CN110611042A - 一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法 - Google Patents

一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110611042A
CN110611042A CN201910789367.9A CN201910789367A CN110611042A CN 110611042 A CN110611042 A CN 110611042A CN 201910789367 A CN201910789367 A CN 201910789367A CN 110611042 A CN110611042 A CN 110611042A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
panel
water
polyimide
polyimide layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910789367.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110611042B (zh
Inventor
张福阳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910789367.9A priority Critical patent/CN110611042B/zh
Priority to US16/639,747 priority patent/US11145832B2/en
Priority to PCT/CN2019/115711 priority patent/WO2021035950A1/zh
Publication of CN110611042A publication Critical patent/CN110611042A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110611042B publication Critical patent/CN110611042B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L2021/775—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate comprising a plurality of TFTs on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明揭露一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法，通过制备由第一聚酰亚胺层、水氧阻隔层、保护层和第二聚酰亚胺层组成的复合基底结构，使得制备的柔性显示面板具有良好的水和氧气阻隔性能，很大程度上降低水和氧气透过柔性衬底基板的概率，提高柔性显示面板的使用寿命；具有良好的柔韧性，利于广泛应用。

Description

一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的发展，对色彩和轻便度要求越来越高，显示面板柔性化已经是现代显示器件发展的大势所趋，柔性显示器正在逐渐走进移动设备、电视机等消费电子市场。和传统的显示器技术采用刚性基板不同，柔性显示器采用的是柔性基板，如柔性树脂、柔性金属、超薄玻璃等等。这其中柔性树脂由于其塑形好、表面平整度高等特点被广泛用于柔性显示器的基板，但是和金属、玻璃相比，树脂材料的容易受到氧气(O2)、水(H2O)等入侵，使面板的信赖性受到影响。
请参阅图1A-图1B，其中，图1A为切割前的现有柔性显示面板结构示意图，图1A为切割后的现有柔性显示面板结构示意图。
如图1A所示，切割前的现有柔性显示面板上包括被一切割线(Laser Cut line)12(切割刀19沿切割线12纵向切割)划分的一面板区11和一面板边缘区13。所述面板区11包括依次层叠设置的一第一聚酰亚胺层101a、一水氧阻隔层102、一第二聚酰亚胺层101b、以及依次设置于所述第二聚酰亚胺层101b上的一薄膜晶体管(TFT)阵列层103和一有机发光层104，一封装层105设置于所述有机发光层104上，同时包覆所述薄膜晶体管阵列层103以及所述有机发光层104靠近切割线12一端的侧边，并部分覆盖所述第二聚酰亚胺层101b；所述面板边缘区13包括依次层叠设置的一第一聚酰亚胺层101a、一水氧阻隔层102、一第二聚酰亚胺层101b。所述水氧阻隔层102用于从第二聚酰亚胺层101b下方阻隔水/氧气的渗透。
在面板制备过程中会利用激光(Laser)等手段沿着切割线12进行切割，面板边缘区13被切除，最后制成的面板只保留面板区11，如图1B所示。
切割后的现有柔性显示面板，虽然有水氧阻隔层102从第二聚酰亚胺层101b下方阻隔水/氧气的渗透，但水/氧气会沿着第二聚酰亚胺层101b靠近原切割线12一端的侧边渗透(如图1B中箭头18所示渗透路径)，进而渗透进薄膜晶体管阵列层103的电路中，并影响有机发光层104的发光材料使用寿命。
因此，如何阻挡水、氧气等入侵对面板信赖性产生的损害，提高柔性显示面板的可靠性，是目前柔性显示面板发展需要解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于，针对现有技术存在的问题，提供一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法，可以阻挡水、氧气等入侵对面板信赖性产生的损害，提高柔性显示面板的可靠性。
为实现上述目的，本发明提供了一种柔性衬底基板，具有被一切割线划分的一面板区和一面板边缘区；所述柔性衬底基板包括：一第一聚酰亚胺层，形成在所述面板区及所述面板边缘区；一水氧阻隔层，覆盖所述第一聚酰亚胺层；一保护层，设置于所述水氧阻隔层上的所述面板区，并靠近所述切割线；以及一第二聚酰亚胺层，覆盖所述保护层及所述水氧阻隔层。
为实现上述目的，本发明还提供了一种柔性显示面板，包括一面板区，所述面板区包括一显示区及一非显示区；所述柔性显示面板包括：一柔性衬底基板，所述柔性衬底基板包括一形成在所述显示区及所述非显示区的第一聚酰亚胺层，一覆盖所述第一聚酰亚胺层的水氧阻隔层，一设置于所述水氧阻隔层上并对应所述非显示区的保护层，及一覆盖所述保护层及所述水氧阻隔层的第二聚酰亚胺层；以及依次层叠设置于所述柔性衬底基板上并对应所述显示区的一薄膜晶体管阵列层和一封装层，所述封装层同时包覆所述薄膜晶体管阵列层和所述发光层靠近所述非显示区一端的侧边，并部分覆盖所述第二聚酰亚胺层。
为实现上述目的，本发明还提供了一种柔性显示面板的制备方法，包括以下步骤：提供一硬质基板，所述硬质基板具有被一切割线划分的一面板区和一面板边缘区，所述面板区包括一显示区及一非显示区，所述非显示区靠近所述切割线；在所述硬质基板上制备一第一聚酰亚胺层，所述第一聚酰亚胺层形成在所述面板区和所述面板边缘区；在所述第一聚酰亚胺层上沉积一水氧阻隔层，所述水氧阻隔层覆盖所述第一聚酰亚胺层；在所述水氧阻隔层上对应所述非显示区制备一保护层，所述保护层靠近所述切割线；在所述保护层及所述水氧阻隔层上制备一第二聚酰亚胺层；在所述第二聚酰亚胺层上对应所述显示区依次制备一薄膜晶体管阵列层和一封装层，所述封装层同时包覆所述薄膜晶体管阵列层靠近所述非显示区一端的侧边，并部分覆盖所述第二聚酰亚胺层；以及分离所述硬质基板与所述第一聚酰亚胺层，及沿所述切割线切除所述面板边缘区，得到柔性显示面板。
本发明的优点在于：本发明通过制备由第一聚酰亚胺层、水氧阻隔层、保护层和第二聚酰亚胺层组成的复合基底结构，使得制备的柔性显示面板具有良好的水和氧气阻隔性能，很大程度上降低水和氧气透过柔性衬底基板的概率，提高柔性显示面板的使用寿命；具有良好的柔韧性，利于广泛应用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1A，切割前的现有柔性显示面板结构示意图；
图1B，切割后的现有柔性显示面板结构示意图；
图2，本发明柔性衬底基板一实施例的结构示意图；
图3，本发明柔性显示面板的制备方法的流程示意图；
图4A-图4F，本发明柔性显示面板一实施例的制备流程图；
图5，本发明柔性显示面板一实施例的层状结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。本发明的说明书和权利要求书以及附图中的术语“第一”“第二”“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解，这样描述的对象在适当情况下可以互换。此外，术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排它的包含。本发明所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前、后、内、外、侧面等，仅是参考附图的方向。以下通过参考附图描述的实施方式及使用的方向用语是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其它工艺的应用和/或其它材料的使用。
请参阅图2，本发明柔性衬底基板一实施例的结构示意图。在本实施例中，所述柔性衬底基板上包括被一切割线(Laser Cut line)22(切割刀29沿切割线22纵向切割)划分的一面板区21和一面板边缘区23。所述面板区21包括依次层叠设置的一第一聚酰亚胺层201a、一水氧阻隔层202、一保护层(Protective Layer)203以及一第二聚酰亚胺层201b；所述面板边缘区23包括依次层叠设置的一第一聚酰亚胺层201a、一水氧阻隔层202、一第二聚酰亚胺层201b。
具体的，所述第一聚酰亚胺层201a形成在所述面板区21及所述面板边缘区23。所述第一聚酰亚胺层201a的材料为聚酰亚胺树脂或改性聚酰亚胺树脂。所述第一聚酰亚胺层201a的厚度为5-15μm，优选为10μm。
具体的，所述水氧阻隔层202覆盖所述第一聚酰亚胺层201a，即所述水氧阻隔层202对应所述面板区21及所述面板边缘区23。所述水氧阻隔层202的材料为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。所述水氧阻隔层202的厚度为0.2-1μm，优选为0.5μm。所述水氧阻隔层202用于阻隔水和氧气对第二聚酰亚胺层201b的渗透，从而避免水、氧气等入侵对制备在柔性衬底基板上的组件(例如薄膜晶体管阵列层的电路及发光层的发光材料等)产生的损害，提高采用本发明柔性衬底基板的柔性显示面板的可靠性。
具体的，所述保护层203设置于所述水氧阻隔层202上的所述面板区21，并靠近所述切割线22，即所述保护层203对应所述面板区21，且靠近所述切割线22。所述保护层203的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或非晶硅(amorphous silicon，简称α-Si)中的至少一种。所述保护层203的厚度为0.1-5μm，优选为0.5μm或1μm或2μm。当后续在柔性显示面板制备过程中会利用激光(Laser)等手段沿着切割线22进行切割，面板边缘区23被切除，最后制成的面板只保留面板区21。切割后保留的面板区21，由于靠近所述切割线22设置有所述保护层203，可以延长水和氧气从靠近所述切割线22一侧对第二聚酰亚胺层201b进行渗透的渗透路径，使柔性衬底基板具有更加优秀的阻隔水和氧气的能力，进一步提高采用本发明柔性衬底基板的柔性显示面板的可靠性。
所述第二聚酰亚胺层201b覆盖所述保护层203及所述水氧阻隔层202，即所述第二聚酰亚胺层201b对应所述面板区21及所述面板边缘区23。所述第二聚酰亚胺层202a的材料为聚酰亚胺树脂或改性聚酰亚胺树脂。所述第二聚酰亚胺层202a的厚度为5-15μm，优选为10μm。第一聚酰亚胺层201a和第二聚酰亚胺层201b的厚度可以有差别，具体厚度可根据实际器件类型而选择。
本实施例所述柔性衬底基板，采用由第一聚酰亚胺层201a、水氧阻隔层202、保护层203和第二聚酰亚胺层201b组成的复合基底结构。相比于单独的聚酰亚胺柔性基底或其它有机聚合材料制备的柔性基底，本实施例所述柔性衬底基板具有如下特点：具有良好的水和氧气阻隔性能，很大程度上降低水和氧气透过柔性衬底基板的概率，可以保护制备在其上的薄膜晶体管阵列层及发光层，提高柔性显示面板的使用寿命；具有良好的柔韧性，可广泛应用于制备柔性显示面板。
请参阅图3，本发明柔性显示面板的制备方法的流程示意图。本发明制备方法包括如下步骤：S31：提供一硬质基板；S32：在所述硬质基板上制备一第一聚酰亚胺层；S33：在所述第一聚酰亚胺层上沉积一水氧阻隔层；S34：在所述水氧阻隔层上对应所述柔性显示面板的非显示区制备一保护层；S35：在所述保护层及所述水氧阻隔层上制备一第二聚酰亚胺层；S36：在所述第二聚酰亚胺层上对应所述柔性显示面板的显示区依次制备一薄膜晶体管阵列层和一封装层；以及S37：分离所述硬质基板与所述第一聚酰亚胺层，及沿所述切割线切除所述面板边缘区，得到柔性显示面板。以下结合附图给出详细说明。
S31：提供一硬质基板。
进一步的实施例中，所述硬质基板具有被一切割线划分的一面板区和一面板边缘区，所述面板区包括一显示区及一非显示区，所述非显示区靠近所述切割线。
进一步的实施例中，所述硬质基板可以是玻璃基板、硅片、金属或硬质薄膜，硬质基板需要具备较高的激光透过率，以便于后续激光剥离工序的顺利进行。
S32：在所述硬质基板上制备一第一聚酰亚胺层。
进一步的实施例中，所述第一聚酰亚胺层覆盖所述面板区和所述面板边缘区。
进一步的实施例中，所述第一聚酰亚胺层的材料为聚酰亚胺树脂或改性聚酰亚胺树脂。所述第一聚酰亚胺层的厚度为5-15μm，优选为10μm。
S33：在所述第一聚酰亚胺层上沉积一水氧阻隔层。
进一步的实施例中，所述水氧阻隔层覆盖所述第一聚酰亚胺层，即所述水氧阻隔层对应所述面板区和所述面板边缘区。
进一步的实施例中，所述水氧阻隔层的材料为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。所述水氧阻隔层的厚度为0.2-1μm，优选为0.5μm。所述水氧阻隔层用于阻隔水和氧气对后续制备的第二聚酰亚胺层的渗透，从而避免水、氧气等入侵对制备在柔性衬底基板上的面板显示组件(例如薄膜晶体管阵列层的电路及发光层的发光材料等)产生的损害，提高采用本发明柔性衬底基板的柔性显示面板的可靠性。
S34：在所述水氧阻隔层上对应所述柔性显示面板的非显示区制备一保护层。
进一步的实施例中，所述保护层对应所述面板区，且靠近所述切割线。
进一步的实施例中，所述保护层的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或非晶硅(amorphoussilicon，简称α-Si)中的至少一种。所述保护层的厚度为0.1-5μm，优选为0.5μm或1μm或2μm。当后续在柔性显示面板制备过程中会利用激光(Laser)等手段沿着切割线进行切割，面板边缘区被切除，最后制成的面板只保留面板区。切割后保留的面板区，由于靠近所述切割线设置有所述保护层，可以延长水和氧气从靠近所述切割线一侧对第二聚酰亚胺层进行渗透的渗透路径，使柔性衬底基板具有更加优秀的阻隔水和氧气的能力，进一步提高采用本发明柔性衬底基板的柔性显示面板的可靠性。
S35：在所述保护层及所述水氧阻隔层上制备一第二聚酰亚胺层。
进一步的实施例中，所述第二聚酰亚胺层覆盖所述保护层及所述水氧阻隔层，即所述第二聚酰亚胺层对应所述面板区及所述面板边缘区。
进一步的实施例中，所述第二聚酰亚胺层的材料为聚酰亚胺树脂或改性聚酰亚胺树脂。所述第二聚酰亚胺层的厚度为5-15μm，优选为10μm。第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层的厚度可以有差别，具体厚度可根据实际器件类型而选择。
S36：在所述第二聚酰亚胺层上对应所述柔性显示面板的显示区依次制备一薄膜晶体管阵列层和一封装层。
进一步的实施例中，所述薄膜晶体管阵列层包括层叠设置的栅极绝缘层(GI)、介电层(OLD)，以及分布在内部的功能部件，所述功能部件包括多晶硅层、栅电极(GE)、源/漏电极(S/D)。所述薄膜晶体管阵列层为常规技术结构，其所采用的材料、各膜层厚度可以根据需求进行调整，本发明不做特殊限定。
进一步的实施例中，所述封装层覆盖所述薄膜晶体管阵列层的上表面，同时包覆所述薄膜晶体管阵列层靠近所述非显示区一端的侧边，并部分覆盖所述第二聚酰亚胺层。所述封装层为常规技术结构，其所采用的材料、厚度可以根据需求进行调整，
进一步的实施例中，在所述薄膜晶体管阵列层上还制备一发光层，所述发光层为OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)发光层，即本发明制备的柔性显示面板为OLED柔性显示面板。则所述封装层制备在所述发光层上，同时包覆所述薄膜晶体管阵列层和所述发光层靠近所述非显示区一端的侧边，并部分覆盖所述第二聚酰亚胺层。所述OLED发光层包括层叠设置的阳极、OLED发光材料层，以及阴极。所述OLED发光层为常规技术结构，其所采用的材料、各膜层厚度可以根据需求进行调整，本发明不做特殊限定。在其它实施例中，也可以根据需求制备QD(Quantum Dot，量子点)-OLED柔性显示面板等其它发光方式的柔性显示面板。
S37：分离所述硬质基板与所述第一聚酰亚胺层，及沿所述切割线切除所述面板边缘区，得到柔性显示面板。
进一步的实施例中，采用激光剥离工艺使所述硬质基板与所述第一聚酰亚胺层分离，及采用激光沿所述切割线切除所述面板边缘区，得到柔性显示面板。激光剥离工艺以及激光切割工艺可按照本领域内的常规工艺操作，本发明不做特殊限定。
本发明提出的一种新型的柔性显示面板的制备方法，通过制备由第一聚酰亚胺层、水氧阻隔层、保护层和第二聚酰亚胺层组成的复合基底结构，使得制备的柔性显示面板具有良好的水和氧气阻隔性能，很大程度上降低水和氧气透过柔性衬底基板的概率，提高柔性显示面板的使用寿命；具有良好的柔韧性，利于广泛应用。
请一并参阅图3、图4A-图4F及图5，其中，图4A-图4F为本发明柔性显示面板一实施例的制备流程图，图5为本发明柔性显示面板一实施例的层状结构示意图。
关于步骤S31：提供一硬质基板，请一并参考图3以及图4A，其中图4A为本发明一实施例提供的硬质基板的剖视图。其中，所述硬质基板400具有被一切割线42划分的一面板区41和一面板边缘区43，所述面板区41包括一显示区411及一非显示区412，所述非显示区412靠近所述切割线42。
进一步的实施例中，所述硬质基板400可以是玻璃基板、硅片、金属或硬质薄膜，硬质基板需要具备较高的激光透过率，以便于后续激光剥离工序的顺利进行。
关于步骤S32：在所述硬质基板上制备一第一聚酰亚胺层，请一并参考图3以及图4B，其中图4B为本发明一实施例提供的在硬质基板上制备的第一聚酰亚胺层的剖视图。其中，所述第一聚酰亚胺层401a覆盖所述面板区41和所述面板边缘区43。
进一步的实施例中，所述第一聚酰亚胺层401a的材料为聚酰亚胺树脂或改性聚酰亚胺树脂。所述第一聚酰亚胺层401a的厚度为5-15μm，优选为10μm。
关于步骤S33：在所述第一聚酰亚胺层上沉积一水氧阻隔层，请一并参考图3以及图4C，其中图4C为本发明一实施例提供的在第一聚酰亚胺层上制备的水氧阻隔层的剖视图。其中，所述水氧阻隔层402覆盖所述第一聚酰亚胺层401a，即所述水氧阻隔层202对应所述面板区21及所述面板边缘区23。
进一步的实施例中，所述水氧阻隔层402的材料为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。所述水氧阻隔层402的厚度为0.2-1μm，优选为0.5μm。所述水氧阻隔层402用于阻隔水和氧气对后续制备的第二聚酰亚胺层401b的渗透，从而避免水、氧气等入侵对制备在柔性衬底基板上的面板显示组件(例如薄膜晶体管阵列层的电路及发光层的发光材料等)产生的损害，提高采用本发明柔性衬底基板的柔性显示面板的可靠性。
关于步骤S34：在所述水氧阻隔层上对应所述柔性显示面板的非显示区制备一保护层，请一并参考图3以及图4D，其中图4D为本发明一实施例提供的在水氧阻隔层上制备的保护层的剖视图。其中，所述保护层403对应所述面板区21，且靠近所述切割线42。
进一步的实施例中，所述保护层403的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或非晶硅(amorphous silicon，简称α-Si)中的至少一种。所述保护层403的厚度为0.1-5μm，优选为0.5μm或1μm或2μm。当后续在柔性显示面板制备过程中会利用激光(Laser)等手段沿着切割线42进行切割，面板边缘区43被切除，最后制成的面板只保留面板区41。切割后保留的面板区41，由于靠近所述切割线42设置有所述保护层403，可以延长水和氧气从靠近所述切割线42一侧对第二聚酰亚胺层401b进行渗透的渗透路径，使柔性衬底基板具有更加优秀的阻隔水和氧气的能力，进一步提高采用本发明柔性衬底基板的柔性显示面板的可靠性。
关于步骤S35：在所述保护层及所述水氧阻隔层上制备一第二聚酰亚胺层，请一并参考图3以及图4E，其中图4E为本发明一实施例提供的在保护层及水氧阻隔层上制备的第二聚酰亚胺层的剖视图。其中，所述第二聚酰亚胺层401b覆盖所述保护层403及所述水氧阻隔层402，即所述第二聚酰亚胺层201b对应所述面板区21及所述面板边缘区23。
进一步的实施例中，所述第二聚酰亚胺层401b的材料为聚酰亚胺树脂或改性聚酰亚胺树脂。所述第二聚酰亚胺层401b的厚度为5-15μm，优选为10μm。第一聚酰亚胺层401a和第二聚酰亚胺层401b的厚度可以有差别，具体厚度可根据实际器件类型而选择。
关于步骤S36：在所述第二聚酰亚胺层上对应所述柔性显示面板的显示区依次制备一薄膜晶体管阵列层和一封装层，请一并参考图3以及图4F，其中图4F为本发明一实施例提供的切割前的柔性显示面板的剖视图。后续切割时，切割刀49(可以为激光切割刀)的下刀位置对应所述切割线42。
在本实施例中，在所述薄膜晶体管阵列层404上制备一发光层405，所述封装层406制备在所述发光层405上，同时包覆所述薄膜晶体管阵列层404和所述发光层405靠近所述非显示区412一端的侧边，并部分覆盖所述第二聚酰亚胺层401b。进一步的实施例中，所述发光层405为OLED发光层，即制备OLED柔性显示面板。
在其它实施例中，也可以根据需求制备QD(Quantum Dot，量子点)-OLED柔性显示面板等其它发光方式的柔性显示面板。所述封装层406根据需要直接制备在所述薄膜晶体管阵列层404上，覆盖所述薄膜晶体管阵列层404的上表面，同时包覆所述薄膜晶体管阵列层404靠近所述非显示区412一端的侧边，并部分覆盖所述第二聚酰亚胺层401b。
进一步的实施例中，所述薄膜晶体管阵列层404包括层叠设置的栅极绝缘层(GI)、介电层(OLD)，以及分布在内部的功能部件，所述功能部件包括多晶硅层、栅电极(GE)、源/漏电极(S/D)。所述薄膜晶体管阵列层404为常规技术结构，其所采用的材料、各膜层厚度可以根据需求进行调整，本发明不做特殊限定。所述封装层406为常规技术结构，其所采用的材料、厚度可以根据需求进行调整，本发明不做特殊限定。
进一步的实施例中，所述OLED发光层包括层叠设置的阳极、OLED发光材料层，以及阴极。所述OLED发光层为常规技术结构，其所采用的材料、各膜层厚度可以根据需求进行调整，本发明不做特殊限定。
关于步骤S37：分离所述硬质基板与所述第一聚酰亚胺层，及沿所述切割线切除所述面板边缘区，得到柔性显示面板，请一并参考图3以及图5，其中图5为本发明柔性显示面板一实施例的层状结构示意图。
进一步的实施例中，采用激光剥离工艺使所述硬质基板400与所述第一聚酰亚胺层401a分离，及采用激光沿所述切割线42切除所述面板边缘区43，得到柔性显示面板。激光剥离工艺以及激光切割工艺可按照本领域内的常规工艺操作，本发明不做特殊限定。
切割后保留的面板区41，由于靠近所述切割线42设置有所述保护层403，可以延长水和氧气从靠近所述切割线42一侧对第二聚酰亚胺层401b进行渗透的渗透路径(如图5中箭头58所示渗透路径)，使柔性衬底基板具有更加优秀的阻隔水和氧气的能力，进一步提高采用本发明柔性衬底基板的柔性显示面板的可靠性。
请再次参阅图5，本发明还提供一种柔性显示面板。所述柔性显示面板包括：一面板区41，所述面板区41包括一显示区411及一非显示区412。所述柔性显示面板还包括：一柔性衬底基板，所述柔性衬底基板包括一形成在所述显示区411及所述非显示区412的第一聚酰亚胺层401a，一覆盖所述第一聚酰亚胺层401a的水氧阻隔层402，一设置于所述水氧阻隔层402上并对应所述非显示区412的保护层403，及一覆盖所述保护层403及所述水氧阻隔层402的第二聚酰亚胺层401b；以及依次层叠设置于所述柔性衬底基板上并对应所述显示区411的一薄膜晶体管阵列层404、一发光层405和一封装层406，所述封装层406覆盖所述发光层405，同时包覆所述薄膜晶体管阵列层404和所述发光层405靠近所述非显示区412一端的侧边，并部分覆盖所述第二聚酰亚胺层401b。
进一步的实施例中，所述第一聚酰亚胺层401a的材料为聚酰亚胺树脂或改性聚酰亚胺树脂。所述第一聚酰亚胺层401a的厚度为5-15μm，优选为10μm。
进一步的实施例中，所述水氧阻隔层402的材料为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。所述水氧阻隔层402的厚度为0.2-1μm，优选为0.5μm。所述水氧阻隔层402用于阻隔水和氧气对后续制备的第二聚酰亚胺层401b的渗透，从而避免水、氧气等入侵对制备在柔性衬底基板上的面板显示组件(例如薄膜晶体管阵列层的电路及发光层的发光材料等)产生的损害，提高采用本发明柔性衬底基板的柔性显示面板的可靠性。
进一步的实施例中，所述保护层403的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或非晶硅(amorphous silicon，简称α-Si)中的至少一种。所述保护层403的厚度为0.1-5μm，优选为0.5μm或1μm或2μm。切割后保留的面板区41，由于靠近所述切割线42设置有所述保护层403，可以延长水和氧气从靠近所述切割线42一侧对第二聚酰亚胺层401b进行渗透的渗透路径(如图5中箭头所示渗透路径)，使柔性衬底基板具有更加优秀的阻隔水和氧气的能力，进一步提高采用本发明柔性衬底基板的柔性显示面板的可靠性。
进一步的实施例中，所述第二聚酰亚胺层401b的材料为聚酰亚胺树脂或改性聚酰亚胺树脂。所述第二聚酰亚胺层401b的厚度为5-15μm，优选为10μm。第一聚酰亚胺层401a和第二聚酰亚胺层401b的厚度可以有差别，具体厚度可根据实际器件类型而选择。
进一步的实施例中，所述薄膜晶体管阵列层404包括层叠设置的栅极绝缘层(GI)、介电层(OLD)，以及分布在内部的功能部件，所述功能部件包括多晶硅层、栅电极(GE)、源/漏电极(S/D)。所述薄膜晶体管阵列层404为常规技术结构，其所采用的材料、各膜层厚度可以根据需求进行调整，本发明不做特殊限定。
进一步的实施例中，所述发光层405为OLED发光层，即本发明柔性显示面板为OLED柔性显示面板。所述OLED发光层包括层叠设置的阳极、OLED发光材料层，以及阴极。所述OLED发光层为常规技术结构，其所采用的材料、各膜层厚度可以根据需求进行调整，本发明不做特殊限定。
在其它实施例中，也可以根据需求制备LCD((Liquid Crystal Display，液晶显示面板)等其它发光方式的柔性显示面板。所述封装层406根据需要直接制备在所述薄膜晶体管阵列层404上，覆盖所述薄膜晶体管阵列层404的上表面，同时包覆所述薄膜晶体管阵列层404靠近所述非显示区412一端的侧边，并部分覆盖所述第二聚酰亚胺层401b。所述封装层406为常规技术结构，其所采用的材料、厚度可以根据需求进行调整，本发明不做特殊限定。
本发明柔性显示面板，通过制备由第一聚酰亚胺层、水氧阻隔层、保护层和第二聚酰亚胺层组成的复合基底结构，使得制备的柔性显示面板具有良好的水和氧气阻隔性能，很大程度上降低水和氧气透过柔性衬底基板的概率，提高柔性显示面板的使用寿命；具有良好的柔韧性，利于广泛应用。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种柔性衬底基板，具有被一切割线划分的一面板区和一面板边缘区；其特征在于，所述柔性衬底基板包括：
一第一聚酰亚胺层，形成在所述面板区及所述面板边缘区；
一水氧阻隔层，覆盖所述第一聚酰亚胺层；
一保护层，设置于所述水氧阻隔层上的所述面板区，并靠近所述切割线；以及
一第二聚酰亚胺层，覆盖所述保护层及所述水氧阻隔层。
2.如权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，当所述面板边缘区被沿所述切割线切除后，所述水氧阻隔层用于从所述第二聚酰亚胺层下方阻隔水/氧气的渗透，所述保护层用于从所述第二聚酰亚胺层靠近所述切割线一端的侧边阻隔水/氧气的渗透。
3.如权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅或非晶硅中的至少一种。
4.如权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，所述保护层的厚度为0.1-5μm。
5.如权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，所述水氧阻隔层的材料为氧化硅或氮化硅。
6.如权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，所述水氧阻隔层的厚度为0.2-1μm。
7.如权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，所述第一聚酰亚胺层和所述第二聚酰亚胺层的材料为聚酰亚胺树脂或改性聚酰亚胺树脂。
8.如权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，所述第一聚酰亚胺层和所述第二聚酰亚胺层的厚度为5-15μm。
9.一种柔性显示面板，包括一面板区，所述面板区包括一显示区及一非显示区；其特征在于，所述柔性显示面板包括：
一柔性衬底基板，所述柔性衬底基板包括一形成在所述显示区及所述非显示区的第一聚酰亚胺层，一覆盖所述第一聚酰亚胺层的水氧阻隔层，一设置于所述水氧阻隔层上并对应所述非显示区的保护层，及一覆盖所述保护层及所述水氧阻隔层的第二聚酰亚胺层；以及
依次层叠设置于所述柔性衬底基板上并对应所述显示区的一薄膜晶体管阵列层和一封装层，所述封装层同时包覆所述薄膜晶体管阵列层靠近所述非显示区一端的侧边，并部分覆盖所述第二聚酰亚胺层。
10.如权利要求9所述的柔性显示面板，其特征在于，所述柔性衬底基板采用如权利要求2-8任意一项所述的柔性衬底基板。
11.一种柔性显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一硬质基板，所述硬质基板具有被一切割线划分的一面板区和一面板边缘区，所述面板区包括一显示区及一非显示区，所述非显示区靠近所述切割线；
在所述硬质基板上制备一第一聚酰亚胺层，所述第一聚酰亚胺层形成在所述面板区和所述面板边缘区；
在所述第一聚酰亚胺层上沉积一水氧阻隔层，所述水氧阻隔层覆盖所述第一聚酰亚胺层；
在所述水氧阻隔层上对应所述非显示区制备一保护层，所述保护层靠近所述切割线；
在所述保护层及所述水氧阻隔层上制备一第二聚酰亚胺层；
在所述第二聚酰亚胺层上对应所述显示区依次制备一薄膜晶体管阵列层和一封装层，所述封装层同时包覆所述薄膜晶体管阵列层靠近所述非显示区一端的侧边，并部分覆盖所述第二聚酰亚胺层；以及
分离所述硬质基板与所述第一聚酰亚胺层，及沿所述切割线切除所述面板边缘区，得到柔性显示面板。
CN201910789367.9A 2019-08-26 2019-08-26 一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法 Active CN110611042B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910789367.9A CN110611042B (zh) 2019-08-26 2019-08-26 一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法
US16/639,747 US11145832B2 (en) 2019-08-26 2019-11-05 Flexible base substrate, flexible display panel, and method for preparing the same
PCT/CN2019/115711 WO2021035950A1 (zh) 2019-08-26 2019-11-05 一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910789367.9A CN110611042B (zh) 2019-08-26 2019-08-26 一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110611042A true CN110611042A (zh) 2019-12-24
CN110611042B CN110611042B (zh) 2020-10-27

Family

ID=68889861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910789367.9A Active CN110611042B (zh) 2019-08-26 2019-08-26 一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110611042B (zh)
WO (1) WO2021035950A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111524905A (zh) * 2020-04-26 2020-08-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示终端
CN113437019A (zh) * 2021-06-02 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基板切割方法及装置
CN113571553A (zh) * 2021-07-05 2021-10-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN113793860A (zh) * 2021-07-13 2021-12-14 上海和辉光电股份有限公司 一种改善残影的柔性显示面板及其制备方法
US11539009B2 (en) 2020-04-26 2022-12-27 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof, display terminal

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150004306A1 (en) * 2013-06-27 2015-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Method for manufacturing display device
CN106992263A (zh) * 2017-04-01 2017-07-28 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板
CN107680994A (zh) * 2017-10-30 2018-02-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled显示面板及其制备方法
CN109065581A (zh) * 2018-08-01 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性基板及其制备方法、阵列基板
CN109755410A (zh) * 2019-01-10 2019-05-14 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示面板、制备方法及显示装置
CN109950426A (zh) * 2019-03-29 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板的制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107689425A (zh) * 2017-08-31 2018-02-13 昆山国显光电有限公司 薄膜封装结构及薄膜封装方法和显示面板
CN107863357B (zh) * 2017-11-15 2021-03-09 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN107919364B (zh) * 2017-11-17 2021-05-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板母板、显示基板及制作方法、显示装置
CN109888126B (zh) * 2019-02-28 2021-06-08 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制备方法和具有其的显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150004306A1 (en) * 2013-06-27 2015-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Method for manufacturing display device
CN106992263A (zh) * 2017-04-01 2017-07-28 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板
CN107680994A (zh) * 2017-10-30 2018-02-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled显示面板及其制备方法
CN109065581A (zh) * 2018-08-01 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性基板及其制备方法、阵列基板
CN109755410A (zh) * 2019-01-10 2019-05-14 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示面板、制备方法及显示装置
CN109950426A (zh) * 2019-03-29 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板的制备方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111524905A (zh) * 2020-04-26 2020-08-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示终端
WO2021217700A1 (zh) * 2020-04-26 2021-11-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示终端
US11539009B2 (en) 2020-04-26 2022-12-27 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof, display terminal
CN113437019A (zh) * 2021-06-02 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基板切割方法及装置
CN113571553A (zh) * 2021-07-05 2021-10-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN113793860A (zh) * 2021-07-13 2021-12-14 上海和辉光电股份有限公司 一种改善残影的柔性显示面板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110611042B (zh) 2020-10-27
WO2021035950A1 (zh) 2021-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110611042B (zh) 一种柔性衬底基板、柔性显示面板及其制备方法
US11778850B2 (en) Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device
US11690243B2 (en) Light-emitting device
US11849599B2 (en) Display device having a sealing film including multiple layers
US20200388795A1 (en) Manufacturing method of light-emitting device, light-emitting device, module, and electronic device
KR102010429B1 (ko) 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
JP4391301B2 (ja) 有機電界発光表示装置の製造方法
EP1921690A2 (en) Organic light emitting display and fabrication method thereof
CN110600636A (zh) 一种柔性显示面板制备方法及柔性显示面板
KR20200069118A (ko) 표시 장치
US11145832B2 (en) Flexible base substrate, flexible display panel, and method for preparing the same
US11121351B2 (en) Flexible display panel and preparation method thereof
US20230263044A1 (en) Method of manufacturing display panel, display panel, and mobile terminal
CN118139506A (zh) 显示装置
CN117995065A (zh) 柔性显示模组及装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant