CN110699670A - 一种二氧化钒薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种二氧化钒薄膜的制备方法，采用了原子层沉积薄膜制备技术及真空氧分压后处理退火工艺。采用原子层沉积技术，使两种不同的钒氧化物薄膜制备所需前驱体交替注入原子层沉积反应腔，与基底层表面进行化学吸附及化学反应制备钒氧化物薄膜。在充有氧气的退火炉中进行退火处理，形成价态归一的结晶型五氧化二钒薄膜；将五氧化二钒薄膜置于一定氧分压的真空退火炉中进行退火处理，制备结晶态的二氧化钒薄膜。本发明所采用的原子层沉积薄膜制备方法具有自动化程度高、薄膜厚度精确可控、薄膜均匀性好、重复性好以及薄膜与基底层粘附强度高等特点。本发明的二氧化钒薄膜具有良好的温度‑红外特性，可应用于热致相变器件的研发与应用。
Description
技术领域
本发明涉及一种二氧化钒薄膜的制备方法，属于材料制备技术领域。
背景技术
建筑能耗是指人们在日常工作生活中因采暖、空调、照明、炊事等而消耗的能量。在我国，当前的空调能耗占总建筑能耗的70％左右，占有总能耗(建筑能耗、工业能耗、农业能耗及交通运输能耗)的22％左右。建筑节能已成为世界共同关注的课题，其中提高建筑中的能源利用率是建筑节的能研究重点，其宗旨是在保证建筑舒适性的条件下，合理使用能源，不断提高能源利用效率。门窗作为冷热桥，其保温隔热性能是建筑节能的关注焦点。
智能玻璃是一种可以感知室内温度需求进而对阳光中红外线的透过率进行调节来实现智能控温。二氧化钒(M相)作为一种无机氧化物具有独特的热致色变特性，在68℃附近发生金属-绝缘体相变(MIT)，相变过程伴随着光、电、磁等性质的急剧变化，且其变化为可逆的。二氧化钒独特的相变特性使其可应用于智能玻璃、记忆存储材料、光电开关以及红外探测等。因此，二氧化钒薄膜的制备与研究具有十分重要的科学与现实意义。
钒的氧化物价态从+2价到+5价有多种价态，同时存在很多稳定相，如氧化钒，三氧化二钒，二氧化钒，七氧化四钒以及五氧化二钒等。除五氧化二钒外，其他每种价态的钒氧化物仅在很窄的温度区间范围内可以制备，此外二氧化钒本身存在多种相态，因此高纯度M相的VO2制备较为困难。
目前二氧化钒薄膜的常用制备方法有磁控溅射法、溶胶-凝胶法以及化学气相沉积法等，不同的制备方法所制备的二氧化钒薄膜纯度、表面结构以及光电学性能有着较大的差异。磁控溅射法是在高压下通过钒靶溅射成膜，配合后续退火工艺制备二氧化钒薄膜，其薄膜厚度均匀性及可控性较差。此外，磁控溅射法在曲面及其他复杂表面成膜困难，难以广泛应用。溶胶-凝胶法制备二氧化钒薄膜具有环境不友好、厚度均匀性及精确度难以保证等缺点。此外，溶胶-凝胶法在大面积基底及复杂结构表面成膜困难。化学气相沉积法制备二氧化钒薄膜因反应温度高、对基底损伤大以及薄膜厚度难以精确控制等原因而无法广泛应用。
发明内容
为了解决上述二氧化钒薄膜制备方法存在的不足，本发明提供一种反应温度低、对基底损伤小、大面积三维均匀性好、薄膜厚度精确可控、薄膜组分可精确调控、合成时间短、能耗低、工艺简单、可大面积成膜以及可在复杂结构表面成膜的二氧化钒薄膜制备方法。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案是：
一种二氧化钒薄膜的制备方法，包括以下步骤；
步骤一：原子层沉积制备钒氧化物薄膜
(1)将清洗干净的耐高温基底层置于原子层沉积反应腔内，使惰性载气直接流经基载玻片表面；
(2)启动原子层沉积设备的真空系统对原子层沉积反应腔进行抽真空使其处于负压，启动温度控制系统对原子层沉积系统不同部位进行加热保温使各部位分别处于相应温度范围内，启动流量控制系统向原子层沉积系统注入惰性载气，设定原子层沉积反应过程阀门控制程序，启动前驱体注入系统以备前驱体的注入，启动废气处理系统对反应过程产生的废气进行吸收处理；
(3)启动原子层沉积反应过程阀门控制程序，利用原子层沉积技术在基底层表面沉积钒氧化物薄膜，具体步骤为：a)以鼓泡形式向原子层沉积反应腔注入三异丙氧钒氧前驱体蒸气，注入时长为t1，b)待表面化学反应发生充分后注入惰性载气，将过量的及物理吸附的三异丙氧钒氧前驱体和副产物吹离基底层表面以及整个原子层沉积反应腔，注入时长为t2，c)以非鼓泡形式向原子层沉积反应腔注入去离子水前驱体蒸气，注入时长为t3，d)待表面化学反应发生充分后注入惰性载气，将过量的及物理吸附的去离子水前驱体和副产物吹离基底层表面以及整个原子层沉积反应腔，注入时长为t4；
(4)循环执行步骤三，通过改变循环次数获得不同厚度范围的钒氧化物薄膜，薄膜沉积完毕后关闭原子层沉积系统。
步骤二：在充有氧气的退火炉中对钒氧化物薄膜进行退火处理，制备价态归一的结晶型五氧化二钒薄膜。
步骤三：将五氧化二钒薄膜置于一定氧分压的真空退火炉中进行退火处理，制备结晶型二氧化钒薄膜。
步骤一所述的基底层可以是平面基底层，也可以是非平面基底层。
步骤一所述的基底层需能耐受不低于500℃高温而不发生变形与分解。
步骤一所述的惰性载气为氮气、氩气、氦气的至少一种。
步骤一所述的负压处于0.1-10Torr。
步骤一所述的各部位分别处于一定温度范围为三异丙氧钒氧前驱体及注入通道40-80℃，去离子水前驱体储罐及注入通道温度范围处于15-40℃，原子层沉积系统入口温度范围处于60-100℃，反应腔温度范围处于100-200℃，原子层沉积系统出口温度范围处于80-200℃。
步骤一所述的前驱体注入时长t1，t3范围为1-1000s，惰性载气注入时长t2，t4范围为1-1000s。
步骤一所述的循环次数为1-10000。
步骤二所述的退火处理为在充满氧气的退火炉中以3-10℃/min升温速率升温至280-320℃后保温1.5-3h，随后在氧气保护下炉冷至室温。
步骤三所述的氧分压所用氧气流量为5-10sccm。
步骤三所述的真空度为0.1-10Torr。
步骤三所述的退火处理为在真空退火炉中以3-10℃/min升温速率升温至480-520℃后保温1.5-3h，随后在退火气氛及真空条件保护下炉冷至室温。
本发明与现有技术相比的有益技术效果：
(1)本发明采取的原子层沉积制备技术制备钒氧化物薄膜具有反应过程温度低，对基底层损伤小，薄膜厚度精确可控，薄膜均匀性好，自动化程度高，可实现大面积成膜。
(2)本发明采取在氧气保护下300℃退火结晶处理制备五氧化二钒薄膜，退火温度低，所制备的五氧化二钒薄膜相态单一性好。
(3)本发明采取的真空氧分压退火制备二氧化钒薄膜，薄膜表面粗糙度低，薄膜整体性好，温度-光学特性突出。
附图说明
图1为载玻片与原子层沉积钒氧化物薄膜样品实物图。
图2为原子层沉积钒氧化物薄膜样品的X射线衍射图谱(XRD)。
图3为原子层沉积钒氧化物薄膜样品的X射线能谱图谱(XPS)。
图4为五氧化二钒薄膜样品的XRD图谱。
图5为五氧化二钒薄膜样品的XPS图谱。
图6为五氧化二钒薄膜样品的拉曼光谱(Raman)。
图7为二氧化钒薄膜样品的XRD图谱。
图8为五氧化钒薄膜与二氧化钒薄膜样品实物图。
图9为载玻片基底，钒氧化物薄膜，五氧化二钒薄膜以及二氧化钒薄膜的扫描电子显微镜图谱(SEM)。
图10为载玻片基底，钒氧化物薄膜，五氧化二钒薄膜以及二氧化钒薄膜的原子力显微镜图谱(AFM)。
图11为二氧化钒薄膜的温度-红外光学透过率曲线。
具体实施方式
下面通过实施例和附图对本发明进行具体描述。有必要指出的是以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，该领域的研究人员可以根据上述本发明内容对本发明做出一些非本质的改进和调整。
实施例1
本实施例给出一种二氧化钒薄膜的制备方法，该方法具体包括以下步骤：
步骤一：原子层沉积制备钒氧化物薄膜
(1)将清洗干净的载玻片置于原子层沉积反应腔内。
(2)启动原子层沉积设备的真空系统对原子层沉积反应腔进行抽真空使其处于1Torr；启动温度控制系统对原子层沉积系统不同部位进行加热，使得三异丙氧钒氧前驱体及注入通道温度处于50℃，去离子水前驱体储罐及注入通道温度处于25℃，原子层沉积系统入口温度处于80℃，反应腔温度处于150℃，原子层沉积系统出口温度处于120℃；启动流量控制系统向原子层沉积系统注入总流量为150sccm的N2载气。
(3)设定原子层沉积反应过程阀门控制程序，设定时序为5s-20s-5s-20s(t1-t2-t3-t4)，启动原子层沉积尾气处理装置，启动原子层沉积反应过程阀门控制程序，利用原子层沉积技术在载玻片表面沉积钒氧化物薄膜。
(4)循环执行步骤三1000次，薄膜沉积完毕后关闭原子层沉积设备各模块系统。图1所示为载玻片与原子层沉积钒氧化物薄膜后的样品实物图。利用X射线衍射(XRD)，X光电子能谱(XPS)对钒氧化物薄膜进行表征，结果分别如图2，图3所示。XRD结果表明在150℃下所制备的钒氧化物薄膜非晶态，没有明显的衍射峰。XPS结果表明所制备的钒氧化物薄膜并非为纯五氧化二钒薄，而是含有多种价态。
步骤二：将沉积完毕的钒氧化物薄膜样品置于充满氧气的退火炉中进行退火处理，以5℃/min升温速率升温至300℃后保温2h，随后在氧气气氛保护下炉冷至室温，将原子层沉积制备所得的钒氧化物薄膜退火氧化为晶相单一的五氧化二钒薄膜。利用XRD、XPS、拉曼光谱(Raman)对其进行表征，结果分别如图4，图5，图6所示。结果表明退火处理后薄膜价态统一为+5价，即五氧化二钒，且薄膜结晶态良好。
步骤三：将单一晶相的五氧化二钒薄膜样品置于持续注入5sccm氧气，真空度为1Torr真空退火炉中进行真空退火处理，以5℃/min升温速率升温至500℃后保温2h，随后在退火气氛及真空条件下保护下炉冷至室温得到二氧化钒薄膜。图7所示为二氧化钒薄膜的XRD图谱，结果表明所致的二氧化钒薄膜结晶态良好，纯度较高。
图8所示为五氧化钒薄膜与二氧化钒薄膜样品实物图。比较图1与图8表明，五氧化二钒薄膜为砖红色，二氧化钒薄膜为蓝色。
图9所示为载玻片基底，钒氧化物薄膜，五氧化二钒薄膜以及二氧化钒薄膜的扫描电子显微镜图谱(SEM)，结果表明钒氧化物薄膜为非晶态薄膜，退火后形成的五氧化二钒及二氧化钒为结晶态薄膜，薄膜表面无明显断口及裂纹存在。
图10所示为载玻片基底，钒氧化物薄膜，五氧化二钒薄膜以及二氧化钒薄膜的原子力显微镜图谱(AFM)，结果表明原子层沉积所制备的钒氧化物薄膜及退火处理后形成二氧化钒薄膜表面粗糙度均较小，薄膜表面质量高。
图11所示为二氧化钒薄膜的温度-红外光学透过率曲线，结果表明所制备的二氧化钒薄膜在60-70℃之间存在可逆相变，相变前后红外透过率图变量明显。
Claims (10)
1.一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：原子层沉积制备钒氧化物薄膜
(1)将清洗干净的耐高温基底层置于原子层沉积反应腔内，使惰性载气直接流经耐高温基底层表面；
(2)启动原子层沉积设备的真空系统对原子层沉积反应腔进行抽真空使其处于负压，启动温度控制系统对原子层沉积系统不同部位进行加热保温，使各部位分别处于相应温度范围内，启动流量控制系统向原子层沉积系统注入惰性载气，设定原子层沉积反应过程阀门控制时序t1-t2-t3-t4，启动前驱体注入系统以备前驱体的注入，启动废气处理系统对反应过程产生的废气进行吸收处理；
(3)启动原子层沉积反应过程阀门控制程序，利用原子层沉积方法在耐高温基底层表面沉积钒氧化物薄膜，具体步骤为：
a)以鼓泡形式向原子层沉积反应腔注入三异丙氧钒氧前驱体蒸气，注入时长为t1；
b)待表面化学反应发生充分后注入惰性载气，将过量的及物理吸附的三异丙氧钒氧前驱体和副产物吹离耐高温基底层表面以及整个原子层沉积反应腔，注入时长为t2；
c)以非鼓泡形式向原子层沉积反应腔注入去离子水前驱体蒸气，注入时长为t3；
d)待表面化学反应发生充分后注入惰性载气，将过量的及物理吸附的去离子水前驱体和副产物吹离耐高温基底层表面以及整个原子层沉积反应腔，注入时长为t4；
(4)循环执行步骤三，通过改变循环次数获得不同厚度范围的钒氧化物薄膜，薄膜沉积完毕后关闭原子层沉积系统；
步骤二：在充有氧气的退火炉中对钒氧化物薄膜进行退火处理，制备价态统一的结晶型五氧化二钒薄膜；
步骤三：将五氧化二钒薄膜置于氧分压的真空退火炉中进行退火处理，从而制得结晶型二氧化钒薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一所述的耐高温基底层为耐受不低于500℃的平面基底层或非平面基底层。
3.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一所述的惰性载气为氮气、氩气、氦气中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一所述的负压处于0.1-10Torr。
5.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一所述的各部位分别处于相应温度范围为三异丙氧钒氧前驱体及注入通道40-80℃，去离子水前驱体储罐及注入通道温度范围处于15-40℃，原子层沉积系统入口温度范围处于60-100℃，反应腔温度范围处于100-200℃，原子层沉积系统出口温度范围处于80-200℃。
6.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一所述的前驱体注入时长t1，t3为1-1000s，惰性载气注入时长t2，t4为1-1000s。
7.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一所述的循环次数为1-10000。
8.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤二所述的退火处理为在充满氧气的退火炉中以3-10℃/min升温速率升温至280-320℃后保温1.5-3h，随后在氧气保护下炉冷至室温。
9.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤三所述的氧分压所用氧气流量为5-10sccm，真空度为0.1-10Torr。
10.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤三所述的退火处理为在真空退火炉中以3-10℃/min升温速率升温至480-520℃后保温1.5-3h，随后在退火气氛及真空条件保护下炉冷至室温。
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|---|---|
| CN (1) | CN110699670B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112938893A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-06-11 | 南方科技大学 | 一种二氧化钒单晶驱动器及其制备方法与应用 |
| CN112941493A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-11 | 西安近代化学研究所 | 一种脉冲式均匀薄膜快速气相沉积的装置与方法 |
| CN112981530A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-06-18 | 南方科技大学 | 一种二氧化钒单晶微纳米线及其制备方法与应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103693691A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-02 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种双温区还原法制备二氧化钒的方法 |
| CN104961354A (zh) * | 2015-06-10 | 2015-10-07 | 武汉理工大学 | 一种高可见光透过率二氧化钒基薄膜的制备方法 |
-
2019
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103693691A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-02 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种双温区还原法制备二氧化钒的方法 |
| CN104961354A (zh) * | 2015-06-10 | 2015-10-07 | 武汉理工大学 | 一种高可见光透过率二氧化钒基薄膜的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| DONG-QING LIU ETAL: "Thermochromic VO2 thin film prepared by post annealing treatment of V2O5 thin film", 《ADVANCED MATERIALS RESEARCH VOLS》 * |
| GWANG YEOM SONG ETAL: "Facile Phase Control of Multivalent Vanadium Oxide Thin Films (V2O5 and VO2) by Atomic Layer Deposition and Postdeposition Annealing", 《ACS APPL. MATER. INTERFACES》 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112941493A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-11 | 西安近代化学研究所 | 一种脉冲式均匀薄膜快速气相沉积的装置与方法 |
| CN112941493B (zh) * | 2021-01-29 | 2023-08-11 | 西安近代化学研究所 | 一种脉冲式均匀薄膜快速气相沉积的装置与方法 |
| CN112938893A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-06-11 | 南方科技大学 | 一种二氧化钒单晶驱动器及其制备方法与应用 |
| CN112981530A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-06-18 | 南方科技大学 | 一种二氧化钒单晶微纳米线及其制备方法与应用 |
| CN112981530B (zh) * | 2021-02-09 | 2022-04-05 | 南方科技大学 | 一种二氧化钒单晶微纳米线及其制备方法与应用 |
| CN112938893B (zh) * | 2021-02-09 | 2023-10-17 | 南方科技大学 | 一种二氧化钒单晶驱动器及其制备方法与应用 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Li Jianguo Inventor after: Feng Hao Inventor after: Hui Longfei Inventor after: Qin Lijun Inventor after: Gong Ting Inventor after: Zhang Wangle Inventor before: Li Jianguo Inventor before: Feng Hao Inventor before: Qin Lijun Inventor before: Gong Ting Inventor before: Zhang Wangle Inventor before: Hui Longfei |
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| CB03 | Change of inventor or designer information |