TW201842692A - 有機ｅｌ裝置用基板、有機ｅｌ裝置及有機ｅｌ裝置用基板的製造方法 - Google Patents

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梶弘典
久保勝誠
田部昌志
坂本明彦
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Abstract

一種在厚度方向依序具備：透光板、高折射率層(4)、透明導電層(5)的有機EL裝置用基板(1)；其中，在具有將透明導電層(5)至少分離成第一區域(R1)與第二區域(R2)的凹狀溝部(6)，並且將透明導電層(5)的厚度設為t1(μm)、將凹狀溝部(6)的最小寬度設為(w1)(μm)、將以與透明導電層(5)的高折射率層(4)相反側的表面(5a)為基準的凹狀溝部(6)的最大深度設為(d1)(μm)時，成立：t1≦d1且d1/｛(w1)0.5｝＜0.1的關係。

Description

有機ＥＬ裝置用基板、有機ＥＬ裝置及有機ＥＬ裝置用基板的製造方法
本發明係有關於有機EL裝置用基板及利用其的有機EL裝置、和其等的製造方法。
近年，在顯示器或照明等的各種裝置中，在要求薄型化及低耗電力化的目的上，使用有機EL(電致發光)元件的有機EL裝置的利用受到注目。不過，有機EL元件特別是作為照明用光源使用時常有輝度不充分的情形，需要更加改善光取出效率為實情。
其中，例如，專利文獻1揭示為了提高光取出效率，而使用具有使來自有機EL元件的光散射的機能的有機EL裝置用基板。詳細而言，同文獻所揭示的有機EL裝置用基板，在形成透明導電膜側的表面，具備形成有用以將來自有機EL元件的光散射的凹凸面的玻璃板。但是，這樣會有難以在凹凸面直接形成透明導電膜的問題。因此，同文獻所揭示的有機EL裝置用基板，在玻璃板的凹凸面之上更具備由玻璃燒結膜所形成的高折射率層，並將形成透明導電膜的面藉由高折射率層來平坦化。此外，高折射率層也能夠達成降低於與透明導電膜間的界面的光的反射，提高光取出效率的效果。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 特開2010-198797號公報
[發明所欲解決的問題]
有機EL裝置用基板的透明導電膜，作為有機EL裝置的電極(例如，陽極)被利用。因此，在透明導電膜因應裝置形狀或構造形成凹狀溝部，以對應所期望的電極形狀的方式將透明導電膜分割。於凹狀溝部的表面，在製造有機EL裝置的過程中形成有機EL元件層，保持由隔著凹狀溝部鄰接的透明導電膜所形成的電極間的絕緣。
不過，即便是如這樣製造的有機EL裝置，也有在凹狀溝部發生高漏電流，而損及有機EL裝置的發光特性的問題。
本發明的課題為提供一種能降低漏電流的發生的有機EL裝置用基板及有機EL裝置。 [解決問題的手段]
經過本發明者們銳意研究的結果，得到漏電流的原因是在於凹狀溝部的形狀的見解。詳細而言，在利用有機EL裝置用基板製造有機EL裝置的過程中，藉由蒸鍍等來形成有機EL元件層等的絕緣層。此時，若相對於凹狀溝部的最小寬度其深度過大的話，難以在凹狀溝部的表面全體形成有機EL元件層等的絕緣層。因此，例如在凹狀溝部的側壁部，不形成絕緣層而形成透明導電層露出的露出部，可能會成為漏電流的發生原因。在這裡，基於該見解，藉由達成凹狀溝部的最小寬度與最大深度的尺寸關係的適正化，而想到本發明。
為了解決上述課題而創案的本發明的有機EL裝置用基板，係在厚度方向依序具備：透光板、高折射率層、透明導電層的有機EL裝置用基板；其中，具有將透明導電層至少分離成第一區域與第二區域的凹狀溝部，在將透明導電層的厚度設為t1(μm)、將凹狀溝部的最小寬度設為w1(μm)、將以與透明導電層的高折射率層相反側的表面為基準的凹狀溝部的最大深度設為d1(μm)時，成立：t1≦d1且d1/｛(w1)0.5 ｝＜0.1的關係。根據該構成，因為t1≦d1，凹狀溝部的最大深度成為透明導電層的厚度以上的大小，藉由凹狀溝部，能夠將透明導電層確實地分離成第一區域與第二區域。另一方面，若t1≦d1且d1/｛(w1)0.5 ｝＜0.1，經由各種實驗也能判明相對於凹狀溝部的最小寬度該最大深度成為適正者。因此，利用具有該種尺寸關係的有機EL裝置用基板製造有機EL裝置的話，因為在凹狀溝部的表面全體形成有機EL元件層等絕緣層，能夠使漏電流的發生降低。
在上述構成中，凹狀溝部的最小寬度為10μm以上較佳。這樣的話，因為凹狀溝部的最小寬度足夠寬，利用有機EL裝置用基板製造有機EL裝置時，在凹狀溝部的表面全體容易形成有機EL元件層等絕緣層。
在上述構成中，凹狀溝部的側壁部的透明導電層的表面側的端度具有從透明導電層的表面隆起的隆起部，將沿著凹狀溝部的長邊方向的尺寸為40μm、沿著凹狀溝部的寬度方向的尺寸為10μm的矩形狀區域，以包含前述側壁部的前述端部的方式設置時，在矩形狀區域內且以透明導電層的表面為基準的隆起部的高度成為10nm以上的部分的俯視時的面積，為矩形狀區域的面積的10%以下較佳。亦即，若存在多數高度10nm以上的隆起部，因隆起部而透明導電層的形狀會複雜化，會成為漏電流的發生原因。因此，從更確實地防止漏電流的發生的觀點來看，如上述構成所規定的方式，使高度10nm以上的隆起部的俯視時的面積(水平投影面積)縮小為矩形狀區域(40μm×10μm)的面積的10％以下較佳。
為了解決上述課題而創案的本發明的有機EL裝置，具備：上述有機EL裝置用基板、及形成於有機EL裝置用基板的透明導電層側的有機EL元件層。根據該種構成，能夠享有在上述有機EL用裝置用基板說明的同樣的作用效果。
為了解決上述課題而創案的本發明的有機EL裝置用基板，係在厚度方向依序具備：透光板、高折射率層、透明導電層的有機EL裝置用基板的製造方法；具有：藉由雷射加工將透明導電層的一部分除去，形成至少將透明導電層分離成第一區域與第二區域的凹狀溝部的雷射加工工程；在雷射加工工程中，形成凹狀溝部，使得在將透明導電層的厚度設為t1(μm)、將凹狀溝部的最小寬度設為w1(μm)、將以與透明導電層的高折射率層相反側的表面為基準的凹狀溝部的最大深度設為d1(μm)時，成立：t1≦d1且d1/｛(w1)0.5 ｝＜0.1的關係。根據該種構成，能夠享有在上述有機EL用裝置用基板說明的對應的構成同樣的作用效果。又，因為不使用濕式蝕刻，而以雷射加工形成凹狀溝部，作為高折射率層即便選擇對耐水性或耐藥性差的材質，也能減少對高折射率層的破壞。亦即，例如作為高折射率層的材料，能夠沒有問題地選擇鉍系、鉛系、鑭系等玻璃組成物。
在上述構成中，在雷射加工工程中，以凹狀溝部的最小寬度為10μm以上的方式，形成凹狀溝部較佳。
在上述構成中，在雷射加工工程之後，具備研磨透明導電層的表面的研磨工程，研磨透明導電層的前述，使得在研磨工程後，在凹狀溝部的側壁部的透明導電層的表面側的端度具有從透明導電層的表面隆起的隆起部，將沿著凹狀溝部的長邊方向的尺寸為40μm、沿著凹狀溝部的寬度方向的尺寸為10μm的矩形狀區域，以包含側壁部的端部的方式設置時，以在矩形狀區域內且以透明導電層的表面為基準的隆起部的高度成為10nm以上的部分的俯視時的面積，成為矩形狀區域的面積的10%以下。
為了解決上述課題而創案的本發明的有機EL裝置的製造方法，藉由上述有機EL裝置用基板的製造方法，具備：得到有機EL裝置用基板的工程、及形成於有機EL裝置用基板的透明導電層側的有機EL元件層的工程。根據該種構成，能夠享有在上述有機EL用裝置用基板及上述有機EL用裝置用基板的製造方法說明的同樣的作用效果。 [發明的效果]
根據以上的本發明，能夠提供一種能降低漏電流的發生的有機EL裝置用基板及有機EL裝置。
[實施形態]
以下，根據添附的圖式說明本發明的實施形態。
如圖1所示，有機EL裝置用基板1在厚度方向依序具備：透光板2、凹凸層3、高折射率層4、透明導電層5。透光板2、凹凸層3、高折射率層4及透明導電層5分別具有光透過性。
透光板2由玻璃及樹脂等形成。作為形成透光板2的玻璃，可以是鈉鈣玻璃、硼矽酸鹽玻璃、無鹼玻璃、石英玻璃等。作為形成透光板2的樹脂，可以是丙烯酸樹脂、矽氧樹脂、環氧樹脂、聚酯纖維樹脂、聚碳酸酯樹脂等。
凹凸層3由呈凹凸形狀的玻璃燒結層形成。凹凸層3的折射率nd與透光板2的折射率nd實質相同較佳。此時，凹凸層3的折射率nd，相對於透光板2的折射率nd在±0.1的範圍內較佳。其中，折射率nd表示於波長588nm的折射率。此外，取代凹凸層3，將透光板2的表面自體以凹凸面形成也可以。作為形成凹凸面的方法，可以是噴砂法、壓印成形法、滾輪成形法等的機械處理法、溶凝膠噴塗法、蝕刻法、大氣壓電漿處理法等的化學處理法。又，取代凹凸層3或凹凸面等的凹凸形狀、或併用其等，在高折射率層4的基材中，使折射率與高折射率層4的基材不同的物質分散也可以。分散物質為折射率比高折射率層4的基材的折射率還小的物質較佳。作為分散物質，可以是空氣、氧、氮、二氧化碳等的氣體(氣泡)、二氧化鈦、氧化鋯、二氧化矽等的陶瓷粒子或玻璃(非晶質玻璃或結晶化玻璃)粒子等的無機粒子。
高折射率層4具有比透光板2的折射率還大的折射率。高折射率層的折射率nd雖沒有特別的限定，但例如為1.8~2.1。高折射率層4以玻璃(非晶質玻璃或結晶化玻璃)、樹脂、陶瓷等形成。高折射率層4較佳為玻璃燒結層。作為形成玻璃燒結層的玻璃，有鈉鈣玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃、鉍系玻璃、鉛系玻璃、鑭系玻璃等的無機玻璃。其中，因鉍系玻璃為非鉛系玻璃其折射率高，能以低溫燒結而特佳。但是，因為鉍系玻璃的相對電容率高，於高折射率層4的表層部的電荷密度容易變高，來自後述的凹狀溝部6的漏電流容易變大。因此，在具有包含鉍系玻璃的高折射率層4的有機EL元件用基板中，在能降低漏電流的發生的本發明的有用性中特別顯著。此外，高折射率層4的相對電容率較佳為9～23、更佳為10～22。
作為透明導電層5，可以是氧化銦錫(ITO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銦鋅氧化物(IZO)等。
作於用於凹凸層3的形成的玻璃粉末，例如，可以使用含有質量％為SiO2 ：30%、B2 O3 ：40%、ZnO：10%、Al2 O3 ：5%、K2 O：15%的玻璃粉末。又，凹凸層3的凹凸形狀，除了燒結熔塊糊料時的熱處理條件以外，也相依於玻璃粉末的粒徑。玻璃粉末的較佳粉末粒度(D50 )為0.3～15μm、更佳為1.0～10μm、再佳為1.5～8μm的範圍。
作於用於高折射率層4的形成的玻璃粉末，例如，可以使用含有質量%為Bi2 O3 ：70%、SiO2 ：5%、ZnO：10%、B2 O3 ：10%、Al2 O3 ：5%，相對電容率為17的鉍系玻璃粉末。在高折射率層4的表面形成透光性電極等時，高折射率層4的表面為平滑較佳。為了得到平滑的表面，除了燒結熔塊糊料時的熱處理條件以外，適切地設定玻璃粉末的粒度較佳。玻璃粉末的粉末粒度(D50 )較佳為0.1～20μm、更佳為0.2～15μm、再佳為0.3～10μm的範圍。
在透明導電層5，形成至少將透明導電層5分離成第一區域R1與第二區域R2的凹狀溝部6。該凹狀溝部6有接下來的特徵。亦即，如圖2所示，將透明導電層5的厚度設為t1、將凹狀溝部6的最小寬度設為w1、將以與透明導電層5的高折射率層4相反側的表面5a為基準的凹狀溝部6的最大深度設為d1時，成立： 的關係。但是，但上述(2)式中，d1及w1使用μm換算的值。
根據上述(1)式，第一區域R1與第二區域R2完全被分離，第一區域R1與第二區域R2不會被透明導電層5直接導通。上述(1)式為t1＜d1較佳。此時，如圖2所示，在凹狀溝部6的底壁部6a，高折射率層4露出。
又，根據上述(2)式，相對於凹狀溝部6的最小寬度w1該最大深度d1為適正者。因此，利用具有該種尺寸關係的有機EL裝置用基板1製造有機EL裝置時，因為在凹狀溝部6的表面全體形成有機EL元件層等絕緣層，能夠使漏電流的發生降低到沒有問題的等級。上述(2)式中，d1/｛(w1)0.5 ｝較佳為0.08以下、更佳為0.06以下、再更佳為0.04以下。
凹狀溝部6的最大深度d1較佳為1μm以下、更佳為0.8μm以下、再來更佳為0.5μm以下。
凹狀溝部6的最小寬度w1較佳為10μm以上、更佳為15μm以上、再更佳為20μm以上。其中，凹狀溝部6的最小寬度w1較佳為對應底壁部6a的位置的寬度。又，凹狀溝部6的溝寬度以隨著從底壁部6a到透明導電層5的表面5a側的移行而擴大的方式，在溝寬度方向對向的凹狀溝部6的一對側壁部6b在外側傾斜較佳。
凹狀溝部6的側壁部6b的透明導電層5的表面5a側的端部6b1，具有比透明導電層5的表面5a還隆起的隆起部7。隆起部7有接下來的特徵較佳。亦即，如圖3所示，將沿著凹狀溝部6的長邊方向X的尺寸為40μm、沿著凹狀溝部6的寬度方向Y的尺寸為10μm的矩形狀區域S，以包含側壁部6b的端部6b1的方式設置時，在矩形狀區域S內，以透明導電層5的表面5a為基準的隆起部7的高度h(參照圖2)成為10nm以上的部分的俯視時的面積(以下，單稱為隆起部面積)，為矩形狀區域S的面積的10%以下較佳、5%以下更佳、2%以下再更佳。矩形狀區域S的平面方向(X方向及Y方向)的位置，若滿足將側壁部6b的端部6b1包含於區域內的條件的話可以任意設置。
有機EL裝置用基板1滿足接下來的關係式也可以。
如圖4所示，有機EL裝置11，在圖1的有機EL裝置用基板1之上，更具備有機EL元件層12、陰極13。有機EL元件層12及陰極13形成於透明導電層5側。透明導電層5作為陽極作用。陰極13以鋁等金屬層形成，在本實施形態中具有光反射性。有機EL元件層12具備發光層，在發光層與透明導電層5之間，因應必要形成電洞注入層、電洞輸送層等。又，在發光層與陰極13之間，因應必要形成電子輸送層、電子注入層等。
將於透明導電層5的凹狀溝部6的非形成區域的有機EL元件層12的厚度設為t2時，與凹狀溝部6的最大深度d1之間，滿足：的關係。
凹狀溝部6的最大深度d1為有機EL元件層12的厚度t2的2.5倍以下更佳、2倍以下再更佳。
於有機EL元件層12發出的光，通過透明導電層5及透光板2，從透光板2側向外部取出。此時，在陰極13反射的光，從透光板2側向外部取出。
如以上的方式構成的有機EL裝置11，因為光取出效率高，且對發光特性有惡影響的漏電流也非常小，例如，能夠作為照明適當地使用。
接著，說明由以上的方式構成的有機EL裝置的製造方法。此外，在有機EL裝置的製造方法中，也一併說明有機EL裝置用基板的製造方法。
有機EL裝置的製造方法，具有：在透光板2之上形成凹凸層3的凹凸層形成工程、在凹凸層3之上成高折射率層4的高折射率層形成工程、在高折射率層4之上形成透明導電層5的透明導電層形成工程、在透明導電層5之上形成有機EL元件層12的有機EL元件層形成工程、在有機EL元件層12之上形成陰極13的陰極形成工程。其中，從凹凸層形成工程到透明導電層形成工程，是關於有機EL裝置用基板的製造方法的工程。有機EL裝置用基板的製造工程，例如由玻璃製造商進行，有機EL裝置的製造工程中含有的剩餘工程，例如由有機EL裝置製造商進行。
在凹凸層形成工程中，將包含玻璃粉末的熔塊糊料於透光板2的表面塗佈或印刷後，將熔塊糊料燒結(第一熱處理)。藉此，在透光板2之上，形成由玻璃燒結層所形成的凹凸層3。其中，第一熱處理的熱處理溫度需要比透光板2的耐熱溫度還低，較佳為比透光板2的軟化點(例如730℃)還低、更佳為比透光板2的軟化點還低50～200℃左右。
在高折射率層形成工程中，將包含玻璃粉末的熔塊糊料於凹凸層3(或凹凸層3及透光板2)之上塗佈或印刷後，將熔塊糊料燒結(第二熱處理)。藉此，在凹凸層3之上，形成由玻璃燒結層所形成的高折射率層4。其中，第二熱處理的熱處理溫度較佳為第一熱處理的熱處理溫度還低溫。藉由這樣，由第一熱處理形成的凹凸層3，在第二熱處理中也維持該形態。
在透明導電層形成工程中，首先，藉由濺鍍、蒸鍍、CVD等公知的手法，在高折射率層4之上形成透明導電層5。之後，因應預定的圖案化形狀，藉由雷射加工將透明導電層5的一部分除去(雷射加工工程)。藉此，在透明導電層5形成凹狀溝部6，至少分離成第一區域R1與第二區域R2。雷射加工例如使用脈衝雷射。
在雷射加工工程中，以成立上述式(1)及(2)的關係的方式，形成凹狀溝部6。此時，藉由調整例如雷射功率或照射點徑，調整凹狀溝部6的最小寬度w1及/或最大深度d1。
該雷射加工工程之後，凹狀溝部6的側壁部6b的透明導電層5的表面5a側的端部6b1，受到雷射加工時的熱的影響，有形成比透明導電層5的表面5a還隆起的隆起部7的情形。因此，在本實施形態的透明導電層形成工程中，在雷射加工工程之後，研磨透明導電層5的表面5a。該研磨工程，例如藉由拋光研磨進行。藉此，將隆起部面積設為矩形狀區域S的面積的10%以下。此外，隆起部7並不限於由雷射加工形成。
在有機EL元件層形成工程中，藉由蒸鍍，在透明導電層5之上形成有機EL元件層12。有機EL元件層12也在凹狀溝部6內形成，藉由有機EL元件層12將第一區域R1與第二區域R2之間保持絕緣。此時，以成立上述式(3)的關係的方式，形成有機EL元件層12較佳。
在陰極形成工程中，藉由濺鍍、蒸鍍、CVD等公知的手法，在有機EL元件層12之上形成陰極13。 [實施例]
首先，說明本發明的實施例的有機EL裝置的製造條件。
作為透光板，準備厚度0.7mm的鈉鈣玻璃基板。在該玻璃基板的表面，利用網版印刷機將凹凸層形成用熔塊糊料以約25μm的厚度進行塗佈，以130℃進行乾燥後，利用電爐以600℃進行第一熱處理。藉由第一熱處理，凹凸層形成用熔塊糊料中的玻璃粉末的玻璃粒子彼此互相熔接，在玻璃基板的表面形成凹凸層。
在玻璃基板及凹凸層各自的表面，利用模塗機將高折射率層形成用熔塊糊料以約80μm的厚度進行塗佈，以130℃進行乾燥後，利用電爐以580℃進行第二熱處理。因為第二熱處理的熱處理溫度比第一熱處理的熱處理溫度還低溫，由第一熱處理形成的凹凸層，在第二熱處理中也維持該形態。藉由第二熱處理，高折射率層形成用熔塊糊料中的玻璃粉末的玻璃粒子彼此互相熔接，同時在平面方向流動，形成具有平坦且平滑的表面的高折射率層。
藉由濺鍍裝置在高折射率層上形成由厚度120nm的ITO膜所形構成的透明導電層。之後，藉由波長1550nm的脈衝雷射裝置(Raydiance社製R-100)對透明導電層進行雷射加工，在透明導電層形成凹狀溝部。此時，藉由調整例如雷射功率或照射點徑，進行凹狀溝部的深度或寬度的控制。
上述的雷射加工之後，將透明導電膜的表面藉由拋光研磨進行研磨，製造有機EL裝置用基板。
再來，在上述有機EL裝置用基板之上，以真空蒸鍍形成由電洞注入層、發光層、電子輸送層、電子注入層所構成的厚度150nm的有機層、厚度80nm的鋁電極(陰極)，製造有機EL裝置。
另一方面，比較例的有機EL裝置，在上述實施例的有機EL裝置的製造工程中，以與實施例不同的雷射照射條件，藉由變更凹狀溝部的深度及寬度來製造。此外，雷射照射條件以外的製造條件與實施例一樣。
接著，就實施例1～9及比較例1～4的各者分別評價漏電流。漏電流的評價，就實施例1～9及比較例1～4的各者，製造2mm×2mm的發光面積有機EL裝置，該製造的各有機EL裝置的電流－電壓特性藉由Keithley社製2400型電源電錶來測定而進行。此時，將電壓為2V時的電流值作為漏電流(mA/cm2 )。其結果顯示於表1。
根據表1，在d1/｛(w1)0.5 ｝未滿0.1的所有實施例1~9中，漏電流成為7×10-5 mA/cm2 以下，能夠確認為作為有機EL裝置得到適合的值。其中，在實施例2的有機EL裝置所用的有機EL裝置用基板中的凹狀溝部的狀態藉由掃描模電子顯微鏡確認後，如圖5A及圖5B所示，透明導電膜一樣被除去，在凹狀溝部的底壁部高折射率層露出。又，在露出的高折射率層，沒有發現裂縫、溶融、變色等損壞。
相對於此，在d1/｛(w1)0.5 ｝為0.1以上的所有比較例1~4中，漏電流成為1×10-4 mA/cm2 以上，與實施例1~9相比漏電流變得非常大。
其中，在實施例1～9、比較例1～3中，因為矩形狀區域的面積中占有的隆起部面積為10%以下，在比較例1～3中，漏電流也比矩形狀區域的面積占有的隆起部面積超過10%的比較例4還小。
此外，本發明並不限定於上述實施形態及實施例的構成，並非限於上述的作用效果。本發明在不脫離本發明要旨的範圍可以作各種變更。
在上述實施形態中，雖說明在凹狀溝部6內形成有機EL元件層12，使凹狀溝部6絕緣的情形，但取代有機EL元件層12，如圖6所示，在凹狀溝部6填充絕緣樹脂21也可以。該絕緣樹脂21的填充，可以由有機EL裝置用基板1的製造工程進行，也可以由有機EL裝置11的製造工程進行。前者的情形，有機EL裝置用基板1成為在凹狀溝部6具備絕緣樹脂21。
1‧‧‧有機EL裝置用基板
2‧‧‧透光板
3‧‧‧凹凸層
4‧‧‧高折射率層
5‧‧‧透明導電層
5a‧‧‧表面
6‧‧‧凹狀溝部
6a‧‧‧底壁部
6b‧‧‧側壁部
7‧‧‧隆起部
11‧‧‧有機EL裝置
12‧‧‧有機EL元件層
13‧‧‧陰極
21‧‧‧絕緣樹脂
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域
S‧‧‧矩形狀區域
d1‧‧‧凹狀溝部的最大深度
w1‧‧‧凹狀溝部的最小寬度
[圖1] 有機EL裝置用基板的剖面圖。 　　[圖2] 有機EL裝置用基板的凹狀溝部周邊的擴大剖面圖。 　　[圖3] 有機EL裝置用基板的凹狀溝部周邊的原子力顯微鏡圖。 　　[圖4] 有機EL裝置的剖面圖。 　　[圖5A] 實施例的有機EL裝置用基板的凹狀溝部周邊的掃描型電子顯微鏡照片。 　　[圖5B] 實施例的有機EL裝置用基板的凹狀溝部內的掃描型電子顯微鏡照片。 　　[圖6] 表示有機EL裝置用基板的變形例的剖面圖。

Claims (7)

  1. 一種有機EL裝置用基板，係在厚度方向依序具備：透光板、高折射率層、透明導電層的有機EL裝置用基板；其中， 　　具有將前述透明導電層至少分離成第一區域與第二區域的凹狀溝部， 　　在將透明導電層的厚度設為t1(μm)、將前述凹狀溝部的最小寬度設為w1(μm)、將以與前述透明導電層的前述高折射率層相反側的表面為基準的前述凹狀溝部的最大深度設為d1(μm)時，成立：的關係。
  2. 如請求項1所記載的有機EL裝置用基板，其中，前述凹狀溝部的最小寬度為10μm以上。
  3. 如請求項1或2所記載的有機EL裝置用基板，其中，於前述凹狀溝部的側壁部的前述透明導電層的前述表面側的端部，具有從前述透明導電層的前述表面隆起的隆起部； 　　將沿著前述凹狀溝部的長邊方向的尺寸為40μm、沿著前述凹狀溝部的寬度方向的尺寸為10μm的矩形狀區域，以包含前述側壁部的前述端部的方式設置時， 　　在前述矩形狀區域內且以前述透明導電層的前述表面為基準的前述隆起部的高度成為10nm以上的部分的俯視時的面積，為前述矩形狀區域的面積的10%以下。
  4. 一種有機EL裝置，具備：如請求項1至3中任1項所記載的有機EL裝置用基板、及形成於前述有機EL裝置用基板的前述透明導電層側的有機EL元件層。
  5. 一種有機EL裝置用基板的製造方法，係在厚度方向依序具備：透光板、高折射率層、透明導電層的有機EL裝置用基板的製造方法； 　　具有：藉由雷射加工將前述透明導電層的一部分除去，形成將前述透明導電層至少分離成第一區域與第二區域的凹狀溝部的雷射加工工程； 　　在前述雷射加工工程中，形成前述凹狀溝部，使得在將透明導電層的厚度設為t1(μm)、將前述凹狀溝部的最小寬度設為w1(μm)、將以與前述透明導電層的前述高折射率層相反側的表面為基準的前述凹狀溝部的最大深度設為d1(μm)時，成立：的關係。
  6. 如請求項5所記載的有機EL裝置用基板的製造方法，其中，在前述雷射加工工程中，以使前述凹狀溝部的最小寬度成為10μm以上的方式，形成前述凹狀溝部。
  7. 如請求項5或6所記載的有機EL裝置用基板的製造方法，其中，在前述雷射加工工程之後，具有研磨前述透明導電層的前述表面的研磨工程； 　　研磨前述透明導電層的前述表面，使得在前述研磨工程後，在前述凹狀溝部的側壁部的前述透明導電層的前述表面側的端部，具有從前述透明導電層的前述表面隆起的隆起部， 　　將沿著前述凹狀溝部的長邊方向的尺寸為40μm、沿著前述凹狀溝部的寬度方向的尺寸為10μm的矩形狀區域，以包含前述側壁部的前述端部的方式設置時， 　　在前述矩形狀區域內且以前述透明導電層的前述表面為基準的前述隆起部的高度成為10nm以上的部分的俯視時的面積，成為前述矩形狀區域的面積的10%以下。
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