CN110544665A - 背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜 - Google Patents

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Abstract

提供背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜。背面密合薄膜适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、能够以贴接于半导体芯片的背面的状态实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查。提供具备该背面密合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜。作为本发明的背面密合薄膜的薄膜含有在可见光和近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收的多个吸光成分。对由薄膜准备的厚度25μm的薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的总透光率相对于对同一试样片测定的波长1800nm的光线的总透光率的比值为1.2以上。切割带一体型背面密合薄膜X具备切割带(20)和以可剥离的方式密合于其粘合剂层(22)的薄膜(10)。

Description

背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜
技术领域
本发明涉及能用于覆盖保护半导体芯片的背面的背面密合薄膜、及具备这种背面密合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜。
背景技术
具备进行了倒装芯片安装的半导体芯片的半导体装置中，在该芯片中与形成有电路的所谓表面相反的里面和/或背面上，有时设置成为保护膜的薄膜。另外，要求在半导体芯片上的这种背面密合薄膜上，利用可见光区域的波长的激光能适当地刻印文字信息、图形信息等各种信息。对于这种背面密合薄膜，记载于例如下述的专利文献1～3中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-250970号公报
专利文献2：日本特开2008-6386号公报
专利文献3：日本特开2008-166451号公报
发明内容
发明要解决的问题
对半导体芯片用的背面密合薄膜有时要求红外线遮蔽功能。这是因为有时红外线对于半导体芯片的电路的输入/输出信号而言会成为噪音。另外，半导体芯片越薄，该芯片在其厚度方向受到红外线照射时透过该芯片厚度方向的红外线的量越有增大的倾向。因此，有半导体芯片越薄型化，背面密合薄膜对红外线遮蔽功能的要求越强的倾向。
另一方面，对于半导体芯片，作为用于检查有无裂纹、缺口等的检查，有时实施基于红外线显微镜观察的检查。该检查中大多使用处于900～1200nm的波长范围内的红外线。
另外，在具备倒装芯片安装型的半导体芯片的半导体装置的制造过程中，有时使用与半导体晶圆相对应的尺寸的圆盘形状的背面密合薄膜与切割带贴合而成的复合薄膜(切割带一体型背面密合薄膜)。
本发明是基于如上所述的实际情况而想到的，其目的在于，提供适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、并且能够在贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查的背面密合薄膜。另外，本发明的另一目的在于提供具备这种背面密合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜。
用于解决问题的方案
根据本发明的第1方面，提供背面密合薄膜。该背面密合薄膜含有多个吸光成分，所述多个吸光成分在可见光及近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收。本发明中，可见光及近红外线的波长区域是指360～2500nm的波长区域。对由该背面密合薄膜准备的厚度25μm的背面密合薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的第2总透光率相对于对相同试样片测定的波长1800nm的光线的第1总透光率的比的值为1.2以上，优选为1.4以上、更优选为1.6以上。
本背面密合薄膜如上所述含有在可见光及近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收的多个吸光成分。这种构成适于实现在可见光及近红外线的波长区域内具有夹在透光性相对较低的两个波长区域(透光性低区域)中的、透光性相对较高的波长区域(透光性高区域)的背面密合薄膜，例如，适于实现在可见光及近红外线的波长区域内具有夹在透光性低区域中的、1000nm及其附近的透光性高区域的背面密合薄膜。对于本背面密合薄膜，1000nm及其附近的波长区域的透光性高对于能够在背面密合薄膜贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查而言是适合的。对于本背面密合薄膜，在波长比1000nm及其附近的透光性高区域长的一侧存在透光性低区域对于确保背面密合薄膜的良好的红外线遮蔽性而言是适合的。对于本背面密合薄膜，在波长比1000nm及其附近的透光性高区域短的一侧存在透光性低区域对于确保背面密合薄膜的良好的可见光吸收性而言是适合的、进而对于确保可见光区域的波长的激光的刻印性(激光标记性)而言是适合的。
而且，本背面密合薄膜中，上述第2总透光率相对于上述第1总透光率的比的值为1.2以上，优选为1.4以上、更优选为1.6以上。这种构成对于本背面密合薄膜在1800nm及其附近的波长区域与1000nm及其附近的波长区域之间透光性存在显著的差异、并且实现在1000nm及其附近的局部波长区域的高透光性与在整个红外线区域中的实际的光遮蔽性(即，低的平均透过率)的平衡而言是适合的。
如上所述，本背面密合薄膜适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、并且能够在贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查。
具备倒装芯片安装型的半导体芯片的半导体装置的制造过程中，如上所述，有时使用切割带一体型背面密合薄膜。该情况下，作为从半导体晶圆向半导体芯片的单片化手法，有时采用所谓隐形切割。隐形切割中，在半导体晶圆被保持在作为复合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜的背面密合薄膜侧的状态下，例如从与复合薄膜相反的一侧对半导体晶圆沿其分割预定线照射聚光点聚集在晶圆内部的激光，通过由多光子吸收引起的烧蚀，在该半导体晶圆内形成改性区域。改性区域为用于将半导体晶圆分离为半导体芯片单元的脆弱化区域。作为这样的隐形切割中的激光，大多利用处于1050～1100nm的波长范围内的红外线。
本发明的背面密合薄膜如上所述适合以在1000nm及其附近具有局部的透光性高区域的方式来构成。这样的本背面密合薄膜适于实现在整个红外线区域中的实际的光遮蔽性(即低的平均透过率)与隐形切割中的激光透过性、即对半导体晶圆的隐形切割激光加工性的平衡。本背面密合薄膜适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、并且能够在贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查，而且也适于确保隐形切割中的激光加工性。
本背面密合薄膜的第2总透光率优选为50％以上、更优选为60％以上、更优选为70％以上、更优选为75％以上、更优选为80％以上。这种构成从能够在本背面密合薄膜贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查的方面考虑是优选的。另外，该构成在本背面密合薄膜采用上述的切割带一体型背面密合薄膜的形态的情况下适于确保隐形切割中的上述激光加工性。
本背面密合薄膜的第1总透光率优选为40％以下、更优选为35％以下、更优选为30％以下、更优选为25％以下、更优选为20％以下。这种构成从确保本背面密合薄膜在整个红外线区域中的实际的光遮蔽性(即，低的平均透过率)的方面考虑是优选的。
本背面密合薄膜优选包含在1200～2000nm的波长区域具有最大吸收的颜料作为上述的多个吸光成分之一。这种构成从实现在1000nm及其附近的局部波长区域的高透光性与在整个红外线区域中的实际的光遮蔽性(即，低的平均透过率)的上述平衡的方面考虑是优选的。
本背面密合薄膜中所含的颜料的平均粒径优选为10μm以下。这种构成从抑制本背面密合薄膜内的光散射的方面考虑是优选的。光散射的该抑制有助于实现本背面密合薄膜在1000nm及其附近的局部波长区域的高透光性。
对由本背面密合薄膜准备的厚度25μm的背面密合薄膜试样片测定的、波长500nm的光线的第3总透光率优选为40％以下、更优选为35％以下、更优选为30％以下。这种构成对于本背面密合薄膜确保良好的可见光吸收性而言是适合的、进而适于确保激光标记性。
本背面密合薄膜优选包含在可见光区域具有最大吸收的染料作为上述的多个吸光成分之一。这种构成从实现关于第3总透光率的上述构成的方面考虑是优选的。
本背面密合薄膜优选含有平均粒径为10μm以下的填料。填料优选为二氧化硅填料。本背面密合薄膜含有填料这样的构成从调整本背面密合薄膜的弹性模量、屈服点强度、断裂伸长率等物性的方面考虑是优选的。另外，本背面密合薄膜中的填料的平均粒径为10μm以下这样的构成从抑制本背面密合薄膜内的光散射的方面考虑是优选的。光散射的该抑制有助于实现本背面密合薄膜在1000nm及其附近的局部波长区域的高透光性。
根据本发明的第2方面，提供切割带一体型背面密合薄膜。该切割带一体型背面密合薄膜具备切割带和上述第1方面的背面密合薄膜。切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构。背面密合薄膜以可剥离的方式密合于切割带的粘合剂层。
这种构成的切割带一体型背面密合薄膜可以在半导体装置的制造过程中用于得到带有芯片背面保护膜形成用的薄膜的半导体芯片。而且根据本切割带一体型背面密合薄膜，其背面密合薄膜能享受与本发明的第1方面的背面密合薄膜的上述效果同样的技术效果。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的切割带一体型背面密合薄膜的截面示意图。
图2表示使用图1所示的切割带一体型背面密合薄膜的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图3表示使用图1所示的切割带一体型背面密合薄膜的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图4表示使用图1所示的切割带一体型背面密合薄膜的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图5表示使用图1所示的切割带一体型背面密合薄膜的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图6表示使用图1所示的切割带一体型背面密合薄膜的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图7表示使用图1所示的切割带一体型背面密合薄膜的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图8表示使用图1所示的切割带一体型背面密合薄膜的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图9表示使用图1所示的切割带一体型背面密合薄膜的半导体装置制造方法中的一部分工序。
附图标记说明
X 切割带一体型背面密合薄膜
10、10’ 薄膜(背面密合薄膜)
20 切割带
21 基材
22 粘合剂层
30 晶圆
30a 改性区域
31 芯片
具体实施方式
图1为本发明的一个实施方式的切割带一体型背面密合薄膜X的截面示意图。切割带一体型背面密合薄膜X在半导体装置制造过程中可以用于得到带有半导体芯片背面保护膜形成用的尺寸与芯片相当的薄膜的半导体芯片，为具有层叠结构的复合薄膜，所述层叠结构包含与作为工件的半导体晶圆对应的尺寸的圆盘形状的薄膜10和切割带20。薄膜10具体而言为贴合于作为工件的半导体晶圆的电路非形成面即背面的背面密合薄膜。切割带20具有包含基材21和粘合剂层22的层叠结构。薄膜10以可剥离的方式密合于粘合剂层22。
作为背面密合薄膜的薄膜10具有：贴接工件的第1面10a、及与其相反的切割带20侧的第2面10b。在半导体装置的制造过程中对第2面10b实施激光标记。另外，薄膜10在本实施方式中为具有热固化性的层。
薄膜10可以具有包含热固化性树脂和热塑性树脂的组成，也可以具有包含热塑性树脂的组成，所述热塑性树脂带有可与固化剂反应而产生键合的热固化性官能团。
作为薄膜10具有包含热固化性树脂和热塑性树脂的组成时的该热固化性树脂，例如，可列举出环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、及热固化性聚酰亚胺树脂。薄膜10可以含有一种热固化性树脂，也可以含有两种以上热固化性树脂。从具有可成为半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等含量少的倾向的方面出发，环氧树脂优选作为薄膜10中的热固化性树脂，所述半导体芯片为由薄膜10如后述那样形成的背面保护膜的保护对象。另外，作为用于使环氧树脂表现热固化性的固化剂，优选酚醛树脂。
作为环氧树脂，例如可列举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、及四苯羟基乙烷型环氧树脂等二官能环氧树脂、多官能环氧树脂。作为环氧树脂，也可列举出乙内酰脲型环氧树脂、异氰脲酸三缩水甘油酯型环氧树脂、及缩水甘油胺型环氧树脂。另外，薄膜10可以含有一种环氧树脂，也可以含有两种以上环氧树脂。
酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂而起作用，作为这样的酚醛树脂，例如，可列举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、及壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂。另外，作为该酚醛树脂，也可列举出甲阶酚醛型酚醛树脂、及聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。作为薄膜10中的酚醛树脂，特别优选的为苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。另外，薄膜10可以含有一种酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂、也可以含有两种以上酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂。
薄膜10含有环氧树脂和作为其固化剂的酚醛树脂的情况下，以相对于环氧树脂中的环氧基1当量、酚醛树脂中的羟基优选为0.5～2.0当量、更优选为0.8～1.2当量的比例配混两树脂。这种构成从在薄膜10的固化时使该环氧树脂及酚醛树脂的固化反应充分进行的方面考虑是优选的。
对于薄膜10含有热固化性树脂时该热固化性树脂的含有比例，从使薄膜10适当地固化的观点出发，优选为5～60质量％、更优选为10～50质量％。
薄膜10中的热塑性树脂担当例如粘结剂功能，作为薄膜10具有包含热固化性树脂和热塑性树脂的组成时的该热塑性树脂，例如，可列举出丙烯酸类树脂、天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、及氟树脂。薄膜10可以含有一种热塑性树脂，也可以含有两种以上热塑性树脂。从离子性杂质少且耐热性高的方面出发，丙烯酸类树脂作为薄膜10中的热塑性树脂是优选的。
对于薄膜10含有丙烯酸类树脂作为热塑性树脂时的该丙烯酸类树脂，优选以质量比例计含有最多的源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”。
作为用于形成丙烯酸类树脂的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸类树脂的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸的甲基酯、乙基酯、丙基酯、异丙基酯、丁基酯、异丁基酯、仲丁基酯、叔丁基酯、戊基酯、异戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、异辛基酯、壬基酯、癸基酯、异癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作为(甲基)丙烯酸环烷基酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸的环戊基酯及环己基酯。作为(甲基)丙烯酸芳基酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作为丙烯酸类树脂的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，也可以使用两种以上(甲基)丙烯酸酯。另外，丙烯酸类树脂可以将用于形成其的原料单体聚合而得到。作为聚合手法，例如，可列举出溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、及悬浮聚合。
对于丙烯酸类树脂，例如为了其内聚力、耐热性的改性，可以将可与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上其他单体作为构成单体。作为这样的单体，例如，可列举出含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含环氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、及丙烯腈。作为含羧基单体，例如，可列举丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、及巴豆酸。作为酸酐单体，例如，可列举出马来酸酐及衣康酸酐。作为含羟基单体，例如，可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯。作为含环氧基单体，例如，可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯。作为含磺酸基单体，例如，可列举出苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、及(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸。作为含磷酸基单体，例如，可列举出2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯。
薄膜10中所含的丙烯酸类树脂优选为从丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、丙烯酸、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、及(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯中适宜选择的单体的共聚物。这种构成从兼顾作为背面密合薄膜的薄膜10的基于激光标记的刻印信息的视觉识别性和后述的割断用扩展工序中的良好的割断性的方面考虑是优选的。
薄膜10具有包含带有热固化性官能团的热塑性树脂的组成的情况下，作为该热塑性树脂，例如，可以使用含热固化性官能团的丙烯酸类树脂。用于形成该含热固化性官能团丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂优选以质量比例计含有最多源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。作为这样的(甲基)丙烯酸酯，例如，可以使用与作为薄膜10中含有的丙烯酸类树脂的构成单体而在上面叙述的例子同样的(甲基)丙烯酸酯。对于用于形成含热固化性官能团丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂，例如为了其内聚力、耐热性的改性，可以包含源自可与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上其他单体的单体单元。作为这样的单体，例如，可以使用作为用于形成薄膜10中的丙烯酸类树脂的可与(甲基)丙烯酸酯共聚的其他单体而在上面叙述的例子。另一方面，作为用于形成含热固化性官能团的丙烯酸类树脂的热固化性官能团，例如，可列举出缩水甘油基、羧基、羟基、及异氰酸酯基。这些当中，可以适当地使用缩水甘油基及羧基。即，作为含热固化性官能团的丙烯酸类树脂，可以适当地使用含缩水甘油基的丙烯酸类树脂、含羧基的丙烯酸类树脂。另外，根据含热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的热固化性官能团的种类来选择可与其发生反应的固化剂。含热固化性官能团的丙烯酸类树脂的热固化性官能团为缩水甘油基的情况下，作为固化剂，可以使用与作为环氧树脂用固化剂在上面叙述的例子同样的酚醛树脂。
用于形成薄膜10的组合物优选含有热固化催化剂。热固化催化剂在薄膜10形成用组合物中的配混从在薄膜10的固化时使树脂成分的固化反应充分进行、提高固化反应速度的方面考虑是优选的。作为这样的热固化催化剂，例如，可列举出咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三卤代硼烷系化合物。作为咪唑系化合物，例如，可列举出2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸盐、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪异氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、及2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑。作为三苯基膦系化合物，例如，可列举出三苯基膦、三(丁基苯基)膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、四苯基溴化鏻、甲基三苯基溴化鏻、甲基三苯基氯化鏻、甲氧基甲基三苯基氯化鏻、及苄基三苯基氯化鏻。三苯基膦系化合物也包含兼有三苯基膦结构和三苯基硼烷结构的化合物。作为这样的化合物，例如，可列举出四苯基鏻四苯基硼酸盐、四苯基鏻四对甲苯基硼酸鏻、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鏻、及三苯基膦三苯基硼烷。作为胺系化合物，例如，可列举出单乙醇胺三氟硼酸酯及双氰胺。作为三卤代硼烷系化合物，例如可列举出三氯硼烷。薄膜10形成用组合物可以含有一种热固化催化剂，也可以含有两种以上热固化催化剂。
薄膜10含有多个吸光成分，所述多个吸光成分在可见光及近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收。该吸光成分可以为颜料，也可以为染料。可见光及近红外线的波长区域是指360～2500nm的波长区域。对于含有这样的多个吸光成分的薄膜10而言，对由其准备的厚度25μm的背面密合薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的第2总透光率相对于对同一试样片测定的波长1800nm的光线的第1总透光率的比的值设定为1.2以上，优选设定为1.4以上、更优选设定为1.6以上。薄膜10的第1总透光率优选为40％以下、更优选为35％以下、更优选为30％以下、更优选为25％以下、更优选为20％以下。薄膜10的第2总透光率优选为50％以上、更优选为60％以上、更优选为70％以上、更优选为75％以上、更优选为80％以上。另外，对由薄膜10准备的厚度25μm的背面密合薄膜试样片测定的波长500nm的光线的第3总透光率优选为40％以下、更优选为35％以下、更优选为30％以下。
薄膜10优选含有在1200～2000nm的波长区域具有最大吸收的颜料作为吸光成分。作为这样的近红外线吸收颜料，例如，可列举出氧化铟锡、氧化锑锡、氧化锌、铅白、锌钡白、氧化钛、氧化铬、氧化铁、氧化铝、沉降性硫酸钡、重晶石粉、铅丹、氧化铁红、铬黄、锌黄、群青蓝、亚铁氰化铁钾(potassium iron ferrocyanide)、锆石灰(zircon gray)、镨黄、铬钛黄、铬绿、孔雀绿、维多利亚绿、钒锆蓝、铬锡粉(chrome tin pink)、钛黑、钨化合物、及金属硼化物。另外，作为近红外线吸收颜料，例如，也可列举出包含金属元素(Co、Cr、Cu、Mn、Ru、Fe、Ni、Sn、Ti、Ag、Al等)的金属氧化物、金属氮化物等黑色颜料。薄膜10可以含有一种红外线吸收颜料，也可以含有两种以上红外线吸收颜料。
薄膜10含有红外线吸收颜料时的该颜料的平均粒径优选为10μm以下、更优选为5μm以下、更优选为1μm以下。该颜料的平均粒径可以使用例如光度式的粒度分布计(商品名“LA-910”，HORIBA,Ltd.制作所制)来求出。
薄膜10含有红外线吸收颜料时的该颜料的含量优选为0.1体积％以上、更优选为0.2体积％以上。该含量优选为10体积％以下、更优选为8体积％以下。
薄膜10可以含有在1200～2000nm的波长区域具有最大吸收的染料作为吸光成分。作为这样的红外线吸收染料，例如，可列举出花青色素、酞菁色素、萘酞菁色素、亚胺鎓(immonium)色素、胺鎓色素、喹啉鎓色素、吡喃鎓(pyrylium)色素、Ni络合物色素、吡咯并吡咯色素、铜络合物色素、四萘嵌三苯(quaterrylene)系色素、偶氮系色素、蒽醌系色素、二亚铵系色素、方酸盐系色素、及卟啉系色素。薄膜10可以含有一种红外线吸收染料，也可以含有两种以上红外线吸收染料。
薄膜10优选含有在可见光区域具有最大吸收的染料作为吸光成分之一。可见光区域是指360～800nm的波长区域。作为这样的可见光吸收染料，例如，可列举出蒽醌系染料、紫环酮系染料、苝系染料、喹啉系染料、喹吖啶酮系染料、苯并咪唑酮系染料、偶氮系染料、异吲哚啉酮系染料、异吲哚啉系染料、二噁嗪系染料、及酞菁系染料。薄膜10可以含有一种可见光吸收染料，也可以含有两种以上可见光吸收染料。
薄膜10含有可见光吸收染料时的该染料的含量优选为0.2质量％以上、更优选为0.5质量％以上。该含量优选为10质量％以下、更优选为5质量％以下。
薄膜10可以含有填料。填料向薄膜10的配混从调整薄膜10的弹性模量、屈服点强度、断裂伸长率等物性的方面考虑是优选的。作为填料，可列举出无机填料及有机填料。作为无机填料的构成材料，例如，可列举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶质二氧化硅、及非晶质二氧化硅。作为无机填料的构成材料，也可列举出铝、金、银、铜、镍等单质金属、合金、非晶碳、石墨等。作为有机填料的构成材料，例如，可列举出聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、及聚酯酰亚胺。薄膜10可以含有一种填料，也可以含有两种以上填料。作为薄膜10中的填料，特别优选二氧化硅填料。该填料可以具有球状、针状、片状等各种形状。
薄膜10含有填料时的该填料的平均粒径优选为10μm以下、更优选为5μm以下、更优选为3μm以下。填料的平均粒径可以使用例如光度式的粒度分布计(商品名“LA-910”，HORIBA,Ltd.制作所制)来求出。另外，薄膜10含有填料时的该填料的含量优选为10质量％以上、更优选为15质量％以上、更优选为20质量％以上。该含量优选为50质量％以下、更优选为47质量％以下、更优选为45质量％以下。
薄膜10根据需要可以含有一种或两种以上其他成分。作为该其他成分，例如，可列举出阻燃剂、硅烷偶联剂、及离子捕捉剂。
薄膜10的厚度例如为3μm以上，优选为5μm以上、更优选为10μm以上、更优选为15μm以上、更优选为20μm以上。另外，薄膜10的厚度例如为100μm以下。
薄膜10可以具有多层结构。例如，薄膜10可以具有如下层叠结构：用于承担薄膜10的第1面10a侧要求的特性的第1面10a侧的第1层与用于承担薄膜10的第2面10b侧要求的特性的第2面10b侧的第2层的层叠结构。
本实施方式的薄膜10如上所述含有多个吸光成分，所述多个吸光成分在可见光及近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收。这种构成适于实现在可见光及近红外线的波长区域内具有夹在透光性相对较低的两个波长区域(透光性低区域)中的、透光性相对较高的波长区域(透光性高区域)的背面密合薄膜，例如，适于实现在可见光及近红外线的波长区域内具有夹在透光性低区域中的1000nm及其附近的透光性高区域的背面密合薄膜。对于薄膜10，在1000nm及其附近的波长区域的透光性高对于能在薄膜10贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查而言是适合的。对于薄膜10，在波长比1000nm及其附近的透光性高区域长的一侧存在透光性低区域对于确保薄膜10的良好的红外线遮蔽性而言是适合的。对于薄膜10，在波长比1000nm及其附近的透光性高区域短的一侧存在透光性低区域对于确保薄膜10的良好的可见光吸收性而言是适合的、进而适于确保可见光区域的波长的激光的刻印性(激光标记性)。
而且，对于薄膜10，如上所述，第2总透光率(波长1000nm的光线的总透光率)相对于第1总透光率(波长1800nm的光线的总透光率)的比的值为1.2以上，优选为1.4以上、更优选为1.6以上。这种构成适合于使薄膜1在1800nm及其附近的波长区域与1000nm及其附近的波长区域之间透光性存在显著差异、并且实现在1000nm及其附近的局部波长区域的高透光性与在整个红外线区域中的实际的光遮蔽性(即，低的平均透过率)的平衡。
如上所述，薄膜10适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、并且能够在贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查。
具备倒装芯片安装型的半导体芯片的半导体装置的制造过程中，如上所述，有时使用切割带一体型背面密合薄膜。该情况下，作为从半导体晶圆向半导体芯片的单片化手法，有时采用隐形切割。作为这样的隐形切割中的激光，大多利用处于1050～1100nm的波长范围内的红外线。
对于作为背面密合薄膜的薄膜10，如上所述，适合以在1000nm及其附近具有局部的透光性高区域的方式来构成。这样的薄膜10适于实现在整个红外线区域中的实际的光遮蔽性(即，低的平均透过率)与隐形切割中的激光透过性即对半导体晶圆的隐形切割激光加工性的平衡。薄膜10适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、并且能够在贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查，而且也适于确保隐形切割中的激光加工性。
薄膜10的第2总透光率如上所述优选为50％以上、更优选为60％以上、更优选为70％以上、更优选为75％以上、更优选为80％以上。这种构成从能够在薄膜10贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查的方面考虑是优选的。另外，该构成在本背面密合薄膜采用后述的切割带一体型背面密合薄膜的形态的情况下适于确保隐形切割中的激光加工性。
薄膜10的第1总透光率如上所述优选为40％以下、更优选为35％以下、更优选为30％以下、更优选为25％以下、更优选为20％以下。这种构成从确保薄膜10在整个红外线区域中的实际的光遮蔽性(即，低的平均透过率)的方面考虑是优选的。
薄膜10如上所述优选包含在1200～2000nm的波长区域具有最大吸收的颜料作为上述的多个吸光成分之一。这种构成从实现在1000nm及其附近的局部波长区域的高透光性与在整个红外线区域中的实际的光遮蔽性(即，低的平均透过率)的上述平衡的方面考虑是优选的。
薄膜10中所含的颜料的平均粒径如上所述优选为10μm以下。这种构成从抑制在薄膜10内的光散射的方面考虑是优选的。光散射的该抑制有助于实现薄膜10在1000nm及其附近的局部波长区域的高透光性。
对由薄膜10准备的厚度25μm的背面密合薄膜试样片测定的波长500nm的光线的第3总透光率(波长500nm的光的总透光率)如上所述优选为40％以下、更优选为35％以下、更优选为30％以下。这种构成适合于确保薄膜10的良好的可见光吸收性、进而适于确保激光标记性。
薄膜10如上所述优选包含在可见光区域具有最大吸收的染料作为上述的多个吸光成分之一。这种构成从实现有关第3总透光率的上述构成的方面考虑是优选的。
薄膜10如上所述优选含有平均粒径10μm以下的填料。薄膜10中的填料的平均粒径为10μm以下这样的构成从抑制在薄膜10内的光散射的方面考虑是优选的。光散射的该抑制有助于实现薄膜10在1000nm及其附近的局部波长区域的高透光性。
切割带一体型背面密合薄膜X中的切割带20的基材21为在切割带20和/或切割带一体型背面密合薄膜X中作为支撑体而起作用的要素。基材21例如为塑料基材，作为该塑料基材，可以适当地使用塑料薄膜。作为塑料基材的构成材料，例如，可列举出聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯基硫醚、芳纶、氟树脂、纤维素系树脂、及有机硅树脂。作为聚烯烃，例如，可列举出低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作为聚酯，例如，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、及聚对苯二甲酸丁二醇酯。基材21可以由一种材料形成，也可由两种以上材料形成。基材21可以具有单层结构，也可以具有多层结构。基材21上的粘合剂层22如后述那样为紫外线固化性的情况下，基材21优选具有紫外线透过性。基材21由塑料薄膜形成的情况下，可以为无拉伸薄膜，可以为单轴拉伸薄膜，也可以为双轴拉伸薄膜。
对于基材21的粘合剂层22侧的表面，可以实施用于提高与粘合剂层22的密合性的物理处理、化学处理、或底涂处理。作为物理处理，例如，可列举出电晕处理、等离子体处理、沙消光加工处理(sand mat treatment)、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理、及电离辐射线处理。作为化学处理，例如可列举出铬酸处理。
对于基材21的厚度，从确保基材21作为切割带20和/或切割带一体型背面密合薄膜X中的支撑体而起作用的强度的观点出发，优选为40μm以上、更优选为50μm以上、更优选为60μm以上。另外，从切割带20和/或切割带一体型背面密合薄膜X实现适度的挠性的观点出发，基材21的厚度优选为200μm以下、更优选为180μm以下、更优选为150μm以下。
切割带20的粘合剂层22含有粘合剂。该粘合剂可以为在切割带一体型背面密合薄膜X的使用过程中可以通过来自外部的作用有意地使粘合力降低的粘合剂(粘合力可降低型粘合剂)，也可以为在切割带一体型背面密合薄膜X的使用过程粘合力基本或完全不因来自外部的作用而降低的粘合剂(粘合力不降低型粘合剂)。对于使用粘合力可降低型粘合剂还是使用粘合力不降低型粘合剂作为粘合剂层22中的粘合剂，可以根据使用切割带一体型背面密合薄膜X进行单片化的半导体芯片的单片化的手法、条件等切割带一体型背面密合薄膜X的使用方式来适宜选择。使用粘合力可降低型粘合剂作为粘合剂层22中的粘合剂的情况下，在切割带一体型背面密合薄膜X的使用过程中，可以分开使用粘合剂层22表现出相对较高的粘合力的状态和表现出相对较低的粘合力的状态。
作为这样的粘合力可降低型粘合剂，例如，可列举出在切割带一体型背面密合薄膜X的使用过程中可通过辐射线照射而固化的粘合剂(辐射线固化性粘合剂)。本实施方式的粘合剂层22可以使用一种粘合力可降低型粘合剂，也可以使用两种以上粘合力可降低型粘合剂。另外，可以粘合剂层22的整体由粘合力可降低型粘合剂形成，也可以粘合剂层22的一部分由粘合力可降低型粘合剂形成。例如，粘合剂层22具有单层结构的情况下，可以粘合剂层22的整体由粘合力可降低型粘合剂形成，也可以粘合剂层22的规定部位(例如，作为工件的贴接对象区域的中央区域)由粘合力可降低型粘合剂形成、并且其他部位(例如，为环框的贴接对象区域且位于中央区域的外侧的区域)由粘合力不降低型粘合剂形成。另外，粘合剂层22具有多层结构的情况下，可以是形成多层结构的全部层由粘合力可降低型粘合剂形成，也可以多层结构中的一部分层由粘合力可降低型粘合剂形成。
作为用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂，例如，可列举出通过电子束、紫外线、α射线、β射线、γ射线、或X射线的照射发生固化的类型的粘合剂，特别是可以适当地使用通过紫外线照射发生固化的类型的粘合剂(紫外线固化性粘合剂)。
作为用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂，例如，可列举出含有作为丙烯酸类粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物、和具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分的添加型的辐射线固化性粘合剂。
上述的丙烯酸类聚合物优选以质量比例计含有最多源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。对于用于形成丙烯酸类聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸类聚合物的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯，更具体而言，可列举出与关于薄膜10中的丙烯酸类树脂而在上面叙述的例子同样的(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，也可以使用两种以上(甲基)丙烯酸酯。另外，从粘合剂层22适当地表现基于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面出发，丙烯酸类聚合物的构成单体整体中的(甲基)丙烯酸酯的比例优选为40质量％以上、更优选为60质量％以上。
对于丙烯酸类聚合物，例如为了其内聚力、耐热性的改性，可以包含源自可与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上其他单体的单体单元。作为这样的单体，例如，可列举出含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含环氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、及丙烯腈，更具体而言，可列举出作为能与用于形成薄膜10中的丙烯酸类树脂的(甲基)丙烯酸酯共聚的其他单体而在上面叙述的例子。
对于丙烯酸类聚合物，为了在其聚合物骨架中形成交联结构，可以包含源自可与(甲基)丙烯酸酯等单体成分共聚的多官能性单体的单体单元。作为这样的多官能性单体，例如，可列举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。“(甲基)丙烯酸酯”是指“丙烯酸酯”和/或“甲基丙烯酸酯”。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，可以使用一种多官能性单体，也可以使用两种以上多官能性单体。从粘合剂层22适当地表现出基于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面出发，丙烯酸类聚合物的构成单体整体中的多官能性单体的比例优选为40质量％以下、更优选为30质量％以下。
丙烯酸类聚合物可以使用于形成其的原料单体聚合而得到的。作为聚合手法，例如，可列举出溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、及悬浮聚合。从使用切割带20和/或切割带一体型背面密合薄膜X的半导体装置制造过程中的高度的洁净性的观点出发，优选切割带20和/或切割带一体型背面密合薄膜X中的粘合剂层22中的低分子量物质少，因此，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为10万以上、更优选为20万～300万。
对于粘合剂层22和/或用于形成其的粘合剂，为了提高丙烯酸类聚合物等基础聚合物的重均分子量，例如，可以含有外部交联剂。作为用于与丙烯酸类聚合物等基础聚合物反应从而形成交联结构的外部交联剂，可列举出多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交联剂。对于粘合剂层22和/或用于形成其的粘合剂的外部交联剂的含量，相对于基础聚合物100质量份，优选为5质量份以下、更优选为0.1～5质量份。
作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性单体成分，例如，可列举出氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性低聚物成分，例如，可列举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，分子量为100～30000左右的低聚物是适当的。对于辐射线固化性粘合剂中的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分的总含量，在能适当地使形成的粘合剂层22的粘合力降低的范围内决定，相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份，优选为5～500质量份、更优选为40～150质量份。另外，作为添加型的辐射线固化性粘合剂，例如可以使用日本特开昭60-196956号公报中公开的物质。
作为用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂，例如，也可列举出含有在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的基础聚合物的内在型的辐射线固化性粘合剂。这样的内在型的辐射线固化性粘合剂从能抑制形成的粘合剂层22内的低分子量成分的移动所引起的粘合特性的不期望的经时变化的方面考虑是适当的。
作为内在型的辐射线固化性粘合剂中含有的基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物为基本骨架。作为形成这样的基本骨架的丙烯酸类聚合物，可以采用上述的丙烯酸类聚合物。作为辐射线聚合性的碳-碳双键向丙烯酸类聚合物的导入手法，例如可列举出如下方法：使包含具有规定的官能团(第1官能团)的单体的原料单体共聚而得到丙烯酸类聚合物后，使具有与第1官能团之间可发生反应从而键合的规定官能团(第2官能团)和辐射线聚合性碳-碳双键的化合物在保持碳-碳双键的辐射线聚合性的状态下与丙烯酸类聚合物发生缩合反应或加成反应的方法。
作为第1官能团与第2官能团的组合，例如，可列举出羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与氮丙啶基、氮丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基。这些组合之中，从反应追踪的容易性的观点出发，优选羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合。另外，由于制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物的技术难度高，因此从丙烯酸类聚合物的制作或获得的容易性的观点出发，更优选丙烯酸类聚合物侧的上述第1官能团为羟基并且上述第2官能团为异氰酸酯基。该情况下，作为兼具辐射线聚合性碳-碳双键和作为第2官能团的异氰酸酯基的化合物、即含辐射线聚合性的不饱和官能团的异氰酸酯化合物，例如，可列举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、及间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。
用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如，可列举出α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、及酰基膦酸酯。作为α-酮醇系化合物，例如，可列举出4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、及1-羟基环己基苯基酮。作为苯乙酮系化合物，例如，可列举出甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲基硫代)-苯基]-2-吗啉基丙烷-1-酮。作为苯偶姻醚系化合物，例如，可列举出苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、及茴香偶姻甲基醚。作为缩酮系化合物，例如可列举出苯偶酰二甲基缩酮。作为芳香族磺酰氯系化合物，例如可列举出2-萘磺酰氯。作为光活性肟系化合物，例如，可列举出1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作为二苯甲酮系化合物，例如，可列举出二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、及3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作为噻吨酮系化合物，例如，可列举出噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、及2,4-二异丙基噻吨酮。粘合剂层22中的辐射线固化性粘合剂中的光聚合引发剂的含量相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份例如为0.05～20质量份。
作为上述的粘合力不降低型粘合剂，例如，可列举出预先通过辐射线照射使关于粘合力可降低型粘合剂而在上面叙述的辐射线固化性粘合剂固化的形态的粘合剂、所谓压敏型粘合剂等。辐射线固化性粘合剂根据其含有聚合物成分的种类及含量，在发生辐射线固化从而粘合力降低的情况下也会显示起因于该聚合物成分的粘合性，从而能发挥可用于以规定的使用方式将被粘物粘合保持的粘合力。本实施方式的粘合剂层22可以使用一种粘合力不降低型粘合剂，也可以使用两种以上粘合力不降低型粘合剂。另外，可以粘合剂层22的整体由粘合力不降低型粘合剂形成，也可以粘合剂层22的一部分由粘合力不降低型粘合剂形成。例如，粘合剂层22具有单层结构的情况下，可以粘合剂层22的整体由粘合力不降低型粘合剂形成，也可以如上所述，粘合剂层22的规定的部位(例如，为环框的贴接对象区域且位于晶圆的贴接对象区域的外侧的区域)由粘合力不降低型粘合剂形成、并且其他部位(例如，作为晶圆的贴接对象区域的中央区域)由粘合力可降低型粘合剂形成。另外，粘合剂层22具有多层结构的情况下，可以是形成多层结构的全部层由粘合力不降低型粘合剂形成，也可以多层结构中的一部分层由粘合力不降低型粘合剂形成。
另一方面，作为用于粘合剂层22的压敏型粘合剂，例如，可以使用以丙烯酸类聚合物为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂。粘合剂层22含有丙烯酸类粘合剂作为压敏型粘合剂的情况下，作为该丙烯酸类粘合剂的基础聚合物的丙烯酸类聚合物优选以质量比例计含有最多源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元。作为这样的丙烯酸类聚合物，例如，可列举出关于辐射线固化性粘合剂而在上面叙述的丙烯酸类聚合物。
粘合剂层22和/或用于形成其的粘合剂在上述各成分的基础上，还可以含有交联促进剂、增粘剂、防老化剂、颜料、染料等着色剂等。着色剂可以为受辐射线照射而发生着色的化合物。作为这样的化合物，例如可列举出隐色染料。
粘合剂层22的厚度例如为2～20μm。这种构成例如从粘合剂层22包含辐射线固化性粘合剂的情况下获得该粘合剂层22的辐射线固化前后对薄膜10的粘合力的平衡的方面考虑是适当的。
具有如上所述的构成的切割带一体型背面密合薄膜X例如可以如下来制造。
切割带一体型背面密合薄膜X中的薄膜10的制作中，首先，将薄膜10形成用的树脂组合物涂布于规定的隔离膜上从而形成树脂组合物层。接着，通过加热使隔离膜上的该树脂组合物层干燥及固化。作为隔离膜，例如，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、以及利用氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。作为树脂组合物的涂布手法，例如，可列举出辊涂覆、丝网涂覆、及凹版涂覆。薄膜10的制作中，加热温度例如为90～160℃，加热时间例如为2～4分钟。
对于切割带一体型背面密合薄膜X的切割带20，可以通过在准备的基材21上设置粘合剂层22来制作。例如树脂制的基材21可以通过压延制膜法、有机溶剂中的流延法、密闭体系中的吹塑挤出、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等制膜手法来制作。根据需要对制膜后的薄膜和/或基材21实施规定的表面处理。在粘合剂层22的形成中，例如，制备粘合剂层形成用的粘合剂组合物后，首先，将该组合物涂布于基材21上或规定的隔离膜上从而形成粘合剂组合物层。作为粘合剂组合物的涂布手法，例如，可列举出辊涂覆、丝网涂覆、及凹版涂覆。接着，对该粘合剂组合物层通过加热、根据需要使其干燥，另外根据需要使其发生交联反应。加热温度例如为80～150℃，加热时间例如为0.5～5分钟。粘合剂层22形成于隔离膜上时，将该带有隔离膜的粘合剂层22贴合于基材21，然后，将隔离膜剥离。由此，制作具有基材21与粘合剂层22的层叠结构的切割带20。
切割带一体型背面密合薄膜X的制作中，接着，将薄膜10的薄膜10侧贴合于切割带20的粘合剂层22侧。贴合温度例如为30～50℃，贴合压力(线压)例如为0.1～20kgf/cm。粘合剂层22包含如上所述的辐射线固化性粘合剂的情况下，可以在该贴合前对粘合剂层22照射紫外线等辐射线，也可以在该贴合后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。或者在切割带一体型背面密合薄膜X的制造过程中，可以不进行这样的辐射线照射(该情况下，可以在切割带一体型背面密合薄膜X的使用过程中使粘合剂层22辐射线固化)。粘合剂层22为紫外线固化型的情况下，用于使粘合剂层22固化的紫外线照射量例如为50～500mJ/cm2。切割带一体型背面密合薄膜X中，粘合剂层22的进行作为粘合力降低措施的照射的区域(照射区域R)例如如图1所示为粘合剂层22的薄膜10贴合区域内的不包括其周缘部在内的区域。
如上所述地操作，能够制作切割带一体型背面密合薄膜X。对于切割带一体型背面密合薄膜X，可以在薄膜10侧以至少覆盖薄膜10的方式设置有隔离膜(图示略)。在薄膜10的尺寸比切割带20的粘合剂层22小、在粘合剂层22存在未贴合薄膜10的区域的情况下，例如，隔离膜可以以至少覆盖薄膜10及粘合剂层22的方式来设置。隔离膜为用于进行保护以使薄膜10、粘合剂层22不露出的要素，并在使用切割带一体型背面密合薄膜X时从该薄膜上被剥离。
图2～图6示出使用上述切割带一体型背面密合薄膜X的半导体装置制造方法的一例。
本半导体装置制造方法中，首先，如图2的(a)及图2的(b)所示，通过研削加工将晶圆W薄化。研削加工可以使用具备研削磨石的研削加工装置来进行。晶圆W为半导体晶圆，具有第1面Wa及第2面Wb。在晶圆W的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(图示略)、并且在第1面Wa上已经形成有该半导体元件所需的布线结构等(图示略)。第2面Wb为所谓背面。本工序中，将具有粘合面T1a的晶圆加工用带T1贴合于晶圆W的第1面Wa侧后，在将晶圆W保持于晶圆加工用带T1的状态下从第2面Wb进行研削加工直到晶圆W为规定的厚度为止，得到经薄化的晶圆30。
接着，如图3的(a)所示，将保持于晶圆加工用带T1的晶圆30贴合于切割带一体型背面密合薄膜X的薄膜10。其后，如图3的(b)所示，从晶圆30剥离晶圆加工用带T1。
接着，进行用于使薄膜10热固化的加热处理(固化(cure)工序)。加热温度例如为80～200℃。加热时间例如为0.5～5小时。加热处理具体而言例如在120℃下进行2小时。本工序中，通过薄膜10的热固化，切割带一体型背面密合薄膜X的薄膜10与晶圆30的密合力提高，切割带一体型背面密合薄膜X和/或其薄膜10的对晶圆的固定保持力提高。
接着，对切割带一体型背面密合薄膜X中的薄膜10从切割带20的基材21侧照射激光，进行激光标记(激光标记工序)。通过该激光标记，对每个随后单片化为半导体芯片的半导体元件刻印文字信息、图形信息等各种信息。本工序中，可以在一个激光标记工艺中对晶圆30内的多个半导体元件一次性效率良好地进行激光标记。作为本工序中使用的激光，例如，可列举出气体激光及固体激光。作为气体激光，例如，可列举出二氧化碳激光(CO2激光)及准分子激光。作为固体激光，例如可列举出Nd：YAG激光。
接着，在切割带一体型背面密合薄膜X中的粘合剂层22上贴附环框41后，如图4所示，进行利用切割装置所具备的切割刀片的切削加工(切割工序)。图4中，用粗线示意性地表示切削部位。本工序中，晶圆30单片化为芯片31，与此同时，切割带一体型背面密合薄膜X的薄膜10被切断成小片的薄膜10’。由此，得到带有芯片背面保护膜形成用的薄膜10’的芯片31、即带薄膜10’的芯片31。
切割带20的粘合剂层22含有辐射线固化性粘合剂的情况下，可以代替切割带一体型背面密合薄膜X的制造过程中的上述辐射线照射，在上述的切割工序后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。照射量例如为50～500mJ/cm2。切割带一体型背面密合薄膜X中，粘合剂层22的进行作为粘合力降低措施的照射的区域(图1所示的照射区域R)例如为粘合剂层22的薄膜10贴合区域内的不包括其周缘部在内的区域。
接着，根据需要经过用水等清洗液对带有带薄膜10’的芯片31的切割带20的芯片31侧进行清洗的清洁工序、用于扩大带薄膜10’的芯片31间的隔离距离的扩展工序后，如图5所示，从切割带20拾取带薄膜10’的芯片31(拾取工序)。例如，将带环框41的切割带一体型背面密合薄膜X保持于装置的保持器具42，然后在切割带20的图中下侧使拾取机构的针构件43上升从而隔着切割带20将拾取对象的带薄膜10’的芯片31顶起后，利用吸附夹具44进行吸附保持。拾取工序中，针构件43的顶起速度例如为1～100mm/秒，针构件43的顶起量例如为50～3000μm。
接着，如图6所示，对安装基板51倒装芯片安装带薄膜10’的芯片31。作为安装基板51，例如可列举出引线框、TAB(载带自动键合，Tape Automated Bonding)薄膜、及布线基板。芯片31借助凸块52与安装基板51进行电连接。具体而言，芯片31在其电路形成面侧具有的电极垫(pad)(图示略)与安装基板51所具有的端子部(图示略)借助凸块52进行电连接。凸块52例如为焊锡凸块。另外，在芯片31与安装基板51之间夹杂有热固化性的底部填充剂53。
如上所述地操作，可以使用切割带一体型背面密合薄膜X来制造半导体装置。
切割带一体型背面密合薄膜X也可以在进行隐形切割的半导体装置制造过程中使用。例如如下。
首先，在经过参照图3的上述工序对切割带一体型背面密合薄膜X进行了贴合的半导体晶圆30上如图7所示那样形成改性区域30a。本工序中，在半导体晶圆30被保持在切割带一体型背面密合薄膜X的状态下，从切割带一体型背面密合薄膜X的相反侧对半导体晶圆30沿其分割预定线照射聚光点聚集在晶圆内部的激光，通过由多光子吸收引起的烧蚀，在半导体晶圆30内形成改性区域30a。改性区域30a为用于将半导体晶圆30分离为半导体芯片单元的脆弱化区域。作为隐形切割用的激光、即隐形切割中的加工用激光，例如，可以使用波长为1064nm、1080nm、或1099nm的激光。对于半导体晶圆中通过激光照射在分割预定线上形成改性区域的方法，例如在日本特开2002-192370号公报中进行了详细叙述，可以在例如以下的条件范围内适宜调整本实施方式的激光照射条件。
〔激光照射条件〕
(A)激光
(B)聚光用透镜
倍率 100倍以下
NA 0.55
对激光波长的透过率 100％以下
(C)载置半导体基板的载置台的移动速度280mm/秒以下
接着，对切割带一体型背面密合薄膜X中的薄膜10从切割带20的基材21侧照射激光，进行激光标记(激光标记工序)。通过该激光标记，对每个随后单片化为半导体芯片的半导体元件赋予文字信息、图形信息等各种信息。本工序中，可以在一个激光标记工艺中对半导体晶圆30内的多个半导体元件一次性效率良好地进行激光标记。
也可以代替切割带一体型背面密合薄膜X的制造过程中的上述辐射线照射，在半导体晶圆30向薄膜10的贴合后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。照射量例如为50～500mJ/cm2。切割带一体型背面密合薄膜X中，进行作为粘合剂层22的粘合力降低措施的照射的区域(图1所示的照射区域R)例如为粘合剂层22的薄膜10贴合区域内的不包括其周缘部在内的区域。
接着，如图8的(a)及图8的(b)所示地进行在相对较低的温度条件下下的第1扩展工序(割断用的冷却扩展工序)，将半导体晶圆30单片化为多个半导体芯片31，同时切割带一体型背面密合薄膜X的薄膜10被割断成小片的薄膜10’，得到带薄膜的半导体芯片31。本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件45在切割带一体型背面密合薄膜X的图中下侧与切割带20抵接并上升，以沿着包括半导体晶圆30的径向及圆周方向的二维方向对贴合有半导体晶圆30的切割带一体型背面密合薄膜X的切割带20进行拉伸的方式来扩展。该扩展可以在切割带20产生例如1～100MPa的拉伸应力的条件下进行。本工序中的温度条件例如为0℃以下，优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。本工序中的扩展速度(顶起构件45上升的速度)例如为1～500mm/秒。另外，本工序中的扩展量(顶起构件45上升的距离)例如为50～400mm。通过这样的冷却扩展工序，切割带一体型背面密合薄膜X的薄膜10被割断成小片的薄膜10’，得到带薄膜的半导体芯片31。具体而言，本工序中，在半导体晶圆30中脆弱的改性区域30a形成裂纹，发生向半导体芯片31的单片化。与此同时，本工序中，与被扩展的切割带20的粘合剂层22密合的薄膜10在半导体晶圆30的各半导体芯片31密合的各区域中变形得以抑制，而在与晶圆的裂纹形成部位相对的部位不产生这样的变形抑制作用，在该状态下，切割带20中产生的拉伸应力发挥作用。其结果，薄膜10中与半导体芯片31间的裂纹形成部位相对的部位被割断。本工序后，如图8的(c)所示，使顶起构件45下降，解除切割带20的扩展状态。
接着，如图9的(a)所示那样进行相对较高的温度条件下的第2扩展工序，扩大带薄膜的半导体芯片31间的距离(间隔距离)。本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件45再次上升，扩展切割带一体型背面密合薄膜X的切割带20。第2扩展工序中的温度条件例如为10℃以上、优选为15～30℃。第2扩展工序中的扩展速度(顶起构件45上升的速度)例如为0.1～10mm/秒。另外，第2扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。以在后述的拾取工序中可从切割带20适当地拾取带薄膜的半导体芯片31的程度在本工序中扩大带薄膜的半导体芯片31的间隔距离。本工序后，如图9的(b)所示，使顶起构件45下降，解除切割带20的扩展状态。从抑制扩展状态解除后切割带20上的带薄膜的半导体芯片31的间隔距离变窄的方面考虑，优选在解除扩展状态前对切割带20的比半导体芯片31保持区域靠外侧的部分进行加热使其收缩。
也可以代替切割带一体型背面密合薄膜X的制造过程中的上述辐射线照射、半导体晶圆30向薄膜10贴合后的上述辐射线照射，在上述第1扩展工序或第2扩展工序后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。照射量例如为50～500mJ/cm2。切割带一体型背面密合薄膜X中进行作为粘合剂层22的粘合力降低措施的照射的区域(图1所示的照射区域R)例如为粘合剂层22的薄膜10贴合区域内的不包括其周缘部在内的区域。
接着，根据需要经过用水等清洗液对带有带薄膜的半导体芯片31的切割带20的半导体芯片31侧进行清洗的清洁工序后，进行用于从切割带20拾取带薄膜的半导体芯片31的拾取工序。具体而言，与参照图5的上述工序同样。将这样得到的带薄膜的半导体芯片31供于参照图6的上述的安装工序。如上所述地操作，能够制造半导体装置。
切割带一体型背面密合薄膜X如上所述在切割带20上具备作为背面密合薄膜的薄膜10。这种构成的切割带一体型背面密合薄膜X例如在如上所述的半导体装置的制造过程中能够效率良好地供给发挥上述技术效果的薄膜10(即，适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、并且能够在贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查的薄膜10)。
实施例
〔实施例1〕
首先，将环氧树脂E1(商品名“KI-3000-4”，东都化成株式会社制)40质量份、环氧树脂E2(商品名“JER YL980”，三菱化学株式会社制)60质量份、酚醛树脂(商品名“MEH7851-SS”，明和化成株式会社制)100质量份、丙烯酸类树脂(商品名“Teisan Resin SG-P3”，重均分子量为85万，玻璃化转变温度Tg为12℃，Nagase ChemteX Corporation制)90质量份、填料F1(商品名“SO-25R”，二氧化硅，平均粒径为0.5μm，Admatechs Company Limited制)220质量份、热固化催化剂(商品名“Curezol 2PZ”，四国化成工业株式会社制)10质量份、近红外线吸收颜料P1(商品名“E-ITO”，氧化铟锡，平均粒径为30nm，Mitsubishi MaterialsElectronic Chemicals Co.,Ltd.制)30质量份、和可见光吸收染料(商品名“OIL BLACKBS”，ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制)5质量份加入到甲乙酮中并混合，得到固体成分浓度36质量％的树脂组合物。接着，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离膜(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布该树脂组合物，形成树脂组合物层。接着，对该组合物层在130℃下进行2分钟的加热使其干燥及热固化，在PET隔离膜上制作厚度25μm的背面密合薄膜。将用于形成实施例1以及后述的实施例及比较例的背面密合薄膜的各树脂组合物的组成示于表1(表1中，表示组成的各数值的单位为该组成内的相对的“质量份”)。
〔实施例2、3〕
将近红外线吸收颜料P1的配混量设为60质量份(实施例2)或90质量份(实施例3)来代替30质量份，除此以外，与实施例1的背面密合薄膜同样地操作，制作实施例2、3的背面密合薄膜。
〔实施例4〕
代替填料F1 220质量份，使用填料F2(商品名“YA010”，二氧化硅，平均粒径为10nm，Admatechs Company Limited制)220质量份，除此以外，与实施例1的背面密合薄膜同样地操作，制作实施例4的背面密合薄膜。
〔比较例1〕
不使用近红外线吸收颜料P1，除此以外，与实施例1的背面密合薄膜同样地操作，制作比较例1的背面密合薄膜。
〔比较例2〕
代替近红外线吸收颜料P1 30质量份，使用近红外线吸收颜料P2(重金属氧化物系颜料，在1600nm具有最大吸收波长并且平均粒径为20nm)30质量份，并且不使用可见光吸收染料(商品名“OIL BLACK BS”，ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制)，除此以外，与实施例1的背面密合薄膜同样地操作，制作比较例2的背面密合薄膜。
〔比较例3〕
不使用可见光吸收染料(商品名“OIL BLACK BS”，ORIENT CHEMICAL INDUSTRIESCO.,LTD.制)，除此以外，与实施例1的背面密合薄膜同样地操作，制作比较例3的背面密合薄膜。
〔比较例4〕
代替填料F1220质量份，使用填料F3(商品名“FB-105FD”，二氧化硅，平均粒径为11μm，电化株式会社制)220质量份，并且不使用近红外线吸收颜料P1，除此以外，与实施例1的背面密合薄膜同样地操作，制作比较例4的背面密合薄膜。
〈总透光率〉
对从实施例1～4及比较例1～4的各背面密合薄膜(厚度25μm)切出的试样片，使用紫外可见近红外分光光度计(商品名“V-670”，日本分光株式会社制)及积分球单元，测定300～2000nm的波长区域的总透光率光谱。从该光谱中抽出得到波长1800nm的光线的总透光率(第1总透光率T1)、波长1000nm的光线的总透光率(第2总透光率T2)、及波长532nm的光线的总透光率(第3总透光率T3)。将它们的值(％)及T2/T1的值示于表1。
〈红外线遮蔽性〉
对于实施例1～4及比较例1～4的各背面密合薄膜的红外线遮蔽性，将第1总透光率T1(1800nm的光线的总透光率)为40％以下的情况评价为“良”，将第1总透光率T1超过40％的情况评价为“不良”。将它们的评价结果示于表1。
〈红外线显微镜观察中的视觉识别性〉
对实施例1～4及比较例1～4的各背面密合薄膜，研究红外线显微镜观察中的视觉识别性。具体而言，首先，将背面密合薄膜贴合在表面形成有电路图案的基板的电路图案形成面。电路图案为1mm的线宽的铝布线的图案。接着，使用红外线显微镜，隔着背面密合薄膜观察基板表面的电路图案。使用的红外线显微镜为实体显微镜(商品名“SMZ 745T”，NikonCorporation制)与红外线照相机(商品名“MC-781P-0030”，Texas Instruments Inc.制)的复合装置。该观察中，将隔着背面密合薄膜能够清晰地确认到1mm宽度的图案的情况评价为红外线显微镜观察中的视觉识别性“良”，将隔着背面密合薄膜不能清晰地确认到1mm宽度的图案的情况评价为红外线显微镜观察中的视觉识别性“不良”。
〈隐形切割激光加工性〉
对实施例1～4及比较例1～4的各背面密合薄膜，研究隐形切割中的激光加工性。具体而言，首先，在具有基材与粘合剂层的层叠结构的切割带中的粘合剂层上使背面密合薄膜对齐贴合，制作切割带一体型背面密合薄膜。接着，在切割带一体型背面密合薄膜的背面密合薄膜周围的粘合剂层区域贴附环框后，将半导体晶圆(厚度300μm，直径12英寸)在温度80℃及压力0.15MPa的条件下贴合于背面密合薄膜面。接着，对切割带一体型背面密合薄膜上的半导体晶圆，隔着前述薄膜照射聚光点聚集在晶圆内部的波长1064nm的激光，在该半导体晶圆的内部形成改性区域(隐形切割)。对半导体晶圆沿其分割预定线(形成一个分区为2mm×2mm的格子状)照射激光。然后，对经过隐形切割的带有半导体晶圆的切割带一体型背面密合薄膜，在温度80℃下进行1小时的加热处理。
接着，使用分离扩片机(die Separator)装置(商品名“Die Separator DDS2300”，DISCO Inc.制)，用该装置所具备的冷却扩展单元进行割断用的冷却扩展工序。具体而言，对经过上述隐形切割的带有半导体晶圆的切割带一体型背面密合薄膜的切割带进行扩展，使切割带一体型背面密合薄膜上的半导体晶圆及直接保持其的背面密合薄膜产生割断。由此，半导体晶圆被单片化，得到带背面密合带薄膜的半导体芯片。该冷却扩展工序中，温度为-15℃、扩展速度为200mm/秒、扩展量(顶起部的顶起量)为15mm。而且，保持扩展状态1分钟后，在扩展速度1mm/秒及扩展量15mm的条件下再次进行切割带一体型背面密合薄膜的切割带的扩展。其后，对切割带一体型背面密合薄膜的切割带的背面密合薄膜周围的部分实施规定的加热收缩处理。
对在经过了以上过程(第1过程)的阶段中与背面密合薄膜一起发生割断的半导体芯片的边数相对于应当由半导体晶圆单片化的半导体芯片的四边的总数(上述分割预定线所形成的分区的四边的总数)的比例(割断率)进行研究。
对实施例1～4及比较例1～4的各背面密合薄膜，在隐形切割中使用波长1080nm的激光来代替波长1064nm的激光，除此以外，经过与从切割带一体型背面密合薄膜的制作到割断率研究为止的上述过程同样的过程(第2过程)。对实施例1～4及比较例1～4的各背面密合薄膜，在隐形切割中使用波长1099nm的激光来代替波长1064nm的激光，除此以外，经过与从切割带一体型背面密合薄膜的制作到割断率研究为止的上述过程同样的过程(第3过程)。对实施例1～4及比较例1～4的各背面密合薄膜，在隐形切割中使用波长1342nm的激光来代替波长1064nm的激光，除此以外，经过与从切割带一体型背面密合薄膜的制作到割断率研究为止的上述过程同样的过程(第4过程)。然后，对隐形切割中的激光加工性，将第1～第4的任意过程均产生了80％以上的割断率的背面密合薄膜评价为“良”，将第1～第4的任意过程均产生了不足80％的割断率的背面密合薄膜评价为“不良”。
〈激光标记性〉
对实施例1～4及比较例1～4的各背面密合薄膜进行激光标记性的研究。具体而言，首先，使用激光打标机(商品名“MD-S9910”，KEYENCE CORPORATION制)，利用532nm波长的绿激光在背面密合薄膜的表面刻印规定的文字列(激光标记)。该激光标记中，将照射激光的功率设为0.3W、将标记速度设为300mm/s、将Q开关频率设为10kHz。接着，使用显微镜(商品名“VHX-2000”，KEYENCE CORPORATION制)，在明视野条件下观察刻印文字。该观察中，将满足能够容易地视觉辨识(即，对比度清晰)(第1基准)及刻印文字的刻印最大深度为1μm以上(第2基准)这两者的情况评价为激光标记性“良”，将不满足第1及第2基准中至少一者的情况评价为激光标记性“不良”。将它们的评价结果示于表1。
[评价]
实施例1～4的背面密合薄膜均含有在可见光及近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收的多个吸光成分，上述第2总透光率相对于上述第1总透光率的比的值为1.2以上。这样的实施例1～4的各背面密合薄膜如上所述，红外线遮蔽性、红外线显微镜观察中的视觉识别性、隐形切割激光加工性、及激光标记性均得到了良好的评价结果。
[表1]
【表1】

Claims (10)

1.一种背面密合薄膜，其含有多个吸光成分，所述多个吸光成分在可见光及近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收，
对厚度25μm的背面密合薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的第2总透光率相对于对所述背面密合薄膜试样片测定的波长1800nm的光线的第1总透光率的比的值为1.2以上。
2.根据权利要求1所述的背面密合薄膜，其中，所述第2总透光率为50％以上。
3.根据权利要求1所述的背面密合薄膜，其中，所述第1总透光率为40％以下。
4.根据权利要求1所述的背面密合薄膜，其中，所述多个吸光成分包含在1200～2000nm的波长区域具有最大吸收的颜料。
5.根据权利要求4所述的背面密合薄膜，其中，所述颜料的平均粒径为10μm以下。
6.根据权利要求1所述的背面密合薄膜，其中，所述多个吸光成分包含在可见光区域具有最大吸收的染料。
7.根据权利要求1所述的背面密合薄膜，其中，含有平均粒径为10μm以下的填料。
8.根据权利要求7所述的背面密合薄膜，其中，所述填料为二氧化硅填料。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的背面密合薄膜，其中，对所述背面密合薄膜试样片测定的、波长500nm的光线的第3总透光率为40％以下。
10.一种切割带一体型背面密合薄膜，其具备：
切割带，其具有包含基材及粘合剂层的层叠结构，和
权利要求1～9中任一项所述的背面密合薄膜，其以可剥离的方式密合于所述粘合剂层。
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