CN118139506A

CN118139506A - 显示装置

Info

Publication number: CN118139506A
Application number: CN202311608741.3A
Authority: CN
Inventors: 白承汉; 朴容仁; 安贤真; 尹景载; 韩诠襅; 梁维哲
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2022-12-02
Filing date: 2023-11-28
Publication date: 2024-06-04

Abstract

实施方式公开了一种显示装置，该显示装置包括：基板，基板包括显示区域、透光区域和围绕透光区域的非显示区域；电路部和发光元件部，其设置在显示区域中；以及蚀刻停止图案，其设置在非显示区域中，其中，基板包括设置在与透光区域相对应的位置处的第一开口，蚀刻停止图案包括围绕第一开口的第一蚀刻停止层和设置在第一蚀刻停止层上的第二蚀刻停止层，并且第二蚀刻停止层包括与第一蚀刻停止层相比进一步朝向透光区域延伸的突出部。

Description

显示装置

技术领域

实施方式涉及一种显示装置。

背景技术

根据发光层的材料，电致发光显示装置分为无机发光显示装置和有机发光显示装置。有源矩阵型有机发光显示装置包括自身发光的有机发光二极管(OLED)，并且具有快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角的优点。有机发光显示装置具有形成在每个像素中的OLED。有机发光显示装置不仅具有快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角，而且能够将黑色灰阶呈现为完美的黑色，从而具有优异的对比度和色域。

发明内容

近来，有机发光显示装置已经在作为柔性材料的塑料基板上实现。本公开的发明人已经认识到，由于各种问题，因此将显示装置实现在玻璃基板上具有一些益处。然而，发明人还认识到，当在玻璃基板上锁骨下班有机发光显示装置时，存在以下技术问题：在面板中处理凹口或圆弧(round)或者形成孔时，刚性降低，并且难以加工出各种不同的形状。本公开的各种实施方式提供了解决相关领域中的包括上述问题在内的各种技术问题的显示装置。

例如，实施方式提供了一种在处理玻璃基板并形成各种形状的孔的同时保持刚性的显示装置。

实施方式可以允许减轻玻璃基板的边缘的锐度。

应当注意的是，本公开的目的不限于上述目的，并且本公开的其它目的对于本领域技术人员来说将从以下描述中变得显而易见。

根据本公开的一个方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：玻璃基板，玻璃基板包括显示区域、透光区域以及围绕透光区域的非显示区域；电路部和发光元件部，其设置在显示区域中；以及蚀刻停止图案，其设置在非显示区域中，其中，玻璃基板包括设置在与透光区域相对应的位置处的第一开口，蚀刻停止图案包括围绕第一开口的第一蚀刻停止层和设置在第一蚀刻停止层上的第二蚀刻停止层，第二蚀刻停止层包括与第一蚀刻停止层相比朝向透光区域进一步延伸的突出部。

根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：玻璃基板，玻璃基板包括显示区域、透光区域以及围绕透光区域的非显示区域；电路部和发光元件部，其设置在显示区域中；以及蚀刻停止图案，其设置在非显示区域中，其中，玻璃基板包括设置在与透光区域相对应的位置处的第一开口，玻璃基板包括设置有蚀刻停止图案的一个表面和与一个表面相对的另一表面，第一开口包括连接到玻璃基板的另一表面且直径朝向蚀刻停止图案减小的第一开口区域以及连接到玻璃基板的一个表面的第二开口区域，第一开口区域的最大直径大于第二开口区域的最大直径。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的示例性实施方式，本公开的上述和其它目的、特征和优点将对于本领域的普通技术人员变得更加明显，在附图中：

图1是根据本公开的一个实施方式的显示装置的概念图；

图2是沿着图1的I-I’线截取的截面图；

图3是图2的A部分的放大图；

图4A是图3的第一修改例；

图4B是图3的第二修改例；

图4C是图3的第三修改例；

图5是图2的B部分的放大图；

图6是例示围绕基板的透光区域和边缘区域的蚀刻停止层的图；

图7是沿着图1的线II-II’截取的截面图；

图8是例示根据本公开的第一实施方式的显示装置的图；

图9是图8的C部分的放大图；

图10为形成透光区域之前的显示面板图；

图11A至图11F是例示根据第一实施方式的蚀刻基板以在显示装置中形成透光区域的处理的图；

图12A至图12F是例示根据第二实施方式的蚀刻基板以在显示装置中形成透光区域的处理的图；

图13是例示根据本公开的第三实施方式的显示装置的图；

图14A至图14F是例示根据第三实施方式的蚀刻基板以在显示装置中形成透光区域的处理的图；

图15是例示根据本公开的第四实施方式的显示装置的结构图；

图16是例示形成透光区域之前的显示面板的图；

图17A至图17F是例示根据第四实施方式的蚀刻基板以在显示装置中形成透光区域的处理的图；以及

图18A至图18C是例示各种形式的蚀刻图案的图。

具体实施方式

通过参照附图描述的以下实施方式，将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。本公开不限于下面描述的实施方式并且可以通过各种不同的变形来实现。提供实施方式仅仅是为了让本领域技术人员完整地理解本公开的范围。

附图中公开的用于描述本公开的的附图、尺寸(例如，长度、宽度、高度、厚度、半径、直径、面积等)、比率、角度、数字、元件的数量等仅仅是说明性的，因此本公开不限于附图中所示的内容。

为了便于描述，例示了包括附图中所示的每个组件大小和厚度的尺寸，并且本公开不限于所示组件的大小和厚度，但是应当注意，包括本文提交的各个附图中例示的组件的相对大小、位置和厚度的相对尺寸是本公开的一部分。

在整个说明书中，相同的附图标记表示基本相同的组件。此外，在描述本公开时，当确定它们可能不必要地模糊本公开的要旨时，将省略公知技术的详细描述。

除非术语仅与术语“仅”一起使用，否则本文使用的诸如“包括”、“具有”和“由…组成”的术语旨在允许添加其它元件。除非另有明确说明，否则当组件以单数形式表达时，其可以被解释为复数形式。

即使没有明确说明，组件也被解释为包括正常错误范围。

当使用诸如“上”、“上方”、“下方”、“邻接”、“连接或联接”、“交叉或相交”等术语描述两个组件之间的位置或互连关系时，除非术语与术语“紧接着”或“直接”一起使用，否则一个或多个其它组件可以插置在两个组件之间。

当使用诸如“之后”、“在…之后”、“下一个”、“之前”等术语描述时间顺序关系时，除非使用术语“立即”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。

为了区分组件，可以在组件的名称之前使用诸如第一、第二等的序号，但是功能或结构不限于这些序号或组件名称。为了便于描述，不同的实施方式可以在相同组件的名称之前具有不同的序数。

以下实施方式可以部分或全部彼此联接或组合，并且可以以技术上各种方式互操作和执行。每个实施方式可以相对于彼此独立地操作，并且可以以相关关系一起实现。

在下文中，将参照附图详细描述本公开的各种实施方式。

图1是根据本公开的一个实施方式的显示装置的概念图。图2是沿着图1的线I-I’截取的截面图。图3是图2的A部分的放大图。图4A是图3的第一修改例。图4B是图3的第二修改例。图4C是图3的第三修改例。

参照图1至图3，显示装置1可以包括输出图像的显示区域DA和光通过其入射的透光区域TA。透光区域TA可以具有用于允许光入射到设置在显示面板下方的传感器40上的孔结构，但是本公开不一定限于此。

显示面板可以包括设置在基板10上的电路部13和设置在电路部13上的发光元件部15。偏光板19可以设置在发光元件部15上，并且盖玻璃20可以设置在偏光板19上。此外，触摸部18可以设置在发光元件部15和偏光板19之间。

根据实施方式，基板10可以是具有预定强度的玻璃基板。然而，基板10不必须限于此，还可以包括诸如聚酰亚胺的柔性材料。

电路部13可以包括连接到诸如数据线、选通线、电源线等的布线的像素电路、连接到选通线的选通驱动部等。

电路部13可以包括诸如实现为薄膜晶体管(TFT)的晶体管、电容器等的电路元件。电路部13的布线和电路元件可以用多个绝缘层、彼此隔开并且绝缘层位于其间的两个或更多个金属层、以及包括半导体材料的有源层来实现。

发光元件部15可以具有诸如OLED显示器、量子点显示器、微发光二极管(LED)显示器等的器件结构。在下文中，作为示例将描述包括有机化合物层的OLED结构。

有机化合物层可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL，但本公开不限于此。

当电压施加到OLED的阳极和阴极时，穿过空穴传输层HTL的空穴和穿过电子传输层ETL的电子移动到发光层EML以生成激子，因此可以从发光层EML发出可见光。

发光元件部15还可以包括设置在选择性地透射红色波长、绿色波长和蓝色波长的光的像素上的滤色器阵列。

发光元件部15可以被保护膜覆盖，并且保护膜可以被封装部17覆盖。保护膜和封装部17可以具有其中有机绝缘层和无机绝缘层交替层叠的结构。无机绝缘层可以阻挡湿气或氧气的渗透。有机绝缘层可以使无机绝缘层的表面平坦化。因此，当有机绝缘层和无机绝缘层层叠为多层时，湿气或氧气的移动路径与单层相比更长，使得影响发光元件部15的湿气/氧气的渗透可以被有效阻挡。

偏光板19可以设置在发光元件部15上。偏光板19可以提高显示装置的户外可视性。偏光板19可以减少从显示面板的表面反射的光并且阻挡从电路部13的金属反射的光，以提高像素的亮度。

透光区域TA可以形成在显示区域DA之间。第一非显示区域NDA1可以被设置为围绕透光区域TA。第一非显示区域NDA1可以包括多个坝部DAM的结构以保护显示区域DA中的发光元件免受可能从透光区域TA引入的湿气或氧气的影响。

透光区域TA可以具有用于将光注入到诸如摄像头的传感器40中的通孔结构。然而，本公开不一定限于此，并且具有低密度的像素可以设置在透光区域TA中。

基板10可以包括设置在透光区域TA中的第一开口11。因此，从平面图看，基板10的第一开口11与透光区域TA交叠。第一开口11可以具有随着其接近盖玻璃20而宽度变窄的锥形形状。然而，第一开口11不一定限于此，并且可以具有随着其接近盖玻璃20而宽度增大的锥形形状，或者厚度方向上的宽度可以是恒定的。第一开口11的锥形形状可以通过蚀刻剂的类型和蚀刻方法而不同地改变。

第一蚀刻停止图案ES1可以设置在基板10的第一开口11上。另外，第二蚀刻停止图案ES2可以设置在基板10的边缘上。第一蚀刻停止图案ES1和第二蚀刻停止图案ES2可以防止蚀刻剂在蚀刻基板10时穿透到面板中。

第一蚀刻停止图案ES1和第二蚀刻停止图案ES2可以包括耐蚀刻剂的有机材料和/或金属材料。作为示例，蚀刻停止图案可以包括选自由以下组成的组的一者：聚酯基聚合物、硅酮基聚合物、丙烯酸基聚合物、聚烯烃基聚合物及其共聚物。此外，可包括耐氢氟酸蚀刻溶液(例如钼)的金属材料。然而，蚀刻停止图案不一定限于此，并且可以包括抵抗蚀刻剂的各种材料。

第一蚀刻停止图案ES1和第二蚀刻停止图案ES2可以通过从构成电路部13、发光元件部15、封装部17和触摸部18的层中的至少一个延伸来形成。也就是说，第一蚀刻停止图案ES1和第二蚀刻停止图案ES2可以是从电路部13、发光元件部15、封装部17或触摸部18延伸的虚设层。利用该配置，可以在不添加单独的处理的情况下形成蚀刻停止图案。

根据实施方式，第一蚀刻停止图案ES1可以包括朝向第一开口11的内侧突出的突出部P1(也称为第二蚀刻停止层ES12的第一突出部P1)。突出部P1可以被限定为与第一开口11的上表面相比朝向透光区域进一步突出的部分。突出部P1可以在激光切割蚀刻停止图案的过程中形成。

涂层30可以形成在基板10的背表面上。涂层30可以由包括聚酯基聚合物或丙烯酸基聚合物的有机材料形成。

涂层30可以包括形成在第一开口11的内侧表面上的侧涂层31和设置在基板的下部上的背涂层32。侧涂层31的下表面31a可以形成为朝向蚀刻停止团凹入。然而，侧涂层31不一定限于此，并且根据材料可以不收缩。因此，即使在固化完成之后，侧涂层31的下表面31a也可以基本平坦。

第一蚀刻停止图案ES1可以包括围绕第一开口11的第一蚀刻停止层ES11和设置在第一蚀刻停止层ES11上的第二蚀刻停止层ES12。

第二蚀刻停止层ES12可以包括与第一蚀刻停止层ES11相比朝向透光区域TA进一步延伸的突出部P1。利用该配置，可以通过在蚀刻工艺中暴露和蚀刻基板10的上表面来减轻基板10的边缘的锐度。也就是说，可以将基板10的侧表面11a形成为温和地圆化，从而提高基板10的侧表面的强度并且防止破裂。

如图3所示，从平面图上看，第二蚀刻停止层ES12的突出部P1与第一蚀刻停止层ES11不交叠。也就是说，第二蚀刻停止层ES12的突出部P1比第一蚀刻停止层ES11进一步朝向开口11或进一步朝向透光区域TA延伸。

第一蚀刻停止层ES11和第二蚀刻停止层ES12可以由不同的材料制成。另外，第二蚀刻停止层ES12的耐化学性可以高于第一蚀刻停止层ES11的耐化学性。这里，术语“耐化学性”可以指蚀刻停止层不与蚀刻溶液反应的程度。因此，具有高化学电阻的蚀刻停止层可以被相对较少地蚀刻。

第一蚀刻停止层ES11可以由诸如钼的金属材料形成，并且第二蚀刻停止层ES12可以由诸如聚酰亚胺的有机材料形成，但是本公开不一定限于此。

第一蚀刻停止层ES11可以比第二蚀刻停止层ES12更薄。作为示例，第一蚀刻停止层ES11可以是与形成在显示区域DA中的光阻挡层相同的层，并且第二蚀刻停止层ES12可以是与形成在显示区域DA中的平坦化层相同的层。然而，本公开不一定限于此，并且第一蚀刻停止层ES11和第二蚀刻停止层ES12可以由显示区域DA中的各种有机绝缘层和金属层形成。另外，第一蚀刻停止层ES11和第二蚀刻停止层ES12中的每一个可以包括多个层。

第一开口11可以包括连接到基板10的下表面10b的第一开口区域11-1和连接到基板10的上表面10a的第二开口区域11-2。第一开口区域11-1可以与第一开口11的下侧表面11a-1的最大直径相对应，并且第二开口区域11-2可以与第一开口11的上侧表面11a-2的直径相对应。

第一开口区域11-1可以形成为具有朝向第一蚀刻停止图案ES1减小的直径，并且第二开口区域11-2可以形成为具有相对恒定的直径。第二开口区域11-2的直径恒定的含义除了具有基本上恒定的直径之外，还可以包括与第一开口区域11-1的直径相比直径相对小的改变。也就是说，第二开口区域11-2中的直径的改变可以小于第一开口区域11-1中的直径的改变。

第二开口区域11-2的上侧表面11a-2可以设置在与第一蚀刻停止层ES11的侧表面相同的垂直平面上。根据实施方式，可以通过在第二蚀刻停止层ES12的背侧上设置第一蚀刻停止层ES11并且暴露和蚀刻基板10的上表面来减轻基板10的边缘的锐度。

第二蚀刻停止层ES12和侧涂层31可以包括形成在与透光区域TA相对应的区域中的开口孔。因此，侧涂层31的侧表面、背涂层32的侧表面和第二蚀刻停止层ES12的侧表面可以设置在同一垂直平面上。

参照图4A，第一开口11可以包括第一开口区域11-1、第二开口区域11-2和第三开口区域11-3，第一开口区域11-1的直径朝向第一蚀刻停止图案ES1减小，第二开口区域11-2的直径随着其接近第一蚀刻停止图案ES1而增大，便器第三开口区域11-3设置在第一开口区域11-1和第二开口区域11-2之间。

第一开口区域11-1可以与第一开口11的下侧表面11a-1的直径相对应，第二开口区域11-2可以与第一开口11的上侧表面11a-3的直径相对应，并且第三开口区域11-3可以与第一开口11的中央侧表面11a-2的直径相对应。

第一开口区域11-1可以连接到基板10的下表面10b，并且可以在朝向第一蚀刻停止图案ES1的方向(Z1方向)上宽度减小。第一开口区域11-1的侧表面可以为直线，但不限于此，可以具有曲率。

第二开口区域11-2可以连接到基板10的上表面10a，并且可以在朝向第一蚀刻停止图案ES1的方向上宽度增大。也就是说，第二开口区域11-2的宽度可以在从基板10的上表面10a到下表面10b的方向(Z2方向)上变小。第二开口区域11-2的侧表面可以是直线，但不一定限于此，可以具有曲率。

根据本实施方式，第一开口区域11-1的最大直径可以大于第二开口区域11-2的最大直径。然而，本公开不一定限于此，并且第二开口区域11-2的最大直径可以大于第一开口区域11-1的最大直径。另选地，第一开口区域11-1的最大直径和第二开口区域11-2的最大直径可以相同。

参照图4A，基板10的开口限定基板的一个或更多个侧表面。如图所示，一个或更多个侧表面包括在开口的第一侧处的第一侧表面FSS和与第一侧表面FSS相邻的第二侧表面SSS(例如，如图4A所示的开口的左侧)。一个或更多个侧表面还包括在开口的与开口的第一侧相对并且面向开口的第一侧的第二侧处的第三侧表面TSS和与第三侧表面TSS相邻的第四侧表面FTSS。也就是说，如图4A所示，第二侧是指开口的右侧。

这里，第一侧表面FSS与第三侧表面TSS相对并且面向第三侧表面TSS，并且第二侧表面SSS与第四侧表面FTSS相对并且面向第四侧表面FTSS。

如图4A所示，开口的第一直径L1可以由第一侧表面FSS和第三侧表面TSS之间的距离限定。类似地，第二直径L2可以由第二侧表面SSS和第四侧表面FTSS之间的距离限定。

如图所示，在一些实施方式中，由于基板10的侧表面(例如，11a-1、11a-2、11a-3、FSS、SSS、TSS、FTSS)的各种曲率，第一直径L1和第二直径L2可以彼此不同。

参照图4A，第一蚀刻停止层ES11包括第五侧表面FFSS和与第五侧表面FFSS相对且面向第五侧表面FFSS的第六侧表面SXSS。这里，第一蚀刻停止层ES11的第六侧表面SXSS位于基板10的开口的另一侧(即，开口的第二侧或右侧)。

第三直径L3可以由第一蚀刻停止层ES11的第五侧表面FFSS与第六侧表面SXSS之间的距离限定。在一些实施方式中，第三直径L3与第一直径L1和第二直径L2不同。

如图4A所示，直径L1、L2和L3的差异可以产生开口的变化形状。可以基于蚀刻基板10和蚀刻停止图案ES1以具有不同的直径来形成各种其它形状。

在一些实施方式中，如上所述，第一侧表面FSS和第二侧表面SSS可以具有彼此不同的曲率。类似地，侧表面11a-1、1a-2、11a-3也可以具有彼此不同的曲率。

参照图3，第一蚀刻停止层ES11在z轴方向上具有厚度(或高度)D1，并且第二蚀刻停止层ES12在z轴方向上具有厚度(或高度)D2。在一些实施方式中，第一蚀刻停止层ES11的厚度D1和第二蚀刻停止层ES12的厚度D2可以相同。然而，在其它实施方式中，如图11A至图11F、图12A至图12F和图14A至图14F所示，第一蚀刻停止层ES11的厚度D1可以比第二蚀刻停止层ES12的厚度D2更薄。

参照图4B，第一蚀刻停止图案ES1还可以包括设置在第一蚀刻停止层ES11和第二蚀刻停止层ES12之间的第三蚀刻停止层ES13。第三蚀刻停止层ES13可以由与第一蚀刻停止层ES11和/或第二蚀刻停止层ES12相同的材料或不同的材料制成。作为示例，第三蚀刻停止层ES13可以具有比第一蚀刻停止层更高的对蚀刻溶液的耐化学性。蚀刻停止图案可以通过层叠相同或不同材料的蚀刻停止层来形成。

如图4B所示，第二蚀刻停止层ES12的突出部P1与第一蚀刻停止层ES11不交叠。也就是说，第二蚀刻停止层ES12的突出部P1比第一蚀刻停止层ES11进一步朝向开口11延伸或进一步朝向透光区域TA延伸。类似地，从平面图上看，第三蚀刻停止层ES13的突出部P2与第一蚀刻停止层ES11不交叠。也就是说，第三蚀刻停止层ES13的突出部P2比第一蚀刻停止层ES11进一步朝向开口11延伸或进一步朝向透光区域TA延伸。这里，第二蚀刻停止层ES12的突出部P1比第三蚀刻停止层ES13的突出部P2进一步朝向开口11延伸或者进一步朝向透光区域TA延伸。因此，从平面图上看，第二蚀刻停止层ES12的突出部P1与第三蚀刻停止层ES13的突出部P2不交叠。也就是说，第二蚀刻停止层ES12的突出部P1比第三蚀刻停止层ES13的突出部P2进一步朝向开口11延伸或进一步朝向透光区域TA延伸。

第三蚀刻停止层ES13具有厚度(或高度)D3。在一些实施方式中，厚度D3可以与厚度D1或D2相同。然而，在其它实施方式中，厚度D3可以与厚度D1或D2不同。例如，厚度D3可以小于厚度D2并且小于厚度D1。在其它示例中，厚度D3可以小于厚度D2但大于厚度D1。

第一开口11的侧表面11a可以比第一蚀刻停止层ES11朝向透光区域进一步突出。因此，可以蚀刻基板10的上表面以减轻锐度。

基板10的第一开口11的侧表面11a可以形成为相对于基板10的厚度中心C1对称。因此，从第一开口11的侧表面突出的区域C2可以与基板10的厚度中心C1相匹配。然而，本公开不一定限于此，并且如图4C所示，从第一开口11的侧表面突出的区域C2可以设置为与基板10的厚度中心C1不对准。也就是说，从第一开口11的侧表面突出的区域C2可以设置在基板10的厚度中心C1上方或下方。在图4C中，示例性地例示了从第一开口11的侧表面突出的区域C2设置在基板10的厚度中心C1下方。

参照图2和图5，第二非显示区域NDA2可以设置在显示面板的边缘处。第二非显示区域NDA2可以是将多个面板与母基板分隔开所需的边缘部。

基板10可以包括形成在其边缘处的第二倾斜表面12a。第二倾斜表面12a可以包括2-1倾斜表面12a-1和2-2倾斜表面12a-2，2-1倾斜表面12a-1以第一开口11的宽度朝向第二蚀刻停止图案ES2减小的方式倾斜，并且2-2倾斜表面12a-2相对垂直地形成。第二倾斜表面12a可以具有与形成在第一开口11中的侧表面11a相同的角度。第一开口11和第二倾斜表面12a通过蚀刻剂同时形成，以使得第一开口11和第二倾斜表面12a可以具有相同的倾斜角度和蚀刻深度。

根据本实施方式，第一开口11可以在通过使用蚀刻剂蚀刻母基板来分离多个显示面板的处理中同时形成在每个显示面板的基板中。因此，可以在没有附加设备并且在不降低刚性的情况下形成开口。此外，可以通过改变掩模图案来形成各种形状的开口。

设置在第二非显示区域NDA2中的第二蚀刻停止图案ES2可以防止蚀刻剂在蚀刻母基板以分离多个显示面板时穿透到多个显示面板中。

第二蚀刻停止图案ES2可以从电路部13、发光元件部15、封装部17和触摸部18的至少一个层延伸。另选地，第二蚀刻停止图案ES2可以在形成电路部13、发光元件部15、封装部17和触摸部18的至少一个层的处理中同时形成。利用该配置，可以在不添加单独的处理的情况下形成第二蚀刻停止图案ES2。

根据实施方式，第二蚀刻停止图案ES2可以包括从第二倾斜表面12a向外突出的突出部P2。当激光切割第二蚀刻停止图案ES2时，突出部P2可以防止损坏显示面板。

图6是例示蚀刻停止层围绕透光区域的形状的图。

参照图6，第一蚀刻停止图案ES1可以被设置为完全地围绕第一开口11的外围。此外，第二蚀刻停止图案ES2可以被设置为完全地围绕显示面板的外周表面。

根据实施方式，由于第一蚀刻停止图案ES1被设置为完全地围绕第一开口11的外围，并且第二蚀刻停止图案ES2被设置为完全地围绕显示面板的外周表面，因此可以在切割母基板时同时在基板内部形成通孔的情况下，防止蚀刻剂穿透到面板中。

根据实施方式，可以利用蚀刻在玻璃基板中形成各种形状的开口。因此，与传统的划片(scribing)、掰开(breaking)和研磨(grinding)技术相比，具有能够在保持基板的刚性的同时形成各种开口的优点。此外，具有能够在处理基板10的侧表面以在基板10的侧表面上形成凹口或圆弧(rounding)时同时形成开口的优点。

图7是沿着图1的II-II’线截取的截面图。

参照图7，在显示区域DA中，第一晶体管120和第二晶体管130可以设置在基板10上，并且发光元件150可以设置在平坦化层111上。

第一光阻挡层141可以设置在基板10上。第一光阻挡层141可以包括钼和/或铝。第一光阻挡层141可以阻挡光进入第一半导体层123或第二半导体层133。

多缓冲层102可以延迟渗透到基板10中的湿气或氧气的扩散，并且可以通过交替层叠硅氮化物(SiN_x)和硅氧化物(SiO_x)至少一次来形成。

第二光阻挡层142可以设置在多缓冲层102上。第二光阻挡层142可以包括钼和/或铝。第二光阻挡层142可以阻挡进入第一半导体层123或第二半导体层133的光。

有源缓冲层103可以保护第一半导体层123，并用于阻挡从基板10引入的各种类型的缺陷。有源缓冲层103可以由a-Si、硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)等形成。

第一晶体管120的第一半导体层123可以由多晶半导体层形成，并且第一半导体层123可以包括沟道区、源极区和漏极区。

多晶半导体层具有比非晶半导体层和氧化物半导体层更高的迁移率，因此具有低能耗和优异的可靠性。由于这些优点，多晶半导体层可以用于驱动晶体管。

第一栅极电极122可以设置在下栅极绝缘层104上并且可以设置为与第一半导体层123交叠。

用于使第二栅极电极132与第二半导体层133绝缘的上栅极绝缘层106可以设置在第二半导体层133上。

上层间绝缘层108可以设置在第二栅极电极132上。第一栅极电极122和第二栅极电极132中的每一个可以形成为由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金制成的单层或多层，但本公开不限于此。

下层间绝缘层105可以形成为具有比上层间绝缘层108更高的氢粒子含量的无机绝缘层。例如，下层间绝缘层105可以由通过使用NH₃气体的沉积工艺形成的硅氮化物(SiN_x)制成，并且上层间绝缘层108可以由硅氧化物(SiO_x)制成。包括在下层间绝缘层105中的氢粒子可以在氢化工艺期间扩散到多晶半导体层中，以用氢填充多晶半导体层中的孔。因此，可以使多晶半导体层稳定化，从而防止第一晶体管120的特性劣化。

在第一晶体管120的第一半导体层123的活化和氢化工艺之后，可以形成第二晶体管130的第二半导体层133，并且在这种情况下，第二半导体层133可以由氧化物半导体形成。由于第二半导体层133没有暴露于第一半导体层123的活化和氢化工艺的高温气氛，因此可以防止对第二半导体层133的损伤，这可以提高可靠性。

在设置上层间绝缘层108之后，第一源极接触孔125S和第一漏极接触孔125D可以分别形成为与第一晶体管的源极区和漏极区相对应，并且第二源极接触孔135S和第二漏极接触孔135D可以分别形成为与第二晶体管130的源极区和漏极区相对应。

第一源极接触孔125S和第一漏极接触孔125D可以从上层间绝缘层108到下栅极绝缘层104连续地形成，并且还可以在第二晶体管130中形成第二源极接触孔135S和第二漏极接触孔135D。

可以同时形成与第一晶体管120相对应的第一源极电极121和第一漏极电极124以及与第二晶体管130相对应的第二源极电极131和第二漏极电极134。这可以减少用于形成第一晶体管120和第二晶体管130中的每一者的源极电极和漏极电极的制造工艺的数量。

第一源极电极121和第一漏极电极124以及第二源极电极131和第二漏极电极134可以形成为由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或其合金制成的单层或多层，但本公开不限于此。

第一源极电极121和第一漏极电极124以及第二源极电极131和第二漏极电极134可以具有三层结构，并且例如，第一源极电极121可以包括包含Ti的第一层121a、包含Al的第二层121b和包含Ti的第三层121c，并且其它源极电极和漏极电极可以具有与第一源极电极121相同的结构。

存储电容器140可以设置在第一晶体管120和第二晶体管130之间。根据本实施方式，存储电容器140可以使用第一光阻挡层141和第二光阻挡层142形成。作为示例，第二光阻挡层142可以通过存储供给线143电连接到像素电路。然而，存储电容器140的结构不一定限于此，并且可以使用其它两个金属层来不同地修改。

存储供给线143可以形成为与第一源极电极121和第一漏极电极124以及第二源极电极131和第二漏极电极134共面，并且由与第一源极电极121和第一漏极电极124以及第二源极电极131和第二漏极电极134相同的材料制成。源极电极131和漏极电极134，因此，存储供给线143可以通过相同的掩模工艺与第一源极电极121和第一漏极电极124以及第二源极电极131和第二漏极电极134同时形成。

可以通过在形成有第一源极电极121和第一漏极电极124、第二源极电极131和第二漏极电极134以及存储供给线143的基板10的整个表面上沉积诸如SiN_x或SiO_x的无机绝缘材料来形成保护膜109。

第一平坦化层110可以形成在保护膜109上。具体地，可以通过将诸如丙烯酸基树脂的有机绝缘材料施加到保护膜109的整个表面上来设置第一平坦化层110。

在设置保护膜109和第一平坦化层110之后，可以通过光刻工艺形成暴露第一晶体管120的第一源极电极121或第一漏极电极124的接触孔。由包括Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr或其合金的材料制成的连接电极145可以设置在暴露第一漏极电极124的接触孔的区域中。

第二平坦化层111可以设置在连接电极145上，暴露连接电极145的接触孔可以形成在第二平坦化层111中，以布置连接到第一晶体管120的发光元件150。连接电极145可以以与第一源极电极121和第一漏极电极124相同的方式形成为多层结构。

发光元件150可以包括连接到第一晶体管120的第一漏极电极124的阳极151、形成在阳极151上的至少一个发光层叠件152以及形成在发光层叠件152上的阴极153。

发光层叠件152可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，并且在多个发光层彼此交叠的串联结构中，电荷生成层可以附加地设置在发光层和发光层之间。对于每个子像素，发光层可以发出具有不同的颜色的光。

阳极151可以连接到通过穿过第二平坦化层111的接触孔暴露的连接电极145。阳极151可以形成为包括透明导电膜和具有高反射效率的不透明导电膜的多层结构。透明导电膜可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的具有较大功函数值的材料制成，并且不透明导电膜可以具有包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo、Ti或其合金的单层或多层结构。

例如，阳极151可以形成为透明导电膜、不透明导电膜和透明导电膜依次层叠的结构或者透明导电膜和不透明导电膜依次层叠的结构。

阳极151可以设置在通过堤部154设置的发光区域中以及以与设置有第一晶体管120和第二晶体管130以及存储电容器140的像素电路区域交叠的方式设置在第二平坦化层111上，从而增大用于发光的面积。

发光层叠件152可以通过将空穴传输层、有机发光层和电子传输层以该顺序或相反的顺序层叠在阳极151上而形成。此外，发光层叠件152还可以包括电荷生成层，并且可以包括彼此面对并且电荷生成层插置在其间的第一发光层叠件和第二发光层叠件。

堤部154可以形成为暴露阳极151。堤部154可以由诸如光丙烯酸的有机材料制成并且可以包括半透明材料，但本公开不限于此。堤部154可以由不透明材料制成以防止子像素之间的光干涉。

阴极153可以以面对阳极151的方式形成在发光层叠件152的上表面上并且发光层叠件152插置在阴极153与阳极151之间。当阴极153应用于顶部发光型有机发光显示装置时，阴极153可以通过薄薄地形成ITO、IZO或镁银(Mg-Ag)而由透明导电膜形成。

用于保护发光元件150的封装部17可以形成在阴极153上。由于发光元件150因发光层叠件152的有机材料的特性而与外部湿气或氧气反应，因此可能会出现暗点或像素收缩。为了防止暗点或像素收缩，封装部17可以设置在阴极153上。

封装部17可以包括第一无机绝缘层171、异物补偿层172和第二无机绝缘层173。

触摸部18可以设置在封装部17上。触摸部18可以包括第一触摸平坦化层181、触摸电极182和第二触摸平坦化层183。第一触摸平坦化层181和第二触摸平坦化层183可以被设置为消除在设置有触摸电极182的点处的台阶部分并且允许触摸电极182良好地电绝缘。

根据实施方式，通过将由低温多晶硅制成的第一晶体管120和由氧化物半导体制成的第二晶体管130设置在不同的层中，可以在显示装置1中设置具有不同驱动特性的薄膜晶体管(TFT)。然而，本公开不一定限于此，并且可以仅使用具有相同驱动特性的薄膜晶体管，并且可以提供各种电路结构。

图8为例示根据本公开的第一实施方式的显示装置的图。图9是图8的C部分的放大图。

参照图8和图9，其中设置有各种传感器的透光区域TA可以形成为圆形形状，并且第一非显示区域NDA1可以设置在透光区域周围。然而，透光区域TA不一定限于此，并且可以具有诸如多边形形状和椭圆形状的各种形状，并且第一非显示区域NDA1的形状也可以相应地变化。

可以通过使用从显示区域延伸的多个层在第一非显示区域NDA1中形成坝部DAM和多个突出图案ST。坝部DAM和突出图案ST的数量没有特别限制。

坝部DAM和突出图案ST可以各自设置成围绕透光区域TA的闭环形状。利用该配置，可以防止湿气通过透光区域TA渗透到显示区域中。

第一蚀刻停止图案ES1可以防止蚀刻溶液在蚀刻基板10期间穿透到面板中。第一蚀刻停止图案ES1可以包括未被蚀刻溶液蚀刻的有机绝缘层或金属层。金属层可以包括具有对蚀刻溶液的强耐化学性的钼(Mo)。

多个突出图案ST可以设置在第一非显示区域NDA1中。突出图案ST形成为具有底切形状以断开形成在第一非显示区域NDA1中的发光层叠件152。

多个突出图案ST可以包括设置在第一非显示区域NDA1中的第一突出图案ST1、第二突出图案ST2和第三突出图案ST3。

多个第一突出图案ST1可以设置在显示区域DA和坝部DAM之间，并且多个第二突出图案ST2可以设置在坝部DAM和第一蚀刻停止图案ES1之间。第三突出图案ST3可以设置在第一蚀刻停止图案ES1上。

多个第一突出图案ST1、多个第二突出图案ST2和第三突出图案ST3可以具有相同的形状，但是本公开不一定限于此。作为示例，第一突出图案ST1和第二突出图案ST2可以具有相同的形状，但是第三突出图案ST3可以具有不同的形状。突出图案ST1、ST2和ST3中的每一者可以进行各种修改，只要其具有能够断开发光层叠件152的结构即可。

基板10可以具有形成在与透光区域TA相对应的区域中的第一开口11。第一开口11的直径可以大于透光区域TA的直径。

侧涂层31可以形成在第一开口11的侧表面11a上。侧涂层31可以覆盖第一开口11的侧表面。第一蚀刻停止图案ES1可以设置在侧涂层31上。

侧涂层31可以由吸收光的有机材料制成。在一个实施方式中，侧涂层31可以包括光密度(OD)为1.0或更大的有机材料。

背涂层32可以设置在基板10的下部和侧涂层31的下部上。背涂层32可以形成为从基板10的背表面进一步延伸到侧涂层31。

在根据实施方式的显示装置中，可以通过将背涂层32形成为覆盖直到侧涂层31来提高背涂层32的接合强度。背涂层32可以仅形成在基板10的背表面上以保护基板10。然而，由有机材料制成的背涂层32与基板10的接合强度相对较低，因此可能由于外部环境或冲击而从基板10剥离。因此，通过允许背涂层32在基板10的外围处与由有机材料制成的侧涂层31接触，可以提高背涂层32的接合强度。因此，可以防止背涂层32从基板10剥离。

根据实施方式，透光区域TA的侧表面可以垂直地形成。也就是说，形成透光区域TA的侧表面的背涂层32的侧表面、侧涂层31的侧表面、第一蚀刻停止图案ES1的侧表面以及偏光板19的侧表面可以被激光切割并形成为具有同一垂直平面。

多个突出图案ST可以各自具有依序层叠的第一图案层MP11、第二图案层MP12和第三图案层MP13。第一图案层MP11和第三图案层MP13可以由钛(Ti)制成，并且第二图案层MP12可以由铝(Al)制成。

根据实施方式的突出图案ST可以由与显示区域中的源极电极121和漏极电极124或者连接电极145相同的材料制成。也就是说，多个突出图案ST可以在形成连接电极145时同时形成，然后可以被蚀刻分离成多个突出图案ST。此时，由于蚀刻反应速度的差异，由铝材料制成的第二图案层MP12可能被相对更多地蚀刻。因此，第二图案层MP12的宽度可以小于第三图案层MP13的宽度，从而具有底切形状。因此，形成在多个突出图案ST上的发光层叠件152可以不连续地形成并且可以在多个突出图案ST之间断开。因此，可以阻挡湿气渗透路径。

图10是例示形成透光区域之前的显示面板的图。图11A至图11F是例示根据第一实施方式的蚀刻基板以在显示装置中形成透光区域的处理的图。

参照图10和图11A，可以在基板10的部分区域的下部上形成掩模图案MP1，并且可以暴露将从其去除基板10的蚀刻区域EA。第一蚀刻图案EP1可以形成在蚀刻区域EA上。第一蚀刻停止层ES11可以设置为围绕第一蚀刻图案EP1。第二蚀刻停止层ES12可以设置在第一蚀刻图案EP1和第一蚀刻停止层ES11上。

第一蚀刻图案EP1可以包括通过蚀刻溶液相对良好地蚀刻的无机材料，并且第一蚀刻停止层ES11和第二蚀刻停止层ES12可以包括不被蚀刻溶液良好蚀刻的材料。作为示例，第一蚀刻停止层ES11可以包括诸如a-Si或p-Si的无机材料，或诸如钼(Mo)的金属。第二蚀刻停止层ES12可以包括有机材料。

作为示例，第一蚀刻图案EP1可以包括在显示区域中的有源缓冲层、栅极电极、多缓冲层、源极电极/漏极电极等。第一蚀刻停止层ES11可以包括在显示区域中的第一光阻挡层和第二光阻挡层。

当执行蚀刻处理时，可以从其下部蚀刻基板10的蚀刻区域EA。蚀刻溶液ET可以是氢氟酸溶液，但是本公开不一定限于此。第一开口11可以形成为锥形形状，其直径朝向基板10的蚀刻区域EA的上部变小。当蚀刻基板10的蚀刻区域EA时，可以暴露第一蚀刻图案EP1。

参照图11B，当通过蚀刻溶液蚀刻第一蚀刻图案EP1时，可以逐渐暴露基板10的与第一开口11相邻的上表面10a。当蚀刻处理进一步进行时，也可以逐渐蚀刻在第一开口11的侧表面处形成的边缘GE1。

参照图11C和图11D，随着蚀刻处理进一步进行，可以基本上去除设置在基板10的上表面处的边缘GE1。随着蚀刻处理的继续，形成在第一开口11中的边缘GE1被逐渐蚀刻，并且可以减轻锐度。当锐度被减轻时，第一开口11的整个侧表面可以具有平缓的曲率。

这里，即使在蚀刻时间增加时，由于第一蚀刻停止层ES11和第二蚀刻停止层ES12，蚀刻溶液也不会穿透到面板中。因此，可以通过调整蚀刻时间来自由调整第一开口11的侧表面的形状。

根据本实施方式，在形成第一开口的结构中，可以通过调整基板10的蚀刻时间来自由调整基板10的第一开口内的边缘的锐度。

参照图11E，可以在基板10的第一开口11中填充侧涂层31。此后，当侧涂层31固化时，侧涂层31收缩预定高度，使得可以在侧涂层31的下表面31a上形成曲率。

此后，背涂层32可以完全形成在基板10的下表面和侧涂层31的下表面上。然而，本公开不一定限于此，并且背涂层32可以仅形成在基板10的下表面上。

参照图11F，可以通过向基板10的第一开口11照射激光来形成透光区域TA。在这种情况下，可以通过激光去除设置在基板10的上部上的突出图案和第一蚀刻停止图案ES1。本实施方式提高了突出图案与无机绝缘层的接触面积，从而可以改善无机绝缘层在激光照射时玻璃的现象。

图12A至图12F是例示根据第二实施方式的蚀刻基板以在显示装置中形成透光区域的处理的图。

参照图12A，可以在基板10的部分区域的下部上形成掩模图案MP1，并且可以暴露将从其去除基板10的蚀刻区域EA。第二蚀刻图案EP2可以形成在蚀刻区域EA的上部上。第一蚀刻停止层ES11可以设置为围绕第二蚀刻图案EP2。第二蚀刻停止层ES12可以设置在第二蚀刻图案EP2和第一蚀刻停止层ES11上。

这里，第二蚀刻图案EP2可以包括延伸部EP21，延伸部EP21在第一蚀刻停止层ES11上延伸。由于在形成虚设层时在第一蚀刻停止层ES11和第二蚀刻图案EP2之间不应当存在公差，因此可以在考虑公差的情况下以部分覆盖第一蚀刻停止层ES11的方式形成第二蚀刻图案EP1。

第二蚀刻图案EP2可以包括通过蚀刻溶液相对良好地蚀刻的无机材料，并且第一蚀刻停止层ES11和第二蚀刻停止层ES12可以包括不被蚀刻溶液良好蚀刻的材料。作为示例，第一蚀刻停止层ES11可以包括诸如a-Si或p-Si的无机材料，或诸如钼(Mo)的金属。第二蚀刻停止层ES12可以包括有机材料。

当执行蚀刻处理时，可以从其下部蚀刻基板10的蚀刻区域EA。蚀刻溶液可以是氢氟酸溶液，但是本公开不一定限于此。第一开口11可以形成为锥形形状，其直径朝向基板10的蚀刻区域EA的上部变小。

参照图12B，当蚀刻基板10的蚀刻区域EA时，可以暴露第二蚀刻图案EP2。当蚀刻第二蚀刻图案EP2时，可以逐渐暴露基板10的与第一开口11相邻的上表面。因此，随着蚀刻Ulike的进行，也可以在蚀刻第二蚀刻图案EP2的同时蚀刻设置在基板10的上表面处的边缘GE1。

这里，可以通过被蚀刻直到第二蚀刻图案EP2的延伸部分E21来暴露第一蚀刻停止层ES11的上表面。另外，可以去除延伸部分E21以在第一蚀刻停止层ES11和第二蚀刻停止层ES12之间形成第一凹槽H1。

参照图12C，蚀刻处理可以进行以使得可以蚀刻设置在基板10的上表面处的第二蚀刻图案EP2的边缘GE1。另外，随着蚀刻处理继续，可以减轻第一开口11的边缘GE1的锐度。

参照图12D，基板10的第一开口11的侧表面可以被蚀刻为具有与第一蚀刻停止层ES11基本相同的垂直平面。然而，本公开不一定限于此，并且第一开口11的侧表面可以通过调整蚀刻时间而具有各种形状。

参照图12E，可以在基板10的第一开口11中填充侧涂层31。此后，当侧涂层31固化时，侧涂层31收缩预定高度，使得可以在侧涂层31的下表面上形成曲率。此时，侧涂层31可以包括均匀填充在第一凹槽H1中的延伸图案31c。

参照图12F，可以通过向基板10的第一开口11照射激光来形成透光区域TA。在这种情况下，可以通过激光去除设置在基板10的上部上的第一蚀刻停止图案ES1。

如图12F所示，第一蚀刻停止层ES11具有侧表面(即，第六侧表面SXSS)和顶表面TS。凹槽H1在第一蚀刻停止层ES11和第二蚀刻停止层ES12之间的位置延伸到第二蚀刻停止层ES12中。侧涂层31填充在凹槽H1中。这里，侧涂层31位于第一蚀刻停止层ES11的顶表面TS和侧表面(即，第六侧表面SXSS)上并与其直接接触。

图13是例示根据本公开的第三实施方式的显示装置的图。图14A至图14F是例示根据第三实施方式的蚀刻基板以在显示装置中形成透光区域的处理的图。

参照图13，通过使用从显示区域延伸的多个层，可以在第一非显示区域NDA1中形成坝部DAM和多个突出图案ST。坝部DAM和突出图案ST的数量没有特别限制。

坝部DAM和突出图案ST可以各自以围绕透光区域TA的闭环形状设置。通过这种配置，可以防止水分通过透光区域TA渗透到显示区域。

第一蚀刻停止图案ES1可以设置为围绕透光区域TA。第一蚀刻停止图案ES1可以包括设置在基板10上的第一蚀刻停止层ES11和设置在第一蚀刻停止层ES11上并且朝向透光区域TA比第一蚀刻停止层ES11突出的第二蚀刻停止层ES12。

第一蚀刻停止层ES11可以包括诸如a-Si或p-Si的无机材料或诸如钼的金属。第二蚀刻停止层ES12可以包括诸如聚酰亚胺的有机材料。因此，作为有机材料的第二蚀刻停止层ES12对诸如氢氟酸的蚀刻溶液的耐化学性可以更大。也就是说，与第一蚀刻停止层ES11相比，蚀刻溶液可以更少地蚀刻第二蚀刻停止层ES12。

然而，本公开不一定限于此，并且第一蚀刻停止层ES11可以包括有机材料，并且第二蚀刻停止层ES12可以包括诸如a-Si或p-Si的无机材料或诸如钼的金属。也就是说，与第二蚀刻停止层ES12相比，蚀刻溶液可以更少地蚀刻第一蚀刻停止层ES11。

参照图14A，可以以暴露蚀刻区域EA的形式在基板10的下部上形成掩模图案MP1。第一蚀刻停止层ES11和第二蚀刻停止层ES12可以设置在基板10上。第一蚀刻停止层ES11可以具有在与蚀刻区域EA相对应的区域中形成的孔H2。第二蚀刻停止层ES12可以包括填充在第一蚀刻停止层ES11的孔H2中的插入部ES12a。

参照图14B，当蚀刻基板10的蚀刻区域EA时，第二蚀刻停止层ES12的插入部ES12a可以暴露于蚀刻溶液。第二蚀刻停止层ES12对蚀刻溶液具有强的耐化学性，但是对基板10具有相对弱的粘接力。因此，随着蚀刻进行，可能弱化对基板10的粘接力，导致第二蚀刻停止层ES12的插入部ES12a与基板10分离。由于第二蚀刻停止层ES12的分离，蚀刻溶液可以蚀刻暴露的基板10的上表面。

参照图14C，随着蚀刻时间经过，第二蚀刻停止层ES12可以与基板10逐渐间隔开。尽管第二蚀刻停止层ES12可以具有相对较强的耐化学性，但是第二蚀刻停止层ES12的一部分可能根据蚀刻条件在物理上分离。作为示例，当蚀刻溶液的流速或液压增大或第二蚀刻停止层ES12的厚度较小时，第二蚀刻停止层ES12可以被撕离(torn off)并去除。另外，根据有机材料的类型，随着蚀刻时间的增加，第二蚀刻停止层ES12可以逐渐溶解在蚀刻溶液中。

可以形成在插入部ES12a的下表面上曲率。随着蚀刻时间增加，第二蚀刻停止层ES12与基板10间隔开，使得基板10的上表面可以暴露于蚀刻溶液并被蚀刻。因此，可以减轻基板10的第一开口11的边缘GE1的锐度。

参照图14D，随着蚀刻进一步进行，可以暴露第一蚀刻停止层ES11。第一蚀刻停止层ES11的耐化学性小于第二蚀刻停止层ES12，但是可以在短时间内暴露于蚀刻溶液，使得蚀刻量相对较小。

在图中，第一蚀刻停止层ES11的侧表面和基板10的第一开口11的侧表面11a被示出为形成垂直平面，但是本公开不一定限于此，并且基板10的边缘GE1可以进一步突出。此外，基板10的边缘GE1可为非平面表面。

参照图14E，可以在基板10的第一开口11中填充侧涂层31。此后，当侧涂层31固化时，侧涂层31收缩预定高度，使得可以在侧涂层31的下表面31a上形成曲率。

参照图14F，可以通过向基板10的第一开口11照射激光来形成透光区域TA。在这种情况下，可以通过激光去除第一蚀刻停止图案ES1和设置在基板10的上部上的突出图案。

图15是例示根据本公开的第四实施方式的显示装置的图。

参照图15，无机绝缘层102可以设置在基板10上，并且多个第三蚀刻图案EP3可以设置在基板10上。多个第三蚀刻图案EP3可以设置为彼此间隔开，并且可以包括通过蚀刻溶液良好蚀刻的无机材料。

第一蚀刻停止图案ES1可以设置在多个第三蚀刻图案EP3上。第一蚀刻停止图案ES1可以包括具有对蚀刻溶液的强耐化学性的有机材料或金属材料。

可以在多个第一蚀刻停止图案ES1的下表面的部分区域中形成第三凹槽H3，并且可以在第三凹槽H3中填充侧涂层31。基板10的第一开口11的侧表面11a可以具有锥形形状或圆形形状。

图16是例示形成透光区域之前的显示面板的图。图17A至图17F是例示据第四实施方式的蚀刻基板以在显示装置中形成透光区域的处理的图。图18A至图18C是例示各种形式的蚀刻图案的图。

参照图16和图17A，可以在基板10的下表面上形成掩模图案MP1以暴露将从其蚀刻基板10的区域的下部。无机绝缘层102可以设置在基板10的上表面上，并且多个第三蚀刻图案EP3可以设置在无机绝缘层102上。

多个第三蚀刻图案EP3可以各自包括金属图案EP31和覆盖金属图案EP31的无机图案EP32。无机图案EP32的宽度可以大于金属图案EP31的宽度。

参照图17B，当基板10的下部暴露于蚀刻溶液时，蚀刻未形成掩模图案MP1的区域。当蚀刻区域的基板10被去除以形成第一开口时，设置在其上的无机绝缘层102也可以被蚀刻。因此，设置在无机绝缘层102上的第三蚀刻图案EP3的下表面可以暴露于蚀刻溶液。

第三蚀刻图案EP3的金属图案EP31对蚀刻溶液具有相对较强的耐化学性，并且不立即被蚀刻，但是第三蚀刻图案EP3的无机图案EP32可以被蚀刻溶液相对快速地蚀刻。

参照图17C，当第三蚀刻图案EP3的无机图案EP32被蚀刻时，第三蚀刻图案EP3可以与第一蚀刻停止图案ES1分离。因此，可以在第一蚀刻停止图案ES1的下表面上形成多个第三凹槽H3。当第三蚀刻图案EP3与第一蚀刻停止图案ES1分离时，可以暴露基板10的上表面。

参照图17D，当蚀刻溶液蚀刻基板10的上表面时，基板10的边缘GE1可以逐渐变得平缓。随着蚀刻时间的增加，可以逐渐蚀刻基板10的第一开口11的侧表面。

参照图17E，可以在基板10的第一开口11中填充侧涂层31。在这种情况下，侧涂层31可以填充在形成在第一蚀刻停止图案ES1的下表面上的多个第三凹槽H3中。

参照图17F，可以通过向基板10的第一开口11照射激光来形成透光区域TA。在这种情况下，可以通过激光去除设置在基板10的上部上的第一蚀刻停止图案ES1。

参照图18A，第三蚀刻图案EP3可以包括依次层叠的第一金属图案EP31、第一无机图案EP32、第二金属图案EP33和第二无机图案EP34。当形成显示区域中的金属层和无机绝缘层时，这些图案可以形成为虚设层。

然而，本公开不一定限于此，并且第三蚀刻图案EP3的形状可以不同地修改。作为示例，如图18B所示，可以在第三蚀刻图案EP3中仅形成金属图案EP31和无机图案EP32，或者如图18C所示，可以在第三蚀刻图案EP3中仅形成金属图案EP31。另选地，可以仅形成无机图案EP32。也就是说，可以无限制地应用任何结构，只要其通过蚀刻溶液与基板10分离以暴露基板10的上表面即可。

由于在要解决的问题、问题解决手段和效果中描述的本公开内容的内容不指定权利要求的必要特征，因此权利要求的范围不限于本公开内容中描述的问题。

根据该实施方式，在工艺优化中存在优势在于允许在切割母基板时在面板中同时形成各种形状的孔。

另外，可以减轻玻璃基板的边缘的锐度，使得可以提高刚性。

另外，可以通过处理玻璃基板的边缘来促进后处理和组件组装。

本公开的效果将不限于上述效果，并且本领域技术人员将从所附权利要求中清楚地理解其它未提及的效果。

尽管上面已经参照附图详细描述了本公开的实施方式，但是本公开不一定限于这些实施方式，并且可以在不背离本公开的技术思想的情况下做出各种变更和修改。因此，本文公开的实施方式应被认为对本公开的技术思想是描述性的而不是限制性的，并且本公开的技术思想的范围不受这些实施方式限制。因此，上述实施方式应当被理解为是示例性的而不在任何方面进行限制。

上述各种实施方式可以组合以提供进一步的实施方式。本说明书中引用的和/或申请数据表中列出的(包括但不限于相关申请的交叉引用中列出的)所有美国专利、美国专利申请公开、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利出版物通过引用以全部内容并入本文。如果需要采用各种专利、申请和出版物的概念来提供更进一步的实施方式，则可以修改实施方式的各方面。

鉴于上述详细描述，可以对实施方式做出这些和其它改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制于说明书和权利要求中公开的具体实施方式，而应被解释为包括所有可能的实施方式以及此类权利要求所享有的等同物的完整范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基板，所述基板包括显示区域、透光区域以及与所述透光区域相邻的非显示区域；

电路部和发光元件部，所述电路部和所述发光元件部设置在所述显示区域中；以及

蚀刻停止图案，所述蚀刻停止图案设置在所述非显示区域中，

其中，所述基板包括设置在与所述透光区域相对应的位置处的第一开口，

其中，所述蚀刻停止图案包括与所述第一开口相邻的第一蚀刻停止层和设置在所述第一蚀刻停止层上的第二蚀刻停止层，并且

其中，所述第二蚀刻停止层包括与所述第一蚀刻停止层相比进一步朝向所述透光区域延伸的突出部。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层由不同的材料制成。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一蚀刻停止层比所述第二蚀刻停止层更薄。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一开口的侧表面与所述第一蚀刻停止层相比进一步朝向所述透光区域突出。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一开口包括：

第一开口区域，所述第一开口区域的直径朝向所述蚀刻停止图案减小；

第二开口区域，所述第二开口区域的直径朝向所述蚀刻停止图案增大；以及

第三开口区域，所述第三开口区域设置在所述第一开口区域与所述第二开口区域之间，

其中，所述第二开口区域的所述直径小于所述第一开口区域的所述直径，并且

其中，所述第三开口区域的最大直径小于所述第二开口区域的最大直径。

6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层之间的第三蚀刻停止层，

其中，所述第三蚀刻停止层与所述第一蚀刻停止层相比具有对蚀刻溶液的更大的耐化学性。

7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述蚀刻停止图案上的多个突出图案。

8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：

多个第一突出图案，所述多个第一突出图案设置在所述显示区域和所述蚀刻停止图案之间；以及

多个第二突出图案，所述多个第二突出图案设置在所述蚀刻停止图案上。

9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一开口内的侧涂层，

其中，所述第二蚀刻停止层和所述侧涂层包括形成在与所述透光区域相对应的区域内的开口孔，

其中，所述第二蚀刻停止层包括形成在与所述第一蚀刻停止层的端部交叠的区域中的第一凹槽，并且

其中，所述侧涂层位于所述第一凹槽内。

10.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述基板的下部和所述侧涂层的下部上的背涂层，

其中，所述侧涂层的所述下部具有朝向所述蚀刻停止图案凹入地形成的曲率表面。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述突出部的下表面具有曲率。

12.一种显示装置，所述显示装置包括：

电路部和发光元件部，所述电路部和所述发光元件部设置在所述显示区域中；

其中，所述基板包括设置有所述蚀刻停止图案的一个表面和与所述一个表面相对的另一表面，

其中，所述第一开口包括连接到所述基板的下表面并且直径朝向所述蚀刻停止图案减小的第一开口区域和连接到所述基板的上表面的第二开口区域，并且

其中，所述第一开口区域的最大直径大于所述第二开口区域的最大直径。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述基板的侧表面具有与所述第一开口相同的倾斜度。

14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止图案包括围绕所述第一开口的第一蚀刻停止层和设置在所述第一蚀刻停止层上的第二蚀刻停止层，并且

其中，所述第二蚀刻停止层包括与所述第一蚀刻停止层相比朝向透光区域进一步延伸的突出部。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一蚀刻停止层比所述第二蚀刻停止层更薄，并且

其中，所述第一开口的侧表面与所述第一蚀刻停止层相比朝向所述透光区域进一步突出。

16.一种显示装置，所述显示装置包括：

基板，所述基板具有开口，所述基板上具有显示区域、透光区域和非显示区域，从平面图上看，所述基板的所述开口与所述透光区域交叠；

第一蚀刻停止层，所述第一蚀刻停止层位于所述基板上，所述第一蚀刻停止层与所述开口相邻；以及

第二蚀刻停止层，所述第二蚀刻停止层位于所述第一蚀刻停止层上，所述第二蚀刻停止层具有第一突出部，

其中，从平面图上看，所述第二蚀刻停止层的所述第一突出部不与所述第一蚀刻停止层交叠。

17.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第三蚀刻停止层，所述第三蚀刻停止层位于所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层之间，所述第三蚀刻停止层包括第二突出部，

其中，从平面图上看，所述第三蚀刻停止层的所述第二突出部与所述第一蚀刻停止层不交叠，并且

其中，所述第二蚀刻停止层的所述第一突出部与所述第三蚀刻停止层的所述第二突出部相比朝向所述开口进一步延伸。

18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述基板的所述开口限定所述基板的一个或更多个侧表面，

其中，所述一个或更多个侧表面包括在所述开口的第一侧处的第一侧表面和与所述第一侧表面相邻的第二侧表面，

其中，所述一个或更多个侧表面包括在所述开口的第二侧处的第三侧表面和与所述第三侧表面相邻的第四侧表面，所述开口的所述第二侧与所述开口的所述第一侧相对且面向所述开口的所述第一侧，

其中，所述第一侧表面与所述第三侧表面相对且面向所述第三侧表面，

其中，所述第二侧表面与所述第四侧表面相对且面向所述第四侧表面，

其中，所述开口的第一直径由所述第一侧表面与所述第三侧表面之间的距离限定，

其中，第二直径由所述第二侧表面与所述第四侧表面之间的距离限定，并且

其中，所述第一直径和所述第二直径彼此不同。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一蚀刻停止层包括第五侧表面和与所述第五侧表面相对且面向所述第五侧表面的第六侧表面，所述第一蚀刻停止层的所述第六侧表面位于所述基板的所述开口的所述第二侧上，

其中，第三直径由所述第一蚀刻停止层的所述第五侧表面与所述第六侧表面之间的距离限定，并且

其中，所述第三直径与所述第一直径和所述第二直径不同。

20.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括：

凹槽，所述凹槽位于所述第一蚀刻停止层与所述第二蚀刻停止层之间；以及

涂层，所述涂层与所述基板、所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层相邻，

其中，所述凹槽延伸到所述第二蚀刻停止层中，

其中，从平面图上看，所述凹槽至少部分地与所述基板交叠，

其中，所述涂层包括侧涂层，并且

其中，所述侧涂层延伸到所述凹槽中。

21.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述基板包括玻璃基板。