CN110562985A - 一种多孔结构硅纳米线的制备方法及其应用 - Google Patents

一种多孔结构硅纳米线的制备方法及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN110562985A
CN110562985A CN201910900037.2A CN201910900037A CN110562985A CN 110562985 A CN110562985 A CN 110562985A CN 201910900037 A CN201910900037 A CN 201910900037A CN 110562985 A CN110562985 A CN 110562985A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
nanowire
sol
added
ion battery
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910900037.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110562985B (zh
Inventor
宋怀河
张东海
陈晓红
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing University of Chemical Technology
Original Assignee
Beijing University of Chemical Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing University of Chemical Technology filed Critical Beijing University of Chemical Technology
Priority to CN201910900037.2A priority Critical patent/CN110562985B/zh
Publication of CN110562985A publication Critical patent/CN110562985A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110562985B publication Critical patent/CN110562985B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
    • H01M4/386—Silicon or alloys based on silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/16—Nanowires or nanorods, i.e. solid nanofibres with two nearly equal dimensions between 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M2004/026—Electrodes composed of, or comprising, active material characterised by the polarity
    • H01M2004/027—Negative electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

一种多孔结构硅纳米线的制备方法及其应用，涉及锂离子电池材料领域。通过溶胶‑凝胶法制备氧化硅纳米线，再利用镁热还原进一步酸洗得到硅纳米线，制备得到了具有多孔结构的硅纳米线，纳米尺寸以及多孔结构有效的缓解了硅材料在脱嵌锂过程中体积膨胀，提高了硅材料在锂离子电池中充放电过程中循环稳定性，在本发明中将该材料制备成锂离子电池负极材料，首次库伦效率为70～80％，在0.2A/g的电流密度下，循环50圈左右稳定的储锂比容量达到了600～1500mAh/g，具有较高的放电比容量和良好的循环稳定性。

Description

一种多孔结构硅纳米线的制备方法及其应用
技术领域
本发明涉及锂离子电池材料领域，特别涉及一种多孔结构硅纳米线的制备方法及其应用。
背景技术
锂离子电池具有能量密度高、循环寿命长、输出电压稳定、无记忆效应等优点，已经成为了便携式移动电源的主要设备。近年来，随着电子器件的不断更新以及锂电商业化负极碳材料已逐渐接近理论容量，新一代的高容量锂电负极的开发日趋严峻。硅材料理论容量高(4200mAh/g)，有望成为下一代电池负极，因此硅基负极材料在锂电中应用成为研究热点[Chan C K,Peng H,Gao L,et al.High-performance lithium battery anodesusing silicon nanowires[J].Nature Nanotechnology,2008,3(1):31.]。但是硅基负极材料在电池充放电过程，由于锂的吸脱附硅材有严重的体积膨胀效应(可达400％)，使得充放电过程中逐渐破碎、活性下降，而导致锂离子电池严重的容量衰减，所以对硅材料进行包覆、结构设计等能提升其循环稳定性，减缓容量衰减。
现阶段，低成本、工艺简单的硅材料制备在锂离子电池负极材料中的应用越来越受关注。硅材料纳米化、中空结构在提升硅材料在锂离子电池中的性能上表现优异。Yao Y.等采用气相沉积法制备中空的硅材料，在锂离子电池应用中表现了良好的循环稳定性和较高的容量[Yao Y,Mcdowell M T,Ryu I,et al.Interconnected silicon hollownanospheres for lithium-ion battery anodes with long cycle life.[J].NanoLetters,2011,11(7):2949-54.]。Park M.等人采用多孔氧化铝膜为模板，并以此进行化学沉积再用强碱刻蚀的方法制备出了具有碳涂层的硅纳米管，由于其较稳定的结构，表现出了优异的电池循环性能在0.2C倍率下首效高达89％[Park M H,Kim M G,Joo J,etal.Silicon nanotube battery anodes.[J].Nano Letters,2009,9(11):3844-3847.]。Chan C.等人通过使用Au为催化剂用气-液-固方法在基板上生长Si纳米线，首次放电比容量高达4277mAh/g，首效为73％[Chan C K,Peng H,Liu G,et al.High-performancelithium battery anodes using silicon nanowires[J].Nature Nanotechnology,2008,3(1):31.]。Cui Y.等人通过使用SiH4在CVD炉中通过改变温度、时间、气体流速等条件制备得到了晶体-非晶核-壳结构的硅纳米线在锂电中表现出了优异的倍率性能和循环稳定性[Crystalline-Amorphous Core-Shell Silicon Nanowires for High Capacity andHigh Current Battery Electrodes[J].Nano Letters,2009,9(1):491-495.]。目前常采用纳米线制备常采用有害性气体硅源在模板下进行生长或通过模板生长再除去模板得到硅纳米线，但是此类方法制备的多孔硅材料对设备要求高，制备工艺复杂，导致成本高，副产物多等，不利锂离子电池中硅负极材料工业化的实现。本发明通过采用常温下溶胶-凝胶进行氧化硅合成，再利用镁热还原得到硅纳米线，方法简单，无特殊设备要求，为实现硅纳米线在锂离子电池中的商业化应用起到了积极的促进作用。
发明内容
针对现有技术的上述问题，本发明的目的是提供一种多孔结构硅纳米线的制备方法及和其应用，按下列方法制得：
步骤一：溶胶-凝胶阶段，取一定量的的十六烷基溴化铵(CTAB)和聚醚F127加入去离子水，溶解混合均匀后，加入盐酸调节溶液为酸性，一定温度下水浴，然后加入正硅酸乙酯(TEOS)，静置12h，抽滤得到溶胶-凝胶产物；
步骤二：取步骤一所得的产物，与一定量的镁粉混合均匀，在惰性气氛下，升温到一定温度，得到初步还原产物；
步骤三：取步骤二所得的还原产物，利用盐酸、氢氟酸溶液依次进行酸洗一段时间，除去副产物及未完全反应的反应物，干燥后即可得到硅材料。
步骤一中每0.85ml正硅酸乙酯(TEOS)对应最终十六烷基溴化铵(CTAB):0.01822～0.07289g、聚醚F127：0.0146～0.073g、总水量15ml～20ml；
水浴温度15-80℃；
调节pH为0～2即H+浓度为10-2-1M；
步骤二金属镁粉与溶胶-凝胶产物质量比为(1～4):1；还原温度为650～800℃；还原时间1～5h。
本发明所得氧化硅纳米线可作为锂离子电池负极材料。
本发明通过对溶胶—凝胶法制备得到氧化硅纳米线，通过进一步还原处理，得到硅纳米线。在优化参数中得到硅纳米线的直径80～400纳米，长度为1～10um，具有一定的介孔结构。在还原过程中氧化硅纳米线形貌可以保持，得到多孔的硅纳米线。较优选范围内，此材料首次充电容量高达2000mAh/g，首次库伦效率为80％左右，使用制备的硅材料作为锂离子电池可逆比容量达到了600～1500mAh/g，具有较高的放电比容量和良好的循环稳定性。
附图说明
附图1为以金属镁为还原剂、还原温度为700℃、还原2h所得样品的透射电镜图。
附图2为以金属镁为还原剂、还原温度为700℃、还原2h所得样品在电流密度为0.2A/g的条件下的循环曲线。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步说明，但本发明不仅限于以下实施例。
实施例1
取0.01822g的十六烷基溴化铵(CTAB)和0.0146g聚醚F127加入15ml去离子水，溶解混合均匀后，加入浓盐酸调节PH约为0，27℃下水浴1小时，然后加入0.85ml正硅酸乙酯(TEOS)，振荡10s静置12h，抽滤得到溶胶-凝胶产物；
将上述溶胶-凝胶产物与镁粉按质量1:1的比例混合均匀，装入刚玉方舟内在惰性气氛下，于炭化炉内以5℃/min升温到700℃还原1h，用盐酸、氢氟酸溶液依次进行酸洗，除去副产物及未完全反应的反应物，干燥后即可得到硅材料。得到的硅材料首次充/放电容量为800.9mAh/g/1346mAh/g；在0.2A/g的电流密度下循环50次达到654mAh/g的可逆容量。
实施例2
取0.01822g的十六烷基溴化铵(CTAB)和0.0146g聚醚F127加入15ml去离子水，溶解混合均匀后，加入浓盐酸调节PH约为2，27℃下水浴1小时，然后加入0.85ml正硅酸乙酯(TEOS)，振荡10s静置12h，抽滤得到溶胶-凝胶产物；
将上述溶胶-凝胶产物与镁粉按质量1:1的比例混合均匀，装入刚玉方舟内在惰性气氛下，于炭化炉内以5℃/min升温到700℃还原2h，用盐酸、氢氟酸溶液依次进行酸洗，除去副产物及未完全反应的反应物，干燥后即可得到硅纳米线材料。得到的硅材料首次充/放电容量为740.6mAh/g/1276.9mAh/g；在0.2A/g的电流密度下循环50次达到604mAh/g的可逆容量。
实施例3
取0.01822g的十六烷基溴化铵(CTAB)和0.0146g聚醚F127加入15ml去离子水，溶解混合均匀后，加入浓盐酸调节PH约为2，15℃下水浴1小时，然后加入0.85ml正硅酸乙酯(TEOS)，振荡10s静置12h，抽滤得到溶胶-凝胶产物；
将上述溶胶-凝胶产物与镁粉按质量1:1的比例混合均匀，装入刚玉方舟内在惰性气氛下，于炭化炉内以5℃/min升温到700℃还原2h，用盐酸、氢氟酸溶液依次进行酸洗，除去副产物及未完全反应的反应物，干燥后即可得到硅纳米线材料。得到的硅材料得到的硅材料首次充/放电容量为823.5mAh/g/1251.5mAh/g；在0.2A/g的电流密度下循环50次达到734mAh/g的可逆容量。
实施例4
取0.07289g的十六烷基溴化铵(CTAB)和0.0146g聚醚F127加入20ml去离子水，溶解混合均匀后，加入浓盐酸调节PH约为0，80℃下水浴1小时，然后加入0.85ml正硅酸乙酯(TEOS)，振荡10s静置12h，抽滤得到溶胶-凝胶产物；
将上述溶胶-凝胶产物与镁粉按质量1:1的比例混合均匀，装入刚玉方舟内在惰性气氛下，于炭化炉内以5℃/min升温到700℃还原2h，用盐酸、氢氟酸溶液依次进行酸洗，除去副产物及未完全反应的反应物，干燥后即可得到硅纳米线材料。得到的硅材料得到的硅材料首次充/放电容量为1243.8mAh/g/1692.9mAh/g；在0.2A/g的电流密度下循环50次达到1075mAh/g的可逆容量。
实施例5
取0.01822g的十六烷基溴化铵(CTAB)和0.073g聚醚F127加入20ml去离子水，溶解混合均匀后，加入浓盐酸调节PH约为2，30℃下水浴1小时，然后加入0.85ml正硅酸乙酯(TEOS)，振荡10s静置12h，抽滤得到溶胶-凝胶产物；
将上述溶胶-凝胶产物与镁粉按质量1:1的比例混合均匀，装入刚玉方舟内在惰性气氛下，于炭化炉内以5℃/min升温到650℃还原5h，用盐酸、氢氟酸溶液依次进行酸洗，除去副产物及未完全反应的反应物，干燥后即可得到硅纳米线材料。得到的硅材料得到的硅材料首次充/放电容量为740.6mAh/g/1276.9mAh/g；在0.2A/g的电流密度下循环50次达到741mAh/g的可逆容量。
实施例6
取0.03644g的十六烷基溴化铵(CTAB)和0.0146g聚醚F127加入15ml去离子水，溶解混合均匀后，，溶解混合均匀后，加入浓盐酸调节PH约为0，30℃下水浴1小时，然后加入0.85ml正硅酸乙酯(TEOS)，振荡10s静置12h，抽滤得到溶胶-凝胶产物；
将上述溶胶-凝胶产物与镁粉按质量1:1的比例混合均匀，装入刚玉方舟内在惰性气氛下，于炭化炉内以5℃/min升温到650℃还原2h，用盐酸、氢氟酸溶液依次进行酸洗，除去副产物及未完全反应的反应物，干燥后即可得到硅纳米线材料。
如附图1透射电镜(TEM)所示，产物形貌为多孔纳米线结构。
如附图2循环曲线所示，在200mAh/g的电流密度下循环45圈可逆比容量高达1556.9mAh/g，其首次库伦效率在80％以上。
实施例7
取0.03644g的十六烷基溴化铵(CTAB)和0.0146g聚醚F127加入15ml去离子水，溶解混合均匀后，加入浓盐酸调节PH约为0，27℃下水浴1小时，然后加入0.85ml正硅酸乙酯(TEOS)，振荡10s静置12h，抽滤得到溶胶-凝胶产物；
将上述溶胶-凝胶产物与镁粉按质量1:4的比例混合均匀，装入刚玉方舟内在惰性气氛下，于炭化炉内以5℃/min升温到700℃还原5h，用盐酸、氢氟酸溶液进行酸洗，除去副产物及未完全反应的反应物，干燥后即可得到硅纳米线材料。得到的硅材料在0.2A/g的电流密度下循环50次达到1001mAh/g的可逆容量。
实施例8
取2.5ml的0.02mol/L的十六烷基溴化铵(CTAB)和0.0146g聚醚F127加入13.3ml去离子水，溶解混合均匀后，加入浓盐酸调节PH约为0，27℃下水浴1小时，然后加入0.85ml正硅酸乙酯(TEOS)，振荡10s静置12h，抽滤得到溶胶-凝胶产物；
将上述溶胶-凝胶产物与镁粉按质量1:1的比例混合均匀，装入刚玉方舟内在惰性气氛下，于炭化炉内以5℃/min升温到800℃还原2h，用盐酸、氢氟酸溶液进行酸洗，除去副产物及未完全反应的反应物，干燥后即可得到硅纳米线材料。得到的硅材料在0.2A/g的电流密度下循环50次达到935mAh/g的可逆容量。
以上已对本发明的较佳实施例进行了具体说明，但本发明并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (9)

1.一种多孔结构硅纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：溶胶-凝胶阶段，取一定量的的十六烷基溴化铵(CTAB)和聚醚F127加入去离子水，溶解混合均匀后，加入盐酸调节pH为酸性，一定温度下水浴，然后加入正硅酸乙酯(TEOS)，静置12h，抽滤得到溶胶-凝胶产物；
步骤二：取步骤一所得的产物，与一定量的镁粉混合均匀，在惰性气氛下，升温到一定温度，得到初步还原产物；
步骤三：取步骤二所得的还原产物，利用盐酸、氢氟酸溶液依次进行酸洗一段时间，除去副产物及未完全反应的反应物，干燥后即可得到硅材料。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤一每0.85ml正硅酸乙酯(TEOS)对应最终十六烷基溴化铵(CTAB)：0.01822～0.07289g、聚醚F127：0.0146～0.073g、总水量15ml～20ml。
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤一中调节PH：0～2。
4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤一中水浴温度15～80℃。
5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤二金属镁粉与溶胶-凝胶产物质量比为(1～4):1。
6.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，还原温度为650～800℃；还原时间1～5h。
7.按照权利要求1-6任一项所述的方法制备得到的多孔结构硅纳米线。
8.按照权利要求1-6任一项所述的方法制备得到的多孔结构硅纳米线，其特征在于，纳米线的直径80～400纳米，长度为1～10um。
9.按照权利要求1-6任一项所述的方法制备得到的多孔结构硅纳米线的应用，用于锂离子电池负极材料。
CN201910900037.2A 2019-09-23 2019-09-23 一种多孔结构硅纳米线的制备方法及其应用 Active CN110562985B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910900037.2A CN110562985B (zh) 2019-09-23 2019-09-23 一种多孔结构硅纳米线的制备方法及其应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910900037.2A CN110562985B (zh) 2019-09-23 2019-09-23 一种多孔结构硅纳米线的制备方法及其应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110562985A true CN110562985A (zh) 2019-12-13
CN110562985B CN110562985B (zh) 2021-12-07

Family

ID=68781902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910900037.2A Active CN110562985B (zh) 2019-09-23 2019-09-23 一种多孔结构硅纳米线的制备方法及其应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110562985B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112850716A (zh) * 2021-02-04 2021-05-28 昆明理工大学 一种镁热还原制备纳米级多孔晶体Si的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106848275A (zh) * 2017-03-09 2017-06-13 湘潭大学 一种锂离子电池负极材料硅气凝胶的制备方法
CN107352544A (zh) * 2017-08-11 2017-11-17 贵州大学 一种用于锂离子电池尺寸可控硅纳米管的合成方法
CN107611415A (zh) * 2017-08-04 2018-01-19 西南石油大学 一种锂离子电池球形多孔硅负极材料的制备方法
CN108408717A (zh) * 2018-03-19 2018-08-17 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种毫米级多孔二氧化硅/碳杂化球的制备方法
CN109817929A (zh) * 2019-01-25 2019-05-28 安徽师范大学 一种螺旋状二氧化硅/四氧化三钴复合纳米材料及其制备方法和在锂离子电池中的应用
CN109817928A (zh) * 2019-01-25 2019-05-28 安徽师范大学 一种螺旋状二氧化硅/氧化铁复合纳米材料及其制备方法和在锂离子电池中的应用

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106848275A (zh) * 2017-03-09 2017-06-13 湘潭大学 一种锂离子电池负极材料硅气凝胶的制备方法
CN107611415A (zh) * 2017-08-04 2018-01-19 西南石油大学 一种锂离子电池球形多孔硅负极材料的制备方法
CN107352544A (zh) * 2017-08-11 2017-11-17 贵州大学 一种用于锂离子电池尺寸可控硅纳米管的合成方法
CN108408717A (zh) * 2018-03-19 2018-08-17 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种毫米级多孔二氧化硅/碳杂化球的制备方法
CN109817929A (zh) * 2019-01-25 2019-05-28 安徽师范大学 一种螺旋状二氧化硅/四氧化三钴复合纳米材料及其制备方法和在锂离子电池中的应用
CN109817928A (zh) * 2019-01-25 2019-05-28 安徽师范大学 一种螺旋状二氧化硅/氧化铁复合纳米材料及其制备方法和在锂离子电池中的应用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘漫红等: "《纳米材料及其制备工艺》", 31 August 2014, 冶金工业出版社 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112850716A (zh) * 2021-02-04 2021-05-28 昆明理工大学 一种镁热还原制备纳米级多孔晶体Si的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110562985B (zh) 2021-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105236486B (zh) 一种高性能锂离子电池正极材料五氧化二钒空心微球及制备方法
CN110042503B (zh) 一种MoSe2@C电纺中空纳米纤维及其制备方法和应用
CN103579593A (zh) 电极活性材料、二次电池和制备多孔氧化硅基复合物的方法
CN111162256A (zh) 一种混合聚阴离子型钠离子电池正极材料及其制备
CN111747396A (zh) 一种氮磷掺杂二维碳/硅复合物及其制备方法和应用
CN108598439B (zh) 一种三氧化钨/石墨烯复合负极材料的制备方法
JP5953624B2 (ja) Ｓｉ／Ｃ複合体の製造方法
CN114975928B (zh) 一种氧化亚硅介孔原位生长碳纳米管复合材料及其制备方法和在锂离子电池中的应用
CN112510173A (zh) 中空负极材料、其制备方法及含有其的锂离子电池
CN109494399A (zh) 一种硅/固态电解质纳米复合材料及其制备方法和应用
CN106784823B (zh) 一种锂离子电池正极材料钒酸锂的合成方法
CN110562985B (zh) 一种多孔结构硅纳米线的制备方法及其应用
CN112980436B (zh) 一种碳量子点衍生碳纳米片复合二氧化硅负极材料及其制备方法
CN112289985B (zh) 一种C@MgAl2O4复合包覆改性的硅基负极材料及其制备方法
CN105481004A (zh) 一种高电学性能二氧化锡纳米管及其制备方法
CN110797522B (zh) 氮掺杂倒刺状碳纳米球/硫复合材料及其制备方法和应用
CN109888232A (zh) 一种锂离子电池多孔纳米硅-碳复合负极材料及其制备方法
CN107768650B (zh) 锂离子电池负极材料及其制备方法
CN106684383B (zh) 介孔二氮化三钼纳米线及其制备方法和应用
WO2019024221A1 (zh) 一种高首效长寿命的硅碳负极材料制备方法
CN111261856B (zh) 一种碳片笼包覆多孔硅材料及其制备方法和应用
CN109728265B (zh) 一种n掺杂的多孔硅基复合材料及其制备方法和用途
CN103579597A (zh) 锂离子二次电池负极材料钛酸锂复合材料及制备方法
CN108417830B (zh) 一种镍锰酸锂正极材料及其制备方法
CN104953099A (zh) 一种锂离子电池负极材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant