KR20140131679A - 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 평탄도를 증가시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 입자 상태의 제1 금속산화물, 졸 상태의 제2 금속산화물을 유기용매에 넣고 혼합하는 혼합단계; 만들어진 혼합물을 베이스 기판 상에 코팅하는 제1 코팅단계; 코팅된 코팅막을 열처리하는 열처리단계; 및 상기 제2 금속산화물을 상기 코팅막 상에 코팅하여, 매트릭스인 상기 제2 금속산화물 내에 상기 제1 금속산화물 입자가 함침되어 있는 금속산화물 박막을 상기 베이스 기판 상에 형성하는 제2 코팅단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.
이를 위해, 본 발명은, 입자 상태의 제1 금속산화물, 졸 상태의 제2 금속산화물을 유기용매에 넣고 혼합하는 혼합단계; 만들어진 혼합물을 베이스 기판 상에 코팅하는 제1 코팅단계; 코팅된 코팅막을 열처리하는 열처리단계; 및 상기 제2 금속산화물을 상기 코팅막 상에 코팅하여, 매트릭스인 상기 제2 금속산화물 내에 상기 제1 금속산화물 입자가 함침되어 있는 금속산화물 박막을 상기 베이스 기판 상에 형성하는 제2 코팅단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 평탄도를 증가시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기발광소자(organic light emitting diode; OLED)는 애노드(anode), 발광층 및 캐소드(cathode)를 포함하여 형성된다. 여기서, 애노드와 캐소드 간에 전압을 인가하면, 정공은 애노드로부터 전공 주입층 내로 주입되고 전공 수송층을 거쳐 발광층으로 이동되며, 전자는 캐소드로부터 전자 주입층 내로 주입되고 전자 수송층을 거쳐 발광층으로 이동된다. 이때, 발광층 내로 주입된 정공과 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤(excition)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.
한편, 이러한 유기발광소자로 이루어진 유기 발광 표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 N×M개의 화소들을 구동하는 방식에 따라, 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다.
여기서, 능동 매트릭스 방식의 경우 단위화소 영역에는 발광영역을 정의하는 화소전극과 이 화소전극에 전류 또는 전압을 인가하기 위한 단위화소 구동회로가 위치하게 된다. 이때, 단위화소 구동회로는 적어도 두 개의 박막트랜지스터(thin film transistor; TFT)와 하나의 캐패시터(capacitor)를 구비하며, 이를 통해, 화소수와 상관없이 일정한 전류의 공급이 가능해져 안정적인 휘도를 나타낼 수 있다. 이러한 능동 매트릭스 방식의 유기 발광 표시장치는 전력 소모가 적어, 고해상도 및 대형 디스플레이의 적용에 유리하다는 장점을 갖고 있다.
하지만, 도 8에 도시한 바와 같이, 유기발광소자는 발광량의 약 20%만 외부로 방출되고 80% 정도의 빛은 유리 기판(10)과 애노드(20) 및 정공 주입층, 정공수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함한 유기 발광층(30)의 굴절률 차이에 의한 도파관(wave guiding) 효과와 유리 기판(10)과 공기의 굴절률 차이에 의한 전반사 효과로 손실된다. 즉, 내부 유기 발광층(30)의 굴절률은 1.7 내지 1.8이고, 애노드(20)로 일반적으로 사용되는 ITO의 굴절률은 1.9 내지 2.0이다. 이때, 두 층의 두께는 대략 100 내지 400㎚로 매우 얇고, 유리 기판(10)으로 사용되는 유리의 굴절률은 1.5 정도이므로, 유기발광소자 내에는 평면 도파로가 자연스럽게 형성된다. 계산에 의하면, 상기 원인에 의한 내부 도파모드로 손실되는 빛의 비율이 약 45%에 이른다. 그리고 유리 기판(10)의 굴절률은 약 1.5이고, 외부 공기의 굴절률은 1.0이므로, 유리 기판(10)에서 외부로 빛이 빠져 나갈 때, 임계각 이상으로 입사되는 빛은 전반사를 일으켜 유리 기판(10) 내부에 고립되는데, 이렇게 고립된 빛의 비율은 약 35%에 이르기 때문에, 불과 발광량의 20% 정도만 외부로 방출된다. 여기서, 참조번호 31, 32, 33은 유기 발광층(30)을 구성하는 구성요소로, 31은 정공 주입층과 정공 수송층, 32는 발광층, 33은 전자 주입층과 전자 수송층을 나타낸다.
한편, 이를 해결하기 위한 대표적인 방법으로는 마이크로 렌즈 어레이(micro lens array)를 이용한 외부 광추출 효율을 높이는 방법이 있다. 하지만, 마이크로 렌즈 어레이는 광추출층의 요철이 외부로 돌출되므로, 외부의 충격에 의한 손상이나 이물에 의한 오염 등이 쉬우며, 디스플레이에 사용하고자 하는 경우 렌즈에 의한 이미지 흐림이 발생하는 문제가 있다.
또한, 내부 광추출 방법으로, 유리 기판(10)과 애노드(20) 사이에 광 도파 경로를 변경시키는 광추출층을 형성하는 방법이 있다. 이러한 내부 광추출은 광 도파 모드로 소실되는 광을 추출함으로써 외부 광추출에 비해 효율 증대 가능성이 훨씬 높은 장점이 있다. 이때, 이러한 내부 광추출층의 광추출 효과를 높이기 위해서는 광추출층의 표면이 요철 구조로 형성되어야 한다. 하지만, 이 경우, 이와 맞닿는 애노드(20) 형상이 요철 형상을 따라 가게 되어, 애노드(20)에 국부적으로 뾰족한 부분이 발생할 가능성이 높아지고, 이와 같이, 애노드(20)에 뾰족하게 돌출된 부분이 있으면, 그 부분에 전류가 집중되어 큰 누설전류의 원인이 되거나 전력 효율의 저하를 가져온다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 종래에는 여러 방법이 제안되었는데, 그 중 매트릭스 물질에 광 산란입자를 함침시키는 방법으로 매트릭스 물질과 광 산란입자를 적절히 혼합하여 유리 기판(10)에 스핀코팅, 바 코팅, 슬럿다이 등의 방법으로 코팅하는 방법이 사용되었다. 그러나 매트릭스 물질로 금속산화물을 사용하는 경우 졸(sol) 용액을 사용하게 되는데, 졸 용액은 건조, 소성 과정에서 용액에 포함된 유기물의 증발, 소실로 인해 최초 코팅된 금속산화물 박막 두께의 1/10~1/20 수준으로 그 부피가 줄어드는 문제가 있었다. 또한, 광 산란입자는 건조, 소성 과정을 거치더라도 수축되지 않는데, 이렇게 되면, 수축된 금속산화물 박막 표면으로 광 산란입자가 돌출되어, 고 평탄도가 요구되는 내부 광추출층으로서 역할을 할 금속산화물 박막의 표면 조도가 높아지는 문제가 있었다. 이와 같이 금속산화물 박막의 표면 조도가 높아지면, 종국에는 이를 내부 광추출층으로 적용하는 유기발광소자의 수명에 악 영향을 끼치게 된다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 평탄도를 증가시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 입자 상태의 제1 금속산화물, 졸 상태의 제2 금속산화물을 유기용매에 넣고 혼합하는 혼합단계; 만들어진 혼합물을 베이스 기판 상에 코팅하는 제1 코팅단계; 코팅된 코팅막을 열처리하는 열처리단계; 및 상기 제2 금속산화물을 상기 코팅막 상에 코팅하여, 매트릭스인 상기 제2 금속산화물 내에 상기 제1 금속산화물 입자가 함침되어 있는 금속산화물 박막을 상기 베이스 기판 상에 형성하는 제2 코팅단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 유기용매는 제1 유기물 및 제2 유기물이 포함되어 있는 에탄올 용액일 수 있다.
이때, 상기 제1 유기물 및 상기 제2 유기물 중 어느 하나는 에틸렌 글리콜(EG)이고, 다른 하나는 폴리비닐 페놀(PVPh)일 수 있다.
또한, 상기 제1 금속산화물은 ZnO, Al2O3, TiO2, SnO2, ZrO2 및 SiO2 중 어느 하나일 수 있다.
그리고 상기 혼합단계에서는 에탄올에 분산되어 있는 상기 제1 금속산화물을 사용할 수 있다.
게다가, 상기 제2 금속산화물은 상기 제1 금속산화물과 동일 또는 다른 물질로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 제2 금속산화물은 ZnO, Al2O3, TiO2, SnO2, ZrO2 및 SiO2 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 상기 혼합단계에서는 상기 제1 금속산화물, 상기 제2 금속산화물 및 상기 유기용매를 1:1:2의 비율로 혼합할 수 있다.
그리고 상기 제1 코팅단계에서는 스핀코팅 또는 바코팅으로 상기 혼합물을 코팅할 수 있다.
아울러, 상기 제2 코팅단계에서는 졸 상태의 상기 제2 금속산화물을 유기용매와 혼합한 다음 상기 코팅막 상에 코팅할 수 있다.
이때, 상기 제2 코팅단계에서는 스핀코팅 또는 바코팅할 수 있다.
또한, 상기 열처리단계 진행 전, 상기 코팅막을 건조하는 건조단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 유기물을 이용하여 광 산란입자와 금속산화물 졸 용액을 두 단계로 나누어 기판에 코팅함으로써, 광 산란입자의 분산성을 증가시킬 수 있고, 광 산란입자가 이중층(bilayer)으로 코팅되는 것이 방지할 수 있으며, 이를 통해, 코팅되는 금속산화물 박막의 평탄도를 증가시킬 수 있어, 결국, 제조된 금속산화물 박막 기판을 유기발광소자의 외부 광추출층 뿐만 아니라 내부 광추출층으로도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기의 유기물이 소성 시 모두 소실됨으로써, 유기발광소자 제작 시 또는 유기발광소자 구동 시 부산물로 작용하지 않아 유기발광소자의 수명에 영향을 주지 않는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있고, 이를 통해, 저 전류로도 유기발광소자를 구동할 수 있으며, 궁극적으로 유기발광소자의 수명을 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 나타낸 공정 순서도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 대한 공정 모식도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에서 열처리 후 기판 표면을 주사전자현미경으로 촬영한 사진.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에서 제2 코팅단계 후 기판 표면을 주사전자현미경으로 촬영한 사진.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법의 각 단계 별 표면 상태를 종래기술에 따른 방법과 비교하여 나타낸 전자현미경 사진.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 통해 제조된 광추출 기판을 적용한 유기발광소자와 종래기술에 따라 제조된 광추출 기판을 적용한 유기발광소자의 누설전류를 비교하여 나타낸 그래프.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 통해 제조된 광추출 기판을 적용한 유기발광소자와 종래기술에 따라 제조된 광추출 기판을 적용한 유기발광소자의 광추출 효율을 비교하여 나타낸 그래프.
도 8은 종래 기술에 따른 유기 발광소자의 단면도 및 광추출 효율을 설명하기 위한 개념도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 대한 공정 모식도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에서 열처리 후 기판 표면을 주사전자현미경으로 촬영한 사진.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에서 제2 코팅단계 후 기판 표면을 주사전자현미경으로 촬영한 사진.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법의 각 단계 별 표면 상태를 종래기술에 따른 방법과 비교하여 나타낸 전자현미경 사진.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 통해 제조된 광추출 기판을 적용한 유기발광소자와 종래기술에 따라 제조된 광추출 기판을 적용한 유기발광소자의 누설전류를 비교하여 나타낸 그래프.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 통해 제조된 광추출 기판을 적용한 유기발광소자와 종래기술에 따라 제조된 광추출 기판을 적용한 유기발광소자의 광추출 효율을 비교하여 나타낸 그래프.
도 8은 종래 기술에 따른 유기 발광소자의 단면도 및 광추출 효율을 설명하기 위한 개념도.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법은 유기발광소자의 외부 또는 내부 광추출층으로 적용되는 기판을 제조하기 위한 방법이다. 이러한 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법은 혼합단계(S1), 제1 코팅단계(S2), 열처리단계(S3) 및 제2 코팅단계(S4)를 포함한다.
먼저, 혼합단계(S1)는 제1 금속산화물(110), 제2 금속산화물(120) 및 유기용매(130)를 혼합하는 단계이다. 혼합단계(S1)에서는 입자 상태의 제1 금속산화물(110)을 준비한다. 이때, 제1 금속산화물(110)로는 ZnO, Al2O3, TiO2, SnO2, ZrO2 및 SiO2 중 어느 하나를 사용할 수 있다. 또한, 혼합단계(S1)에서는 에탄올에 분산되어 있는 제1 금속산화물(110)을 제2 금속산화물(120)과 유기용매(130)와의 혼합에 사용할 수 있다. 예를 들어, 제1 금속산화물(110) 분산액은 에탄올 80%, 제1 금속산화물(110) 20%로 이루어질 수 있다.
또한, 혼합단계(S1)에서는 제1 금속산화물(110)과 동일하거나 다른 물질로 이루어진 제2 금속산화물(120)을 사용할 수 있다. 예를 들어, 제2 금속산화물(120)로는 ZnO, Al2O3, TiO2, SnO2, ZrO2 및 SiO2 중 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다. 그리고 혼합단계(S1)에서는 입자 상태의 제1 금속산화물(110)과는 달리, 졸(sol) 상태의 제2 금속산화물(120)을 혼합에 사용한다. 이때, 입자 상태의 제1 금속산화물(110)은 최종 형성되는 금속산화물 박막(150)의 광 산란입자로 작용하게 되고, 제2 금속산화물(120)은 광 산란입자인 제1 금속산화물(110)이 분산되어 있는 매트릭스(matrix) 물질로 작용하게 된다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따라 제조되는 광추출 기판(100)의 광추출 효율을 보다 향상시키기 위해서는 제1 금속산화물(110)과 제2 금속산화물(120)이 굴절률 차이를 갖도록, 제1 금속산화물(110)과 제2 금속산화물(120)로 서로 다른 금속산화물을 사용하는 것이 바람직하다.
그리고 혼합단계(S1)에서는 제1 유기물과 제2 유기물이 포함되어 있는 에탄올 용액을 유기용매(130)로 사용할 수 있다. 여기서, 제1 유기물로는 에틸렌 글리콜(EG)이 사용될 수 있고, 제2 유기물(PVPh)로는 폴리비닐 페놀이 사용될 수 있다. 일례로, 유기용매(130)는 10㎖의 에탄올 및 0.2g의 에틸렌 글리콜과 폴리비닐 페놀로 이루어질 수 있다. 여기서, 유기물인 에틸렌 글리콜과 폴리비닐 페놀은 제1 금속산화물(110)의 분산성을 증가시키는 역할을 하고, 이를 통해, 후속 공정으로 진행되는 제1 코팅단계(S2) 시 제1 금속산화물(110) 입자가 이중층(bilayer)으로 코팅되는 것을 막아주게 되며, 이는, 최종 형성되는 금속산화물 박막(150)의 평탄도를 증가시키는 요인으로 작용하게 된다. 이때, 이와 같은 유기물로 이루어진 유기용매(130)는 후속 열처리 공정 시 모두 소실된다.
한편, 혼합단계(S1)에서는 이와 같이 준비된 제1 금속산화물(110), 제2 금속산화물(120) 및 유기용매(130)를 1:1:2의 비율로 혼합할 수 있다.
다음으로, 제1 코팅단계(S2)는 혼합단계(S1)를 통해 만들어진 제1 금속산화물(110), 제2 금속산화물(120) 및 유기용매(130)의 혼합물을 베이스 기판(140) 상에 코팅하는 단계이다. 제1 코팅단계(S2)에서는 스핀코팅 또는 바코팅을 통해 혼합물을 베이스 기판(140) 상에 코팅할 수 있다. 여기서, 베이스 기판(140)은 본 발명의 실시 예에 따라 제조되는 금속산화물 박막(150)이 유기발광소자의 내부 광추출층으로 적용될 경우, 유기발광소자를 외부 환경으로부터 보호하는 봉지(encapsulation) 기판으로 작용하게 된다. 이러한 베이스 기판(140)은 투명 기판으로, 광 투과율이 우수하고 기계적인 물성이 우수한 것이면 어느 것이든 제한되지 않는다. 예를 들어, 베이스 기판(140)으로는 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름인 고분자 계열의 물질이나 화학강화유리인 소다라임 유리(SiO2-CaO-Na2O) 또는 알루미노실리케이트계 유리(SiO2-Al2O3-Na2O)가 사용될 수 있다. 여기서, 본 발명의 실시 예에 따른 금속산화물 박막(150)을 내부 광추출층으로 채용하는 유기발광소자가 조명용인 경우, 베이스 기판(140)으로는 소다라임 유리가 사용될 수 있고, 유기발광소자가 디스플레이용인 경우 알루미노실리케이트계 유리가 베이스 기판(140)으로 사용될 수 있다.
본 발명의 실시 예에서, 베이스 기판(140)으로는 두께 1.5㎜ 이하의 박판 유리가 사용될 수 있는데, 이러한 박판 유리는 퓨전(fusion) 공법 또는 플로팅(floating) 공법을 통해 제조될 수 있다.
한편, 제1 코팅단계(S2)를 통해 베이스 기판(140) 상에 코팅막을 형성한 다음, 후속 열처리단계(S3)를 진행하기 전, 예컨대, 100℃에서 10여분간 건조하는 건조단계를 진행할 수 있다.
다음으로, 열처리단계(S3)는 제1 코팅단계(S2)를 통해 베이스 기판(140) 상에 코팅된 코팅막을 열처리하는 단계이다. 열처리단계(S3)에서는 500℃에서 30여분간 코팅막을 열처리할 수 있다. 도 3의 주사전자현미경 사진에서 보여지는 바와 같이, 코팅막을 상기의 온도 조건으로 열처리하면, 유기용매(130)가 소실되어, 제1 금속산화물(110) 입자를 제외한 코팅막의 부피가 수축된다. 이에 따라, 베이스 기판(140) 상에는 제2 금속산화물(120)을 바닥면으로 한 제1 금속산화물(110) 입자가 노출된 상태로 존재하게 된다. 즉, 본 발명의 실시 예에서, 열처리단계(S3) 후 제2 금속산화물(120)은 제1 금속산화물(110) 입자를 베이스 기판(140) 상에 고정하는 역할을 하게 된다.
이와 같이, 열처리단계(S3)를 통해 유기물 및 유기용매(130)가 모두 소실됨에 따라, 유기발광소자 제작 시 또는 유기발광소자 구동 시 부산물로 작용하지 않게 된다. 결국, 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판 제조 시 사용되는 유기물들은 유기발광소자의 특성이나 수명에 어떠한 영향도 주지 않게 된다.
마지막으로, 제2 코팅단계(S4)는 입자 상의 제1 금속산화물(110)의 매트릭스 역할을 하는 제2 금속산화물(120)을 코팅막 상에 코팅하는 단계이다. 제2 코팅단계(S4)에서는 먼저, 졸 상태의 제2 금속산화물(120)을 유기용매와 혼합한다. 이때, 유기용매로는 에탄올이 사용될 수 있다. 또한, 졸 상태의 제2 금속산화물(120)과 에탄올과의 혼합비는 1:0.9로 제어될 수 있다.
제2 코팅단계(S4)에서는 이와 같이, 에탄올이 첨가된 졸 상태의 제2 금속산화물(120)을 제1 코팅단계(S2)와 마찬가지로, 코팅막 상에 스핀코팅 또는 바코팅한다. 이 경우, 매트릭스 물질인 제2 금속산화물(120)이 모세관 현상과 표면 장력에 의해, 베이스 기판(140) 상에 분산되어 있는 제1 금속산화물(110) 입자 사이에 흡수되면서 매우 균일한 코팅 결과를 얻을 수 있다.
이와 같이, 제2 코팅단계(S4)를 진행하면, 도 4의 주사전자현미경 사진에서 보여지는 바와 같이, 매트릭스인 제2 금속산화물(120) 내에 제1 금속산화물(110) 입자가 함침되어 있는 금속산화물 박막(150)이 베이스 기판(140) 상에 형성된다. 그리고 이와 같이 형성된 금속산화물 박막(150)은 베이스 기판(140)과 함께 유기발광소자용 광추출 기판(100)을 이루게 된다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법의 각 단계 별 표면 상태를 종래기술에 따른 방법과 비교하여 나타낸 전자현미경 사진이다. 에틸렌 글리콜 및 폴리비닐 페놀을 사용하지 않고 1차 코팅하고, TiO2 졸에 에탄올을 혼합하여 2차 코팅한 종래의 경우(a) 1차 코팅 후 표면 조도(Rpv)는 400~600㎚로 측정되었는데, 2차 코팅 후 표면 조도(Rpv) 또한 400~600㎚로 표면 조도에 별 다른 변화가 없는 것으로 확인되었다. 이에 반해, 본 발명의 실시 예(b)의 경우, 1차 코팅 후 표면 조도(Rpv)는 60~250㎚로, 종래의 1차 코팅 후보다 표면 조도가 향상되었고, 2차 코팅 후 표면 조도(Rpv)는 75~80㎚로, 1차 코팅 후보다 표면 조도가 더욱 향상되는 것으로 확인되었다.
또한, 본 발명의 실시 예와 같이, 단계별 코팅 시 산란입자와 매트릭스 재료를 혼합하여 1회 코팅하는 경우보다 유기발광소자 제작 성공률은 10배 이상 증가되는 것으로 확인되었으며, 도 6에 나타낸 바와 같이, 종래에 비해 누설 전류도 매우 감소되는 것으로 확인되었다.
즉, 본 발명의 실시 예에 따른 광추출 기판 제조방법을 통해 광추출 기판을 제조하면, 표면 평탄도가 향상되어, 유기발광소자의 외부 광추출층 뿐만 아니라 내부 광추출층으로도 적용할 수 있다.
아울러, 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 통해 제조된 광추출 기판을 적용한 유기발광소자와 종래기술에 따라 제조된 광추출 기판을 적용한 유기발광소자의 광추출 효율을 비교하여 나타낸 그래프로, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 통해 제조된 광추출 기판을 적용한 유기발광소자의 경우(b), 종래(a)보다 대략 55% 이상의 광추출 효율을 얻을 수 있는 것으로 확인되었다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 통해 제조된 광추출 기판을 유기발광소자의 내부 광추출 기판으로 적용하게 되면, 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있고, 이를 통해, 저 전류로도 유기발광소자를 구동할 수 있으며, 궁극적으로 유기발광소자의 수명을 증가시킬 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 광추출 기판 110: 제1 금속산화물
120: 제2 금속산화물 130: 유기용매
140: 베이스 기판 150: 금속산화물 박막
120: 제2 금속산화물 130: 유기용매
140: 베이스 기판 150: 금속산화물 박막
Claims (12)
- 입자 상태의 제1 금속산화물, 졸 상태의 제2 금속산화물을 유기용매에 넣고 혼합하는 혼합단계;
만들어진 혼합물을 베이스 기판 상에 코팅하는 제1 코팅단계;
코팅된 코팅막을 열처리하는 열처리단계; 및
상기 제2 금속산화물을 상기 코팅막 상에 코팅하여, 매트릭스인 상기 제2 금속산화물 내에 상기 제1 금속산화물 입자가 함침되어 있는 금속산화물 박막을 상기 베이스 기판 상에 형성하는 제2 코팅단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 유기용매는 제1 유기물 및 제2 유기물이 포함되어 있는 에탄올 용액인 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제2항에 있어서,
상기 제1 유기물 및 상기 제2 유기물 중 어느 하나는 에틸렌 글리콜(EG)이고, 다른 하나는 폴리비닐 페놀(PVPh)인 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 금속산화물은 ZnO, Al2O3, TiO2, SnO2, ZrO2 및 SiO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 혼합단계에서는 에탄올에 분산되어 있는 상기 제1 금속산화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제2 금속산화물은 상기 제1 금속산화물과 동일 또는 다른 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제6항에 있어서,
상기 제2 금속산화물은 ZnO, Al2O3, TiO2, SnO2, ZrO2 및 SiO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 혼합단계에서는 상기 제1 금속산화물, 상기 제2 금속산화물 및 상기 유기용매를 1:1:2의 비율로 혼합하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 코팅단계에서는 스핀코팅 또는 바코팅으로 상기 혼합물을 코팅하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제2 코팅단계에서는 졸 상태의 상기 제2 금속산화물을 유기용매와 혼합한 다음 상기 코팅막 상에 코팅하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제10항에 있어서,
상기 제2 코팅단계에서는 스핀코팅 또는 바코팅하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 열처리단계 진행 전, 상기 코팅막을 건조하는 건조단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
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Cited By (1)
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