CN110678803A - 透镜驱动装置及包括透镜驱动装置的相机模块和光学设备 - Google Patents

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Abstract

实施方式包括：壳体；线筒，该线筒设置在壳体中；线圈，该线圈设置在线筒上；磁体，该磁体设置在壳体的侧部部分中，并且该磁体包括面向线圈的第一侧表面和与第一侧表面相反的第二侧表面；以及轭，该轭设置在壳体的上部部分中并且在光轴方向上与磁体重叠，其中，磁体的中心线位于关于基准线的一侧；在磁体的第一端部处设置有与磁体的第一侧表面的一个端部邻接的第一凹槽；在磁体的第二端部处设置有与磁体的第一侧表面的另一端部邻接的第二凹槽；基准线穿过壳体的中心并与壳体的设置磁体的侧部部分的外表面垂直；并且磁体的中心线是穿过磁体的第一端部与第二端部之间的中心并与磁体的第一侧表面垂直的直线。

Description

透镜驱动装置及包括透镜驱动装置的相机模块和光学设备
技术领域
各实施方式涉及透镜移动装置以及包括透镜移动装置的相机模块和光学仪器。
背景技术
已经开发了其中安装有捕获并存储物体的图像或视频的相机模块的移动电话或智能电话。通常，相机模块可以包括透镜、图像传感器模块和音圈马达(Voice Coil Motor，VCM)，该音圈马达用于调节透镜与图像传感器模块之间的距离以调节透镜的焦距，即执行自动对焦(Auto Focusing)。
发明内容
技术问题
各实施方式提供了能够确保AF驱动力并减小对相邻的透镜移动装置的磁场干扰的透镜移动装置、以及包括该透镜移动装置的相机模块和光学仪器。
技术方案
在一个实施方式中，一种透镜移动装置包括：壳体；线筒，线筒设置在壳体中；线圈，线圈设置在线筒处；磁体，磁体设置在壳体的侧部部分处，磁体包括面向线圈的第一侧表面和与第一侧表面相反的第二侧表面；以及轭，轭设置在壳体的上部部分处以在光轴方向上与磁体重叠，其中，磁体的中心线位于相对于基线的一侧处，在磁体的第一端部中设置第一凹部，第一凹部与磁体的第一侧表面的一个端部邻接，在磁体的第二端部中设置第二凹部，第二凹部与磁体的第一侧表面的另一端部邻接，基线是穿过壳体的中心并与壳体的设置磁体的侧部部分的外表面垂直的直线，并且磁体的中心线是穿过磁体的在磁体的第一端部与第二端部之间的中心并与磁体的第一侧表面垂直的直线。
第一凹部可以是通过对位于磁体的第一端部处的一个拐角部进行倒角形成的，并且第二凹部可以是通过对位于磁体的第二端部处的一个拐角部进行倒角形成的。
第二凹部的水平长度可以比第一凹部的水平长度长，并且第二凹部的水平方向和第一凹部的水平方向中的每一者均可以是与从磁体的第一端部至第二端部的方向平行的方向。
磁体的中心线可以与基线间隔开K(K为正实数)，K大于0mm且等于或小于0.5mm。
轭的中心线可以位于相对于基线从基线朝向磁体的中心线的0mm至0.5mm的范围内。
磁体的第二侧表面的水平长度可以比磁体的第一侧表面的水平长度长，并且磁体的第一侧表面的水平方向和磁体的第二侧表面的水平方向中的每一者均可以是与从磁体的第一端部至第二端部的方向平行的方向。
轭可以包括：本体；第一延伸部分，第一延伸部分连接至本体，第一延伸部分从磁体的中心线朝向磁体的第一端部延伸；以及第二延伸部分，第二延伸部分连接至本体，第二延伸部分从磁体的中心线朝向磁体的第二端部延伸。
第一延伸部分的竖向长度和第二延伸部分的竖向长度中的每一者均可以比本体的竖向长度小，并且第一延伸部分的竖向方向、第二延伸部分的竖向方向和本体的竖向方向中的每一者均是与磁体的第一侧表面的水平方向垂直的方向。
轭可以是以关于基线对称的方式设置的，并且可以是以关于磁体的中心线不对称的方式设置的。
透镜移动装置还可以包括上弹性构件，上弹性构件联接至壳体的上部部分，其中，轭可以设置在上弹性构件上，并且壳体可以包括联接至上弹性构件并联接至轭的突出部。
有利效果
根据各实施方式，可以确保AF驱动力并减小对相邻的透镜移动装置的磁场干扰。
附图说明
图1是根据实施方式的透镜移动装置的立体图。
图2是图1的透镜移动装置的立体图，其中，盖构件被移除。
图3a是图2中所示的线筒的第一立体图。
图3b是示出了线筒与线圈之间的联接的立体图。
图4a是图2的壳体的立体图。
图4b是示出了图2的壳体与磁体之间的联接的第一立体图。
图4c是示出了图2的壳体与磁体之间的联接的第二立体图。
图5是壳体、磁体、上弹性构件和轭的立体图。
图6是壳体和下弹性构件的立体图。
图7a是基部和下弹性构件的第一立体图。
图7b是基部和下弹性构件的第二立体图。
图8示出了安装至壳体的磁体和轭单元。
图9示出了图8中所示的壳体、第一磁体和第一轭的布置的实施方式。
图10a示出了图9中所示的线筒、第一磁体和第一轭的布置。
图10b是图9中所示的第一磁体和第一轭的放大图。
图11a示出了根据另一实施方式的第一轭的布置。
图11b是图11a中所示的第一磁体和第一轭的放大图。
图12示出了根据另一实施方式的第一轭的布置。
图13示出了根据另一实施方式的第一轭。
图14a示出了根据另一实施方式的第一磁体和第一轭的布置。
图14b示出了图13的改型。
图15a示出了在不设置根据实施方式的轭单元时取决于室温下的驱动电流的AF操作单元的位移和倾斜。
图15b示出了图14a的AF操作单元的位移的倾斜值和AF操作单元的灵敏度。
图16a示出了在不设置根据实施方式的轭单元时取决于99℃的环境温度下的驱动电流的AF操作单元的位移和倾斜。
图16b示出了图16a的AF操作单元的位移的倾斜值和AF操作单元的灵敏度。
图17a示出了在设置轭单元时取决于室温下的驱动电流的AF操作单元的位移和倾斜。
图17b示出了图17a的AF操作单元的位移的倾斜值和AF操作单元的灵敏度。
图18a示出了在设置轭单元时取决于99℃的环境温度下的驱动电流的AF操作单元的位移和倾斜。
图18b示出了图18a的AF操作单元的位移的倾斜值和AF操作单元的灵敏度。
图19示出了双相机模块的实施方式。
图20是图19中所示的双相机模块的概念图。
图21是根据实施方式的相机模块的分解立体图。
图22是根据实施方式的便携式终端的立体图。
图23示出了图22中所示的便携式终端的结构。
具体实施方式
现在将详细参照实施方式，实施方式的示例在附图中示出。
在以下对实施方式的描述中，将理解的是，当每个元件被称为在另一个元件“上”或“下”时，其可以“直接”在另一个元件上或下或者可以是“间接地”形成为使得还存在中间元件。另外，当元件被称为“在……上”或“在……下”时，可以基于该元件包括“在元件下”以及“在元件上”。
另外，诸如“第一”、“第二”、“上/上部/上方”和“下/下部/下方”之类的关系术语仅用于在一个物体或元件与另一个物体或元件之间进行区分，而不一定要求或涉及这些物体或元件之间的任何物理或逻辑关系或顺序。另外，将在所有附图中尽可能使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。
另外，术语“包括”、“包含”和“具有”表示元件可以是固有的，除非另有说明。因此，术语应当被解释为不排除其他元件，而是还可以包括这些其他元件。另外，术语“相应的”可以表示“相对的(opposite)”或“重叠的”中的至少一者。
为了便于描述，将使用笛卡尔坐标系(x，y，z)来描述透镜移动装置。然而，本公开不限于此。可以使用其他不同的坐标系。在附图中，x轴方向和y轴方向是与作为光轴方向的z轴方向垂直的方向。光轴(OA)方向或平行于光轴(OA)方向的z轴方向可以被称为“第一方向”，x轴方向可以被称为“第二方向”，并且y轴方向可以被称为“第三方向”。
根据实施方式的透镜移动装置是自动对焦装置，该自动对焦装置在图像传感器的表面上自动形成物体的图像的焦点。即，根据实施方式的透镜移动装置可以使包括至少一个透镜的光学模块沿与光轴方向平行的第一方向移动，以执行自动对焦操作。
在下文中，透镜移动装置可以表示可以代替透镜移动装置使用的“语音线圈马达”、“透镜移动马达”或“致动器”。
图1是根据实施方式的透镜移动装置100的立体图，图2是图1的透镜移动装置300的立体图，其中，盖构件被移除，图3a是图2中所示的线筒110的第一立体图，图3b是示出了线筒110与线圈120之间的联接的立体图，图4a是图2的壳体140的立体图，图4b是示出了图2的壳体140与磁体130之间的联接的第一立体图，图4c是示出了图2的壳体140与磁体之间的联接的第二立体图，图5是壳体140、磁体130、上弹性构件150以及轭192a和192b的立体图，图6是壳体140和下弹性构件160的立体图，图7a是基部210和下弹性构件160的第一立体图，并且图7b是基部210和下弹性构件160的第二立体图。
参照图1至图7b，透镜移动装置100可以包括线筒110、线圈120、磁体130、壳体140、上弹性构件150、下弹性构件160和轭单元190。
另外，透镜移动装置100还可以包括盖构件300和基部210。
首先，将描述盖构件300。
盖构件300在与基部210一起形成的接纳空间中接纳其他部件110、120、130、140、150、160和190。
盖构件300可以以盒的形状形成，该盖构件300的下部部分是敞开的，并且盖构件300包括上板和侧板。盖构件300的侧板的下端部可以联接至基部210的上部部分。盖构件300的上板的形状可以是多边形的、例如四边形或八边形。
盖构件300可以在盖构件300的上板中设置有开口，联接至线筒110的透镜(未示出)通过该开口暴露于外部光。
盖构件300可以由非磁性材料、比如SUS制成。
当使用由非磁性材料制成的盖构件300时，可以防止磁体130吸引盖构件330的现象。
另外，由于使用了非磁性的盖构件，因此可以减小对相邻的透镜移动装置、比如能够执行AF或OIS操作的透镜移动装置的磁场干扰。
例如，在包括AF致动器和OIS致动器的双(dual)相机模块中，当AF致动器与OIS致动器之间的距离较小时，由非磁性材料制成的盖构件300可以用于减小磁场干扰，从而可以防止异常的AF操作或者OIS操作。
接下来，将描述线筒110。
参照图3a和图3b，线筒110可以设置在壳体140的内部，并且由于线圈120与磁体130之间的电磁相互作用而可以沿第一方向(例如，Z轴方向)移动。
透镜(未示出)可以直接联接至线筒110的内表面110a。然而，本公开不限于此。例如，线筒110可以包括透镜镜筒(未示出)，至少一个透镜安装在该透镜镜筒中。透镜镜筒可以以各种方式联接在线筒110的内侧。
线筒110可以具有开口，透镜或透镜镜筒安装在该开口中。线筒110中的开口可以是穿过线筒110形成的孔，并且线筒110的开口的形状可以与安装在该开口中的透镜或透镜镜筒的形状一致。例如，开口的形状可以是圆形、椭圆形或多边形。然而，本公开不限于此。
线筒110可以具有至少一个第一上突出部113和至少一个第一下突出部117，所述至少一个第一上突出部113设置在线筒110的上表面上以联接并固定至上弹性构件150的内框架151，所述至少一个第一下突出部117设置在线筒110的下表面上以联接并固定至下弹性构件160的内框架161。
线筒110可以具有上避开凹部112a，该上避开凹部112a设置在线筒的上表面的与上弹性构件150的第一框架连接部分153相对应或对准的区域中。另外，线筒110可以具有下避开凹部112b，该下避开凹部112b设置在线筒的下表面的与下弹性构件160的第二框架连接部分163相对应或对准的区域中。
当线筒110沿第一方向移动时，第一框架连接部分153与线筒110之间以及第二框架连接部分163与线筒110之间的空间干扰可以通过线筒110的上避开凹部112a和下避开凹部112b被消除，由此，第一框架连接部分153和第二框架连接部分163可以容易地发生弹性变形。
线筒110可以在线筒110的外表面110b中设置有至少一个凹部105，并且线圈120可以设置或安置在线筒110的凹部105中。例如，如图3a中所示，凹部105可以具有绕光轴旋转的环的形状，然而，本公开不限于此。
凹部105的形状和数目可以与围绕线筒110的外表面110b设置的线圈的形状和数目相对应。在另一个实施方式中，线筒110可以不具有用于线圈安置的凹部。
线筒110的外表面110b可以包括与壳体140的第一侧部部分141相对应的第一侧表面110b-1和与壳体140的第二侧部部分142相对应的第二侧表面110b-2。
接下来，将描述线圈120。
线圈120围绕线筒110的外表面110b设置，并且与设置在壳体140中的磁体130电磁相互作用。
为了通过与磁体130的电磁相互作用而产生电磁力，可以向线圈120施加驱动信号。这时，该驱动信号可以是直流信号，或者可以具有电压或电流的形式。
由上弹性构件150和下弹性构件160弹性支承的AF操作单元可以通过由线圈120与磁体130之间的电磁相互作用所产生的电磁力而沿第一方向移动。可以调节电磁力以控制线筒110在第一方向上的运动，从而可以执行自动对焦功能。
AF操作单元可以包括由上弹性构件150和下弹性构件160弹性地支承的线筒110、以及安装至线筒110以便能够与线筒110一起移动的部件。例如，AF操作单元可以包括线筒110和线圈120。另外，例如，AF操作单元还可以包括安装至线筒的透镜(未示出)。
参照图3b，线圈120可以缠绕成包覆线筒110的外表面110b，以绕光轴沿顺时针方向或沿逆时针方向旋转。
例如，线圈120可以设置或缠绕在设置在线筒110的外表面110b中的凹部105中。
例如，线圈120可以具有绕光轴沿顺时针方向或沿逆时针方向包覆线筒110的外表面110b的环的形状。在图3a中，线圈120可以具有单个环的形状，然而，本公开不限于此。可以包括两个或更多个线圈环。
在另一个实施方式中，线圈120可以实现为绕垂直于光轴的轴线沿顺时针方向或沿逆时针方向缠绕的线圈环。线圈环的数目可以等于磁体130的数目，然而，本公开不限于此。
线圈120可以连接至上弹性构件150或下弹性构件160中的至少一者。例如，线圈120可以连接至下弹簧160a和160b，并且可以通过下弹簧160a和160b向线圈120施加驱动信号。
接下来，将描述壳体140。
参照图4a至图4c，壳体140支承磁体130，并在壳体140中接纳线筒110，使得AF操作单元、例如线筒110能够沿第一方向移动。
壳体140通常可以具有包括开口的柱形形状，并且壳体140的开口可以是穿过壳体140形成的孔。壳体140可以包括限定该开口的多个侧部部分141和142。
例如，壳体140可以具有限定多边形(例如，四边形或八边形)或圆形开口的多个侧部部分141和142。侧部部分141和142的上表面可以限定壳体140的上表面。
例如，壳体140可以包括彼此间隔开的第一侧部部分141和彼此间隔开的第二侧部部分142。第二侧部部分142中的每个第二侧部部分可以设置在两个相邻的第一侧部部分之间。
例如，壳体140的第一侧部部分141中的每个第一侧部部分的长度可以比第二侧部部分142中的每个第二侧部部分的长度长。例如，壳体140的第一侧部部分141可以是与壳体140的侧面(side)相对应的部分，并且壳体140的第二侧部部分142可以是与壳体140的拐角相对应的部分。例如，壳体140的第一侧部部分141可以被称为“侧部部分”，并且壳体140的第二侧部部分142可以被称为“拐角部”。
磁体130可以设置或安装在壳体140的第一侧部部分141中的每个第一侧部部分处。例如，可以在壳体140的第一侧部部分141中的每个第一侧部部分中设置凹部141a，磁体130安置、设置或固定在该凹部141a中。在图4a中，凹部141a穿过壳体140的第一侧部部分141形成，然而，本公开不限于此。该凹部可以是凹形凹部。
壳体140可以具有粘合剂注射凹部16，该粘合剂注射凹部16设置在设置有磁体的第一侧部部分141中，并且该粘合剂注射凹部16邻近凹部141a定位。可以通过粘合剂注射凹部16来注射用于将磁体150粘附至凹部141a的粘合剂。
另外，壳体140可以具有止挡件24a和24b，止挡件24a和24b邻近凹部141a设置以对插入到凹部141a中的第一磁体130-1和第二磁体130-1进行支承。止挡件24a和24b可以从凹部141a的面向内的表面突出。止挡件24a和24b可以具有与第一磁体130-1和第二磁体130-2的第一凹部10a和第二凹部10b相对应或等同的形状，下面将对其进行描述。
另外，通过壳体140的上表面沿光轴方向形成台阶状部的台阶状部分29可以设置在壳体140的拐角部142中的每个拐角部处。台阶状部分29可以设置在壳体140的拐角部中的每个拐角部的上表面上。该台阶状部分是与用于注塑成型的注射浇口相对应的部分，并且设置该台阶状部分以排除设置在壳体140中的部件(例如，上弹性构件)与由于注塑成型而产生的毛边之间的空间干扰。
壳体140可以具有第一止挡件143，该第一止挡件143从壳体140的上部部分或上表面突出。
壳体140的第一止挡件143防止盖构件130与壳体140之间的碰撞。当发生外部冲击时，可以防止壳体140的上表面与盖构件300的上部部分的内表面直接碰撞。
另外，可以在壳体140的上部部分或上表面上设置第二上突出部144，上弹性构件150的外框架152联接至第二上突出部144。例如，第二上突出部144可以设置在壳体140的第二侧部部分142中的每个第二侧部部分的上表面上，然而，本公开不限于此。在另一个实施方式中，第二上突出部可以设置在壳体140的第一侧部部分141中的每个第一侧部部分的上表面上。
壳体140可以在壳体140的下部部分或下表面上设置有第二下突出部147，下弹性构件160的外框架162联接至第二下突出部147。例如，第二下突出部147可以设置在壳体140的第一侧部部分141或第二侧部部分142中的至少一者的下部部分或下表面上。
另外，可以在壳体140的第二侧部部分142中的每个第二侧部部分的下部部分或下表面中设置引导凹部148，基部210的引导构件216插入、紧固或联接至引导凹部148。例如，壳体140的引导凹部148和基部210的引导构件216可以经由粘合构件(未示出)或阻尼器(未示出)联接至彼此，并且壳体140可以联接至基部210。
壳体140可以在壳体140的上部部分或上表面上设置有至少一个突出部15a和15b，轭单元190联接至所述至少一个突出部15a和15b。例如，所述至少一个突出部15a和15b可以设置在壳体140的设置有磁体130的上部部分或上表面上。
例如，所述至少一个突出部15a和15b可以设置在壳体140的设置有磁体130的两个相对的第一侧部部分的上部部分或上表面上。例如，所述两个突出部15a和15b可以在壳体140的两个相对的第一侧部部分上设置成彼此间隔开，然而，突出部的数目不限于此。
壳体140可以在壳体140的上部部分或上表面上设置有轭安置部分18a和18b，轭单元190设置在轭安置部分18a和18b中。轭安置部分18a和18b可以设置在壳体140的设置有磁体130的第一侧部部分141的上部部分或上表面上。轭安置部分18a和18b的形状可以与轭单元190的形状相对应或一致。
例如，轭安置部分18a和18b中的每个轭安置部分均可以包括突出部，该突出部从壳体140的外部相对于壳体的第一侧部部分141中的相应的一个第一侧部部分的内表面向内突出。
所述至少一个突出部15a和15b可以设置在轭安置部分18a和18b中。
接下来，将描述磁体130。
参照图4b和图4c，磁体130可以设置在壳体140的第一侧部部分141中的每个第一侧部部分处。例如，磁体130-1和130-2可以设置在壳体140的两个相对的第一侧部部分141处。
例如，磁体130可以包括第一磁体130-1和第二磁体130-2，第一磁体130-1设置在壳体140的两个相对的第一侧部部分中的一个第一侧部部分处，第二磁体130-2设置在壳体140的两个相对的第一侧部部分中的另一第一侧部部分处。在实施方式中，磁体可以设置在壳体140的第二侧部部分处。例如，磁体可以设置在壳体140的两个相对的第二侧部部分处。
在线筒110的初始位置处，设置在壳体140处的磁体130可以在垂直于光轴的方向上至少与线圈120的一部分重叠。此处，线筒110的初始位置可以是在没有对线圈120施加电力的状态下的AF操作单元的原始位置，或者可以是因为上弹性构件150和下弹性构件仅由于AF操作单元的重量而弹性变形而使AF操作单元所处的位置。
另外，线筒110的初始位置可以是AF操作单元在重力沿从线筒110至基部210的方向作用时或在重力沿从基部210至线筒110的方向作用时所处的位置。
例如，磁体130可以设置在壳体140的第一侧部部分141中的每个第一侧部部分的凹部141a中以在第二方向或第三方向上与线圈120重叠。
在另一个实施方式中，壳体140的第一侧部部分141中的每个第一侧部部分中可以不形成凹部141a或孔，或者磁体130可以设置在壳体140的第一侧部部分141中的每个第一侧部部分的外表面和内表面中的一者中。
下面将描述磁体130在壳体140的第一侧部部分中的每个第一侧部部分处的布置。
磁体130的形状可以具有与壳体140的第一侧部部分141中的每个第一侧部部分相对应的形状、例如长方体形状，然而，本公开不限于此。
磁体130可以是设置成使得磁体130的面向线圈120的第一表面具有S极并且与第一表面相反的第二表面具有N极的单极磁化磁体。
另外，例如，磁体130可以是在光轴方向或垂直于光轴的方向上分成两部分的双极磁化磁体。此时，磁体130可以由铁素体、铝镍钴合金(alnico)或稀土磁体来实现。
具有双极磁化结构的磁体130可以包括：第一磁体部分，该第一磁体部分包括N极和S极；第二磁体部分，该第二磁体部分包括N极和S极；以及非磁性分隔部。
第一磁体部分和第二磁体部分可以彼此间隔开，并且第一磁体部分和第二磁体部分中的每一者均可以包括N极、S极以及N极与S极之间的界面。此处，第一磁体部分和第二磁体部分中的每一者的界面可以是大致没有磁性的部分、可以包括具有较小极性的部段、并且可以是为了形成由单个N极和单个S极构成的磁体而自然产生的部分。
非磁性分隔部可以位于第一磁体部分与第二磁体部分之间，并且可以将第一磁体部分与第二磁体部分彼此分开或隔离。非磁性分隔部可以是大致没有磁性的部分、可以包括具有较小极性的部段、并且可以填充有空气或者可以由非磁性材料制成。非磁性分隔部可以表示为“中性区(Neural Zone)”。
磁体130的数目可以是多个。例如，磁体130可以包括第一磁体130-1和第二磁体130-2。
在实施方式中，磁体130的数目是两个，以减小对相邻的相机模块或透镜移动装置的磁场干扰，然而，本公开不限于此。
在另一个实施方式中，磁体130的数目可以是至少两个。磁体130中的每个磁体的面向线圈120的表面可以是平坦的，然而，本公开不限于此。每个磁体的表面可以是弯曲的。
接下来，将描述上弹性构件150和下弹性构件160。
参照图5和图6，上弹性构件150和下弹性构件160联接至线筒110并联接至壳体140，并且柔性地支承线筒110。
例如，上弹性构件150可以联接至线筒110的上部部分、上表面或上端部并联接至壳体140的上部部分、上表面或上端部，并且下弹性构件160可以联接至线筒110的下部部分、下表面或下端部并联接至壳体140的下部部分、下表面或下端部。
图5中所示的上弹性构件150由具有单个结构的上弹簧构成，然而，本公开不限于此。在另一个实施方式中，上弹性构件可以包括彼此间隔开或分开的多个上弹簧。
上弹性构件150和下弹性构件160中的每一者可以被实现为板簧，然而，本公开不限于此。上弹性构件和下弹性构件中的每一者可以被实现为螺旋弹簧或悬线。
上弹性构件150可以包括：第一内框架151，第一内框架151联接至线筒110的第一上突出部113；第一外框架152，第一外框架152联接至壳体140的第二上突出部144；以及第一框架连接部分153，第一框架连接部分153用于将第一内框架151和第一外框架152连接至彼此。
在图5中，上弹性构件150被实现为单个上弹簧，然而，本公开不限于此。在另一个实施方式中，上弹性构件150可以包括两个或更多个上弹簧。
例如，可以在上弹性构件150的第一内框架151中设置联接至线筒110的第一上突出部113的通孔151a或凹部，可以在第一外框架152中设置联接至壳体140的上突出部144的通孔152a或凹部。
另外，可以在上弹性构件150的第一外框架152中设置联接至所述至少一个突出部15a和15b的至少一个通孔25a或25b或凹部。
下弹性构件160可以包括彼此间隔开的第一下弹簧160a和第二下弹簧160b。第一下弹簧160a和第二下弹簧160b可以彼此分开。
第一下弹簧160a和第二下弹簧160b中的每一者均可以包括：第二内框架161，第二内框架161联接至线筒110的第一下突出部114；第二外框架162，第二外框架162联接至壳体140的第二下突出部147；以及第二框架连接部分163，第二框架连接部分163用于将第二内框架161和第二外框架162连接至彼此。
例如，可以在第一下弹簧160a和第二下弹簧160b中的每一者的第二内框架161中设置通孔161a或凹部，通孔161a或凹部联接至线筒110的第一下突出部114，并且可以在第二外框架162中设置通孔162a或凹部，通孔162a或凹部联接至壳体140的第二下突出部147。
例如，线筒110的第一上突出部113与第一内框架的通孔151a、线筒110的第一下突出部117与第二内框架的通孔161a、壳体140的第二上突出部144与第一外框架的通孔161a、壳体140的第二下突出部147与第二外框架的通孔162a、以及壳体140的突出部15a和15b与第一外框架的通孔25a和25b可以通过粘合构件或热熔合而粘合至彼此。
第一框架连接部分153和第二框架连接部分163中的每一者都可以形成为至少弯折或弯曲(或歪曲)一次以形成预定图案。线筒110在第一方向上的向上和/或向下运动可以通过第一框架连接部分153和第二框架连接部分163的位置变化和微小变形而被柔性地(或弹性地)支承。
线圈120可以联接至第一下弹簧160a和第二下弹簧160b的第二内框架161，并且可以连接至第一下弹簧160a和第二下弹簧160b。
参照图7a，可以在第一下弹簧160a的第二内框架161的一个端部的上表面处设置第一结合部分19a，线圈120的一个端部结合至第一结合部分19a，并且可以在第二下弹簧160b的第二内框架161的一个端部的上表面处设置第二结合部分19b，线圈120的另一个端部结合至第二结合部分19b。
线圈120可以通过导电粘合构件、比如焊料而结合至第一结合部分19a和第二结合部分19b。在第一结合部分19a和第二结合部分19b的情况下，“结合部分”也可以被称为焊盘部分、端子、连接端子、焊料部分或电极部分。
为了防止在线筒110移动时的振荡现象，可以在上弹性构件150的第一框架连接部分153与线筒110的上表面之间设置阻尼器。替代性地，也可以在下弹性构件160的第二框架连接部分163与线筒110的下表面之间设置阻尼器(未示出)。
替代性地，可以在上弹性构件150与线筒110和壳体140中的每一者之间或者在下弹性构件160与线筒110和壳体140中的每一者之间涂覆阻尼器。例如，阻尼器可以是凝胶型硅，然而，本公开不限于此。
第一下弹簧160a和第二下弹簧160b中的每一者可以设置在基部210的上表面处。
第一下弹簧160a和第二下弹簧160b中的每一者可以包括用于与外部连接的第一连接端子164a和第二连接端子164b。在第一连接端子164a和第二连接端子164b的情况下，“连接端子”也可以被称为端子、焊盘部分、结合部分、焊料部分或电极部分。
例如，第一连接端子164a和第二连接端子164b中的每一者可以连接至第一下弹簧160a和第二下弹簧160b中的相对应的一者的第二外框架163的外表面，并且可以弯折并朝向基部210延伸。
第一下弹簧160a的第一连接端子164a和第二下弹簧160b的第二连接端子164b可以在基部210的第一外表面处设置成彼此间隔开，并且可以与基部210的第一外表面邻接。
例如，第一连接端子164a和第二连接端子164b可以设置在基部210的外表面中的一个外表面处。在这种情况下，容易执行与外部连接的焊接，然而，本公开不限于此。在另一个实施方式中，第一下弹簧的第一连接端子和第二下弹簧和第二连接端子可以设置在基部210的两个不同的外表面处。
基部210可以联接至壳体140，并且可以与盖构件300一起限定用于接纳线筒110和壳体140的空间。基部210可以具有与线筒110的开口和/或壳体140的开口相对应的开口。基部可以具有与盖构件300的形状一致或相对应的形状、例如四边形形状。
基部210可以包括引导构件216，引导构件216从基部210的四个拐角部分中的每个拐角部分向上突出预定高度。
例如，引导构件216可以具有从基部210的上表面突出成垂直于基部210的上表面的多边形棱柱形状，然而，本公开不限于此。
引导构件216可以插入到壳体140的引导凹部148中，并且可以通过粘合构件(未示出)、比如环氧树脂或硅树脂而紧固或联接至引导凹部148。
可以在基部210的外表面中设置第一凹形部分205a和第二凹形部分205b，第一凹形部分205a和第二凹形部分205b与第一下弹簧160a的第一连接端子164a和第二下弹簧160b的第二连接端子164b相对应。
例如，第一凹形部分205a和第二凹形部分205b可以在基部210的侧部部分中的一个侧部部分的外表面处设置成彼此间隔开。
例如，第一凹形部分205a和第二凹形部分205b中的每一者可以包括向基部210的上表面敞开的上开口和向基部210的下表面敞开的下开口。
例如，第一连接端子164a和第二连接端子164b中的每一者的内表面可以与第一凹形部分205a和第二凹形部分205b中的相应的一者的一个表面(例如，底表面)邻接。
设置在第一凹形部分205a和第二凹形部分205b中的第一连接端子164a和第二连接端子164b中的每一者的外表面可以从基部210的外表面暴露。
另外，第一连接端子164a和第二连接端子164b中的每一者的下端部可以从基部210的下表面暴露，然而，本公开不限于此。在另一个实施方式中，第一连接端子和第二连接端子中的每一者的下端部可以不从基部210的下表面暴露。
第一连接端子164a和第二连接端子164b中的每一者可以通过导电材料、比如焊料连接至外部线或外部元件，以从外部供应电力或信号。
另外，可以在基部210的外表面的下端部处设置台阶状部211，并且台阶状部211可以与盖构件300的侧板的下端部接触并且可以引导盖构件300。此时，基部210的台阶状部211和盖构件300的侧板的下端部可以通过粘合剂而粘合、固定并密封。
图7a和图7b中所示的第一下弹簧160a的第一连接端子164a和第二下弹簧的第二连接端子164b中的每一者均与第二内框架161、第二外框架162和第二框架连接部分163一体地形成，然而，本公开不限于此。
在另一个实施方式中，第一下弹簧和第二下弹簧中的每一者均可以仅包括第二内框架161、第二外框架162和第二框架连接部分163，并且第一连接端子和第二连接端子中的每一者可以单独地设置在基部210的外表面处。在该情况下，设置在基部210的外表面处的第一连接端子和第二连接端子中的每一者的一个端部可以通过导电材料、比如焊料而联接至或结合至第一下弹簧和第二下弹簧中的相应的一者的第二外框架。
实施方式可以是安装在双相机模块中的AF透镜移动装置。双相机模块是包括两个透镜移动装置的相机模块。例如，双相机模块可以包括仅能够执行自动对焦功能的透镜移动装置(在下文中称为“AF透镜移动装置”)和能够执行自动对焦功能和光学图像稳定功能(OIS)的透镜移动装置(在下文中称为“OIS透镜移动装置”)。
图19示出了双相机模块的实施方式，并且图20是图19中所示的双相机模块的概念图。
参照图19和图20，双相机模块可以包括OIS相机模块1000和AF相机模块1000-1。
例如，OIS相机模块1000可以包括：线筒1100；壳体1140；AF线圈1120，AF线圈1120安装至线筒1100；磁体1130，磁体1130安装至壳体1140；上弹簧1150和下弹簧1160，上弹簧1150和下弹簧1160联接至线筒1110和壳体1140；感测磁体180和185，感测磁体180和185安装至线筒111；支承构件1220，支承构件1220连接在上弹簧1150与电路板1250之间；OIS线圈1230，OIS线圈1230在下弹性构件1160的下方设置成与磁体1130相对应；电路板1250，电路板1250在OIS线圈1230的下方设置成连接至AF线圈1120、OIS线圈1230和位置传感器1170；以及基部1210，基部1210设置在电路板1250的下方。
另外，OIS相机模块还可以包括安装至线筒111的感测磁体180和185以及安装至壳体1140以对感测磁体中的每个感测磁体的磁场强度进行感测的位置传感器1170。
壳体1140包括侧部部分和位于两个相邻的侧部部分之间的拐角部。磁体1130可以设置在拐角部(或侧部部分)中的每个拐角部(或侧部部分)处，然而，本公开不限于此。在另一个实施方式中，磁体1130可以设置在壳体1140的侧部部分中的每个侧部部分处。
AF透镜移动装置1000-1可以包括与根据实施方式的透镜移动装置100的部件相对应的部件。例如，AF透镜移动装置1000-1可以是透镜移动装置100，并且将省略对AF透镜移动装置1000-1的详细描述。
在双相机模块中，OIS透镜移动装置1000和AF透镜相机模块1000-1可以设置成彼此间隔开，并且可以彼此相邻设置。例如，OIS透镜移动装置1000与AF透镜相机模块1000-1之间的距离d11可以是较小的(例如，d11＝1mm)。
另外，例如，OIS透镜移动装置1000的盖构件与AF相机模块1000-1的盖构件之间的距离可以小于3mm。另外，例如，OIS透镜移动装置1000的盖构件与AF相机模块1000-1的盖构件之间的距离可以小于2mm。
OIS透镜移动装置1000可以通过OIS线圈1230与磁体1230之间的相互作用来执行手抖补偿。为此，壳体1140和联接至壳体1140的部件可以沿垂直于光轴的方向移动。通过用于这种手抖补偿的OIS操作，可以减小OIS透镜移动装置1000的第一磁体1130与AF透镜移动装置1000-1的磁体之间的距离，由此在OIS透镜移动装置1000的磁体1130与AF透镜移动装置的磁体之间可能发生磁场干扰，并且由于这种磁场干扰，可能会异常地执行OIS透镜移动装置1000的OIS操作和AF透镜移动装置1000-1的AF操作。
为了减小磁场干扰，根据实施方式的透镜移动装置100的盖构件300可以由诸如SUS、铝(Al)、铜(Cu)、锡(Sn)或铂之类的非磁性材料制成。
另外，例如，为了减小磁场干扰，该实施方式可以不包括四个磁体，而是可以包括两个磁体130-1和130-2，所述两个磁体130-1和130-2设置在壳体140的不面向OIS透镜移动装置100的第一侧部部分141处。
为了减小磁场干扰，可以在根据该实施方式的磁体130-1和130-2中的每个磁体的第一端部(第一边缘)中设置第一凹部10a(参见图10a)。
另外，为了使由与线圈120的相互作用而产生的电磁力平衡，可以在磁体130-1和130-2中的每个磁体的第二端部(第二边缘)中设置第二凹部10b(参见图10a)。
图8示出了安装至壳体140的磁体130和轭单元190b，图9示出了图8中所示的壳体140、第一磁体130和第一轭192a的布置的实施方式，图10a示出了图9中所示的线筒110、第一磁体130-1和第一轭192a的布置，并且图10b是图9中所示的第一磁体130-1和第一轭192a的放大图。
参照图8至图10b，第一磁体130-1可以设置成相对于基线202向一侧偏置。例如，基线202可以是与壳体140的设置有第一磁体130-1的第一侧部部分的外表面垂直并且穿过壳体140的中心201的直线。替代性地，例如，基线202可以是与盖构件200的与第一磁体130-1相对应或相对的侧板的外表面垂直并且穿过壳体140的中心201的直线。
在另一个实施方式中，基线202可以是穿过线筒110的中心并且与壳体的设置有磁体130-1和130-2中的每个磁体的第一侧部部分141垂直的直线。
例如，第一磁体可以设置成相对于基线202向远离双相机模块的OIS透镜移动装置1000的一侧偏置。
例如，第一磁体130-1可以在壳体140的第一侧部部分140处设置成使得第一磁体130-1的中心线203位于相对于基线202的一侧处。
例如，第一磁体130-1的中心线203可以是穿过第一磁体130-1的在第一磁体130-1的第一端部与第二端部之间的中心并且与第一磁体130-1的第一侧表面53a或第二侧表面53b垂直的直线。
例如，第一磁体130-1的中心线203可以是第一磁体130-1的长边的中心线，然而，本公开不限于此。在另一个实施方式中，第一磁体130-1的中心线可以是第一磁体130-1的短边的中心线。
例如，第一磁体130-1的中心线203和基线202可以平行于彼此。替代性地，第一磁体130-1的中心线203可以与第一磁体130-1的第一侧表面53a垂直。
第一磁体130-1相对于基线202偏置的距离K或基线202与中心线203之间的距离K可以大于0并且可以等于或小于0.5mm(0<K≤0.5mm)。此处，K可以是正实数。
另外，例如，K可以大于0并且可以等于或小于0.3mm。另外，例如，K可以为0.16mm至0.2mm。
在K超过0.5mm的情况下，可以减小第一磁体130-1与线圈120的设置在线筒110-1的第一侧表面110b-1处的部分重叠的区域，从而可以减小AF驱动力。
在另一个实施方式中，然而，K可以是0，将参照图12对其进行描述。
由于第一磁体130-1设置成相对于基线202向远离双相机模块的OIS透镜移动装置1000的一侧偏置，因此可以减小磁场干扰，以防止异常的AF操作，并提高AF操作的准确度。
参照图10a，第一磁体130-1可以包括第一区域Area1和第二区域Area2，第一区域Area1位于相对于中心线203的一侧处，第二区域Area2位于相对于中心线203的另一侧处。
例如，在图10a中，双相机模块的OIS透镜移动装置1000可以位于相对于透镜移动装置100的右侧处。
即，第一磁体130-1的第一区域Area1可以是比第二区域Area2更邻近双相机模块的OIS透镜移动装置1000的区域。
可以在第一磁体130-1的第一区域Area1中设置第一凹部10a，以减小磁场干扰。由于通过第一凹部10a减小了第一磁体130-1的第一区域Area1的体积或面积，因此可以减小对邻近第一区域Area1设置的双相机模块的OIS透镜移动装置1000的磁场干扰。
为了抑制由第一磁体130-1与第一线圈120之间的相互作用而产生的电磁力的强度的减小，第一凹部10a可以在下述范围内形成在第一磁体130-1的第一区域Area1中：在该范围内，第一线圈120与第一磁体130-1在垂直于光轴的方向上的重叠范围不减小。第一凹部10a可以相对于第一磁体130-1的第一区域Area1的侧表面向内凹。
例如，可以在位于第一磁体130-1的第一端部(第一边缘)处的一个拐角部中设置倒角的第一凹部10a(参见图10a)。此时，第一磁体130-1的第一端部可以是第一磁体130-1的与双相机模块的OIS透镜移动装置相邻的端部。
第一磁体130-1的第一侧表面53a(参见图10b)的水平长度由于第一凹部10a而比第一磁体130-1的第二侧表面53b的水平长度短，但是，第一磁体130-1的第二侧表面53b的水平长度不受第一凹部10a的影响。因此，第一磁体130-1与第一线圈120之间的重叠范围不会由于第一凹部10a而减小，并且第一磁体130-1与线圈120之间的电磁力的减小可以是较小或轻微的。
此处，第一磁体130-1的第一侧表面53a可以是面向线筒110或第一线圈120的第一侧表面的表面，并且第一磁体130-1的第二侧表面53b可以是与第一磁体130-1的第一侧表面相反的表面。
第一磁体130-1的第一侧表面53a的水平方向和第一磁体130-1的第二侧表面53b的水平方向可以是与从第一磁体130-1的第一端部到第二端部的方向平行的方向。
在图10a中，第一凹部10a设置在第一拐角部中，该第一拐角部是第一磁体130-1的第一端部的两个拐角部中的与线筒的第一侧表面110b-1相邻的一个拐角部，然而，本公开不限于此。在另一个实施方式中，第一凹部可以设置在第二拐角部中，该第二拐角部是第一磁体130-1的第一端部的拐角部中的一个拐角部，或者第一凹部可以设置在第一拐角部和第二拐角部中的每一者中。而且，在另一个实施方式中，第一磁体130-1的第二侧表面的水平长度可以比第一磁体130-1的第一侧表面的水平长度短。
为了使第一线圈120与第一磁体130-1之间的电磁力的强度平衡，可以在第一磁体130-1的第二区域Area2中设置第二凹部10b。第二凹部10b可以相对于第一磁体130-1的第二区域Area2的侧表面向内凹。
第二凹部10b可以在下述范围内形成在第一磁体130-1的第二区域Area2中：在该范围内，第一线圈120与第一磁体130-1之间的在垂直于光学方向的方向上的重叠范围不减小。
例如，可以在位于第一磁体130-1的第二端部处的一个拐角部中设置倒角的第二凹部10b(参见图10a)。此时，第一磁体130-1的第二端部可以是第一磁体130-1的与第一磁体130-1的第一端部相反定位的端部。
例如，第二凹部10b可以位于相对于第一区域Area1的设置有第一凹部10a的拐角部以关于中心线203对称的方式设置的第二区域Area2的拐角部处。
例如，第一凹部10a可以与第一磁体130-1的第一侧表面53a的一个端部邻接，并且第二凹部10b可以与第一磁体130-1的第一侧表面53a的另一端部邻接。
例如，第一磁体130-1的第一侧表面53a可以在从第一磁体130-1到线筒110的第一侧表面的方向上与第一线圈120的设置在线筒110的第一侧表面110b-1处的部分重叠。
另外，例如，第一凹部10a和第二凹部10b中的每一者可以在从第一磁体130-1到线筒110的第一侧表面的方向上与第一线圈120的设置在线筒110的第一侧表面110b-1处的部分重叠。
由于第一磁体130-1设置成从基线202向一侧偏置，因此可能发生由与线圈120的相互作用而产生的电磁力相对于基线202的不平衡。为了克服由于第一磁体130-1的布置引起的由与线圈120的相互作用所产生的电磁力的不平衡，第一凹部10a和第二凹部10b的尺寸可以彼此不同。
例如，第二凹部10b的尺寸可以大于第一凹部10a的尺寸。
第二凹部10b的水平长度M2和第一凹部的水平长度M1可以彼此不同。例如，第二凹部10b的水平长度M2可以大于第一凹部10a的水平长度M1(M2＞M1)。
例如，第二凹部10b的水平长度M2与第一凹部10a的水平长度M1之差M2-M1可以是第一磁体130-1的中心线203移动的距离K的正整数倍。
例如，第二凹部10b的水平长度M2与第一凹部10a的水平长度M1之差M2-M1可以是第一磁体130-1的中心线203移动的距离K(例如M2-M1＝K)。
另外，例如，第二凹部10b的竖向长度Q2可以等于第一凹部10a的竖向长度Q1(Q2＝Q1)，然而，本公开不限于此。在另一个实施方式中，第二凹部10b的竖向长度Q2可以大于第一凹部10a的竖向长度Q1(Q2>Q1)。
第一凹部10a的竖向方向可以是与第一凹部10a的水平方向垂直的方向，并且第二凹部10b的竖向方向可以是与第二凹部10b的水平方向垂直的方向。
例如，第一凹部10a的竖向长度Q1和第二凹部10b的竖向长度Q2可以小于或等于第一磁体130-1的竖向长度R(参见图10b)的1/2(Q1、Q2≤R/2)。其原因在于，在Q1＞R/2且Q2＞R/2的情况下，不能充分获得由线圈120与第一磁体130-1之间以预定量级的相互作用所产生的用于AF操作的电磁力。
第一距离d1可以等于第二距离d2。第一距离d1可以是第一磁体130-1的第一侧表面53a和第一凹部10a接合的拐角部与线筒110的第一拐角部S1之间的在与第一磁体130-1的水平方向平行的方向上的距离。
第二距离d2可以是第一磁体130-1的第一侧表面53a和第二凹部10b接合的拐角部与线筒110的第二拐角S2之间的在与第一磁体130-1的水平方向平行的方向上的距离。
S1可以是线筒110的和壳体的设置有第一磁体130-1的第一侧部部分或第一磁体130-1的第一侧表面53a的相对应或相对的第一侧表面110b-1与线筒110的和第一侧表面110b-1相邻的第二侧表面110b-2接合的拐角部。
S2可以是线筒110的第一侧表面110b-1与线筒110的和第一侧表面110b-1相邻的另一第二侧表面110b-2接合的拐角部。
由于d1＝d2，因此可以减轻由第一磁体130-1与线圈120之间的相互作用而产生的电磁力的强度相对于基线202的不平衡。
第一磁体130-1的第一端部可以从第一磁体130-1的中心朝向第一磁体130-1的第一端部相对于线筒110的第一拐角部S1突出。
第一磁体130-1的第二端部可以从第一磁体130-1的中心朝向第一磁体130-1的第二端部相对于线筒110的第二拐角部S2突出。
例如，第一磁体130-1的第二端部的突出长度可以比第一磁体130-1的第一端部的突出长度大。
在图10a中，第一磁体130-1的第一侧表面53a与第一凹部10a接合的拐角部在从第一磁体130-1到线筒110的第一侧表面53a的方向上与线筒110的第一侧表面110b-1相对应或重叠，并且第一磁体130-1的第一侧表面53a与第二凹部10b接合的拐角部与线筒110的第一侧表面110b-1相对应或重叠，然而，本公开不限于此。
在另一个实施方式中，第一磁体130-1的第一侧表面53a与第一凹部10a接合的拐角部可以与线筒110的第一拐角部S1相对应或可以与线筒110的第一拐角部S1对准，并且第一磁体130-1的第一侧表面53a与第二凹部10b接合的拐角部可以与线筒110的第二拐角部S2相对应或可以与线筒110的第二拐角部S2对准。
第一轭192a可以在上弹性构件150的设置在壳体140处的上表面上设置成在光轴方向上与第一磁体130-1重叠。
另外，第二轭192b可以在上弹性构件150的设置在壳体140处的上表面上设置成在光轴方向上与第二磁体130-2重叠。
第一轭192a可以增加由线圈120与第一磁体130-1之间的相互作用而产生的电磁力的强度。另外，第二轭192b可以增加由线圈120与第二磁体130-2之间的相互作用而产生的电磁力的强度。
例如，在设置轭单元190时的电磁力(例如0.162N)可以比不设置轭单元190时的电磁力(例如0.152N)高约6.5％。
第一轭192a可以包括本体192-1、第一延伸部分192-2、以及第二延伸部分192-3，第一延伸部分192-2连接至本体192-1并延伸至本体192-1的一个侧部，第二延伸部分192-3连接至本体192-1并延伸至本体192-1的另一个侧部。
例如，第一延伸部分192-2可以从第一磁体130-1的中心线203朝向第一磁体130-1的第一端部延伸，并且第二延伸部分192-3可以从第一磁体130-1的中心线203朝向第一磁体130-1的第二端部延伸。
根据实施方式的第一磁体130-1由于第一凹部10a和第二凹部10b可以具有T形状。另外，位于第一磁体130-1上的第一轭192a也可以具有T形状，然而，本公开不限于此。
如图10a和图10b中所示，第一轭192A的中心线可以位于相对于基线202朝向第一磁体130-2的中心线203的0至K的范围内。
例如，第一轭192A的中心线可以位于相对于基线202从基线202朝向第一磁体130-1的中心线203的0mm至0.5mm的范围内。
第一轭192a的中心线可以是穿过第一轭192a的中心并且与基线202或第一磁体130-1的中心线203平行的直线。此处，K可以是第一磁体130-1相对于基线202偏置的距离，如参照图10a所述。
例如，第一轭192a的中心线可以与基线202对准。
第一轭192a可以以关于基线202对称的方式来设置。这是考虑到第一轭192a的重心的布置。另外，如图10a和图10b中所示，第一轭192a可以以关于中心线203不对称的方式来设置。
第一轭192a的本体192-1可以在光轴方向上与第一磁体130-1的第一区域Area1和第二区域Area2重叠，第一轭192a的第一延伸部分192-2可以在光轴方向上与第一磁体130-1的第一区域Area1重叠，并且第一轭192a的第二延伸部分192-3可以在光轴方向上与第一磁体130-1的第二区域Area2重叠。
第一轭192a的水平长度L可以比第一磁体130-1的水平长度M小(L＜M)，然而，本公开不限于此。在另一个实施方案中，L＝M。
例如，第一延伸部分192-2和第二延伸部分192-3中的每一者可以定位成相比于靠近第一磁体130-1的第一侧表面53a而言更靠近第一磁体130-1的第二侧表面53b。例如，第一延伸部分192-2和第二延伸部分192-3中的每一者与第二侧表面53b之间的距离可以比第一延伸部分192-2和第二延伸部分192-3中的每一者与第一侧表面53a之间的距离短。
第一延伸部分192-2的水平长度L2可以比第一轭192a的本体192-1的水平长度L1小(L2＜L1)。第二延伸部分192-3的水平长度L3可以比第一轭192a的本体192-1的水平长度L1(L3＜L1)小。这用于防止由线圈120与第一磁体130-1之间的相互作用所产生的的电磁力的强度的减小。
例如，第一延伸部分192-2的水平长度L2和第二延伸部分192-3的水平长度L3可以彼此相等，然而，本公开不限于此。
在另一个实施方式中，L2和L3可以彼此不同。例如，第二延伸部分192-3的水平长度L3可以比第一延伸部分192-2的水平长度L2短。这用于减轻由于第一磁体130-1的偏置布置引起的电磁力强度的不平衡。
例如，第一延伸部分192-2的水平长度L2与第二延伸部分192-3的水平长度L3之比L2/L3可以是第一凹部10a的水平长度M1与第一凹部10b的水平长度M2之比M1/M2的正整数倍。例如，L2/L3＝M1/M2。
第一延伸部分192-2可以朝向第一磁体130-1的第一端部相对于第一凹部10a与第一磁体130-1的第一侧表面53a接合的拐角部突出。另外，第二延伸部分192-3可以朝向第一磁体130-1的第二端部相对于第二凹部10b与第一磁体130-1的第一侧表面53a接合的拐角部突出。
第一轭192a的本体192-1的竖向长度D1可以比第一磁体130-1的竖向长度R小，然而，本公开不限于此。在另一个实施方案中，D1＝R。
第一轭192a的厚度可以是0.01mm至3mm，然而，本公开不限于此。例如，第一轭192a的厚度可以为0.01mm至1mm。
在第一轭192a的厚度小于0.01mm的情况下，使由磁体130与第一线圈120之间的相互作用所产生的电磁力增大的效果可能微小。在第一轭192a的厚度超过3mm的情况下，第一轭192a的重量可能增加，从而透镜移动装置100的总重量可能很大地增加。
第一延伸部分192-2的竖向长度D2可以比本体192-1的竖向长度D1小(D2<D1)，并且第二延伸部分192-3的竖向长度D3可以比本体192-1的竖向长度D1小(D3＜D1)。
例如，D2和D3中的每一者可以小于或等于本体192-1的竖向长度D1的1/2(D2、D3≤D1/2)，然而，本公开不限于此。
例如，第一轭192a的水平长度L可以是第一磁体130-1的第二侧表面53b的水平长度M的80％至95％，然而，本公开不限于此。在L小于M的80％的情况下，由第一磁体130-1与线圈120之间的相互作用所产生的电磁力可能减小。在L超过M的95％的情况下，磁场干扰的效果可能增加。
另外，例如，第一轭192a的第一延伸部分192-2的竖向长度D2和第一轭192a的第二延伸部分192-3的竖向长度D3可以是第一磁体130-1的竖向长度R的10％至50％，然而，本公开不限于此。
在D2和D3小于R的10％的情况下，由第一磁体130-1与线圈120之间的相互作用所产生的电磁力可能减小。在D2和D3超过R的50％的情况下，磁场干扰的效果可能增加。
第一轭192a和第二轭192b中的每一者可以由磁性材料制成。因此，在第一延伸部分和第二延伸部分的尺寸较大的情况下，可能增加对OIS透镜移动装置1000的磁场干扰。因此，在一个实施方式中，D2和D3小于D1，以减小磁场干扰。
第一延伸部分192-2在光轴方向上可以不与第一凹部10a重叠，并且第二延伸部分192-3在光轴方向上可以不与第二凹部10b重叠。这用于增加由通过第一轭192a引起的线圈120与第一磁体130-1之间的相互作用所产生的电磁力的强度。
第一轭192a的本体192-1可以设置有至少一个通孔21a和21b以及切口部分22，所述至少一个通孔21a和21b构造成联接至壳体140的所述至少一个突出部15a和15b，切口部分22可以形成在所述至少一个通孔21a和21b中，粘合构件渗透到该切口部分22中。壳体140的所述至少一个突出部15a和15b可以联接至上弹性构件150的通孔25a和25b并联接至第一轭192a的通孔21a和21b，并且壳体140的突出部15a和15b、上弹性构件150的通孔25a和25b、以及第一轭192a的通孔21a和21b可以通过粘合构件联接至彼此。
在图9至图10b中，第一磁体130-1和第一轭192a的布置和尺寸的描述可以等同地应用于第一磁体130-2和第二轭192b。
图11a示出了根据另一实施方式的第一轭192a1的布置，并且图11b是图11a中所示的第一磁体130-1和第一轭192a1的放大图。
参照图11a和图11b，第一轭192al可以以关于第一磁体130-1的中心线203对称的方式来设置。
例如，第一轭192a1的本体可以以关于第一磁体130-1的中心线203对称的方式设置，并且第一轭192a1的第一延伸部分和第二延伸部分可以以关于第一磁体130-1的中心线203对称的方式设置。
另外，第一轭192al可以以关于基线202不对称的方式设置。
在图11a和图11b的实施方式中，根据图10a和10b的实施方式的第一轭192a移动了第一磁体130-1沿第一磁体130-1的中心线203相对于基线202移动的方向移动的距离K。
例如，第一轭192a1的中心线可以与第一磁体130-1的中心线203对准。
由于第一轭192a1是以关于第一磁体130-1的中心线203对称的方式设置的，因此可以获得由于以平衡方式设置的第一轭192a1而使线圈120与第一磁体130-1之间的电磁力的强度增加的效果。
另外，参照图11b，在另一个实施方式中，例如，第一轭192a1的中心线可以位于相对于第一磁体130-1的中心线203从基线202朝向第一磁体130-1的中心线203的0至K1的范围内(K1是正实数)。例如，K1＝K，然而，本公开不限于此。
参照图10a和图10b对第一轭192a的描述可以等同地应用于图11a和图11b，除了第一轭192a1的中心线的布置之外。
而且，在图11a和图11b中，对第一磁体130-1和第一轭192a1的布置的描述可以等同地应用于第二磁体130-2和第二轭192b。
图12示出了根据另一实施方式的第一轭192al的布置。
在图12中所示的实施方式中，第一磁体130-1的中心线203可以设置成与基线202对准。另外，第一轭192a1的第一凹部和第二凹部可以具有相同的尺寸。
例如，第一凹部10a的水平长度M1可以等于第二凹部的水平长度M2(M1＝M2)，并且第一凹部10a的竖向长度Q1可以等于第二凹部的竖向长度Q2(Q1＝Q2)。
第一磁体130-1可以以关于基线202对称的方式设置，并且第一轭192al可以以关于基线202对称的方式设置。
参照图10a和图10b对第一磁体130-1和第一轭192a的描述可以等同地应用于图12的实施方式，除了第一磁体130-1的中心线203与基线202对准并且第一凹部的尺寸和第二凹部的尺寸彼此相等之外。而且，在图12中，对第一磁体130-1和第一轭192a1的布置的描述可以等同地应用于第二磁体130-2和第二轭192b。
图13示出了根据另一实施方式的第一轭192a2。
参照图13，第一轭192a2可以包括本体192-1、第一延伸部分192-2、第二延伸部分192-3和第三延伸部分192-4。
第三延伸部分192-4可以从本体192-1、第一延伸部分192-2或第二延伸部分192-3中的至少一者延伸，并且可以弯曲至壳体140的第一侧部部分141的外表面。
例如，第三延伸部分192-4可以从本体192-1的一个侧表面、第一延伸部分192-2的一个侧表面和第二延伸部分192-3的一个侧表面延伸，并可以弯曲至壳体140的设置第一磁体130-1的第一侧部部分141的外表面。
第三延伸部分192-4的内表面可以与第一磁体130-1的第二侧表面53b邻接，然而，本公开不限于此。在另一个实施方式中，第三延伸部分192-4的内表面和第一磁体130-1的第二侧表面53b可以彼此间隔开。
第三延伸部分192-4的一个端部可以定位成高于第一磁体130-1的下端部，然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，第三延伸部分192-4的一个端部可以定位成低于第一磁体130-1的下端部。
第三延伸部分192-4可以使由线圈120与第一磁体130-1之间的相互作用所产生的电磁力的强度增加。
如图2中所示，第一轭192a和第二轭192b中的每一者可以设置在上弹性构件150的上表面上，然而，本公开不限于此。
在另一个实施方式中，第一轭和第二轭可以位于设置在壳体140的上表面上的上弹性构件150与设置在壳体140处的第一磁体130-1的上表面之间，并且可以设置在壳体140的第一侧部部分141处。
例如，根据实施方式的第一轭和第二轭可以位于上弹性构件150的下表面与壳体140的第一侧部部分的上表面之间，并且可以插入或安置到设置在壳体140的第一侧部部分141的上表面中的凹部中。
在另一个实施方式中，第一轭和第二轭可以插入或安置到设置在壳体140的第一侧部部分的位于壳体140的第一侧部部分的上表面与第一磁体的上表面之间的侧表面中的凹部中。
如图2中所示，第一轭192a设置成与第一磁体130-1间隔开，并且第二轭192b设置成与第二磁体130-2间隔开，然而，本公开不限于此。
在另一个实施方式中，第一轭192a可以设置在壳体140的位于上弹性构件150与设置在壳体140处的第一磁体130-1之间的第一侧部部分处。在这种情况下，第一轭192a的下表面可以接触第一磁体130-1的上表面，然而，本公开不限于此。在另一个实施方式中，第一轭192a的下表面和第一磁体130-1的上表面可以彼此间隔开。
另外，第二轭192b可以设置在壳体140的位于上弹性构件150与设置在壳体140处的第二磁体130-2之间的第一侧部部分处。在这种情况下，第二轭192b的下表面可以接触第二磁体130-2的上表面，然而，本公开不限于此。在另一个实施方式中，第二轭192b的下表面和第二磁体130-2的上表面可以彼此间隔开。
在图13中，对第一磁体130-1和第一轭192a1的布置的描述可以等同地应用于第二磁体130-2和第二轭。
图14a示出了根据另一实施方式的第一磁体130-1和第一轭192a3的布置。
参照图14a，第一轭192a3可以在壳体140的第一侧部部分处设置成邻接第一磁体130-1。例如，第一轭192a3的下表面可以接触第一磁体130-1的下表面。
第一轭192a3可以包括本体192-1、第一延伸部分192-2、第二延伸部分192-3和第三延伸部分192-4。
本体192-1、第一延伸部分192-2和第二延伸部分192-3可以设置在第一磁体130-1的上表面上，并且第三延伸部分192-4可以从本体192-1、第一延伸部分192-2、或第三延伸部分192-3中的至少一者弯曲至第一磁体130-1的第二侧表面53b。
图14b示出了图13的改型。
参照图14b，第一轭192a4可以包括本体192-1、第一延伸部分192-2、第二延伸部分192-3、第三延伸部分192-4和第四延伸部分192-5。
第四延伸部分192-5可以从第一延伸部分192-2延伸，然后可以弯曲至第一磁体130-1的第三侧表面，并且可以从第二延伸部分192-2延伸，然后可以弯曲至第一磁体130-1的第四侧表面。第一磁体130-1的第三侧表面和第四侧表面可以位于第一磁体130-1的第一侧表面53a与第二侧表面53b之间，并且可以面向彼此。
图13、图14a和图14b的第三延伸部分192-4或192-4a和第四延伸部分192-5可以使由第一磁体130-1与线圈120之间的相互作用所产生的电磁力的强度增加。
对图14a和图14b的第一磁体130-1和第一轭192a3或192a4的描述可以等同地应用于根据与相对应的实施方式的第二轭和第二磁体。
图15a示出了在不设置根据实施方式的轭单元190时取决于室温下的驱动电流的AF操作单元的位移和倾斜，并且图15b示出了图14a的AF操作单元的位移的倾斜值和AF操作单元的灵敏度。X轴表示施加至线圈120的驱动电流，并且该驱动电流的单位是mA。左侧Y轴表示AF操作单元的位移，并且AF操作单元的位移的单位可以是μm。右侧Y轴表示AF操作单元的位移图的倾斜。AF操作单元的灵敏度可以是AF操作单元的移动距离与施加至线圈120的驱动电流的比率。
参照图15a和图15b，AF操作单元的位移的倾斜值可以是0.033°，并且AF操作单元的灵敏度可以是4.108μm/mA。
图16a示出了在不设置根据实施方式的轭单元190时取决于99℃的环境温度下的驱动电流的AF操作单元的位移和倾斜，并且图16b示出了图16a的AF操作单元的位移的倾斜值和AF操作单元的灵敏度。
参照图16a和图16b，AF操作单元的位移的倾斜值可以是0.052°，并且AF操作单元的灵敏度可以是3.365μm/mA。
与图15b相比，图16b的AF操作单元的灵敏度减小了约18％。其原因在于，磁体130在环境温度升高时被去磁(demagnetization)。
图17a示出了在设置轭单元190时取决于室温下的驱动电流的AF操作单元的位移和倾斜，并且图17b示出了图17a的AF操作单元的位移的倾斜值和AF操作单元的灵敏度。
参照图17a和图17b，AF操作单元的灵敏度可以是4.519μm/mA。与图15b相比，图17b的AF操作单元的灵敏度可以增大约10％。其原因在于，由磁体130与线圈120之间的相互作用所产生的电磁力通过轭单元190被增大。
图18a示出了在设置轭单元190时取决于99℃的环境温度下的驱动电流的AF操作单元的位移和倾斜，并且图18b示出了图18a的AF操作单元的位移的倾斜值和AF操作单元的灵敏度。
参照图18a和18B，AF操作单元的灵敏度可以是4.316μm/mA。与图17b相比，图18b的AF操作单元的灵敏度由于因热引起的对磁体130的去磁而减少了约1.8％。
在图16b的未设置轭单元190的情况下，图16b的AF操作单元的灵敏度由于因热引起的对磁体130的去磁而减少了约18％。然而，在图18b的设置有轭单元190的情况下，图18b的AF操作单元的灵敏度由于因热引起的对磁体130的去磁而减小约1.8％。其原因在于，可以通过轭单元190来抑制因热引起的对磁体130的去磁。因此，在本实施方式中，可以抑制因热引起的对磁体130的去磁，从而可以抑制由线圈120与磁体130之间的相互作用而产生的电磁力的减小，并且从而精确地执行AF操作。
在实施方式中，如上所述，可以确保通过第一磁体130-1和第二磁体130-2以及轭单元190的AF驱动力，并且可以减小对相邻的透镜移动装置的磁场干扰。
根据上述实施方式的透镜移动装置100还可以包括位置传感器，该位置传感器设置在壳体140处以执行AF反馈。此时，位置传感器可以设置在壳体140的未设置磁体的侧部部分中的一个侧部部分处。
另外，透镜移动装置100还可以包括感测磁体，该感测磁体在线筒110处设置成与位置传感器相对应或相对。另外，透镜移动装置100还可以包括平衡磁体，该平衡磁体在线筒110处设置成与感测磁体相对应或相对。
根据以上实施方式的透镜移动装置100可以实现为相机模块或光学仪器，或者可以用于各种领域、比如相机模块或光学仪器的领域。
例如，根据实施方式的透镜移动装置100可以包括在光学仪器中，该光学仪器构造成使用反射、折射、吸收、干涉、衍射等光学特性形成空间中的物体的图像以增强眼睛的视觉力、记录或再现通过透镜形成的图像、执行光学测量、或者传播或传输图像。例如，根据实施方式的光学仪器可以包括配备有相机的智能电话或便携式终端。
图21是根据实施方式的相机模块200的分解立体图。
参照图21，相机模块200可以包括透镜或透镜镜筒400、透镜移动装置100、粘合构件612、滤光器610、第一保持件600、第二保持件800、图像传感器810、运动传感器820、控制器830和连接器840。
透镜或透镜镜筒400可以安装在透镜移动装置100的线筒110中。
第一保持件600可以设置在透镜移动装置100的基部210的下方。滤光器610可以安装至第一保持件600，并且第一保持件600可以设置有突出部，滤光器610安置在该突出部上。
粘合构件612可以将透镜移动装置100的基部210联接或粘合至第一保持件600。例如，粘合构件612可以是环氧树脂、热硬化粘合剂或紫外线硬化粘合剂。
滤光器610可以起到防止穿过透镜镜筒400的光的特定频带分量入射到图像传感器810上的作用。滤光器610可以是红外截止滤光器，然而，本公开不限于此。此时，滤光器610可以平行于x-y平面设置。
可以在第一保持件600的安装有滤光器610的区域中设置开口，穿过滤光器610的光通过该开口入射到图像传感器810上。
第二保持件800可以设置在第一保持件600的下方，并且图像传感器810可以安装在第二保持件600上。图像传感器810是下述区域：穿过滤光器610的光入射在该区域上以形成包含光的图像。
第二保持件800可以设置有各种电路、元件和控制器，以将形成在图像传感器810上的图像转换成电信号并将该电信号传输至外部设备。第二保持件800可以实现为电路板，图像传感器可以安装在该电路板上，在该电路板上可以形成电路图案，并且各种元件在该电路板上联接至彼此。第一保持件600也可以被称为“保持件”或“传感器基部”，并且第二保持件800也可以被称为“板”或“电路板”。
图像传感器810可以接收包含在通过透镜移动装置100入射的光中的图像，并且可以将接收到的图像转换成电信号。
滤光器610和图像传感器810可以设置成在第一方向上彼此相对的状态下彼此间隔开。
运动传感器820可以安装在第二保持件800上，并且可以经由第二保持件800上设置的电路图案而连接至控制器830。
运动传感器820基于相机模块200的运动输出关于旋转角速度的信息。运动传感器820可以实现为两轴或三轴陀螺仪传感器(Gyro Sensor)或角速度传感器。
控制器830安装在第二保持件800上。第二保持件800可以连接至透镜移动装置100。例如，第二保持件800可以连接至透镜移动装置100的第一线圈120。在透镜移动装置包括位置传感器的情况下，第二保持件800可以连接至位置传感器。
例如，可以通过第二保持件800向第一线圈120提供驱动信号。在透镜移动装置包括位置传感器的情况下，可以通过第二保持件800向位置传感器提供驱动信号。位置传感器的输出信号可以被发送至第二保持件800，并且位置传感器的输出信号可以被控制器830接收。
连接器840可以连接至第二保持件800，并且可以具有用于与外部设备连接的端口。
图22是根据实施方式的便携式终端200A的立体图，并且图23示出了图22中所示的便携式终端200A的结构。
参照图22和图23，便携式终端200A(下文中被称为“终端”)可以包括本体850、无线通信单元710、A/V输入单元720、感测单元740、输入/输出单元750、存储器单元760、接口单元770、控制器780和电源单元790。
图22中所示的本体850具有条形形状，然而，本公开不限于此。本体可以具有诸如滑动型结构、折叠型结构、摆动型结构和旋转型结构之类的各种结构中的任一种结构，在该本体中，两个或更多个子本体联接成能够相对于彼此移动。
本体850可以包括限定本体850的外观的壳(外壳、壳体、盖等)。例如，本体850可以被分成前壳851和后壳852。终端的各种电子部件可以安装在前壳851与后壳852之间限定的空间中。
无线通信单元710可以包括一个或更多个模块，所述一个或更多个模块实现了终端200A与无线通信系统之间或者终端200A与终端200A所定位的网络之间的无线通信。例如，无线通信单元710可以包括广播接收模块711、移动通信模块712、无线互联网模块713、近场通信模块714和位置信息模块715。
设置成输入音频信号或视频信号的A/V(音频/视频)输入单元720可以包括相机721和麦克风722。
相机721可以包括根据图21中所示的实施方式的相机模块200。
感测单元740可以感测终端200A的当前状态，比如终端200A的打开和关闭状态、终端200A的位置、用户是否接触终端、终端200A的取向、以及终端200A的加速/减速，以产生用于控制终端200A的操作的感测信号。例如，在终端200A是滑动式电话的情况下，感测单元可以感测滑动式电话是打开还是关闭的。另外，感测单元对是否从电源单元790提供了电力以及接口单元770是否联接至外部仪器进行感测。
输入/输出单元750设置成生成与视觉、听觉或触觉有关的输入或输出。输入/输出单元750可以生成用于控制终端200A的操作的输入数据，并且可以显示由终端200A处理的信息。
输入/输出单元750可以包括键盘单元730、显示面板751、声音输出模块752和触摸屏面板753。键盘730可以通过键盘输入生成输入数据。
显示面板751可以包括多个像素，多个像素的颜色根据电信号而改变。例如，显示面板751可以包括液晶显示器、薄膜晶体管-液晶显示器、有机发光二极管、柔性显示器或三维(3D)显示器中的至少一者。
声音输出模块752可以在呼叫信号接收模式、电话通信模式、记录模式、语音识别模式或广播接收模式中输出从无线通信单元710接收到的音频数据，或者可以输出存储在存储器单元760中的音频数据。
触摸屏面板753可以将由于使用者在触摸屏的特定区域上的触摸引起的电容变化转换成电输入信号。
存储器单元760可以存储用于控制器780处理和控制的程序，并且可以临时存储输入/输出数据(例如，电话簿、消息、音频、静止图像、图片和视频)。例如，存储器单元760可以存储由相机721拍摄的图像、比如图片或视频。
接口单元770用作用于终端200A与外部仪器之间的连接的路径。接口单元770可以从外部仪器接收数据，可以接收电力并且将接收到的电力传输至终端200A的内部部件，或者可以将终端200A中的数据传输至外部仪器。例如，接口单元770可以包括有线/无线耳机端口、外部充电器端口、有线/无线数据端口、存储卡端口、用于与具有识别模块的设备连接的端口、音频输入/输出(I/O)端口、视频输入/输出(I/O)端口和听筒端口。
控制器780可以控制终端200A的整体操作。例如，控制器780可以执行用于语音通信、数据通信和视频通信的相关控制和处理。
控制器780可以具有用于多媒体回放的多媒体模块781。多媒体模块781可以实现在控制器780中，或者可以与控制器780分开实现。
控制器780可以执行图案识别处理，该图案识别处理能够将在触摸屏上执行的书写输入或绘图输入分别识别为文本或图像。
电源单元790可以在控制器780的控制下接收外部电力和内部电力，并向各个部件供应所需的电力。
在以上实施方式中所描述的特征、结构和效果包括在至少一个实施方式中，但不仅限于一个实施方式。此外，各个实施方式所属领域的技术人员可以在其他实施方式中组合或修改每个实施方式中所示出的特征、结构和效果。因此，应当理解的是，这样的组合和改型落入本公开的范围内。
【工业实用性】
各实施方式可以用于能够确保AF驱动力并减小对相邻的透镜移动装置的磁场干扰的透镜移动装置、以及包括该透镜移动装置的相机模块和光学仪器。

Claims (10)

1.一种透镜移动装置，包括：
壳体；
线筒，所述线筒设置在所述壳体中；
线圈，所述线圈设置在所述线筒处；
磁体，所述磁体设置在所述壳体的侧部部分处，所述磁体包括面向所述线圈的第一侧表面和与所述第一侧表面相反的第二侧表面；以及
轭，所述轭设置在所述壳体的上部部分处以在光轴方向上与所述磁体重叠，其中，
所述磁体的中心线位于相对于基线的一侧处，
在所述磁体的第一端部中设置第一凹部，所述第一凹部与所述磁体的所述第一侧表面的一个端部邻接，
在所述磁体的第二端部中设置第二凹部，所述第二凹部与所述磁体的所述第一侧表面的另一端部邻接，
所述基线是穿过所述壳体的中心并与所述壳体的设置所述磁体的所述侧部部分的外表面垂直的直线，并且
所述磁体的所述中心线是穿过所述磁体的在所述磁体的所述第一端部与所述第二端部之间的中心并与所述磁体的所述第一侧表面垂直的直线。
2.根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，
所述第一凹部是通过对位于所述磁体的所述第一端部处的一个拐角部进行倒角形成的，并且
所述第二凹部是通过对位于所述磁体的所述第二端部处的一个拐角部进行倒角形成的。
3.根据权利要求2所述的透镜移动装置，其中，
所述第二凹部的水平长度比所述第一凹部的水平长度长，并且
所述第二凹部的水平方向和所述第一凹部的水平方向中的每一者均是与从所述磁体的所述第一端部至所述第二端部的方向平行的方向。
4.根据权利要求2所述的透镜移动装置，其中，
所述磁体的所述中心线与所述基线间隔开K(K为正实数)，
K大于0mm且等于或小于0.5mm。
5.根据权利要求3所述的透镜移动装置，其中，所述轭的中心线位于相对于所述基线从所述基线朝向所述磁体的所述中心线的0mm至0.5mm的范围内。
6.根据权利要求3所述的透镜移动装置，其中，
所述磁体的所述第二侧表面的水平长度比所述磁体的所述第一侧表面的水平长度长，并且
所述磁体的所述第一侧表面的水平方向和所述磁体的所述第二侧表面的水平方向中的每一者均是与从所述磁体的所述第一端部至所述第二端部的方向平行的方向。
7.根据权利要求6所述的透镜移动装置，其中，所述轭包括：
本体；
第一延伸部分，所述第一延伸部分连接至所述本体，所述第一延伸部分从所述磁体的所述中心线朝向所述磁体的所述第一端部延伸；以及
第二延伸部分，所述第二延伸部分连接至所述本体，所述第二延伸部分从所述磁体的所述中心线朝向所述磁体的所述第二端部延伸。
8.根据权利要求7所述的透镜移动装置，其中，
所述第一延伸部分的竖向长度和所述第二延伸部分的竖向长度中的每一者均比所述本体的竖向长度小，并且
所述第一延伸部分的竖向方向、所述第二延伸部分的竖向方向和所述本体的竖向方向中的每一者均是与所述磁体的所述第一侧表面的所述水平方向垂直的方向。
9.根据权利要求7所述的透镜移动装置，其中，所述轭是以关于所述基线对称的方式设置的，并且是以关于所述磁体的所述中心线不对称的方式设置的。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的透镜移动装置，还包括：
上弹性构件，所述上弹性构件联接至所述壳体的所述上部部分，其中，
所述轭设置在所述上弹性构件上，并且
所述壳体包括联接至所述上弹性构件并联接至所述轭的突出部。
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