片的型号为M57962，所述控制芯片的第4引脚和第6引脚电连接供电电路，所述控制芯片的第13引脚和第14引脚输出驱动信号，所述控制芯片的第8引脚电连接信号指示电路，所述控制芯片的第1引脚和第5引脚电连接保护电路。
2.根据权利要求1所述的IGBT的驱动电路，其特征在于，所述供电电路包括与控制芯片第4引脚电连接的正向电压和与控制芯片第6引脚电连接的负向电压，输入的正向电压分别电连接一个电容C4的一端、一个二极管D1的一端、一个电容C5的一端,所述电容C4的另一端电连接负向电压，所述二极管D1的另一端电连接一个电阻R1，所述电容C5的另一端电连接一个电容C6的一端，所述电阻R1、电容C6的另一端分别电连接负向电压。
3.根据权利要求2所述的IGBT的驱动电路，其特征在于，所述保护电路包括与控制芯片第1引脚电连接的二极管D2,所述二极管D2电连接一个二极管D3，二极管D3电连接一个三极管集电极，还包括与控制芯片第5引脚电连接的电阻R2，电阻R2分别电连接一个电阻R3的一端和所述三极管的基极，所述电阻R3的另一端电连接所述三极管的发射极，所述电阻R3的另一端还分别电连接所述二极管D1、电阻R1、电容C5、电容C6，所述电阻R3的另一端还接地。
4.根据权利要求3所述的IGBT的驱动电路，其特征在于，所述控制芯片第2引脚电连接一个电容C1的一端,所述电容C1的另一端电连接正向电压端，所述控制芯片的第10引脚电连接一个电容C2的一端，所述控制芯片的第9引脚电连接一个电容C3的一端，所述电容C2、电容C3的另一端电连接负向电压端。
5.根据权利要求4所述的IGBT的驱动电路，其特征在于，所述信号指示电路包括与述控制芯片第3引脚电连接的光电耦合器，所述光电耦合器的输出端电连接一个电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端电连接正向电压端。
6.根据权利要求5所述的IGBT的驱动电路，其特征在于，所述控制芯片的第14引脚分别电连接一个电容C7的一端和一个电阻R4的一端，所述电容C7和电阻R4的另一端电连接后输出正向驱动信号，所述控制芯片的第13引脚输出负向驱动信号。
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2023
- 2023-05-05 CN CN202321046520.7U patent/CN220022774U/zh active Active
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