CN110578117B - 基板旋转装置、基板旋转方法及电子装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板旋转装置、基板旋转方法及电子装置的制造方法,基板旋转装置包括:固定机构,用于将被搬入到基板旋转装置内的基板固定;旋转机构,与所述固定机构连结,通过使所述固定机构旋转而使所述基板旋转;以及支承机构,从重力方向下方支承所述基板,所述支承机构与所述旋转机构连结,在所述旋转机构旋转时与所述固定机构一起旋转。

Description

基板旋转装置、基板旋转方法及电子装置的制造方法
技术领域
本发明涉及基板旋转装置、基板旋转方法以及电子器件的制造方法。
背景技术
最近,作为平板显示器,有机电场发光显示器受到关注。有机电场发光显示器作为自发光显示器,响应速度、视场角、薄型化等特性优于液晶面板显示器,利用监视器、电视机、智能手机所代表的各种便携终端等迅速地代替现有的液晶面板显示器。另外,其应用领域也扩大至汽车用显示器等。
有机电场发光显示器元件具有在两个彼此相向的电极(阴极电极、阳极电极)之间形成有引起发光的有机物层的基本构造。有机物层至少包含发光层,除了发光层以外,还能够包含电子输送层、电子注入层、空穴输送层、空穴注入层等。有机电场发光显示器的有机物层和电极金属层是通过在真空腔室内隔着形成有所希望的像素图案的掩模使蒸镀物质蒸镀到基板上而制造的。
另一方面,在进行这样的蒸镀工序之前或之后,根据需要,有时以改变基板的上表面和下表面的位置的方式使基板旋转。例如,在用于形成有机电场发光元件的有机物层的真空蒸镀工序中,通常使用使基板的成膜面朝向下方地向上进行成膜的、所谓的向上成膜(depo-up)方式,但在该蒸镀工序的前工序中,在使用使基板的成膜面朝向上方地形成膜的、所谓的向下成膜(depo-down)方式的情况下,有时在进入蒸镀工序之前使基板的成膜面上下翻转。
作为这样的现有的基板翻转装置,专利文献1公开了包括在基板的搬入搬出时升降移动,接受并支承基板的基板升降机构、把持并固定基板的两端的基板升降机构、和使基板保持机构旋转的旋转机构而构成的基板翻转装置。
但是,上述现有例的装置与基板旋转机构分体地设有通过多个支承销接受支承基板的升降机构,为了在使基板翻转的旋转动作时避免干涉,不得不使支承销移动到旋转机构的旋转半径的外侧,因此存在装置大型化的问题。
专利文献1:日本特开2010-168653号公报
发明内容
[发明所要解决的课题]
鉴于以上课题,本发明的目的在于提供一种能够使装置的构造小型化的基板旋转装置和使用该基板旋转装置的基板旋转方法。
[用于解决课题的技术方案]
本发明的一技术方案的基板旋转装置,其特征在于,该基板旋转装置包括:固定机构,用于将被搬入到所述基板旋转装置内的基板固定;旋转机构,与所述固定机构连结,通过使所述固定机构旋转而使所述基板旋转;以及支承机构,从重力方向下方支承所述基板,所述支承机构与所述旋转机构连结,在所述旋转机构旋转时与所述固定机构一起旋转。
本发明的另一技术方案的基板旋转装置,其特征在于,该基板旋转装置还包括其他支承机构,该其他支承机构相对于所述固定机构被配置在所述支承机构的相反侧,接受并支承被搬入到所述基板旋转装置内的基板,所述其他支承机构与所述旋转机构连结,在所述旋转机构旋转时与所述固定机构一起旋转。
本发明的另一技术方案的基板旋转装置,其特征在于,该基板旋转装置还包括分别使所述支承机构和所述其他支承机构沿所述固定机构方向升降的升降机构。
本发明的另一技术方案的基板旋转装置,其特征在于,该基板旋转装置还包括机构收容部,该机构收容部紧固固定于所述旋转机构,且与所述固定机构相邻地配置在所述固定机构的重力方向上侧或下侧,所述支承机构和所述其他支承机构通过各自的所述升降机构和收容于所述机构收容部内并驱动各自的所述升降机构的各自的驱动部而与所述旋转机构连结。
本发明的另一技术方案的基板旋转装置,其特征在于,该基板旋转装置还包括位置调整机构,该位置调整机构在利用所述固定机构固定基板之前,对所述基板相对于所述固定机构的位置进行调整。
本发明的另一技术方案的基板旋转装置,其特征在于,所述位置调整机构包括:基板接触部,被配置成一端部与载置在所述固定机构上的所述基板的侧面相向,通过向所述基板的侧面方向的前后移动,能够与所述基板接触;以及基板位置调整用驱动部,与所述基板接触部的另一端部连结,驱动所述基板接触部以使该基板接触部能够进行所述前后移动。
本发明的另一技术方案的基板旋转方法,是使用基板旋转装置使基板旋转的方法,其特征在于,该基板旋转方法包括以下的阶段:由固定机构固定被搬入到所述基板旋转装置内的基板的阶段;通过利用与所述固定机构连结的旋转机构使所述固定机构旋转,使所述基板旋转的阶段;以及利用支承机构从重力方向下方支承所述基板的阶段,所述支承机构与所述旋转机构连结,在所述旋转机构旋转时与所述固定机构一起旋转。
本发明的另一技术方案的基板旋转方法,其特征在于,在由所述固定机构固定被搬入的所述基板的阶段之前,还包括以下的阶段:利用相对于所述固定机构被配置在所述支承机构的相反侧的其他支承机构,接受并支承被搬入到所述基板旋转装置内的基板的阶段;以及使所述其他支承机构接近所述固定机构,将被搬入的所述基板从所述其他支承机构交接到所述固定机构上的阶段,所述其他支承机构与所述旋转机构连结,在所述旋转机构旋转时与所述固定机构一起旋转。
本发明的另一技术方案的电子器件的制造方法,其特征在于,该电子器件的制造方法包括以下的阶段:对基板的第1面进行处理的第1处理阶段;将在所述第1处理阶段中处理过的所述基板搬入到基板旋转装置内的阶段;由固定机构固定被搬入到所述基板旋转装置内的基板的阶段;通过利用与所述固定机构连结的旋转机构使所述固定机构旋转,使所述基板旋转来变更所述第1面的朝向的阶段;利用支承机构从重力方向下方支承所述基板的阶段;将所述基板从所述基板旋转装置搬出的阶段;以及对所述第1面的朝向被变更了的所述基板的所述第1面进行处理的第2处理阶段,所述支承机构与所述旋转机构连结,在所述旋转机构旋转时与所述固定机构一起旋转。
[发明效果]
根据本发明的基板旋转装置,能够使装置小型化。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的基板旋转装置的结构的图。
图2是示意地表示大气箱与第1销板连结的状态的图。
图3及图4是说明使用本发明的第1实施方式的基板旋转装置的基板旋转方法的图。
图5是从旋转鼓侧观察基板被搬入到装置的内部的状态的侧视图。
图6和图7是用于说明基板位置调整机构的结构的图。
图8是表示本发明的第2实施方式的基板旋转装置的结构的图。
图9是说明使用本发明的第2实施方式的基板旋转装置的基板旋转方法的图。
图10是表示本发明的第3实施方式的基板旋转装置的结构的图。
图11和图12是说明使用本发明的第3实施方式的基板旋转装置的基板旋转方法的图。
图11及图12是说明使用本发明的第3实施方式的基板旋转装置的基板旋转方法的图。
图13是通过具有本发明的基板旋转装置的成膜装置制造的有机EL装置的概略图。
附图标记说明
1:基板旋转装置;2:旋转鼓;3:连接棒;4a、4b:开口部;5:齿轮;6:驱动齿轮;7:鼓驱动轴;8:驱动马达;9:鼓引导件;10:静电吸盘;11:大气箱;12:第1销板;112:第2销板;14:第1旋转轴;15:第2旋转轴;16、17、18:锥齿轮;19:小齿轮;20:齿条;21a、21b:机器人手;22:基板接触部;23:轴;24:缸体部;P:支承销;X1~X8、Y1~Y4:位置调整机构。
具体实施方式
以下,参照附图详细说明本发明的实施例。本发明能够进行多种变更,能够具有多种实施例。基于附图例示说明特定的实施例,但本发明并不限定于该特定的实施例,应理解为包含本发明的思想及技术范围所包含的所有变更、等同物乃至替代物。
[第1实施方式]
图1是表示本发明的第1实施方式的基板旋转装置的结构的图。
本实施方式将本发明应用于以下的基板旋转装置,该基板旋转装置用于在将在前工序中以向下成膜(depo-down)方式进行了处理的基板搬入到以向上成膜(depo-up)方式进行真空蒸镀的成膜室内之前使基板的成膜面上下翻转。
即,构成为:在对从装置的外部以水平状态搬入的基板进行支承固定后,以水平轴为中心旋转,使基板的上下表面翻转并搬出。
以下,对各部分进行具体地说明。
基板旋转装置1大致包括在从装置的外部搬入基板或者向装置的外部搬出基板时接受支承基板的支承机构、在装置的内部固定基板的固定机构、和使固定的基板旋转的旋转机构。
首先,作为旋转机构,在维持为真空状态的真空槽(省略图示)的内部的两侧,沿着基板S的搬入搬出方向,通过连结棒3连结并对向设有圆盘状的一对旋转鼓2。在各旋转鼓2的大致中心位置形成有成为基板S的搬入搬出的通路的长方形的开口部4a、4b。另外,在未图示的真空槽的壁上,与旋转鼓2的开口部4a、4b对应的形状的开口也形成在所对应的位置。
另外,在本说明书中,所谓“连结”,不仅包括第1构件与第2构件直接连结的情况,还包括第1构件与第2构件经由接合构件间接连结的情况。另外,在本说明书中,所谓“结合”,不仅包括第1构件与第2构件直接结合的情况,还包括第1构件与第2构件经由接合构件间接地结合的情况。
在各旋转鼓2的外周部形成有作为用于接受旋转动力的动力传递部件的齿轮5,在装置的下侧,与各旋转鼓2的齿轮5啮合的一对驱动齿轮6设置在鼓驱动轴7上,与驱动马达8连结。因此,在未图示的控制部的控制下,利用驱动马达8使一对旋转鼓2一体地旋转。
在附图中,附图标记9是当旋转鼓2旋转时引导旋转的鼓引导件。
这样,在本实施方式的基板旋转装置1中,利用驱动马达8,使旋转鼓2经由与设置于旋转鼓2的齿轮5啮合的驱动齿轮6而旋转。驱动马达8配置于真空槽的外部,驱动马达8的驱动轴与鼓驱动轴7经由挠性联轴节(未图示)而结合。已知若降低真空槽的内部的压力,则根据构成真空槽的容器的刚性不同,会使真空槽产生形变,但在如现有技术那样旋转鼓的旋转主轴与真空槽连接的情况下,旋转鼓会显著受到上述的真空槽的形变的影响。另一方面,在本实施方式的情况下,由于是上述的结构,因此具有与以往相比能够抑制真空槽的形变的影响的优点。
在相对的一对旋转鼓2之间,在比开口部4a、4b稍靠下的位置,配置有用于载置搬入的基板S并进行位置固定的作为基板固定部件的静电吸盘10。静电吸盘10是通过控制施加的电压而利用静电力吸附固定基板的单元。在静电吸盘10的下部配置有形成与装置1的真空区域分隔开的大气区域的大气箱11,静电吸盘10紧固于大气箱11,与大气箱11一起紧固固定于两侧的一对旋转鼓2的内表面。另外,静电吸盘10也可以在多个静电吸盘排列的状态下紧固于大气箱11。例如,也可以在矩形状的静电吸盘被阵列配置的状态下,紧固于大气箱11。
在大气箱11内设有用于使作为后述的基板支承机构的第1销板12升降驱动的各种驱动部件。关于大气箱11内的驱动部件以及基于该驱动部件的第1销板12的升降动作将在后面叙述。
在相向的一对旋转鼓2之间,更具体而言,在隔着搬入的基板S而与静电吸盘10相向的位置,设置有作为基板支承机构的板状的第1销板12。在此,第1销板12被配置在静电吸盘10的铅垂方向上侧。第1销板12是用于在将基板S搬出到装置1的外部时接受并支承基板S的部件。在第1销板12的与静电吸盘10相对的面上设有多个支承销P。多个支承销P沿第1销板12的外周缘具有间隔地配置在下方。
如上所述,第1销板12构成为,在与大气箱11连结的状态下,能够通过配置在大气箱11内的驱动部件而相对于静电吸盘10方向垂直升降。
参照图2,对大气箱11内的驱动部件及通过该驱动部件的第1销板12的升降动作进行详细说明。
图2是示意地表示大气箱11与第1销板12连结的状态的图,为了便于说明,简化或省略了用于驱动大气箱11上表面的静电吸盘10、旋转鼓2的上述驱动部件等的图示。
如图所示,在大气箱11内设置有驱动伺服马达13、第1旋转轴14、一对第2旋转轴15和多个锥齿轮16、17、18。
第1旋转轴14在大气箱11内部的大致中央位置沿与基板S的搬入搬出方向平行的方向(X方向)配置,第2旋转轴15在第1旋转轴14的两端的位置沿与第1旋转轴正交的方向(Y方向)相向地配置有一对第2旋转轴15。在第1旋转轴14的两端的位置,第1旋转轴14和一对第2旋转轴15分别通过在交叉轴之间传递动力的一对锥齿轮17、18连结。配置于第1旋转轴14的一侧的驱动伺服马达13与第1旋转轴14之间也通过锥齿轮16连结。
各第2旋转轴15的两端露出到大气箱11的外部,在露出的两端设置有小齿轮19。在与小齿轮19的设置位置对应的第1销板12的四角部,朝向大气箱11侧固定设置有齿条20,与小齿轮19齿轮结合。
因此,若大气箱11内的驱动伺服马达13在未图示的控制部的控制下旋转,则通过锥齿轮16、17、18的结合向第1旋转轴14以及第2旋转轴15传递旋转力,该旋转力通过第2旋转轴15的两端的小齿轮19与齿条20之间的齿轮结合,被转换为能够直线移动的动力,对与齿条20连结的第1销板12进行升降驱动。
这样,本发明构成为,通过齿条20/小齿轮19的结合将作为接受并支承基板S的支承机构的第1销板12连结于大气箱11,作为固定基板的固定机构的静电吸盘10及大气箱11通过紧固固定于两侧的旋转鼓2,基板支承机构(第1销板12)及固定机构(静电吸盘10)能够与旋转机构(旋转鼓2)一体地旋转。
因此,在为了基板S的翻转而使其旋转时,不需要使基板支承机构退避至旋转机构的旋转半径外侧,能够实现装置的小型化。
用于使本实施方式中的第1销板12升降的驱动部件的上述配置构造是例示性的,本发明并不限定于此。例如,也可以不必在四个部位设置使第1销板12与大气箱11连结的齿条/小齿轮的结合,通过在大气箱11内的X方向的大致中央位置设置沿Y方向延长的一个旋转轴,且在该旋转轴的两端设置小齿轮,使第1销板12与大气箱11通过在相向的边的中央位置(两个部位)的齿条/小齿轮结合而连结。
以下,参照图1、图3、图4,说明利用了本实施方式的基板旋转装置的基板旋转方法。
在图3和图4中,为了容易理解,示出了作为基板支承机构的第1销板12、作为基板固定部件的静电吸盘10、作为旋转机构的旋转鼓2的大致的配置,省略了上述第1销板12及静电吸盘10经由大气箱11向旋转鼓2的紧固的状态、驱动马达及齿轮等各种驱动部件的图示。
从基板S被搬入前的图3(a)起,基板S在放置于机器人手21a的状态下通过开口部4a被搬入到装置1内部(图3(b))。图5是从机器人手21a的进入方向观察基板S被搬入到装置1的内部的状态的图。如图所示,基板S以与静电吸盘10分离的状态被搬入。接着,机器人手21a下降,将基板S载置到静电吸盘10之上。在本实施方式中,在大气箱11上,在静电吸盘10之上载置有基板S时,机器人手21a与大气箱11以及静电吸盘11不接触。因此,机器人手21a能够在将基板S载置到静电吸盘10之上后后退并退避。如图5所示,这能够通过在静电吸盘10和大气箱11形成用于提供机器人手21a的下降空间的凹部而实现。或者,也可以仅在静电吸盘10上形成凹部。或者,在由多个静电吸盘排列而构成静电吸盘10的情况下,也能够通过以与机器人手21a的形状对应的间隔配置多个静电吸盘中的相邻的两个静电吸盘来实现。
在将基板S载置到静电吸盘10上后,在机器人手21a向装置1的外部后退时,对静电吸盘10施加规定的电压,吸附固定所载置的基板S(图3(c))。
另外,本实施方式的基板旋转装置1还能够包括位置调整机构,该位置调整机构在这样施加电压并将基板S吸附固定于静电吸盘10之前,在基板S被单纯地放置于静电吸盘10上的状态下对基板S的位置进行调整。
图6及图7是图示基板位置调整机构X1~X8、Y1~Y4的结构的图。
如图所示,在大气箱11的边部外侧,沿着边部配置有多个折弯形成为“┓”形状(或者钩爪状)的基板接触部22。向大气箱11上表面的静电吸盘10的上部位置折弯的基板接触部22的一侧端部与载置在静电吸盘10上的基板S的端面侧相向。从大气箱11的上表面位置向下方折弯的基板接触部22的另一侧端部与轴23紧固,与配置于大气箱11的内部的缸体部24连接(参照图7)。
因此,缸体部24被驱动部件(未图示)驱动(缸体部24的驱动能够利用空气压驱动,但并不限定于此)并进行往返移动,从而与轴23连接的基板接触部22能够如箭头所示那样前后移动。通过该前后移动的基板接触部22对基板S的接触,能够调整静电吸盘10上的基板S的位置。
如上所述,由基板接触部22和缸体部24构成的位置调整机构X1~X8、Y1~Y4能够沿着大气箱11的边部配置多个。在图示的例子中,沿着大气箱11的长边在共计8个部位配置有位置调整机构X1~X8,沿着短边在共计4个部位配置有位置调整机构Y1~Y4,但位置调整机构的数量并不限定于此。
作为利用了该位置调整机构X1~X8、Y1~Y4的基板的位置调整方法,能够使基板的一方的短边侧的位置调整机构Y1、Y2和一方的长边侧的位置调整机构X1~X4主要发挥作用而使基板S移动来进行位置调整,利用在另一方的短边侧以及另一方的长边侧分别配置的位置调整机构Y3、Y4以及X5~X8辅助基于主位置调整机构的调整,以防止基板S过度移动。即,通过由配置在一方的短边侧的位置调整机构Y1、Y2进行的基板S的一次移动、由配置在一方的长边侧的位置调整机构X1~X4进行的基板S的二次移动来进行向X方向以及Y方向的位置调整,剩余的位置调整机构Y3、Y4以及X5~X8能够以不使基板S直接移动而单纯地辅助基板S的一次以及二次移动的方式进行位置调整。
但是,基于位置调整机构的基板的位置调整方式不限于此,也可以根据需要,一边使各位置调整机构X1~X8、Y1~Y4全部单独地移动一边进行基板S的位置调整。
返回图3,若对载置在静电吸盘10上的基板S的位置调整完成,则对静电吸盘10施加规定的电压,使进行了位置调整的基板S吸附固定于静电吸盘10(图3(c))。
接着,使旋转鼓2旋转而使固定于静电吸盘10的基板S翻转(图4(a))。此时,如上所述,在本发明的实施方式中,不仅作为基板固定部件的静电吸盘10,而且作为在搬出基板S时接受支承基板的基板支承机构的第1销板12也与旋转鼓2一体连结并一起旋转。即,不需要为了避免与旋转鼓2的旋转干涉而使基板支承机构退避到旋转鼓的旋转半径的外侧的位置。
在基板S翻转成基板S的成膜面朝下后,通过上述的升降机构(大气箱11内的驱动部件、齿条20/小齿轮19结合)使通过旋转而移动至基板S的下方的位置的第1销板12上升至开口部4a、4b附近的基板S的下部位置。接着,解除施加于静电吸盘10的电压,解除从静电吸盘10对基板S的吸附,利用销板12的多个支承销(P)接受并支承被解除了吸附的基板S(图4(b))。
最后,机器人手21b从搬出侧的开口部4b进入装置1内并到达基板S的下部。接着,第1销板12下降,基板S从第1销板12向机器人手21b交接。然后,通过机器人手21b后退,基板S经由搬出侧的开口部4b被搬出(图4(c))。
这样,水平翻转成成膜面朝下的基板S以后被搬送到真空蒸镀用的成膜室内而进行蒸镀工序。
如上所述,根据本实施方式,由于构成为基板支承机构(第1销板)在与旋转机构(旋转鼓)一体连结的状态下相对于基板固定部件(静电吸盘)相对移动,所以不需要在基板S进行翻转的旋转时使基板支承机构退避到旋转机构的旋转半径外侧,能够实现装置的小型化。
[第2实施方式]
图8是表示本发明的第2实施方式的基板旋转装置的结构的图。对与上述第1实施方式相同的构成要素标注相同的附图标记。
本实施方式与上述第1实施方式不同的是,通过将作为固定基板S的固定部件的静电吸盘10配置成来到比开口部4a、4b稍靠上的位置,另外,大气箱11与静电吸盘10相邻地被配置在静电吸盘10的重力方向上侧,从上侧接受并固定被搬入到装置1内部的基板S,其他与第1实施方式相同。
图9是表示使用本实施方式的基板旋转装置的基板旋转方法的图。
从基板S被搬入前的图9(a)起,基板S在放置于机器人手21a的状态下通过开口部4a被搬入到装置1内。接着,对静电吸盘10施加规定的电压,从机器人手21a接受并吸附固定基板S(图9(b))。
之后,机器人手21a后退到装置1外部,使旋转鼓2旋转而使被吸附固定的基板S翻转(图9(c))。此时,与第1实施方式相同,不仅是作为基板固定机构的静电吸盘10,而且作为搬出时的基板支承机构的第1销板12也与旋转鼓2一体连结并一起旋转,因此不需要使基板支承机构(第1销板12)退避到旋转鼓的旋转半径的外侧的位置。
基板S翻转后,解除施加于静电吸盘10的电压,解除从静电吸盘10对基板S的吸附。接着,通过上述升降机构(大气箱11内的驱动部件、齿条20/小齿轮19结合)使通过旋转鼓2的旋转而向基板S的重力方向下方移动来的第1销板12上升。在静电吸盘10以及大气箱11的外周部的、与第1销板12的支承销P对应的部分设有贯穿孔,当第1销板12上升时,第1销板12的支承销P贯穿大气箱11和静电吸盘10而向上部突出。由此,基板S被第1销板12的支承销P支承而与静电吸盘10分离(图9(d))。
接着,当机器人手21b从搬出侧的开口部4b进入并到达基板S的下部时,第1销板12下降,基板S从第1销板12向机器人手21b交接。最后,通过机器人手21b后退,经由搬出侧的开口部4b搬出基板S(图9(e))。
另外,在本实施方式中,也可以在从机器人手21a接受基板S并将其吸附固定于静电吸盘10之前,利用上述的基板位置调整机构来调整基板S的位置。
根据本实施方式,在使基板S翻转的旋转时,不需要使基板支承机构退避到旋转机构的旋转半径的外侧,能够实现装置的小型化。
[第3实施方式]
图10是表示本发明的第3实施方式的基板旋转装置的结构的图。对与上述第1、第2实施方式相同的构成要素标注相同的附图标记。
在本实施方式中,在隔着作为固定基板S的固定部件的静电吸盘10与第1销板12相向的位置还设有第2销板112。
第2销板112仅在配置位置存在差异,详细结构与第1销板12同样地构成。
即,在板状的第2销板112上,在与静电吸盘10相向的面上,多个支承销P沿着第2销板112的周缘隔开间隔地配置在上方。另外,与第1销板12同样地,第2销板112也与大气箱11连结,能够通过大气箱11中的驱动部件在静电吸盘10方向上升降。
另外,大气箱11内的驱动部件及基于此的第2销板112的升降结构与上述的第1销板12的升降结构相同地构成。即,第1销板12升降用的齿条20/小齿轮19结合、配置在大气箱11内的驱动伺服马达13、多个锥齿轮16、17、18等驱动部件,为了第2销板112升降用也同样地配置。
利用了这些各部件的第2销板112的与大气箱11的连结结构及升降动作与上述的第1销板12的结构相同,因此省略详细的说明。
在本实施方式中追加设置的第2销板112是用于接受并支承从装置1外部搬入的基板S的基板支承机构。
即,在上述第1、第2实施方式中,作为用于支承搬出时的基板的支承机构而设置第1销板12,对于搬入的基板的接受、支承,没有另外的支承机构,将静电吸盘10兼用作支承机构,但在本实施方式中,除了搬出时的基板支承机构之外,还另外设置有用于接受并支承搬入基板的基板支承机构。
在本实施方式中,作为基板支承机构的第1销板12和第2销板112通过各自的齿条/小齿轮结合而与大气箱11连结并紧固于旋转鼓2,从而与作为固定基板的固定机构的静电吸盘10一起,基板支承机构(第1销板12和第2销板112)也能够与旋转机构(旋转鼓2)一体地旋转。
因此,在本实施方式中,在使基板S翻转的旋转时,也不需要使各基板支承机构退避到旋转机构的旋转半径的外侧,能够实现装置的小型化。
图11和图12是表示使用本实施方式的基板旋转装置的基板旋转方法的图。
在追加设置第2销板112的本实施方式中,关于静电吸盘10和大气箱11的配置,能够是如上述第1实施方式那样,在静电吸盘10的重力方向下侧配置大气箱11,从下侧接受并固定被搬入的基板S的结构,以及如上述第2实施方式那样,在静电吸盘10的重力方向上侧配置大气箱11,从上侧接受并固定被搬入的基板S的结构这两种类型,以下,以第2实施方式那样的配置为基准进行说明。
从基板S被搬入前的图11(a)起,基板S在放置于机器人手21a的状态下通过开口部4a被搬入到装置1内。接着,利用上述升降机构使第2销板112上升,利用第2销板112的支承销P支承基板S。接着,在机器人手21a后退后,使第2销板112进一步上升,使基板S与静电吸盘10接触。接着,对静电吸盘10施加规定的电压,吸附固定基板S(图11(b))。另外,在此,也可以在使由第2销板112支承的基板S与静电吸盘10接触之前,与上述的实施方式同样地利用基板位置调整机构来调整基板S的位置。
若基板S被静电吸盘吸附固定,则使第2销板112下降(图11(c))。
然后,使旋转鼓2旋转,使被吸附固定的基板S翻转(图12(a))。此时,作为搬入时的基板支承机构的上述第2销板112与后述的作为搬出时的基板支承机构的第1销板12也与旋转鼓2、静电吸盘10一起旋转。
基板S翻转后,解除施加于静电吸盘10的电压,解除从静电吸盘10对基板S的吸附,接着,使移动至基板S的下方的第1销板12上升。在静电吸盘10以及大气箱11的外周部的、与第1销板12的支承销P对应的部分设有贯穿孔,当第1销板12上升时,第1销板12的支承销P贯穿大气箱11和静电吸盘10而向上部突出。由此,基板S被第1销板12的支承销P支承而与静电吸盘10分离(图12(b))。
接着,当机器人手21b从搬出侧的开口部4b进入并到达基板S的下部时,第1销板12下降,基板S从第1销板12向机器人手21b交接。最后,通过机器人手21b后退,经由搬出侧的开口部4b搬出基板S(图12(c))。
另一方面,如上所述,追加设置第2销板112的本实施方式也能够是如上述第1实施方式那样,在静电吸盘10的重力方向下侧配置大气箱11,从下侧接受固定被搬入的基板S的结构,但在该情况下,以与上述第1实施方式大致相同的顺序进行基板搬入、旋转、搬出的动作。即,在本实施方式中,由于另行设置有作为搬入时的基板支承机构的第2销板112,因此,在将被搬入的基板S固定于静电吸盘10时,使第2销板112上升到第2销板112的支承销P贯穿大气箱11和静电吸盘10而向上部突出(在静电吸盘10以及大气箱11的外周部设有供第2销板112的支承销P能够贯穿的孔),接受基板S,之后,使第2销板112下降而将基板S交接到静电吸盘10上,吸附固定。此外,在旋转后的基板搬出时第1销板12的动作以与上述第1实施方式中的图4(a)~(c)相同的顺序进行。
根据本实施方式,在使基板S翻转的旋转时,也不需要使基板支承机构退避到旋转机构的旋转半径的外侧,能够实现装置的小型化。
[电子器件的制造方法]
接着,说明使用具有上述实施方式的基板旋转装置的成膜装置的电子器件的制造方法的一例。以下,作为电子器件的例子,例示有机EL显示装置的结构及制造方法。
首先,对要制造的有机EL显示装置进行说明。图13(a)表示有机EL显示装置50的整体图,图13(b)表示1个像素的截面构造。
如图13(a)所示,在有机EL显示装置50的显示区域51呈矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素52。后面详细说明,发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外,在此所说的像素,是指在显示区域51中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置50的情况下,通过显示互不相同的发光的第1发光元件52R、第2发光元件52G、第3发光元件52B的组合而构成像素52。像素52大多通过红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合而构成,但是也可以通过黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合而构成,只要是至少1种颜色以上就没有特别制限。
图13(b)是图13(a)的A-B线处的局部截面示意图。像素52在基板53上具有有机EL元件,该有机EL元件具备第1电极(阳极)54、空穴输送层55、发光层56R、56G、56B中的任一方、电子输送层57、第2电极(阴极)58。它们当中的空穴输送层55、发光层56R、56G、56B、电子输送层57相当于有机层。此外,在本实施方式中,发光层56R是发出红色光的有机EL层,发光层56G是发出绿色光的有机EL层,发光层56B是发出蓝色光的有机EL层。发光层56R、56G、56B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记载为有机EL元件)相对应的图案。此外,第1电极54针对每一个发光元件分离地形成。空穴输送层55、电子输送层57和第2电极58既可以以与多个发光元件52R、52G、52B共同的方式形成,也可以针对每一个发光元件而形成。另外,为了防止第1电极54和第2电极58因异物而短路,在第1电极54间设有绝缘层59。而且,由于有机EL层因水分和氧而劣化,所以设有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层60。
为了将有机EL层形成为发光元件单位,使用经由掩模而成膜的方法。近年来,显示装置的高精细化得到发展,在有机EL层的形成中使用开口的宽度为几十μm的掩模。在所述有机EL层的成膜中适宜使用本发明的成膜装置(真空蒸镀装置)。
接着,具体地说明有机EL显示装置的制造方法的例子。
首先,准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及形成有第1电极54的基板53。
在形成有第1电极54的基板53之上通过旋转涂覆形成丙烯酸树脂,利用光刻法,以在形成有第1电极54的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案并形成绝缘层59。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将图案形成有绝缘层59的基板53搬入第1成膜装置,由基板保持单元保持基板,将空穴输送层55作为在显示区域的第1电极54之上共同的层而成膜。空穴输送层55通过真空蒸镀而成膜。实际上由于空穴输送层55被形成为比显示区域51大的尺寸,所以不需要高精细的掩模。
接着,将形成有空穴输送层55为止的基板53搬入第2成膜装置,由基板保持单元保持。进行基板与掩模的对准,将基板载置在掩模之上,在基板53的配置发出红色光的元件的部分,成膜发出红色光的发光层56R。根据本例,能够使掩模与基板良好地重合,能够进行高精度的成膜。
与发光层56R的成膜同样地,利用第3成膜装置成膜发出绿色光的发光层56G,而且利用第4成膜装置成膜发出蓝色光的发光层56B。发光层56R、56G、56B的成膜完成之后,利用第5成膜装置在显示区域51的整体成膜电子输送层57。电子输送层57对3色的发光层56R、56G、56B形成为共同的层。
将形成有电子输送层57为止的基板移动到溅镀装置,成膜第2电极58,之后移动到等离子体CVD装置而成膜保护层60,完成有机EL显示装置50。
从将图案形成有绝缘层59的基板53搬入成膜装置到保护层60的成膜完成为止,若暴露于含有水分和氧的气氛中,则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分和氧而劣化。因而,基板在成膜装置间的搬入搬出在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
以上,具体地说明了用于实施本发明的方式,但是本发明的主旨不限定于这些记载,应基于权利要求书的记载而大范围地解释。此外,基于这些记载的、多种变更、改变等也当然包含于本发明的主旨中。

Claims (23)

1.一种基板旋转装置,其特征在于,
该基板旋转装置包括:
固定机构,用于将被搬入到所述基板旋转装置内的基板固定;
旋转机构,与所述固定机构连结,通过使所述固定机构旋转而使所述基板旋转;以及
支承机构,从重力方向下方支承所述基板,
所述支承机构与所述旋转机构连结,在所述旋转机构旋转时与所述固定机构一起旋转,
该基板旋转装置还包括位置调整机构,该位置调整机构在利用所述固定机构固定基板之前,对所述基板相对于所述固定机构的位置进行调整,
所述位置调整机构包括:
基板接触部,被配置成一端部与载置在所述固定机构上的所述基板的侧面相向,通过向所述基板的侧面方向的前后移动,能够与所述基板接触;以及
基板位置调整用驱动部,与所述基板接触部的另一端部连结,驱动所述基板接触部以使该基板接触部能够进行所述前后移动。
2.根据权利要求1所述的基板旋转装置,其特征在于,
所述支承机构是从所述固定机构接受并支承由所述旋转机构旋转了的所述基板的机构。
3.根据权利要求2所述的基板旋转装置,其特征在于,
所述支承机构在所述基板被搬入到所述基板旋转装置内时,配置在所述基板的重力方向上侧。
4.根据权利要求3所述的基板旋转装置,其特征在于,
该基板旋转装置还包括使所述支承机构沿所述固定机构方向升降的升降机构。
5.根据权利要求4所述的基板旋转装置,其特征在于,
所述支承机构是与所述固定机构平行地配置的板状的构件,利用沿着所述板状的构件的周缘朝向所述固定机构立设的多个销来接受并支承所述基板。
6.根据权利要求4所述的基板旋转装置,其特征在于,
所述固定机构是静电吸盘。
7.根据权利要求5所述的基板旋转装置,其特征在于,
该基板旋转装置还包括机构收容部,该机构收容部紧固固定于所述旋转机构,且与所述固定机构相邻地配置在所述固定机构的重力方向上侧或下侧,
所述支承机构通过所述升降机构和收容于所述机构收容部内并驱动所述升降机构的驱动部而与所述旋转机构连结。
8.根据权利要求7所述的基板旋转装置,其特征在于,
所述升降机构包括与所述支承机构连结的齿条和与所述齿条齿轮结合且由所述驱动部驱动的小齿轮。
9.根据权利要求1所述的基板旋转装置,其特征在于,
所述基板位置调整用驱动部被收容在所述机构收容部内。
10.根据权利要求1所述的基板旋转装置,其特征在于,
所述位置调整机构沿着所述基板的四个边配置有多个。
11.根据权利要求7所述的基板旋转装置,其特征在于,
所述基板旋转装置被配置在维持为真空气氛的真空槽内,
所述机构收容部是形成与所述真空气氛被分隔开的大气区域的大气箱。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的基板旋转装置,其特征在于,
该基板旋转装置还包括其他支承机构,该其他支承机构相对于所述固定机构被配置在所述支承机构的相反侧,接受并支承被搬入到所述基板旋转装置内的基板,
所述其他支承机构与所述旋转机构连结,在所述旋转机构旋转时与所述固定机构一起旋转。
13.如权利要求12所述的基板旋转装置,其特征在于,
该基板旋转装置还包括使所述其他支承机构沿所述固定机构方向升降的第2升降机构。
14.根据权利要求13所述的基板旋转装置,其特征在于,
所述其他支承机构是与所述固定机构平行地配置的板状的构件,通过沿着所述板状的构件的周缘朝向所述固定机构立设的多个销来接受并支承所述基板。
15.根据权利要求14所述的基板旋转装置,其特征在于,
所述其他支承机构通过所述第2升降机构和收容于所述机构收容部内并驱动所述第2升降机构的第2驱动部而与所述旋转机构连结。
16.根据权利要求15所述的基板旋转装置,其特征在于,
所述第2升降机构包括与所述其他支承机构连结的第2齿条和与所述第2齿条齿轮结合且由所述第2驱动部驱动的第2小齿轮。
17.一种基板旋转方法,是使用基板旋转装置使基板旋转的方法,其特征在于,
该基板旋转方法包括以下的阶段:
在利用固定机构固定基板之前,利用位置调整机构对所述基板相对于所述固定机构的位置进行调整,所述位置调整机构所具备的基板接触部被配置成一端部与载置在所述固定机构上的所述基板的侧面相向,通过向所述基板的侧面方向的前后移动,能够与所述基板接触,所述位置调整机构所具备的基板位置调整用驱动部与所述基板接触部的另一端部连结,驱动所述基板接触部以使该基板接触部能够进行所述前后移动的阶段;
由所述固定机构固定被搬入到所述基板旋转装置内的所述基板的阶段;
通过利用与所述固定机构连结的旋转机构使所述固定机构旋转,使所述基板旋转的阶段;以及
利用支承机构从重力方向下方支承所述基板的阶段,
所述支承机构与所述旋转机构连结,在所述旋转机构旋转时与所述固定机构一起旋转。
18.根据权利要求17所述的基板旋转方法,其特征在于,
所述支承的阶段是使被配置在所述基板的重力方向下方的所述支承机构接近所述基板,并从所述固定机构接受并支承由所述旋转机构旋转了的所述基板的阶段。
19.根据权利要求18所述的基板旋转方法,其特征在于,
在所述固定的阶段,所述支承机构被配置在所述基板的重力方向上侧。
20.根据权利要求19所述的基板旋转方法,其特征在于,
在由所述固定机构固定被搬入的所述基板的阶段之前,还包括以下的阶段:
利用相对于所述固定机构被配置在所述支承机构的相反侧的其他支承机构,接受并支承被搬入到所述基板旋转装置内的基板的阶段;以及
使所述其他支承机构接近所述固定机构,将被搬入的所述基板从所述其他支承机构交接到所述固定机构上的阶段,
所述其他支承机构与所述旋转机构连结,在所述旋转机构旋转时与所述固定机构一起旋转。
21.根据权利要求17~20中任一项所述的基板旋转方法,其特征在于,
在由所述固定机构固定被搬入的所述基板的阶段之前,还包括对所述基板相对于所述固定机构的位置进行调整的阶段。
22.根据权利要求17~20中任一项所述的基板旋转方法,其特征在于,
所述固定机构是静电吸盘。
23.一种电子器件的制造方法,其特征在于,
该电子器件的制造方法包括以下的阶段:
对基板的第1面进行处理的第1处理阶段;
将在所述第1处理阶段中处理过的所述基板搬入到基板旋转装置内的阶段;
在利用固定机构固定所述基板之前,利用位置调整机构对所述基板相对于所述固定机构的位置进行调整,所述位置调整机构所具备的基板接触部被配置成一端部与载置在所述固定机构上的所述基板的侧面相向,通过向所述基板的侧面方向的前后移动,能够与所述基板接触,所述位置调整机构所具备的基板位置调整用驱动部与所述基板接触部的另一端部连结,驱动所述基板接触部以使该基板接触部能够进行所述前后移动的阶段;
由所述固定机构固定被搬入到所述基板旋转装置内的所述基板的阶段;
通过利用与所述固定机构连结的旋转机构使所述固定机构旋转,使所述基板旋转来变更所述第1面的朝向的阶段;
利用支承机构从重力方向下方支承所述基板的阶段;
将所述基板从所述基板旋转装置搬出的阶段;以及
对所述第1面的朝向被变更了的所述基板的所述第1面进行处理的第2处理阶段,
所述支承机构与所述旋转机构连结,在所述旋转机构旋转时与所述固定机构一起旋转。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210081794A (ko) * 2019-12-24 2021-07-02 캐논 톡키 가부시키가이샤 회전 구동 장치, 이를 포함하는 성막 시스템, 전자 디바이스 제조방법, 및 성막 시스템에 사용되는 피반송체 캐리어
WO2022090778A1 (en) * 2020-10-30 2022-05-05 Applied Materials, Inc. Vacuum tilting table and vacuum tilting table module for a substrate processing system and method for substrate loading and unloading in a vacuum processing system

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005068449A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Japan Science & Technology Agency 高速回転羽根式フィルターを備えたレーザーアブレーション成膜装置
KR100847293B1 (ko) * 2007-03-29 2008-07-21 (주)리드 액정표시패널의 외관 검사 장치 및 방법
CN102239276A (zh) * 2008-12-03 2011-11-09 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置、磁电阻元件的制造装置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序
KR20130115827A (ko) * 2012-04-13 2013-10-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5366790B2 (ja) * 2008-12-26 2013-12-11 株式会社アルバック 基板反転装置、真空成膜装置及び基板反転方法
KR20140019046A (ko) * 2012-07-05 2014-02-14 주식회사 모아스틸 전조장치 및 이를 이용한 자키베이스 제조방법
KR20140123839A (ko) * 2013-04-15 2014-10-23 주식회사 원익아이피에스 플립챔버 및 이를 구비하는 박막 증착 시스템
CN107403742A (zh) * 2016-05-18 2017-11-28 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5072184B2 (ja) * 2002-12-12 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法
KR102083955B1 (ko) * 2010-06-25 2020-03-03 캐논 아네르바 가부시키가이샤 스퍼터링 장치, 박막증착 방법 및 컨트롤 디바이스
US10022745B2 (en) * 2013-08-01 2018-07-17 Veeco Precision Surface Processing Llc Apparatus for dual speed spin chuck
KR102508025B1 (ko) * 2015-05-11 2023-03-10 주성엔지니어링(주) 공정챔버 내부에 배치되는 기판 처리장치 및 그 작동방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005068449A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Japan Science & Technology Agency 高速回転羽根式フィルターを備えたレーザーアブレーション成膜装置
KR100847293B1 (ko) * 2007-03-29 2008-07-21 (주)리드 액정표시패널의 외관 검사 장치 및 방법
CN102239276A (zh) * 2008-12-03 2011-11-09 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置、磁电阻元件的制造装置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序
JP5366790B2 (ja) * 2008-12-26 2013-12-11 株式会社アルバック 基板反転装置、真空成膜装置及び基板反転方法
KR20130115827A (ko) * 2012-04-13 2013-10-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20140019046A (ko) * 2012-07-05 2014-02-14 주식회사 모아스틸 전조장치 및 이를 이용한 자키베이스 제조방법
KR20140123839A (ko) * 2013-04-15 2014-10-23 주식회사 원익아이피에스 플립챔버 및 이를 구비하는 박막 증착 시스템
CN107403742A (zh) * 2016-05-18 2017-11-28 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法

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