CN102695363A - 导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置和母版 - Google Patents

Abstract

本技术涉及导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置和母版。该导电元件包括：具有第一波面、第二波面和第三波面的基体，设置在第一波面上的第一层以及设置在第二波面的第二层。第一层具有层叠两个以上的子层的多层结构，第二层具有包括构成第一层的一部分子层的单层结构或多层结构，第一层和第二层形成导电图案部分。第一、第二和第三波面满足以下关系：0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，其中，Am1：第一波面的平均振幅，Am2：第二波面的平均振幅，Am3：第三波面的平均振幅，λm1：第一波面的平均波长，λm2：第二波面的平均波长，λm3：第三波面的平均波长。

Description

导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置和母版

技术领域

本技术涉及电子导电元件(下文中称为“导电元件”)及其制造方法、配线元件、信息输入装置、显示装置、电子设备和母版。更具体地讲，本技术涉及在基体的表面上形成导电图案部分的导电元件。

背景技术

到目前为止，使用光刻法形成电路图案的方法被广泛用作在由玻璃、塑料等绝缘基体上形成具有预定电路图案的导电层的方法。在这类形成电路图案的方法中，通常使用分步重复法以及与分步重复法类似的方法。具体地，在该方法中，通过“金属层涂覆”、“抗蚀剂的涂布”、“曝光”、“显影”、“蚀刻”和“抗蚀剂去除”的步骤形成电路图案。因此，使用光刻法形成电路图案的方法生产能力低。

为了实现生产能力的提高，已提出使用丝网印刷形成电路图案的方法。在使用丝网印刷形成电路图案的方法中，通过用橡胶滚轴将例如金属糊通过掩模涂布到绝缘基体、然后烘烤金属糊来形成具有预定电路图案的导电层。由于使用丝网印刷形成电路图案的方法提供了高生产能力，所以已经研究了在各种设备上应用该方法。例如，日本未审查专利申请公开第2009-266025号公开了通过使用丝网印刷形成触摸屏的电极的方法。此外，日本未审查专利申请公开第2005-149807号公开了使用丝网印刷形成图像形成装置的电极的方法。

然而，丝网印刷的缺点在于，例如，掩模很昂贵、高精度的掩模对准操作复杂以及在掩模中形成的开口容易堵塞。因此，除了丝网印刷，还需要能够实现高生产能力的形成电路图案的方法。

发明内容

期望提供能够实现高生产能力的导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置、显示装置和电子设备以及母版。

根据本技术的实施方式，提供了一种导电元件，包括：基体，具有第一波面、第二波面和第三波面；第一层，设置在第一波面上；第二层，设置在第二波面上；其中，第一层具有层叠有两个以上子层的多层结构；第二层具有包括构成第一层的一部分子层的单层结构或多层结构，第一层和第二层形成导电图案部分，以及第一波面、第二波面和第三波面满足以下关系：

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8

其中，Am为第一波面的振动的平均振幅，Am2为第二波面的振动的平均振幅，Am3为第三波面的振动的平均振幅，λm1为第一波面的平均波长，λm2为第二波面的平均波长，λm3为第三波面的平均波长。

根据本技术的另一实施方式，提供了一种导电元件的制造方法，该方法包括：通过层叠两个以上子层在具有第一波面、第二波面和第三波面的基体的表面上形成层叠膜；以及在第一波面、第二波面和第三波面中，通过去除位于第三波面上的层叠膜，保留位于第一波面的层叠膜作为第一层，保留位于第二波面的构成所述层叠膜的一部分子层作为第二层，其中，第一波面、第二波面和第三波面满足以下关系：

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8

其中，Am1为第一波面的振动的平均振幅，Am2为第二波面的振动平均振幅，Am3为第三波面的振动的平均振幅，λm1为第一波面的平均波长，λm2为第二波面的平均波长，λm3为第三波面的平均波长。

根据本技术的实施方式，导电图案部分可以如下形成：在基体的第一波面、第二波面和第三波面上形成层叠膜。接下来，利用形成在第一波面、第二波面和第三波面上的层叠膜的状态的差异，在第一、第二和第三波面中，去除位于第三波面上的层叠膜、保留位于第一波面的层叠膜作为第一层、并且保留位于第二波面的构成所述层叠膜的一部分子层作为第二层。

如上所述，根据本技术的实施方式，可提供具有高精度且实现高生产能力的导电元件。

附图说明

图1A是示出根据本技术的第一实施方式的导电元件的构成实例的平面图；

图1B是沿图1A中线IB-IB截取的截面图；

图1C是示出第一区域、第二区域和第三区域的设置顺序的变形例的截面图；

图2A是图1B中所示的第一区域的一部分的放大截面图；

图2B是图1B中所示的第二区域的一部分的放大截面图；

图2C是图1B中所示的第三区域的一部分的放大截面图；

图3A是示出二维设置有多个结构体的第二区域的放大透视图；

图3B是示出二维设置有多个结构体的第二区域的放大平面图；

图4A是示出一维设置有多个结构体的第二区域的放大透视图；

图4B是示出一维设置有多个结构体的第二区域的放大平面图；

图5A是示出用于制作基体的辊形母版的构成示例的透视图；

图5B是示出图5A中示出的辊形母版的一部分的放大透视图；

图6A是辊形母版的一部分的放大截面图；

图6B是示出第二区域的一部分的放大透视图；

图6C是示出第二区域的一部分的放大平面图；

图7是示出辊形母版曝光装置的构成实例的示意图；

图8A至8C是示出根据本技术的第一实施方式的导电元件的制造方法的实例的工序图；

图9A至9C是示出根据本技术第一实施方式的导电元件的制造方法的实例的工序图；

图10A至10C是示出根据本技术第一实施方式的导电元件的制造方法的实例的工序图；

图11A是示出根据本技术第二实施方式的导电元件的构成实例的平面图；

图11B是沿图11A中线XIB-XIB截取的截面图；

图12A是图11B所示的第一区域的一部分的放大截面图；

图12B是图11B所示的第二区域的一部分的放大截面图；

图12C是图11B所示的第三区域的一部分的放大截面图；

图13A是示出用于制作基体的辊形母版的一部分的放大透视图；

图13B是图13A中所示的辊形母版的一部分的放大截面图；

图14A是示出根据本技术第三实施方式的导电元件的构成实例的截面图；

图14B是示出根据本技术第三实施方式的导电元件的变形例的截面图；

图15A是示出根据本技术第四实施方式的导电元件的构成实例的平面图；

图15B是沿图15A中线XVB-XVB截取的截面图；

图16A是图15B所示的第一区域的一部分的放大截面图；

图16B是图15B所示的第二区域的一部分的放大截面图；

图16C是图15B所示的第三区域的一部分的放大截面图；

图17A是示出根据本技术第五实施方式的导电元件的第一区域的截面图；

图17B是示出根据本技术第五实施方式的导电元件的第二区域的截面图；

图17C是示出根据本技术第五实施方式的导电元件的第三区域的截面图；

图18A是根据本技术第六实施方式的液晶显示装置的构成实例的透视图；

图18B是第一导电元件的表面的放大透视图；

图19A是示出了第一导电元件和第二导电元件的表面结构的第一实例的截面图；

图19B是示出第一导电元件和第二导电元件的表面结构的第二实例的截面图；

图20是示出根据本技术第七实施方式的包括触摸板的显示装置的构成实例的透视图；

图21A是示出根据本技术第七实施方式的触摸板的第一构成实例的透视图；

图21B是示出第一导电元件的构成实例的分解透视图；

图22是图21A所示的区域R的放大平面图；

图23A是示出根据本技术第七实施方式的触摸板的第二构成实例的透视图；

图23B是示出第一导电元件的构成实例的分解透视图；

图24A是示出根据本技术第八实施方式的IC卡的构成实例的平面图；

图24B是示出形成了图24A所示的天线线圈的区域的放大平面图；

图24C是示出形成了图24A所示的配线的区域的放大平面图；

图25A是示出根据本技术第九实施方式的显示装置的构成实例的截面图；

图25B是示出图25A所示的配线区域的放大的截面图；

图25C是示出图25A所示的非配线区域的放大截面图；

图26A是示出用于制作根据参考例1的透明导电片的石英母版的形成表面的示意图；

图26B是示出用于评估根据参考例1的透明导电片的导通/非导通的点的示意图；

图27是示出蚀刻时间和初始变化率的倒数(假想厚度的变化)之间的关系的示图。

具体实施方式

参照附图详细描述本技术的实施方式。

第一实施方式

(利用平面以及两种类型的波面之间的不同而在基体表面上形成导电图案部分的实施方式)

[导电元件的构成]

图1A是示出根据本技术第一实施方式的导电元件的构成示例的平面图。图1B是沿图1A中的线IB-IB截取的截面图。图2A是图1B中所示的第一区域的一部分的放大截面图。图2B是图1B中所示的第二区域的一部分的放大截面图。图2C是图1B中所示的第三区域的一部分的放大截面图。在下面的描述中，在导电元件1的主表面中彼此正交的两个方向被称为“X轴方向”和“Y轴方向”，与主表面垂直的方向被称为“Z轴方向”。

根据第一实施方式的导电元件1包括：具有第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃的基体2、在第一区域R₁形成的第一层4₁和在第二区域R₂形成的第二层4₂。第一层4₁在第一区域R₁连续形成以形成导电图案部分。第二层4₂在第二区域R₂连续形成以形成导电图案部分。第一层4₁和第二层4₂可形成彼此分开的导电图案部分。或者，第一层4₁与第二层4₂也可形成单一导电图案部分。

导电图案部分例如为配线部分或电极图案部分。优选地，第一层4₁具有层叠有两个以上子层的多层结构，并至少包含具有导电性的子层。优选地，第二层4₂具有包括构成第一层4₁的一部分子层的单层结构或多层结构，并且至少包含具有导电性的子层。本文中，“构成第一层4₁的一部分子层”是指通过从具有多层结构的第一层4₁的顶部去除至少一个子层而获得的子层，或通过从具有多层结构的子层4₁的顶部使得至少一个子层不连续以形成例如岛状并保持剩余的子层连续而获得的子层。

导电元件1例如为印刷电路板或图像显示装置。例如，印刷电路板包括刚性板、柔性板和刚柔性板(flexible-rigid board)。例如，图像显示装置的包括液晶显示装置和电致发光(EL)装置(诸如有机EL装置和无机EL装置)。

在图1B中，第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃以该顺序设置。然而，该顺序只是示例，这些区域的顺序可根据例如电路或元件设计而变为期望的顺序。例如，如图1C所示，第三区域R₃可设置在第一区域R₁和第二区域R₂之间，使得第一层4₁和第二层4₂具有彼此独立的导电图案部分的功能。具体地，第一区域R₁上形成的第一层4₁可用作第一导电图案部分，第二区域R₂上形成的第二层4₂可以作用第二导电图案部分。

(第一区域和第二区域)

在基体2的第一区域R₁的表面上，例如，形成平面Sp1。第一层4₁在平面Sp1上连续形成。在基体2的第二区域R₂的表面上，例如，形成波面Sw2。第二层4₂在波面Sw2上连续形成。另一方面，在基体2的第三区域R₃的表面上，例如，形成波面Sw3，诸如第一层4₁或第二层4₂层的层没有在波面Sw3上形成。因此，第三区域R₃用作两个第一层4₁之间、两个第二层4₂之间或者一个第一层4₁和一个第二层4₂之间的绝缘区域R₃的功能。相比之下，连续形成在第一区域R₁的第一层4₁在第一区域R₁延伸方向上具有导电性，并且用作导电图案部分。类似地，在第二区域R₂连续形成的第二层4₂在第二区域R₂延伸的方向上具有导电性，并且用作导电图案部分。

平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3优选地满足以下关系：

(Am1/λm1)＝0，0＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8

其中，Am1是平面Sp1的振动的平均振幅(mean amplitude ofvibration)，Am2是波面Sw2的振动的平均振幅，Am3是波面Sw3的振动的平均振幅，λm1是平面的平均波长，λm2是波面Sw2的平均波长，而λm3是波面Sw3的平均波长。

由于平面Sp1被认为是振动的平均振幅为“零”的波面，平面Sp1的振动的平均振幅Am1、平均波长λm1以及比率(Am1/λm1)可以如上所述地定义。

在比率(Am3/λm3)大于1.8的情况下，在转印波面Sw3的步骤中可能会发生剥离失败，波面Sw3容易被损坏。

在本文中，如下确定平均波长λm2和波面Sw2的振动的平均振幅Am2。首先，沿一个截面切割导电元件1，使得包括波面Sw2的振动的振幅变为最大的位置。使用透射电子显微镜(TEM)拍摄该截面的图像。然后，由TEM图像确定波面Sw2的波长λ2和振动的振幅A2。在从导电元件1随机选择的10个位置重复进行此测量。将测得的值进行单纯的平均(算术平均)以确定波面Sw2的平均波长λm2和振动的平均振幅Am2。接下来，使用平均波长λm2和振动的平均振幅Am2确定波面Sw2的比率(Am3/λm3)。

如同波面Sw2的平均波长λm2、振动的平均振幅Am2和比率(Am2/λm2)一样，也确定波面Sw3的平均波长λm3、振动的平均振幅Am3和比率(Am3/λm3)。

波面Sw2和波面Sw3各自为一维波面或二维波面。波面Sw2和波面Sw3可都是一维波面或二维波面。然而，波面Sw2和Sw3并不仅限于此。可选地，波面Sw2和波面Sw3中的一个可为一维波面，而另一个可为二维波面。

通过在一个方向切割波面Sw2或波面Sw3而获得的、包括波面Sw2或波面Sw3的振动振幅变为最大的位置的截面形状为，例如，三角波形、正弦波形、其中二次曲线或二次曲线的一部分重复的波形、或类似于这些形状中的任何一种的形状。例如，二次曲线包括圆形、椭圆形和抛物线。

波面Sw2的波长λ2和波面Sw3的波长λ3均优选为100μm以下，更优选在100nm以上且100μm以下的范围中。如果波长λ2和波长λ3小于100nm，趋向于难以形成波面Sw2和波面Sw3。另一方面，如果波长λ2和波长λ3超过100μm，在刻印和膜形成步骤中，涉及阶梯覆盖(stepcoverage)的问题可能会出现，由此易于产生缺陷。

从减少导电元件的表面的光反射的角度来看，波长λ2和波长λ3优选等于或小于要减少反射的光的波长带。要减少反射的光的波长带例如为紫外线波长带、可见光波长带或红外光波长带。在本文中，术语“紫外线波长带”指10nm以上360nm以下的波长带，术语“可见光波长带”指360nm以上830nm以下的波长带，以及术语“红外波长带”指830nm以上1mm以下的波长带。具体地，波长λ2和波长λ3各自优选在100nm以上350nm以下的范围中，更优选为100nm以上320nm以下，进一步优选为110nm以上280nm以下。如果波长λ2和波长λ3小于100nm，则倾向于难以形成波面Sw2和波面Sw3。另一方面，如果波长λ2和波长λ3超过350nm，倾向于发生可见光的衍射。

波面Sw2和波面Sw3均可是具有纳米级或微米级波长的波面。然而，Sw2和Sw3波面并不仅限于此。波面Sw2和波面Sw3中的一个波面可以是具有纳米级波长的波面，而另一个可以是具有微米级波长的波面。

优选地，在第三区域R₃中，完全不存在构成第一层4₁或第二层4₂的一部分子层(以下称为“第三层”)来作为残留层。然而，第三层可以作为这样的残留层而存在：第三层不构成导电图案部分并且第三区域R₃用作绝缘区域。

在第三层作为残留层存在的情况下，第一层4₁、第二层4₂和第三层优选满足以下关系：

S1＞S2＞S3

其中，S1是第一层4₁的单位面积，S2是第二层4₂的单位面积，而S3是第三层的单位面积。

具体地，在满足该关系的情况下，优选地，第一层4₁在第一区域R₁连续形成，第二层4₂在第二区域R₂连续形成，而第三层在第三区域R₃以例如岛状形式而间断形成。

在第三层作为残留层存在的情况下，第一层4₁、第二层4₂和第三层优选满足以下关系：

d1＞d2＞d3

其中，d1是第一层4₁的平均厚度，d2是第二层4₂的平均厚度，而d3是第三层的平均厚度。

具体地，在满足该关系的情况下，优选地，第三层的平均厚度小于第一层4₁的平均厚度和第二层4₂的平均厚度，并达到第三层基本上没有表现出导电性并且第三区域R₃用作绝缘区域的程度。

注意，因为第三层如上所述地不具有导电图案部分的功能，所以在图1B、图1C和图2C中第三层的图示被省略。此外，图1A示出第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃各自具有直线形状的实例。然而，第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃的形状并不限于此，例如，可根据电路或元件的设计而变为期望的形状。

(基体)

基体2为例如透明或不透明的基体。例如，基体2的材料包括诸如塑料材料的有机材料和诸如玻璃的无机材料。

例如，可使用的玻璃包括钠钙玻璃、铅玻璃、硬质玻璃、石英玻璃和液晶玻璃(见“Kagaku Binran(Handbook of Chemistry)”Kiso-hen(基础版)，P.I-537，由The Chemical Society ofJapan编著)。从诸如透明度、折射率、色散的光学性质、耐冲击性、耐热性以及耐久性的各种特性来看，例如，塑料材料的优选实例包括(甲基)丙烯酸树脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯、以及聚甲基丙烯酸甲酯和乙烯基单体(例如，另一烷基(甲基)丙烯酸酯或苯乙烯)的共聚物；聚碳酸酯树脂，例如聚碳酸酯和二甘醇双烯丙基碳酸酯(CR-39)；热固性(甲基)丙烯酸树脂，例如(溴化)双酚A二(甲基)丙烯酸酯的均聚物或共聚物以及(溴化)双酚A单(甲基)丙烯酸酯的氨基甲酸乙酯改性单体的聚合物或共聚物；聚酯，特别是例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及不饱和聚酯；丙烯腈-苯乙烯共聚物；聚氯乙烯；聚氨酯；环氧树脂；聚芳酯；聚醚砜；聚醚酮；环烯烃聚合物(商品名：ARTON和ZEONOR)以及环烯烃共聚物。此外，考虑到耐热性，也可使用芳纶树脂。

例如，在塑料材料用作基体2的情况下，为了进一步改善例如塑料材料的表面能、涂布性、滑移性和表面平整性，作为表面处理可设置下涂层。例如，该下涂层的材料包括有机烷氧基金属化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯和聚氨酯。可选地，为了达到与形成下涂层相同的效果，可在基体2的表面上执行电晕放电处理、UV照射处理等。

在基体2为塑料薄膜的情况下，可以通过拉伸以上任何树脂，或者将以上任何树脂溶解在溶剂中、涂布所形成的溶液以形成膜并对膜进行干燥来制作基体2。基体2的厚度为例如约25μm至500μm。

例如，基体2的形状包括但不限于膜状、板状和块状。本文中，术语“膜状”被定义为包括片状。

(结构体)

波面Sw2是例如大量结构体3₂设置在第二区域R₂的凹凸面。波面Sw3为例如大量结构体3₃设置在第三区域R₃的凹凸面。结构体3₂和结构体3₃各自具有例如相对于基体2的表面的凸状。结构体3₂和3₃可独立于基体2形成或与基体2一体形成。在结构体3₂和3₃独立于基体2形成的情况下，基底层可选地设置在基体与结构体3₂和3₃之间。基底层是在结构体3₂和3₃的底面侧上与结构体3₂和3₃一体形成的层，并且通过固化与结构体3₂和3₃相同的能量线固化树脂组成物来形成。基底层的厚度没有特别限制，可以适当地选择。

结构体的3₂和结构体3₃的高宽比优选满足以下关系：

0＜(Hm2/Pm2)＜(Hm3/Pm3)≤1.8

其中，Hm2是结构体3₂的平均高度，Hm3是结构体3₃的平均高度，Pm2是结构体3₂的平均配置间距(mean array pitch)，而Pm3是结构体3₃的平均配置间距。

在比率(Hm3/Pm3)大于1.8的情况下，在转印结构体3₃的步骤中，可能出现剥离不良，结构体3₃容易被损坏。

本文中，如下确定结构体3₂的平均配置间距Pm2和平均高度Hm2。首先，沿截面切割包括结构体3₂的高度变为最大的位置的导电元件1。使用透射电子显微镜(TEM)对截面进行成像。接下来，由TEM图像确定结构体3₂的配置间距P2和高度H2。在从导电元件1随机选择的十个位置重复执行该测量。简单平均(算术平均)测量值的以确定结构体3₂的平均配置间距Pm2和平均高度Hm2。接下来，使用平均配置间距Pm2和平均高度Hm2确定结构体3₂的高宽比(Hm2/Pm2)。

如同确定结构体3₂的平均配置间距Pm2、平均高度Hm2和高宽比(Hm2/Pm2)一样，也确定结构体3₃的平均配置间距Pm3、平均高度Hm3和高宽比(Hm3/Pm3)。

结构体3₂和结构体3₃的设置可各自为一维设置或二维设置。结构体3₂和结构体3₃可以都为一维设置或二维设置。然而，结构体3₂和结构体3₃的设置并不仅限于此。可以是结构体3₂或结构体3₃为一维设置，而剩下的结构体3₃或3₂为二维设置。

结构体3₂和结构体3₃的设置可各自为例如规则设置或不规则设置。优选根据母版的制造方法等从以上的设置中选择适当的设置。可以将结构体3₂和结构体3₃都规则地设置或都不规则地设置。然而，结构体3₂和结构体3₃的设置并不仅限于此。可以将结构体3₂或结构体3₃规则地设置，而将剩余的结构体3₃或3₂不规则地设置。

结构体3₂的配置间距P2和结构体3₃的配置间距P3各自优选为100μm以上，更优选在100nm以上且100μm以下的范围中。如果配置间距P2和配置间距P3小于100nm，趋向于难以形成结构体3₂和结构体3₃。另一方面，如果配置间距P2和配置间距P3超过100μm，在刻印和膜形成步骤中，涉及阶梯覆盖的问题可能会出现，由此容易产生缺陷。

从减少导电元件表面的光的反射的角度来看，配置间距P2和配置间距P3优选等于或小于要减小反射的光的波长带。要减少反射的光的波长带为例如紫外线波长带、可见光波长带或红外光波长带。本文中，术语“紫外线波长带”指10nm以上360nm以下的波长带，术语“可见光波长带”指360nm以上830nm以下的波长带，术语“红外波长带”指830nm以上和1mm以下的波长带。具体地，配置间距P2和配置间距P3各自优选在100nm以上350nm以下，更优选在100nm以上320nm以下的范围内，进一步优选为110nm以上280nm以下。如果配置间距P2和配置间距P3小于100nm，趋向于难以形成结构体3₂和结构体3₃。另一方面，如果配置间距P2和配置间距P3超过350nm，容易发生可见光的衍射。

结构体3₂和结构体3₃可以都以纳米级或微米级的配置间距设置。然而，结构体3₂和3₃的设置并不仅限于此。可以是结构体3₂或结构体3₃以纳米级的配置间距设置，而剩余的结构体3₃或结构体3₂以微米级设置。

将参照图3A至4B描述一维或二维地设置多个结构体3₂的第二区域R₂。除了结构体3₃的高宽比与结构体3₂的高宽比不同以外，多个结构体3₃一维或二维地设置的第三区域R₃与第二区域R₂相同。因此，省略第三区域R₃的说明。

图3A是示出多个结构体二维地设置的第二区域的放大透视图。图3B是示出多个结构体二维地设置的第二区域的放大平面图。例如，多个结构体3₂在第二区域R₂中沿多行轨道T二维设置以形成二维波面Sw2。各个轨道T的形状可以为直线形、圆弧形等。可以蜿蜒(摆动)方式设置具有这些形状中的任何一种的轨道T。例如，设置在多行轨道T的多个结构体3₂可具有预定的规则的设置图案。例如，规则的设置图案包括诸如四方点阵图案和六方点阵图案的晶格图案。这些晶格图案可被扭曲(distort)。结构体3₂可被设置为使得结构体3₂的高度在基体2的表面上规则或不规则地变化。可选地，结构体3₂可被随机设置。

每个结构体3₂优选具有关于基体2的表面倾斜的斜率。结构体3₂的形状的具体例子包括圆锥形、柱状形、针形、半球形、半椭圆形、多边形和多棱锥形。然而，结构体3₂的形状并不限于此，还可以是其他形状。例如，圆锥形包括，但不仅限于，具有尖锐顶部的圆锥形、具有平坦顶部的圆锥形和在其顶部具有凹曲面或凸曲面的圆锥形。圆锥的锥形表面可弯曲以具有凹形或凸形。在使用以下所述的辊形母版曝光装置(参照图7)制造辊形母版的情况下，各个结构体3₂的形状优选为在其顶部具有凸形的椭圆锥形或者在其顶部具有平坦顶部的截顶椭圆锥形，优选使形成椭圆锥体的底面的椭圆的主轴方向与轨道T延伸的方向一致。

图4A是示出多个结构体一维设置的第二区域的放大透视图。图4B是示出多个结构体一维设置的第二区域的放大平面图。例如，多个结构体3₂在第二区域R₂中沿多行轨道T一维设置以形成一维波面Sw2。轨道T的形状可以为直线形、圆弧形等。可以蜿蜒(摆动)方式设置具有这些形状中的任何一种的轨道T。

结构体3₂各自为例如在一个方向延伸的柱状结构体。例如，柱状结构体的截面形状包括，但不限于三角形、在其顶点具有曲率R的三角形、多边形、半球形、半椭圆形和抛物线形。各个结构体3₂的具体实例包括但不限于透镜形状和棱镜形状。结构体3₂的厚度可在轨道延伸的方向上改变。可在轨道延伸的方向上间歇地设置结构体3₂。

(第一层和第二层)

如图2A所示，第一层4₁包括，例如，在第一区域R₁形成的导电子层4a、在导电子层4a上形成的第一功能子层4b和在第一功能子层4b上形成的第二功能子层4c。粘合子层可以可选地设置在构成第一层4₁的子层之间。

如图2B所示，第二层4₂包括例如导电子层4a。在第二层包括两个以上子层的情况下，粘合子层可以可选地设置在构成第二层4₂的子层之间。

第二层4₂优选形成与波面Sw2的表面形状一致，从而不会在第二区域R₂中抑制由波面Sw2提供的抗反射效果。第二层4₂的表面形状优选与波面Sw2的表面形状基本相似。这是因为抑制了由于第二层4₂的形成导致的折射率分布的变化，并可保持良好的抗反射特性和/或良好的透射特性。在第三层作为第三区域R₃的残留层存在的情况下，优选与波面Sw3的表面形状一致地形成第三层，从而不会在第三区域R₃中抑制由波面Sw3提供的抗反射效果。第三层的表面形状优选与波面Sw3的表面形状基本相似。

例如，导电子层4a包括但不限于金属子层、透明导电子层、金属氧化物子层和过渡金属化合物子层。第一功能子层4b的材料优选为至少不同于导电子层4a和第二功能子层4c的材料。第一功能子层4b的材料更优选为在去除步骤中与导电子层4a和第二功能子层4c之间产生溶解速率差异的材料。第二功能子层4c的材料优选为至少不同于导电子层4a和第一功能子层4b的材料。第二功能子层4c的材料更优选为在去除步骤中与导电子层4a和第一功能子层4b之间产生溶解速率差异的材料。

例如，透明导电子层为无机透明导电子层。无机透明导电子层优选包括透明氧化物半导体作为主要成分。例如，可使用的透明氧化物半导体包括诸如SnO₂、InO₂、ZnO和CdO的二元化合物；包含选自作为二元化合物的组成元素的Sn、In、Zn和Cd中的至少一种元素的三元化合物和多元(复合)氧化物。透明氧化物半导体的具体实例包括铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、铝掺杂的氧化锌(AZO(Al₂O₃，ZnO))、SZO、氟掺杂的氧化锡(FTO)、氧化锡(SnO₂)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、氧化铟锌(IZO(In₂O₃，ZnO))。特别地，从高可靠性、低电阻率等的角度来看，优选铟锡氧化物(ITO)。从提高电导率的角度来看，无机透明导电子层的材料优选为非晶相和多晶相的混合状态。作为金属子层的材料，可使用选自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu和Nd构成的组中的至少一种。

第一功能子层4b在溶液中的溶解度优选不同于至少导电子层4a在溶液中溶解度。第一功能子层4b优选由与导电子层4a的材料不同的材料构成。具体地，优选使用金属作为第一功能子层4b。例如，可使用选自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu和Nd构成的组中的至少一种作为上述金属。

例如，第一功能子层4b的材料包括介电材料和透明导电材料。具体地，优选使用选自由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物和过渡金属化合物组成的组中的至少一种。例如，可使用选自由氧化物和过渡金属化合物组成的组中的至少一种。例如，氧化物包括选自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi和Mg组成的组中的至少一种元素的氧化物。例如，氮化物包括选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、W、Ta和Zn构成的组中的至少一种元素的氮化物。例如，硫化物为硫化锌。例如，碳化物包括选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta和W构成的组中的至少一种元素的碳化物。例如，氟化物包括选自由Si、Al、Mg、Ca和La组成的组中的至少一种元素的氟化物。例如，过渡金属化合物包括选自由Al、AlTi、AlCu、Cu、Ag、AgPdCu、Mo、Sn、Ti、W、Au、Pt、Pd、Ni、Nb和Cr构成的组中的至少一种的化合物。例如，含有两种或更多种上述材料的混合物包括ZnS-SiO₂、SiO₂-Cr₂O₃-ZrO₂、In₂O₃-CeO₂、In₂O₃-Ga₂O₃、Sn₂O₃-Ta₂O₅和TiO₂-SiO₂。

第一功能子层4b优选包括非晶相和多晶相的混合状态的子层和多晶态子层中的至少一种子层。

第二功能子层4c为用于保护导电子层4a和第一功能子层4b的子层。第二功能子层4c在溶液中的溶解度优选不同于至少导电子层4a或第一功能子层4b在溶液中的溶解度。第二功能子层4c优选由与导电子层4a和第一功能子层4b的材料不同的材料构成，或由与第一功能子层4b的材料不同的材料构成。具体地，优选使用金属作为第二功能子层4d。例如，可使用选自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu和Nd构成的组中的至少一种作为上述金属。

例如，第二功能子层4c的材料包括介电材料和透明导电材料。具体地，优选使用选自由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物和过渡金属化合物组成的组中的至少一种。例如，可使用选自由氧化物和过渡金属化合物组成的组中的至少一种。例如，氧化物包括选自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi和Mg组成的组中的至少一种元素的氧化物。例如，氮化物包括选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、W、Ta和Zn构成的组中的至少一种元素的氮化物。例如，硫化物为硫化锌。例如，碳化物包括选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta和W构成的组中的至少一种元素的碳化物。例如，氟化物包括选自由Si、Al、Mg、Ca和La组成的组中的至少一种元素的氟化物。例如，过渡金属化合物包括由Al、AlTi、AlCu、Cu、Ag、AgPdCu、Mo、Sn、Ti、W、Au、Pt、Pd、Ni、Nb和Cr构成的组中的至少一种的化合物。例如，含有两种或更多种上述材料的混合物包括ZnS-SiO₂、SiO₂-Cr₂O₃-ZrO₂、In₂O₃-CeO₂、In₂O₃-Ga₂O₃、Sn₂O₃-Ta₂O₅和TiO₂-SiO₂。

第二功能子层4c优选包括在非晶相和多晶相的混合状态的子层和多晶态的子层中的至少一种子层，但并不限于此。

粘合子层是用于改善子层之间的粘附性的子层。例如，粘合子层的实例包括但不仅限于金属子层、氧化物子层、过渡金属化合物子层。

在第一区域R₁中层叠膜(第一层4₁)的表面电阻优选为5,000Ω/sq以下。当表面电阻超过5,000Ω/sq时，阻抗变得过高，层叠膜不容易被用作电极。

[辊形母版的构成]

图5A是示出用于制造基体的辊形母版的构成实例的透视图。图5B是示出图5A所示的辊形母版的一部分的放大透视图。辊形母版11为用于在上述基体的表面上形成平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3的母版。例如，辊形母版11为圆柱形(columnar shape)或圆筒形(cylindrical shape)。大量的第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃设置的圆柱面或圆筒面上。例如，辊形母版11的材料为玻璃，但并不特别限制于此。在图5A和5B所示的第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃的形状和设置顺序是示例性的，但并不限于此。根据期望的导电图案部分的形状适当选择第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃的形状和设置顺序。

图6A是辊形母版的一部分的放大截面图。图6B是示出第二区域R₂的一部分的放大透视图。图6C是示出第二区域R₂的一部分的放大平面图。第三区域R₃与第二区域R₂相同，但是第三区域R₃中的波面Sw3的比率((Am/λm)(Am：波面的振动的平均振幅，λm：波面的平均波长)大于第二区域R₂的波面Sw2的比率。因此，省略了第三区域R₃的说明。

辊形母版的第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃分别对应于基体2的第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃。也就是说，在辊形母版11的第一区域R₁形成的平面Sp1用于在基体2的第一区域R₁中形成平面Sp1。在辊形母版11的第二区域R₂形成的波面Sw2用于在基体2的第二区域R₂中形成波面Sw2。在辊形母版11的第三区域R₃形成的波面Sw3用于在基体2的第三区域R₃中形成波面Sw3。具体地，辊形母版11的波面Sw2和波面Sw3具有与基体2的波面Sw2和波面Sw3的凹凸形状相反的形状。也就是说，辊形母版11的结构体12₂和结构体12₃分别具有与基体2的表面上的结构体3₂和结构体3₃的凹凸形状相反的形状。

[曝光装置的构成]

图7是示出辊形母版曝光装置的构成实例的示意图。将参照图6描述辊形母版曝光装置的构成。可基于例如光盘记录装置构造辊形母版曝光装置。

激光光源21是用于对用作记录介质的辊形母版11的表面上形成的抗蚀层进行曝光的光源并振荡用于记录的波长λ为例如266nm的激光束。从激光光源21发出的激光束14在保持平行光束的形式下直线前进并入射到电光调制器(EOM)22。通过电光调制器22的激光束14在反射镜23被反射，导向至调制光学系统25。

反射镜23有偏振分光镜构成，具有反射一个偏振分量，而透射另一偏振分量的功能。穿过反射镜23的偏振分量由光电二极管(PD)24接收，并通过基于接收到的光信号控制电光调制器22来进行激光束14的相位调制。

在调制光学系统25中，激光束14通过聚光透镜26聚焦到由玻璃(SiO₂)等构成的声光调制器(AOM)27。激光束14由声光调制器27进行强度调制并发散，然后通过透镜28转换为平行光束。从调制光学系统25发出的激光束14在反射镜31上反射，水平且平行地导向至可移动光学台32。

可移动光学台32包括光束扩展器(BEX)33和物镜34。引导至可移动光学台32的激光束14通过光束扩展器33形成为期望的光束形状，然后通过物镜34应用于辊形母版11的抗蚀层。辊形母版11设置在连接至主轴电机35的转盘36上。在辊形母版11旋转并且激光束14在辊形母版11的高度方向上移动的情况下，通过使用激光束14间歇地照射抗蚀层来进行抗蚀层的曝光步骤。形成的潜像为大致椭圆形，并且各个椭圆形具有在圆周方向延伸的主轴。通过在箭头R所示的方向上移动可移动光学台32来进行激光束14的移动。

该曝光装置包括用于在抗蚀层上形成与预定的一维图案或二维图案对应的潜像的控制机构37。控制机构37包括格式器(formatter)29和驱动器30。格式器29包括极性反转单元。该极性反转单元控制应用于抗蚀层的激光束14的照射时间。驱动器30基于极性反转单元的输出控制声光调制器27。

在该辊形母版曝光装置中，通过在每个轨道中以空间连接二维图案的方式将极性反转格式器信号与记录装置的旋转控制器同步来产生信号，并通过声光调制器27进行强度调制。通过以恒定角速度(CAV)和适当的旋转数、适当的调制频率以及适当的输送间距进行图案化来记录诸如四方点阵图案或六方点阵图案的期望的二维图案。

[导电元件的制造方法]

参照图8A至图10C，将描述根据本技术的第一实施方式的导电元件1的制造方法的实例。在该方法中，考虑到生产率，优选以辊到辊的工艺进行转印步骤和后续步骤的一部分或全部。

(形成抗蚀层的步骤)

首先，如图8A所示，制作圆柱或圆筒辊形母版11。辊形母版11例如为玻璃母版。接下来，如图8B所示，在辊形母版的表面上形成抗蚀层13。例如，无论是有机抗蚀剂还是无机抗蚀剂都可用作抗蚀层13的材料。例如，可使用的有机抗蚀剂包括酚醛抗蚀剂和化学增强抗蚀剂。例如，可使用的无机抗蚀剂包括含有至少一种金属的金属化合物。

(曝光步骤)

接下来，如图8C所示，在旋转辊形母版11的同时，使用上述辊形母版曝光装置用激光束(曝光束)14照射抗蚀层13。在该步骤中，在激光束14在辊形母版11的高度方向(在与圆柱状或圆筒状滚形母版11的中心轴平行的方向上)移动的同时，执行激光束14的照射。在该情况下，潜像在第二区域R₂和第三区域R₃中形成以形成曝光部分，而没有潜像在第一区域R₁中形成以形成非曝光部分。例如，以可见光的波长以下的间距形成与激光束14的轨迹对应的潜像15。

例如，形成潜像15以在辊形母版11的表面上形成多行轨道并形成预定的一维图案或二维图案。潜像15各自为例如具有在轨道延伸的方向上延伸的长矩形或其主轴方向为轨道的延伸方向的椭圆形。

(显影步骤)

接下来，如图9A所示，通过在旋转辊形母版11的同时在抗蚀层13滴下显影剂而对抗蚀层13进行显影。如图所示，在抗蚀层13由正性抗蚀剂构成的情况下，在通过激光束14曝光的被曝光部分，在显影剂中的抗蚀剂的溶解速率变为高于非曝光部分。因此，与潜像(被曝光部分)15对应的图案在抗蚀层13上形成。由此，在第二区域R₂和第三区域R₃的抗蚀层13中形成多个开口。相反，在第一区域R₁的抗蚀层13中没有形成开口，整个第一区域R₁保持覆盖有抗蚀层13。具体地，仅在第二区域R₂和第三区域R₃具有开口图案的掩模在辊形母版11的表面上形成。开口图案可以是一维图案或二维图案。可以组合使用一维图案和二维图案。

(蚀刻步骤)

接下来，使用在辊形母版11上形成的抗蚀层13的图案(抗蚀图案)作为掩模，将辊形母版11的表面进行辊蚀刻处理。结果，如图9B所示，在辊形母版11的表面上第二区域R₂和第三区域R₃中，通过开口进行蚀刻，形成凹形的结构体12₂和结构体12₃。例如，这些结构体12₂和结构体12₃均具有例如在轨道延伸的方向上延伸的圆柱形、主轴方向为轨道延伸的方向的椭圆锥形或截顶椭圆锥形。相反，在辊形母版11的表面的第一区域R₁中，因为整个第一区域R₁覆盖有抗蚀层13，所以没有蚀刻进行。因此，保持辊形母版11的平坦表面。例如，可以使用干蚀刻作为蚀刻方法。由此，制作出辊形母版11。

(转印步骤)

接下来，例如，如图9C所示，诸如涂布有转印材料16的膜与辊形母版11紧密接触，转印材料16通过使用诸如紫外线的能量射线照射基体2来固化。然后将与固化的转印材料16一体的基体2从辊形母版11剥离，从而获得包括第一区域R₁(其上具有平面Sp1)、第二区域R₂(其上具有波面Sw2)和第三区域R₃(其上具有波面Sw3)的基体2，如图10A所示。

作为转印材料16，例如，可以使用能量射线固化树脂组成物。能量射线固化树脂组成物是可以通过能量射线照射来固化的树脂组成物。术语“能量射线”是指能够触发诸如自由基聚合、阳离子聚合或阴离子聚合的聚合反应的能量射线，能量射线的示例包括电子束、紫外线、红外线、激光束、可见光、电离辐射(如X射线、α射线、β射线和γ射线)、微波、高频波。如有必要，能量射线固化树脂组成物可与其他树脂组合使用。例如，能量射线固化树脂组成物可与诸如热固性树脂的其他可固化树脂组合使用。能量射线固化树脂组成物可以使有机-无机混合材料。可以组合使用两种或更多种能量射线固化树脂组成物。优选通过紫外线固化的紫外固化树脂组成物用作能量射线固化树脂组成物。紫外线固化树脂组成物包括例如紫外线固化材料、引发剂、填充剂、功能性添加剂等。

例如，紫外线固化材料包括单官能单体、双官能团单体和多官能团单体。具体地，可单独使用或作为两种或更多种材料的混合物使用以下材料。

例如，单官能单体包括羧酸(丙烯酸)、羟基烷基丙烯酸酯(丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸2-羟基丙酯和丙烯酸4-羟基丁酯)、烷基丙烯酸酯和脂环族丙烯酸酯(丙烯酸异丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸月桂醇酯、丙烯酸十八烷基酯、丙烯酸异冰片酯和丙烯酸环己酯)和其他功能单体(丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸、丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸苄酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨基丙基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰吗啉、N-异丙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、2-(全氟辛基)乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羟基丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羟基丙基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚异丁烯酸酯、2-(2，4，6-三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯和和2-乙基己基丙烯酸酯。

例如，双功能单体包括二缩三丙二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二烯丙基醚和聚氨酯丙烯酸酯。

例如，多官能单体包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、双季戊四醇五丙烯酸酯、双季戊四醇六丙烯酸酯和三羟甲基丙烷四丙烯酸脂。

例如，引发剂包括：2，2-二甲氧基-1，2-联苯乙-1-酮、1-羟基环己基苯基酮和2-羟基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮。

作为填充剂，例如，可使用无机细颗粒或有机细颗粒。例如，无机细颗粒包括诸如SiO₂、TiO₂、ZrO₂、SnO₂或Al₂O₃的金属氧化物的细颗粒。

功能性添加剂的示例包括流平剂、表面控制剂和消泡剂。

基体2的材料的示例包括异丁烯酸甲酯(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、二醋酸纤维素、三醋酸纤维素、醋酸丁酸纤维素、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚四甲基戊烯(polymethylpentene)、聚氯乙烯、聚乙烯醇缩醛、聚醚酮、聚氨酯和玻璃。

基体2的形成方法没有特别限制。例如，可以使用注射成型法、挤出成型法或铸造(cast，流延)成型法。在基体2的表面上可选地进行诸如电晕处理的表面处理。

(形成层叠膜的步骤)

接下来，如图10B所示，两个或更多个子层层叠在基体2的表面的第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃以形成层叠膜4。具体地，例如，导电子层、第一功能子层和第二功能子层以该顺序层叠在基体2的表面的第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃以形成层叠膜4。例如，层叠膜4的形成方法包括诸如热CVD、等离子CVD和光CVD的化学气相沉积法(CVD：通过化学反应从气相沉积薄膜的技术)；诸如真空气相沉积法、等离子增强气相沉积法、溅射法和离子电镀法的物理气相沉积法(PVD：在真空中物理气化的材料在基板上凝结以形成薄膜的技术)。可在对基体2进行加热下形成层叠膜4。

(退火步骤)

接下来，可选地，在层叠膜4上进行退火处理。因此，层叠膜4或包括在层叠膜4中的诸如无机透明导电子层的子层变为例如非晶相和多晶相混合的状态。

(去除层叠膜的步骤)

接下来，如图10C所示，在形成层叠膜4的基体2的表面上进行蚀刻处理。因此，在第三区域R₃去除层叠膜4。另一方面，在第一区域R₁保留层叠膜4作为第一层4₁，在第二区域R₂保留构成层叠膜4的一部分子层作为第二层4₂。更具体地，例如，在第三区域R₃中，去除导电子层、第一功能子层、第二功能子层。另一方面，在第一区域R₁中，导电子层、第一功能子层和第二功能子层保留作为第一层4₁，在第二区域R₂中，导电子层保持作为第二层4₂。因此，在第一区域R₁中形成的第一层4₁和在第二区域R₂中形成的第二层4₂用作导电图案部分，而第三区域R₃用作在导电图案部分之间的绝缘区域。在此去除步骤中，可使用干蚀刻或湿蚀刻。可以组合使用干刻蚀和湿刻蚀。例如，干刻蚀包括等离子蚀刻或反应离子刻蚀(RIE)。作为湿蚀刻的蚀刻剂，例如，可使用选自硫酸、盐酸、硝酸和氯化铁中的至少一种。或者，草酸；磷酸、醋酸和硝酸的混合酸；硝酸铈铵的水溶液可以用作蚀刻剂。

本文中，术语“去除”指：(1)层叠膜4完全从第三区域R₃消除，(2)使层叠膜4不连续(例如，以岛状的形式)并达到层叠膜4在第三区域R₃中不会呈现导电性的程度，(3)层叠膜4的厚度被减小到层叠膜4在第三区域R₃不会呈现导电性的程度。

更具体地，优选通过利用例如在平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3上形成的层叠膜4的状态的差异，基本上去除位于波面Sw3的层叠膜4，并残留位于平面Sp1的层叠膜4和位于波面Sw2的层叠膜的4以使彼此连续地连接。由此，在平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3中，导电图案部分可以选择性地形成在平面Sp1和波面Sw2上。

或者，优选通过利用例如在平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3上形成的层叠膜4的状态的差异，去除位于波面Sw3上的层叠膜4使得以例如岛状形式不连续，并残留位于平面Sp1的层叠膜4和位于波面Sw2的层叠膜4以使得彼此连续连接。由此，在平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3中，导电图案部分可以选择性地形成在平面Sp1和波面Sw2上。

或者，优选通过利用例如在平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3上形成的层叠膜4的状态的差异，去除位于波面Sw3上的层叠膜使得位于波面Sw3上的层叠膜4的厚度明显小于位于平面Sp1的层叠膜4的厚度和位于波面Sw2的层叠膜4的厚度。由此，在平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3中，导电图案部分可以选择性地形成在平面Sp1和波面Sw2上。

(清洗步骤)

接下来，如有必要，在去除步骤之后，清洗基体的表面。

通过上述步骤，获得期望的导电元件1。

在第一实施方式中，通过在具有平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3的基体的表面上层叠两个或更多个子层形成层叠膜4。接下来，通过利用在平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3上形成的层叠膜4的状态的差异，在平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3中，去除位于波面Sw3上的堆叠膜4，位于平面Sp1的层叠膜4保留为第一层4₁，位于波面Sw2的构成层叠膜4的一部分子层保留作为第二层4₂。由此，形成导电图案部分。因此，可获得具有高精度并实现高生产量的导电元件。

第二实施方式

(通过利用三种类型的波面之间的差异在基体的表面上形成导电图案部分的实施方式)

图11A是示出根据本技术第二实施方式的导电元件的构成实例的平面图。图11B是沿图11A的线XIB-XIB截取的截面图。图12A是图11B示出的第一区域的一部分的放大截面图。图12B是图11B示出的第二区域的一部分的放大截面图。图12C是是图11B示出的第三区域的一部分的放大截面图。第二实施方式的导电元件1与第一实施方式的导电元件不同在于第一区域具有波面Sw1。

(第一区域)

在基体的第一区域R₁的表面上，形成波面Sw1。第一层4₁在波面Sw1上连续形成。波面Sw1与波面Sw2相同，除了波面Sw1的比率(Am/λm)(AM：波面的振动的平均振幅，λm：波面的平均波长)小于波面Sw2的该比率之外。具体地，波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3优选满足以下关系：

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8

其中，Am1为波面Sw1的振动的平均振幅，Am2为波面Sw2的振动平均振幅，Am3为波面Sw3的振动的平均振幅，λm1为波面Sw1的平均波长，λm2为波面Sw2的平均波长，λm3为波面Sw3的平均波长。

在比率(Am3/λm3)大于1.8的情况下，在转印波面Sw3的步骤中，可能发生剥离失败，并且波面Sw3易于损坏。

如同在第一实施方式中测量波面Sw2和波面Sw3一样，测量波面Sw1的平均波长λm1、振动的平均振幅Am1和比率(Am1/λm1)。

可以独立地选择波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3的形状、波长和振动振幅。具体地，例如，波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3可各自独立为一维波面或二维波面。波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3的波长和振动振幅可各自独立为纳米级或微米级的波长和振动振幅。

(结构体)

波面Sw1是大量结构体3₁设置在第一区域R₁中的凹凸表面。结构体3₁与结构体3₂相同，除了结构体3₁的比率(Hm/Pm)(Hm：结构体的平均高度，Pm：结构体的平均配置间距)小于结构体3₂的该比率之外。具体地，结构体3₁、结构体3₂和结构体3₃优选满足以下关系：

0＜(Hm1/Pm1)＜(Hm2/Pm2)＜(Hm3/Pm3)≤1.8

其中，Hm1是结构体3₁的平均高度，Hm2是结构体3₂的平均高度，Hm3是结构体3₃的平均高度，Pm1是结构体3₁的平均配置间距，Pm2是结构体3₂的平均配置间距，Pm3是结构体3₃的平均配置间距。

在比率(Hm3/Pm3)大于1.8的情况下，在转印结构体3₃的步骤中，可能发生剥离失败，并且结构体3₃易于损坏。

如同在第一实施方式中测量结构体3₂和结构体3₃一样，测量结构体3₁的平均配置间距Pm1、平均高度Hm1和比率(Hm1/Pm1)。

(第一层)

第一层41优选形成为顺应波面Sw1的表面形状，从而不会在第一区域R₁中抑制由结构体3₁提供的抗反射效果。第一层4₁的表面形状优选与波面Sw1的表面形状基本类似。这是因为抑制了由于第一层4₁的形成导致的折射率分布的变化，并可保持良好的抗反射特性和/或良好的透射特性。

[辊形母版的构成]

图13A是示出用于制造基体2的辊形母版的一部分的放大透视图。图13B是图13A示出的辊形母版的一部分的放大截面图。根据第二实施方式的辊形母版11与第一实施方式的辊形母版的不同之处在于第一区域R₁具有波面Sw1。

例如，通过以可见光波长以下的间距设置凹状结构体12₁来形成辊形母版11的波面Sw1。辊形母版11的波面Sw1具有与基体2的波面Sw1的凹凸相反的形状。

[导电元件的制造方法]

根据第二实施方式的导电元件的制造方法与第一实施方式的方法不同之处在于通过利用波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3之间的差异(例如，比率(Am/λm)的差异)改变在第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃中形成的层叠膜4的去除速率来形成导电图案部分。

在第二实施方式中的去除层叠膜的步骤中，通过在具有层叠膜4的基体的表面上执行去除处理，在第三区域R₃去除层叠膜4，而层叠膜4保留在第一区域R₁和第二区域R₂中。由此，导电图案部分可以选择性地形成在波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3中的波面Sw1和波面Sw2上。

更具体地，优选通过利用例如在波面Sw1、Sw2和Sw3上形成的层叠膜4的状态的差异，基本上去除位于波面Sw3的层叠膜4，并保留位于波面Sw1的层叠膜4和位于波面Sw2的层叠膜4使得彼此连续连接。由此，导电图案部分可以选择性地形成在波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3中的波面Sw1和波面Sw2上。

或者，优选通过利用例如在波面Sw1、Sw2和Sw3上形成的层叠膜4的状态的差异，去除位于波面Sw3上的层叠膜4使得以例如岛状的形式不连续，并保留位于波面Sw1的层叠膜4和位于波面Sw2的层叠膜4使得彼此连续连接。由此，导电图案部分可以选择性地形成在波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3中的波面Sw1和波面Sw2上。

或者，优选通过利用例如在波面Sw1、Sw2和Sw3上形成的层叠膜4的状态的差异，去除位于波面Sw3上的层叠膜使得位于波面Sw3的层叠膜4的厚度明显小于位于波面Sw1的层叠膜4的厚度和位于波面Sw2的层叠膜4的厚度。由此，导电图案部分可以选择性地形成在波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3中的波面Sw1和波面Sw2上。

在第二实施方式中，因为波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3分别形成在第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃中，可改善导电元件1的抗反射特性。在该构成中，优选用作导电图案部分的第一层4₁和第二层4₂的形状分别顺应波面Sw1和波面Sw2的形状。这是因为可抑制抗反射特性和/或透射特性效果的降低。

通过在基体2表面上形成受到调制(例如，振幅调制和/或频率调制)的波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3并在基体2的表面上形成层叠膜4，层叠膜4的状态可根据基体2的表面上形成的波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3之间的调制差异而改变。因此，层叠膜在去除溶液中的溶解性可以根据基体2的波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3之间的调制差异来改变。也就是说，通过利用基体2的波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3之间的调制差异，能够在基体2的表面上形成期望的导电图案部分。

在基体2的表面上的波面Sw1、波面Sw2和波面Sw3分别由纳米结构体3₁、纳米结构体3₂和纳米结构体3₃构成的情况下，还能改善基体2的可视性和光学特性。在这种情况下，可以实现期望的电阻而无需降低光学特性。

第三实施方式

(导电图案部分形成在基体的两个主表面上的实施方式)

图14A是示出根据本技术第三实施方式的导电元件的构成实例的截面图。第三实施方式的导电元件1不同于第一实施方式的导电元件之处在于平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3在基体2的两个主表面上形成，导电图案部分在基体2的两个主表面上形成。在图14A中，平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3的位置、面积、形状、设置顺序等在基体的两个主表面之间是相同的。然而，在基体2的两个主表面上的平面Sp1、波面Sw2和波面Sw3的位置、面积、形状、设置顺序等不限于该示例，而可根据例如电路或元件的设计设置为期望的位置、面积和形状以及期望的设置顺序。

或者，如图14B所示，通孔(通路孔)可在基体2的平面Sp1中形成，通孔可填充有诸如导电墨的导电材料使得形成在基体2的两个表面的诸如电路的导电图案部分彼此电连接。通孔的位置并不限于平面Sp1。可选地，通孔可在波面Sw2中形成。在平面Sp1和波面Sw2设置在基体的两个主要表面上以彼此面对的情况下，通孔可在各个平面Sp1和波面Sw2中形成，从而形成在基体2的主要表面上的导电图案部分彼此电连接。

在第三实施方式中，与第一实施方式相比，由于导电图案部分在基体2的两个表面上形成，大量的电路等可安装在导电元件1上。

第四实施方式

(均具有凹形的结构体的实施方式)

图15A是根据本技术第四实施方式的导电元件的构成实例的平面图。图15B是沿图15A中的线XVB-XVB截取的截面图。图16A是图15B示出的第一区域的一部分的放大截面图。图16B是图15B示出的第二区域的一部分的放大截面图。图16C是图15B示出的第三区域的一部分的放大截面图。根据第四实施方式导电元件1与第一实施方式的导电元件的不同之处在于结构体3₂和结构体3₃均具有相对于基体2的表面的凹形。或者，结构体3₂或结构体3₃具有凹状结构体，而剩余的结构体3₃或3₂具有凸状结构体。在第二区域R₂和第三区域R₃可混合凹状结构体3₂和3₃和凸状结构体3₂和3₃。

在第四实施方式，其他的配置与第一实施方式的相同。

在第四实施方式中，结构体3具有与第一实施方式中凸状结构体的形状相反的凹形，因此可实现与第一实施方式相同的优点。

第五实施方式

(第一层和第二层具有其他构成的实施方式)

[导电元件的构成]

图17A是根据本技术第五实施方式的导电元件的第一区域的截面图。图17B是根据本技术第五实施方式的导电元件的第二区域的截面图。图17C是根据本技术第五实施方式的导电元件的第三区域的截面图。

根据第五实施方式的导电元件与第一实施方式的导电元件相同，除了第一层4₁和第二层4₂具有以下配置：第一层4₁还包括在导电子层4a和第一功能子层4b之间的第二功能子层4d。第二层4₂还包括在导电子层4a上的第二功能子层4d。

第二功能子层4d在溶液中的溶解度优选不同于至少导电子层4a或第一功能子层4b在溶液中溶解度。第二功能子层4d优选由与导电子层4a和第一功能子层4b的材料不同的材料构成，或由与第一功能子层4b的材料不同的材料构成。具体地，优选使用金属作为第二功能子层4d。例如，可使用选自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu和Nd构成的组中的至少一种作为上述金属。

例如，第二功能子层4d的材料包括介电材料和透明导电材料。具体地，优选使用选自由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物和过渡金属化合物组成的组中的至少一种。例如，可使用选自由氧化物和过渡金属化合物组成的组中的至少一种。例如，氧化物包括选自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi和Mg组成的组中的至少一种元素的氧化物。例如，氮化物包括选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、W、Ta和Zn构成的组中的至少一种元素的氮化物。例如，硫化物为硫化锌。例如，碳化物包括选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta和W构成的组中的至少一种元素的碳化物。例如，氟化物包括选自由Si、Al、Mg、Ca和La组成的组中的至少一种元素的氟化物。例如，过渡金属化合物包括选自由Al、AlTi、AlCu、Cu、Ag、AgPdCu、Mo、Sn、Ti、W、Au、Pt、Pd、Ni、Nb和Cr构成的组中的至少一种化合物。例如，含有两种或更多种上述材料的混合物包括ZnS-SiO₂、SiO₂-Cr₂O₃-ZrO₂、In₂O₃-CeO₂、In₂O₃-Ga₂O₃、Sn₂O₃-Ta₂O₅和TiO₂-SiO₂。

第二功能子层4d优选包括非晶相和多晶相的混合状态的子层和多晶相状态的子层中的至少一种，但并不限于此。

[导电元件的制造方法]

根据第五实施方式的导电元件的制造方法与第一实施方式的方法相同，除了形成层叠膜的步骤和去除层叠膜的步骤以外。因此，以下只描述形成层叠膜的步骤和去除层叠膜的步骤。

(形成层叠膜的步骤)

两个以上子层层叠在基体的表面上的第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃以形成层叠膜4。具体地，例如，导电子层4a、第二功能子层4d、第一功能子层4b和第二功能子层4c以该顺序层叠在基体的表面的第一区域R₁、第二区域R₂和第三区域R₃以形成层叠膜4。

(去除层叠膜的步骤)

在形成了层叠膜4的基体的表面上执行去除处理。因此，在第三区域R₃去除层叠膜4。另一方面，层叠膜4在第一区域R₁残留为第一层4₁，构成层叠膜4的一部分子层在第二区域R₂残留为第二层4₂。更具体地，例如，在第三区域R₃中，去除导电子层4a、第二功能子层4d、第一功能子层4b和第二功能子层4c。另一方面，在第一区域R₁，导电子层4a、第二功能子层4d、第一功能子层4b和第二功能子层4c残留为第一层4₁，在第二区域R₂中，导电子层4a和第二功能子层4d残留为第二层4₂。因此，在第一区域R₁中形成的第一层4₁和在第二区域R₂中形成的第二层4₂用作导电图案部分，而第三区域R₃在导电图案部分之间用作绝缘区域。

第六实施方式

(显示装置的应用)

图18A是示出根据本技术第六实施方式的液晶显示装置的构成实例的透视图。如图18A所示，液晶显示装置是通过无源矩阵驱动方法(也称为“简单矩阵驱动方法”)驱动的显示装置，包括被设置为以预定距离彼此面向的第一导电元件101和第二导电元件102以及被设置在第一导电元件101和第二导电元件102之间的液晶层(未示出)。

如图18A所示，直线状的第二区域R₂和直线状的第三区域R₃交替重复地设置在第一基体2₁的两个主表面之一上，即面向第二基体2₂的主面上。第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构分别与上述第一至第五实施方式中的任何一个的第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构类似。

例如，在图19A所示，波面Sw2形成在第一基体的表面的第二区域R₂中，第二层4₂在波面Sw2上连续形成。另一方面，波面Sw3在第一基体的表面的第三区域R₃中形成，诸如第一层4₁或第二层4₂的层没有在波面Sw3上形成。因此，由连续形成的第二层4₂构成的多个水平(X)电极(第一电极)以条纹状形成在第一基体2₁的两个主表面之一上，即面向第二基体2₂的主表面上。

如图18A所示，直线状的第二区域R₂和直线状的第三区域R₃交替重复地设置在第二基体2₂的两个主表面之一上，即面向第一基体2₁的主表面上。第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构分别与上述第一至第五实施方式中的任何一个的第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构类似。

例如，如图19A所示，波面Sw2形成在第二基体的表面的第二区域R₂中，第二层4₂在波面Sw2上连续形成。另一方面，波面Sw3在第二基体的表面的第三区域R₃中形成，诸如第一层4₁或第二层4₂的层没有在波面Sw3上形成。因此，由连续形成的第二层4₂构成的多个垂直(Y)电极(第二电极)以条纹状形成在第二基体2₂的两个主表面之一上，即面向第一基体2₁的主面上。

第一基体2₁的第二区域R₂和第二基体2₂的第二区域R₂为彼此正交关系。也就是说，第一基体2₁的第二层(水平电极)4₂和第二基体2₂的第二层(垂直电极)4₂为彼此正交关系。

图18B是第一导电元件的表面的放大透视图。如图18B所示，第一区域R₁设置在第一基体2₁的第二区域R₂的一端。例如，第一区域R₁具有诸如线状的狭长形状。第一区域R₁的一端连接到第二区域R₂的一端，第一区域R₁的另一端连接到例如设置在第一基体2₁的外围部分的端子形成区域。第三区域R₃设置在第一区域R₁的两端以外的外围部分。第一区域R₁的表面结构与上述第一至第五实施方式中的任何一个的第一区域R₁的表面结构类似。

例如，在图19A所示，平面Sp1在基体的表面的第一区域R₁形成，第一层4₁在平面Sp1连续形成。另一方面，例如，波面Sw3在第一基体的表面的第三区域R₃中形成，诸如第一层4₁或第二层4₂的层没有形成在波面Sw3上。因此，作为配线的第一层4₁从作为水平电极的第二层4₂的一端引出，并延伸到端子形成区域。作为配线的第一层4₁通过端子形成区域中形成的端子电连接到驱动电路。

或者，如图19B所示，波面Sw1可在第一区域R₁中形成，第一层4₁可在波面Sw1上连续形成。

与在第一基体2₁中一样，第一区域R₁设置在第二基体2₂的第二区域R₂的一端，第一层4₁在第一区域R₁中连续形成。因此，作为配线的第一层4₁从作为垂直电极的第二层4₂的一端引出，并延伸至端子形成区域。

在第六实施方式中，例如，通过利用波面之间的比率(Am/λm)差异可形成液晶显示装置的电极和配线。此外，例如，在每个波面的波长设置为等于或小于可见光的波长的情况下，可改善液晶显示装置的抗反射特性和/或透射特性。

第七实施方式

(信息输入装置的应用)

图20是示出根据本技术第七实施方式的包括触摸面板的显示装置的构成实例。如图20所示，触摸面板(信息输入装置)111设置在显示装置112上。显示装置112通过例如粘合剂接合至触摸面板111。前面板(表面构件)113可进一步设置在触摸面板111的表面上。触摸面板111可通过例如粘合剂接合至前面板113。

例如，可用作显示装置112的显示装置包括液晶显示器、阴极射线管(CRT)显示器、等离子显示器面板(PDP)、电致发光(EL)显示器和表面传导电子发射显示器(SED)。触摸面板111是电阻膜触摸面板或电容式触摸面板。例如，电阻膜触摸面板是矩阵电阻膜触摸面板。例如，电容式触控面板包括使用配线传感器或ITO格栅的投影型电容触摸面板。

图21A是示出根据本技术第七实施方式的触摸面板的第一构成实例的透视图。触摸屏111是矩阵电阻膜触摸面板，包括被设置为通过介于其间的点间隔器(dot spacer)(未示出)以预定的距离彼此面向的第一导电元件201和第二导电元件202。

图21B是示出第一导电元件201的构成实例的分解透视图。第二导电元件202具有与第一导电元件201基本相同的构成。因此，省略了第二导电元件202的分解透视图。矩形第二区域R₂和矩形第三区域R₃交替重复地设置在第一基体2₁的两个主表面之一上，即面向第二基体2₂的主表面上。第一基体2₁的第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构分别与上述第一至第五实施方式中的任何一个的第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构类似。

例如，如图19A所示，波面Sw2形成在第一基体的表面的第二区域R₂中，第二层4₂在波面Sw2上连续形成。另一方面，波面Sw3在第一基体的表面的第三区域R₃中形成，诸如第一层4₁或第二层4₂的层没有在波面Sw3上形成。因此，由连续形成的第二层4₂构成的多个水平(X)电极(第一电极)以条纹状形成在第一基体2₁的两个主表面之一上，即形成面向第二基体2₂的主表面上。

矩形第二区域R₂和矩形第三区域R₃交替重复地设置在第二基体2₂的两个主表面之一上，即面向第一基体2₁的主表面上。第二基体2₂的第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构分别与上述第一至第五实施方式中的任何一个的第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构类似。

例如，如图19A所示，波面Sw2形成在第二基体的表面的第二区域R₂中，第二层4₂在波面Sw2上连续形成。另一方面，波面Sw3在第二基体的表面的第三区域R₃中形成，诸如第一层4₁或第二层4₂的层没有在波面Sw3上形成。因此，由连续形成的第二层4₂构成的多个垂直(Y)电极(第二电极)以条纹状形成在第二基体2₂的两个主表面之一上，即面向第一基体2₁的主表面上。

第一基体2₁的第二区域的R₂和第二基体2₂的第二区域的R₂为彼此正交关系。也就是说，第一基体2₁的第二层(水平电极)和第二基体2₂的第二层(垂直电极)4₂为彼此正交关系。

图22是图21A所示的区域R的放大平面图。第一区域R₁设置在第一基体2₁的第二区域R₂的一端。第一区域R₁，例如，具有诸如线状的狭长形状。第一区域R₁的一端连接到第二区域R₂的一端，第一区域R₁的另一端连接到设置在第一基体2₁的外围部分的柔性印刷电路(FPC)上。第三区域R₃设置在第一区域R₁的两端以外的外围部分。第一区域R₁的表面结构与上述第一至第五实施方式中的任何一个的第一区域R₁的表面结构类似。

例如，如图19A所示，平面Sp1形成在第一基体的表面上的第一区域R₁中，第一层4₁在平面Sp1连续形成。另一方面，例如，波面Sw3形成在第一基体的表面上的第三区域R₃中，诸如第一层4₁或第二层4₂的层没有形成在波面Sw3上。因此，作为配线的第一层4₁从作为水平电极的第二层4₂的一端引出，并延伸到形成FPC的区域。作为配线的第一层4₁通过该区域中形成的FPC电连接到驱动电路。

或者，如图19B所示，波面Sw1可形成在第一区域R₁中，而第一层4₁可在波面Sw1上连续形成。

如同在第一基体2₁中一样，将第一区域R₁设置在第二基体2₂的第二区域R₂的一端，而第一层4₁在第一区域R₁中连续形成。因此，作为配线的第一层4₁从作为垂直电极的第二层4₂的一端引出，并且延伸至形成FPC的区域。

图23A是示出根据本技术第七实施方式的触摸面板的构成实例的透视图。该触摸面板是使用ITO栅格的投影型电容式触摸面板，并且包括互相重叠的第一导电元件211和第二导电元件212。

图23B是示出第一导电元件211的构成实例的分解透视图。第二导电元件212具有与第一导电元件211基本相同的构成。因此，省略第二导电元件212的分解透视图的记载。第二区域R₂和第三区域R₃交替重复地设置在第一基体2₁的两个主表面之一上，即面向第二基体2₂的主表面上，使得相邻的第二区域R₂通过介于其间的第三区域R₃彼此分离。类似地，第二区域R₂和第三区域R₃交替重复设置在第二基体2₂的两个主表面之一上，即面向第一基体2₁的主表面上，使得相邻的第二区域R₂通过介于其间的第三区域R₃彼此分离。第一基体2₁的第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构分别与根据上述第一至第五实施方式中的任何一个的第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构类似。第二基体2₂的第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构分别与根据上述第一至第五实施方式中的任何一个的第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构类似。

通过重复地将具有预定形状的单位区域C₂在X轴方向彼此连接来形成第一基体2₁的第二区域R₂。通过重复地将具有预定形状的单位区域C₃在X轴方向彼此连接来形成介于第一基体2₁的第二区域R₂之间的第三区域R₃。通过重复地将具有预定形状的单位区域C₂在Y轴方向彼此连接来形成第二基体2₂的第二区域R₂。通过重复地将具有预定形状的单位区域C₃在Y轴方向彼此连接来形成介于第二基体2₂的第二区域R₂之间的第三区域R₃。例如，各个单元C₂和C₃的形状包括但不限于菱形、三角形和矩形。

例如，如图19A所示，波面Sw2形成在第一基体的表面上或第二基体的表面上的第二区域R₂中，并且第二层4₂在波面Sw2上连续形成。另一方面，波面Sw3形成在第一基体的表面上或第二基体的表面上的第三区域R₃中，并且诸如第一层4₁或第二层4₂的在层没有形成在波面Sw3上。因此，由连续形成的第二层4₂构成的多个水平(X)电极(第一电极)设置在第一基体2₁的两个主表面之一上，即面向第二基体2₂的主表面上。类似地，由连续形成的第二层4₂构成的多个垂直(Y)电极(第二电极)设置在第二基体2₂的两个主表面之一上，即面向第一基体2₁的主表面上。水平电极和垂直电极均具有与相应的第二区域R₂相同的形状。

第一导电元件211的水平电极和第二导电元件212的垂直电极为彼此正交关系。在第一导电元件211和第二导电元件212互相重叠的状态中，第一导电元件211的第二区域R₂与第二导电元件212的第三区域R₃重叠，并且第一导电元件211的第三区域R₃与第二导电元件212的第二区域R₂重叠。

第一区域R₁设置在第一基体2₁的第二区域R₂的一端。例如，第一区域R₁具有诸如线状的狭长形状。第一区域R₁的一端连接到第二区域R₂的一端，而第一区域R₁的另一端连接到设置在第一基体2₁的外围部分的柔性印刷电路(FPC)。第三区域R₃设置在第一区域R₁的两端之外的外围部分。第一区域R₁的表面结构与上述第一至第五实施方式的任何一个的第一区域R₁的表面结构类似。

例如，如图19A所示，平面Sp1形成在第一基体的表面上的第一区域R₁，第一层4₁在平面Sp1上连续形成。另一方面，例如，波面Sw3形成第一基体表面的第三区域R₃中，并且诸如第一层4₁或第二层4₂的层没有形成在波面Sw3上。因此，作为配线的第一层4₁从作为水平电极的第二层4₂的一端引出，并延伸至形成FPC的区域。作为配线的第一层4₁通过该区域中形成的FPC电连接至驱动电路。

或者，如图19B所示，波面Sw1可在第一区域R₁中形成，并且第一层4₁可在波面Sw1上连续形成。

如同在第一基体2₁中一样，第一区域R₁设置在第二基体2₂的第二区域R₂的一端，并且第一层4₁在第一区域R₁中连续形成。因此，作为配线的第一层4₁从作为垂直电极的第二层4₂的一端引出，并延伸至形成了FPC的区域。

在第七实施方式中，例如，通过利用波面之间的比率(Am/λm)差异可形成触摸面板111的电极和配线。此外，例如，在每个波面的波长被设置为等于或小于可见光的波长的情况下，可改善触摸面板111的抗反射特性和/或透射特性。

在根据第七实施方式的信息输入装置中，不管例如是否存在形成水平电极和垂直电极的第二层4₂，都可以实现低反射和高透射率，由此可以抑制电极的视觉识别。相反，在其中由诸如导电层的层构成的电极形成在基体的表面上的现有信息输入装置(诸如矩阵电阻膜触摸面板和电容式触摸面板)中，诸如导电层的层的反射率与基体的反射率不同。因此，电极可见，显示质量趋于下降。

第八实施方式

(IC卡上的应用)

图24A是示出根据本技术第八实施方式的IC卡的构成实例的平面图。如图24A所示，该IC卡是所谓的非接触式IC卡，包括基体2、形成天线线圈的第二层4₂和IC芯片301。由第二层4₂构成的天线线圈的两端各自通过由第一层4₁构成的配线连接到IC芯片301。外包装材料(未示出)设置在基体2的两个面上。

基体2的形状可是膜状、片状或基板状，但并不限于此。基体2的材料可根据IC卡所需的特性选择和使用。从耐用性、便利性等的角度来看，柔性树脂材料优选用作基体2的材料。例如，树脂材料包括，但不特别限于，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)和聚酯。该材料可根据IC卡所需的特性适当地选用其他现有的树脂材料。

图24B是示出形成图24A所示的天线线圈的区域的放大平面图。例如，第二区域R₂和第三区域R₃以螺旋方式交替形成在基体2的主表面的外围部分上。基体2的第二区域R₂和第三区域R₃的表面结构与根据上述第一至第五实施方式中任意一种的导电元件的基体的表面结构类似。

例如，如图19A所示，波面Sw2形成在基体的表面上的第二区域R₂中，并且第二层4₂连续形成在波面Sw2上。另一方面，波面Sw3形成在基体的表面上的第三区域R₃中，并且诸如第一层4₁或第二层4₂的层没有形成在波面Sw3上。因此，在基体2的主表面的外围部分，形成由连续形成的第二层4₂构成的天线线圈形以顺应第二区域R₂的形状。

图24C是示出形成图24A所示的配线的区域的放大平面图。在基体2的第二区域R₂的一端设置第一区域R₁。例如，第一区域R₁具有诸如线状的狭长形状。第一区域R₁的一端连接至第二区域R₂的一端，第一区域R₁的另一端连接至例如IC芯片301的端子形成区域。第三区域R₃设置在第一区域R₁的两端以外的外围部分。第一区域R₁的表面结构与上述第一至第五实施方式中的任何一种的第一区域R₁的表面结构类似。

例如，如图19A所示，平面Sp1形成在基体的表面的第一区域R₁中，第一层4₁连续形成在平面Sp1上。另一方面，例如，波面Sw3形成在基体的表面的第三区域R₃中，诸如第一层4₁或第二层4₂的层没有形成在波面Sw3上。因此，从作为天线线圈的第二层4₂的一端引出配线，并延伸到IC芯片301的端子形成区域。作为配线的第一层4₁通过该端子形成区域中形成的端子电连接至IC芯片301。

或者，在图19B所示，波面Sw1可形成在第一区域R₁中，并且第一层4₁可连续形成在波面Sw1上。

外包装材料形成IC卡的两个主表面，并包含诸如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚乙二醇(PEG)或取向PET的高分子材料作为主要成分。然而，外包装材料不具体限于这些材料，可以根据IC卡所需要的特性来适当地选用其他的现有树脂材料。

天线线圈是具有环形线圈形状的电磁感应线圈，该线圈在基体2上形成以沿着基体2外围边缘延伸多次。天线线圈的两端连接到IC芯片301。天线线圈接收从读/写器产生的交流磁场以感生交流电压，并将交流电压提供至IC芯片301。

IC芯片301是由天线线圈提供的电力驱动并且控制IC卡内的各个组件。例如，IC芯片301通过天线线圈与读/写器通信。具体地，IC芯片301执行，例如，相互认证并与读/写器进行数据交换。

在第八实施方式中，IC卡的天线线圈可通过利用波面之间的比率(Am/λm)差异形成。因此，可提高IC卡的生产性。

第九实施方式

(显示装置上的应用)

图25A是示出根据本技术第九实施方式的显示装置的构成实例的截面图。图25B是示出图25A所示的配线区域的放大截面图。图25C是示出图25A所示的非配线区域的放大截面图。在第九实施方式中，对与第六实施方式中的组件相同的组件或与第六实施方式中的组件相对应的组件分配相同的参考标号。显示装置400是所谓的微囊电泳式电子纸，包括第一导电元件401、被设置为面向第一导电元件401的第二导电元件402、以及设置在导电元件401和402之间的微囊层(介质层)403。将对本技术应用于微囊电泳式电子纸的实例进行说明。然而，电子纸不仅限于该实例，只要电子纸包括彼此面向的导电元件以及设置在导电元件之间的介质层，本技术适用于任何这样的电子纸。本文中，介质不仅包括液体和固体，而且还包括诸如空气的气体。介质可包含诸如胶囊、颜料和颗粒的组份。除了采用微囊电泳法的电子纸以外，本技术可应用的电子纸的实例包括使用扭转球法(twist ball method)、热重写法、调色剂显示法、面内电泳法或电子液体粉末法的电子纸。

微囊层403包含大量的微囊431。例如，含有分散的黑色颗粒和白色颗粒的透明液体(分散介质)被封在各个微囊431中。

如图25B和25C所示，第一导电元件401包括第一基体2₁和第二层4₂，第一基体2₁具有面向第二导电元件402的波面Sw2和波面Sw3，第二层4₂形成在波面Sw2上。如有必要，第一基体2₁可通过由例如粘合剂构成的粘合层411接合至由玻璃等构成的支撑件412。如图25B和25C所示。第二导电元件402包括第二基体2₂和第二层4₂，第二基体2₂具有面向第一导电元件401的波面Sw2和波面Sw3，第二层4₂形成在波面Sw2上。

根据显示装置400的驱动方法以预定的电极图案形成设置在各个第一基体2₁和第二基体2₂上的第二层4₂。例如，驱动方法包括简单矩阵驱动法、有源矩阵驱动法和段驱动法(segment driving method)。

在第九实施方式中，除上述构成以外与第六实施方式相同。

[本技术的构成]

本技术还可以提供以下配置：

(1)一种导电元件，包括：基体，具有第一波面、第二波面和第三波面；第一层，设置在第一波面上；第二层，设置在第二波面上；其中，第一层具有层叠有两个以上子层的多层结构，第二层具有包括构成第一层的一部分子层的单层结构或多层结构，第一层和第二层形成导电图案部分，第一波面、第二波面和第三波面满足以下关系：

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8

其中，Am为第一波面的振动的平均振幅，Am2为第二波面的振动平均振幅，Am3为第三波面的振动的平均振幅，λm1为第一波面的平均波长，λm2为第二波面的平均波长，λm3为第三波面的平均波长。

(2)根据第(1)项的导电元件，其中第一波面、第二波面和第三波面满足以下关系：

(Am1/λm1)＝0并且0＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，并且

第二波面的波长λ2和第三波面的波长λ3均等于或小于可见光的波长。

(3)根据第(1)项的导电元件，其中，第一波面、第二波面和第三波面满足以下关系：

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，并且

第一波面的波长λ1、第二波面的波长λ2和第三波面的波长λ3均等于或小于可见光的波长。

(4)根据第(1)项的导电元件，其中，第一波面、第二波面和第三波面满足以下关系：

(Am1/λm1)＝0以及0＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，并且

第二波面的波长λ2和第三波面的波长λ3均为100μm以下。

(5))根据第(1)项的导电元件，其中，第一波面、第二波面和第三波面满足以下关系：

0＜(Am 1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤18

第一波面的波长λ1、第二波面的波长λ2和第三波面的波长λ3均为100μm以下。

(6)根据第(1)至(5)项中任一项的导电元件，还包括：第三层，设置在第三波面上，其中第三层包括构成第二层的一部分子层，并且第一层、第二层和第三层满足以下关系：

S1＞S2＞S3

其中，S1是第一层的单位面积，S2是第二层的单位面积，S3是第三层的单位面积。

(7)根据第(6)项的导电元件，其中，第一层和第二层分别连续形成在第一波面和第二波面上，第三层不连续地形成在第三波面上。

(8)根据第(1)至(5)项中任一项的导电元件，还包括：第三层，设置在第三波面上，其中第一层、第二层和第三层满足以下的关系：

d1＞d2＞d3

其中，d1是第一层的平均厚度，d2是第二层的平均厚度，d3是第三层的平均厚度。

(9)根据第(1)至(8)项中任一项的导电元件，其中，第一层包括导电子层、设置在该导电子层的第一功能子层和设置在第一功能子层上的第二功能子层，第二层包括导电子层。

(10)根据第(9)项的导电元件，其中，还在导电子层和第一功能子层之间设置有第二功能子层。

(11)根据第(9)或(10)项的导电元件，其中，导电子层是包含氧化物半导体的透明导电子层，该氧化物半导体包含氧化铟锡或氧化锌。

(12)根据第(11)项的导电元件，其中，氧化物半导体为非晶相和多晶相的混合状态。

(13)根据第(9)至(12)项中任一项的导电元件，其中，第一功能子层和第二功能子层由不同的材料组成。

(14)根据第(9)至(13)项中任一项的导电元件，其中，第一功能子层和第二功能子层是金属子层，并且金属子层至少包含选自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu和Nd构成的组中的一种。

(15)根据第(9)至(13)项中任一项的导电元件，其中，第一功能子层和第二功能子层均至少包含选自由氧化物和过渡金属化合物组成的组中的一种。

(16)根据第(9)至(15)项中任一项的导电元件，其中，第一功能子层和第二功能子层均包含非晶相和多晶相的混合状态的子层和多晶子层中的至少一种。

(17)一种包括根据第(1)至(16)项中任一项的导电元件的配线元件。

(18)一种包括根据第(1)至(16)项中任一项的导电元件的信息输入装置。

(19)一种包括根据第(1)至(16)项中任一项的导电元件的显示装置。

(20)一种包括根据第(1)至(16)项中任一项的导电元件的电子设备。

(21)一种用于制造根据第(1)至(16)项中任一项的导电元件的母版。

(22)一种导电元件的制造方法，该方法包括：通过层叠两个以上子层而在具有第一波面、第二波面和第三波面的基体的表面上形成层叠膜；以及在第一波面、第二波面和第三波面中，通过去除位于第三波面上的层叠膜，保留位于第一波面的层叠膜作为第一层，保留位于第二波面的构成所述层叠膜的一部分子层作为第二层，其中，第一波面、第二波面和第三波面满足以下关系：

0≤(Am 1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8

其中，Am为第一波面的振动的平均振幅，Am2为第二波面的振动的平均振幅，Am3为第三波面的振动的平均振幅，λm1为第一波面的平均波长，λm2为第二波面的平均波长，λm3为第三波面的平均波长。

实施例

将通过实施例具体描述本技术。然而，本技术并不限于以下实施例。

在下面的实施例中，用四探针电阻测量装置测量导电片的表面电阻。探头的探针直径R为100μm，而探针的间距(pitch)为1mm。

参考例1

(转印步骤)

首先，如图26A所示，制作石英母版，该石英母版包括以条状形成在其成形面上的平面区域(第一区域)R₁、非纳米结构设置区域(第二区域)R₂。接下来，将紫外线固化树脂涂布在石英母版的成形面上，将具有容易粘合的层的PET片与紫外线固化树脂紧密接触。通过照射紫外线固化紫外线固化树脂的情况下，剥离PET片，从而制作出这样的光学片：大量的凸形纳米结构体形成在纳米结构体设置区域(第二区域)R₂以及平面形成在PET片的表面上的平面区域(第一区域)R₁。结构体的配置间距为250nm，每个结构体的高度为200nm。每个结构体的形状是截顶圆锥形，并且结构体的设置具有六方点阵图案。

(成膜步骤)

接下来，通过溅射法在光学片的成形面上形成ITO层。最终真空度设置为0.00015Pa，在沉积期间的真空度被设置为0.24Pa。在沉积期间，以Ar∶O₂＝200∶13的混合比率引入了氩气和氧气。调整沉积条件以获得从平面片来讲的30nm膜厚。注意，从平面片来讲的膜厚(平面片换算膜厚)基本上等于各个结构体顶部的膜厚。

(退火步骤)

接下来，将具有ITO层的PET片在150℃在空气中进行退火处理30分钟。通过该退火加速ITO层的多晶化。接下来，通过X射线衍射(XRD)测量ITO层以确认多晶化的加速状态。观测到属于In₂O₃的峰。

(去除步骤)

然后，将经过退火处理的光学片浸入pH值约为3的溶液中20秒。

(清洗步骤)

接下来，用纯水清洗经过去除处理的光学片。

由此，制作出目标透明导电片。

(导通/非导通评价)

使用测试仪在图26B所示的点评价如上所述制作的根据参考例1的透明导电片的表面的导通和非导通。评价结果如表1所示。

表1示出了根据参考例1的透明导电片的评价结果。

表1

表1表明了以下情况。

透明导电片的表面中，纳米结构体设置区域(第二区域)R₂为绝缘状态，而平面区域(第一区域)R₁处于导电状态。因此，诸如配线图案或电极图案的期望导电图案可以通过简单地顺序执行转印步骤、成膜步骤和去除步骤而形成在基体的表面上。因此，可以提高生产能力。

实施例1

(转印步骤)

首先，制作石英母版，该石英母版包括以条状顺序形成在成形面上的第一区域(具有平面Sp1)、第二区域(具有波面Sw2)和第三区域(具有波面Sw3)。

接下来，将紫外线固化树脂涂布在石英母版的成形面上，并将具有容易粘合的层的PET片与紫外线固化树脂紧密接触。然后，在通过照射紫外线固化紫外线固化树脂的情况下剥离PET片，从而制作出转印有第一区域、第二区域和第三区域的光学片(纳米压印膜)。

(形状测量)

接下来，测量光学片的转印表面上的波面Sw2和波面Sw3中的每个的平均波长λm和振动的平均振幅Am。由测量值确定比值Am/λm。结果在表2中示出。

(成膜步骤)

通过溅射法在光学片的成形面上形成层叠膜。

层叠膜的构成如下：

TiO_x子层(第二功能子层)/ITO子层(粘合子层)/Ag子层(第一功能子层)/ITO子层(粘合子层)/TiO_x子层(第二功能子层)/ITO子层(导电子层)/光学片成形面

下面将介绍相应子层的沉积条件。

TiO_x子层(第二功能子层)

沉积期间的真空度：约0.28Pa

气体类型：氩气和氧气的混合气体

从平面片来讲的膜厚：10nm

ITO子层(粘合子层)

最终真空度：0.00015Pa

沉积期间的真空度：0.24Pa

气体类型：氩气和氧气的混合气体

混合气体的混合比(体积比)：Ar∶O₂＝200∶16

从平面片来讲的膜厚：20nm

Ag子层(第一功能子层)

沉积期间的真空度：0.11Pa

气体类型：氩气

气体流速：100sccm

从平面片来讲的膜厚：100nm

ITO子层(导电子层)

最终真空度：0.00015Pa

沉积期间的真空度：0.24Pa

气体类型：氩气和氧气的混合气体

混合气体的混合比(体积比)：Ar∶O₂＝200∶16

从平面片来讲的膜厚：40nm

本文中，“从平面片来讲的膜厚”是指与在上述光学片的表面上形成ITO子层、TiO_x子层或Ag子层的情况下的相同沉积条件下在平面片上形成ITO子层、TiO_x子层或Ag子层时所获得的膜厚。从平面片来讲的膜厚基本上等于在光学片的波面顶部的膜厚。

(表面电阻的测量)

接下来，测量如上所述地制作的导电片(即光学片)的表面电阻。

(去除步骤)

接下来，将导电片浸入pH值约为3的溶液中约60秒。

(清洗步骤)

接下来，用纯水清洗导电片。

由此，制作出目标导电片。

(表面电阻的测量)

接下来，测量如上所述地制作的导电片的表面电阻。

实施例2

与实施例1同样地制作导电片，但是用ZrO_x子层代替TiO_x子层作为第二功能层，并且测量在去除步骤之前和之后的表面电阻。

实施例3

与实施例1同样地制作导电片，但是TaO_x子层代替TiO_x子层用作第二功能层，并且测量在去除步骤之前和之后的表面电阻。

实施例4

与实施例1同样地制作导电片，但是NbO_x子层代替TiO_x子层用作第二功能层，并且测量在去除步骤之前和之后的表面电阻。。

实施例5

与实施例1同样地制作导电片，但是SiN_x子层代替TiO_x子层用作第二功能层，并且测量在去除步骤之前和之后的表面电阻。

实施例6

与实施例1同样地制作导电片，但是SiO_x子层代替TiO_x子层用作第二功能层，并且测量在去除步骤之前和之后的表面电阻。

实施例7

与实施例6同样地制作导电片，但是SnO₂子层替代ITO子层用作粘合子层，并且测量在去除步骤之前和之后的表面电阻。

实施例8

与实施例6同样地制作导电片，但是In₂O₃子层代替ITO子层用作粘合子层，并且测量在去除步骤之前和之后的表面电阻。

表2示出了实施例1至8的导电片的测量结果。

表2

表2(续)

由上述评价结果可知以下的情况。

在各个导电片的表面的具有平面Sp1的第一区域，即使在去除步骤之后，所有子层任保留，从而维持低电阻。

在各个导电片的表面的具有波面Sw2的第二区域，在去除步骤之前，层叠膜是不透明的并且具有低电阻，但在去除步骤之后变得透明并具有高电阻。相信这是因为Ag子层和形成在Ag子层上的上部子层在去除步骤中被去除、保留了底部ITO子层等的缘故。

在各个导电片的表面的具有波面Sw3的第三区域中，在去除步骤之前，层叠膜是不透明的并且具有低电阻，但在去除步骤之后变得透明并处于绝缘状态。相信这是因为所有子层都在去除步骤中被去除的缘故。

参考例2-1

(成膜步骤)

首先，制作具有平滑表面的PET片。接下来，通过溅射法在PET片上形成ITO层。最终真空度设定为0.00015Pa，在沉积期间的真空度被设置为0.24Pa。在沉积期间，以Ar∶O₂＝20∶1的混合比引入了氩气和氧气。调整沉积条件使得ITO层的厚度为30nm。

(退火步骤)

接下来，将具有ITO层的PET片在150℃在空气中进行退火处理60分钟。通过该退火加速ITO层的多晶化。接下来，通过X射线衍射(XRD)测量ITO层以确认多晶化的加速状态。观测到属于In₂O₃的峰。

由此，制作出目标光学片。

参考例2-2

(成膜步骤和退火步骤)

首先，与参考例2-1同样地执行成膜步骤和退火步骤以制作具有退火ITO层的PET片。

(去除步骤)

接下来，将经过退火处理的PET片浸入PH值为约3的溶液中10秒以蚀刻ITO层。

(清洗步骤)

接下来，使用纯水、异丙醇(IPA)、纯水顺序清洗经过去除处理的PET片。

由此，制作出目标光学片。

参考例2-3

与参考例2-2同样地制作光学片，但是浸入时间改为20秒。

参考例2-4

与参考例2-2同样地制作光学片，但是浸入时间改为30秒。

参考例2-5

与参考例2-2同样地制作光学片，但是浸入时间改为40秒。

参考例2-6

与参考例2-2同样地制作光学片，但是浸入时间改为50秒。

参考例2-7

与参考例2-2同样地制作光学片，但是浸入时间改为60秒。

参考例3-1

(转印步骤)

首先，制作石英母版，石英母版包括形成在其表面的凹形纳米结构体。接下来，将紫外线固化树脂涂布至具有纳米结构体的石英母版，并将具有容易粘合的层的PET片与紫外线固化树脂紧密接触。然后，在通过照射紫外线固化紫外线固化树脂的情况下剥离PET片，由此制作出其表面上具有大量纳米结构体的PET片。

在PET片的表面上形成的纳米结构体的具体构成如下：

结构体排列：六方点阵排列

结构体的凹凸形状：凸出形状

结构体的整体形状：截顶圆锥形

结构体的配置间距：250nm

结构体的高度：90nm

结构体的高宽比：0.36

(成膜步骤)

接下来，通过溅射法在具有纳米结构体的PET片的表面上形成ITO层。最终真空度被设定为0.00015Pa，在沉积期间的真空度被设定为0.24Pa。在沉积期间，以Ar∶O₂＝20∶1的混合比引入了氩气和氧气。调整沉积条件以获得从平面片来讲的30nm膜厚。术语“从平面片来讲的膜厚”是指与在具有纳米结构体的PET片上形成ITO层的情况下的相同沉积条件下在平面片上形成ITO层时所获得的膜厚。根据本技术的工程师的发现，从平面片来讲的膜厚基本上等于各个结构体的顶部的膜厚。

(退火步骤)

接下来，将具有ITO层的PET片在150℃在空气中进行退火60分钟。通过该退火加速ITO层的多晶化。接下来，通过X射线衍射(XRD)测量ITO层以确认多晶化的加速状态。观测到属于In₂O₃的峰。

由此，制作出目标光学片。

参考例3-2

(成膜步骤和退火步骤)

首先，与参考例3-1同样地执行成膜步骤和退火步骤以制作具有退火ITO层的PET片。

(去除步骤)

接下来，将经过退火处理的PET片浸入PH值为约3的溶液中10秒以去除ITO层。

(清洗步骤)

接下来，使用纯水、IPA和纯水顺序地清洗经过去除处理的PET片。

由此，制作出目标光学片。

参考例3-3

与参考例3-2同样地制作光学片，但是浸入时间改为20秒。

参考例4-1

与参考例3-1同样地制作光学片，但是结构体的配置间距设置为250nm，结构体的高度变为120nm，高宽比变为0.48。

参考例4-2

与参考例3-2同样地制作光学片，但是结构体的配置间距设置为250nm，结构体的高度变为120nm，高宽比变为0.48。

参考例4-3

与参考例3-3同样地制作光学片，但是结构体的配置间距设置为250nm，结构体的高度变为120nm，高宽比变为0.48。

参考例5-1

与参考例3-1同样地制作光学片，但是结构体的配置间距设置为250nm，结构体的高度变为155nm，高宽比变为0.62。

参考例5-2

与参考例3-2同样地制作光学片，但是结构体的配置间距设置为250nm，结构体的高度变为155nm，高宽比变为0.62。

参考例5-3

与参考例3-3同样地制作光学片，但是结构体的配置间距设置为250nm，结构体的高度变为155nm，高宽比变为0.62。

参考例6-1

(成膜步骤和退火步骤)

与参考例3-1同样地执行成膜步骤和退火步骤，但是将以下的棱镜片(由Sumitomo 3M Limited制造，商品名：T-BEF)用于制作具有退火ITO层的棱镜片。

由此，制作出目标光学片。

棱镜片的详细构成如下：

棱镜排列(结构体)：一维排列

棱镜的凹凸形状：凸出形状

棱镜形状：具有等腰三角形截面的柱状

棱镜配置间距：10μm

棱镜的高度：5μm

棱镜的高宽比：0.50

参考例6-2

(成膜步骤和退火步骤)

首先，与参考例6-1同样地执行成膜步骤和退火步骤以制作具有退火ITO层的棱镜片。

(去除步骤)

接下来，将经过退火处理的棱镜片浸入PH值为约3的溶液中10秒以蚀刻ITO层。

(清洗步骤)

接下来，使用纯水、IPA和纯水顺序地清洗经过去除处理的棱镜片。

由此，制作出目标光学片。

参考例6-3

与参考例6-2同样地制作光学片，除浸入时间改为20秒以外。

参考例6-4

与参考例6-2同样地制作光学片，除浸入时间改为30秒以外。

参考例6-5

与参考例6-2同样地制作光学片，除浸入时间改为40秒以外。

(表面电阻)

由四探针法测定如上所述地制作的参考例2-1至6-5的各个光学片的表面的表面电阻。结果在表3中示出。

(初始变化率的倒数)

由下面的公式确定如上所述地制作的参考例2-1至6-5的各个光学片的表面的初始变化率的倒数(即假想厚度的变化)。结果在表4和图27中示出。

(初始变化率的倒数)＝(去除前的样品的表面电阻)/(去除后的样品的表面电阻)

表3示出了根据参考例2-1至6-5的光学片的表面电阻的评价结果。

表3

                                       单位：Q/sq.

表4示出了根据参考例2-1至6-5的光学片的初始变化率的倒数的评价结果。

表4

由表3和4以及图27可知以下情况。

在参考例2-1至2-7中，在各个参考例中ITO层形成在平面上，存在通过去除难以改变ITO层的厚度并且表面电阻变化保持基本恒定的趋向。相反，在参考例3-1到3-3、参考例4-1至4-3和参考例5-1至5-3中，在各个参考例中ITO层形成在大量的结构体上，存在通过去除ITO层的厚度快速减少以及表面电阻迅速增加的趋向。

在参考例6-1至6-5中，在各个参考例中大量的结构体以微米级的配置间距形成，在参考例3-1至3-3、参考例4-1至4-3、参考例5-1至5-3有类似的倾向，这些参考例中大量的结构体以纳米级的配置间距形成。

尽管已具体描述了本技术的实施方式，但本技术并不限于上述实施方式。基于本技术的技术构思可进行各种修改。

例如，在以上实施方式中描述的构成、方法、步骤、形状、材料、数值等仅是示例性的，如有必要，可使用不同于以上描述的其他构成、方法、步骤、形状、材料、数值等。

此外，只要不背离本技术的要旨，在以上实施方式中描述的构成、方法、步骤、形状、材料、数值等可彼此组合。

在以上实施方式中，已经对将本技术应用于在单层导电元件(在其一个表面或两个表面上具有配线图案)的实例进行了说明。然而，本技术不限于此，也可应用于多层导电元件。

在以上实施方式中，已经对其中配线图案形成在基体的平面上的情况作为实例进行了说明。然而，形成有配线图案的表面不仅限于平面。或者，配线图案可形成在基体的曲面上。

在以上实施方式中，已经对将本技术应用于液晶显示器件的实例进行了说明。然而，本技术不限于此，也可应用于由无源矩阵驱动法驱动的各种显示器件(诸如EL器件和电子纸)。

在以上实施方式中，已经对本技术应用于其中两个基体相互重叠的投影型电容式触摸面板的实例进行了说明。然而，本技术并不限于此。本技术可应用于例如包括在其两个表面上具有电极的单一基体的投影型电容式触摸面板。

在以上实施方式中，已经以将本技术应用于作为电子装置的实例的显示装置为例进行了说明。然而，本技术并不限于此。本技术可应用于包括显示装置、配线元件(例如印刷电路板)等的各种电子设备。

本技术包含于2011年3月25日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP2011-068342中所公开的主题，其全部内容结合于此作为参考。

本领域的技术人员应当理解，只要包含在所附权利要求书或其等同物的范围内，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和变形。

Claims (23)

1.一种导电元件，包括：

基体，具有第一波面、第二波面和第三波面；

第一层，设置在所述第一波面上；

第二层，设置在所述第二波面上；

其中，所述第一层具有层叠有两个以上的子层的多层结构；

第二层具有包括构成所述第一层的一部分子层的单层结构或多层结构，

所述第一层和所述第二层形成导电图案部分，并且

所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面满足以下关系：

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8

其中，Am为所述第一波面的振动的平均振幅，Am2为所述第二波面的振动平均振幅，Am3为所述第三波面的振动的平均振幅，λm1为所述第一波面的平均波长，λm2为所述第二波面的平均波长，而λm3为所述第三波面的平均波长。

2.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面满足以下关系：

(Am1/λm1)＝0并且0＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，

并且

所述第二波面的波长λ2和所述第三波面的波长λ3均等于或小于可见光的波长。

3.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面满足以下关系：

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，并且

所述第一波面的波长λ1、所述第二波面的波长λ2和所述第三波面的波长λ3均等于或小于可见光的波长。

4.根据权利要求1所述的导电元件，

所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面满足以下关系：

(Am1/λm1)＝0以及0＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，

并且

所述第二波面的波长λ2和所述第三波面的波长λ3均为100μm以下。

5.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面满足以下关系：

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，并且

所述第一波面的波长λ1、所述第二波面的波长λ2和所述第三波面的波长λ3均为100μm以下。

6.根据权利要求1所述的导电元件，还包括：

第三层，设置在所述第三波面上，

其中，所述第三层包括构成所述第二层的一部分子层，并且

所述第一层、所述第二层和所述第三层满足以下关系：

S1＞S2＞S3

其中，S1是所述第一层的单位面积，S2是所述第二层的单位面积，而S3是所述第三层的单位面积。

7.根据权利要求6所述的导电元件，

其中，所述第一层和所述第二层分别连续形成在所述第一波面和所述第二波面上，并且

所述第三层不连续地形成在所述第三波面上。

8.根据权利要求1所述的导电元件，还包括：

第三层，设置在所述第三波面上，

其中，所述第一层、所述第二层和所述第三层满足以下关系：

d1＞d2＞d3

其中，d1是所述第一层的平均厚度，d2是所述第二层的平均厚度，而d3是所述第三层的平均厚度。

9.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述第一层包括导电子层、设置在所述导电子层上的第一功能子层以及设置在所述第一功能子层上的第二功能子层，并且

所述第二层包括所述导电子层。

10.根据权利要求9所述的导电元件，

其中，还在所述导电子层和所述第一功能子层之间设置有第二功能子层。

11.根据权利要求9所述的导电元件，

其中，所述导电子层是包含氧化物半导体的透明导电子层，并且

所述氧化物半导体包括氧化铟锡或氧化锌。

12.根据权利要求11所述的导电元件，其中，所述氧化物半导体为非晶相和多晶相的混合状态。

13.根据权利要求9所述的导电元件，其中，所述第一功能子层和所述第二功能子层由不同的材料构成。

14.根据权利要求13所述的导电元件，

其中，所述第一功能子层和所述第二功能子层为金属子层，并且

所述金属子层均包含选自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu和Nd构成的组中的至少一种。.

15.根据权利要求13所述的导电元件，其中，所述第一功能子层和所述第二功能子层均包括选自由氧化物和过渡金属化合物组成的组中的至少一种。

16.根据权利要求15所述的导电元件，其中，所述第一功能子层和所述第二功能子层均包含非晶相与多晶相的混合状态的子层和多晶子层中的至少一种。

17.根据权利要求1所述的导电元件，其中，所述第二波面的波长λ2和所述第三波面的波长λ3各自在100nm以上且100μm以下的范围内。

18.一种配线元件，包括根据权利要求1至17中任一项所述的导电元件。

19.一种信息输入装置，包括根据权利要求1至17中任一项所述的导电元件。

20.一种显示装置，包括根据权利要求1至17中任一项所述的导电元件。

21.一种电子设备，包括根据权利要求1至17中任一项所述的导电元件。

22.一种母版，用于制造根据权利要求1至17中任一项所述的导电元件。

23.一种导电元件的制造方法，所述方法包括：

通过层叠两个以上的子层而在具有第一波面、第二波面和第三波面的基体的表面上形成层叠膜；以及

在所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面中，通过去除位于所述第三波面上的层叠膜，保留位于所述第一波面的层叠膜作为第一层，保留位于所述第二波面的构成所述层叠膜的一部分子层作为第二层，

其中，所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面满足以下关系：

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8

其中，Am为所述第一波面的振动的平均振幅，Am2为所述第二波面的振动的平均振幅，Am3为所述第三波面的振动的平均振幅，λm1为所述第一波面的平均波长，λm2为所述第二波面的平均波长，而λm3为所述第三波面的平均波长。

Images