KR101608273B1 - 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기발광소자의 광추출 효율 향상은 물론, 제조공정, 제조원가 및 제조시간을 획기적으로 감소시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 유기발광소자의 투명전극 상에 배치되는 기재의 일면으로부터 상기 기재의 내부로 이온을 주입하여, 상기 기재의 내부에 이온 주입층을 형성하는 이온 주입단계; 및 상기 이온 주입층으로의 열 에너지 인가를 통해, 상기 기재 내부에 상기 기재와 굴절률이 다른 다수의 기공으로 이루어진 기공층을 형성하는 열처리 단계를 포함하되, 상기 다수의 기공은 상기 이온의 가스(gas)화를 통해 유도되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.
이를 위해, 본 발명은, 유기발광소자의 투명전극 상에 배치되는 기재의 일면으로부터 상기 기재의 내부로 이온을 주입하여, 상기 기재의 내부에 이온 주입층을 형성하는 이온 주입단계; 및 상기 이온 주입층으로의 열 에너지 인가를 통해, 상기 기재 내부에 상기 기재와 굴절률이 다른 다수의 기공으로 이루어진 기공층을 형성하는 열처리 단계를 포함하되, 상기 다수의 기공은 상기 이온의 가스(gas)화를 통해 유도되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기발광소자의 광추출 효율 향상은 물론, 제조공정, 제조원가 및 제조시간을 획기적으로 감소시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기 발광소자(organic light emitting diode; OLED)는 애노드(anode), 발광층 및 캐소드(cathode)를 포함하여 형성된다. 여기서, 애노드와 캐소드 간에 전압을 인가하면, 정공은 애노드로부터 전공 주입층 내로 주입되고 전공 수송층을 거쳐 발광층으로 이동되며, 전자는 캐소드로부터 전자 주입층 내로 주입되고 전자 수송층을 거쳐 발광층으로 이동된다. 이때, 발광층 내로 주입된 정공과 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤(excition)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.
한편, 이러한 유기 발광소자로 이루어진 유기 발광 표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 N×M개의 화소들을 구동하는 방식에 따라, 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다.
여기서, 능동 매트릭스 방식의 경우 단위화소 영역에는 발광영역을 정의하는 화소전극과 이 화소전극에 전류 또는 전압을 인가하기 위한 단위화소 구동회로가 위치하게 된다. 이때, 단위화소 구동회로는 적어도 두 개의 박막트랜지스터(thin film transistor; TFT)와 하나의 캐패시터(capacitor)를 구비하며, 이를 통해, 화소수와 상관없이 일정한 전류의 공급이 가능해져 안정적인 휘도를 나타낼 수 있다. 이러한 능동 매트릭스 방식의 유기 발광 표시장치는 전력 소모가 적어, 고해상도 및 대형 디스플레이의 적용에 유리하다는 장점을 갖고 있다.
하지만, 유기발광소자를 이용한 면광원 조명소자의 경우, 박막 층상 구조로 인하여, 발광층에서 생성된 빛의 절반 이상이 소자의 내부 또는 계면에서 반사 또는 흡수되어 전면으로 나오지 못하고 소실된다. 따라서, 원하는 휘도를 얻기 위해서는 추가적인 전류를 인가해야 하는데, 이 경우, 전력 소모가 증가하게 되고, 결국, 소자의 수명이 감소하게 된다.
이러한 문제를 해결하기 위해서는 유기발광소자의 내부 또는 계면에서 소실되는 빛을 전면으로 추출하는 기술이 필요한데, 이를 광추출 기술이라 한다. 광 추출 기술을 통한 문제 해결 전략은 유기발광소자의 내부 또는 계면에서 소실되는 빛이 전면으로 진행하지 못하는 요인을 제거하거나 빛의 이동을 방해하는 것이다. 이를 위해, 일반적으로 사용되는 방법들 중에는 기판의 최외각부에 표면요철을 형성하거나 기판과 굴절률이 다른 층을 코팅하여 기판과 공기 계면에서 발생하는 내부 전반사를 줄이는 외부 광추출 기술과, 기판과 투명전극 사이에 표면 요철을 형성하거나 기판과 굴절률이 다른 층을 코팅하여 빛이 굴절률과 두께가 다른 층간 계면에서 전면으로 이동하지 않고 계면을 따라 진행하게 되는 도파관(wave guiding) 효과를 줄이는 내부 광추출 기술이 있다.
그러나 이러한 종래의 광추출 기술 혹은 광추출층 형성 방법들은 포토리소그래피(photolithography)와 같은 복잡한 공정 및 고가의 장비를 사용해야 하는 문제점이 있었고, 이를 통해 기판과 투명전극 사이에 표면 요철을 형성했을 지라도 평탄도를 확보해야 함에 따라, 표면 요철과 투명전극 사이에 추가적인 평탄층을 형성해야만 하는 등 제조공정, 제조원가 및 제조시간이 증가되는 문제가 있었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 유기발광소자의 광추출 효율 향상은 물론, 제조공정, 제조원가 및 제조시간을 획기적으로 감소시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 유기발광소자의 투명전극 상에 배치되는 기재의 일면으로부터 상기 기재의 내부로 이온을 주입하여, 상기 기재의 내부에 이온 주입층을 형성하는 이온 주입단계; 및 상기 이온 주입층으로의 열 에너지 인가를 통해, 상기 기재 내부에 상기 기재와 굴절률이 다른 다수의 기공으로 이루어진 기공층을 형성하는 열처리 단계를 포함하되, 상기 다수의 기공은 상기 이온의 가스화를 통해 유도되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 기재로는 투명 기판이 사용되되, 상기 투명 기판으로는 열경화 또는 UV 경화가 가능한 고분자 계열의 물질, 소다리임 유리 및 알루미노실리케이트계 유리 중 어느 하나가 사용될 수 있다.
삭제
그리고 상기 이온 주입단계에서는 수소, 아르곤, 헬륨 및 질소로 이루어진 후보군 중 적어도 어느 하나를 선택하여 상기 이온으로 사용할 수 있다.
한편, 본 발명은, 기재 상에 제1 굴절률을 갖는 금속산화물로 이루어진 금속산화물층을 형성하는 금속산화물층 형성단계; 상기 금속산화물층의 일면으로부터 상기 금속산화물층의 내부로 이온을 주입하여, 상기 금속산화물층의 내부에 이온 주입층을 형성하는 이온 주입단계; 및 상기 이온 주입층으로의 열 에너지 인가를 통해, 상기 금속산화물층 내부에 제2 굴절률을 갖는 다수의 기공으로 이루어진 기공층을 형성하는 열처리 단계를 포함하되, 상기 다수의 기공은 상기 이온의 가스화를 통해 유도되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 금속산화물층 형성단계에서는 상기 금속산화물로 ZnO, Al2O3, TiO2, SnO2, ZrO2 및 SiO2 중 어느 하나의 금속산화물을 사용할 수 있다.
삭제
그리고 상기 이온 주입단계에서는 수소, 아르곤, 헬륨 및 질소로 이루어진 후보군 중 적어도 어느 하나를 선택하여 상기 이온으로 사용할 수 있다.
아울러, 상기 금속산화물층의 노출면은 유기발광소자의 투명전극과 접할 수 있다.
본 발명에 따르면, 유기발광소자의 광추출층 역할을 하는 기판에 이온을 주입한 후 이에 열 에너지 인가를 통해 기판 내부에 기공 형성을 유도하여, 하나의 기판이 두 개의 굴절률을 갖도록 형성함으로써, 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 이온 주입 및 열처리를 포함하는 간단한 공정을 통해 기판 내부에 다수의 기공을 형성함으로써, 제조공정, 제조원가 및 제조시간을 획기적으로 감소시킬 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 공정 순으로 나타낸 공정도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조한 광추출 기판을 유기발광소자 상에 배치한 모습을 보여주는 개략적인 단면도.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 공정 순으로 나타낸 공정도.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 제조한 광추출 기판을 유기발광소자 상에 배치한 모습을 보여주는 개략적인 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조한 광추출 기판을 유기발광소자 상에 배치한 모습을 보여주는 개략적인 단면도.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 공정 순으로 나타낸 공정도.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 제조한 광추출 기판을 유기발광소자 상에 배치한 모습을 보여주는 개략적인 단면도.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법은 유기발광소자(10)로부터 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 배치되어, 유기발광소자(10)로부터 발광된 광을 외부로 방출시키는 통로 역할을 하는 한편, 유기발광소자(10)의 광추출 효율을 향상시킴과 아울러, 유기발광소자(10)를 외부 환경으로부터 보호하는 광추출 기판(100)을 제조하는 방법이다.
이러한 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법은 이온 주입단계 및 열처리 단계를 포함한다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 이온 주입단계는 기재(110)의 내부에 이온 주입층(120)을 형성하는 단계이다. 여기서, 기재(110)는 유기발광소자(도 4의 10)의 광추출층으로서의 역할을 함과 동시에 유기발광소자(도 4의 10)를 외부 환경으로부터 보호하는 봉지(encapsulation) 기판으로서의 역할을 한다. 이러한 기재(110)로는 광 투과율이 우수하고 기계적인 물성이 우수한 것이면 어느 것이든 제한되지 않는다. 예를 들어, 기재(110)로는 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름인 고분자 계열의 물질이나 화학강화유리인 소다라임 유리(SiO2-CaO-Na2O) 또는 알루미노실리케이트계 유리(SiO2-Al2O3-Na2O)가 사용될 수 있다. 여기서, 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조된 광추출 기판(도 3의 100)을 광추출층으로 채용하는 유기발광소자(도 4의 10)가 조명용인 경우, 기재(110)로는 소다라임 유리가 사용될 수 있고, 유기발광소자(도 4의 10)가 디스플레이용인 경우 알루미노실리케이트계 유리가 기재(110)로 사용될 수 있다.
이온 주입단계에서는 이러한 기재(110)의 일면으로부터 기재(110)의 내부로 이온을 주입한다. 이때, 이온 주입단계에서는 기재(110)의 일면으로부터 소정 깊이에 이온을 주입한다. 이와 같이, 이온을 주입하면, 주입한 이온들이 기재(110) 내부의 소정 깊이에 밀집 및 분포되어, 기재(110) 내부에서 예컨대, 수백㎚~수㎛ 두께를 이루는 층, 즉, 이온 주입층(120)을 형성하게 된다.
이러한 이온 주입단계에서는 이온 주입층(120) 형성을 위해, 기재(110) 내부로 주입되는 이온으로 수소, 아르곤, 헬륨 및 질소로 이루어진 후보군 중 적어도 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다. 이때, 이러한 이온의 주입은 이온 주입장치(미도시)를 통해 진행할 수 있다.
다음으로, 열처리 단계는 이온 주입층(120)으로의 열 에너지를 인가하는 단계이다. 또한, 열처리 단계는 이러한 열 에너지 인가를 통해 기재(110) 내부에 기재(110)와 굴절률이 다른 다수의 기공으로 이루어진 기공층을 형성하는 단계이다.
열처리 단계에서는 이온 주입층(120)에 열 에너지를 인가하기 위해, 기재(110)에 대한 고온 어닐링(thermal annealing)을 진행한다. 이와 같이, 내부에 이온 주입층(120)이 형성되어 있는 기재(110)를 고온 어닐링하면, 이온 주입층(120)에 열 에너지가 전달되고, 이에 따라, 이온 주입층(120)을 이루는 이온들은 열 에너지에 의해 운동성이 매우 증가하게 된다. 이때, 운동성이 증가된 이온들은 주변 이온들과 뭉쳐 가스(gas)로 변화하게 되고, 도 3에 도시한 바와 같이, 이와 같이 생성된 가스는 급격한 부피 증가로 인해, 기재(110) 내부에 이와는 굴절률이 다른 다수의 기공(130)을 형성하게 된다. 즉, 열처리 단계를 통해 기재(110) 내부에 형성되는 다수의 기공(130)은 기재(110) 내부에 형성된 이온 주입층(120)을 이루는 이온들의 가스화를 통해 유도된다. 이때, 다수의 기공(130)은 랜덤한 크기 및 형상으로 형성될 수 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 열처리 단계가 완료되면, 기재(110) 및 이의 내부에 형성되고 이와 굴절률이 다른 다수의 기공(130)으로 이루어진 유기발광소자용 광추출 기판(100)이 제조된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법은 이온 주입단계와 열처리 단계로 이루어진 간단한 공정을 제공함으로써, 광추출 기판(100)의 제조공정, 제조원가 및 제조시간을 획기적으로 감소시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조한 광추출 기판(100)을 유기발광소자(10)에 적용한 모습을 보여주는 도면이다. 여기서, 유기발광소자(10)는 애노드(11), 유기 발광층(12) 및 캐소드(13)의 적층 구조로 이루어진다. 이때, 애노드(11)는 투명전극으로, 정공 주입이 잘 일어나도록 일함수(work function)가 큰 금속, 예컨대, Au, In, Sn 또는 ITO와 같은 금속 또는 금속산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 캐소드(13)는 전자 주입이 잘 일어나도록 일함수가 작은 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막으로 이루어질 수 있다. 그리고 유기 발광층(12)은 애노드(11) 상에 차례로 적층되는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하여 형성될 수 있다. 이때, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자(10)가 조명용 백색 유기발광소자로 이루어지는 경우, 예컨대, 발광층은 청색 영역의 광을 방출하는 고분자 발광층과 오렌지-적색 영역의 광을 방출하는 저분자 발광층의 적층 구조로 형성될 수 있고, 이 외에도 다양한 구조로 형성되어 백색 발광을 구현할 수 있다. 아울러, 유기발광소자(10)는 텐덤(tandem) 구조로 이루어질 수 있다. 이 경우, 유기 발광층(12)은 복수 개로 구비되고, 연결층(interconnecting layer)을 매개로 교번 배치될 수 있다.
이와 같은 구조로 유기발광소자(10)가 이루어짐에 따라, 애노드(11)와 캐소드(13) 사이에 순방향 전압이 인가되면, 캐소드(13)로부터 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되고, 애노드(11)로부터 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 된다. 그리고 발광층 내로 주입된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 되는데, 이때, 방출되는 빛의 밝기는 애노드(11)와 캐소드(13) 사이에 흐르는 전류량에 비례하게 된다.
이러한 유기발광소자(10)의 투명전극인 애노드(11) 상에 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조한 광추출 기판(100)을 형성 혹은 배치하게 되면, 기재(110)와 다수의 기공(130) 간의 굴절률 차이로 인해, 유기 발광층(12)으로부터 발광된 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 이때, 다수의 기공(130)은 유기 발광층(12)으로부터 방출되는 광을 다양한 경로로 산란시키는 역할을 하게 되어, 유기발광소자(10)의 광추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있고, 이를 통해, 저 전류로도 유기발광소자(10)를 구동할 수 있게 되어, 유기발광소자(10)를 광원으로 채용한 조명 또는 디스플레이 장치의 소비 전력을 감소시킬 수 있고, 휘도를 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 대하여, 도 5 내지 도 9를 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법은 금속산화물층 형성단계, 이온 주입단계 및 열처리 단계를 포함한다.
먼저, 도 5에 도시한 바와 같이, 금속산화물층 형성단계는 기재(210) 상에 제1 굴절률을 갖는 금속산화물로 이루어진 금속산화물층(220)을 형성하는 단계이다. 여기서, 기재(210)는 금속산화물층(220) 및 유기발광소자(10)를 외부로부터 보호하는 역할을 함과 아울러, 유기발광소자(10)로부터 발광된 광이 외부로 방출되는 통로 역할을 한다. 이러한 기재(210)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기재(도 1의 110)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 금속산화물층 형성단계에서는 ZnO, Al2O3, TiO2, SnO2, ZrO2 및 SiO2 중 어느 하나의 금속산화물을 사용하여 금속산화물층(220)을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 이온 주입단계는 금속산화물층(220)의 일면으로부터 금속산화물층(220)의 내부로 이온을 주입하여, 금속산화물층(220)의 내부에 이온 주입층(230)을 형성하는 단계이다. 본 발명의 다른 실시 예에 따른 이온 주입단계는 본 발명의 일 실시 예에 따른 이온 주입단계와 비교하여, 이온 주입 대상물에만 차이가 있을 뿐, 공정적으로 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
다음으로, 열처리 단계는 이온 주입층(230)으로의 열 에너지를 인가하는 단계이다. 또한, 열처리 단계는 이러한 열 에너지 인가를 통해 금속산화물층(220) 내부에 금속산화물(220)과 굴절률이 다른 다수의 기공으로 이루어진 기공층을 형성하는 단계이다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 열처리 단계는 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 단계와 동일한 공정으로 진행된다. 이에 따라, 이온 주입층(230)을 이루는 이온들은 열 에너지에 의해 운동성이 매우 증가하게 되고, 이러한 이온들은 본 발명의 일 실시 예에 따른 이온들과 동일한 매커니즘에 의해, 금속산화물층(220) 내부에 이와는 굴절률이 다른 다수의 기공(240)을 형성하게 된다. 이때, 형성된 다수의 기공(240)은 랜덤한 크기 및 형상을 가질 수 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, 열처리 단계가 완료되면, 기재(210), 기재(210)의 일면에 형성된 금속산화물층(220) 및 금속산화물층(220)의 내부에 형성되고 이와는 굴절률이 다른 다수의 기공(240)으로 이루어진 유기발광소자용 광추출 기판(200)이 제조된다.
도 9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따라 제조된 광추출 기판(200)은 유기발광소자(10)로부터 광이 방출되는 일면에 배치될 수 있다. 이때, 광추출 기판(200)의 금속산화물층(220)은 유기발광소자(10)의 내부 광추출층으로서의 역할을 하게 된다. 이때, 다수의 기공(240)은 금속산화물층(220)의 내부에 형성되어 있으므로, 유기발광소자(10)의 투명전극인 애노드(11)와 접하는 금속산화물층(220)의 접촉면은 고평탄면으로 이루어져 있어, 종래 광추출층과 애노드(11) 사이에 형성하였던 평탄화층을 생략할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법은 본 발명의 일 실시 예와 마찬가지로, 유기발광소자(10)의 광추출 효율 향상은 물론, 이온 주입 및 열처리라는 단순한 공정을 통해, 광추출 기판(200)의 제조공정, 제조원가 및 제조시간을 획기적으로 감소시킬 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100, 200: 유기발광소자용 광추출 기판 110, 210: 기재
120, 230: 이온 주입층 130, 240: 기공
220: 금속산화물층 10: 유기발광소자
11: 애노드 12: 유기 발광층
13: 캐소드
120, 230: 이온 주입층 130, 240: 기공
220: 금속산화물층 10: 유기발광소자
11: 애노드 12: 유기 발광층
13: 캐소드
Claims (13)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 기재 상에 제1 굴절률을 갖는 금속산화물로 이루어진 금속산화물층을 형성하는 금속산화물층 형성단계;
상기 금속산화물층의 일면으로부터 상기 금속산화물층의 내부로 이온을 주입하여, 상기 금속산화물층의 내부에 이온 주입층을 형성하는 이온 주입단계; 및
상기 이온 주입층으로의 열 에너지 인가를 통해, 상기 금속산화물층 내부에 제2 굴절률을 갖는 다수의 기공으로 이루어진 기공층을 형성하는 열처리 단계;
를 포함하되,
상기 다수의 기공은 상기 이온의 가스화를 통해 유도되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 삭제
- 제5항에 있어서,
상기 금속산화물층 형성단계에서는 상기 금속산화물로 ZnO, Al2O3, TiO2, SnO2, ZrO2 및 SiO2 중 어느 하나의 금속산화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제5항에 있어서,
상기 이온 주입단계에서는 수소, 아르곤, 헬륨 및 질소로 이루어진 후보군 중 적어도 어느 하나를 선택하여 상기 이온으로 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 제5항에 있어서,
상기 금속산화물층의 노출면은 유기발광소자의 투명전극과 접하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 기재;
상기 기재의 일면에 형성되는 금속산화물층; 및
상기 금속산화물층의 내부에 형성되고, 상기 금속산화물층과 굴절률이 다른 다수의 기공으로 이루어지되, 상기 다수의 기공은 상기 금속산화물층 내부에 주입된 이온의 가스화를 통해 유도되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판.
- 제12항에 따른 유기발광소자용 광추출 기판을, 발광된 빛이 외부로 방출되는 일면에 구비하되, 상기 금속산화물층의 노출면은 투명전극과 접하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
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