CN110615664A - 卫生陶器以及卫生陶器的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种卫生陶器，其具备陶器坯体、位于所述陶器坯体的表面的上釉层、以及位于所述陶器坯体与所述上釉层之间的中间层，并且满足将所述上釉层沿厚度方向切断而成的剖切面的气泡的面积相对于该剖切面的面积的比例在3％以下、将所述上釉层沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡的平均气泡径在50μm以下、以及所述上釉层的厚度的最大值与所述上釉层的厚度的最小值之差在50μm以下这些情况中的至少一个。

Description

卫生陶器以及卫生陶器的制造方法
技术领域
本公开涉及卫生陶器以及卫生陶器的制造方法。
背景技术
以往，为了抑制污垢的附着或者使外观的设计性良好，对于便器、洗脸池等卫生陶器在最表面形成有上釉层(釉料层)。
近年，针对卫生陶器所设置的卫生间空间、洗漱空间，不仅是卫生性，也有要求高档感、品质的需要。在不单单是色彩、形状之类的设计性的部分感受品质。作为表示品质的指标之一而举出映像性。映像性是表现映入于卫生陶器的表面的图像的鲜明程度的特性，所映入的图像越鲜明则判断为映像性越高。映像性高的卫生陶器给予高品质的印象。例如，在日本特开2012-72609号公报中，提出了一种在陶器坯体表面形成有提高了映像性的釉料层的卫生陶器。在日本特开2005-298250号公报中，提出了一种在陶器坯体表面形成有着色性的第一釉料层，并且在其上形成有透明性的第二釉料层的卫生陶器。在日本特开2005-298250号公报的卫生陶器中，谋求表面平滑性的提高与耐热冲击性的提高。
作为表示品质的指标之一而举出“厚重”。“厚重”是卫生陶器的表面的上釉层的进深的深浅的表现，通过人的视觉来确认。“厚重”被认可的卫生陶器给予高品质的印象。作为表示品质的指标之一而举出卫生陶器的“美观度”。“美观度”是从卫生陶器的光亮度、色彩度、透明感等感受到的综合的美感。“美观度”被认可的卫生陶器给予高品质的印象。然而，在日本特开2012-72609号公报的公开中，并没有考虑卫生陶器的“厚重”。在日本特开2005-298250号公报的卫生陶器中，尚未能够满足卫生陶器的“美观度”。
发明内容
本公开的目的在于提供一种能够进一步提高“厚重”以及“美观度”中的至少一个的卫生陶器。
一般地，对于映像性较高的卫生陶器而言，映入卫生陶器的表面的图像鲜明，容易给予高品质的印象。但是，本发明人等进行了深刻研究，其结果是，映像性高的卫生陶器不限于感知进深的深浅，并且找不到与“厚重”以及“美观度”的相关性。本公开从与映像性不同的观点出发，寻求卫生陶器的高档感、品质。
本公开提供一种实现上述目的的卫生陶器，该卫生陶器具备：陶器坯体、位于上述陶器坯体的表面的上釉层、以及位于上述陶器坯体与上述上釉层之间的中间层，并且满足将上述上釉层沿厚度方向切断而成的剖切面的气泡的面积相对于该剖切面的面积的比例在3％以下、将上述上釉层沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡的平均气泡径在50μm以下、以及上述上釉层的厚度的最大值与上述上釉层的厚度的最小值之差在50μm以下这些情况中的至少一个。
附图说明
图1是本公开的一实施方式所涉及的卫生陶器的剖视图。
图2是本公开的一实施方式所涉及的卫生陶器的上釉层的DTA曲线的一个例子。
具体实施方式
[卫生陶器]
图1所示的卫生陶器1具备陶器坯体10、位于陶器坯体10的表面的上釉层30、以及位于陶器坯体10与上釉层30之间的中间层20。
在本说明书中，“卫生陶器”是指在卫生间以及盥洗室周围所使用的陶器产品。作为卫生陶器1，例如举出小便器、便器、便器水箱、洗脸台的洗脸池、洗手池等。在本说明书中，“陶器”是指在原料中使用长石、陶石、高岭土、粘土，在表面涂覆釉料来烧制而成的器皿。
卫生陶器1的厚度T1没有特别的限定。厚度T1的下限值优选为1mm。厚度T1的下限值更优选为2mm。厚度T1的下限值进一步优选为3mm。厚度T1的上限值优选为50mm。厚度T1的上限值更优选为30mm。厚度T1的上限值进一步优选为20mm。例如，厚度T1的范围优选为1～50mm。厚度T1的范围更优选为2～30mm。厚度T1的范围进一步优选为3～20mm。若厚度T1在上述下限值以上(1mm以上)，则容易提高卫生陶器1的强度。若厚度T1在上述上限值以下(50mm以下)，则能够使卫生陶器1轻型化，容易进行操作。卫生陶器1的厚度T1例如能够使用游标卡尺来测定。
卫生陶器1的映像性优选为80以上。卫生陶器1的映像性更优选为85以上。卫生陶器1的映像性进一步优选为90以上。若卫生陶器1的映像性为上述下限值以上(80以上)，则容易给予高品质的印象。卫生陶器1的映像性的上限值虽没有特别的限定，但实质在99以下。卫生陶器1的映像性优选为80以上99以下。卫生陶器1的映像性更优选为85以上99以下。卫生陶器1的映像性进一步优选为90以上99以下。在本说明书中，映像性是指通过波扫描DOI测定装置(由BYK Gardner公司生产，Wave-Scan-DUAL)测定的DOI值。
作为陶器坯体10，举出使用石膏模或者树脂模将陶器坯体组成物(也称为陶器坯体泥浆)成型为规定的形状，并在1100～1300℃下烧制而成的坯体。陶器坯体组成物作为原料而包含从长石、陶石、高岭土以及粘土等选择的1种以上。陶器坯体组成物含有水。相对于陶器坯体组成物的总质量的水的含量的范围优选为30～50质量％。相对于陶器坯体组成物的总质量的水的含量的范围更优选为30～40质量％。
陶器坯体10的厚度T10没有特别的限定。陶器坯体10的厚度T10的下限值优选为1mm。陶器坯体10的厚度T10的下限值更优选为2mm。陶器坯体10的厚度T10的下限值进一步优选为3mm。陶器坯体10的厚度T10的上限值优选为50mm。陶器坯体10的厚度T10的上限值更优选为30mm。陶器坯体10的厚度T10的上限值进一步优选为20mm。例如，陶器坯体10的厚度T10的范围优选为1～50mm。陶器坯体10的厚度T10的范围更优选为2～30mm。陶器坯体10的厚度T10的范围进一步优选为3～20mm。若厚度T10为上述下限值以上(1mm以上)，则容易提高陶器坯体10的强度。若厚度T10为上述上限值以下(50mm以下)，则能够使陶器坯体10轻型化，容易进行操作。陶器坯体10的厚度T10例如能够使用游标卡尺来测定。
上釉层30是卫生陶器用的上釉层组成物(以下，也简称为上釉层组成物)的烧制物。上釉层30是用于形成位于卫生陶器1的最表面的层的由釉(釉料)形成的层。上釉层组成物是所谓的釉料。上釉层组成物是釉原料分散于水而成的浆料(泥浆)。釉原料是从硅砂、长石、石灰以及粘土等中选择的1种以上。相对于上釉层组成物的总质量的水的含量的范围优选为40～80质量％。相对于上釉层组成物的总质量的水的含量的范围更优选为40～70质量％。
上釉层组成物所包含的固体成分的平均粒径优选为20μm以下。固体成分的平均粒径更优选为15μm以下。固体成分的平均粒径进一步优选为10μm以下。若上釉层组成物所包含的固体成分的平均粒径为上述上限值以下(20μm以下)，则容易降低上釉层组成物所包含的固体成分的熔融开始温度。上釉层组成物所包含的固体成分的平均粒径的下限值虽没有特别的限定，但例如在0.1μm以上。上釉层组成物所包含的固体成分的平均粒径的范围优选为0.1μm以上20μm以下。上釉层组成物所包含的固体成分的平均粒径的范围更优选为0.1μm以上15μm以下。上釉层组成物所包含的固体成分的平均粒径的范围进一步优选为0.1μm以上10μm以下。上釉层组成物所包含的固体成分的平均粒径例如能够通过将釉原料粉碎来进行调整。作为将釉原料粉碎的工具，例如举出球磨机。
在本说明书中，“平均粒径”是指50％平均粒径(D50)。D50是个数基准下的中值粒径，并且是指累积分布中的50％的平均粒径。粒径例如能够使用激光衍射式粒度分布测定器(日机装株式会社生产，“MT3300EX(型号)”)来测定。上釉层组成物所包含的固体成分是上釉层组成物的干燥物。
作为上釉层组成物，举出含有5～25质量份硅砂、20～40质量份长石、5～15质量份石灰、以及1～5质量份粘土的组成物。上釉层组成物优选为除了上述以外还含有玻璃料。玻璃料是在1300℃以上的温度下将玻璃原料熔融后对其进行冷却而成的非晶质的玻璃。由于上釉层组成物含有玻璃料，从而容易降低上釉层组成物的熔融开始温度。除此之外，由于上釉层组成物含有玻璃料，容易使上釉层组成物更加均匀地熔融，容易减少上釉层中的气泡。列举出组成物来作为玻璃原料，该组成物相对于玻璃原料的总质量，含有40～70质量％的二氧化硅(SiO2)、5～15质量％的氧化铝(Al2O3)、以及10～50质量％的氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、氧化钙(CaO)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)以及氧化硼(B2O3)的合计。玻璃原料的各成分的含量的合计以相对于玻璃原料的总质量不超过100质量％的方式进行调整。
在上釉层组成物含有玻璃料的情况下，玻璃料的含量的下限值相对于上釉层组成物所包含的固体成分的总质量优选为50质量％。玻璃料的含量的下限值相对于上釉层组成物所包含的固体成分的总质量更优选为70质量％。玻璃料的含量的上限值相对于上釉层组成物所包含的固体成分的总质量也可以为100质量％。例如，玻璃料的含量的范围相对于上釉层组成物所包含的固体成分的总质量优选为50～100质量％。玻璃料的含量的范围相对于上釉层组成物所包含的固体成分的总质量更优选为70～100质量％。若玻璃料的含量为上述下限值以上(50质量％)，则容易降低上釉层组成物的熔融开始温度。玻璃料的含量以相对于上釉层组成物所包含的固体成分的总质量不超过100质量％的方式进行调整。
上釉层组成物的熔融开始温度能够以第一熔融温度、第二熔融温度以及第三熔融温度中的任一个规定。第一熔融温度通过下述测定方法1-1来测定。
＜测定方法1-1＞
将氧化铝粉末作为基准物质，将卫生陶器用的上釉层组成物的干燥物作为试料粉末而进行DTA测定，并求出DTA曲线。在所得的DTA曲线的超700℃的区域中，将电位差ΔV变小的最初的拐点上的基准物质的温度作为第一熔融温度。电位差ΔV对应于从试料粉末的温度减去基准物质的温度所得的值ΔT。在比第一熔融温度靠高温侧的区域中，将电位差ΔV变大的最初的拐点上的基准物质的温度作为第二熔融温度。
DTA曲线通过使用差示热分析(DTA)装置进行DTA测定而求得。DTA测定也可以是TG-DTA测定(热重量差示热分析测定)。DTA测定将氧化铝粉末作为基准物质，将上釉层组成物的干燥物作为试料粉末。上釉层组成物的干燥物例如通过将上釉层组成物加热至20～110℃并使水分蒸发而得。相对于上釉层组成物的干燥物的总质量的水分量例如为0～1质量％。在DTA测定中，通过一定的程序使试料粉末的温度以及基准物质的温度变化，同时测定电位差ΔV来作为温度的函数。电位差ΔV对应于从试料粉末的温度减去基准物质的温度所得的值ΔT((试料粉末的温度)-(基准物质的温度))。在DTA曲线中，将在基准物质的温度超700℃的区域内出现的拐点之中电位差ΔV变小的最初的拐点作为第一拐点。将第一拐点上的基准物质的温度作为第一熔融温度。将在比第一熔融温度靠高温侧的区域内出现的拐点之中电位差ΔV变大的最初的拐点作为第二拐点。将第二拐点上的基准物质的温度作为第二熔融温度。
图2的TG-DTA的图表是在进行了形成卫生陶器1的上釉层30的上釉层组成物的TG-DTA测定时得到的。在TG-DTA的图表中，横轴表示基准物质的温度(℃)。纵轴的第一轴表示试料粉末的质量变化(质量％)。纵轴的第二轴表示电位差ΔV(μV)。电位差ΔV对应于从试料粉末的温度减去基准物质的温度所得的值ΔT。在图2中，曲线C1表示TG曲线。曲线C2表示DTA曲线。对于曲线C2而言，电位差ΔV与基准物质的温度的上升一同增大，在基准物质的温度超700℃的区域内出现第一拐点P1。对于第一拐点P1而言，认为上釉层组成物开始熔融，上釉层组成物的玻璃构造开始松软。第一拐点P1通过沿曲线C2的倾斜度(ΔV的增加量/基准物质的温度的增加量)为最大时的曲线C2所引出的切线、与沿曲线C2的倾斜度为最小时的曲线C2所引出的切线的交点而被给出。第一拐点P1处的基准物质的温度为第一熔融温度。第一熔融温度是与一般的TG-DTA的图表中的外推熔融开始温度的求取方法相同地求出的(参照JIS K7121-1987)。曲线C2具有当第一拐点P1出现后ΔV减少，然后ΔV再次增大的第二拐点P2。对于第二拐点P2而言，认为上釉层组成物熔融，上釉层组成物的玻璃构造完全松软。第二拐点P2通过沿C2的倾斜度为最小时的C2所引出的切线、与沿C2的倾斜度为正时的C2所引出的切线的交点而被给出。第二拐点P2处的基准物质的温度为第二熔融温度。第二熔融温度是与一般的TG-DTA的图表中的熔融峰值温度的求取方法相同地求出的(参照JIS K7121-1987)。
在DTA测定中，基准物质的质量的下限值优选为5mg。基准物质的质量的上限值优选为50mg。例如，基准物质的质量的范围优选为5～50mg。在DTA测定中，试料粉末的质量的下限值优选为5mg。试料粉末的质量的上限值优选为50mg。例如，试料粉末的质量的范围优选为5～50mg。在DTA测定中，得到上釉层组成物的干燥物时的加热温度的下限值优选为20℃。得到上釉层组成物的干燥物时的加热温度的上限值优选为110℃。例如，得到上釉层组成物的干燥物时的加热温度的范围优选为20～110℃。在DTA测定中，对试料粉末进行加热时的升温速度的下限值优选为2℃/分。对试料粉末进行加热时的升温速度的上限值优选为10℃/分。例如，对试料粉末进行加热时的升温速度的范围优选为2～10℃/分。
上釉层组成物的第一熔融温度的下限值优选为800℃。上釉层组成物的第一熔融温度的下限值更优选为820℃。上釉层组成物的第一熔融温度的下限值进一步优选为840℃。上釉层组成物的第一熔融温度的上限值优选为1050℃。上釉层组成物的第一熔融温度的上限值更优选为1000℃。上釉层组成物的第一熔融温度的上限值进一步优选为950℃。例如，上釉层组成物的第一熔融温度的范围优选为800～1050℃。上釉层组成物的第一熔融温度的范围更优选为820～1000℃。上釉层组成物的第一熔融温度的范围进一步优选为840～950℃。若上釉层组成物的第一熔融温度为上述下限值以上(800℃以上)，则容易抑制对上釉层组成物进行烧制时的气泡的产生。若上釉层组成物的第一熔融温度为上述上限值以下(1000℃以下)，则容易使烧制上釉层组成物时产生的气泡向大气中扩散。
第二熔融温度通过上述测定方法1-1来测定。上釉层组成物的第二熔融温度的下限值优选为850℃。上釉层组成物的第二熔融温度的下限值更优选为870℃。上釉层组成物的第二熔融温度的下限值进一步优选为900℃。上釉层组成物的第二熔融温度的上限值优选为1150℃。上釉层组成物的第二熔融温度的上限值更优选为1100℃。上釉层组成物的第二熔融温度的上限值进一步优选为1050℃。例如，上釉层组成物的第二熔融温度的范围优选为850～1150℃。上釉层组成物的第二熔融温度的范围更优选为870～1100℃。上釉层组成物的第二熔融温度的范围进一步优选为900～1050℃。若上釉层组成物的第二熔融温度为上述下限值以上(850℃以上)，则容易抑制烧制上釉层组成物时的气泡的产生。若上釉层组成物的第二熔融温度为上述上限值以下(1150℃以下)，则容易使烧制上釉层组成物时产生的气泡向大气中扩散。
上釉层组成物的第二熔融温度与第一熔融温度之差(也称为上釉层熔融温度差)的下限值优选为50℃。上釉层熔融温度差的下限值更优选为60℃。上釉层熔融温度差的下限值进一步优选为70℃。上釉层熔融温度差的上限值优选为120℃。上釉层熔融温度差的上限值更优选为100℃。上釉层熔融温度差的上限值进一步优选为90℃。例如，上釉层熔融温度差的范围优选为50～120℃。上釉层熔融温度差的范围更优选为60～100℃。上釉层熔融温度差的范围进一步优选为70～90℃。若上釉层熔融温度差为上述下限值以上(50℃以上)，则容易缩小烧制上釉层组成物时产生的气泡的平均气泡径。若上釉层熔融温度差为上述上限值以下(120℃以下)，则容易抑制烧制上釉层组成物时的气泡的产生。上釉层熔融温度差通过从上釉层组成物的第二熔融温度减去上釉层组成物的第一熔融温度来求出。
上釉层组成物的第一熔融温度能够通过釉原料的种类、釉原料的调配比例、上釉层组成物的固体成分的平均粒径、以及它们的组合来调整。上釉层组成物的第二熔融温度能够与上釉层组成物的第一熔融温度相同地进行调整。
第三熔融温度通过下述测定方法1-2来测定。
＜测定方法1-2＞
对卫生陶器用的上釉层组成物的干燥物进行加压成形而得到圆柱状试料。对所得的圆柱状试料边进行加热边照射光。测定由圆柱状试料的表面反射的反射光的光量。将反射光的光量成为开始发光时检测到的反射光的光量的10倍以上的最初的温度作为第三熔融温度。
在测定方法1-2中，通过对卫生陶器用的上釉层组成物的干燥物进行加压成形而得到圆柱状试料。圆柱状试料的直径的下限值优选为2mm。圆柱状试料的直径的上限值优选为10mm。例如，圆柱状试料的直径的范围优选为2～10mm。圆柱状试料的高度的下限值优选为5mm。圆柱状试料的高度的上限值优选为20mm。例如，圆柱状试料的高度的范围优选为5～20mm。圆柱状试料的质量的下限值优选为100mg。圆柱状试料的质量的上限值优选为500mg。例如，圆柱状试料的质量的范围优选为100～500mg。对上釉层组成物的干燥物进行加压成形时的压力的下限值优选为10MPa。对上釉层组成物的干燥物进行加压成形时的压力的上限值优选为50MPa。例如，对上釉层组成物的干燥物进行加压成形时的压力的范围优选为10～50MPa。反射光的光量是由带长焦镜头的数字照相机拍摄，并通过图像处理系统而换算成像素数的值。对圆柱状试料进行加热时的反射光的光量每隔1℃就被测定一次。“开始发光”是指由圆柱状试料的表面反射的反射光的光量不为0的时候。对圆柱状试料进行加热时的升温速度的下限值优选为1℃/分。对圆柱状试料进行加热时的升温速度的上限值优选为10℃/分。例如，对圆柱状试料进行加热时的升温速度的范围优选为1～10℃/分。向圆柱状试料照射的光的光量的下限值优选为500流明。向圆柱状试料照射的光的光量的上限值优选为2000流明。例如，向圆柱状试料照射的光的光量的范围优选为500～2000流明。对于第三熔融温度而言，认为上釉层组成物开始熔融，上釉层组成物的玻璃构造完全松软。
上釉层组成物的第三熔融温度的下限值优选为850℃。上釉层组成物的第三熔融温度的下限值更优选为870℃。上釉层组成物的第三熔融温度的下限值进一步优选为900℃。上釉层组成物的第三熔融温度的上限值优选为1150℃。上釉层组成物的第三熔融温度的上限值更优选为1100℃。上釉层组成物的第三熔融温度的上限值进一步优选为1050℃。例如，上釉层组成物的第三熔融温度的范围优选为850～1150℃。上釉层组成物的第三熔融温度的范围更优选为870～1100℃。上釉层组成物的第三熔融温度的范围进一步优选为900～1050℃。若上釉层组成物的第三熔融温度为上述下限值以上(850℃以上)，则容易抑制烧制上釉层组成物时的气泡的产生。若上釉层组成物的第三熔融温度为上述上限值以下(1150℃以下)，则容易使烧制上釉层组成物时产生的气泡向大气中扩散。
能够与上釉层组成物的第一熔融温度相同地调整上釉层组成物的第三熔融温度。
在从具备上釉层30的卫生陶器1求出上釉层30的熔融开始温度的情况下，第一熔融温度、第二熔融温度通过下述测定方法2-1来测定。
＜测定方法2-1＞
将氧化铝粉末作为基准物质，将上釉层30的粉末作为试料粉末而进行DTA测定，求出DTA曲线。在所得的DTA曲线的超700℃的区域中，将电位差ΔV(μV)变小的最初的拐点上的基准物质的温度作为第一熔融温度。电位差ΔV(μV)对应于从试料粉末的温度减去基准物质的温度所得的值ΔT。在比第一熔融温度靠高温侧的区域中，将电位差ΔV变大的最初的拐点上的基准物质的温度作为第二熔融温度。
上釉层30的粉末是通过适当地切出上釉层30并对其进行研磨等而得到的。DTA测定的条件与上述测定方法1-1中的DTA测定的条件相同。上釉层30的第一熔融温度与上釉层组成物的第一熔融温度相同。上釉层30的第二熔融温度与上釉层组成物的第二熔融温度相同。上釉层30的第二熔融温度与第一熔融温度之差和上釉层组成物的第二熔融温度与第一熔融温度之差(上釉层熔融温度差)相同。
在从具备上釉层30的卫生陶器1求出上釉层30的第三熔融温度的情况下，通过下述测定方法2-2来测定。
＜测定方法2-2＞
对上釉层30的粉末进行加压成形而得到圆柱状试料。边对所得的圆柱状试料进行加热边照射光。对由圆柱状试料的表面反射的反射光的光量进行测定。将反射光的光量成为开始发光时检测到的反射光的光量的10倍以上的最初的温度作为第三熔融温度。
上釉层30的粉末是通过适当地切出上釉层30并对其进行研磨等而得到的。得到圆柱状试料时的条件与上述测定方法1-2中得到圆柱状试料时的条件相同。上釉层30的第三熔融温度与上釉层组成物的第三熔融温度相同。
在本说明书中，“气泡”是指实际上被包含在上釉层30以及中间层20的气泡。气泡例如是由于氧化反应、分解反应、以及空隙等的至少一个而产生的。对于氧化反应而言，上釉层30、陶器坯体10、以及中间层组成物的至少一个所包含的成分成为基础。对于分解反应而言，上釉层30、陶器坯体10、以及中间层组成物的至少一个所包含的成分成为基础。空隙被包含于上釉层30、陶器坯体10、以及中间层组成物的至少一个中。对于气泡而言，在通过显微镜等观察上釉层30的剖切面而得到的图像中，使用图像处理软件将图像的亮度二值化，将相对较暗的部位判断为气泡，由此对气泡进行计数。对于所计数的气泡的大小而言，对剖切面中的气泡进行正圆换算，直径为2μm以上。
例如按照以下的步骤求出所计数的气泡。使用小型试料切割机将卫生陶器1沿上釉层30的厚度方向切断。利用显微镜(奥利巴斯(株式会社)生产，DSX510)，以倍率125倍对所切断的剖切面进行观察。在所观察的图像中，使用图像处理软件对图像的亮度进行二值化处理，根据相对较暗的部位各自的面积，将πμm2(直径为2μm的气泡的等价面积)以上的部位检测作为气泡。
将上釉层30沿厚度方向切断而成的剖切面的气泡的面积相对于该剖切面的面积的比例(以下，也称为“上釉层30的气泡面积率”)在3％以下。上釉层30的气泡面积率优选为2.30％以下。上釉层30的气泡面积率更优选为2％以下。上釉层30的气泡面积率进一步优选为1.53％以下。上釉层30的气泡面积率尤其优选为1.26％以下。上釉层30的气泡面积率最优选为0.95％。若上釉层30的气泡面积率在上述上限值以下(3％以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因上釉层30中的气泡而发生漫反射的情况。因此，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，若上釉层30的气泡面积率在上述上限值以下(3％以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因上釉层30中的气泡而发生漫反射的情况。因此，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。上釉层30的气泡面积率的下限值虽没有特别的限定，但通常为0.01％以上。例如，上釉层30的气泡面积率优选为0.01％以上3％以下。上釉层30的气泡面积率更优选为0.01％以上2.30％以下。上釉层30的气泡面积率进一步优选为0.01％以上2％以下。上釉层30的气泡面积率进一步优选为0.01％以上1.53％以下。上釉层30的气泡面积率尤其优选为0.01％以上1.26％以下。上釉层30的气泡面积率最优选为0.01％以上0.95％以下。上釉层30的气泡面积率(％)是通过将使用上述的显微镜等观察的图像中检测到的气泡的总面积(mm2)除以所观察的图像中的视野面积(mm2)而求出的。
将上釉层30沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡的平均气泡径(以下，也称为“上釉层30的平均气泡径”)优选为50μm以下。上釉层30的平均气泡径更优选为40μm以下。上釉层30的平均气泡径进一步优选为30μm以下。上釉层30的平均气泡径尤其优选为24μm以下。上釉层30的平均气泡径最优选为15μm以下。若上釉层30的平均气泡径在上述上限值以下(50μm以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因上釉层30中的气泡而发生漫反射的情况。因此，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，若上釉层30的平均气泡径在上述上限值以下(50μm以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因上釉层30中的气泡而发生漫反射的情况。因此，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。上釉层30的平均气泡径的下限值为2μm。例如，上釉层30的平均气泡径优选为2μm以上50μm以下。上釉层30的平均气泡径更优选为2μm以上40μm以下。上釉层30的平均气泡径进一步优选为2μm以上30μm以下。上釉层30的平均气泡径尤其优选为2μm以上24μm以下。上釉层30的平均气泡径最优选为2μm以上15μm以下。上釉层30的平均气泡径(μm)是在使用上述的显微镜等观察的图像中，根据被检测为气泡的部分各自的面积，通过正圆换算计算气泡径(直径)，并用气泡径的合计除以检测到的气泡数所得的平均值。
将上釉层30沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡数(以下，也称为“上釉层30的剖切面中的气泡数”)优选为每1mm2在120个以下。上釉层30的剖切面中的气泡数更优选为100个以下。上釉层30的剖切面中的气泡数进一步优选为80个以下。上釉层30的剖切面中的气泡数进一步优选为67个以下。上釉层30的剖切面中的气泡数尤其优选为48个以下。上釉层30的剖切面中的气泡数最优选为27个以下。若上釉层30的剖切面中的气泡数为上述上限值以下(120个以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因上釉层30中的气泡而发生漫反射的情况。因此，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，若上釉层30的剖切面中的气泡数为上述上限值以下(120个以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因上釉层30中的气泡而发生漫反射的情况。因此，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。上釉层30的剖切面中的气泡数的下限值虽没有特别的限定，但通常为1个以上。例如，上釉层30的剖切面中的气泡数优选为每1mm2为1个以上120个以下。上釉层30的剖切面中的气泡数更优选为每1mm2为1个以上100个以下。上釉层30的剖切面中的气泡数进一步优选为每1mm2为1个以上80个以下。上釉层30的剖切面中的气泡数进一步优选为每1mm2为1个以上67个以下。上釉层30的剖切面中的气泡数尤其优选为每1mm2为1个以上48个以下。上釉层30的剖切面中的气泡数最优选为每1mm2为1个以上27个以下。上釉层30的剖切面中的气泡数(个/mm2)通过将在使用上述显微镜等观察的图像中检测到的气泡的数量除以所观察的图像中的视野面积(mm2)而求出。
上釉层30的厚度T30的下限值优选为100μm。厚度T30的下限值更优选为150μm。厚度T30的下限值进一步优选为200μm。厚度T30的下限值尤其优选为242μm。厚度T30的下限值最优选为253μm。厚度T30的上限值优选为1000μm。厚度T30的上限值更优选为800μm。厚度T30的上限值进一步优选为600μm。厚度T30的上限值尤其优选为500μm。厚度T30的上限值最优选为349μm。例如，厚度T30的范围优选为100μm以上。厚度T30的范围更优选为100～1000μm。厚度T30的范围进一步优选为150～800μm。厚度T30的范围进一步优选为200～600μm。厚度T30的范围尤其优选为242～500μm。厚度T30的范围最优选为253～349μm。若厚度T30为上述下限值以上(100μm以上)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。若厚度T30在上述上限值以下(1000μm以下)，则容易将上釉层组成物中的气泡向上釉层30的外部释放。
例如按照以下的步骤求出上釉层30的厚度T30。使用小型试料切割机将卫生陶器1沿上釉层30的厚度方向切断。利用显微镜(奥利巴斯(株式会社)生产，DSX510)，以倍率125倍对所切断的剖切面进行观察。在所观察的图像中，在任意的20个部位对上釉层30与中间层20的分界线(也称为上中分界线)、和上釉层30的表面的距离进行测定。将测定出的距离的算术平均值作为上釉层30的厚度T30。切断卫生陶器1的部位没有特别的限定，优选为容易与人的目光相接触的部位。作为与人的目光容易相接触的部位，例如，举出洗脸池的盆面、洗脸池的顶部表面、小便器的顶部表面、便器的边缘部分、便器的盆面、便器的侧面等。
上釉层30的厚度T30的最大值T30MAX与上釉层30的厚度T30的最小值T30MIN之差T30Δ优选为70μm以下。差T30Δ更优选为50μm以下。差T30Δ进一步优选为40μm以下。差T30Δ尤其优选为30μm以下。若差T30Δ在上述上限值以下(50μm以下)，则容易抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射。其结果是，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，若差T30Δ在上述上限值以下(50μm以下)，则容易抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射。其结果是，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。差T30Δ的下限值虽没有特别的限定，但通常为0.1μm以上。例如，差T30Δ的范围优选为0.1μm以上70μm以下。差T30Δ的范围更优选为0.1μm以上50μm以下。差T30Δ的范围进一步优选为0.1μm以上40μm以下。差T30Δ的范围尤其优选为0.1μm以上30μm以下。
差T30Δ相对于厚度T30的比例(以下，也称为“T30Δ/T30比”)优选为25％以下。T30Δ/T30比更优选为20％以下。T30Δ/T30比进一步优选为10％以下。若T30Δ/T30比在上述上限值以下(25％以下)，则容易抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射。其结果是，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，若T30Δ/T30比在上述上限值以下(25％以下)，则容易抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射。其结果是，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。T30Δ/T30比的下限值虽没有特别的限定，但通常在0.01％以上。例如，T30Δ/T30比的范围优选为0.01％以上25％以下。T30Δ/T30比的范围更优选为0.01％以上20％以下。T30Δ/T30比的范围进一步优选为0.01％以上10％以下。
例如按照以下的步骤求出厚度T30的最大值T30MAX与厚度T30的最小值T30MIN。与求出上釉层30的厚度T30的步骤相同地，在任意的20个部位对上釉层30的表面与上中分界线的距离进行测定。将所测定的20个部位中的上釉层30的表面与上中分界线的距离为最大的数值作为最大值T30MAX。将所测定的20个部位中的上釉层30的表面与上中分界线的距离为最小的数值作为最小值T30MIN。
能够通过平坦地形成上釉层30与中间层20的界面来控制差T30Δ。根据后述的中间层组成物的熔融开始温度、将中间层20沿厚度方向切断而成的剖切面中的平均气泡径、将中间层20沿厚度方向切断而成的剖切面的气泡的面积相对于该剖切面的面积的比例、以及它们的组合，能够控制上釉层30与中间层20的界面的平滑性。
中间层20是中间层组成物的烧制物。中间层20是包含位于陶器坯体10与上釉层30之间的釉在内的层。中间层组成物是形成中间层20的原料(中间层原料)分散于水而成的浆料(泥浆)。相对于中间层组成物的总质量的水的含量的范围优选为40～60质量％。相对于中间层组成物的总质量的水的含量的范围更优选为40～50质量％。
中间层组成物所包含的固体成分的平均粒径优选为10μm以下。中间层组成物所包含的固体成分的平均粒径更优选为8μm以下。中间层组成物所包含的固体成分的平均粒径进一步优选为6μm以下。若中间层组成物所包含的固体成分的平均粒径为上述上限值以下(10μm以下)，则容易降低中间层组成物所包含的固体成分的熔融开始温度。中间层组成物所包含的固体成分的平均粒径的下限值虽没有特别的限定，但例如为0.05μm以上。例如，中间层组成物所包含的固体成分的平均粒径的范围优选为0.05μm以上10μm以下。中间层组成物所包含的固体成分的平均粒径的范围更优选为0.05μm以上8μm以下。中间层组成物所包含的固体成分的平均粒径的范围进一步优选为0.05μm以上6μm以下。中间层组成物所包含的固体成分的平均粒径例如能够通过将中间层原料粉碎来调整。作为将中间层原料粉碎的工具，例如举出球磨机。
中间层组成物所包含的固体成分的平均粒径能够通过与上釉层组成物所包含的固体成分的平均粒径相同的方法来测定。中间层组成物所包含的固体成分为中间层组成物的干燥物。
作为中间层组成物，例如举出相对于中间层组成物所包含的固体成分的总质量，含有50～80质量％的SiO2、5～40质量％的Al2O3、5～30质量％的Na2O、K2O、CaO、MgO以及ZnO的合计的组成物。中间层组成物所包含的固体成分的各成分的含量的合计以相对于中间层组成物所包含的固体成分的总质量不超过100质量％的方式进行调整。
以将Na2O、K2O、CaO、MgO以及ZnO的合计的摩尔数作为1时的摩尔比计，作为中间层组成物的组成，优选含有2～16摩尔的SiO2，含有0～5摩尔的Al2O3的组成。
中间层组成物也可以含有玻璃料。玻璃料的含量的范围相对于中间层组成物所包含的固体成分的总质量，优选为0～30质量％。玻璃料的含量的范围相对于中间层组成物所包含的固体成分的总质量，更优选为0～20质量％。
中间层组成物的干燥物(以下，也称为中间层原料)也可以是陶器坯体组成物的干燥物(以下，也称为陶器坯体原料)与上釉层组成物的干燥物(以下，也称为釉原料)的混合物。在中间层原料为陶器坯体原料与釉原料的混合物的情况下，以陶器坯体原料/釉原料表示的质量比(以下，也称为“坯体/釉料比”)优选为20/80～80/20。坯体/釉料比更优选为30/70～70/30。坯体/釉料比进一步优选为40/60～60/40。若坯体/釉料比为上述下限值以上(20/80以上)，则容易提高陶器坯体10与中间层20的粘结性。若坯体/釉料比在上述上限值以下(80/20以下)，则容易使中间层20与上釉层30的界面平坦。从更加提高卫生陶器1的“厚重”以及“美观度”的至少一方的观点出发，中间层原料优选为陶器坯体原料与釉原料的混合物。中间层组成物也可以是将陶器坯体组成物与上釉层组成物以成为上述坯体/釉料比的方式混合而成的混合物。
中间层组成物优选为含有颜料。由于中间层组成物含有颜料，从而能够对中间层20进行着色。通过对中间层20进行着色，能够隐藏陶器坯体10的颜色。通过隐藏陶器坯体10的颜色，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。作为颜料，举出硅酸锆、氧化铝等。在中间层组成物含有颜料的情况下，颜料的含量的范围相对于中间层组成物所包含的固体成分的总质量，优选为3～15质量％。颜料的含量的范围相对于中间层组成物所包含的固体成分的总质量，更优选为6～15质量％。
中间层组成物的熔融开始温度能够由第一熔融温度以及第二熔融温度的任一个规定。中间层组成物的第一熔融温度的下限值优选为850℃。中间层组成物的第一熔融温度的下限值更优选为910℃。中间层组成物的第一熔融温度的下限值进一步优选为930℃。中间层组成物的第一熔融温度的上限值优选为960℃。中间层组成物的第一熔融温度的上限值更优选为950℃。例如，中间层组成物的第一熔融温度的范围优选为850～960℃。中间层组成物的第一熔融温度的范围更优选为910～950℃。中间层组成物的第一熔融温度的范围进一步优选为930～950℃。若中间层组成物的第一熔融温度在上述下限值以上(850℃以上)，则容易抑制烧制中间层组成物时的气泡的产生。若中间层组成物的第一熔融温度为上述上限值以下(960℃以下)，则容易使上釉层30与中间层20的界面平坦。中间层组成物的第一熔融温度能够通过与上釉层组成物的第一熔融温度相同的方法来测定。
上釉层组成物的第一熔融温度与中间层组成物的第一熔融温度的温度差(也称为第一温度差)的下限值优选为10℃。第一温度差的下限值更优选为30℃。第一温度差的下限值进一步优选为60℃。第一温度差的上限值优选为120℃。第一温度差的上限值更优选为115℃。第一温度差的上限值进一步优选为110℃。例如，第一温度差的范围优选为10～120℃。第一温度差的范围更优选为30～115℃。第一温度差的范围进一步优选为60～110℃。若第一温度差在上述数值范围内(10℃以上120℃以下)，则容易使上釉层30与中间层20的界面平坦。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，若第一温度差在上述数值范围内(10℃以上120℃以下)，则容易使上釉层30与中间层20的界面平坦。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。
中间层组成物的第二熔融温度的下限值优选为1090℃。中间层组成物的第二熔融温度的下限值更优选为1095℃。中间层组成物的第二熔融温度的下限值进一步优选为1100℃。中间层组成物的第二熔融温度的上限值优选为1230℃。中间层组成物的第二熔融温度的上限值更优选为1225℃。中间层组成物的第二熔融温度的上限值进一步优选为1220℃。例如，中间层组成物的第二熔融温度的范围优选为1090～1230℃。中间层组成物的第二熔融温度的范围更优选为1095～1225℃。中间层组成物的第二熔融温度的范围进一步优选为1100～1220℃。若中间层组成物的第二熔融温度在上述下限值以上(1090℃以上)，则容易抑制烧制中间层组成物时的气泡的产生。若中间层组成物的第二熔融温度在上述上限值以下(1230℃以下)，则容易使上釉层30与中间层20的界面平坦。中间层组成物的第二熔融温度能够通过与上釉层组成物的第二熔融温度相同的方法来测定。
上釉层组成物的第二熔融温度与中间层组成物的第二熔融温度的温度差(也称为第二温度差)的下限值优选为10℃。第二温度差的下限值更优选为100℃。第二温度差的下限值进一步优选为200℃。第二温度差的上限值优选为330℃。第二温度差的上限值更优选为325℃。第二温度差的上限值进一步优选为320℃。例如，第二温度差的范围优选为10～330℃。第二温度差的范围更优选为100～325℃。第二温度差的范围进一步优选为200～320℃。若第二温度差在上述数值范围内(10℃以上330℃以下)，则容易使上釉层30与中间层20的界面平坦。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，若第二温度差在上述数值范围内(10℃以上330℃以下)，则容易使上釉层30与中间层20的界面平坦。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。
中间层组成物的第二熔融温度与第一熔融温度之差(中间层熔融温度差)的下限值优选为50℃。中间层熔融温度差的下限值更优选为100℃。中间层熔融温度差的下限值进一步优选为230℃。中间层熔融温度差的上限值优选为300℃。例如，中间层熔融温度差的范围优选为50～300℃。中间层熔融温度差的范围更优选为100～300℃。中间层熔融温度差的范围进一步优选为230～300℃。若中间层熔融温度差在上述下限值以上(50℃以上)，则容易减小烧制中间层组成物时产生的气泡的平均气泡径。若中间层熔融温度差在上述上限值以下(300℃以下)，则容易抑制烧制中间层组成物时的气泡的产生。中间层熔融温度差通过从中间层组成物的第二熔融温度减去中间层组成物的第一熔融温度来求得。
中间层组成物的第一熔融温度能够通过中间层原料的种类、中间层原料的调配比例、中间层组成物的固体成分的平均粒径、以及它们的组合来调整。中间层组成物的第二熔融温度能够与中间层组成物的第一熔融温度同样地进行调整。
在从具备中间层20的卫生陶器1求出中间层20的熔融开始温度的情况下，将中间层20的粉末作为试料粉末，通过与上述测定方法2-1相同的方法来测定第一熔融温度以及第二熔融温度。中间层20的粉末是通过将中间层20适当地切出并对其进行研磨等而得到的。中间层20的第一熔融温度与中间层组成物的第一熔融温度相同。中间层20的第二熔融温度与中间层组成物的第二熔融温度相同。中间层20的第二熔融温度与第一熔融温度之差和中间层组成物的第二熔融温度与第一熔融温度之差(中间层熔融温度差)相同。
将中间层20沿厚度方向切断而成的剖切面的气泡的面积相对于该剖切面的面积的比例(以下，也称为“中间层20的气泡面积率”)优选为20％以下。中间层20的气泡面积率更优选为15％以下。中间层20的气泡面积率进一步优选为12％以下。中间层20的气泡面积率尤其优选为11.36％以下。中间层20的气泡面积率最优选为9.75％以下。若中间层20的气泡面积率为上述上限值以下(20％以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因中间层20中的气泡而发生漫反射的情况。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，若中间层20的气泡面积率为上述上限值以下(20％以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因中间层20中的气泡而发生漫反射的情况。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。中间层20的气泡面积率的下限值虽没有特别的限定，但通常为1.0％以上。例如，中间层20的气泡面积率的范围优选为1.0％以上20％以下。中间层20的气泡面积率的范围更优选为1.0％以上15％以下。中间层20的气泡面积率的范围进一步优选为1.0％以上12％以下。中间层20的气泡面积率的范围尤其优选为1.0％以上11.36％以下。中间层20的气泡面积率的范围最优选为1.0％以上9.75％以下。中间层20的气泡面积率通过与上釉层30的气泡面积率相同的方法来求得。
将中间层20沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡的平均气泡径(以下，也称为“中间层20的平均气泡径”)优选为25μm以下。中间层20的平均气泡径更优选为20μm以下。中间层20的平均气泡径进一步优选为15μm以下。中间层20的平均气泡径尤其优选为14μm以下。中间层20的平均气泡径最优选为13μm以下。若中间层20的平均气泡径在上述上限值以下(25μm以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因中间层20中的气泡而发生漫反射的情况。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，若中间层20的平均气泡径为上述上限值以下(25μm以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因中间层20中的气泡而发生漫反射的情况。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。中间层20的平均气泡径的下限值为2μm。例如，中间层20的平均气泡径的范围优选为2μm以上25μm以下。中间层20的平均气泡径的范围更优选为2μm以上20μm以下。中间层20的平均气泡径的范围进一步优选为2μm以上15μm以下。中间层20的平均气泡径的范围尤其优选为2μm以上14μm以下。中间层20的平均气泡径的范围最优选为2μm以上13μm以下。中间层20的平均气泡径通过与上釉层30的剖切面上的气泡的平均气泡径相同的方法来求得。
将中间层20沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡数(以下，也称为“中间层20的剖切面中的气泡数”)优选为每1mm2为1000个以下。中间层20的剖切面中的气泡数更优选为每1mm2为700个以下。中间层20的剖切面中的气泡数进一步优选为每1mm2为500个以下。中间层20的剖切面中的气泡数尤其优选为每1mm2为443个以下。中间层20的剖切面中的气泡数最优选为每1mm2为419个以下。若中间层20的剖切面中的气泡数为上述上限值以下(1000个以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因中间层20中的气泡而发生漫反射的情况。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，若中间层20的剖切面中的气泡数为上述上限值以下(1000个以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因中间层20中的气泡而发生漫反射的情况。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。中间层20的剖切面中的气泡数的下限值虽没有特别的限定，但通常为1个以上。中间层20的剖切面中的气泡数的下限值优选为每1mm2在189个以上。中间层20的剖切面中的气泡数的下限值更优选为每1mm2在269个以上。例如，中间层20的剖切面中的气泡数的范围优选为每1mm2在1个以上1000个以下。中间层20的剖切面中的气泡数的范围更优选为每1mm2在1个以上700个以下。中间层20的剖切面中的气泡数的范围进一步优选为每1mm2在1个以上500个以下。中间层20的剖切面中的气泡数的范围尤其优选为每1mm2在189个以上443个以下。中间层20的剖切面中的气泡数的范围最优选为每1mm2在269个以上419个以下。中间层20的剖切面中的气泡数能够通过与上釉层30的剖切面中的气泡数相同的方法来计算。
中间层20的厚度T20的下限值优选为200μm。中间层20的厚度T20的下限值更优选为250μm。中间层20的厚度T20的下限值进一步优选为300μm。中间层20的厚度T20的下限值尤其优选为494μm。中间层20的厚度T20的下限值最优选为508μm。中间层20的厚度T20的上限值优选为1000μm。中间层20的厚度T20的上限值更优选为800μm。中间层20的厚度T20的上限值进一步优选为600μm。中间层20的厚度T20的上限值尤其优选为575μm。中间层20的厚度T20的上限值最优选为558μm。例如，中间层20的厚度T20的范围优选为200μm以上。中间层20的厚度T20的范围更优选为200～1000μm。中间层20的厚度T20的范围进一步优选为250～800μm。中间层20的厚度T20的范围进一步优选为300～600μm。中间层20的厚度T20的范围尤其优选为494～575μm。中间层20的厚度T20的范围最优选为508～558μm。若厚度T20为上述下限值以上(200μm以上)，则容易使中间层20与上釉层30的界面平坦。若厚度T20为上述上限值以下(1000μm以下)，则容易使中间层组成物中的气泡向中间层20的外部释放。
中间层20的厚度T20例如通过以下的步骤来求出。使用小型试料切割机将卫生陶器1沿中间层20的厚度方向切断。利用显微镜(奥利巴斯(株式会社)生产，DSX510)，以倍率125倍对所切断的剖切面进行观察。在所观察的图像中，针对任意的20个部位，测定上釉层30与中间层20的分界线(上中分界线)、和中间层20与陶器坯体10的分界线(中坯分界线)的距离。将测定出的距离的算术平均值作为中间层20的厚度T20。
中间层20的厚度T20的最大值T20MAX、与中间层20的厚度T20的最小值T20MIN之差T20Δ优选为50μm以下。差T20Δ更优选为40μm以下。差T20Δ进一步优选为30μm以下。若差T20Δ为上述上限值以下(50μm以下)，则容易抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射。其结果是，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，若差T20Δ为上述上限值以下(50μm以下)，则容易抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射。其结果是，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。差T20Δ的下限值虽没有特别的限定，但通常在0.1μm以上。例如，差T20Δ的范围优选为0.1μm以上50μm以下。差T20Δ的范围更优选为0.1μm以上40μm以下。差T20Δ的范围进一步优选为0.1μm以上30μm以下。
差T20Δ相对于厚度T20的比例(以下，也称为“T20Δ/T20比”)优选为25％以下。T20Δ/T20比更优选为20％以下。T20Δ/T20比进一步优选为10％以下。若T20Δ/T20比在上述上限值以下(25％以下)，则容易抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射。其结果是，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，若T20Δ/T20比在上述上限值以下(25％以下)，则容易抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射。其结果是，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。T20Δ/T20比的下限值虽没有特别的限定，但通常为0.01％以上。例如，T20Δ/T20比的范围优选为0.01％以上25％以下。T20Δ/T20比的范围更优选为0.01％以上20％以下。T20Δ/T20比的范围进一步优选为0.01％以上10％以下。
厚度T20的最大值T20MAX与厚度T20的最小值T20MIN例如通过以下的步骤来求出。与求出中间层20的厚度T20的步骤相同地，针对任意的20个部位测定上中分界线与中坯分界线的距离。将所测定的20个部位中的上中分界线与中坯分界线的距离为最大的数值作为最大值T20MAX。将所测定的20个部位中的上中分界线与中坯分界线的距离为最小的数值作为最小值T20MIN。
[卫生陶器的制造方法]
接下来，对本实施方式的卫生陶器1的制造方法进行说明。首先，准备陶器坯体10。陶器坯体10除了是对陶器坯体组成物进行成形而成的成形品以外，也可以是烧制而后成形的成形品。陶器坯体10也可以是预先成形了的出售品。陶器坯体10也可以是成形而后烧制的出售品。在对陶器坯体组成物进行烧制的情况下，烧制温度的下限值优选为1100℃。烧制温度的下限值更优选为1150℃。烧制温度的上限值优选为1300℃。烧制温度的上限值更优选为1250℃。例如，烧制温度的范围优选为1100～1300℃。烧制温度的范围更优选为1150～1250℃。若烧制温度为上述下限值以上(1100℃以上)，则容易提高陶器坯体10的强度。若烧制温度在上述上限值以下(1300℃以下)，则容易抑制陶器坯体10的变形。
接下来，将中间层组成物涂覆于陶器坯体10的表面。将中间层组成物涂覆于陶器坯体10的表面的方法虽没有特别的限定，但能够适当地选择浸釉法、浇釉法、吹釉法、涂釉法等一般的方法。从确保中间层20的厚度的观点出发，将中间层组成物涂覆于陶器坯体10的表面的方法优选为浸釉法、浇釉法、涂釉法、以及吹釉法中的任一种。从容易使中间层20的厚度均匀的观点出发，将中间层组成物涂覆于陶器坯体10的表面的方法优选为吹釉法。作为浸釉法，举出浸涂法。作为吹釉法，举出喷涂法。
中间层组成物的涂覆量虽没有特别的限定，但优选为能够使烧制后的中间层20的厚度在200μm以上的涂覆量。通过适当地调整中间层组成物的水的含量、中间层组成物的粘度、以及中间层组成物所包含的固体成分的平均粒径等，能够调整中间层组成物的涂覆量。通过将中间层组成物涂覆于陶器坯体10的表面，从而得到一次涂覆体。
通过对一次涂覆体进行干燥，从而容易在一次涂覆体的表面涂覆上釉层组成物。因此，优选对一次涂覆体进行干燥。干燥一次涂覆体时的温度的下限值优选为20℃。干燥一次涂覆体时的温度的下限值更优选为30℃。干燥一次涂覆体时的温度的下限值进一步优选为40℃。干燥一次涂覆体时的温度的上限值优选为110℃。干燥一次涂覆体时的温度的上限值更优选为100℃。干燥一次涂覆体时的温度的上限值进一步优选为90℃。例如，干燥一次涂覆体时的温度的范围优选为20～110℃。干燥一次涂覆体时的温度的范围更优选为30～100℃。干燥一次涂覆体时的温度的范围进一步优选为40～90℃。若干燥一次涂覆体时的温度为上述下限值以上(20℃以上)，则容易减少中间层组成物的水的含量。若干燥一次涂覆体时的温度为上述上限值以下(110℃以下)，则容易使中间层20的表面平坦。干燥一次涂覆体的时间优选为0.5～48小时。若干燥一次涂覆体的时间为上述下限值以上(0.5小时以上)，则容易充分干燥中间层组成物。若干燥一次涂覆体的时间为上述上限值以下(48小时以下)，则容易提高卫生陶器1的生产能力。
接下来，在一次涂覆体的表面涂覆上釉层组成物。对于涂覆上釉层组成物的方法而言，从容易调整上釉层30的厚度的观点出发，优选为吹釉法(也称为喷釉法)。
上釉层组成物的涂覆量虽没有特别的限定，但优选为能够使烧制后的上釉层30的厚度在100μm以上的涂覆量。通过适当地调整上釉层组成物的水的含量、上釉层组成物的粘度、以及上釉层组成物所包含的固体成分的平均粒径等，从而能够调整上釉层组成物的涂覆量。通过将上釉层组成物涂覆于一次涂覆体的表面，从而得到二次涂覆体。
接下来，对二次涂覆体进行烧制。作为烧制二次涂覆体时的烧制温度，优选为使陶器坯体10烧结并且使中间层组成物与上釉层组成物软化的温度。烧制二次涂覆体时的烧制温度的下限值优选为1100℃。烧制二次涂覆体时的烧制温度的下限值更优选为1150℃。烧制二次涂覆体时的烧制温度的上限值优选为1300℃。烧制二次涂覆体时的烧制温度的上限值更优选为1250℃。例如，烧制二次涂覆体时的烧制温度的范围优选为1100～1300℃。烧制二次涂覆体时的烧制温度的范围更优选为1150～1250℃。若烧制二次涂覆体时的烧制温度为上述下限值以上(1100℃以上)，则容易使上釉层组成物充分熔融。除此之外，若烧制二次涂覆体时的烧制温度为上述下限值以上(1100℃以上)，则容易使中间层组成物充分熔融。若烧制二次涂覆体时的烧制温度为上述上限值以下(1300℃以下)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。除此之外，若烧制二次涂覆体时的烧制温度为上述上限值以下(1300℃以下)，则容易使中间层20与上釉层30的界面平坦。
烧制二次涂覆体的烧制时间的下限值优选为1小时。烧制二次涂覆体的烧制时间的下限值更优选为2小时。烧制二次涂覆体的烧制时间的下限值进一步优选为3小时。烧制二次涂覆体的烧制时间的上限值优选为168小时。烧制二次涂覆体的烧制时间的上限值更优选为72小时。烧制二次涂覆体的烧制时间的上限值进一步优选为24小时。例如，烧制二次涂覆体的烧制时间的范围优选为1～168小时。烧制二次涂覆体的烧制时间的范围更优选为2～72小时。烧制二次涂覆体的烧制时间的范围进一步优选为3～24小时。若烧制二次涂覆体的烧制时间为上述下限值以上(1小时以上)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。除此之外，若烧制二次涂覆体的烧制时间为上述下限值以上(1小时以上)，则容易使中间层20与上釉层30的界面平坦。若烧制二次涂覆体的烧制时间在上述上限值以下(168小时以下)，则容易提高卫生陶器1的生产能力。
通过烧制二次涂覆体来得到烧制品。烧制品通过冷却而成为卫生陶器1。卫生陶器1可以通过将烧制品自然冷却来得到，也可以通过送风等进行冷却来得到。冷却烧制品时的温度的下限值优选为800℃。冷却烧制品时的温度的下限值更优选为900℃。冷却烧制品时的温度的上限值优选为1300℃。冷却烧制品时的温度的上限值更优选为1250℃。例如，冷却烧制品时的温度的范围优选为800～1300℃。冷却烧制品时的温度的范围更优选为900～1250℃。若冷却烧制品时的温度在上述下限值以上(800℃以上)，则容易将气泡向上釉层30的外部释放。若冷却烧制品时的温度在上述上限值以下(1300℃以下)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。冷却烧制品时的降温速度优选为30℃/分以下。冷却烧制品时的降温速度更优选为10℃/分以下。冷却烧制品时的降温速度进一步优选为0.1℃/分以下。若冷却烧制品时的降温速度为上述上限值以下(30℃/分以下)，则容易将气泡向上釉层30的外部释放。除此之外，若冷却烧制品时的降温速度在上述上限值以下(30℃/分以下)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。
对于卫生陶器1而言，也可以通过浸釉法、浇釉法、涂釉法、以及吹釉法中的任一种将中间层组成物涂覆于陶器坯体10的表面后进行烧制而得到一次烧制体(第一烧制工序)，并在一次烧制体涂覆上釉层组成物后进行烧制(第二烧制工序)而得到卫生陶器1。
第一烧制工序的烧制温度的下限值优选为800℃。第一烧制工序的烧制温度的下限值更优选为850℃。第一烧制工序的烧制温度的上限值优选为1000℃。第一烧制工序的烧制温度的上限值更优选为950℃。例如，第一烧制工序的烧制温度的范围优选为800～1000℃。第一烧制工序的烧制温度的范围更优选为850～950℃。若第一烧制工序的烧制温度为上述下限值以上(800℃以上)，则容易使中间层组成物充分熔融。除此之外，若第一烧制工序的烧制温度在上述下限值以上(800℃以上)，则容易进行陶器坯体10以及中间层20的脱气，抑制气泡向上釉层30的混入。若第一烧制工序的烧制温度在上述上限值以下(1000℃以下)，则容易平坦地形成中间层20的表面，容易提高与上釉层组成物的密合性。第一烧制工序的烧制时间的下限值优选为1小时。第一烧制工序的烧制时间的下限值更优选为2小时。第一烧制工序的烧制时间的下限值进一步优选为3小时。第一烧制工序的烧制时间的上限值优选为168小时。第一烧制工序的烧制时间的上限值更优选为72小时。第一烧制工序的烧制时间的上限值进一步优选为24小时。例如，第一烧制工序的烧制时间的范围优选为1～168小时。第一烧制工序的烧制时间的范围更优选为2～72小时。第一烧制工序的烧制时间的范围进一步优选为3～24小时。若第一烧制工序的烧制时间在上述下限值以上(1小时以上)，则容易平坦地形成中间层20的表面。除此之外，若第一烧制工序的烧制时间为上述下限值以上(1小时以上)，则容易进行陶器坯体10以及中间层20的脱气，容易抑制气泡朝向上釉层30的混入。若第一烧制工序的烧制时间为上述上限值以下(168小时以下)，则容易提高卫生陶器1的生产能力。通过烧制一次涂覆体而得到一次烧制体。
对于一次烧制体而言，优选为在涂覆上釉层组成物前进行冷却。冷却一次烧制体时的温度的下限值优选为800℃。冷却一次烧制体时的温度的下限值更优选为850℃。冷却一次烧制体时的温度的上限值优选为1000℃。冷却一次烧制体时的温度的上限值更优选为950℃。例如，冷却一次烧制体时的温度的范围优选为800～1000℃。冷却一次烧制体时的温度的范围更优选为850～950℃。若冷却一次烧制体时的温度为上述下限值以上(800℃以上)，则容易将气泡向中间层20的外部释放。若冷却一次烧制体时的温度为上述上限值以下(1000℃以下)，则容易平坦地形成中间层20的表面。冷却一次烧制体时的降温速度优选为30℃/分以下。冷却一次烧制体时的降温速度更优选为10℃/分以下。若冷却一次烧制体时的降温速度为上述上限值以下(30℃/分以下)，则容易将气泡向中间层20的外部释放。除此之外，若冷却一次烧制体时的降温速度为上述上限值以下(30℃/分以下)，则容易平坦地形成中间层20的表面。
接下来，在一次烧制体的表面涂覆上釉层组成物。对于在一次烧制体的表面涂覆上釉层组成物的方法而言，从易于调整上釉层30的厚度的观点出发，优选为吹釉法(也称为喷釉法)。在一次烧制体的表面涂覆上釉层组成物时的涂覆量与在一次涂覆体的表面涂覆上釉层组成物时的涂覆量相同。通过将上釉层组成物涂覆于一次烧制体的表面，从而得到二次涂覆体。
接下来，对二次涂覆体进行烧制(第二烧制工序)。第二烧制工序的烧制温度的下限值优选为1100℃。第二烧制工序的烧制温度的下限值更优选为1150℃。第二烧制工序的烧制温度的上限值优选为1300℃。第二烧制工序的烧制温度的上限值更优选为1250℃。例如，第二烧制工序的烧制温度的范围优选为1100～1300℃。第二烧制工序的烧制温度的范围更优选为1150～1250℃。若第二烧制工序的烧制温度为上述下限值以上(1100℃以上)，则容易使上釉层组成物充分熔融。若第二烧制工序的烧制温度在上述上限值以下(1300℃以下)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。第二烧制工序的烧制时间的下限值优选为1小时。第二烧制工序的烧制时间的下限值优选为1小时。第二烧制工序的烧制时间的下限值更优选为2小时。第二烧制工序的烧制时间的下限值进一步优选为3小时。第二烧制工序的烧制时间的上限值优选为168小时。第二烧制工序的烧制时间的上限值更优选为72小时。第二烧制工序的烧制时间的上限值进一步优选为24小时。例如，第二烧制工序的烧制时间的范围优选为1～168小时。第二烧制工序的烧制时间的范围更优选为2～72小时。第二烧制工序的烧制时间的范围进一步优选为3～24小时。若第二烧制工序的烧制时间为上述下限值以上(1小时以上)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。若第二烧制工序的烧制时间为上述上限值以下(168小时以下)，则容易提高卫生陶器1的生产能力。通过第二烧制工序来得到烧制品。烧制品通过冷却而成为卫生陶器1。冷却烧制品时的温度与冷却上述的烧制品时的温度相同。冷却烧制品时的降温速度与冷却上述的烧制品时的降温速度相同。
经由一次烧制体而得到卫生陶器1，由此容易更加平坦地形成中间层20与上釉层30的界面。经由一次烧制体而得到卫生陶器1，由此容易减少中间层20以及上釉层30所包含的气泡的数量。因此，更容易提高卫生陶器1的“厚重”。同样地，经由一次烧制体而得到卫生陶器1，由此容易更加平坦地形成中间层20与上釉层30的界面。经由一次烧制体而得到卫生陶器1，由此容易减少中间层20以及上釉层30所包含的气泡的数量。因此，更容易提高卫生陶器1的“美观度”。从更容易提高卫生陶器1的“厚重”以及“美观度”的至少一方的观点出发，本实施方式的卫生陶器的制造方法优选为经由一次烧制体而得到卫生陶器1的方法。
以上，参照附图对本实施方式进行了详细的说明，但本公开并不限定于上述的实施方式，能够在不脱离本公开的主旨的范围内适当地变更。能够适当地将上述的实施方式中的构成要素置换成公知的构成要素。
在上述的实施方式中，卫生陶器1具备陶器坯体10、中间层20以及上釉层30。但是，本公开并不限定于上述的实施方式，例如，卫生陶器也可以不具有中间层。卫生陶器也可以是在陶器坯体的表面具备上釉层(釉料层)的方式。卫生陶器也可以在上釉层30与中间层20之间具有其他的釉料层，釉料层也可以具备多个层。卫生陶器也可以是在陶器坯体的表面具备中间层，接着具备单层以及多层中的任一种的釉料层，进而在其上具备上釉层(釉料层)的方式。从更容易提高卫生陶器的“厚重”以及“美观度”的至少一方的观点出发，卫生陶器优选为具备中间层。在卫生陶器不具有中间层的情况下，上釉层(釉料层)的厚度例如按照以下的步骤来求得。使用小型试料切割机将卫生陶器沿上釉层的厚度方向切断。利用显微镜(奥利巴斯(株式会社)生产，DSX510)，以倍率125倍对所切断的剖切面进行观察。在所观察的图像中，针对任意的20个部位测定上釉层与陶器坯体的分界线(上坯分界线)、和上釉层的表面的距离。将测定出的距离的算术平均值作为上釉层的厚度。
实施例
接下来，通过实施例对本公开进行进一步详细的说明，但本公开并不限定于这些实施例。本实施例中使用的原料如下述的[使用原料]所示那样。
[使用原料]
＜陶器坯体原料＞
A-1：10质量份陶石、40质量份长石、50质量份粘土(SiO270质量％、Al2O325质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO以及ZnO的合计5质量％)。
A-2：30质量份陶石、70质量份粘土(SiO265质量％、Al2O330质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO以及ZnO的合计5质量％)。
＜中间层原料＞
B-1：SiO265质量％、Al2O320质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO以及ZnO的合计12质量％、其他3质量％。
B-2：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)80/20混合而成的混合物。
B-3：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)70/30混合而成的混合物。
B-4：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)60/40混合而成的混合物。
B-5：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)50/50混合而成的混合物。
B-6：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)40/60混合而成的混合物。
B-7：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)30/70混合而成的混合物。
B-8：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)20/80混合而成的混合物。
B-9：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)10/90混合而成的混合物。
B-10：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)0/100混合而成的混合物。
＜釉原料＞
C-1：SiO263质量％、Al2O312质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO、B2O3的合计24质量％、其他1质量％。
C-2：SiO262质量％、Al2O313质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO以及B2O3的合计24质量％、其他1质量％。
C-3：SiO262质量％、Al2O313质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO以及B2O3的合计24质量％、其他1质量％。
C-4：SiO264质量％、Al2O312质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO以及B2O3的合计24质量％。
C-5：SiO257质量％、Al2O310质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO以及B2O3的合计32质量％、其他1质量％。
C-6：SiO263质量％、Al2O312质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO以及B2O3的合计24质量％、其他1质量％。
C-7：SiO266质量％、Al2O312质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO以及B2O3的合计22质量％。
C-8：SiO270质量％、Al2O311质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO以及B2O3的合计19质量％。
C-9：SiO263质量％、Al2O310质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO以及B2O3的合计20质量％、其他7质量％。
C-10：SiO261质量％、Al2O312质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO以及B2O3的合计27质量％。
C-11：SiO257质量％、Al2O311质量％、Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO以及B2O3的合计25质量％、其他7质量％。
[陶器坯体的调制]
将1kg的陶器坯体原料A-1与0.4kg的水混合，得到混合物。利用球磨机将该混合物粉碎20小时，得到陶器坯体组成物。使用激光衍射式粒度分布测定器(日机装(株式会社)生产，“MT3300EX(型号)”)，测定陶器坯体组成物的固体成分的粒子径，其结果是D50为12μm。
接下来，使上述陶器坯体组成物流入长度100mm、宽度100mm、厚度10mm的石膏模，得到陶器坯体。
[玻璃料的调制]
作为玻璃料原料使釉原料C-1～C-11在1500℃下熔融而得到玻璃料F-1～F-11。
[中间层组成物的调制]
将1kg的中间层原料B-1和0.4kg的水混合，得到混合物。利用球磨机将该混合物粉碎20小时，得到中间层组成物M-1。使用上述激光衍射式粒度分布测定器，测定中间层组成物M-1的固体成分的粒子径，其结果是D50为8μm。
除了代替中间层原料B-1地使用中间层原料B-2～B-10以外，通过与中间层组成物M-1相同的方法，得到中间层组成物M-2～M-10。对于中间层组成物M-11而言，作为中间层原料将1kg的釉原料C-11和0.6kg的水混合，得到混合物从而调制而成。在表1～2中，中间层组成物的“种类”表示上述中间层组成物M-1～M-11中的任一个。中间层组成物的“D50(μm)”表示上述中间层组成物M-1～M-11中的任一个的50％平均粒径(D50)。
[上釉层组成物的调制]
将1kg的玻璃料F-1和0.6kg的水混合，得到混合物。利用球磨机将该混合物粉碎30小时，添加羧甲基纤维素等粘性调整剂以便进行粘性调整，从而得到上釉层组成物G-1。使用上述激光衍射式粒度分布测定器，测定上釉层组成物G-1的固体成分的粒子径，其结果是D50为15μm。
除了代替玻璃料F-1地使用玻璃料F-2～F-10以外，通过与上釉层组成物G-1相同的方法，得到上釉层组成物G-2～G-10。在表1～2中，上釉层组成物的“种类”表示上述上釉层组成物G-1～G-10中的任一个。上釉层组成物的“D50(μm)”表示上述上釉层组成物G-1～G-10中的任一个的50％平均粒径(D50)。
[实施例1～18，比较例1～2]
[卫生陶器的调制]
通过喷涂法将表1～2所记载的中间层组成物涂覆于上述陶器坯体，在60℃下干燥1小时后，通过喷涂法对表1～2所记载的上釉层组成物进行涂覆从而得到二次涂覆体。将二次涂覆体在1220℃下烧制20小时，得到长方体的卫生陶器的试料。
＜上釉层的厚度的测定＞
使用小型试料切割机，用通过试料的长度方向的一边的中点且与试料的宽度方向平行的面将各例的试料沿厚度方向切断。利用显微镜(奥利巴斯(株式会社)生产，DSX510)，以倍率125倍对切断而成的剖切面进行观察。将所观察的图像的从宽度方向的一端到另一端的部分沿宽度方向10等分，分别测定上釉层的表面与上中分界线这两个部位的距离(L30)。针对每一个试料测定合计20个部位的上述距离(L30)，求出上釉层的厚度的最大值、最小值、最大值与最小值之差、以及平均值。将上述距离(L30)的平均值作为上釉层的厚度。将结果示于表1～2。在表中，“差”表示上釉层的厚度的最大值与最小值之差。
＜中间层的厚度的测定＞
使用测定上釉层的厚度时观察的图像，将所观察的图像的从宽度方向的一端到另一端的部分沿宽度方向10等分，分别测定上中分界线与中坯分界线这两个部位的距离(L20)。针对每一个试料测定合计20个部位的上述距离(L20)，求出平均值，并将其作为中间层的厚度。将结果示于表1～2。
＜第一熔融温度的测定＞
将各例中使用的中间层组成物在80℃下干燥2小时从而得到各例的试料粉末。使用DTA装置(株式会社理学生产，TG8121)，使常温(25℃)的空气以200mL/分的流量流通，同时将氧化铝粉末(基准物质)30mg与各例的试料粉末30mg在升温速度3℃/分下加热来进行DTA测定。在所得的DTA曲线中，求出基准物质的温度超700℃的区域中出现的电位差ΔV变小的第一拐点，将第一拐点处的基准物质的温度作为第一熔融温度。电位差ΔV对应于从试料粉末的温度减去基准物质的温度而得到的值ΔT。将所测定的第一熔融温度示于表1。
＜第二熔融温度的测定＞
在上述DTA曲线中，求得出现于比第一熔融温度靠高温侧的位置，并且电位差ΔV变大的最初的拐点(第二拐点)，将第二拐点处的基准物质的温度作为第二熔融温度。电位差ΔV对应于从试料粉末的温度减去基准物质的温度而得到的值ΔT。将测定出的第二熔融温度示于表1。
＜平均气泡径、气泡面积率以及气泡数的测定＞
使用通过上述的显微镜观察的图像，利用装置处理软件(三谷商事(株式会社)，WinROOF2015)，对图像进行二值化处理。通过二值化后的图像的图像解析，求出上釉层的剖切面中的平均气泡径、气泡面积率、以及气泡数。除此之外，求出中间层的剖切面中的平均气泡径、气泡面积率、以及气泡数。将结果示于表1～2。
＜映像性的测定＞
准备各例的试料，利用波扫描DOI测定装置(BYK-Gardner公司生产，Wave-Scan-DUAL)，测定DOI值。将结果示于表1～2。
＜“厚重”的评价＞
准备各例的试料，在室内中置于荧光灯下，根据是否感觉到光的进深感、表面的漂亮度来作为“厚重”这样的观点，实施外观感应评价。外观感应评价以受检者10人来实施，基于下述评价基准来评价“厚重”。将结果示于表1～2。
《评价基准》
I：感受到“厚重”的受检者的数量在5人以上。
III：感受到“厚重”的受检者的数量在4人以下。
＜“基底的混乱”的评价＞
准备各例的试料，在室内置于荧光灯下，根据是否感觉到卫生陶器的“基底的混乱”的观点，实施外观感应评价。这里，“基底的混乱”表示通过卫生等陶器表面的上釉层看到的上釉层之下的层(中间层)的混乱。混乱与否通过人的视觉来判断。“基底的混乱”较少的卫生陶器的“美观度”优越。外观感应评价以受检者10人来实施，基于下述评价基准来评价“基底的混乱”。将结果示于表1～2。
《评价基准》
I：未感到“基底的混乱”的受检者的数量在7人以上。
II：未感到“基底的混乱”的受检者的数量在5人以上。
III：未感到“基底的混乱”的受检者的数量在4人以下。
表1
表2
如表1～2所示，可知应用了本发明的实施例1～18中，“厚重”的评价为“I”，能够更加提高“厚重”。除此之外，可知对于上釉层的厚度的最大值与最小值之差在50μm以下的实施例11～15而言，“基底的混乱”的评价为“I”以及“II”中的任一个，能够更加提高“美观度”。另一方面，上釉层的剖切面中的平均气泡径处于本公开的应用范围外的比较例1～2的“厚重”的评价为“III”。
根据本公开的卫生陶器，可知能够更加提高卫生陶器的“厚重”。根据本公开的卫生陶器，可知能够更加提高卫生陶器的“美观度”。

Claims (14)

1.一种卫生陶器，其特征在于，
具备陶器坯体、位于所述陶器坯体的表面的上釉层、以及位于所述陶器坯体与所述上釉层之间的中间层，
将所述上釉层沿厚度方向切断而成的剖切面的气泡的面积相对于该剖切面的面积的比例在3％以下。
2.一种卫生陶器，其特征在于，
具备陶器坯体、位于所述陶器坯体的表面的上釉层、以及位于所述陶器坯体与所述上釉层之间的中间层，
将所述上釉层沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡的平均气泡径在50μm以下。
3.一种卫生陶器，其特征在于，
具备陶器坯体、位于所述陶器坯体的表面的上釉层、以及位于所述陶器坯体与所述上釉层之间的中间层，
所述上釉层的厚度的最大值与所述上釉层的厚度的最小值之差在50μm以下。
4.根据权利要求2或3所述的卫生陶器，其特征在于，
将所述上釉层沿厚度方向切断而成的剖切面的气泡的面积相对于该剖切面的面积的比例在3％以下。
5.根据权利要求1或3所述的卫生陶器，其特征在于，
将所述上釉层沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡的平均气泡径在50μm以下。
6.根据权利要求1或2所述的卫生陶器，其特征在于，
所述上釉层的厚度的最大值与所述上釉层的厚度的最小值之差在50μm以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的卫生陶器，其特征在于，
所述剖切面中的气泡数为每1mm2在120个以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的卫生陶器，其特征在于，
将所述中间层沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡数为每1mm2在1000个以下。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的卫生陶器，其特征在于，
所述上釉层的厚度为100μm以上。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的卫生陶器，其特征在于，
所述中间层的厚度在200μm以上。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的卫生陶器，其特征在于，
将所述中间层沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡的平均气泡径在25μm以下。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的卫生陶器，其特征在于，
将所述中间层沿厚度方向切断而成的剖切面的气泡的面积相对于该剖切面的面积的比例在20％以下。
13.一种卫生陶器的制造方法，是权利要求1～12中任一项所述的卫生陶器的制造方法，其特征在于，
通过浸釉法、浇釉法、涂釉法、以及吹釉法中的任一种方法，将形成所述中间层的中间层组成物涂覆于所述陶器坯体的表面，并进行干燥，接着将形成所述上釉层的上釉层组成物涂覆在涂覆了所述中间层组成物的面。
14.一种卫生陶器的制造方法，是权利要求1～12中任一项所述的卫生陶器的制造方法，其特征在于，
通过浸釉法、浇釉法、涂釉法、以及吹釉法中的任一种方法，将形成所述中间层的中间层组成物涂覆于所述陶器坯体的表面后进行烧制而得到一次烧制体，将形成所述上釉层的上釉层组成物涂覆于所述一次烧制体来进行烧制。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6831102B2 (ja) * 2017-01-30 2021-02-17 竹本　直文 水洗便器用タンク、管体、および管体敷設方法
JP2022062800A (ja) * 2020-10-09 2022-04-21 株式会社Lixil 便座装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000272988A (ja) * 1999-03-24 2000-10-03 Toto Ltd 衛生陶器
CN1272101A (zh) * 1998-05-27 2000-11-01 东陶机器株式会社 卫生陶器及其制造方法
JP2003246689A (ja) * 2002-02-25 2003-09-02 Toto Ltd 易清掃性衛生陶器及びその製造方法
JP2005298250A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Toto Ltd 衛生陶器
CN101700984A (zh) * 2009-11-06 2010-05-05 上海美标陶瓷有限公司 一种卫生陶瓷生产过程中预防釉面跳釉缺陷的方法
CN101811858A (zh) * 2010-03-10 2010-08-25 唐山惠达陶瓷(集团)股份有限公司 一种精陶质卫生陶瓷坯体及其制造方法
CN103124709A (zh) * 2010-09-29 2013-05-29 Toto株式会社 具有坯体遮盖性优异的瓷釉层的卫生陶器
CN103274766A (zh) * 2013-06-17 2013-09-04 广东吉玉陶瓷股份有限公司 一种高温烧制釉下彩色裂纹陶瓷的方法
CN104003759A (zh) * 2014-05-05 2014-08-27 广东道氏技术股份有限公司 一种超平厚抛釉及超平厚抛釉瓷质砖的制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5158168B2 (ja) 2010-09-29 2013-03-06 Ｔｏｔｏ株式会社 写像性に優れた衛生陶器

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1272101A (zh) * 1998-05-27 2000-11-01 东陶机器株式会社 卫生陶器及其制造方法
CN1900021A (zh) * 1998-05-27 2007-01-24 东陶机器株式会社 卫生陶器及其制造方法
JP2000272988A (ja) * 1999-03-24 2000-10-03 Toto Ltd 衛生陶器
JP2003246689A (ja) * 2002-02-25 2003-09-02 Toto Ltd 易清掃性衛生陶器及びその製造方法
JP2005298250A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Toto Ltd 衛生陶器
CN101700984A (zh) * 2009-11-06 2010-05-05 上海美标陶瓷有限公司 一种卫生陶瓷生产过程中预防釉面跳釉缺陷的方法
CN101811858A (zh) * 2010-03-10 2010-08-25 唐山惠达陶瓷(集团)股份有限公司 一种精陶质卫生陶瓷坯体及其制造方法
CN103124709A (zh) * 2010-09-29 2013-05-29 Toto株式会社 具有坯体遮盖性优异的瓷釉层的卫生陶器
CN103274766A (zh) * 2013-06-17 2013-09-04 广东吉玉陶瓷股份有限公司 一种高温烧制釉下彩色裂纹陶瓷的方法
CN104003759A (zh) * 2014-05-05 2014-08-27 广东道氏技术股份有限公司 一种超平厚抛釉及超平厚抛釉瓷质砖的制造方法

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