CN110689995A - 银纳米线导电薄膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供基板；在所述基板上涂布银纳米线墨水，然后进行第一干燥处理，得到初始银纳米线薄膜；在所述初始银纳米线薄膜表面涂布聚酰亚胺溶液，然后进行第二干燥处理，形成覆盖所述初始银纳米线薄膜的聚酰亚胺层，得到银纳米线导电薄膜。本发明通过涂布可溶的线性高分子聚酰亚胺层代替现有不可溶的体型高分子材料保护层，既可以很好地保护银纳米线，又可以使银纳米线与银浆搭接，保证银纳米线导电薄膜的导电性和可靠性。

Description

银纳米线导电薄膜及其制备方法

技术领域

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜及其制备方法。

背景技术

银纳米线(Silver Nanowires，AgNWs)一般是指长度在微米尺度、直径在纳米尺度的一维银金属材料。银纳米线制成的透明导电薄膜具有透明性好、方阻低、可弯折等优点，可以应用于大尺寸触控和柔性触控等领域。银纳米线的比表面积大，容易与空气中的水汽、氧气和硫化物发生反应，生成Ag₂O和Ag₂S等不具有导电性的金属化合物，使银纳米线透明导电薄膜丧失导电性。目前，行业的通常做法是在干燥好的银纳米线层上涂布一层有机高分子涂料作为保护层(OC，Over Coating)。

银纳米线透明导电薄膜在下游用于制备器件时，为了更好地给薄膜传递电信号和将薄膜的电信号传导出来，通常需要在银纳米线透明导电薄膜的导电表面上印刷导电银浆。但上述有机高分子保护层影响了银纳米线与导电银浆搭接，使得接触电阻很大，甚至不导通。如果将保护层的厚度减薄(<100nm)，使得银纳米线的大部分区域暴露出来，导通问题可以得到解决，但暴露的银纳米线很快会在氧气、水汽、电场等综合作用下丧失导电性。银纳米线透明导电薄膜的导电性和可靠性的矛盾已经成为困扰这个行业的难题。

因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种银纳米线导电薄膜及其制备方法，旨在解决现有银纳米线导电薄膜的有机高分子保护层无法兼顾与银浆搭接的导电性和隔水氧的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种银纳米线导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上涂布银纳米线墨水，然后进行第一干燥处理，得到初始银纳米线薄膜；

在所述初始银纳米线薄膜表面涂布聚酰亚胺溶液，然后进行第二干燥处理，形成覆盖所述初始银纳米线薄膜的聚酰亚胺层，得到银纳米线导电薄膜。

本发明提供的银纳米线导电薄膜的制备方法，将银纳米线墨水在基板上制成初始银纳米线薄膜后，在该初始银纳米线薄膜表面涂布聚酰亚胺溶液形成覆盖所述初始银纳米线薄膜的聚酰亚胺层；聚酰亚胺具有优异的热学性能、力学性能和电学性能，可溶的聚酰亚胺溶液具有粘度可控、成膜性好、工艺灵活的特性，将其涂布在银纳米线表面，作为覆盖银纳米线薄膜的保护层，会让银纳米线在聚酰亚胺层内更紧密更牢靠搭接，能对银纳米线起到很好的保护效果，后续印刷导电银浆时，导电银浆的溶剂可以溶解聚酰亚胺，因此该聚酰亚胺层也不会影响银纳米线与导电银浆的搭接；而且该聚酰亚胺的线性热膨胀系数约为40ppm/K，导电银浆约30ppm/K，两者更为接近，搭接处的应力较小，比现有保护层的可靠性更高。因此，本发明通过涂布可溶的线性高分子聚酰亚胺层代替现有不可溶的体型高分子材料保护层，既可以很好地保护银纳米线，又可以使银纳米线与银浆搭接，保证银纳米线导电薄膜的导电性和可靠性。

本发明另一方面提供一种银纳米线导电薄膜，包括设置在基板上的银纳米线层和聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层含有可溶的聚酰亚胺，所述聚酰亚胺层将所述银纳米线层覆盖，且所述银纳米线层中的银纳米线位于所述聚酰亚胺层内。

本发明提供的银纳米线导电薄膜，其保护层为所述聚酰亚胺层，该聚酰亚胺层将所述银纳米线层覆盖，且所述银纳米线层中的银纳米线位于所述聚酰亚胺层内。这样，通过可溶的线性高分子聚酰亚胺层代替现有不可溶的体型高分子材料保护层，既可以很好地保护银纳米线，又可以使银纳米线与银浆搭接，保证银纳米线导电薄膜的导电性和可靠性。

附图说明

图1为本发明实施例的银纳米线导电薄膜的制备方法流程示意图；

图2为本发明实施例的银纳米线导电薄膜的结构示意图；

图3为本发明对比例的银纳米线导电薄膜的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

一方面，本发明实施例提供了一种银纳米线导电薄膜的制备方法，如图1所示，该制备方法包括如下步骤：

S01：提供基板；

S02：在所述基板上涂布银纳米线墨水，然后进行第一干燥处理，得到初始银纳米线薄膜；

S03：在所述初始银纳米线薄膜表面涂布聚酰亚胺溶液，然后进行第二干燥处理，形成覆盖所述初始银纳米线薄膜的聚酰亚胺层，得到银纳米线导电薄膜。

本发明实施例提供的银纳米线导电薄膜的制备方法，将银纳米线墨水在基板上制成初始银纳米线薄膜后，在该初始银纳米线薄膜表面涂布聚酰亚胺溶液形成覆盖所述初始银纳米线薄膜的聚酰亚胺层；聚酰亚胺具有优异的热学性能、力学性能和电学性能，可溶的聚酰亚胺溶液具有粘度可控、成膜性好、工艺灵活的特性，将其涂布在银纳米线表面，作为覆盖银纳米线薄膜的保护层，会让银纳米线在聚酰亚胺层内更紧密更牢靠搭接，能对银纳米线起到很好的保护效果，后续印刷导电银浆时，导电银浆的溶剂可以溶解聚酰亚胺，因此该聚酰亚胺层也不会影响银纳米线与导电银浆的搭接；而且该聚酰亚胺的线性热膨胀系数约为40ppm/K，导电银浆约30ppm/K，两者更为接近(现有保护层的UV固化型涂层约为85ppm/K)，搭接处的应力较小，比现有保护层的可靠性更高。因此，本发明实施例通过涂布可溶的线性高分子聚酰亚胺层代替现有不可溶的体型高分子材料保护层，既可以很好地保护银纳米线，又可以使银纳米线与银浆搭接，保证银纳米线导电薄膜的导电性和可靠性。

需要说明的是，本发明实施例使用的聚酰亚胺是无色透明且可溶于有机溶剂的聚酰亚胺，从而在本申请中可以配制成聚酰亚胺溶液。如果是不溶于有机溶剂的聚酰亚胺(一般是褐色或琥珀色)，其聚酰亚胺薄膜由于分子结构中易形成电荷转移络合物(CTC)，因此造成其颜色较深，制约了在光学领域的应用，因此这样的不溶性聚酰亚胺不合适配制成本申请中的聚酰亚胺溶液，因而也不在本发明的保护范围内。

市售的激光导电银浆的溶剂一般是异佛尔酮、丁二酸二甲酯、戊二酸二甲酯、已二酸二甲酯等混合物，均能溶解本发明实施例中可溶的聚酰亚胺。因此，将聚酰亚胺溶液涂覆在银纳米线表面，形成覆盖并包覆银纳米线的聚酰亚胺层，不仅能对银纳米线起到优良的保护效果，而且即使聚酰亚胺层较厚时，也不会影响银纳米线与导电银浆的搭接，反而会让搭接变得更紧密更牢靠。

本发明实施例制得的银纳米线导电薄膜为透明导电薄膜。上述步骤S01中，涂布用的基板为柔性基板，具体地，所述基板为PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯，PolyethyleneTerephthalate)膜、TAC(三醋酸纤维素，Triacetyl Cellulose)膜、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯，Polyethylene Naphthalate)膜、PDMS(聚二甲基硅氧烷，Polydimethylsiloxane)膜、CPI(无色透明聚酰亚胺，Colorless Polyimide)膜、COP(环烯烃共聚物，Cyclo-Olefinpolymer)膜和玻璃膜中的任意一种。

上述步骤S02中，涂布用的银纳米线墨水中银纳米线可以通过醇热法、水热法和多元醇还原法等方法合成。在上述银纳米线墨水中，所述银纳米线的直径为15-95nm，长径比为500-2500，银纳米线的浓度为0.01％-0.2％。该银纳米线墨水中除了银纳米线外，还可以含有增稠剂、湿润分散剂等助剂，其中，增稠剂可以为羟丙基甲基纤维素，质量分数为0.01-0.8％。润湿分散剂可以为高分子型超分散剂，为DISPERBYK-180、DISPERBYK-184、DISPERBYK-190、DISPERBYK-191、DISPERBYK-192、DISPERBYK-194、DISPERBYK-2010、DISPERBYK-2015至少一种，质量分数为0.01-0.8％。最后，所述银纳米线墨水中余量为水和醇类溶剂的混合物，醇质量/水质量为(0.001-1)：1。醇类溶剂可以是乙醇、异丙醇至少一种。将所述银纳米线墨水涂布在基板上的涂布方法选自狭缝涂布、微凹涂布、刮涂和滚筒涂布中的任意一种。

在一实施例中，将银纳米线墨水涂布在基板上，进行第一干燥处理的温度为50-150℃；第一干燥处理的时间为2min-2h；具体步骤可以包括：在清洁的柔性透明基板上涂布银纳米线墨水，然后放入50-150℃的烘箱内烘干2min-2h。

在上述步骤S03中，对于涂布用的聚酰亚胺溶液，以所述聚酰亚胺溶液的总质量为100％计，所述聚酰亚胺溶液包括：聚酰亚胺0.5-10％，表面流平剂0.01-1％，表面润湿剂0.01-1％，余量为有机溶剂。上述聚酰亚胺溶液可以形成很好的涂料，用于涂布在银纳米线薄膜表面。具体地，聚酰亚胺溶液的粘度为1～50cps。

在一实施例中，所述聚酰亚胺的结构通式如下所示：

其中，n为聚合度，R₁为二酐残基，R₂为二胺残基；

具体地，所述聚酰亚胺中的R₁选自

和

中的至少一种；对应的二酐单体分别为：二苯醚四酸二酐、二苯砜、4,4’-(2,2-六氟异丙叉)二邻苯二甲酸酐、双环[4,3,0]壬烷-3,4,7,9-四酸二酐、双环[3,3,0]辛烷-2,4,6,7-四酸二酐、环丁烷-1,2,3,4-四酸二酐、3-羧甲基-1,2,4-环戊烷三甲酸1,4:2,3-双酐。

所述聚酰亚胺中的R₂选自

和

中的至少一种；对应的二胺单体分别为：4,4’-二氨基二苯甲烷、4,4’-二氨基二苯醚、3,4’二氨基二苯醚、4,4’-双(4-氨基苯基)硫醚、4,4’-二氨基二苯砜、1,4-双(4-氨基酚氧基)苯、1,3-双(3-氨基酚氧基)苯、4,4’-双(3-氨基酚氧基)联苯、2,2-双(4-氨基酚氧基苯基)丙烷、双[4-(3-氨基酚氧基)苯基]砜、2,2-双[4-(4-氨基酚氧基)苯基]六氟丙烷。

上述含R₁和R₂的结构通式，引入或含氟基团、或酯环主链结构、或不对称结构，抑制CTC的形成，使聚酰亚胺为无色透明，同时其分子间的作用力减弱，可以溶解于有机溶剂中。在一实施例中，聚酰亚胺树脂的R₁为3-羧甲基-1,2,4-环戊烷三甲酸1,4:2,3-双酐，R₂为4,4’-双(4-氨基苯基)硫醚时，效果较好：上述R₁的环戊烷结构和R₂的硫醚键破环了聚酰亚胺本身的电荷转移络合物(CTC)，使聚酰亚胺变无色透明，并且能溶解于有机溶剂。此外，硫醚键能与银纳米线表面络合，也能捕捉Ag⁺，使得银纳米线透明导电薄膜具有更好的耐候性能和抗离子迁移性能。

在上述聚酰亚胺溶液中，所述表面流平剂选自Glide-100、Glide-432、Glide-435、Glide-440、Flow-300、Flow-425、BYK-333、BYK-361、BYK-371和BYK-373中的至少一种；所述表面润湿剂选自DISPERBYK-111、DISPERBYK-168、DISPERBYK-180、Dispers-652和Dispers-710中的至少一种；所述有机溶剂选自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、异佛尔酮、二丙酮醇、四氢呋喃、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、戊酸丁酯、丁二酸二甲酯、戊二酸二甲酯和已二酸二甲酯的至少一种。

在一实施例中，所述聚酰亚胺的重均分子量为50000-500000；当聚酰亚胺的重均分子量<50000，其脆性大成膜性差，不能形成连续完整的保护层，导电薄膜的可靠性较差。当聚酰亚胺的重均分子量>500000，其粘度过大，比较难以合成。优选地，聚酰亚胺的重均分子量为10000-300000。

涂布完聚酰亚胺溶液后，进行第二干燥，形成完整的银纳米线导电薄膜。其中，所述第二干燥处理的温度为80-150℃；所述第二干燥处理的时间为2min-2h。

另一方面，本发明实施例还提供了一种银纳米线导电薄膜，如图2所示，包括设置在基板上的银纳米线层和聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层含有可溶的聚酰亚胺，所述聚酰亚胺层将所述银纳米线层覆盖，且所述银纳米线层中的银纳米线位于所述聚酰亚胺层内。

本发明实施例提供的银纳米线导电薄膜，其保护层为所述聚酰亚胺层，该聚酰亚胺层将所述银纳米线层覆盖，且所述银纳米线层中的银纳米线位于所述聚酰亚胺层内。这样，本发明实施例的银纳米线导电薄膜中通过可溶的线性高分子聚酰亚胺层代替现有银纳米线导电薄膜中不可溶的体型高分子材料保护层(如图3所示)，既可以很好地保护银纳米线，又可以使银纳米线与银浆搭接，保证银纳米线导电薄膜的导电性和可靠性。

在一实施例中，所述聚酰亚胺层的厚度为200-600nm；该厚度范围内，既可以很好地阻隔水氧，保护银纳米线，又可以让银纳米线与后续印刷的导电银浆很好地搭接。

在一实施例中，所述基板选自PET膜、TAC薄膜、PEN薄膜、CPI膜、COP膜、PDMS膜和玻璃膜中的任意一种。

在一实施例中，用于形成聚酰亚胺层的聚酰亚胺溶液配方上文已经详细阐述，所述聚酰亚胺溶液包括：聚酰亚胺0.5-10％，表面流平剂0.01-1％，表面润湿剂0.01-1％，余量为有机溶剂。最终形成的所述聚酰亚胺层包括聚酰亚胺、表面流平剂和表面湿润剂；其中，所述聚酰亚胺、表面流平剂和表面湿润剂的质量比为(0.5-10)：(0.01-1)：(0.01-1)。

表面流平剂可以改善保护层的成膜性，降低保护层的表面粗糙度，进而降低导电薄膜的雾度。表面润湿剂可以改善保护层与基材的接触界面，有利于提高导电薄膜的可靠性和降低雾度；因此，上述质量比范围内形成的保护层的效果更佳。

本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。

实施例1

一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

可溶型聚酰亚胺溶液配制：聚酰亚胺树脂质量分数为1％、表面流平剂Glide-432质量分数为0.02％、表面润湿剂DISPERBYK-168质量分数为0.03％、余量为乙酸正丁酯和丁二酸二甲酯混合物(质量比为1:1)。聚酰亚胺树脂由二苯醚四酸二酐和2,2-双[4-(4-氨基酚氧基)苯基]六氟丙烷聚合而成。

在柔性透明基板上涂布银纳米线墨水，置于100℃烘箱中干燥20min，烘干成膜，在其表面涂布上述聚酰亚胺溶液涂料，置于120℃烘箱中干燥2min，烘干成膜，即可得到银纳米线透明导电薄膜。

实施例2

一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

可溶型聚酰亚胺溶液配制：聚酰亚胺树脂质量分数为2％、表面流平剂Glide-432质量分数为0.02％、表面润湿剂Dispers-652质量分数为0.05％、余量为丙酮、甲基异丁基酮、异佛尔酮的混合物(质量比为3:5:2)。聚酰亚胺树脂由4,4’-(2,2-六氟异丙叉)二邻苯二甲酸酐和双[4-(3-氨基酚氧基)苯基]砜聚合而成。

在柔性透明基板上涂布银纳米线墨水，置于50℃烘箱中干燥2h，烘干成膜，在其表面涂布聚酰亚胺溶液涂料，置于80℃烘箱中干燥2h，烘干成膜，即可得到银纳米线透明导电薄膜。

实施例3

一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

可溶型聚酰亚胺溶液配制：聚酰亚胺树脂质量分数为5％、表面流平剂BYK-333质量分数为1％、表面润湿剂Dispers-652质量分数为0.3％、余量为乙酸正丁酯和丁二酸二甲酯混合物(质量比为1:1)。聚酰亚胺树脂由环丁烷-1,2,3,4-四酸二酐和4,4’-二氨基二苯砜、1,4-双(4-氨基酚氧基)苯聚合而成。

在柔性透明基板上涂布银纳米线墨水，置于80℃烘箱中干燥40min，烘干成膜，在其表面涂布聚酰亚胺涂料，置于100℃烘箱中干燥40min，烘干成膜，即可得到银纳米线透明导电薄膜。

实施例4

一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

可溶型聚酰亚胺溶液配制：聚酰亚胺树脂质量分数为10％、表面流平剂BYK-333质量分数为0.5％、表面润湿剂DISPERBYK-168质量分数为1％、余量为丙酮、甲基异丁基酮、异佛尔酮的混合物(质量比为3:5:2)。聚酰亚胺树脂由3-羧甲基-1,2,4-环戊烷三甲酸1,4:2,3-双酐和4,4’-双(4-氨基苯基)硫醚聚合而成。

在柔性透明基板上涂布银纳米线墨水，置于150℃烘箱中干燥2min，烘干成膜，在其表面涂布聚酰亚胺涂料，置于150℃烘箱中干燥10min，烘干成膜，即可得到银纳米线透明导电薄膜。

对比例1

一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

UV固化型涂料溶液配制：有机高分子脂肪族聚氨酯丙烯酸酯齐聚物CN9110 NS质量分数为1％、活性稀释剂HDDA质量分数为0.3％、UV引发剂184质量分数为0.05％、表面流平剂BYK-333质量分数为0.1％、表面润湿剂DISPERBYK-168质量分数为0.1％，余量为异丙醇。

在柔性透明基板上涂布银纳米线墨水，置于150℃烘箱中干燥2min，烘干成膜，在其表面涂布UV固化型涂料溶液，置于150℃烘箱中干燥10min，UV曝光固化成膜，即可得到银纳米线透明导电薄膜。

对比例2

一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

UV固化型溶液涂料配制：脂肪族聚氨酯丙烯酸酯齐聚物CN9110 NS质量分数为1％、活性稀释剂HDDA质量分数为0.3％、UV引发剂184质量分数为0.05％、表面流平剂BYK-333质量分数为0.1％、表面润湿剂DISPERBYK-168质量分数为0.1％，余量为异丙醇。

在柔性透明基板上涂布银纳米线墨水，置于150℃烘箱中干燥2min，烘干成膜，在其表面涂布UV固化型涂料溶液，置于150℃烘箱中干燥10min，UV曝光固化成膜，即可得到银纳米线透明导电薄膜。

对比例3

一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

热固化型涂料溶液配制：改性羟基丙烯酸树脂73421-ST-50质量分数为1％、异氰酸酯固化剂Z4470质量分数为0.19％、表面流平剂BYK-333质量分数为0.1％、表面润湿剂DISPERBYK-168质量分数为0.1％，余量为乙酸正丁酯。

在柔性透明基板上涂布银纳米线墨水，置于150℃烘箱中干燥2min，烘干成膜，在其表面涂布热固化型涂料溶液，置于150℃烘箱中干燥固化10min，即可得到银纳米线透明导电薄膜。

对比例4

一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

热固化型涂料溶液配制：改性羟基丙烯酸树脂73421-ST-50质量分数为1％、异氰酸酯固化剂Z4470质量分数为0.19％、表面流平剂BYK-333质量分数为0.1％、表面润湿剂DISPERBYK-168质量分数为0.1％，余量为乙酸正丁酯。

在柔性透明基板上涂布银纳米线墨水，置于150℃烘箱中干燥2min，烘干成膜，在其表面涂布热固化型涂料，置于150℃烘箱中干燥固化10min，即可得到银纳米线透明导电薄膜。

上述实施例和对比例使用的基材均为PET。银纳米线墨水中，银纳米线的质量分数为0.01％，羟丙基甲基纤维素质量分数为0.2％，DISPERBYK-180质量分数为0.01％，余量是异丙醇和水的混合物(质量比为3：7)。

性能测试

(1)OC厚度：美国VEECO公司生产的DEKTAK 150台阶仪测试。

(2)方阻：用手持式四指探针(型号为M3，苏州晶格电子有限公司)测试，随机测试30个点，取平均值。

(3)高温高湿电阻变化率：用制备好的银纳米线透明导电薄膜，配以苏州贝特利高分子材料股份有限公司生产的SF-2772X激光导电银浆，经过印刷银浆、打激光、贴合、接FPC等工艺制得测试器件。器件有多条独立通道，可测试得每一条通道的电阻值，进而求得老化处理后的通道电阻变化率，即(R_t-R₀)/R₀，R₀为初始通道电阻，R_t为处理后的通道电阻。各条通道电阻变化率的平均值记为器件电阻变化率，当器件中超过50％的通道Rt>2MΩ，则判定该器件为NG。处理条件为温度85℃，相对湿度85％。

(4)冷热冲击电阻变化率：制件和判定方法和(3)一样。处理条件为﹣40℃至80℃循环，升温或降温的速率为±4℃/min，高温和低温各保持30min，每一个循环花费2h。

最终数据如下表1所示。

表1

从表1中的数据可知：

A)实施例1、2、3、4(银纳米线透明导电薄膜结构如图2所示)和对比例2、4的OC(over coat，即保护层)较厚，已经完全覆盖住银纳米线层，所以用接触式方阻仪不能探到方阻。对比例1、3的(银纳米线透明导电薄膜如图3所示)OC较薄，可以正常测到方阻。

B)实施例1、2、3、4的OC层能被银浆溶剂溶解，银粉可渗透OC到达银纳米线层，形成良好导通；而对比例2、4的不能被银浆溶剂溶解。因本发明实施例1-4的OC层把银纳米线全覆盖，其耐高温高湿的性能比对比例1、3(银线暴露)的要好，而且本发明实施例1-4的OC层的CTE与银浆接近，其在银浆固化和冷热冲击测试时，不会因为温度变化而产生的形变应力而局部脱落。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上涂布银纳米线墨水，然后进行第一干燥处理，得到初始银纳米线薄膜；

在所述初始银纳米线薄膜表面涂布聚酰亚胺溶液，然后进行第二干燥处理，形成覆盖所述初始银纳米线薄膜的聚酰亚胺层，得到银纳米线导电薄膜。

2.如权利要求1所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，以所述聚酰亚胺溶液的总质量为100％计，所述聚酰亚胺溶液包括：聚酰亚胺0.5-10％，表面流平剂0.01-1％，表面润湿剂0.01-1％，余量为有机溶剂。

3.如权利要求2所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚酰亚胺的结构通式如下所示：

其中，n为聚合度，R₁为二酐残基，R₂为二胺残基；和/或，

所述表面流平剂选自Glide-100、Glide-432、Glide-435、Glide-440、Flow-300、Flow-425、BYK-333、BYK-361、BYK-371和BYK-373中的至少一种；和/或，

所述表面润湿剂选自DISPERBYK-111、DISPERBYK-168、DISPERBYK-180、Dispers-652和Dispers-710中的至少一种；和/或，

所述有机溶剂选自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、异佛尔酮、二丙酮醇、四氢呋喃、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、戊酸丁酯、丁二酸二甲酯、戊二酸二甲酯和已二酸二甲酯的至少一种。

4.如权利要求3所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚酰亚胺中的R₁选自

中的至少一种；和/或，

所述聚酰亚胺中的R₂选自

中的至少一种；和/或，

所述聚酰亚胺的重均分子量为50000-500000。

5.如权利要求1-4任一项所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一干燥处理的温度为50-150℃；和/或，

所述第一干燥处理的时间为2min-2h；和/或，

所述第二干燥处理的温度为80-150℃；和/或，

所述第二干燥处理的时间为2min-2h。

6.一种银纳米线导电薄膜，其特征在于，包括设置在基板上的银纳米线层和聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层含有可溶的聚酰亚胺，所述聚酰亚胺层将所述银纳米线层覆盖，且所述银纳米线层中的银纳米线位于所述聚酰亚胺层内。

7.如权利要求6所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺的结构通式如下所示：

其中，n为聚合度，R₁为二酐残基，R₂为二胺残基。

8.如权利要求7所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺中的R₁选自

中的至少一种；和/或，

所述聚酰亚胺中的R₂选自

中的至少一种；和/或，

所述聚酰亚胺的重均分子量为50000-500000。

9.如权利要求6所述银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺层包括聚酰亚胺、表面流平剂和表面湿润剂；其中，所述聚酰亚胺、表面流平剂和表面湿润剂的质量比为(0.5-10)：(0.01-1)：(0.01-1)。

10.如权利要求6-9任一项所述的银纳米线导电薄膜。其特征在于，所述聚酰亚胺层的厚度为200-600nm：和/或，

所述基板选自PET膜、TAC薄膜、PEN薄膜、CPI膜、COP膜、PDMS膜和玻璃膜中的任意一种。

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