CN110521283A - 有机el设备用基板、有机el设备以及有机el设备用基板的制造方法 - Google Patents

有机el设备用基板、有机el设备以及有机el设备用基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110521283A
CN110521283A CN201880024127.3A CN201880024127A CN110521283A CN 110521283 A CN110521283 A CN 110521283A CN 201880024127 A CN201880024127 A CN 201880024127A CN 110521283 A CN110521283 A CN 110521283A
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic
groove portion
transparency conducting
conducting layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880024127.3A
Other languages
English (en)
Inventor
山崎康夫
梶弘典
久保胜诚
田部昌志
坂本明彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olide Material Solutions Inc
Original Assignee
Olide Material Solutions Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olide Material Solutions Inc filed Critical Olide Material Solutions Inc
Priority claimed from PCT/JP2018/014440 external-priority patent/WO2018198698A1/ja
Publication of CN110521283A publication Critical patent/CN110521283A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

有机EL设备用基板(1)在厚度方向上按照透光板、高折射率层(4)和透明导电层(5)的顺序具备它们，该有机EL设备用基板(1)具有将透明导电层(5)至少分离成第一区域(R1)和第二区域(R2)的凹状槽部(6)，并且在将透明导电层(5)的厚度设为t1(μm)、将凹状槽部(6)的最小宽度设为w1(μm)、将以透明导电层(5)的与高折射率层(4)相反侧的表面(5a)为基准的凹状槽部(6)的最大深度设为d1(μm)的情况下，t1≤d1且d1/{(w1)0.5}＜0.1的关系成立。

Description

有机EL设备用基板、有机EL设备以及有机EL设备用基板的制 造方法
技术领域
本发明涉及有机EL设备用基板以及利用其的有机EL设备、和它们的制造方法。
背景技术
近年来，在显示器或照明等各种设备中，以谋求薄型化、低消耗电力化为目的，利用有机EL(电致发光)元件的有机EL设备的利用受到关注。但有机EL元件特别在用作照明用光源时亮度不够的情况较多，需要进一步的光取出效率的改善是实情。
为此，例如在专利文献1中，为了提高光取出效率，公开了具有使来自有机EL元件的光散射的功能的有机EL设备用基板。详细地，同文献公开的有机EL设备用基板在形成有透明导电膜一侧的表面具备形成有用于将来自有机EL元件的光散射的凹凸面的玻璃板。但这样的话，会有难以在凹凸面直接形成透明导电膜的问题。为此，同文献公开的有机EL设备用基板在玻璃板的凹凸面上进一步具备由玻璃烧成膜构成的高折射率层，将形成有透明导电膜的面通过高折射率层平坦化。另外，高折射率层还起到减低与透明导电膜的界面的光的反射、提高光取出效率的作用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2010-198797号公报
发明内容
发明要解决的课题
有机EL设备用基板的透明导电膜作为有机EL设备的电极(例如阳极)利用。为此，在透明导电膜对应于设备形状、结构来形成凹状槽部，将透明导电膜分割，以与所期望的电极形状对应。在凹状槽部的表面，在制造有机EL设备的过程中形成有机EL元件层，保持隔着凹状槽部相邻的透明导电膜所构成的电极间的绝缘。
但在如此制造的有机EL设备中，有在凹状槽部产生大的漏电流、有损有机EL设备的发光特性的问题。
本发明课题在于，提供能减低漏电流的产生的有机EL设备用基板以及有机EL设备。
用于解决课题的手段
本发明的发明者等锐意研究的结果，得到漏电流的原因在于凹状槽部的形状的见解。详细地，在使用有机EL设备用基板制造有机EL设备的过程中，通过蒸镀等形成有机EL元件层等绝缘层。这时，若相对于凹状槽部的最小宽度而其深度过大，就难以在凹状槽部的表面整体形成有机EL元件层等绝缘层。为此，例如在凹状槽部的侧壁部未形成绝缘层而形成透明导电层露出的露出部，会成为漏电流的产生原因。为此，通过基于这样的见解来谋求凹状槽部的最小宽度与最大深度的尺寸关系的适合化，想到本发明。
为了解决上述的课题而首创的本发明所涉及的有机EL设备用基板在厚度方向上按照透光板、高折射率层和透明导电层具备它们，该有机EL设备用基板的特征在于，具有将透明导电层至少分离成第一区域和第二区域的凹状槽部，并且，在将透明导电层的厚度设为t1(μm)、将凹状槽部的最小宽度设为w1(μm)、将以与透明导电层的与高折射率层相反侧的表面为基准的凹状槽部的最大深度设为d1(μm)的情况下，t1≤d1且d1/{(w1)0.5}＜0.1的关系成立。根据这样的结构，由于t1≤d1，因此凹状槽部的最大深度成为透明导电层的厚度以上的大小，因此能通过凹状槽部将透明导电层确实地分离成第一区域和第二区域。另一方面，若d1/{(w1)0.5}＜0.1，则从各种实验还判明了相对于凹状槽部的最小宽度而该最大深度合适。因此，若使用具有这样的尺寸关系的有机EL设备用基板来制造有机EL设备，就能在凹状槽部的表面整体形成有机EL元件层等绝缘层，因此能减低漏电流的产生。
在上述的结构中，优选凹状槽部的最小宽度为10μm以上。如此，由于凹状槽部的最小宽度足够宽，因此在使用有机EL设备用基板来制造有机EL设备时，易于在凹状槽部的表面整体形成有机EL元件层等绝缘层。
在上述的结构中，优选，凹状槽部的侧壁部中的透明导电层的表面侧的端部具有与透明导电层的表面相比更加隆起的隆起部，在设置沿着凹状槽部的长边方向的尺寸为40μm、沿着凹状槽部的宽度方向的尺寸为10μm的矩形区域使其包含侧壁部的端部的情况下，在矩形区域内，以透明导电层的表面为基准的隆起部的高度为10nm以上的部分的俯视观察的面积是矩形区域的面积的10％以下。即，若高度10nm以上的隆起部大量存在，就会因隆起部而透明导电层的形状复杂化，会成为漏电流的产生原因。为此，从更确实地防止漏电流的产生的观点出发，为了规定上述的结构，优选使高度10nm以上的隆起部的俯视观察的面积(水平投影面积)小到矩形区域(40μm×10μm)的面积的10％以下。
为了解决上述的课题而首创的本发明所涉及的有机EL设备特征在于，具备：上述的有机EL设备用基板；和形成于有机EL设备用基板的透明导电层侧的有机EL元件层。根据这样的结构，能享受到与上述的有机EL用设备用基板中说明的同样的作用效果。
为了解决上述的课题而首创的本发明所涉及的有机EL设备用基板的制造方法是在厚度方向上按照透光板、高折射率层和透明导电层的顺序具备它们的有机EL设备用基板的制造方法，特征在于，具备激光加工工序，通过激光加工除去透明导电层的一部分，形成将透明导电层至少分离成第一区域和第二区域的凹状槽部，在激光加工工序中，在将透明导电层的厚度设为t1(μm)、将凹状槽部的最小宽度设为w1(μm)、将以透明导电层的与高折射率层相反侧的表面为基准凹状槽部的最大深度设为d1(μm)的情况下，形成凹状槽部，使得t1≤d1且d1/{(w1)0.5}＜0.1的关系成立。根据这样的结构，能享受与上述的有机EL用设备用基板中说明的对应的结构同样的作用效果。另外，由于不使用湿式蚀刻而是用激光加工形成凹状槽部，因此即使作为高折射率层而选择耐水性、耐化学性差的材质，也能减小给高折射率层的伤害。即，例如作为高折射率层的材料，选择铋系、铅系、镧系等玻璃组成物也不会产生问题。
在上述的结构中，优选，在激光加工工序中，形成凹状槽部，使得凹状槽部的最小宽度成为10μm以上。
在上述的结构中，优选，在激光加工工序之后具备对透明导电层的表面进行研磨的研磨工序，在研磨工序后，凹状槽部的侧壁部中的透明导电层的表面侧的端部具有与透明导电层的表面相比更加隆起的隆起部，在设置沿着凹状槽部的长边方向的尺寸为40μm、沿着凹状槽部的宽度方向的尺寸为10μm的矩形区域使其包含侧壁部的端部的情况下，对透明导电层的表面进行研磨，使得在矩形区域内，以透明导电层的表面为基准的隆起部的高度为10nm以上的部分的俯视观察的面积是矩形区域的面积的10％以下。
为了解决上述的课题而首创的本发明所涉及的有机EL设备的制造方法特征在于，具备“通过上述的有机EL设备用基板的制造方法得到有机EL设备用基板的工序；和在有机EL设备用基板的透明导电层侧形成有机EL元件层的工序。根据这样的结构，能享受到与上述的有机EL用设备用基板以及上述的有机EL用设备用基板的制造方法中说明的同样的作用效果。
发明的效果
根据以上那样的本发明，能提供能减低漏电流的产生的有机EL设备用基板以及有机EL设备。
附图说明
图1是有机EL设备用基板的截面图。
图2是有机EL设备用基板的凹状槽部周边的放大截面图。
图3是有机EL设备用基板的凹状槽部周边的原子力显微镜图。
图4是有机EL设备的截面图。
图5A是实施例的有机EL设备用基板的凹状槽部周边的扫描型电子显微镜照片。
图5B是实施例的有机EL设备用基板的凹状槽部内的扫描型电子显微镜照片。
图6是表示有机EL设备用基板的变形例的截面图。
具体实施方式
以下基于附图来说明本发明的实施方式。
如图1所示那样，有机EL设备用基板1按照透光板2、凹凸层3、高折射率层4和透明导电层5的顺序在厚度方向上具备它们。透光板2、凹凸层3、高折射率层4以及透明导电层5分别具有光透过性。
透光板2由玻璃或树脂等形成。作为形成透光板2的玻璃而能举出苏打石灰玻璃、硼硅酸盐玻璃、无碱玻璃、石英玻璃等。作为形成透光板2的树脂而能举出丙烯酸树脂、硅酮树脂、环氧树脂、聚酯纤维树脂、聚碳酸酯树脂等。
凹凸层3由形成凹凸形状的玻璃烧成层构成。凹凸层3的折射率nd优选与透光板2的折射率nd实质相同。这时，优选凹凸层3的折射率nd相对于透光板2的折射率nd为±0.1的范围内。在此，折射率nd表征波长588nm下的折射率。另外，也可以取代凹凸层3而以凹凸面形成透光板2的表面自身。作为形成凹凸面的方法，能举出喷砂法、压制成形法、辊成形法等机械性处理、溶胶凝胶喷雾法、蚀刻法、大气压等离子处理法等化学性处理法。另外，也可以取代凹凸层3或凹凸面等的凹凸形状或与其并用地使与高折射率层4的基材不同折射率的物质分散在高折射率层4的基材中。分散物质优选是比高折射率层4的基材的折射率小的折射率的物质。作为分散物质，能举出空气、氧、氮、二氧化碳等气体(气泡)、氧化钛、氧化锆、氧化硅等陶瓷粒子或玻璃(非晶玻璃或结晶玻璃)粒子等无机粒子。
高折射率层4具有比透光板2的折射率大的折射率。高折射率层的折射率nd并没有特别限定，例如是1.8～2.1。高折射率层4由玻璃(非晶玻璃或结晶玻璃)、树脂、陶瓷等形成。高折射率层4优选是玻璃烧成层。作为形成玻璃烧成层的玻璃而能举出苏打石灰玻璃、硼硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃、铋系玻璃、铅系玻璃、镧系玻璃等无机玻璃。这当中，铋系玻璃是非铅系玻璃且折射率高，能在低温下烧成，因而优选。但由于铋系玻璃的相对介电常数高，因此高折射率层4的表层部中的电荷密度易于变高，来自后述的凹状槽部6的漏电流易于变大。因此，在具有包含铋系玻璃的高折射率层4的有机EL元件用基板中，能减低漏电流的产生的本发明的有用性特别显著。另外，高折射率层4的相对介电常数优选是9～23，更优选是10～22。
作为透明导电层5而能举出氧化铟锡(ITO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)等。
作为凹凸层3的形成中所用的玻璃粉末，例如能使用以质量％计含有SiO2：30％、B2O3：40％、ZnO：10％、Al2O3：5％、K2O：15％的玻璃粉末。另外，凹凸层3的凹凸形状除了依赖于烧成玻璃料膏时的热处理条件以外，还依赖于玻璃粉末的粒径。玻璃粉末的优选的粉末粒度(D50)是0.3～15μm，更优选1.0～10μm，进一步优选是1.5～8μm的范围。
作为高折射率层4的形成中所用的玻璃粉末，例如能使用以质量％计含有Bi2O3：70％、SiO2：5％、ZnO：10％、B2O3：10％、Al2O3：5％、相对介电常数为17的铋系玻璃粉末。在高折射率层4的表面形成透光性电极等的情况下，优选高折射率层4的表面是平滑的。为了得到平滑的表面，优选除了合适地设定烧成玻璃料膏时的热处理条件以外，还合适地设定玻璃粉末的粒度。玻璃粉末的粉末粒度(D50)优选0.1～20μm，更优选0.2～15μm，进一步优选0.3～10μm。
在透明导电层5形成将透明导电层5至少分离成第一区域R1和第二区域R2的凹状槽部6。该凹状槽部6具有如下那样的特征。即，如图2所示那样，在将透明导电层5的厚度设为t1、将凹状槽部6的最小宽度设为w1、将透明导电层5的以与高折射率层4相反侧的表面5a为基准的凹状槽部6的最大深度设为d1的情况下，如下关系成立：
t1≤d1……(1)
dl/{(w1)0.5}＜0.1……(2)
其中，在上述的(2)式中，在d1以及w1使用经过μm换算的值。
根据上述的(1)式，第一区域R1和第二区域R2被完全分离，第一区域R1和第二区域R2不会通过透明导电层5直接导通。上述的(1)式优选是t1＜d1。在该情况下，如图2所示那样，在凹状槽部6的底壁部6a，高折射率层4露出。
另外，根据上述的(2)式，相对于凹状槽部6的最小宽度w1其最大深度d1合适。因此，由于在使用具有这样的尺寸关系的有机EL设备用基板1来制造有机EL设备时，能在凹状槽部6的表面整体形成有机EL元件层等绝缘层，因此能将漏电流的产生减低到没有问题的级别。在上述的(2)式中，d1/{(w1)0.5}优选0.08以下，更优选0.06以下，进一步优选0.04以下。
凹状槽部6的最大深度d1优选1μm以下，更优选0.8μm以下，进一步优选0.5μm以下。
凹状槽部6的最小宽度w1优选10μm以上，更优选15μm以上，进一步优选为20μm以上。在此，凹状槽部6的最小宽度w1优选是与壁部6a对应的位置的宽度。另外，优选在槽宽度方向上对置的凹状槽部6的一对侧壁部6b向外侧倾斜，使得凹状槽部6的槽宽度随着从底壁部6a向透明导电层5的表面5a侧过渡而扩大。
凹状槽部6的侧壁部6b中的透明导电层5的表面5a侧的端部6b1具有比透明导电层5的表面5a更加隆起的隆起部7。隆起部7优选具有如下那样的特征。即，如图3所示那样，在设置沿着凹状槽部6的长边方向X的尺寸为40μm、沿着凹状槽部6的宽度方向Y的尺寸为10μm的矩形区域S以使其包含侧壁部6b的端部6b1的情况下，优选在矩形区域S内以透明导电层5的表面5a为基准的隆起部7的高度h(参考图2)为10nm以上的部分的俯视观察下的面积(以下仅称作隆起部面积)是矩形区域S的面积的10％以下，更优选是5％以下，进一步优选是2％以下。矩形区域S的平面方向(X方向以及Y方向)上的位置只要满足在区域内包含侧壁部6b的端部6b1的条件即可，可以是任意位置。
有机EL设备用基板1可以满足如下的关系式。
d1/t1＜4……(3)
如图4所示那样，有机EL设备11在图1的有机EL设备用基板1上进一步具有有机EL元件层12和阴极13。有机EL元件层12以及阴极13形成于透明导电层5侧。透明导电层5作为阳极发挥功能。阴极13由铝等的金属层形成，在本实施方式中具有光反射性。有机EL元件层12具备发光层，在发光层与透明导电层5之间根据需要形成空穴注入层、空穴输送层等。另外，在发光层与阴极13之间根据需要形成电子输送层、电子注入层等。
在将透明导电层5的凹状槽部6的非形成区域中的有机EL元件层12的厚度设为t2的情况下，优选在与凹状槽部6的最大深度d1之间如下的关系成立。
d1/t2≤3……(4)
凹状槽部6的最大深度d1优选是有机EL元件层12的厚度t2的2.5倍以下，进一步优选是2倍以下。
在有机EL元件层12发出的光穿过透明导电层5以及透光板2，被从透光板2侧取出到外部。这时在阴极13反射的光也被从透光板2侧取出到外部。
以上那样构成的有机EL设备11由于光取出效率高且给发光特性带来不良影响的漏电流也非常小，因此例如适合用作照明。
接下来说明以上那样构成的有机EL设备的制造方法。另外，在有机EL设备的制造方法中，一并说明有机EL设备用基板的制造方法。
有机EL设备的制造方法具备如下工序：在透光板2之上形成凹凸层3的凹凸层形成工序；在凹凸层3之上形成高折射率层4的高折射率层形成工序；在高折射率层4之上形成透明导电层5的透明导电层形成工序；在透明导电层5之上形成有机EL元件层12的有机EL元件层形成工序；和在有机EL元件层12之上形成阴极13的阴极形成工序。这当中，从凹凸层形成工序到透明导电层形成工序是与有机EL设备用基板的制造方法相关的工序。有机EL设备用基板的制造工序例如在玻璃制造商进行，有机EL设备的制造工序中所含的剩余的工序例如在有机EL设备制造商进行。
在凹凸层形成工序中，在将包含玻璃粉末的玻璃料膏涂布或印刷在透光板2的表面后，将玻璃料膏烧成(第一热处理)。由此在透光板2上形成由玻璃烧成层构成的凹凸层3。在此，第一热处理的热处理温度需要低于透光板2的耐热温度，优选比透光板2的软化点(例如730℃)低，更优选比透光板2的软化点低50～200℃程度。
在高折射率层形成工序中，在将包含玻璃粉末的玻璃料膏涂布或印刷在凹凸层3(或凹凸层3以及透光板2)上后，将玻璃料膏烧成(第二热处理)。由此在凹凸层3之上形成由玻璃烧成层构成的高折射率层4。在此，第二热处理的热处理温度优选与第一热处理的热处理温度相比是低温。如此一来，通过第一热处理形成的凹凸层3在第二热处理中也能维持其形态。
在透明导电层形成工序中，首先通过溅射、蒸镀、CVD等公知的手法在高折射率层4上形成透明导电层5。之后对应于给定的图案形成形状，将透明导电层5的一部分通过激光加工进行除去(激光加工工序)。由此在透明导电层5形成凹状槽部6，至少分离成第一区域R1和第二区域R2。在激光加工中例如使用脉冲激光器。
在激光加工工序中，形成凹状槽部6，使得上述的式(1)以及(2)的关系成立。这时，例如通过调整激光器功率、照射斑径来调整凹状槽部6的最小宽度w1以及/或者最大深度d1。
在该激光加工工序后，在凹状槽部6的侧壁部6b中的透明导电层5的表面5a侧的端部6b1中有受到激光加工时的热的影响而形成比透明导电层5的表面5a更加隆起的隆起部7的情况。为此在本实施方式的透明导电层形成工序中，在激光加工工序后对透明导电层5的表面5a进行研磨。该研磨工序例如通过抛光研磨进行。由此隆起部面积成为矩形区域S的面积的10％以下。另外，隆起部7并不限定于通过激光加工形成。
在有机EL元件层形成工序中，通过蒸镀在透明导电层5上形成有机EL元件层12。有机EL元件层12也形成在凹状槽部6内，通过有机EL元件层12保持第一区域R1与第二区域R2之间的绝缘。这时优选形成有机EL元件层12，使得上述的式(3)的关系成立。
在阴极形成工序中，通过溅射、蒸镀、CVD等公知的手法在有机EL元件层12上形成阴极13。
【实施例】
首先说明本发明的实施例所涉及的有机EL设备的制造条件。
作为透光板而准备厚度0.7mm的苏打石灰玻璃基板。在该玻璃基板的表面使用丝网印刷机涂布约25μm的厚度的凹凸层形成用玻璃料膏，在130℃下进行干燥后，使用电炉在600℃下进行第一热处理。通过第一热处理让凹凸层形成用玻璃料膏中的玻璃粉末的玻璃粒子彼此相互熔合，从而在玻璃基板的表面形成凹凸层。
在玻璃基板以及凹凸层各自之上使用模压涂机涂布厚度约80μm的高折射率层形成用玻璃料膏，在130℃下进行干燥后，使用电炉在580℃下进行第二热处理。由于第二热处理的热处理温度与第一热处理的热处理温度相比是低温，因此通过第一热处理形成的凹凸层在第二热处理中也维持其形态。通过第二热处理，高折射率层形成用玻璃料膏中的玻璃粉末的玻璃粒子彼此相互熔合并在平面方向上流动，从而形成具有平坦且平滑的表面的高折射率层。
通过溅射装置在高折射率层之上形成厚度120nm的由ITO膜构成的透明导电层。之后通过波长1550nm的脉冲激光器装置(“Raydiance公司”制R-100)对透明导电层进行激光加工，在透明导电层形成凹状槽部。这时，通过调整激光器功率、照射斑径，来进行凹状槽部的深度、宽度的控制。
在上述的激光加工后，通过抛光研磨对透明导电膜的表面进行研磨，来制造有机EL设备用基板。
进而在上述的有机EL设备用基板上通过真空蒸镀形成由空穴注入层、发光层、电子输送层、电子注入层构成的厚度150nm的有机层、和厚度80nm的铝电极(阴极)，制造有机EL设备。
另一方面，比较例所涉及的有机EL设备在上述的实施例所涉及的有机EL设备的制造工序中，根据与实施例不同的激光器照射条件，通过变更凹状槽部的深度、宽度来制造。另外，激光器照射条件以外的制造条件与实施例同样。
然后对实施例1～9以及比较例1～4分别评价漏电流。对实施例1～9以及比较例1～4分别制造具有2mm×2mm的发光面积的有机EL设备，用“ケ一スレ一公司”制2400型源表测定该制造的各有机EL设备的电流-电压特性，来进行漏电流的评价。这时，将电压2V时的电流值作为漏电流(mA/cm2)。在表1示出其结果。
【表1】
根据表1，在d1/{(w1)0.5}不足0.1的实施例1～9的全部中，漏电流为7×10-5mA/cm2以下，能确认得到作为有机EL设备而适合的值。在此，用扫描型电子显微镜确认实施例2的有机EL设备中所用的有机EL设备用基板中的凹状槽部的状态的结果，如图5A以及图5B所示那样，透明导电膜被一致地除去，在凹状槽部的底壁部露出高折射率层。另外，在露出的高折射率层看不到裂纹、熔融、变色等损伤。
与此相对，在d1/{(w1)0.5}为0.1以上的比较例1～4的全部中，漏电流为1×10-4mA/cm2以上，与实施例1～9相比漏电流非常大。
在此，在实施例1～9、比较例1～3中，由于占据在矩形区域的面积中的隆起部面积成为10％以下，因此在比较例1～3中，也与占据在矩形区域的面积中的隆起部面积超过10％的比较例4相比而漏电流更小。
另外，本发明并不限定于上述的实施方式、实施例的结构，并不限定于上述的作用效果。本发明能在不脱离本发明的要旨的范围内进行种种变更。
在上述的实施方式中，说明了在凹状槽部6内形成有机EL元件层12来将凹状槽部6绝缘的情况，但也可以取代有机EL元件层12而如图6所示那样在凹状槽部6填充绝缘树脂21。该绝缘树脂21的充填可以在有机EL设备用基板1的制造工序中进行，也可以在有机EL设备11的制造工序中进行。在前者的情况下，有机EL设备用基板1在凹状槽部6具备绝缘树脂21。
附图标记的说明
1 有机EL设备用基板
2 透光板
3 凹凸层
4 高折射率层
5 透明导电层
5a 表面
6 凹状槽部
6a 底壁部
6b 侧壁部
7 隆起部
11 有机EL设备
12 有机EL元件层
13 阴极
21 绝缘树脂
R1 第一区域
R2 第二区域
S 矩形区域
d1 凹状槽部的最大深度
w1 凹状槽部的最小宽度

Claims (7)

1.一种有机EL设备用基板，在厚度方向上依次具有透光板、高折射率层和透明导电层，所述有机EL设备用基板的特征在于，
具有：将所述透明导电层至少分离成第一区域和第二区域的凹状槽部，
并且，在将透明导电层的厚度设为t1、将所述凹状槽部的最小宽度设为w1、将以所述透明导电层的与所述高折射率层相反侧的表面为基准的所述凹状槽部的最大深度设为d1的情况下，其中t1、w1及d1的单位均为μm，
t1≤d1且d1/{(w1)0.5}＜0.1的关系成立。
2.根据权利要求1所述的有机EL元件用基板，其特征在于，
所述凹状槽部的最小宽度是10μm以上。
3.根据权利要求1或2所述的有机EL设备用基板，其特征在于，
所述凹状槽部的侧壁部中的所述透明导电层的所述表面侧的端部具有与所述透明导电层的所述表面相比更加隆起的隆起部，
在设置沿着所述凹状槽部的长边方向的尺寸为40μm、沿着所述凹状槽部的宽度方向的尺寸为10μm的矩形区域而使其包含所述侧壁部的所述端部的情况下，在所述矩形区域内，以所述透明导电层的所述表面为基准的所述隆起部的高度为10nm以上的部分的俯视观察下的面积是所述矩形区域的面积的10％以下。
4.一种有机EL设备，其特征在于，具备
权利要求1～3中任一项所述的有机EL设备用基板；和
形成于所述有机EL设备用基板的所述透明导电层侧的有机EL元件层。
5.一种有机EL设备用基板的制造方法，该有机EL设备用基板在厚度方向上依次具有透光板、高折射率层和透明导电层，
所述有机EL设备用基板的制造方法的特征在于，具备：
激光加工工序，通过激光加工除去所述透明导电层的一部分，形成将所述透明导电层至少分离成第一区域和第二区域的凹状槽部，
在所述激光加工工序中，在将所述透明导电层的厚度设为t1、将所述凹状槽部的最小宽度设为w1、将以所述透明导电层的与所述高折射率层相反侧的表面为基准的所述凹状槽部的最大深度设为d1的情况下，形成所述凹状槽部，使得以下的关系成立：
t1≤d1且d1/{(w1)0.5}＜0.1，
其中t1、w1及d1的单位均为μm。
6.根据权利要求5所述的有机EL设备用基板的制造方法，其特征在于，
在所述激光加工工序中，形成所述凹状槽部，使得所述凹状槽部的最小宽度为10μm以上。
7.根据权利要求5或6所述的有机EL设备用基板的制造方法，其特征在于，
所述有机EL设备用基板的制造方法在所述激光加工工序之后具备：对所述透明导电层的所述表面进行研磨的研磨工序，
在所述研磨工序后，所述凹状槽部的侧壁部中的所述透明导电层的所述表面侧的端部具有与所述透明导电层的所述表面相比更加隆起的隆起部，
在设置沿着所述凹状槽部的长边方向的尺寸为40μm、沿着所述凹状槽部的宽度方向的尺寸为10μm的矩形区域而使其包含所述侧壁部的所述端部的情况下，对所述透明导电层的所述表面进行研磨，使得在所述矩形区域内，以所述透明导电层的所述表面为基准的所述隆起部的高度为10nm以上的部分的俯视观察的面积成为所述矩形区域的面积的10％以下。
CN201880024127.3A 2017-04-25 2018-04-04 有机el设备用基板、有机el设备以及有机el设备用基板的制造方法 Pending CN110521283A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017086493 2017-04-25
JP2017-086493 2017-04-25
JP2017190706A JP2018186066A (ja) 2017-04-25 2017-09-29 有機ｅｌデバイス用基板、有機ｅｌデバイスおよび有機ｅｌデバイス用基板の製造方法
JP2017-190706 2017-09-29
PCT/JP2018/014440 WO2018198698A1 (ja) 2017-04-25 2018-04-04 有機ｅｌデバイス用基板、有機ｅｌデバイスおよび有機ｅｌデバイス用基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110521283A true CN110521283A (zh) 2019-11-29

Family

ID=64356130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880024127.3A Pending CN110521283A (zh) 2017-04-25 2018-04-04 有机el设备用基板、有机el设备以及有机el设备用基板的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210104699A1 (zh)
EP (1) EP3618572A1 (zh)
JP (1) JP2018186066A (zh)
KR (1) KR20200005529A (zh)
CN (1) CN110521283A (zh)
TW (1) TW201842692A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113764606A (zh) * 2020-06-03 2021-12-07 大日本印刷株式会社 电子器件、电子器件的制造方法和蒸镀掩模组

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004219928A (ja) * 2003-01-17 2004-08-05 Dainippon Printing Co Ltd ディスプレイパネル用の電極の作製方法
JP2010286615A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Sony Corp 光学部品の製造方法、光学部品、表示装置の製造方法および表示装置
CN102474934A (zh) * 2009-08-27 2012-05-23 株式会社钟化 集成化有机发光装置、有机发光装置的制造方法及有机发光装置
CN102695363A (zh) * 2011-03-25 2012-09-26 索尼公司 导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置和母版
CN103155725A (zh) * 2010-10-22 2013-06-12 索尼公司 图案基板、图案基板的制造方法、信息输入装置和显示装置
US20160172596A1 (en) * 2014-12-16 2016-06-16 Carbonics Inc. Photolithography Based Fabrication of 3D Structures

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5239936B2 (ja) 2009-02-23 2013-07-17 日本電気硝子株式会社 有機ｅｌ素子用ガラス基板及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004219928A (ja) * 2003-01-17 2004-08-05 Dainippon Printing Co Ltd ディスプレイパネル用の電極の作製方法
JP2010286615A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Sony Corp 光学部品の製造方法、光学部品、表示装置の製造方法および表示装置
CN102474934A (zh) * 2009-08-27 2012-05-23 株式会社钟化 集成化有机发光装置、有机发光装置的制造方法及有机发光装置
CN103155725A (zh) * 2010-10-22 2013-06-12 索尼公司 图案基板、图案基板的制造方法、信息输入装置和显示装置
CN102695363A (zh) * 2011-03-25 2012-09-26 索尼公司 导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置和母版
US20160172596A1 (en) * 2014-12-16 2016-06-16 Carbonics Inc. Photolithography Based Fabrication of 3D Structures
WO2016100303A2 (en) * 2014-12-16 2016-06-23 Carbonics Inc. Photolithography based fabrication of 3d structures

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113764606A (zh) * 2020-06-03 2021-12-07 大日本印刷株式会社 电子器件、电子器件的制造方法和蒸镀掩模组

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200005529A (ko) 2020-01-15
EP3618572A1 (en) 2020-03-04
TW201842692A (zh) 2018-12-01
JP2018186066A (ja) 2018-11-22
US20210104699A1 (en) 2021-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101638488B1 (ko) 고굴절률 유리
TWI609515B (zh) 結晶性玻璃基板、結晶化玻璃基板及其製造方法、 及擴散板
JP6066060B2 (ja) 結晶化ガラス基板及びその製造方法
CN105359291A (zh) 用于发光装置的层板及其制备方法
WO2015186606A1 (ja) 分相ガラス、分相性ガラス、有機ｅｌデバイス及び分相ガラスの製造方法
US10379269B2 (en) Transparent diffusive OLED substrate and method for producing such a substrate
CN110521283A (zh) 有机el设备用基板、有机el设备以及有机el设备用基板的制造方法
WO2015186584A1 (ja) 分相ガラス及び分相ガラスの製造方法並びに分相ガラスを用いた複合基板
JP6249218B2 (ja) ガラスの製造方法及びガラス
WO2015034030A1 (ja) ガラス及びその製造方法
WO2014010621A1 (ja) 光取り出し層形成用ガラス、これを用いた、光取り出し層形成用ガラス粉末、光取り出し層の形成方法、光取り出し層形成用材料、光取り出し層形成用ガラスペースト、有機ｅｌ素子用ガラス基板、有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子用ガラス基板の製造方法
WO2018198698A1 (ja) 有機ｅｌデバイス用基板、有機ｅｌデバイスおよび有機ｅｌデバイス用基板の製造方法
EP3028999B1 (en) Transparent diffusive oled substrate and method for producing such a substrate
JP2013109923A (ja) 電子デバイス用基板の製造方法
JP2016064970A (ja) 分相ガラス
JP6406571B2 (ja) ガラス
JP2015105218A (ja) ガラス基板及びその製造方法
JP6331076B2 (ja) ガラスフィルム及びこれを用いた複合基板
JP6090708B2 (ja) 拡散板及びそれを備えた照明装置
WO2016117406A1 (ja) 分相ガラス
JP2016011245A (ja) 分相ガラス
JP2015227272A (ja) 分相ガラス及びこれを用いた複合基板
JP6295625B2 (ja) 有機ｅｌ素子用ガラス基板及びその製造方法
CN109315033A (zh) 电子器件用基板的母基板
JP2018027877A (ja) 分相ガラス

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20191129

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication