CN110629835A - 洗脸池 - Google Patents

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CN110629835A CN201910514625.2A CN201910514625A CN110629835A CN 110629835 A CN110629835 A CN 110629835A CN 201910514625 A CN201910514625 A CN 201910514625A CN 110629835 A CN110629835 A CN 110629835A
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岩崎俊三
吉永勋
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芦泽忠
泽田英明
崔宰熏
川合秀治
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Abstract

本发明涉及一种洗脸池。本洗脸池(100)具备：盆部，其向下方凹陷，并具备陶器坯体、配置于上述陶器坯体的表面侧的中间层、以及被配置于上述中间层的表面侧且比上述中间层透明的上釉层；以及排水口部，在上述盆部的表面的至少用户使用时的近前侧、且上述用户能够视觉确认的部位，形成向下方凹陷的连续的倾斜面，上述倾斜面的切线被形成为相对于水平面5度以上75度以下。

Description

洗脸池
技术领域
本发明涉及洗脸池。
背景技术
以往，在被设置于盥洗室的洗脸池中，为了抑制污物的附着，或很好地维持外观的设计性，上釉层(釉料层)被形成于最表面。
例如在日本特开2005-298250号公报中提案了在陶器坯体表面形成着色性的第一釉料层，而且在其上形成了透明性的第二釉料层的卫生陶器。在该卫生陶器中，实现了表面平滑性的提高以及耐热冲击性的提高。
近几年，洗脸池被要求设计性等的提高，并且被要求高品位。表示品位的指标之一是映像性。映像性是表示被映入卫生陶器的表面的像的清晰度的指标。若映入的像越清楚则判断为映像性越高。
作为表示品位的指标，除了映像性之外还可举出“厚重”。“厚重”是卫生陶器的表面的上釉层的厚度(深浅)的表现。上釉层被施加在卫生陶器的表面。“厚重”通过人间的视觉而被确认。由于仅通过映像性无法全面地感到上釉层的美，所以期望能够感到“厚重”的洗脸池。
发明内容
本发明的洗脸池具备：盆部，其向下方凹陷，并具备：陶器坯体、被配置于上述陶器坯体的表面侧的中间层、以及配置于上述中间层的表面侧且比上述中间层透明的上釉层；以及排水口部，在上述盆部的表面的至少用户使用时的近前侧、且上述用户能够视觉确认的位置形成向下方凹陷的连续的倾斜面，上述倾斜面的切线被形成为相对于水平面5度以上75度以下。
附图说明
图1是设置洗脸池的空间的侧视图，
图2是洗脸池的俯视图，
图3是图2的A-A线剖视图，
图4是表示洗脸池的剖面构造的图，
图5是洗脸池的上釉层的DTA曲线的一个例子，
图6是表示菲涅尔反射率的图表，
图7是设置变形例1的洗脸池的空间的侧视图，
图8是变形例1的洗脸池的俯视图，
图9是图8的B-B线剖视图，
图10是变形例2的洗脸池的剖视图，
图11是变形例3的洗脸池的剖视图。
具体实施方式
在图1中，以剖视图示出了洗脸池。如图1所示，本实施方式的洗脸池100沿着盥洗室等的壁部W而被设置。洗脸池100被设置于被壁部W支承的设置台W1上。在壁部W设置有未图示的吐水部以及配管等。
[洗脸池]
洗脸池100是作为材料的卫生陶器1被形成为所希望的形状的部件。首先，对洗脸池100的形状进行说明。在以下的说明中，在用户M使用洗脸池100时，将洗脸池100的用户M侧(A1侧)称为近前侧，将相反侧(A2侧)称为里侧。洗脸池100具有形成有向下凹陷的凹部的盆部101。
图2是洗脸池100的俯视图。如图2所示，洗脸池100在俯视图中具有大致矩形形状。洗脸池100被形成为四角具有弯曲形状。
在俯视中，在盆部101的大致中央设置有排水口部102。从被设置于壁部W等的吐水部(未图示)吐出的水通过排水口部102而向排水管(未图示)等排出。
如图1以及图3所示，盆部101的上表面(表面)被形成为向下方凹陷的连续的曲面(倾斜面)101u。本公开中的盆部的表面是指盆部的上表面。盆部的上表面位于在盆部内积存的水所接触的一侧。详细而言，盆部101的表面除了排水口部102以及排水口部102附近之外，被形成为曲面101u。曲面101u从盆部101的周缘部104起随着朝向俯视图的中央侧而向下方倾斜。
如图1所示，端部101a成为盆部101的周缘部104。端部101a是曲面101u的近前侧的端部。即在端部101a没有设置从端部101a向上方立起设置的壁部、向近前侧延伸突出的壁部等。
在曲面101u中的近前侧中，以随着朝向里侧(A2侧)而逐渐朝向下方的方式倾斜。
优选端部101a的切线与水平面H所成的角度(边缘角度)X1被形成为约5度以上。更优选角度X1是35度以上。优选角度X1被形成为约75度以下。更优选角度X1是45度以下。并不限于边缘角度X1为约5～75度的情况，只要比曲面101u的端部101a靠里侧，即曲面101u的近前侧且用户M能够看到的位置处的切线相对于水平面被形成为5度以上75度以下即可。在本实施方式中，角度X1是约45度。
在标准尺寸模量(1坪空间的内尺寸L1＝约1690mm)的独立住宅的情况下，通常将洗脸池100设置在距离地面F高度H1＝约800mm处。若将用户M的身高设为约170cm，则用户M移步到墙边时，由用户M朝向洗脸池100的端部101a而视线J1与水平面H所成的角度Y1与角度X1大致相同。因此，用户M的视线J1从盆部101的端部101a沿着曲面101u。
[卫生陶器]
接下来，对卫生陶器1进行说明。如图4所示，卫生陶器1具备陶器坯体10、配置于陶器坯体10的表面侧的中间层20、以及配置于中间层20的表面侧的上釉层30。
卫生陶器1的厚度T1没有被特别限定。例如优选厚度T1的下限值是1mm。更优选厚度T1的下限值是2mm。更优选厚度T1的下限值是3mm。优选厚度T1的上限值例如是50mm。更优选厚度T1的上限值是30mm。更优选厚度T1的上限值是20mm。若厚度T1为上述下限值以上，则容易提高卫生陶器1的强度。若厚度T1是上述上限值以下(50mm以下)，则能够使卫生陶器1轻量，处理变得容易。卫生陶器1的厚度T1例如能够使用游标卡尺测定。
优选卫生陶器1的映像性的下限值是80以上。更优选卫生陶器1的映像性的下限值是85以上。更优选卫生陶器1的映像性的下限值是90以上。若卫生陶器1的映像性是上述下限值以上(80以上)，则容易给予高品位的印象。卫生陶器1的映像性的上限值虽没有被特别限定，但实际上是99以下。在本说明书中，映像性是指由波扫描DOI测定装置(BYK Gardner公司制，Wave-Scan-DUAL)测定的DOI值。
[陶器坯体]
作为陶器坯体10可举出使用石膏模具或者树脂模具将作为原料而含有长石、陶石、高岭土、粘土等的陶器坯体组成物(陶器坯体泥浆)成型为规定的形状，并以1100～1300℃烧制而成的坯体。陶器坯体组成物含有水。优选水的含有量相对于陶器坯体组成物的总质量的下限值是30质量％。优选水的含有量相对于陶器坯体组成物的总质量的上限值是50质量％。更优选水的含有量相对于陶器坯体组成物的总质量的上限值是40质量％。
陶器坯体10的厚度T10没有被特别限定。例如优选厚度T10的下限值是1mm。更优选厚度T10的下限值是2mm。更优选厚度T10的下限值是3mm。优选厚度T10的上限值是50mm。更优选厚度T10的上限值是30mm。更优选厚度T10的上限值是20mm。若厚度T10是上述下限值以上(1mm以上)，则容易提高陶器坯体10的强度。若厚度T10是上述上限值以下(50mm以下)，则能够使陶器坯体10轻量，处理变得容易。陶器坯体10的厚度T10例如能够使用游标卡尺测定。
[上釉层]
上釉层30是卫生陶器用的上釉层组成物(以下，也仅称为上釉层组成物。)的烧制物。上釉层30是由用于形成位于卫生陶器1的最表面的层的釉(釉料)形成的层。上釉层组成物是所谓的釉料。上釉层组成物是将作为釉原料的硅砂、长石、石灰、粘土等分散在水而成的浆料(泥浆)。优选水相对于上釉层组成物的总质量的含有量是40～80质量％。更优选水相对于上釉层组成物的总质量的含有量是40～70质量％。
优选上釉层组成物所含的固体成分的平均粒径是20μm以下。更优选平均粒径是15μm以下。更优选平均粒径是10μm以下。若上釉层组成物所含的固体成分的平均粒径是上述上限值以下(20μm以下)，则容易使上釉层组成物所含的固体成分的熔融开始温度降低。上釉层组成物所含的固体成分的平均粒径的下限值虽没有被特别限定，但例如是0.1μm以上。上釉层组成物所含的固体成分的平均粒径例如能够通过将釉原料粉碎来调整。作为将釉原料粉碎的工具例如可举出球磨机。
在本说明书中，“平均粒径”是指50％平均粒径(D50)。D50是个数基准的中值粒径，是指累积分布中的50％的平均粒径。粒子径例如能够使用激光衍射式粒度分布测定器(日机装(株式会社)生产，“MT3300EX(型号)”)测定。上釉层组成物所含的固体成分是上釉层组成物的干燥物。
作为上釉层组成物可举出含有5～25质量份硅砂、20～40质量份长石、5～15质量份石灰、1～5质量份粘土的组成物。优选上釉层组成物除了上述以外还含有玻璃料。玻璃料是在1300℃以上的温度下将玻璃料原料熔融后并对其冷却，生成了非晶质的玻璃的材料。由于上釉层组成物含有玻璃料，从而容易降低上釉层组成物的熔融开始温度。此外，由于上釉层组成物含有玻璃料，从而容易使上釉层组成物更均匀地熔融，容易减少上釉层中的气泡。可举出组成物来作为玻璃料原料，该组成物相对于玻璃料原料的总质量，含有40～70质量％的二氧化硅素(SiO2)、5～15质量％的氧化铝(Al2O3)、以及10～50质量％的氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、氧化钙(CaO)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)及氧化硼(B2O3)的合计。玻璃料原料的各成分的含有量的合计以相对于玻璃料原料的总质量不超过100质量％的方式进行调整。
在上釉层组成物含有玻璃料的情况下，优选玻璃料的含有量相对于上釉层组成物所含的固体成分的总质量为50～100质量％。更优选玻璃料的含有量相对于上釉层组成物所含的固体成分的总质量为70～100质量％。若玻璃料的含有量是上述下限值以上(50质量％以上)，则容易降低上釉层组成物的熔融开始温度。玻璃料的含有量以相对于上釉层组成物所含的固体成分的总质量不超过100质量％的方式进行调整。
上釉层组成物的熔融开始温度能够由第一熔融温度、第二熔融温度以及第三熔融温度的任一个来规定。第一熔融温度通过下述测定方法1-1来测定。
＜测定方法1-1＞
将氧化铝粉末作为基准物质，将卫生陶器用的上釉层组成物的干燥物作为试料粉末来进行DTA测定，求出DTA曲线。在所得到的DTA曲线的超700℃的区域中，将电位差ΔV变小的最初的拐点上的基准物质的温度作为第一熔融温度。电位差ΔV与从试料粉末的温度减去基准物质的温度而得到的值ΔT对应。在比第一熔融温度靠高温侧的区域中，将电位差ΔV变大的最初的拐点的基准物质的温度作为第二熔融温度。
DTA曲线通过使用差示热分析(DTA)装置进行DTA测定而被求出。DTA测定也可是TG-DTA测定(热重量差示热分析测定)。DTA测定将氧化铝粉末作为基准物质，将上釉层组成物的干燥物作为试料粉末。上釉层组成物的干燥物例如通过将上釉层组成物加热到20～110℃，使水分蒸发而得到。相对于上釉层组成物的干燥物的总质量的水分量例如下限值是0质量％。相对于上釉层组成物的干燥物的总质量的水分量的上限值例如是1质量％。在DTA测定中，通过恒定的程序使试料粉末的温度以及基准物质的温度变化，同时作为温度的函数来测定电位差ΔV。电位差ΔV与从试料粉末的温度减去基准物质的温度而得到的值ΔT((试料粉末的温度)-(基准物质的温度))对应。在DTA曲线中，将在基准物质的温度超700℃的区域出现的拐点中电位差ΔV变小的最初的拐点作为第一拐点。将第一拐点上的基准物质的温度作为第一熔融温度。将在比第一熔融温度靠高温侧的区域出现的拐点中电位差ΔV变大的最初的拐点作为第二拐点。将第二拐点上的基准物质的温度作为第二熔融温度。
图5是在进行了形成卫生陶器1的上釉层30的上釉层组成物的TG-DTA测定时所得到的TG-DTA的图表。在TG-DTA的图表中，横轴表示基准物质的温度(℃)。纵轴的第一轴表示试料粉末的质量变化(质量％)。纵轴的第二轴表示电位差ΔV(μV)，该电位差ΔV(μV)表示从试料粉末的温度减去基准物质的温度而得到的值ΔT。在图5中，线C1表示TG曲线。线C2表示DTA曲线。对C2而言，电位差ΔV与基准物质的温度的上升一起变大，在基准物质的温度超700℃的区域出现第一拐点P1。在第一拐点P1，被认为上釉层组成物开始熔融，上釉层组成物的玻璃构造开始松软。第一拐点P1通过沿线C2的倾斜度(ΔV的增加量/基准物质的温度的增加量)为最大时的线C2所引出的切线、与沿线C2的倾斜度为最小时的线C2引出的切线的交点而被给出。第一拐点P1处的基准物质的温度是第一熔融温度。与一般的TG-DTA的图表中的外推熔融开始温度的求取方法相同地求出第一熔融温度(参照JIS K7121-1987)。线C2具有在第一拐点P1出现后，ΔV减少，ΔV再次变大的第二拐点P2。在第二拐点P2，被认为上釉层组成物熔融，上釉层组成物的玻璃构造完全松软。第二拐点P2通过沿线C2的倾斜度为最小时的线C2所引出的切线、与沿线C2的倾斜度为正时的线C2所引出的切线的交点而被给出。第二拐点P2处的基准物质的温度是第二熔融温度。与一般的TG-DTA的图表的熔融峰值温度的求出方法相同地求出第二熔融温度(参照JIS K7121-1987)。
在DTA测定中，优选基准物质的质量的下限值例如是5mg。在DTA测定中，优选基准物质的质量的上限值例如是50mg。优选试料粉末的质量的下限值例如是5mg。优选试料粉末的质量的上限值例如是50mg。优选得到上釉层组成物的干燥物时的加热温度的下限值例如是20℃。优选得到上釉层组成物的干燥物时的加热温度的上限值例如是110℃。优选加热试料粉末时的升温速度的下限值例如是2℃/分。优选加热试料粉末时的升温速度的上限值例如是10℃/分。
优选上釉层组成物的第一熔融温度的下限值是800℃。优选第一熔融温度的上限值是1050℃。更优选第一熔融温度的下限值是820℃。更优选第一熔融温度的下限值是840℃。更优选第一熔融温度的上限值是1000℃。更优选第一熔融温度的上限值是950℃。若上釉层组成物的第一熔融温度是上述下限值以上(800℃以上)，则容易抑制烧制上釉层组成物时的气泡的产生。若上釉层组成物的第一熔融温度是上述上限值以下(1000℃以下)，则容易使在烧制上釉层组成物时产生的气泡向大气中扩散。
第二熔融温度通过上述测定方法1-1而被测定。优选上釉层组成物的第二熔融温度的下限值是850℃。优选第二熔融温度的上限值是1150℃。更优选第二熔融温度的下限值是870℃。更优选第二熔融温度的下限值是900℃。更优选第二熔融温度的上限值是1100℃。更优选第二熔融温度的上限值是1050℃。若上釉层组成物的第二熔融温度是上述下限值以上(850℃以上)，则容易抑制烧制上釉层组成物时的气泡的产生。若上釉层组成物的第二熔融温度是上述上限值以下(1150℃以下)，则容易使烧制上釉层组成物时产生的气泡向大气中扩散。
优选上釉层组成物的第二熔融温度与第一熔融温度的差(上釉层熔融温度差)的下限值是50℃。优选上釉层熔融温度差的上限值是120℃。更优选上釉层熔融温度差的下限值是60℃。更优选上釉层熔融温度差的下限值是70℃。更优选上釉层熔融温度差的上限值是100℃。更优选上釉层熔融温度差的上限值是90℃。若上釉层熔融温度差是上述下限值以上(50℃以上)，则容易缩小烧制上釉层组成物时产生的气泡的平均气泡径。若上釉层熔融温度差是上述上限值以下(120℃以下)，则容易抑制在烧制上釉层组成物时的气泡的产生。上釉层熔融温度差通过从上釉层组成物的第二熔融温度减去上釉层组成物的第一熔融温度来求出。
上釉层组成物的第一熔融温度能够通过釉原料的种类、釉原料的调配比例、上釉层组成物的固体成分的平均粒径、以及它们的组合来调整。上釉层组成物的第二熔融温度能够与上釉层组成物的第一熔融温度相同地进行调整。
第三熔融温度通过下述测定方法1-2来测定。
＜测定方法1-2＞
对卫生陶器用的上釉层组成物的干燥物进行加压成型而得到圆柱状试料。对所得到的圆柱状试料边进行加热边照射光。测定由圆柱状试料的表面反射的反射光的光量。将反射光的光量成为开始发光时检测到的反射光的光量的10倍以上的最初的温度作为第三熔融温度。
在测定方法1-2中，通过对卫生陶器用的上釉层组成物的干燥物进行加压成型而得到圆柱状试料。优选圆柱状试料的直径的下限值例如是2mm。优选圆柱状试料的直径的上限值例如是10mm。优选圆柱状试料的高度的下限值例如是5mm。优选圆柱状试料的高度的上限值例如是20mm。优选圆柱状试料的质量的下限值例如是100mg。优选圆柱状试料的质量的上限值例如是500mg。优选对上釉层组成物的干燥物进行加压成型时的压力的下限值例如是10MPa。优选对上釉层组成物的干燥物进行加压成型时的压力的上限值例如是50MPa。反射光的光量是利用带长焦镜头的数字照相机拍摄，并通过图像处理系统换算为像素数的值。加热圆柱状试料时的反射光的光量每隔1℃就被测定一次。“开始发光”是指由圆柱状试料的表面反射的反射光的光量不为0的时候。优选加热圆柱状试料时的升温速度的下限值例如是1℃/分。优选加热圆柱状试料时的升温速度的上限值例如是10℃/分。优选向圆柱状试料照射的光的光量的下限值例如是500流明。优选向圆柱状试料照射的光的光量的上限值例如是2000流明。在第三熔融温度，被认为上釉层组成物开始熔融，上釉层组成物的玻璃构造完全松软。
优选上釉层组成物的第三熔融温度的下限值是850℃。优选第三熔融温度的上限值是1150℃。更优选第三熔融温度的下限值是870℃。更优选第三熔融温度的下限值是900℃。更优选第三熔融温度的上限值是1100℃。更优选第三熔融温度的上限值是1050℃。若上釉层组成物的第三熔融温度是上述下限值以上(850℃以上)，则容易抑制烧制上釉层组成物时的气泡的产生。若上釉层组成物的第三熔融温度是上述上限值以下(1150℃以下)，则容易使在烧制上釉层组成物时产生的气泡向大气中扩散。
能够与上釉层组成物的第一熔融温度同样地调整上釉层组成物的第三熔融温度。
在从具备上釉层30的卫生陶器1求出上釉层30的熔融开始温度的情况下，第一熔融温度、第二熔融温度通过下述测定方法2-1来测定。
＜测定方法2-1＞
将氧化铝粉末作为基准物质，将上釉层30的粉末作为试料粉末来进行DTA测定，求出DTA曲线。在所得到的DTA曲线的超700℃的区域中，将电位差ΔV(μV)变小的最初的拐点上的基准物质的温度作为第一熔融温度。电位差ΔV(μV)与从试料粉末的温度减去基准物质的温度而得到的值ΔT对应。在比第一熔融温度靠高温侧的区域中，将电位差ΔV变大的最初的拐点上的基准物质的温度作为第二熔融温度。
上釉层30的粉末通过适当地切出上釉层30并对其进行研磨等而得到。DTA测定的条件与上述测定方法1-1的DTA测定的条件相同。上釉层30的第一熔融温度与上釉层组成物的第一熔融温度相同。上釉层30的第二熔融温度与上釉层组成物的第二熔融温度相同。上釉层30的第二熔融温度与第一熔融温度之差和上釉层组成物的第二熔融温度与第一熔融温度之差(上釉层熔融温度差)相同。
在从具备上釉层30的卫生陶器1求出上釉层30的第三熔融温度的情况下，通过下述测定方法2-2来测定。
＜测定方法2-2＞
对上釉层30的粉末进行加压成型而得到圆柱状试料。对所得到的圆柱状试料边进行加热边照射光。测定由圆柱状试料的表面反射的反射光的光量。将反射光的光量成为开始发光时检测到的反射光的光量的10倍以上的最初的温度作为第三熔融温度。
上釉层30的粉末通过适当地切出上釉层30并对其进行研磨等而得到。得到圆柱状试料时的条件与上述测定方法1-2中的得到圆柱状试料时的条件相同。上釉层30的第三熔融温度与上釉层组成物的第三熔融温度相同。
在本说明书中，“气泡”是指实际上被包含在上釉层30以及中间层20的至少任一个中的气泡。气泡例如由于氧化反应、分解反应以及空隙等的至少任一个而产生。对于该氧化反应以及分解反应而言，上釉层30、陶器坯体10以及中间层组成物所含的成分成为基础。空隙被包含于上釉层30、陶器坯体10、中间层组成物中。对气泡而言，在利用显微镜等观察上釉层30的剖切面而得到的图像中，使用图像处理软件将图像的亮度二值化，将相对较暗的部位判断为气泡，由此对气泡进行计数。对于所计数的气泡的大小而言，将剖切面中的气泡进行正圆换算，直径为2μm以上。
例如按照以下的步骤求出所计数的气泡。使用小型试料切割机沿上釉层30的厚度方向将卫生陶器1切断。利用显微镜(奥林巴斯(株式会社)生产，DSX510)以倍率125倍观察所切断的剖切面。在所观察的图像中，使用图像处理软件将图像的亮度二值化，根据相对较暗的部位各自的面积，将πμm2(直径为2μm的气泡的等价面积)以上的部位检测作为气泡。
将上釉层30沿厚度方向切断而成的剖切面的气泡的面积相对于该剖切面的面积的比例(以下也称为“上釉层30的气泡面积率”。)是3％以下，优选是2％以下。若上釉层30的气泡面积率是上述上限值以下(3％以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因上釉层30中的气泡而发生漫反射的情况。因此，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。上釉层30的气泡面积率的下限值虽没有被特别限定，但通常是0.01％以上。上釉层30的气泡面积率(％)通过将使用上述显微镜等观察的图像中检测到的气泡的总面积(mm2)除以所观察的图像中的视野面积(mm2)而求出。
将上釉层30在厚度方向切断了的剖切面中的气泡的平均气泡径(以下也称为“上釉层30的平均气泡径”。)是50μm以下。上釉层30的平均气泡径优选是40μm以下。上釉层30的平均气泡径更优选是30μm以下。若上釉层30的平均气泡径是上述上限值以下(50μm以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因上釉层30中的气泡而发生漫反射的情况。因此，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。上釉层30的平均气泡径的下限值是2μm。上釉层30的平均气泡径(μm)是在使用上述显微镜等观察的图像中，根据被检测为气泡的部分各自的面积利用正圆换算来计算气泡径(直径)，并用气泡径的合计除以检测到的气泡数所得的平均值。
优选将上釉层30沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡数(以下也称为“上釉层30的剖切面中的气泡数”。)为每1mm2在120个以下。更优选上釉层30的剖切面中的气泡数每1mm2是100个以下。更优选上釉层30的剖切面中的气泡数每1mm2是80个以下。若上釉层30的剖切面中的气泡数是上述上限值以下(120个以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光被上釉层30中的气泡漫反射。因此，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。上釉层30的剖切面中的气泡数的下限值虽没有被特别限定，但通常是一个以上。上釉层30的剖切面中的气泡数(个/mm2)通过将使用上述显微镜等观察的图像中检测出的气泡的数量除以所观察的图像中的视野面积(mm2)而求出。
优选上釉层30的厚度T30例如是100μm以上。更优选厚度T30的下限值例如是150μm。更优选厚度T30的下限值是200μm。更优选厚度T30的上限值例如是1000μm。更优选厚度T30的上限值是800μm。更优选厚度T30的上限值是600μm。若厚度T30是上述下限值以上(100μm以上)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。若厚度T30是上述上限值以下，则容易使上釉层组成物中的气泡向上釉层30的外部释放。
上釉层30的厚度T30例如通过以下的步骤而被求出。使用小型试料切割机沿上釉层30的厚度方向切断卫生陶器1。利用显微镜(奥林巴斯(株式会社)生产，DSX510)以倍率125倍观察所切断的剖切面。在所观察的图像中，在任意的20个部位对上釉层30的表面、和上釉层30与中间层20的分界线(上中分界线)的距离进行测定。将测定出的距离的算术平均值作为上釉层30的厚度T30。切断卫生陶器1的部位虽没有被特别限定，但优选容易与人的目光相接触的部位。作为与人的目光容易相接触的部位例如可举出洗脸池的盆面、洗脸池的顶部表面、小便器的顶部表面、便器的边缘部分、便器的盆面、便器的侧面等。
优选上釉层30的厚度T30的最大值T30MAX、与上釉层30的厚度T30的最小值T30MIN之差T30Δ是50μm以下。更优选差T30Δ是40μm以下。更优选差T30Δ是30μm以下。若差T30Δ是上述上限值以下(50μm以下)，则容易抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射。其结果是，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。差T30Δ的下限值虽没有被特别限定，但通常是0.1μm以上。
优选差T30Δ相对于厚度T30的比例(以下也称为“T30Δ/T30比”。)是25％以下。更优选T30Δ/T30比是20％以下。更优选T30Δ/T30比是10％以下。若T30Δ/T30比是上述上限值以下(25％以下)，则容易抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射。其结果是，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。T30Δ/T30比的下限值虽没有被特别限定，但通常是0.01％以上。
厚度T30的最大值T30MAX与厚度T30的最小值T30MIN例如通过以下的步骤来求出。与求出上釉层30的厚度T30的步骤相同地，在任意的20个部位对上釉层30的表面与上中分界线的距离进行测定。将所测定的20个部位中上釉层30的表面与上中分界线的距离为最大的距离作为最大值T30MAX。将所测定的20个部位中上釉层30的表面与上中分界线的距离为最小的距离作为最小值T30MIN。
能够通过平坦地形成上釉层30与中间层20的界面来控制差T30Δ。根据后述的中间层组成物的熔融开始温度、将中间层20沿厚度方向切断而成的剖切面中的平均气泡径、将中间层20沿厚度方向切断而成的剖切面的气泡的面积相对于该剖切面的面积的比例以及它们的组合，能够控制上釉层30与中间层20的界面的平滑性。
[中间层]
中间层20是中间层组成物的烧制物。中间层20是包含位于陶器坯体10与上釉层30之间的釉的层。中间层组成物是形成中间层20的原料(中间层原料)分散于水而成的浆料(泥浆)。优选水相对于中间层组成物的总质量的含有量是40～60质量％。更优选水相对于中间层组成物的总质量的含有量是40～50质量％。
中间层20例如包含以下的物质的结晶相。例如Al2O3、ZrO2、ZrO2-SiO2系、Al2O3-SiO2系、CaO-SiO2系、MgO-SiO2系、BaO-SiO2系、SrO-SiO2系、Na2O-Al2O3-SiO2系、K2O-Al2O3-SiO2系、CaO-Al2O3-SiO2系、MgO-Al2O3-SiO2系、BaO-Al2O3-SiO2系、SrO-Al2O3-SiO2系化合物等，SiO2、Al2O3、ZrO2、Na2O、K2O、CaO、MgO、SrO、BaO的化合物。
中间层20包含上述结晶相且不透明。由于上釉层30不包含上述结晶相，所以比中间层20透明。
优选中间层组成物所含的固体成分的平均粒径是10μm以下。更优选中间层组成物所含的固体成分的平均粒径是8μm以下。更优选中间层组成物所含的固体成分的平均粒径是6μm以下。若中间层组成物所含的固体成分的平均粒径是上述上限值以下(10μm以下)，则容易降低中间层组成物所含的固体成分的熔融开始温度。中间层组成物所含的固体成分的平均粒径的下限值虽没有被特别限定，但例如是0.05μm以上。中间层组成物所含的固体成分的平均粒径例如能够通过将中间层原料粉碎来调整。作为粉碎中间层原料的工具例如可举出球磨机。
中间层组成物所含的固体成分的平均粒径能够通过与上釉层组成物所含的固体成分的平均粒径相同的方法来测定。中间层组成物所含的固体成分是中间层组成物的干燥物。
作为中间层组成物，可举出相对于中间层组成物所含的固体成分的总质量，含有50～80质量％的SiO2，5～40质量％的Al2O3，以及合计5～30质量％的Na2O、K2O、CaO、MgO及ZnO的组成物。中间层组成物所含的固体成分的各成分的含有量的合计相对于中间层组成物所含的固体成分的总质量，不超过100质量％。
以将Na2O、K2O、CaO、MgO以及ZnO的合计的摩尔数作为1时的摩尔比计，作为中间层组成物的组成，优选含有2～16摩尔的SiO2、0～5摩尔的Al2O3的组成。
中间层组成物也可以含有玻璃料。优选玻璃料的含有量的下限值相对于中间层组成物所含的固体成分的总质量为0质量％。优选玻璃料的含有量的上限值相对于中间层组成物所含的固体成分的总质量为30质量％。更优选玻璃料的含有量的上限值相对于中间层组成物所含的固体成分的总质量为20质量％。
中间层组成物的干燥物(以下，也称为中间层原料。)也可是陶器坯体组成物的干燥物(以下，也称为陶器坯体原料。)与上釉层组成物的干燥物(以下，也称为釉原料。)的混合物。在中间层原料是陶器坯体原料与釉原料的混合物的情况下，优选由陶器坯体原料/釉原料表示的质量比(以下也称为“坯体/釉料比”。)的下限值是20/80。更优选坯体/釉料比的下限值是30/70。更优选坯体/釉料比的下限值是40/60。优选坯体/釉料比的上限值是80/20。更优选坯体/釉料比的上限值是70/30。更优选坯体/釉料比的上限值是60/40。若坯体/釉料比是上述下限值以上(20/80以上)，则容易提高陶器坯体10与中间层20的粘结性。若坯体/釉料比是上述上限值以下(80/20以下)，则容易使中间层20与上釉层30的界面平坦。从进一步提高卫生陶器1的“厚重”的观点出发，优选中间层原料是陶器坯体原料与釉原料的混合物。中间层组成物也可以是将陶器坯体组成物与上釉层组成物以成为上述坯体/釉料比的方式混合而成的混合物。
优选中间层组成物含有颜料。由于中间层组成物含有颜料，从而能够将中间层20着色。通过将中间层20着色，能够隐藏陶器坯体10的颜色。作为颜料可举出硅酸锆、氧化铝等。在中间层组成物含有颜料的情况下，优选颜料的含有量的下限值相对于中间层组成物所含的固体成分的总质量是3质量％。更优选颜料的含有量的下限值是6质量％。优选颜料的含有量的上限值是15质量％。
中间层组成物的熔融开始温度能够由第一熔融温度规定。优选中间层组成物的第一熔融温度的下限值是850℃。更优选中间层组成物的第一熔融温度的下限值是910℃。更优选中间层组成物的第一熔融温度的下限值是930℃。优选第一熔融温度的上限值是960℃。更优选第一熔融温度的上限值是950℃。若中间层组成物的第一熔融温度是上述下限值以上(850℃以上)，则容易抑制烧制中间层组成物时的气泡的产生。若中间层组成物的第一熔融温度是上述上限值以下(960℃以下)，则容易使上釉层30与中间层20的界面平坦。中间层组成物的第一熔融温度能够利用与上釉层组成物的第一熔融温度相同的方法来测定。
优选上釉层组成物的第一熔融温度与中间层组成物的第一熔融温度的温度差(第一温度差)的下限值是10℃。更优选第一温度差的下限值是30℃。更优选第一温度差的下限值是60℃。优选第一温度差的上限值是120℃。更优选第一温度差的上限值是115℃。更优选第一温度差的上限值是110℃。若第一温度差在上述数值范围内(10℃以上120℃以下)，则容易使上釉层30与中间层20的界面平坦。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。
优选中间层组成物的第二熔融温度的下限值是1090℃。更优选中间层组成物的第二熔融温度的下限值是1095℃。更优选中间层组成物的第二熔融温度的下限值是1100℃。优选中间层组成物的第二熔融温度的上限值是1230℃。更优选中间层组成物的第二熔融温度的上限值是1225℃。更优选中间层组成物的第二熔融温度的上限值是1220℃。若中间层组成物的第二熔融温度是上述下限值以上(1090℃以上)，则容易抑制烧制中间层组成物时的气泡的产生。若中间层组成物的第二熔融温度是上述上限值以下(1230℃以下)，则容易使上釉层30与中间层20的界面平坦。中间层组成物的第二熔融温度能够利用与上釉层组成物的第二熔融温度相同的方法来测定。
优选上釉层组成物的第二熔融温度与中间层组成物的第二熔融温度的温度差(第二温度差)的下限值是10℃。更优选第二温度差的下限值是100℃。更优选第二温度差的下限值是200℃。优选第二温度差的上限值是330℃。更优选第二温度差的上限值是325℃。更优选第二温度差的上限值是320℃。若第二温度差在上述数值范围内(10℃以上330℃以下)，则容易使上釉层30与中间层20的界面平坦。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。
优选中间层组成物的第二熔融温度与第一熔融温度的差(中间层熔融温度差)的下限值是50℃。更优选中间层熔融温度差的下限值是100℃。更优选中间层熔融温度差的下限值是230℃。优选中间层熔融温度差的上限值是300℃。若中间层熔融温度差是上述下限值以上(50℃以上)，则容易减小烧制中间层组成物时产生的气泡的平均气泡径。若中间层熔融温度差是上述上限值以下(300℃以下)，则容易抑制烧制中间层组成物时的气泡的产生。中间层熔融温度差通过从中间层组成物的第二熔融温度减去中间层组成物的第一熔融温度来求出。
中间层组成物的第一熔融温度能够通过中间层原料的种类、中间层原料的调配比例、中间层组成物的固体成分的平均粒径、以及它们的组合来调整。能够与中间层组成物的第一熔融温度相同地调整中间层组成物的第二熔融温度。
在从具备中间层20的卫生陶器1求出中间层20的熔融开始温度的情况下，将中间层20的粉末作为试料粉末，通过与上述测定方法2-1相同的方法来测定第一熔融温度、以及第二熔融温度。中间层20的粉末通过将中间层20适当地切出并对其进行研磨等而得到。中间层20的第一熔融温度与中间层组成物的第一熔融温度相同。中间层20的第二熔融温度与中间层组成物的第二熔融温度相同。中间层20的第二熔融温度与第一熔融温度之差和中间层组成物的第二熔融温度与第一熔融温度之差(中间层熔融温度差)相同。
优选将中间层20沿厚度方向切断而成的剖切面的气泡的面积相对于该剖切面的面积的比例(以下也称为“中间层20的气泡面积率”。)是20％以下。更优选中间层20的气泡面积率是15％以下。更优选中间层20的气泡面积率是12％以下。若中间层20的气泡面积率是上述上限值以下(20％以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因中间层20中的气泡而发生漫反射的情况。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。中间层20的气泡面积率的下限值虽没有被特别限定，但通常是1.0％以上。中间层20的气泡面积率通过与上釉层30的气泡面积率相同的方法来求出。
优选将中间层20沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡的平均气泡径(以下也称为“中间层20的剖切面中的气泡的平均气泡径”。)是25μm以下。更优选中间层20的剖切面中的气泡的平均气泡径是20μm以下。更优选中间层20的剖切面中的气泡的平均气泡径是15μm以下。若中间层20的剖切面中的气泡的平均气泡径是上述上限值以下(25μm以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因中间层20中的气泡而发生漫反射的情况。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。中间层20的剖切面中的气泡的平均气泡径的下限值为2μm。中间层20的剖切面中的气泡的平均气泡径通过与上釉层30的剖切面中的气泡的平均气泡径相同的方法来求出。
优选将中间层20沿厚度方向切断而成的剖切面中的气泡数(以下也称为“中间层20的剖切面中的气泡数”。)为每1mm2在1000个以下。更优选中间层20的剖切面中的气泡数为每1mm2在700个以下。更优选中间层20的剖切面中的气泡数为每1mm2在500个以下。若中间层20的剖切面中的气泡数是上述上限值以下(1000个以下)，则容易抑制向上釉层30入射的光因中间层20中的气泡而发生漫反射的情况。其结果是，能够抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。中间层20的剖切面中的气泡数的下限值虽没有被特别限定，但通常是一个以上。中间层20的剖切面中的气泡数能够通过与上釉层30的剖切面中的气泡数相同的方法来计数。
优选中间层20的厚度T20例如是200μm以上。更优选中间层20的厚度T20的下限值是250μm。更优选中间层20的厚度T20的下限值是300μm。更优选中间层20的厚度T20的上限值是1000μm。更优选中间层20的厚度T20的上限值是800μm。更优选中间层20的厚度T20的上限值是600μm。若厚度T20是上述下限值以上(200μm以上)，则容易使中间层20与上釉层30的界面平坦。若厚度T20是上述上限值以下(1000μm以下)，则容易使中间层组成物中的气泡向中间层20的外部释放。
中间层20的厚度T20例如通过以下的步骤来求出。使用小型试料切割机沿中间层20的厚度方向切断卫生陶器1。通过显微镜(奥林巴斯(株式会社)生产，DSX510)以倍率125倍观察所切断的剖切面。在观察的图像中，针对任意的20个部位，测定上釉层30与中间层20的分界线(上中分界线)、和中间层20与陶器坯体10的分界线(中坯分界线)的距离。将测定出的距离的算术平均值作为中间层20的厚度T20。
优选中间层20的厚度T20的最大值T20MAX、与中间层20的厚度T20的最小值T20MIN的差T20Δ是50μm以下。更优选差T20Δ是40μm以下。更优选差T20Δ是30μm以下。若差T20Δ是上述上限值以下(50μm以下)，则容易抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射。其结果是，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。差T20Δ的下限值虽没有被特别限定，但通常是0.1μm以上。
优选差T20Δ相对于厚度T20的比例(以下也称为“T20Δ/T20比”。)是25％以下。更优选T20Δ/T20比是20％以下。更优选T20Δ/T20比是10％以下。若T20Δ/T20比是上述上限值以下(25％以下)，则容易抑制上釉层30与中间层20的界面上的光的漫反射。其结果是，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。T20Δ/T20比的下限值虽没有被特别限定，但通常是0.01％以上。
厚度T20的最大值T20MAX、及厚度T20的最小值T20MIN例如通过以下的步骤而被求出。与求出中间层20的厚度T20的步骤相同地，针对任意的20个部位测定上中分界线与中坯分界线的距离。将所测定的20个部位中、上中分界线与中坯分界线的距离为最大的距离作为最大值T20MAX。将所测定的20个部位中、上中分界线与中坯分界线的距离为最小的距离作为最小值T20MIN。
[卫生陶器的制造方法]
接下来，对本实施方式的卫生陶器1的制造方法进行说明。首先，准备陶器坯体10。陶器坯体10除了是对陶器坯体组成物进行成型而成的成型品以外，也可是烧制陶器坯体组成物而成型的成型品。陶器坯体10也可是预先成型了的出售品。陶器坯体10也可是成型而后烧制的出售品。在烧制陶器坯体组成物的情况下，优选烧制温度的下限值例如是1100℃。更优选烧制温度的下限值是1150℃。优选烧制温度的上限值例如是1300℃。更优选烧制温度的上限值是1250℃。若烧制温度是上述下限值以上(1100℃以上)，则容易提高陶器坯体10的强度。若烧制温度是上述上限值以下(1300℃以下)，则容易抑制陶器坯体10的变形。
接下来，将中间层组成物涂覆在陶器坯体10的表面。将中间层组成物涂覆在陶器坯体10的表面的方法没有被特别限定，能够适当地选择浸釉法、浇釉法、吹釉法、涂釉法等一般的方法。从确保中间层20的厚度的观点出发，优选将中间层组成物涂覆在陶器坯体10的表面的方法是浸釉法、浇釉法、涂釉法、以及吹釉法中的任一个。从容易使中间层20的厚度均匀的观点出发，优选将中间层组成物涂覆在陶器坯体10的表面的方法是吹釉法。作为浸釉法可举出浸涂法。作为吹釉法可举出喷涂法。
中间层组成物的涂覆量没有被特别限定，优选以能够使烧制后的中间层20的厚度形成为200μm以上的方式进行调整。通过适当地调整中间层组成物的水的含有量、中间层组成物的粘度、中间层组成物所含的固体成分的平均粒径等，能够调整中间层组成物的涂覆量。通过将中间层组成物涂覆于陶器坯体10的表面，由此得到一次涂覆体。
通过使一次涂覆体干燥，从而容易在一次涂覆体的表面涂覆上釉层组成物。因此，优选对一次涂覆体进行干燥。优选干燥一次涂覆体时的温度的下限值是20℃。更优选干燥一次涂覆体时的温度的下限值是30℃。更优选干燥一次涂覆体时的温度的下限值是40℃。优选干燥一次涂覆体时的温度的上限值是110℃。更优选干燥一次涂覆体时的温度的上限值是100℃。更优选干燥一次涂覆体时的温度的上限值是90℃。若干燥一次涂覆体时的温度是上述下限值以上(30℃以上)，则容易减少中间层组成物的水的含有量。若干燥一次涂覆体时的温度是上述上限值以下(100℃以下)，则容易使中间层20的表面平坦。优选干燥一次涂覆体的时间的下限值是0.5小时。若干燥一次涂覆体的时间是上述下限值以上，则容易充分地干燥中间层组成物。优选干燥一次涂覆体的时间的上限值是48小时。若干燥一次涂覆体的时间是上述上限值以下，则容易提高卫生陶器1的生产率。
接下来，在一次涂覆体的表面涂覆上釉层组成物。涂覆上釉层组成物的方法从容易调整上釉层30的厚度的观点出发，优选吹釉法(喷釉法)。
上釉层组成物的涂覆量没有被特别限定，优选以能够将烧制后的上釉层30的厚度形成为100μm以上的方式进行调整。通过适当地调整上釉层组成物的水的含有量、上釉层组成物的粘度、上釉层组成物所含的固体成分的平均粒径等，从而能够调整上釉层组成物的涂覆量。通过将上釉层组成物涂覆在一次涂覆体的表面，由此能够得到二次涂覆体。
接下来，对二次涂覆体进行烧制。作为烧制二次涂覆体时的烧制温度优选为使陶器坯体10烧结，并且使中间层组成物与上釉层组成物软化的温度。优选烧制二次涂覆体时的烧制温度的下限值例如是1100℃。更优选烧制二次涂覆体时的烧制温度的下限值是1150℃。优选烧制二次涂覆体时的烧制温度的上限值例如是1300℃。更优选烧制二次涂覆体时的烧制温度的上限值是1250℃。若烧制二次涂覆体时的烧制温度是上述下限值以上(1150℃以上)，则容易充分地熔融上釉层组成物。此外，若烧制二次涂覆体时的烧制温度是上述下限值以上(1150℃以上)，则容易充分地熔融中间层组成物。若烧制二次涂覆体时的烧制温度是上述上限值以下(1250℃以下)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。此外，若烧制二次涂覆体时的烧制温度是上述上限值以下(1250℃以下)，则容易使中间层20与上釉层30的界面平坦。
优选烧制二次涂覆体的烧制时间的下限值是1小时。更优选烧制二次涂覆体的烧制时间的下限值是2小时。更优选烧制二次涂覆体的烧制时间的下限值是3小时。优选烧制二次涂覆体的烧制时间的上限值是168小时。更优选烧制二次涂覆体的烧制时间的上限值是72小时。更优选烧制二次涂覆体的烧制时间的上限值是24小时。若烧制二次涂覆体的烧制时间是上述下限值以上(1小时以上)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。此外，若烧制二次涂覆体的烧制时间是上述下限值以上(1小时以上)，则容易使中间层20与上釉层30的界面平坦。若烧制二次涂覆体的烧制时间是上述上限值以下(168小时以下)，则容易提高卫生陶器1的生产率。
通过烧制二次涂覆体，由此得到烧制品。烧制品通过冷却而成为卫生陶器1。卫生陶器1可以通过使烧制品自然冷却而得到，也可通过送风等进行冷却而得到。优选冷却烧制品时的温度的下限值是800℃。更优选冷却烧制品时的温度的下限值是900℃。优选冷却烧制品时的温度的上限值是1300℃。更优选冷却烧制品时的温度的上限值是1250℃。若冷却烧制品时的温度区域是上述下限值以上(800℃以上)，则容易使气泡向上釉层30的外部释放。若冷却烧制品时的温度区域是上述上限值以下(1300℃以下)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。优选冷却烧制品时的降温速度是30℃/分以下。更优选冷却烧制品时的降温速度是10℃/分以下。更优选冷却烧制品时的降温速度是0.1℃/分以下。若冷却烧制品时的降温速度是上述上限值以下(30℃/分以下)，则容易使气泡向上釉层30的外部释放。此外，若冷却烧制品时的降温速度是上述上限值以下(30℃/分以下)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。
对于卫生陶器1而言，也可以通过浸釉法、浇釉法、涂釉法、以及吹釉法中的任一种将中间层组成物涂覆在陶器坯体10的表面后进行烧制而得到一次烧制体(第一烧制工序)，并将上釉层组成物涂覆在上述一次烧制体来进行烧制(第二烧制工序)由此得到卫生陶器1。
优选第一烧制工序的烧制温度的下限值是800℃。更优选第一烧制工序的烧制温度的下限值是850℃。优选第一烧制工序的烧制温度的上限值是1000℃。更优选第一烧制工序的烧制温度的上限值是950℃。若第一烧制工序的烧制温度是上述下限值以上(800℃以上)，则容易充分地熔融中间层组成物。此外，容易进行陶器坯体10、中间层20的脱气，容易抑制气泡向上釉层30的混入。若第一烧制工序的烧制温度是上述上限值以下(1000℃以下)，则容易使中间层20的表面平坦，容易提高与上釉层组成物的密合性。优选第一烧制工序的烧制时间的下限值是1小时。更优选第一烧制工序的烧制时间的下限值是2小时。更优选第一烧制工序的烧制时间的下限值是3小时。优选第一烧制工序的烧制时间的上限值是168小时。更优选第一烧制工序的烧制时间的上限值是72小时。更优选第一烧制工序的烧制时间的上限值是24小时。若第一烧制工序的烧制时间是上述下限值以上(一个小时以上)，则容易使中间层20的表面平坦。此外，容易进行陶器坯体10、中间层20的脱气，容易抑制气泡向上釉层30的混入。若第一烧制工序的烧制时间是上述上限值以下(168小时以下)，则容易提高卫生陶器1的生产率。烧制一次涂覆体由此能够得到一次烧制体。
优选在涂覆上釉层组成物前一次烧制体进行冷却。优选冷却一次烧制体时的温度的下限值是800℃。更优选冷却一次烧制体时的温度的下限值是850℃。优选冷却一次烧制体时的温度的上限值是1000℃。更优选冷却一次烧制体时的温度的上限值是950℃。若冷却一次烧制体时的温度是上述下限值以上(800℃以上)，则容易使气泡向中间层20的外部释放。若冷却一次烧制体时的温度是上述上限值以下(1000℃以下)，则容易使中间层20的表面平坦。优选冷却一次烧制体时的降温速度是30℃/分以下。更优选冷却一次烧制体时的降温速度是10℃/分以下。若冷却一次烧制体时的降温速度是上述上限值以下(30℃/分以下)，则容易使气泡向中间层20的外部释放。此外，若冷却一次烧制体时的降温速度是上述上限值以下(30℃/分以下)，则容易使中间层20的表面平坦。
接下来，在一次烧制体的表面涂覆上釉层组成物。在一次烧制体的表面涂覆上釉层组成物的方法从容易调整上釉层30的厚度的观点出发，优选吹釉法(喷釉法)。在一次烧制体的表面涂覆上釉层组成物时的涂覆量与在一次涂覆体的表面涂覆上釉层组成物时的涂覆量相同。通过将上釉层组成物涂覆在一次烧制体的表面，由此得到二次涂覆体。
接下来，烧制二次涂覆体(第二烧制工序)。优选第二烧制工序的烧制温度的下限值是1100℃。更优选第二烧制工序的烧制温度的下限值是1150℃。优选第二烧制工序的烧制温度的上限值是1300℃。更优选第二烧制工序的烧制温度的上限值是1250℃。若第二烧制工序的烧制温度是上述下限值以上(1100℃以上)，则容易充分地熔融上釉层组成物。若第二烧制工序的烧制温度是上述上限值以下(1300℃以下)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。优选第二烧制工序的烧制时间的下限值是1小时。更优选第二烧制工序的烧制时间的下限值是2小时。进一步优选第二烧制工序的烧制时间的下限值是3小时。优选第二烧制工序的烧制时间的上限值是168小时。更优选第二烧制工序的烧制时间的上限值是72小时。更优选第二烧制工序的烧制时间的上限值是24小时。若第二烧制工序的烧制时间是上述下限值以上(1小时以上)，则容易平坦地形成上釉层30的表面。若第二烧制工序的烧制时间是上述上限值以下(168小时以下)，则容易提高卫生陶器1的生产率。通过第二烧制工序得到烧制品。通过使烧制品冷却而成为卫生陶器1。冷却烧制品时的温度与冷却上述的烧制品时的温度相同。冷却烧制品时的降温速度与冷却上述的烧制品时的降温速度相同。
经由一次烧制体而得到卫生陶器1，由此容易更平坦地形成中间层20与上釉层30的界面。容易减少中间层20以及上釉层30所含的气泡的数量。因此，容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”。从容易进一步提高卫生陶器1的“厚重”观点出发，优选本实施方式的卫生陶器的制造方法为经由一次烧制体而得到卫生陶器1的方法。
在上述实施方式中，卫生陶器1具备陶器坯体10、中间层20及上釉层30。然而，并不限于上述实施方式，例如卫生陶器也可不具有中间层。即卫生陶器也可是在陶器坯体的表面具备上釉层(釉料层)的形式。也可在上釉层30与中间层20之间具有其它釉料层，釉料层也可具备多层。即卫生陶器也可是在陶器坯体的表面具备中间层，接着具备单层以及多层中的任一种的釉料层，而且在其上具备上釉层(釉料层)的方式。从进一步提高卫生陶器的“厚重”的观点出发，优选卫生陶器具备中间层。在卫生陶器不具有中间层的情况下，上釉层(釉料层)的厚度例如通过以下的步骤来求出。使用小型试料切割机沿上釉层的厚度方向切断卫生陶器。利用显微镜(奥林巴斯(株式会社)生产，DSX510)以倍率125倍观察所切断的剖切面。在所观察的图像中，针对任意的20个部位测定上釉层的表面、和上釉层与陶器坯体的分界线(上坯分界线)的距离。将测定出的距离的算术平均值作为上釉层的厚度。
[“厚重”]
接下来，对在上述卫生陶器1中形成的洗脸池100的“厚重”进行说明。图6示出了铁、金刚石、玻璃、水的菲涅尔反射率。在表示入射角与反射率的关系的菲涅尔反射率急剧变化的范围内，光的反射变化，非常容易感觉到“厚重”。在图6中，以细小的点示出了入射角为0度～约45度的菲涅尔反射率几乎不变化的区域，以稀疏的点示出了入射角约为75度以上的菲涅尔反射率急剧变化的区域，以两者中间的点示出了入射角为约45度以上约为75度以下的菲涅尔反射率稍微变化的区域。表示上釉层30的菲涅尔反射率的图表为与图6所示的玻璃接近的曲线。
上釉层30是透明的，气泡较少，不成为光入射的妨碍的部件。对于通过了上釉层30的光而言，在透明的上釉层30与不透明的中间层20的界面的散射变少，容易感觉“厚重”。
即用户M在进入洗漱间并从站立在墙边的位置移动到接近洗脸池100的位置的期间，由于用户M通过菲涅尔反射率急剧变化的区域，所以用户M能够感觉到“厚重”。在本实施方式中，通过将角度(边缘角度)X1形成为约45度，从而用户M能够在接近洗脸池100的过程中通过菲涅尔反射率急剧变化的区域。
若菲涅尔反射率增高，或进而感觉菲涅尔反射率的变化，则容易感觉到厚重。在如上述那样构成的洗脸池100中，上釉层30比中间层20透明，将角度(边缘角度)X1形成为约45度，从而在用户M进入洗漱间并从站立在墙边的位置移动到接近洗脸池100的位置的期间，通过菲涅尔反射率急剧变化的区域。因此，用户M能够感觉到“厚重”。
盆部101的曲面101u的近前侧的端部101a构成盆部101的周缘部104。即没有在盆部101的曲面101u的近前侧的端部101a设置从端部101a向上方立起设置的壁部、向用户M侧延伸的壁部等。因此，由于在用户M使用洗脸池100时，沿着表面(曲面)101u的在端部101a处的切线的延长线能看到洗脸池100的曲面101u，所以能够更进一步提高用户M感觉到“厚重”的效果。
由于盆部101的曲面101u的在近前侧的端部101a处的切线相对于水平面被形成为35度以上，所以能够更进一步提高用户M感觉到“厚重”的效果。由于盆部101的曲面101u的在近前侧的端部101a处的切线相对于水平面被形成为45度以下，所以能够进一步提高用户M感觉到“厚重”的效果。
(变形例1)
在图7中，以剖视图示出了洗脸池。在下述所示的变形例的说明中，对与上述部件相同的部件标注相同的符号并省略其说明。
如图7～图9所示，在本变形例中，洗脸池110具有洗脸主体110A。洗脸主体110A具有形成有向下凹陷的凹部的盆部111、以及被形成为大致平坦的平坦部118。洗脸池110在俯视时具有大致矩形形状。洗脸池110的四角具有弯曲形状。
在俯视时，在盆部111的大致中央设置有排水口部112。
由向下方凹陷的连续的曲面111u以及里侧立起设置面111v形成了盆部111的表面。曲面111u除了盆部111的里侧，随着从周缘部114朝向俯视时的中央侧而向下方倾斜。
里侧立起设置面111v被从曲面111u的里侧的端部向上方立起设置。平坦部118被设置于里侧立起设置面111v的上端部。平坦部118的上表面被形成为大致水平。
盆部111的曲面111u的近前侧的端部111a构成盆部111的周缘部114。即没有在盆部111的曲面111u的近前侧的端部111a设置从端部111a向上方立起设置的壁部、向近前侧延伸突出的壁部等。
在本变形例中，盆部111的曲面111u的在近前侧的端部111a处的切线与水平面H所成的角度X2约为35度。
在标准尺寸模量的独立住宅中，在身高约170cm的用户M进入到洗漱间时，用户M朝向洗脸池110的端部111a而视线J2与水平面H所成的角度Y2与角度X2大致相同。因此，用户M的视线J2从盆部111的端部111a沿着曲面111u。
在这样构成的洗脸池110中，在用户M进入洗漱间并从站立在墙边的位置到接近能够利用洗脸池110的位置的期间，用户M通过菲涅尔反射率急剧变化的区域。因此，用户M能够感觉到“厚重”。借助上釉层30比中间层20透明，以及将角度(边缘角度)X2形成为约35度，从而产生该效果。
(变形例2)
如图10所示，在本变形例中，洗脸池120具有洗脸主体120A。洗脸主体120A具有形成有向下凹陷的凹部的盆部121、以及立起设置壁部122。
盆部121的表面由向下方凹陷的连续的曲面121u形成。曲面121u随着朝向俯视时的中央侧而向下方倾斜。
立起设置壁部122被分别从盆部121的曲面121u的近前侧的端部121a以及里侧的端部121b向上方立起设置。立起设置壁部122也可从盆部121的端部121a、121b向宽度方向(在用户M使用盆部121时，由用户M观察到的左右方向)延伸。
盆部121的曲面121u的在近前侧的端部121a处的切线与水平面H所成的角度X3是约35度。
在这样构成的洗脸池120中，上釉层30比中间层20透明，将角度X3形成为约35度，从而在用户M进入洗漱间并从站立在墙边的位置到接近能够利用洗脸池120的位置的期间，用户M通过菲涅尔反射率急剧变化的区域。因此，用户M能够感觉到“厚重”。
(变形例3)
如图11所示，在本变形例中，洗脸池130具有洗脸主体130A。洗脸主体130A具有形成有向下凹陷的凹部的盆部131、平坦部136以及立起设置壁部137。
盆部131的表面由向下方凹陷的连续的曲面131u形成。曲面131u随着朝向俯视时的中央侧而向下方倾斜。
平坦部136分别被设置于曲面131u的近前侧的端部131a以及里侧的端部131b。平坦部136的上表面被形成为大致水平。
立起设置壁部137分别被从平坦部136的近前侧的端部136a以及里侧的端部136b向上方立起设置。平坦部136以及立起设置壁部137也可以沿宽度方向延伸。端部131a处的切线与水平面H所成的角度X4约为35度。
在这样构成的洗脸池130中，上釉层30比中间层20透明，将角度X4形成为约35度，从而在用户M进入洗漱间并从站立在墙边的位置到接近能够利用洗脸池130的位置的期间，用户M通过菲涅尔反射率急剧变化的区域。因此，用户M能够感觉到“厚重”。
若菲涅尔反射率增高，或进而感觉到菲涅尔反射率的变化，在人容易感觉到厚重。在如上述那样构成的洗脸池中，上釉层比中间层透明，将倾斜面的切线与水平面所成的角度形成为5度以上75度以下，从而在用户接近到能够利用洗脸池的位置的期间，通过详细内容将在后述的菲涅尔反射率急剧变化的区域。因此，获得用户感觉到“厚重”的效果。
在这样构成的洗脸池中，连续的倾斜面的近前侧的端部构成盆部的周缘部。即没有在倾斜面的近前侧的端部设置从近前侧的端部向上方立起设置的壁部、向用户侧延伸的壁部等。因此，由于在用户使用洗脸池时，沿着延长线能看到洗脸池的倾斜面，所以能够进一步提高用户感觉到“厚重”的效果。该延长线是延长了洗脸池的曲面的切线的线。
在这样构成的洗脸池中，由于连续的倾斜面的在近前侧的端部处的切线相对于水平面被形成为35度以上，所以能够进一步提高用户感觉到“厚重”的效果。在洗脸池中，由于连续的倾斜面的在近前侧的端部处的切线相对于水平面被形成为45度以下，所以能够进一步提高用户感觉到“厚重”的效果。
在实施例A～G、比较例A、B中，在下述的表1中示出用户M观察的位置、洗脸池边缘角度、入射角的条件下，分别评价了“厚重”。实施例A～G使用了与后述的实施例4相同的釉料构成的洗脸池。
[表1]
对“厚重”的评价而言，在图6所示的菲涅尔反射率急剧变化的区域(稀疏的点)中，用户M仅仅稍偏移视线则光的反射就变化，评价为“极好”作为极其感觉到“厚重”的结果。在菲涅尔反射率几乎不变化的区域(细小的点)中，用户M即使偏移视线也没有光的反射，评价为“NG”作为没有感觉到“厚重”。在菲涅尔反射率稍微变化的区域(两者中间的点)中，若用户M偏移某种程度视线则光的反射变化，评价为“OK”作为感觉到“厚重”。
如表1所示，得到了用户M在实施例A、B、E中感觉到“厚重”，在实施例C、D、F、G中极其感觉到“厚重”，在比较例A、B中没有感觉到“厚重”这样的结果。因此，可知在边缘角度为5度以上75度以下的范围内感觉到“厚重”，而且在边缘角度为35度以上75度以下的范围内极其感觉到“厚重”。
(实施例1～18)
本实施例中使用的原料如下述的[使用原料]所示那样。
[使用原料]
＜陶器坯体原料＞
A-1：10质量份陶石，40质量份长石，50质量份粘土(SiO270质量％，Al2O325质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO及ZnO的合计5质量％)。
A-2：30质量份陶石，70质量份粘土(SiO265质量％，Al2O330质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO及ZnO的合计5质量％)。
＜中间层原料＞
B-1：SiO265质量％，Al2O320质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO及ZnO的合计12质量％，其它3质量％。
B-2：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)80/20混合而成的混合物。
B-3：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)70/30混合而成的混合物。
B-4：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)60/40混合而成的混合物。
B-5：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)50/50混合而成的混合物。
B-6：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)40/60混合而成的混合物。
B-7：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)30/70混合而成的混合物。
B-8：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)20/80混合而成的混合物。
B-9：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)10/90混合而成的混合物。
B-10：将陶器坯体原料A-2与下述釉原料C-9以质量比(坯体/釉料比)0/100混合而成的混合物。
＜釉原料＞
C-1：SiO263质量％，Al2O312质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO及B2O3的合计24质量％，其它1质量％。
C-2：SiO262质量％，Al2O313质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO及B2O3的合计24质量％，其它1质量％。
C-3：SiO262质量％，Al2O313质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO及B2O3的合计24质量％，其它1质量％。
C-4：SiO264质量％，Al2O312质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO及B2O3的合计24质量％。
C-5：SiO257质量％，Al2O310质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO及B2O3的合计32质量％，其它1质量％。
C-6：SiO263质量％，Al2O312质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO及B2O3的合计24质量％，其它1质量％。
C-7：SiO266质量％，Al2O312质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO及B2O3的合计22质量％。
C-8：SiO270质量％，Al2O311质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO及B2O3的合计19质量％。
C-9：SiO263质量％，Al2O310质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO及B2O3的合计20质量％，其它7质量％。
C-10：SiO261质量％，Al2O312质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO及B2O3的合计27质量％。
C-11：SiO257质量％，Al2O311质量％，Na2O、K2O、CaO、MgO、ZnO、SrO、BaO及B2O3的合计25质量％，其它7质量％。
[陶器坯体的调制]
将1kg的陶器坯体原料A-1与0.4kg的水混合，得到混合物。利用球磨机将该混合物粉碎20小时，得到陶器坯体组成物。使用激光衍射式粒度分布测定器(日机装(株式会社)生产，“MT3300EX(型号)”)测定陶器坯体组成物的固体成分的粒子径，其结果是D50为12μm。
接下来，使上述陶器坯体组成物流入长度100mm、宽度100mm、厚度10mm的石膏模具，得到陶器坯体。
[玻璃料的调制]
作为玻璃料原料使釉原料C-1～C-11在1500℃下熔融而得到玻璃料F-1～F-11。
[中间层组成物的调制]
将1kg的中间层原料B-1与0.4kg的水混合，得到了混合物。利用球磨机将该混合物粉碎了20小时，得到中间层组成物M-1。使用上述激光衍射式粒度分布测定器测定了中间层组成物M-1的固体成分的粒子径，其结果是D50为8μm。
除了代替中间层原料B-1而使用中间层原料B-2～B-10以外，通过与中间层组成物M-1相同的方法，得到中间层组成物M-2～M-10。通过使1kg的中间层原料釉原料C-11与0.6kg的水混合，得到混合物，从而调制而成中间层组成物M-11。在表2～3中，中间层组成物的“种类”表示上述中间层组成物M-1～M-11中的任一个。中间层组成物的“D50(μm)”表示上述中间层组成物M-1～M-11中的任一个的50％平均粒径(D50)。
[上釉层组成物的调制]
将1kg的玻璃料F-1与0.6kg的水混合，得到混合物。利用球磨机将该混合物粉碎了30小时，为了调整粘性，添加了羧甲基纤维素等粘性调整剂，得到上釉层组成物G-1。使用上述激光衍射式粒度分布测定器测定上釉层组成物G-1的固体成分的粒子径，其结果是D50为15μm。
除了代替玻璃料F-1而使用了玻璃料F-2～F-10以外，利用与上釉层组成物G-1相同的方法，得到上釉层组成物G-2～G-10。在表2～3中，上釉层组成物的“种类”表示上述上釉层组成物G-1～G-10中的任一个。上釉层组成物的“D50(μm)”表示上述上釉层组成物G-1～G-10中的任一个的50％平均粒径(D50)。
[实施例1～18，比较例1～2]
[卫生陶器的调制]
利用喷涂法在上述陶器坯体涂覆表2～3所记载的中间层组成物，在60℃下使其干燥1小时后，利用喷涂法涂覆表2～3记载的上釉层组成物从而得到二次涂覆体。将二次涂覆体在1220℃下烧制20小时，得到长方体的卫生陶器的试料。
＜上釉层的厚度的测定＞
使用小型试料切割机，用通过试料的长度方向的一边的中点且与试料的宽度方向平行的面将各例的试料沿厚度方向切断。利用显微镜(奥林巴斯(株式会社)生产，DSX510)以倍率125倍对切断而成的剖切面进行观察。将所观察的图像的从宽度方向的一端到另一端的部分沿宽度方向10等分，分别测定上釉层的表面与上中分界线这两个部位的距离(L30)。对于每一个试料测定合计20个部位的上述距离(L30)，求出上釉层的厚度的最大值、上釉层的厚度的最小值、最大值与最小值之差、以及平均值。将上述距离(L30)的平均值作为上釉层的厚度而求出。将结果示于表2～3。在表中，“差”表示上釉层的厚度的最大值与最小值之差。
＜中间层的厚度的测定＞
使用测定上釉层的厚度时观察的图像，将所观察的图像的从宽度方向的一端到另一端的部分沿宽度方向10等分，分别测定上中分界线与中坯分界线这两个部位的距离(L20)。对于每一个试料测定合计20个上述距离(L20)，将平均值作为中间层的厚度而求出。将结果示于表2～3。
＜平均气泡径、气泡面积率、气泡数的测定＞
使用通过上述显微镜观察到的图像，利用装置处理软件(三谷商事(株式会社)，WinROOF2015)，将图像二值化，通过图像解析，求出上釉层的剖切面中的平均气泡径、气泡面积率、气泡数。此外，求出中间层的剖切面中的平均气泡径、气泡面积率、气泡数。将结果示于表2～3。
＜映像性的测定＞
准备各例的试料，利用波扫描DOI测定装置(BYKGardner公司生产，Wave-Scan-DUAL)，测定DOI值。将结果示于表2～3。
＜“厚重”的评价＞
准备各例的试料，在室内中置于荧光灯下，作为“厚重”从是否感觉到光的进深感、表面的美观度这样的观点出发，实施了外观感应评价。外观感应评价以受检者10个人来实施，基于下述评价基准，来评价“厚重”。将结果示于表2～3。
《评价基准》
OK：感觉到“厚重”的受检者的数量是5个人以上。NG：感觉到“厚重”的受检者的数量是4个人以下。
[表2]
[表3]
如表2～3所示，可知实施例1～18的“厚重”的评价是“OK”，能够进一步提高“厚重”。另一方面，上釉层的剖切面中的平均气泡径、气泡面积率、气泡数的任一个都在本发明的适用范围外的比较例1～2的“厚重”的评价是“NG”。
各实施例的上釉层的平均气泡径在24μm以下，得到了良好的结果。各实施例的上釉层的气泡面积率在2.82％以下，被抑制在较低的值。各实施例的上釉层的厚度的平均值在360μm以下，得到了良好的结果。各实施例的上釉层的气泡数在16个/mm2以上，得到了良好的结果。
上述实施方式中所示的各构成部件的诸多形状、组合等是一个例子，在不脱离本发明的宗旨的范围内，能够基于设计要求等进行各种改变。
例如，在上述所示的实施方式中，盆部101的曲面101u虽除了底部101b以外，被形成为曲面，但本发明并不局限于此，只要盆的表面的至少用户对置的一侧形成为向下方凹陷的连续的曲面即可。

Claims (8)

1.一种洗脸池，其特征在于，
所述洗脸池具备：
盆部，具备陶器坯体、配置于所述陶器坯体的表面侧的中间层、以及配置于所述中间层的表面侧且比所述中间层透明的上釉层，该盆部向下方凹陷；以及
排水口部，
在所述盆部的表面的至少用户使用时的近前侧、且所述用户能够视觉确认的部位，形成向下方凹陷的连续的倾斜面，
所述倾斜面的切线被形成为相对于水平面5度以上75度以下。
2.根据权利要求1所述的洗脸池，其特征在于，
连续的所述倾斜面的所述近前侧的端部构成所述盆部的周缘部。
3.根据权利要求1所述的洗脸池，其特征在于，
连续的所述倾斜面的在所述近前侧的端部处的切线被形成为相对于水平面35度以上。
4.根据权利要求1所述的洗脸池，其特征在于，
连续的所述倾斜面的在所述近前侧的端部处的切线被形成为相对于水平面45度以下。
5.根据权利要求1的洗脸池，其特征在于，
所述上釉层的平均气泡径为24μm以下。
6.根据权利要求1的洗脸池，其特征在于，
所述上釉层的气泡面积率为2.82％以下。
7.根据权利要求1的洗脸池，其特征在于，
所述上釉层的气泡数为16个/mm2以上。
8.根据权利要求1的洗脸池，其特征在于，
所述上釉层的厚度为360μm以下。
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