KR20190135934A - 배면 밀착 필름 및 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 - Google Patents

배면 밀착 필름 및 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 Download PDF

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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 양호한 적외선 차폐성과 레이저 마크성을 확보하면서, 반도체 칩의 이면에 접착된 상태에서 당해 칩 이면측으로부터의 적외선 현미경 관찰에 의한 칩 검사를 실시 가능하게 하기에 적합한, 배면 밀착 필름을 제공한다. 또한, 그러한 배면 밀착 필름을 구비하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름을 제공한다.
[해결 수단] 본 발명의 배면 밀착 필름인 필름(10)은, 가시광과 근적외선의 파장 영역 내의 다른 파장에 각각이 흡수 극대를 갖는 복수의 흡광 성분을 함유한다. 필름(10)으로부터 준비되는 두께 25㎛의 필름 시료편에 대하여 측정되는, 파장 1800nm의 광선의 전체 광선 투과율에 대한, 동 시료편에 대하여 측정되는, 파장 1000nm의 광선의 전체 광선 투과율의 비의 값은, 1.2 이상이다. 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X는, 다이싱 테이프(20)와, 그 점착제층(22)에 박리 가능하게 밀착되어 있는 필름(10)을 구비한다.

Description

배면 밀착 필름 및 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 {BACK SURFACE ADHESION FILM AND DICING TAPE-COMBINED BACK SURFACE ADHESION FILM}
본 발명은, 반도체 칩의 이면을 피복 보호하기 위하여 사용하는 것이 가능한 배면 밀착 필름, 및 그러한 배면 밀착 필름을 구비하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름에 관한 것이다.
플립 칩 실장된 반도체 칩을 구비하는 반도체 장치에 있어서는, 당해 칩에서 회로가 형성된 소위 표면과는 반대의 이면 내지 배면 상에, 보호막을 이루는 필름이 마련되는 경우가 있다. 또한, 반도체 칩 상의 그러한 배면 밀착 필름에는, 가시광 영역의 파장의 레이저광에 의해 문자 정보나 도형 정보 등 각종 정보가 적절하게 각인될 수 있을 필요가 있다. 그러한 배면 밀착 필름에 대해서는, 예를 들어 하기의 특허문헌 1 내지 3에 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2007-250970호 공보 일본 특허 공개 제2008-6386호 공보 일본 특허 공개 제2008-166451호 공보
반도체 칩용의 배면 밀착 필름에는, 적외선 차폐 기능이 요구되는 경우가 있다. 적외선은, 반도체 칩의 회로의 입출력 신호에 있어서 노이즈가 되는 경우가 있기 때문이다. 또한, 반도체 칩이 얇을수록, 당해 칩이 그 두께 방향으로 적외선 조사를 받는 경우에 당해 칩을 그 두께 방향으로 투과하는 적외선의 양은, 증대되는 경향이 있다. 그 때문에, 반도체 칩의 박형화가 진행될수록, 배면 밀착 필름의 적외선 차폐 기능에 대한 요구는 강해지는 경향이 있다.
한편, 반도체 칩에 대해서는, 깨짐이나 결함의 유무 등을 체크하기 위한 검사로서, 적외선 현미경 관찰에 의한 검사가 실시되는 경우가 있다. 그 검사에는, 900 내지 1200nm의 파장 범위 내에 있는 적외선이 이용되는 경우가 많다.
또한, 플립 칩 실장형의 반도체 칩을 구비하는 반도체 장치의 제조 과정에서는, 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈의 원반 형상의 배면 밀착 필름과 다이싱 테이프가 접합된 복합 필름(다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름)이 사용되는 경우가 있다.
본 발명은, 이상과 같은 사정을 기초로 생각해 낸 것이며, 그 목적은, 양호한 적외선 차폐성과 레이저 마크성을 확보하면서, 반도체 칩의 이면에 접착된 상태에서 당해 칩 이면측으로부터의 적외선 현미경 관찰에 의한 칩 검사를 실시 가능하게 하기에 적합한, 배면 밀착 필름을 제공하는 데 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은, 그러한 배면 밀착 필름을 구비하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제1 측면에 의하면, 배면 밀착 필름이 제공된다. 이 배면 밀착 필름은, 가시광 및 근적외선의 파장 영역 내의 다른 파장에 각각이 흡수 극대를 갖는 복수의 흡광 성분을 함유한다. 본 발명에 있어서, 가시광 및 근적외선의 파장 영역이란, 360 내지 2500nm의 파장 영역을 말하는 것으로 한다. 이 배면 밀착 필름으로부터 준비되는 두께 25㎛의 배면 밀착 필름 시료편에 대하여 측정되는, 파장 1800nm의 광선의 제1 전체 광선 투과율에 대한, 동 시료편에 대하여 측정되는, 파장 1000nm의 광선의 제2 전체 광선 투과율의 비의 값은, 1.2 이상이고, 바람직하게는 1.4 이상, 보다 바람직하게는 1.6 이상이다.
본 배면 밀착 필름은, 상술한 바와 같이, 가시광 및 근적외선의 파장 영역 내의 다른 파장에 각각이 흡수 극대를 갖는 복수의 흡광 성분을 함유한다. 이와 같은 구성은, 광 투과성이 상대적으로 낮은 두 파장 영역(광 투과성 저영역) 사이에 끼워진, 광 투과성이 상대적으로 높은 파장 영역(광 투과성 고영역)을 가시광 및 근적외선의 파장 영역 내에 갖는 배면 밀착 필름을 실현하기에 적합하고, 예를 들어 광 투과성 저영역에 끼워진 1000nm 및 그 근방의 광 투과성 고영역을 가시광 및 근적외선의 파장 영역 내에 갖는 배면 밀착 필름을 실현하기에 적합하다. 본 배면 밀착 필름에 있어서 1000nm 및 그 근방의 파장 영역 광 투과성이 높은 것은, 배면 밀착 필름이 반도체 칩의 이면에 접착된 상태에서 당해 칩 이면측으로부터의 적외선 현미경 관찰에 의한 칩 검사를 실시 가능하게 하기에 적합하다. 본 배면 밀착 필름에 있어서 1000nm 및 그 근방의 광 투과성 고영역보다 장파장측에 광 투과성 저영역이 존재하는 것은, 배면 밀착 필름에 있어서 양호한 적외선 차폐성을 확보하기에 적합하다. 본 배면 밀착 필름에 있어서 1000nm 및 그 근방의 광 투과성 고영역보다 단파장측에 광 투과성 저영역이 존재하는 것은, 배면 밀착 필름에 있어서, 양호한 가시광 흡수성을 확보하기에 적합하고, 나아가서는, 가시광 영역의 파장 레이저광에 의한 각인성(레이저 마크성)을 확보하기에 적합하다.
게다가, 본 배면 밀착 필름은, 상기 제1 전체 광선 투과율에 대한 상기 제2 전체 광선 투과율의 비의 값이 1.2 이상이고, 바람직하게는 1.4 이상, 보다 바람직하게는 1.6 이상이다. 이와 같은 구성은, 본 배면 밀착 필름에 있어서, 1800nm 및 그 근방의 파장 영역과 1000nm 및 그 근방의 파장 영역 사이에서의 광 투과성에 유의한 차를 마련하면서, 1000nm 및 그 근방의 국소적인 파장 영역에서의 높은 광 투과성과, 적외선 영역 전체에서의 정미의 광 차폐성(즉, 낮은 평균 투과율)의, 밸런스를 도모하기에 적합하다.
이상과 같이, 본 배면 밀착 필름은, 양호한 적외선 차폐성과 레이저 마크성을 확보하면서, 반도체 칩의 이면에 접착된 상태에서 당해 칩 이면측으로부터의 적외선 현미경 관찰에 의한 칩 검사를 실시 가능하게 하기에 적합한 것이다.
플립 칩 실장형의 반도체 칩을 구비하는 반도체 장치의 제조 과정에서는, 상술한 바와 같이, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름이 사용되는 경우가 있다. 그 경우에 있어서, 반도체 웨이퍼로부터 반도체 칩으로의 개편화 방법으로서, 소위 스텔스 다이싱이 채용되는 경우가 있다. 스텔스 다이싱에서는, 복합 필름인 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름의 배면 밀착 필름측에 반도체 웨이퍼가 보유 지지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞춰진 레이저광이 예를 들어 복합 필름과는 반대의 측으로부터 반도체 웨이퍼에 대하여 그 분할 예정 라인을 따라 조사되고, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의하여 당해 반도체 웨이퍼 내에 개질 영역이 형성된다. 개질 영역은, 반도체 웨이퍼를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 취약화 영역이다. 이러한 스텔스 다이싱에 있어서의 레이저광으로서는, 1050 내지 1100nm의 파장 범위 내에 있는 적외선이 이용되는 경우가 많다.
본 발명에 따른 배면 밀착 필름은, 상술한 바와 같이, 1000nm 및 그 근방에 국소적인 광 투과성 고영역을 갖도록 구성되기에 적합하다. 이러한 본 배면 밀착 필름은, 적외선 영역 전체에서의 정미의 광 차폐성(즉, 낮은 평균 투과율)과, 스텔스 다이싱에 있어서의 레이저 투과성, 즉, 반도체 웨이퍼에 대한 스텔스 다이싱 레이저 가공성과의, 밸런스를 도모하기에 적합하다. 본 배면 밀착 필름은, 양호한 적외선 차폐성과 레이저 마크성을 확보하면서, 반도체 칩의 이면에 접착된 상태에서 당해 칩 이면측으로부터의 적외선 현미경 관찰에 의한 칩 검사를 실시 가능하게 하기에 적합한 것 외에, 스텔스 다이싱에 있어서의 레이저 가공성을 확보하기에도 적합한 것이다.
본 배면 밀착 필름의 제2 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 50％ 이상, 보다 바람직하게는 60％ 이상, 보다 바람직하게는 70％ 이상, 보다 바람직하게는 75％ 이상, 보다 바람직하게는 80％ 이상이다. 이와 같은 구성은, 본 배면 밀착 필름이 반도체 칩의 이면에 접착된 상태에서 당해 칩 이면 측으로부터의 적외선 현미경 관찰에 의한 칩 검사를 실시 가능하게 하는 데 있어서 바람직하다. 또한, 당해 구성은, 본 배면 밀착 필름이 상기 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름의 형태를 취하는 경우에 있어서, 스텔스 다이싱에 있어서의 상술한 레이저 가공성을 확보하기에 적합하다.
본 배면 밀착 필름의 제1 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 40％ 이하, 보다 바람직하게는 35％ 이하, 보다 바람직하게는 30％ 이하, 보다 바람직하게는 25％ 이하, 보다 바람직하게는 20％ 이하이다. 이와 같은 구성은, 본 배면 밀착 필름에 있어서, 적외선 영역 전체에서의 정미의 광 차폐성(즉, 낮은 평균 투과율)을 확보하는 데 있어서 바람직하다.
본 배면 밀착 필름은, 바람직하게는 1200 내지 2000nm의 파장 영역에 극대 흡수를 갖는 안료를 상술한 복수의 흡광 성분의 하나로서 포함한다. 이와 같은 구성은, 1000nm 및 그 근방의 국소적인 파장 영역에서의 높은 광 투과성과 적외선 영역 전체에서의 정미의 광 차폐성(즉, 낮은 평균 투과율)의 상술한 밸런스를 도모하는 데 있어서 바람직하다.
본 배면 밀착 필름에 포함되는 안료의 평균 입경은, 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 이와 같은 구성은, 본 배면 밀착 필름 내에서의 광 산란을 억제하는 데 있어서 바람직하다. 광 산란의 당해 억제는, 본 배면 밀착 필름에 있어서, 1000nm 및 그 근방의 국소적인 파장 영역에서의 높은 광 투과성의 실현에 이바지한다.
본 배면 밀착 필름으로부터 준비되는 두께 25㎛의 배면 밀착 필름 시료편에 대하여 측정되는, 파장 500nm의 광선의 제3 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 40％ 이하, 보다 바람직하게는 35％ 이하, 보다 바람직하게는 30％ 이하이다. 이와 같은 구성은, 본 배면 밀착 필름에 있어서, 양호한 가시광 흡수성을 확보하기에 적합하고, 나아가서는 레이저 마크성을 확보하기에 적합하다.
본 배면 밀착 필름은, 바람직하게는 가시광 영역에 극대 흡수를 갖는 염료를 상술한 복수의 흡광 성분의 하나로서 포함한다. 이와 같은 구성은, 제3 전체 광선 투과율에 관한 상기 구성을 실현하는 데 있어서 바람직하다.
본 배면 밀착 필름은, 바람직하게는 평균 입경 10㎛ 이하의 필러를 함유한다. 필러는 바람직하게는 실리카 필러이다. 본 배면 밀착 필름이 필러를 함유한다는 구성은, 본 배면 밀착 필름에 있어서, 그 탄성률이나, 항복점 강도, 파단 신도 등의 물성을 조정하는 데 있어서 바람직하다. 또한, 본 배면 밀착 필름 중의 필러의 평균 입경이 10㎛ 이하라고 하는 구성은, 본 배면 밀착 필름 내에서의 광 산란을 억제하는 데 있어서 바람직하다. 광 산란의 당해 억제는, 본 배면 밀착 필름에 있어서, 1000nm 및 그 근방의 국소적인 파장 영역에서의 높은 광 투과성의 실현에 이바지한다.
본 발명의 제2 측면에 의하면 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름이 제공된다. 이 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름은, 다이싱 테이프와, 상술한 제1 측면에 관한 배면 밀착 필름을 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 배면 밀착 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있다.
이와 같은 구성의 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름은, 반도체 장치의 제조 과정에 있어서, 칩 이면 보호막 형성용의 필름을 수반하는 반도체 칩을 얻는 데 사용하는 것이 가능하다. 그리고 본 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름에 의하면, 그 배면 밀착 필름에 있어서, 본 발명의 제1 측면에 관한 배면 밀착 필름에 대하여 상술한 것과 마찬가지의 기술적 효과를 향수하는 것이 가능하다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름의 단면 모식도이다.
도 2는, 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 3은, 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 4는, 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 5는, 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 6은, 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 7은, 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 8은, 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 9는, 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 단면 모식도이다. 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X는, 반도체 장치 제조 과정에 있어서, 반도체 칩 이면 보호막 형성용의 칩 상당 사이즈의 필름을 수반하는 반도체 칩을 얻는 데 있어서 사용할 수 있는 것이고, 워크인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈의 원반 형상의 필름(10)과 다이싱 테이프(20)를 포함하는 적층 구조를 갖는 복합 필름이다. 필름(10)은, 구체적으로는 워크인 반도체 웨이퍼의 회로 비형성면 즉 이면에 접합되게 되는 배면 밀착 필름이다. 다이싱 테이프(20)는, 기재(21)와 점착제층(22)을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 점착제층(22)에 대하여, 필름(10)은 박리 가능하게 밀착되어 있다.
배면 밀착 필름인 필름(10)은, 워크가 접착되게 되는 제1 면(10a), 및 이것과는 반대의 다이싱 테이프(20)측의 제2 면(10b)을 갖는다. 제2 면(10b)에는, 반도체 장치의 제조 과정에 있어서 레이저 마킹이 실시되게 된다. 또한, 필름(10)은, 본 실시 형태에서는 열경화성을 갖는 층이다.
필름(10)은, 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 되고, 경화제와 반응하여 결합을 발생할 수 있는 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 된다.
필름(10)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우의 당해 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지 및 열경화성 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 필름(10)은, 1종의 열경화성 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열경화성 수지를 함유해도 된다. 에폭시 수지는, 필름(10)으로부터 후기와 같이 형성되는 이면 보호막에 의한 보호의 대상인 반도체 칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 경향이 있는 점에서, 필름(10) 중의 열경화성 수지로서 바람직하다. 또한, 에폭시 수지에 열경화성을 발현시키기 위한 경화제로서는, 페놀 수지가 바람직하다.
에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 오르토 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지 및 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지로서는, 히단토인형 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트형 에폭시 수지 및 글리시딜아민형 에폭시 수지도 들 수 있다. 또한, 필름(10)은, 1종의 에폭시 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 에폭시 수지를 함유해도 된다.
페놀 수지는 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이고, 그러한 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀 노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸페놀 노볼락 수지 및 노닐 페놀 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지를 들 수 있다. 또한, 당해 페놀 수지로서는, 레졸형 페놀 수지, 및 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌도 들 수 있다. 필름(10) 중의 페놀 수지로서 특히 바람직한 것은, 페놀 노볼락 수지나 페놀 아르알킬 수지이다. 또한, 필름(10)은 에폭시 수지의 경화제로서, 1종의 페놀 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 페놀 수지를 함유해도 된다.
필름(10)이 에폭시 수지와 그의 경화제로서의 페놀 수지를 함유하는 경우, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대하여 페놀 수지 중의 수산기가 바람직하게는 0.5 내지 2.0당량, 보다 바람직하게는 0.8 내지 1.2당량인 비율로, 양쪽 수지는 배합된다. 이와 같은 구성은, 필름(10)의 경화에 있어서 당해 에폭시 수지 및 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시키는 데 있어서 바람직하다.
필름(10)의 열경화성 수지를 함유하는 경우의 그 열경화성 수지의 함유 비율은, 필름(10)을 적절하게 경화시킨다는 관점에서는, 바람직하게는 5 내지 60질량％, 보다 바람직하게는 10 내지 50질량％이다.
필름(10) 중의 열가소성 수지는 예를 들어 바인더 기능을 담당하는 것이고, 필름(10)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우의 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 아크릴 수지, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트나 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 포화폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지 및 불소 수지를 들 수 있다. 필름(10)은, 1종의 열가소성 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열가소성 수지를 함유해도 된다. 아크릴 수지는, 이온성 불순물이 적고 또한 내열성이 높은 점에서, 필름(10) 중의 열가소성 수지로서 바람직하다.
필름(10)이 열가소성 수지로서 아크릴 수지를 함유하는 경우의 당해 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 「(메트)아크릴」은, 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」을 의미하는 것으로 한다.
아크릴 수지의 모노머 유닛을 이루기 위한 (메트)아크릴산에스테르, 즉, 아크릴 수지의 구성 모노머인 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및 (메트)아크릴산아릴에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르 및 에이코실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 시클로펜틸에스테르 및 시클로헥실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산페닐 및 (메트)아크릴산벤질을 들 수 있다. 아크릴 수지의 구성 모노머로서, 1종의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 된다. 또한, 아크릴 수지는, 그것을 형성하기 위한 원료 모노머를 중합하여 얻을 수 있다. 중합 방법으로서는, 예를 들어 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합 및 현탁 중합을 들 수 있다.
아크릴 수지는, 예를 들어 그 응집력이나 내열성의 개질을 위해서, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 1종의 또는 2종류 이상의 다른 모노머를 구성 모노머로 해도 된다. 그러한 모노머로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드 및 아크릴로니트릴을 들 수 있다. 카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, (메트)아크릴산카르복시에틸, (메트)아크릴산카르복시펜틸, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 및 크로톤산을 들 수 있다. 산 무수물 모노머로서는, 예를 들어 무수 말레산 및 무수 이타콘산을 들 수 있다. 히드록시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, 및 (메트)아크릴산(4-히드록시메틸시클로헥실)메틸을 들 수 있다. 에폭시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산글리시딜 및 (메트)아크릴산메틸글리시딜을 들 수 있다. 술폰산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산을 들 수 있다. 인산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트를 들 수 있다.
필름(10)에 포함되는 아크릴 수지는, 바람직하게는 아크릴산부틸, 아크릴산에틸, 아크릴로니트릴, 아크릴산, (메트)아크릴산글리시딜 및 (메트)아크릴산메틸글리시딜로부터 적절하게 선택되는 모노머의 공중합체이다. 이와 같은 구성은, 배면 밀착 필름인 필름(10)에 있어서, 레이저 마킹에 의한 각인 정보의 시인성과 후술하는 할단용 익스팬드 공정에서의 양호한 할단성을 양립하는 데 있어서 바람직하다.
필름(10)이, 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우, 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 그러한 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 필름(10)에 함유되는 아크릴 수지의 구성 모노머로서 상기한 것과 마찬가지인 (메트)아크릴산에스테르를 사용할 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 아크릴 수지는, 예를 들어 그 응집력이나 내열성의 개질을 위해서, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 1종의 또는 2종류 이상의 다른 모노머에서 유래되는 모노머 유닛을 포함해도 된다. 그러한 모노머로서는, 예를 들어 필름(10) 중의 아크릴 수지를 이루기 위한 (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머로서 상기한 것을 사용할 수 있다. 한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기 및 이소시아네이트기를 들 수 있다. 이들 중, 글리시딜기 및 카르복시기를 적합하게 사용할 수 있다. 즉, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지로서는, 글리시딜기 함유 아크릴 수지나 카르복시기 함유 아크릴 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기의 종류에 따라, 그것과 반응을 발생할 수 있는 경화제가 선택된다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우, 경화제로서는, 에폭시 수지용 경화제로서 상기한 것과 마찬가지의 페놀 수지를 사용할 수 있다.
필름(10)을 형성하기 위한 조성물은, 바람직하게는 열경화 촉매를 함유한다. 필름(10) 형성용 조성물로의 열경화 촉매의 배합은, 필름(10)의 경화에 있어서 수지 성분의 경화 반응을 충분히 진행시키거나, 경화 반응 속도를 높이는 데 있어서, 바람직하다. 그러한 열경화 촉매로서는, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물 및 트리할로겐보란계 화합물을 들 수 있다. 이미다졸계 화합물로서는, 예를 들어 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 및 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸을 들 수 있다. 트리페닐포스핀계 화합물로서는, 예를 들어 트리페닐포스핀, 트리(부틸페닐)포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐톨릴포스핀, 테트라페닐포스포늄 브로마이드, 메틸트리페닐포스포늄 브로마이드, 메틸트리페닐포스포늄 클로라이드, 메톡시메틸트리페닐포스포늄 클로라이드 및 벤질트리페닐포스포늄 클로라이드를 들 수 있다. 트리페닐포스핀계 화합물에는, 트리페닐포스핀 구조와 트리페닐보란 구조를 병유하는 화합물도 포함되는 것으로 한다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트, 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 및 트리페닐포스핀트리페닐보란을 들 수 있다. 아민계 화합물로서는, 예를 들어 모노에탄올아민트리플루오로보레이트 및 디시안디아미드를 들 수 있다. 트리할로겐보란계 화합물로서는, 예를 들어 트리클로로보란을 들 수 있다. 필름(10) 형성용 조성물은, 1종의 열경화 촉매를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열경화 촉매를 함유해도 된다.
필름(10)은, 가시광 및 근적외선의 파장 영역 내의 다른 파장에 각각이 흡수 극대를 갖는 복수의 흡광 성분을 함유한다. 이 흡광 성분은, 안료여도 되고, 염료여도 된다. 가시광 및 근적외선의 파장 영역이란, 360 내지 2500nm의 파장 영역을 말하는 것으로 한다. 이러한 복수의 흡광 성분을 함유하는 필름(10)은, 그것으로부터 준비되는 두께 25㎛의 배면 밀착 필름 시료편에 대하여 측정되는, 파장 1800nm의 광선의 제1 전체 광선 투과율에 대한, 동 시료편에 대하여 측정되는, 파장 1000nm의 광선의 제2 전체 광선 투과율의 비의 값이, 1.2 이상으로 설정되고, 바람직하게는 1.4 이상, 보다 바람직하게는 1.6 이상으로 설정된다. 필름(10)의 제1 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 40％ 이하, 보다 바람직하게는 35％ 이하, 보다 바람직하게는 30％ 이하, 보다 바람직하게는 25％ 이하, 보다 바람직하게는 20％ 이하이다. 필름(10)의 제2 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 50％ 이상, 보다 바람직하게는 60％ 이상, 보다 바람직하게는 70％ 이상, 보다 바람직하게는 75％ 이상, 보다 바람직하게는 80％ 이상이다. 또한, 필름(10)으로부터 준비되는 두께 25㎛의 배면 밀착 필름 시료편에 대하여 측정되는, 파장 500nm의 광선의 제3 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 40％ 이하, 보다 바람직하게는 35％ 이하, 보다 바람직하게는 30％ 이하이다.
필름(10)은, 바람직하게는 1200 내지 2000nm의 파장 영역에 극대 흡수를 갖는 안료를 흡광 성분으로서 함유한다. 그러한 근적외선 흡수 안료로서는, 예를 들어 산화인듐주석, 산화안티몬주석, 산화아연, 연백, 리토폰, 산화티타늄, 산화크롬, 산화철, 산화알루미늄, 침강성 황산바륨, 바라이트분, 연단, 산화철 적, 황연, 아연황, 울트라마린 청, 페로시안화철 칼리, 지르콘 그레이, 프라세오디뮴 옐로우, 크롬티타늄 옐로우, 크롬 그린, 피콕 그린, 빅토리아 그린, 바나듐 지르코늄 청, 크롬주석 핑크, 티타늄 블랙, 텅스텐 화합물 및 금속 붕화물을 들 수 있다. 또한, 근적외선 흡수 안료로서는, 예를 들어 금속 원소(Co, Cr, Cu, Mn, Ru, Fe, Ni, Sn, Ti, Ag, Al 등)를 포함하는 금속 산화물이나 금속 질소물 등 흑색 안료도 들 수 있다. 필름(10)은, 1종의 적외선 흡수 안료를 함유해도 되고, 2종류 이상의 적외선 흡수 안료를 함유해도 된다.
필름(10)이 적외선 흡수 안료를 함유하는 경우의 당해 안료의 평균 입경은, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하이다. 당해 안료의 평균 입경은, 예를 들어 광도식의 입도 분포계(상품명 「LA-910」, 가부시키가이샤 호리바 세이사꾸쇼제)를 사용하여 구할 수 있다.
필름(10)이 적외선 흡수 안료를 함유하는 경우의 당해 안료의 함유량은, 바람직하게는 0.1체적％ 이상, 보다 바람직하게는 0.2체적％ 이상이다. 동 함유량은, 바람직하게는 10체적％ 이하, 보다 바람직하게는 8체적％ 이하이다.
필름(10)은, 1200 내지 2000nm의 파장 영역에 극대 흡수를 갖는 염료를 흡광 성분으로서 함유해도 된다. 그러한 적외선 흡수 염료로서는, 예를 들어 시아닌 색소, 프탈로시아닌 색소, 나프탈로시아닌 색소, 인모늄 색소, 아미늄 색소, 퀴놀륨 색소, 피릴륨 색소, Ni 착체 색소, 피롤로피롤 색소, 구리 착체 색소, 쿼터릴렌계 색소, 아조계 색소, 안트라퀴논계 색소, 디이모늄계 색소, 스쿠아릴륨계 색소 및 포르피린계 색소를 들 수 있다. 필름(10)은, 1종의 적외선 흡수 염료를 함유해도 되고, 2종류 이상의 적외선 흡수 염료를 함유해도 된다.
필름(10)은, 바람직하게는 가시광 영역에 극대 흡수를 갖는 염료를 흡광 성분의 하나로서 함유한다. 가시광 영역이란, 360 내지 800nm의 파장 영역을 말하는 것으로 한다. 그러한 가시광 흡수 염료로서는, 예를 들어 안트라퀴논계 염료, 페리논계 염료, 페릴렌계 염료, 퀴놀린계 염료, 퀴나크리돈계 염료, 벤즈이미다졸론계 염료, 아조계 염료, 이소인돌리논계 염료, 이소인돌린계 염료, 디옥사진계 염료 및 프탈로시아닌계 염료를 들 수 있다. 필름(10)은, 1종의 가시광 흡수 염료를 함유해도 되고, 2종류 이상의 가시광 흡수 염료를 함유해도 된다.
필름(10)이 가시광 흡수 염료를 함유하는 경우의 당해 염료의 함유량은, 바람직하게는 0.2질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량％ 이상이다. 동 함유량은, 바람직하게는 10질량％ 이하, 보다 바람직하게는 5질량％ 이하이다.
필름(10)은, 필러를 함유해도 된다. 필름(10)으로의 필러의 배합은, 필름(10)의 탄성률이나, 항복점 강도, 파단 신도 등의 물성을 조정하는 데 있어서 바람직하다. 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있다. 무기 필러의 구성 재료로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카 및 비정질 실리카를 들 수 있다. 무기 필러의 구성 재료로서는, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 단체 금속이나, 합금, 아몰퍼스 카본, 그래파이트 등도 들 수 있다. 유기 필러의 구성 재료로서는, 예를 들어 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드 및 폴리에스테르이미드를 들 수 있다. 필름(10)은, 1종의 필러를 함유해도 되고, 2종류 이상의 필러를 함유해도 된다. 필름(10) 중의 필러로서는 특히 실리카 필러가 바람직하다. 당해 필러는, 구상, 침상, 플레이크상 등 각종 형상을 가져도 된다.
필름(10)이 필러를 함유하는 경우의 당해 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식의 입도 분포계(상품명 「LA-910」, 가부시키가이샤 호리바 세이사꾸쇼제)를 사용하여 구할 수 있다. 또한, 필름(10)이 필러를 함유하는 경우의 당해 필러의 함유량은, 바람직하게는 10질량％ 이상, 보다 바람직하게는 15질량％ 이상, 보다 바람직하게는 20질량％ 이상이다. 동 함유량은, 바람직하게는 50질량％ 이하, 보다 바람직하게는 47질량％ 이하, 보다 바람직하게는 45질량％ 이하이다.
필름(10)은 필요에 따라, 1종의 또는 2종류 이상의 다른 성분을 함유해도 된다. 당해 다른 성분으로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 및 이온 트랩제를 들 수 있다.
필름(10)의 두께는, 예를 들어 3㎛ 이상이고, 바람직하게는 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 15㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상이다. 또한, 필름(10)의 두께는, 예를 들어 100㎛ 이하이다.
필름(10)은, 다층 구조를 가져도 된다. 예를 들어, 필름(10)은, 필름(10)에 있어서의 제1 면(10a)측에 요구되는 특성을 담당하기 위한 제1 면(10a)측의 제1 층과, 필름(10)에 있어서의 제2 면(10b)측에 요구되는 특성을 담당하기 위한 제2 면(10b)측의 제2 층의, 적층 구조를 가져도 된다.
본 실시 형태의 필름(10)은, 상술한 바와 같이, 가시광 및 근적외선의 파장 영역 내의 다른 파장에 각각이 흡수 극대를 갖는 복수의 흡광 성분을 함유한다. 이와 같은 구성은, 광 투과성이 상대적으로 낮은 두 파장 영역(광 투과성 저영역)에 끼워진, 광 투과성이 상대적으로 높은 파장 영역(광 투과성 고영역)을 가시광 및 근적외선의 파장 영역 내에 갖는 배면 밀착 필름을 실현하기에 적합하고, 예를 들어 광 투과성 저영역에 끼워진 1000nm 및 그 근방의 광 투과성 고영역을 가시광 및 근적외선의 파장 영역 내에 갖는 배면 밀착 필름을 실현하기에 적합하다. 필름(10)에 있어서 1000nm 및 그 근방의 파장 영역의 광 투과성이 높은 것은, 필름(10)이 반도체 칩의 이면에 접착된 상태에서 당해 칩 이면측으로부터의 적외선 현미경 관찰에 의한 칩 검사를 실시 가능하게 하기에 적합하다. 필름(10)에 있어서 1000nm 및 그 근방의 광 투과성 고영역보다 장파장측에 광 투과성 저영역이 존재하는 것은, 필름(10)에 있어서 양호한 적외선 차폐성을 확보하기에 적합하다. 필름(10)에 있어서 1000nm 및 그 근방의 광 투과성 고영역보다 단파장측에 광 투과성 저영역이 존재하는 것은, 필름(10)에 있어서, 양호한 가시광 흡수성을 확보하기에 적합하고, 나아가서는, 가시광 영역의 파장 레이저광에 의한 각인성(레이저 마크성)을 확보하기에 적합하다.
게다가, 필름(10)에 있어서는, 상술한 바와 같이, 제1 전체 광선 투과율(파장 1800nm의 광선의 전체 광선 투과율)에 대한 제2 전체 광선 투과율(파장 1000nm의 광선의 전체 광선 투과율)의 비의 값이 1.2 이상이고, 바람직하게는 1.4 이상, 보다 바람직하게는 1.6 이상이다. 이와 같은 구성은, 필름(10)에 있어서, 1800nm 및 그 근방의 파장 영역과 1000nm 및 그 근방의 파장 영역 사이에서 광 투과성에 유의한 차를 마련하면서, 1000nm 및 그 근방의 국소적인 파장 영역에서의 높은 광 투과성과, 적외선 영역 전체에서의 정미의 광 차폐성(즉, 낮은 평균 투과율)의, 밸런스를 도모하기에 적합하다.
이상과 같이, 필름(10)은, 양호한 적외선 차폐성과 레이저 마크성을 확보하면서, 반도체 칩의 이면에 접착된 상태에서 당해 칩 이면측으로부터의 적외선 현미경 관찰에 의한 칩 검사를 실시 가능하게 하기에 적합한 것이다.
플립 칩 실장형의 반도체 칩을 구비하는 반도체 장치의 제조 과정에서는, 상술한 바와 같이, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름이 사용되는 경우가 있다. 그 경우에 있어서, 반도체 웨이퍼로부터 반도체 칩으로의 개편화 방법으로서 스텔스 다이싱이 채용되는 경우가 있다. 이러한 스텔스 다이싱에 있어서의 레이저광으로서는, 1050 내지 1100nm의 파장 범위 내에 있는 적외선이 이용되는 경우가 많다.
배면 밀착 필름인 필름(10)은, 상술한 바와 같이, 1000nm 및 그 근방에 국소적인 광 투과성 고영역을 갖도록 구성되기에 적합하다. 이러한 필름(10)은, 적외선 영역 전체에서의 정미의 광 차폐성(즉, 낮은 평균 투과율)과, 스텔스 다이싱에 있어서의 레이저 투과성, 즉, 반도체 웨이퍼에 대한 스텔스 다이싱 레이저 가공성과의, 밸런스를 도모하기에 적합하다. 필름(10)은, 양호한 적외선 차폐성과 레이저 마크성을 확보하면서, 반도체 칩의 이면에 접착된 상태에서 당해 칩 이면측으로부터의 적외선 현미경 관찰에 의한 칩 검사를 실시 가능하게 하기에 적합한 것 외에, 스텔스 다이싱에 있어서의 레이저 가공성을 확보하기에도 적합한 것이다.
필름(10)의 제2 전체 광선 투과율은, 상술한 바와 같이, 바람직하게는 50％ 이상, 보다 바람직하게는 60％ 이상, 보다 바람직하게는 70％ 이상, 보다 바람직하게는 75％ 이상, 보다 바람직하게는 80％ 이상이다. 이와 같은 구성은, 필름(10)이 반도체 칩의 이면에 접착된 상태에서 당해 칩 이면측으로부터의 적외선 현미경 관찰에 의한 칩 검사를 실시 가능하게 하는 데 있어서 바람직하다. 또한, 당해 구성은, 본 배면 밀착 필름이 후기와 같은 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름의 형태를 취하는 경우에 있어서, 스텔스 다이싱에 있어서의 레이저 가공성을 확보하기에 적합하다.
필름(10)의 제1 전체 광선 투과율은, 상술한 바와 같이, 바람직하게는 40％ 이하, 보다 바람직하게는 35％ 이하, 보다 바람직하게는 30％ 이하, 보다 바람직하게는 25％ 이하, 보다 바람직하게는 20％ 이하이다. 이와 같은 구성은, 필름(10)에 있어서, 적외선 영역 전체에서의 정미의 광 차폐성(즉, 낮은 평균 투과율)을 확보하는 데 있어서 바람직하다.
필름(10)은, 상술한 바와 같이, 1200 내지 2000nm의 파장 영역에 극대 흡수를 갖는 안료를 상술한 복수의 흡광 성분의 하나로서 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성은, 1000nm 및 그 근방의 국소적인 파장 영역에서의 높은 광 투과성과 적외선 영역 전체에서의 정미의 광 차폐성(즉, 낮은 평균 투과율)의 상술한 밸런스를 도모하는 데 있어서 바람직하다.
필름(10)에 포함되는 안료의 평균 입경은, 상술한 바와 같이 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 이와 같은 구성은, 필름(10) 내에서의 광 산란을 억제하는 데 있어서 바람직하다. 광 산란의 당해 억제는, 필름(10)에 있어서, 1000nm 및 그 근방의 국소적인 파장 영역에서의 높은 광 투과성의 실현에 이바지한다.
필름(10)으로부터 준비되는 두께 25㎛의 배면 밀착 필름 시료편에 대하여 측정되는, 파장 500nm의 광선의 제3 전체 광선 투과율(파장 500nm의 광의 전체 광선 투과율)은, 상술한 바와 같이, 바람직하게는 40％ 이하, 보다 바람직하게는 35％ 이하, 보다 바람직하게는 30％ 이하이다. 이와 같은 구성은, 필름(10)에 있어서, 양호한 가시광 흡수성을 확보하기에 적합하고, 나아가서는 레이저 마크성을 확보하기에 적합하다.
필름(10)은, 상술한 바와 같이, 가시광 영역에 극대 흡수를 갖는 염료를 상술한 복수의 흡광 성분의 하나로서 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성은, 제3 전체 광선 투과율에 관한 상기 구성을 실현하는 데 있어서 바람직하다.
필름(10)은, 상술한 바와 같이, 평균 입경 10㎛ 이하의 필러를 함유하는 것이 바람직하다. 필름(10) 중의 필러의 평균 입경이 10㎛ 이하라고 하는 구성은, 필름(10) 내에서의 광 산란을 억제하는 데 있어서 바람직하다. 광 산란의 당해 억제는, 필름(10)에 있어서, 1000nm 및 그 근방의 국소적인 파장 영역에서의 높은 광 투과성의 실현에 이바지한다.
다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서의 다이싱 테이프(20)의 기재(21)는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서 지지체로서 기능하는 요소이다. 기재(21)는 예를 들어 플라스틱 기재이고, 당해 플라스틱 기재로서는 플라스틱 필름을 적합하게 사용할 수 있다. 플라스틱 기재의 구성 재료로서는, 예를 들어 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리페닐술피드, 아라미드, 불소 수지, 셀룰로오스계 수지 및 실리콘 수지를 들 수 있다. 폴리올레핀으로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체 및 에틸렌-헥센 공중합체를 들 수 있다. 폴리에스테르로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 및 폴리부틸렌테레프탈레이트를 들 수 있다. 기재(21)는, 1종의 재료로 이루어져 있어도 되고, 2종류 이상의 재료로 이루어져 있어도 된다. 기재(21)는, 단층 구조를 가져도 되고, 다층 구조를 가져도 된다. 기재(21) 상의 점착제층(22)이 후술하는 바와 같이 자외선 경화성인 경우, 기재(21)는 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 기재(21)는, 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 비연신 필름이어도 되고, 1축 연신 필름이어도 되고, 2축 연신 필름이어도 된다.
기재(21)에 있어서의 점착제층(22)측의 표면은, 점착제층(22)과의 밀착성을 높이기 위한 물리적 처리, 화학적 처리, 또는 하도 처리가 실시되어 있어도 된다. 물리적 처리로서는, 예를 들어 코로나 처리, 플라스마 처리, 샌드 매트 가공 처리, 오존 폭로 처리, 화염 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리 및 이온화 방사선 처리를 들 수 있다. 화학적 처리로서는 예를 들어 크롬산 처리를 들 수 있다.
기재(21)의 두께는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서의 지지체로서 기재(21)가 기능하기 위한 강도를 확보한다는 관점에서는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상이다. 또한, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서 적당한 가요성을 실현한다는 관점에서는, 기재(21)의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150㎛ 이하이다.
다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)은, 점착제를 함유한다. 이 점착제는, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해 의도적으로 점착력을 저감시키는 것이 가능한 점착제(점착력 저감 가능형 점착제)여도 되고, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 따라서는 점착력이 거의 또는 전혀 저감되지 않는 점착제(점착력 비저감형 점착제)여도 된다. 점착제층(22) 중의 점착제로서 점착력 저감 가능형 점착제를 사용할지 혹은 점착력 비저감형 점착제를 사용할지에 대해서는, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X를 사용하여 개편화되는 반도체 칩의 개편화 방법이나 조건 등, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 사용 양태에 따라, 적절하게 선택할 수 있다. 점착제층(22) 중의 점착제로서 점착력 저감 가능형 점착제를 사용하는 경우, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 사용 과정에 있어서, 점착제층(22)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태와 상대적으로 낮은 점착력을 나타내는 상태를, 구분지어 사용하는 것이 가능하다.
이러한 점착력 저감 가능형 점착제로서는, 예를 들어 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 사용 과정에 있어서 방사선 조사에 의해 경화시키는 것이 가능한 점착제(방사선 경화성 점착제)를 들 수 있다. 본 실시 형태의 점착제층(22)에서는, 1종의 점착력 저감 가능형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 저감 가능형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(22)의 전체가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)의 일부가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(22)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(22)의 전체가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)에 있어서의 소정의 부위(예를 들어, 워크의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 링 프레임의 접착 대상 영역이며, 중앙 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제로부터 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(22)이 다층 구조를 갖는 경우, 다층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 되고, 다층 구조 중의 일부의 층이 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 된다.
점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선 또는 X선의 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제를 들 수 있고, 자외선 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제(자외선 경화성 점착제)를 특히 적합하게 사용할 수 있다.
점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제된 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 함유하는, 첨가형의 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 아크릴계 폴리머의 모노머 유닛을 이루기 위한 (메트)아크릴산에스테르, 즉, 아크릴계 폴리머의 구성 모노머인 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르 및 (메트)아크릴산아릴에스테르를 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 필름(10)에 있어서의 아크릴 수지에 대하여 상기한 것과 마찬가지인 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 아크릴계 폴리머의 구성 모노머로서, 1종의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 된다. 또한, (메트)아크릴산에스테르에 따르는 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(22)으로 적절하게 발현시키는 데 있어서는, 아크릴계 폴리머의 구성 모노머 전체에 있어서의 (메트)아크릴산에스테르의 비율은, 바람직하게는 40질량％ 이상, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.
아크릴계 폴리머는, 예를 들어 그 응집력이나 내열성의 개질을 위해서, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 1종의 또는 2종류 이상의 다른 모노머에서 유래되는 모노머 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그러한 모노머로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드 및 아크릴로니트릴을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 필름(10) 중의 아크릴 수지를 이루기 위한 (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머로서 상기한 것을 들 수 있다.
아크릴계 폴리머는, 그 폴리머 골격 중에 가교 구조를 형성하기 위해서, (메트)아크릴산에스테르 등의 모노머 성분과 공중합 가능한 다관능성 모노머에서 유래되는 모노머 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그러한 다관능성 모노머로서, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트 및 우레탄(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 「(메트)아크릴레이트」는, 「아크릴레이트」 및/또는 「메타크릴레이트」를 의미하는 것으로 한다. 아크릴계 폴리머의 구성 모노머로서, 1종의 다관능성 모노머가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 다관능성 모노머가 사용되어도 된다. (메트)아크릴산에스테르에 따르는 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(22)으로 적절하게 발현시키는 데 있어서는, 아크릴계 폴리머의 구성 모노머 전체에 있어서의 다관능성 모노머의 비율은, 바람직하게는 40질량％ 이하, 보다 바람직하게는 30질량％ 이하이다.
아크릴계 폴리머는, 그것을 형성하기 위한 원료 모노머를 중합하여 얻을 수 있다. 중합 방법으로서는, 예를 들어 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합 및 현탁 중합을 들 수 있다. 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X가 사용되는 반도체 장치 제조 과정에 있어서의 고도의 청정성의 관점에서는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서의 점착제층(22) 중의 저분자량 물질은 적은 쪽이 바람직한 바, 아크릴계 폴리머의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 10만 이상, 보다 바람직하게는 20만 내지 300만이다.
점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제는, 아크릴계 폴리머 등 베이스 폴리머의 중량 평균 분자량을 높이기 위하여 예를 들어, 외부 가교제를 함유해도 된다. 아크릴계 폴리머 등 베이스 폴리머와 반응하여 가교 구조를 형성하기 위한 외부 가교제로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물, 아지리딘 화합물 및 멜라민계 가교제를 들 수 있다. 점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제에 있어서의 외부 가교제의 함유량은, 베이스 폴리머 100질량부에 대하여, 바람직하게는 5질량부 이하, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량부이다.
방사선 경화성 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 및 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 방사선 경화성 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있고, 분자량 100 내지 30000 정도의 것이 적당하다. 방사선 경화성 점착제 중의 방사선 중합성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 총 함유량은, 형성되는 점착제층(22)의 점착력을 적절하게 저하시킬 수 있는 범위에서 결정되고, 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100질량부에 대하여, 바람직하게는 5 내지 500질량부이고, 보다 바람직하게는 40 내지 150질량부이다. 또한, 첨가형의 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시의 것을 사용해도 된다.
점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 폴리머 측쇄나, 폴리머 주쇄 중, 폴리머 주쇄 말단에 갖는 베이스 폴리머를 함유하는 내재형의 방사선 경화성 점착제도 들 수 있다. 이러한 내재형의 방사선 경화성 점착제는, 형성되는 점착제층(22) 내에서의 저분자량 성분의 이동에 기인하는 점착 특성의 의도치 않은 경시적 변화를 억제하는 데 있어서 적합하다.
내재형의 방사선 경화성 점착제에 함유되는 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 그러한 기본 골격을 이루는 아크릴계 폴리머로서는, 상술한 아크릴계 폴리머를 채용할 수 있다. 아크릴계 폴리머로의 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어 소정의 관능기(제1 관능기)를 갖는 모노머를 포함하는 원료 모노머를 공중합시켜서 아크릴계 폴리머를 얻은 후, 제1 관능기 사이에서 반응을 발생하여 결합할 수 있는 소정의 관능기(제2 관능기)와 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채 아크릴계 폴리머에 대하여 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을, 들 수 있다.
제1 관능기와 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기를 들 수 있다. 이들 조합 중, 반응 추적의 용이함의 관점에서는, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합이나, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이, 바람직하다. 또한, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 폴리머를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높으므로, 아크릴계 폴리머의 제작 또는 입수의 용이함의 관점에서는, 아크릴계 폴리머측의 상기 제1 관능기가 히드록시기이고 또한 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 경우가, 보다 바람직하다. 이 경우, 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합과 제2 관능기된 이소시아네이트기를 병유하는 화합물, 즉, 방사선 중합성의 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI), 및 m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트를 들 수 있다.
점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제는, 바람직하게는 광중합 개시제를 함유한다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화케톤, 아실포스핀옥시드 및 아실포스포네이트를 들 수 있다. α-케톨계 화합물로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'- 디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 및 1-히드록시시클로헥실페닐케톤을 들 수 있다. 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2,2-디에톡시아세토페논 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온을 들 수 있다. 벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 및 아니소인메틸에테르를 들 수 있다. 케탈계 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈을 들 수 있다. 방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐 클로라이드를 들 수 있다. 광 활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심을 들 수 있다. 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, 벤조일벤조산 및 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논을 들 수 있다. 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 및 2,4-디이소프로필티오크산톤을 들 수 있다. 점착제층(22)에 있어서의 방사선 경화성 점착제 중의 광중합 개시제의 함유량은, 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100질량부에 대하여 예를 들어 0.05 내지 20질량부이다.
상술한 점착력 비저감형 점착제로서는, 예를 들어 점착력 저감 가능형 점착제에 대하여 상술한 방사선 경화성 점착제를 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제나, 소위 감압형 점착제 등을, 들 수 있다. 방사선 경화성 점착제는, 그 함유 폴리머 성분의 종류 및 함유량에 따라서는, 방사선 경화되어서 점착력이 저감되었을 경우에 있어서도 당해 폴리머 성분에 기인하는 점착성을 나타낼 수 있고, 소정의 사용 양태로 피착체를 점착 보유 지지하기에 이용 가능한 점착력을 발휘하는 것이 가능하다. 본 실시 형태의 점착제층(22)에 있어서는, 1종의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(22)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)의 일부가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(22)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(22)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 상술한 바와 같이, 점착제층(22)에 있어서의 소정의 부위(예를 들어, 링 프레임의 접착 대상 영역이며, 웨이퍼의 접착 대상 영역의 외측에 있는 영역)이 점착력 비저감형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 웨이퍼의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(22)이 다층 구조를 갖는 경우, 다층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 다층 구조 중의 일부의 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다.
한편, 점착제층(22)을 위한 감압형 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제나 고무계 점착제를 사용할 수 있다. 점착제층(22)이 감압형 점착제로서 아크릴계 점착제를 함유하는 경우, 당해 아크릴계 점착제의 베이스 폴리머된 아크릴계 폴리머는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 그러한 아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어 방사선 경화성 점착제에 대하여 상술한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.
점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제는, 상술한 각 성분에 첨가하여, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 안료나 염료 등의 착색제 등을, 함유해도 된다. 착색제는, 방사선 조사를 받아서 착색하는 화합물이어도 된다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 류코 염료를 들 수 있다.
점착제층(22)의 두께는, 예를 들어 2 내지 20㎛이다. 이와 같은 구성은, 예를 들어 점착제층(22)이 방사선 경화성 점착제를 포함하는 경우에 당해 점착제층(22)의 방사선 경화의 전후에 있어서의 필름(10)에 대한 점착력의 균형을 취하는 데 있어서, 적합하다.
이상과 같은 구성을 갖는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X는, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조할 수 있다.
다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서의 필름(10)의 제작에 있어서는, 먼저, 필름(10) 형성용의 수지 조성물을 소정의 세퍼레이터 상에 도포하여 수지 조성물층을 형성한다. 이어서, 세퍼레이터 상의 이 수지 조성물층을 가열에 의해 건조 및 경화시킨다. 세퍼레이터로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 그리고, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이류 등을, 들 수 있다. 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 필름(10)의 제작에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 90 내지 160℃이고, 가열 시간은 예를 들어 2 내지 4분간이다.
다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 다이싱 테이프(20)에 대해서는, 준비한 기재(21) 상에 점착제층(22)을 마련함으로써 제작할 수 있다. 예를 들어 수지제의 기재(21)는, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T 다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 제막 방법에 의해, 제작할 수 있다. 제막 후의 필름 내지 기재(21)에는, 필요에 따라서 소정의 표면 처리가 실시된다. 점착제층(22)의 형성에 있어서는, 예를 들어 점착제층 형성용의 점착제 조성물을 조제한 후, 먼저, 당해 조성물을 기재(21) 상 또는 소정의 세퍼레이터 상에 도포하여 점착제 조성물층을 형성한다. 점착제 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 이어서, 이 점착제 조성물층에 있어서, 가열에 의해, 필요에 따라 건조시키고, 또한, 필요에 따라 가교 반응을 발생시킨다. 가열 온도는 예를 들어 80 내지 150℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 5분간이다. 점착제층(22)이 세퍼레이터 상에 형성되는 경우에는, 당해 세퍼레이터를 수반하는 점착제층(22)을 기재(21)에 접합하고, 그 후, 세퍼레이터가 박리된다. 이에 의해, 기재(21)와 점착제층(22)의 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프(20)이 제작된다.
다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 제작에 있어서는, 이어서, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)측에 필름(10)의 필름(10)측을 접합한다. 접합 온도는 예를 들어 30 내지 50℃이고, 접합 압력(선압)은 예를 들어 0.1 내지 20kgf/cm이다. 점착제층(22)이 상술한 바와 같은 방사선 경화성 점착제를 포함하는 경우, 당해 접합 전에 점착제층(22)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 되고, 당해 접합 후에 기재(21)의 측으로부터 점착제층(22)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 또는, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 제조 과정에서는, 그러한 방사선 조사를 행하지 않아도 된다(이 경우, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 사용 과정에서 점착제층(22)을 방사선 경화시키는 것이 가능하다). 점착제층(22)이 자외선 경화형인 경우, 점착제층(22)을 경화시키기 위한 자외선 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이다. 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행하여지는 영역(조사 영역 R)은, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 점착제층(22)에 있어서의 필름(10) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외하는 영역이다.
이상과 같이 하여, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X를 제작할 수 있다. 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에는, 필름(10)측에, 적어도 필름(10)을 피복하는 형태로 세퍼레이터(도시 생략)가 마련되어 있어도 된다. 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)보다도 필름(10)이 소사이즈로 점착제층(22)에 있어서 필름(10)이 접합되지 않은 영역이 있는 경우에는 예를 들어, 세퍼레이터는, 필름(10) 및 점착제층(22)을 적어도 피복하는 형태로 마련되어 있어도 된다. 세퍼레이터는, 필름(10)이나 점착제층(22)이 노출되지 않도록 보호하기 위한 요소이고, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X를 사용할 때에는 당해 필름으로부터 박리된다.
도 2 내지 도 6은, 상술한 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X가 사용되는 반도체 장치 제조 방법의 일례를 나타낸다.
본 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 먼저, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 연삭 가공에 의해 웨이퍼 W가 박화된다. 연삭 가공은, 연삭 숫돌을 구비하는 연삭 가공 장치를 사용하여 행할 수 있다. 웨이퍼 W는, 반도체 웨이퍼이고, 제1 면 Wa 및 제2 면 Wb를 갖는다. 웨이퍼 W에 있어서의 제1 면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시 생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시 생략)이 제1 면 Wa 상에 이미 형성되어 있다. 제2 면 Wb는, 소위 이면이다. 본 공정에서는, 점착면 T1a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T1이 웨이퍼 W의 제1 면 Wa측에 접합된 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2 면 Wb로부터 연삭 가공되어, 박화된 웨이퍼(30)가 얻어진다.
이어서, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 보유 지지된 웨이퍼(30)가, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 필름(10)에 대하여 접합된다. 이 후, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(30)로부터 웨이퍼 가공용 테이프 T1이 박리된다.
이어서, 필름(10)을 열경화시키기 위한 가열 처리가 행하여진다(큐어 공정). 가열 온도는 예를 들어 80 내지 200℃이다. 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 5시간이다. 가열 처리는, 구체적으로는 예를 들어 120℃에서 2시간, 행하여진다. 본 공정에서는, 필름(10)의 열경화에 의해, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 필름(10)과 웨이퍼(30)의 밀착력이 높아지고, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X 내지 그 필름(10)의 대 웨이퍼 고정 보유 지지력이 높아진다.
이어서, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서의 필름(10)에 대하여, 다이싱 테이프(20)의 기재(21)의 측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹을 행한다(레이저 마킹 공정). 이 레이저 마킹에 의해, 후에 반도체 칩에 개편화되는 반도체 소자마다, 문자 정보나 도형 정보 등의 각종 정보가 각인된다. 본 공정에서는, 하나의 레이저 마킹 프로세스에 있어서, 웨이퍼(30) 내의 다수의 반도체 소자에 대하여 일괄적으로 효율적으로 레이저 마킹을 행하는 것이 가능하다. 본 공정에서 사용되는 레이저로서는, 예를 들어 기체 레이저 및 고체 레이저를 들 수 있다. 기체 레이저로서는, 예를 들어 탄산 가스 레이저(CO2 레이저) 및 엑시머 레이저를 들 수 있다. 고체 레이저로서는, 예를 들어 Nd: YAG 레이저를 들 수 있다.
이어서, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서의 점착제층(22) 상에 링 프레임(41)이 첩부된 후, 도 4에 도시한 바와 같이, 다이싱 장치가 구비하는 다이싱 블레이드에 의한 절삭 가공이 행하여진다(다이싱 공정). 도 4에서는, 절삭 개소를 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다. 본 공정에서는, 웨이퍼(30)가 칩(31)으로 개편화되고, 이와 함께, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 필름(10)이 소편의 필름(10')으로 절단된다. 이에 의해, 칩 이면 보호막 형성용의 필름(10')을 수반하는 칩(31), 즉 필름(10') 부착 칩(31)이 얻어진다.
다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)이 방사선 경화성 점착제를 함유하는 경우에는, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 제조 과정에서의 상술한 방사선 조사 대신에, 상술한 다이싱 공정 후에, 기재(21)의 측으로부터 점착제층(22)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이다. 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행하여지는 영역(도 1에 도시하는 조사 영역 R)은, 예를 들어 점착제층(22)에 있어서의 필름(10) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외하는 영역이다.
이어서, 필름(10') 부착 칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(20)에 있어서의 칩(31)측을 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정이나, 필름(10') 부착 칩(31) 사이의 이격 거리를 확장하기 위한 익스팬드 공정을, 필요에 따라서 거친 후, 도 5에 도시한 바와 같이, 필름(10') 부착 칩(31)을 다이싱 테이프(20)로부터 픽업한다(픽업 공정). 예를 들어, 링 프레임(41)이 부착된 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X를 장치의 유지구(42)에 보유 지지시킨 후에, 픽업 대상의 필름(10') 부착 칩(31)에 대해서, 다이싱 테이프(20)의 도면 중 하측에 있어서 픽업 기구의 핀 부재(43)를 상승시켜서 다이싱 테이프(20)를 통해 밀어올린 후, 흡착 지그(44)에 의해 흡착 보유 지지한다. 픽업 공정에 있어서, 핀 부재(43)의 밀어올림 속도는 예를 들어 1 내지 100mm/초이고, 핀 부재(43)의 밀어올림양은 예를 들어 50 내지 3000㎛이다.
이어서, 도 6에 도시하는 바와 같이, 필름(10') 부착 칩(31)이 실장 기판(51)에 대하여 플립 칩 실장된다. 실장 기판(51)으로서는, 예를 들어 리드 프레임, TAB(Tape Automated Bonding) 필름 및 배선 기판을 들 수 있다. 칩(31)은, 실장 기판(51)에 대하여 범프(52)를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 구체적으로는, 칩(31)이 그 회로 형성면측에 갖는 전극 패드(도시 생략)와 실장 기판(51)이 갖는 단자부(도시 생략)가 범프(52)를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 범프(52)는, 예를 들어 땜납 범프이다. 또한, 칩(31)과 실장 기판(51) 사이에는, 열경화성의 언더필제(53)가 개재되어 있다.
이상과 같이 하여, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X를 사용하여 반도체 장치를 제조할 수 있다.
다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X는, 스텔스 다이싱이 행하여지는 반도체 장치 제조 과정에 있어서 사용할 수도 있다. 예를 들어 이하와 같다.
먼저, 도 3을 참조하여 상술한 공정을 거쳐서 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 대하여 접합된 반도체 웨이퍼(30)에, 도 7에 도시하는 바와 같이 개질 영역(30a)이 형성된다. 본 공정에서는, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 반도체 웨이퍼(30)가 보유 지지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞춰진 레이저광이 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X와는 반대의 측으로부터 반도체 웨이퍼(30)에 대하여 그 분할 예정 라인을 따라 조사되어, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의하여 반도체 웨이퍼(30) 내에 개질 영역(30a)이 형성된다. 개질 영역(30a)은, 반도체 웨이퍼(30)를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 취약화 영역이다. 스텔스 다이싱용의 레이저광, 즉, 스텔스 다이싱에 있어서의 가공용 레이저광으로서는, 예를 들어 파장이 1064nm, 1080nm 또는 1099nm의 레이저광을 사용할 수 있다. 반도체 웨이퍼에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인 상에 개질 영역을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2002-192370호 공보에 상세하게 설명되어 있는 바, 본 실시 형태에 있어서의 레이저광 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절하게 조정된다.
〔레이저광 조사 조건〕
(A) 레이저광
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd: YAG 레이저
파장 1064nm
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스 반복 주파수 100kHz 이하
펄스폭 1μs 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280mm/초 이하
이어서, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서의 필름(10)에 대하여, 다이싱 테이프(20)의 기재(21)의 측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹을 행한다(레이저 마킹 공정). 이 레이저 마킹에 의해, 후에 반도체 칩으로 개편화되는 반도체 소자마다, 문자 정보나 도형 정보 등의 각종 정보가 부여된다. 본 공정에서는, 하나의 레이저 마킹 프로세스에 있어서, 반도체 웨이퍼(30) 내의 다수의 반도체 소자에 대하여 일괄적으로 효율적으로 레이저 마킹을 행하는 것이 가능하다.
다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 제조 과정에서의 상술한 방사선 조사 대신에, 반도체 웨이퍼(30)의 필름(10)으로의 접합 후에, 기재(21) 측으로부터 점착제층(22)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이다. 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행하여지는 영역(도 1에 도시하는 조사 영역 R)은, 예를 들어 점착제층(22)에 있어서의 필름(10) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외하는 영역이다.
이어서, 상대적으로 저온의 조건 하에서 제1 익스팬드 공정(할단용의 쿨 익스팬드 공정)이, 도 8의 (a) 및 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이 행하여져, 반도체 웨이퍼(30)가 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화됨과 함께, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 필름(10)이 소편의 필름(10')으로 할단되어서, 필름 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(45)가, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아서 상승되고, 반도체 웨이퍼(30)가 접합된 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 다이싱 테이프(20)가, 반도체 웨이퍼(30)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(20)에 있어서, 예를 들어 1 내지 100MPa의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행하여진다. 본 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 본 공정에 있어서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(45)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 1 내지 500mm/초이다. 또한, 본 공정에 있어서의 익스팬드양(밀어올림 부재(45)가 상승하는 거리)은, 예를 들어 50 내지 400mm이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 필름(10)이 소편의 필름(10')으로 할단되어서 필름이 부착된 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30)에 있어서 취약한 개질 영역(30a)에 크랙이 형성되어서 반도체 칩(31)으로의 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착하고 있는 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼(30)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 웨이퍼의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 필름(10)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 본 공정 후, 도 8의 (c)에 도시하는 바와 같이, 밀어올림 부재(45)가 하강되어서, 다이싱 테이프(20)에 있어서의 익스팬드 상태가 해제된다.
이어서, 상대적으로 고온의 조건 하에서 제2 익스팬드 공정이, 도 9의 (a)에 도시하는 바와 같이 행하여져, 필름이 부착된 반도체 칩(31) 사이의 거리(이격 거리)를 확장할 수 있다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(45)가 다시 상승되어, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 다이싱 테이프(20)가 익스팬드된다. 제2 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 10℃ 이상이고, 바람직하게는 15 내지 30℃이다. 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(45)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 0.1 내지 10mm/초이다. 또한, 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드양은, 예를 들어 3 내지 16mm이다. 후술하는 픽업 공정에서 다이싱 테이프(20)로부터 필름이 부착된 반도체 칩(31)을 적절하게 픽업 가능한 정도로, 본 공정에서는 필름이 부착된 반도체 칩(31)의 이격 거리를 확장할 수 있다. 본 공정의 후, 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이, 밀어올림 부재(45)가 하강되어서, 다이싱 테이프(20)에 있어서의 익스팬드 상태가 해제된다. 익스팬드 상태 해제 후에 다이싱 테이프(20) 상의 필름이 부착된 반도체 칩(31)의 이격 거리가 좁아지는 것을 억제하는 데 있어서는, 익스팬드 상태를 해제하는 것보다 전에, 다이싱 테이프(20)에 있어서의 반도체 칩(31) 보유 지지 영역보다 외측의 부분을 가열하여 수축시키는 것이 바람직하다.
다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X의 제조 과정에서의 상술한 방사선 조사나, 반도체 웨이퍼(30)의 필름(10)으로의 접합 후의 상술한 방사선 조사 대신에, 상술한 제1 익스팬드 공정 또는 제2 익스팬드 공정 후에, 기재(21)의 측으로부터 점착제층(22)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이다. 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행하여지는 영역(도 1에 도시하는 조사 영역 R)은, 예를 들어 점착제층(22)에 있어서의 필름(10) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외하는 영역이다.
이어서, 필름이 부착된 반도체 칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(20)에 있어서의 반도체 칩(31)측을 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정을 필요에 따라서 거친 후, 필름이 부착된 반도체 칩(31)을 다이싱 테이프(20)로부터 픽업하기 위한 픽업 공정이 행하여진다. 구체적으로는, 도 5를 참조하여 상술한 것과 마찬가지이다. 이렇게 하여 얻어지는 필름이 부착된 반도체 칩(31)은, 도 6을 참조하여 상술한 실장 공정에 첨부된다. 이상과 같이 하여, 반도체 장치를 제조할 수 있다.
다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X는, 상술한 바와 같이, 다이싱 테이프(20) 상에 배면 밀착 필름인 필름(10)을 구비한다. 이와 같은 구성의 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 X는, 예를 들어 상술한 바와 같은 반도체 장치의 제조 과정에 있어서, 상술한 기술적 효과를 발휘하는 필름(10)(즉, 양호한 적외선 차폐성과 레이저 마크성을 확보하면서, 반도체 칩의 이면에 접착된 상태에서 당해 칩 이면측으로부터의 적외선 현미경 관찰에 의한 칩 검사를 실시 가능하게 하기에 적합한 필름(10))을 효율적으로 공급하는 것이 가능하다.
[실시예]
〔실시예 1〕
먼저, 에폭시 수지 E1(상품명 「KI-3000-4」, 도또 가세이 가부시키가이샤제) 40질량부와, 에폭시 수지 E2(상품명 「JER YL980」, 미쓰비시 케미컬 가부시키가이샤제) 60질량부와, 페놀 수지(상품명 「MEH7851-SS」, 메이와 가세이 가부시키가이샤제) 100질량부와, 아크릴 수지(상품명 「테이산 레진 SG-P3」, 중량 평균 분자량은 85만, 유리 전이 온도 Tg는 12℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤제) 90질량부와, 필러 F1(상품명 「SO-25R」, 실리카, 평균 입경은 0.5㎛, 가부시키가이샤 애드마텍스제) 220질량부와, 열경화 촉매(상품명 「큐어졸 2PZ」, 시꼬꾸 가세이 고교 가부시키가이샤제) 10질량부와, 근적외선 흡수 안료 P1(상품명 「E-ITO」, 산화인듐주석, 평균 입경은 30nm, 미쯔비시 마테리알 덴시 가세이 가부시끼가이샤제) 30질량부와, 가시광 흡수 염료(상품명 「OIL BLACK BS」, 오리엔트 가가꾸 고교 가부시키가이샤제) 5질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하고, 고형분 농도 36질량％의 수지 조성물을 얻었다. 이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 당해 수지 조성물을 도포하여 수지 조성물층을 형성하였다. 이어서, 이 조성물층에 대해서 130℃에서 2분간의 가열을 행하여 건조 및 열경화시켜, PET 세퍼레이터 상에 두께 25㎛의 배면 밀착 필름을 제작하였다. 실시예 1 그리고 후술하는 실시예 및 비교예의 배면 밀착 필름을 형성하기 위한 각 수지 조성물의 조성을, 표 1에 게재한다(표 1에 있어서, 조성을 나타내는 각 수치의 단위는, 당해 조성 내에서의 상대적인 "질량부"임).
〔실시예 2, 3〕
근적외선 흡수 안료 P1의 배합량을 30질량부 대신에 60질량부(실시예 2) 또는 90질량부(실시예 3)로 한 것 이외에는 실시예 1의 배면 밀착 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 2, 3의 배면 밀착 필름을 제작하였다.
〔실시예 4〕
필러 F1 220질량부 대신에 필러 F2(상품명 「YA010」, 실리카, 평균 입경은 10nm, 가부시키가이샤 애드마텍스제) 220질량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1의 배면 밀착 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 4의 배면 밀착 필름을 제작하였다.
〔비교예 1〕
근적외선 흡수 안료 P1을 사용하지 않은 것 이외에는 실시예 1의 배면 밀착 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 1의 배면 밀착 필름을 제작하였다.
〔비교예 2〕
근적외선 흡수 안료 P1 30질량부 대신에 근적외선 흡수 안료 P2(중금속 산화물계 안료, 1600nm에 흡수 극대 파장을 갖고 또한 평균 입경은 20nm) 30질량부를 사용한 것, 및, 가시광 흡수 염료(상품명 「OIL BLACK BS」, 오리엔트 가가꾸 고교 가부시키가이샤제)를 사용하지 않은 것, 이외에는 실시예 1의 배면 밀착 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 배면 밀착 필름을 제작하였다.
〔비교예 3〕
가시광 흡수 염료(상품명 「OIL BLACK BS」, 오리엔트 가가꾸 고교 가부시키가이샤제)를 사용하지 않은 것 이외에는 실시예 1의 배면 밀착 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 배면 밀착 필름을 제작하였다.
〔비교예 4〕
필러 F1 220질량부 대신에 필러 F3(상품명 「FB-105FD」, 실리카, 평균 입경은 11㎛, 덴카 가부시키가이샤제) 220질량부를 사용한 것, 및 근적외선 흡수 안료 P1을 사용하지 않은 것, 이외에는 실시예 1의 배면 밀착 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 4의 배면 밀착 필름을 제작하였다.
<전체 광선 투과율>
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 각 배면 밀착 필름(두께 25㎛)로부터 잘라낸 시료편에 대해서, 자외 가시 근적외 분광 광도계(상품명 「V-670」, 니혼 분코 가부시키가이샤제) 및 적분구 유닛을 사용하여, 300 내지 2000nm의 파장 영역에 있어서의 전체 광선 투과율 스펙트럼을 측정하였다. 이 스펙트럼으로부터, 파장 1800nm의 광선의 전체 광선 투과율(제1 전체 광선 투과율 T1), 파장 1000nm의 광선의 전체 광선 투과율(제2 전체 광선 투과율 T2), 및 파장 532nm의 광선의 전체 광선 투과율(제3 전체 광선 투과율 T3)을 추출하여 얻었다. 이들 값(％) 및 T2/T1의 값을 표 1에 게재한다.
<적외선 차폐성>
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 각 배면 밀착 필름의 적외선 차폐성에 대해서, 제1 전체 광선 투과율 T1(1800nm의 광선의 전체 광선 투과율)이 40％ 이하인 경우를 "양호"라고 평가하고, 제1 전체 광선 투과율 T1이 40％를 초과하는 경우를 " 불량"이라고 평가하였다. 이들 평가 결과를 표 1에 게재한다.
<적외선 현미경 관찰에 있어서의 시인성>
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 각 배면 밀착 필름에 대해서, 적외선 현미경 관찰에 있어서의 시인성을 조사하였다. 구체적으로는, 먼저, 회로 패턴이 표면에 형성되어 있는 기판의 회로 패턴 형성면에 배면 밀착 필름을 접합하였다. 회로 패턴은, 1mm의 선 폭의 알루미늄 배선의 패턴이다. 이어서, 적외선 현미경을 사용하여, 기판 표면의 회로 패턴을 배면 밀착 필름 너머로 관찰하였다. 사용한 적외선 현미경은, 실체 현미경(상품명 「SMZ745T」, 가부시키가이샤 니콘제)과 적외선 카메라(상품명 「MC-781P-0030」, 텍사스 인스트루먼트 가부시키가이샤제)의 복합 장치이다. 이 관찰에 있어서, 배면 밀착 필름 너머로 1mm 폭의 패턴을 명료하게 시인할 수 있는 경우를, 적외선 현미경 관찰에 있어서의 시인성이 "양호"라고 평가하고, 배면 밀착 필름 너머로 1mm 폭의 패턴을 명료하게는 시인할 수 없는 경우를, 적외선 현미경 관찰에 있어서의 시인성이 "불량"이라고 평가하였다.
<스텔스 다이싱 레이저 가공성>
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 각 배면 밀착 필름에 대해서, 스텔스 다이싱에 있어서의 레이저 가공성을 조사하였다. 구체적으로는, 먼저, 기재와 점착제층의 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프에 있어서의 점착제층 상에 배면 밀착 필름을 위치 정렬하면서 접합하고, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름을 제작하였다. 이어서, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름의 배면 밀착 필름 둘레의 점착제층 영역에 링 프레임을 첩부한 후, 배면 밀착 필름면에 대하여 반도체 웨이퍼(두께 300㎛, 직경 12인치)를 온도 80℃ 및 압력 0.15MPa의 조건으로 접합하였다. 이어서, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 상의 반도체 웨이퍼에 대하여, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞춰진 파장 1064nm의 레이저광을 상기 필름 너머로 조사하여, 당해 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하였다(스텔스 다이싱). 레이저광은, 반도체 웨이퍼에 대하여 그 분할 예정 라인(1구획 2mm×2mm의 격자 형상을 이룬다)을 따라 조사하였다. 그 후, 스텔스 다이싱을 거친 반도체 웨이퍼를 수반하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름에 대해서, 온도 80℃에서 1시간의 가열 처리를 행하였다.
이어서, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS2300」, 가부시키가이샤 디스코제)를 사용하여, 동 장치가 구비하는 쿨 익스팬드 유닛으로, 할단용의 쿨 익스팬드 공정을 행하였다. 구체적으로는, 상술한 스텔스 다이싱을 거친 반도체 웨이퍼를 수반하는 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드하고, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름 상의 반도체 웨이퍼 및 이것을 직접 보유 지지하는 배면 밀착 필름에 있어서, 할단을 발생시켰다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼가 개편화되어서, 배면 밀착 필름이 부착된 반도체 칩이 얻어졌다. 이 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 온도는 -15℃이고, 익스팬드 속도는 200mm/초이고, 익스팬드양(쳐올림부의 밀어올림양)은 15mm이다. 그리고, 익스팬드 상태의 1분간의 보유 지지 후, 익스팬드 속도 1mm/초 및 익스팬드양 15mm의 조건에서, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름의 다이싱 테이프의 익스팬드를 다시 행하였다. 이 후, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름의 다이싱 테이프에 있어서의 배면 밀착 필름 둘레의 부분에 대해서, 소정의 가열 수축 처리를 실시하였다.
이상의 과정(제1 과정)을 거친 단계에서, 반도체 웨이퍼로부터 개편화되어야 할 반도체 칩의 4변의 총 수(상기 분할 예정 라인이 이루는 구획의 4변 총 수)에 대한, 배면 밀착 필름과 함께 할단을 일으킨 반도체 칩 변의 수의 비율(할단율)을 조사하였다.
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 각 배면 밀착 필름에 대해서, 스텔스 다이싱에 있어서 파장 1064nm의 레이저광 대신에 파장 1080nm의 레이저광을 사용한 것 이외에는, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름의 제작으로부터 할단율 조사까지의 상술한 과정과 마찬가지의 과정(제2 과정)을 거쳤다. 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 각 배면 밀착 필름에 대해서, 스텔스 다이싱에 있어서 파장 1064nm의 레이저광 대신에 파장 1099nm의 레이저광을 사용한 것 이외에는, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름의 제작으로부터 할단율 조사까지의 상술한 과정과 마찬가지의 과정(제3 과정)을 거쳤다. 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 각 배면 밀착 필름에 대해서, 스텔스 다이싱에 있어서 파장 1064nm의 레이저광 대신에 파장 1342nm의 레이저광을 사용한 것 이외에는, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름의 제작으로부터 할단율 조사까지의 상술한 과정과 마찬가지의 과정(제4 과정)을 거쳤다. 그리고, 스텔스 다이싱에 있어서의 레이저 가공성에 대해서, 제1로부터 제4 어느 과정에 있어서도 80％ 이상의 할단율을 일으킨 배면 밀착 필름을 "양호"라고 평가하고, 제1로부터 제4 어느 과정에 있어서도 80％ 미만의 할단율을 일으킨 배면 밀착 필름을 "불량"이라고 평가하였다.
<레이저 마크성>
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 각 배면 밀착 필름에 대해서, 레이저 마크성을 조사하였다. 구체적으로는, 먼저, 레이저 마커(상품명 「MD-S9910」, 가부시키가이샤 키엔스제)를 사용하여, 532nm의 파장의 그린 레이저에 의해 배면 밀착 필름의 표면에 소정의 문자열을 각인하였다(레이저 마킹). 이 레이저 마킹에서는, 조사 레이저의 파워를 0.3W로 하고, 마킹 스피드를 300mm/s로 하고, Q 스위치 주파수를 10kHz로 하였다. 이어서, 현미경(상품명 「VHX-2000」, 가부시키가이샤 키엔스제)을 사용하여, 각인 문자를 명시야 조건 하에서 관찰하였다. 이 관찰에 있어서, 용이하게 시인 가능(즉, 콘트라스트가 명료)인 것(제1 기준), 및 각인 문자의 각인 최대 깊이가 1㎛ 이상인 것(제2 기준)의 양쪽을 충족하는 경우를, 레이저 마크성이 "양호"라고 평가하고, 제1 및 제2 기준의 적어도 한쪽을 충족하지 않는 경우를 레이저 마크성이 "불량"이라고 평가하였다. 이들 평가 결과를 표 1에 게재한다.
[평가]
실시예 1 내지 4의 배면 밀착 필름은, 모두, 가시광 및 근적외선의 파장 영역 내의 다른 파장에 각각이 흡수 극대를 갖는 복수의 흡광 성분을 함유하고, 상기 제1 전체 광선 투과율에 대한 상기 제2 전체 광선 투과율의 비의 값이 1.2 이상이다. 이러한 실시예 1 내지 4의 각 배면 밀착 필름은, 상술한 바와 같이, 적외선 차폐성, 적외선 현미경 관찰에 있어서의 시인성, 스텔스 다이싱 레이저 가공성, 및 레이저 마크성 중 어느 것에 대해서도 양호한 평가 결과가 얻어졌다.
Figure pat00001
X: 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름
10, 10': 필름(배면 밀착 필름)
20: 다이싱 테이프
21: 기재
22: 점착제층
30: 웨이퍼
30a: 개질 영역
31: 칩

Claims (10)

  1. 가시광 및 근적외선의 파장 영역 내의 다른 파장에 각각이 흡수 극대를 갖는 복수의 흡광 성분을 함유하고,
    두께 25㎛의 배면 밀착 필름 시료편에 대하여 측정되는, 파장 1800nm의 광선의 제1 전체 광선 투과율에 대한, 상기 배면 밀착 필름 시료편에 대하여 측정되는, 파장 1000nm의 광선의 제2 전체 광선 투과율의 비의 값이, 1.2 이상인, 배면 밀착 필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 전체 광선 투과율이 50％ 이상인, 배면 밀착 필름.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 전체 광선 투과율이 40％ 이하인, 배면 밀착 필름.
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수의 흡광 성분은, 1200 내지 2000nm의 파장 영역에 흡수 극대를 갖는 안료를 포함하는, 배면 밀착 필름.
  5. 제4항에 있어서, 상기 안료의 평균 입경은 10㎛ 이하인, 배면 밀착 필름.
  6. 제1항에 있어서, 상기 복수의 흡광 성분은, 가시광 영역에 극대 흡수를 갖는 염료를 포함하는, 배면 밀착 필름.
  7. 제1항에 있어서, 평균 입경 10㎛ 이하의 필러를 함유하는, 배면 밀착 필름.
  8. 제7항에 있어서, 상기 필러는 실리카 필러인, 배면 밀착 필름.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배면 밀착 필름 시료편에 대하여 측정되는, 파장 500nm의 광선의 제3 전체 광선 투과율이, 40％ 이하인, 배면 밀착 필름.
  10. 기재 및 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,
    상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는, 제1항에 기재된 배면 밀착 필름을 구비하는, 다이싱 테이프 일체형 배면 밀착 필름.
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