CN110520943A - 薄膜电阻和薄膜传感器 - Google Patents

薄膜电阻和薄膜传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN110520943A
CN110520943A CN201880026319.8A CN201880026319A CN110520943A CN 110520943 A CN110520943 A CN 110520943A CN 201880026319 A CN201880026319 A CN 201880026319A CN 110520943 A CN110520943 A CN 110520943A
Authority
CN
China
Prior art keywords
diaphragm
film resistor
piezoresistance layer
carrier
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880026319.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110520943B (zh
Inventor
B.米尔克
B.奥施特里克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Publication of CN110520943A publication Critical patent/CN110520943A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110520943B publication Critical patent/CN110520943B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/16—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge
    • G01B7/18—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge using change in resistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
    • G01L1/2268—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects
    • G01L1/2281—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects for temperature variations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C10/00—Adjustable resistors
    • H01C10/10—Adjustable resistors adjustable by mechanical pressure or force
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base

Abstract

本发明涉及一种薄膜电阻（2）以及一种具有薄膜电阻（2）的薄膜传感器（1）。薄膜电阻（2）具有压阻层（3），其中所述压阻层（3）具有M1+nAXn相，其中M具有至少一种过渡金属，A具有主族元素，X具有碳和/或氮，并且其中n=1、2或3。

Description

薄膜电阻和薄膜传感器
技术领域
本发明涉及一种薄膜电阻以及一种具有薄膜电阻的薄膜传感器。
背景技术
薄膜电阻可以具有压阻层，在该压阻层上布置有两个电极。在薄膜传感器中，薄膜电阻施加在膜片上，该膜片固定在载体上并且可以相对于载体振荡或者可以相对于载体弯曲。
为了能够实现薄膜传感器的高测量精度，应该避免在测量期间在薄膜电阻与膜片或载体之间形成机械应力。机械应力例如可以由于不同的热膨胀系数而形成。
此外，薄膜电阻应该具有高的灵敏度，以便例如在压力测量时能够实现高的测量精度。在压阻传感器的情况下，灵敏度可以通过也称为“应变系数”的k系数来表示。该k系数描述了压阻层的相对电阻变化与相对长度变化之间的比值。k系数定义为k=（△R/R）/（△L/L）。在此，R表示压阻层的电阻，L表示压阻层的长度并且△R表示在△L的长度变化的情况下的电阻变化。
在压力传感器中，薄膜电阻通常遭受环状的弯曲应力。因此需要的是，薄膜电阻具有良好的机械稳定性。出于该原因，薄膜电阻应该优选地具有小的弹性模量。
发明内容
本发明的任务是说明一种改进的薄膜电阻。该薄膜电阻应该优选地满足上述要求。此外，该薄膜电阻应该优选地能够应用于高压力范围、例如应用于高达1000bar的压力，并且应用于高温范围、例如应用于高达300℃的温度。
该任务通过根据当前权利要求1的薄膜电阻来解决。
提出一种薄膜电阻，其具有压阻层，该压阻层具有M1+nAXn相，其中M具有至少一种过渡金属，A具有主族元素，X具有碳和/或氮并且其中n=1、2或3。
M1+nAXn相以六角形层结构结晶。M1+nAXn相具有M6X八面体，所述M6X八面体以由A原子构成的层来交替。对于n=1存在211相，对于n=2存在312相并且对于n=3存在413相，其中A层通过2、3或4个八面体层来分开。
M1+nAXn相具有不同的特性，基于这些特性，M1+nAXn相特别好地适合于应用在薄膜电阻的压阻层中。M1+nAXn相具有金属导电性并且是高温稳定的。相应地，M1+nAXn相能够实现薄膜电阻在高温下使用。
M1+nAXn相的热膨胀系数可以通过相应地选择M1+nAXn相的材料而匹配于膜片和载体的膨胀系数，使得基于彼此协调的膨胀系数，即使在温度变化大的情况下也不形成机械应力。相应地，可以显著减小薄膜传感器的温度交叉灵敏度。由此可以显著改进薄膜传感器的寿命，因为薄膜电阻即使在大数量的弯曲循环之后仍不受到损坏。
压阻层可以由M1+nAXn相构成或者除了MAX相之外还具有其他成分。例如，压阻层可以具有由M1+nAXn相和氧化物、氮化物或碳化物构成的混合物。
M1+nAXn相可以是纯的M1+nAXn相或是混合晶体。在纯的M1+nAXn相的情况下，M由唯一的过渡金属构成并且X由碳或氮构成。在混合晶体（M1，M2）1+nAXn的情况下，M由两种过渡金属M1、M2构成。替代地或补充地，成分X可以具有碳和氮，使得得出具有组成M1+nA（CyN1-y）n和0<y<1的混合晶体。也可能的是混合晶体（M1，M2）1+nA（CyN1-y）n，其中M由两种过渡金属M1、M2构成并且成分X具有碳和氮。
通过使用混合晶体（M1，M2）1+nAXn、M1+nA（CyN1-y）n或（M1，M2）1+nA（CyN1-y）n，压阻层的物理特性可以在宽的范围内调节。通过使用混合晶体，比这对于由纯的M1+nAXn相构成的压阻层来说可以实现压阻层的更大的硬度和弱的导电性。因此，压阻层的对于其应用在薄膜传感器中来说重要的特性、诸如层的热膨胀系数、导电性、压阻效应和硬度可以以期望的方式进行调节。
M可以具有Sc、Ti、V、Cr、Mn、Zr、Nb、Mo、Hf和Ta中的至少一个。A可以是Al、Si、P、S、Ga、Ge、As、Cd、In、Sn、Tl、Pb和Bi中之一。
压阻层可以由M1+nAXn相构成。相应地，压阻层可以除了M1+nAXn相之外不具有其他成分。
替代地，压阻层可以除了M1+nAXn相之外还具有氧化物、氮化物或碳化物。
在此，M1+nAXn相可以与氧化物、氮化物或碳化物混合成固体混合物。由M1+nAXn相与氧化物、氮化物或碳化物中之一构成的固体混合物能够是有利的，以便相对于纯的M1+nAXn相减小压阻层的导电性并且提高压阻效应。此外，通过层的组成可以以期望的方式影响热膨胀系数。
与氧化物、氮化物或碳化物一起形成固体混合物的M1+nAXn相可以是纯的M1+nAXn相或者是混合晶体（M1，M2）1+nAXn、M1+nA（CyN1-y）n或（M1，M2）1+nA（CyN1-y）n。
如果压阻层由M1+nAXn相和氧化物构成，则氧化物可以至少部分作为压阻层的表面氧化物存在。氧化物可以形成M1+nAXn相的晶粒上的稳定的表面氧化物。通过形成稳定的表面氧化物，可以提高层的电阻值并且优化压阻效应，例如在氧化物的晶界势垒处的隧道效应中出现。
压阻层可以具有8ppm/K和14ppm/K之间的热膨胀系数。优选地，热膨胀系数处于9ppm/K和12ppm/K之间。所述膨胀系数对应于通常用于膜片和载体的材料的热膨胀系数，在所述膜片或载体上布置薄膜电阻。通过将薄膜电阻的热膨胀系数匹配于膜片和载体的热膨胀系数，可以避免在温度变化下产生机械应力。
压阻层在20℃的温度下可以具有大于1μΩ/m的比电阻。相应地，压阻层可以在室温下在小的噪声的情况下具有高的灵敏度。
压阻层可以具有大于2的k系数。k系数表示压阻层的相对电阻变化△R/R与相对长度变化△L/L的比值。大于2的k系数与压阻层的高灵敏度是同义的。
根据另一方面，本发明涉及一种薄膜传感器，其具有上述薄膜电阻。
薄膜传感器可以具有膜片和载体，在该膜片上布置有薄膜电阻，膜片固定在该载体上，使得膜片可以相对于载体运动。尤其是，膜片可以设计成，相对于载体振荡和/或相对于载体弯曲。
薄膜传感器可以具有多个上述薄膜电阻，这些薄膜电阻相互连接成桥电路，作为全桥或半桥。薄膜电阻可以至少部分地设计成桥或半桥。
薄膜电阻之一可以为了测量温度而布置在载体或膜片的以下区域中，该区域相比载体或膜片的其他区域经历更小的形变。为了测量温度而在其中布置有薄膜电阻的区域优选地仅仅经历小的弯曲。
膜片和载体可以具有不锈钢或钇稳定化的锆石。压阻层可以被设计成，使得其热膨胀系数与这些材料的热膨胀系数相同或者至少与这些材料的热膨胀系数仅有轻微不同。因为压阻层具有M1+nAXn相，所以可以将压阻层设计成，使得其热膨胀系数匹配于膜片和载体的材料。
替代地，膜片和载体可以由M1+nAXn相构成，其中M具有至少一种过渡金属，A具有主族元素，X具有碳和/或氮，并且其中n=1、2或3。在此可以涉及与压阻层所具有的相同的M1+ nAXn相。替代地，可以涉及M1+nAXn相，其与压阻层的M1+nAXn相不同。薄膜传感器还可以具有绝缘体，该绝缘体将压阻层与载体和膜片绝缘。如果压阻层以及膜片和载体具有相同材料，则排除由于不同的热膨胀系数而产生的机械应力。由此能够实现薄膜传感器的长的寿命。绝缘体可以防止电流从压阻层流至膜片。即使膜片和载体或压阻层所具有的M1+nAXn相彼此不同，其热膨胀系数也彼此非常近似。
附图说明
下面根据附图解释本发明。
图1示出根据第一实施例的薄膜传感器。
图2示出根据第二实施例的薄膜传感器。
图3示出根据第三实施例的薄膜传感器。
具体实施方式
图1示出具有薄膜电阻2的薄膜传感器1，该薄膜电阻具有压阻层3。薄膜电阻2还具有两个电极4。电极4布置在压阻层3的相对端部上。
薄膜传感器1具有膜片5和载体6。膜片5固定在载体6上，使得膜片5可以相对于载体6运动。尤其是，膜片5可以相对于载体6振荡。在此，膜片5的中间区域可以弯曲。薄膜电阻2布置在膜片5上。对此，压阻层3可以直接沉积在膜片5上。尤其是，薄膜电阻2布置在膜片5的相对于载体6可运动的区域中。
如果现在膜片5由于施加在其上的压力而形变，则这导致压阻层3的形变。在此，由于压电效应而产生电信号，该电信号可以由电极4检测。
优选地，薄膜传感器1具有四个薄膜电阻2，它们连接成电阻桥。电阻桥优选地是惠斯登桥。基于从这些薄膜电阻2检测的电信号，可以计算出施加到薄膜传感器1上的压力。
在此描述的薄膜传感器1除了适合于测量压力之外还适合于测量力以及测量膜片5的膨胀。
压阻层3可以具有M1+nAXn相。在此，压阻层3可以具有纯的M1+nAXn相或混合相（M1，M2）1+nAXn、M1+nA（CyN1-y）n或（M1，M2）1+nA（CyN1-y）n。压阻层3可以由M1+nAXn相构成或者具有由M1+nAXn相与氧化物、氮化物或碳化物构成的混合物。
膜片5和载体6可以具有不锈钢或钇稳定化的锆石。压阻层3具有仅仅与膜片5和载体6的热膨胀系数略微不同的热膨胀系数。替代地，膜片5和载体6也可以具有陶瓷材料或金属或者由陶瓷材料或金属构成。
在图1中示出的压阻层3是长方体形。替代地，压阻层3可以是蜿蜒形的。蜿蜒形相对于长方体形具有在相同体积下在两个电极4之间的更大的长度的优点。
图2示出薄膜传感器1的第二实施例。在此，膜片5和载体6由与压阻层3相同的材料构成。为了避免膜片5与压阻层3之间的电短路，还在压阻层3和膜片5之间布置绝缘体7。绝缘体7是由不导电材料构成的层。
图3示出第三实施例，其中膜片5仅仅在输入侧固定在载体6上。相应地，膜片5可以相对于载体6弯曲。
附图标记列表
1　　薄膜传感器
2　　薄膜电阻
3　　压阻层
4　　电极
5　　膜片
6　　载体
7　　绝缘体

Claims (15)

1.一种具有压阻层（3）的薄膜电阻（2），其中所述压阻层（3）具有M1+nAXn相，其中M具有至少一种过渡金属，A具有主族元素，X具有碳和/或氮，并且其中n=1、2或3。
2.根据权利要求1所述的薄膜电阻（2），其中M由唯一的过渡金属构成或者其中M具有两种过渡金属M1、M2。
3.根据上述权利要求之一所述的薄膜电阻（2），其中M具有Sc、Ti、V、Cr、Mn、Zr、Nb、Mo、Hf和Ta中的至少一个，并且其中A是Al、Si、P、S、Ga、Ge、As、Cd、In、Sn、Tl、Pb和Bi中之一。
4.根据权利要求1所述的薄膜电阻（2），其中所述压阻层（3）由M1+nAXn相构成。
5.根据权利要求1至3之一所述的薄膜电阻（2），其中所述压阻层（3）具有氧化物、氮化物或碳化物。
6.根据权利要求5所述的薄膜电阻（2），其中所述氧化物至少部分地作为所述压阻层（3）的表面氧化物存在。
7.根据上述权利要求之一所述的薄膜电阻（2），其中所述压阻层（3）具有在8ppm/K和14ppm/K之间的热膨胀系数。
8.根据上述权利要求之一所述的薄膜电阻（2），其中所述压阻层（3）在20℃的温度下具有大于1μΩ/m的比电阻。
9.根据上述权利要求之一所述的薄膜电阻（2），其中所述压阻层（3）具有大于2的k系数，该k系数表示所述压阻层（3）的相对电阻变化（△R/R）与相对长度变化（△L/L）之间的比值。
10.一种薄膜传感器（1），其具有根据上述权利要求之一所述的薄膜电阻（2）。
11.根据权利要求10所述的薄膜传感器（1），具有膜片（5）和载体（6），在所述膜片（5）上布置有所述薄膜电阻（2），所述膜片（5）固定在所述载体上，使得所述膜片（5）能够相对于所述载体（6）运动。
12.根据权利要求10或11所述的薄膜传感器（1），其中所述薄膜传感器（1）具有多个根据权利要求1至9之一所述的薄膜电阻（2），这些薄膜电阻相互连接成桥电路，作为全桥或半桥。
13.根据权利要求12所述的薄膜传感器（1），其中所述薄膜电阻（2）之一为了测量温度而布置在所述载体（6）或所述膜片（5）的以下区域中，该区域相比所述载体（6）或所述膜片（5）的其他区域经历更小的形变。
14.根据权利要求11至13之一所述的薄膜传感器（1），其中所述载体（6）和所述膜片（5）具有不锈钢或钇稳定化的锆石。
15.根据权利要求11至13之一所述的薄膜传感器（1），其中所述载体（6）和所述膜片（5）由M1+nAXn相构成，其中M具有至少一种过渡金属，A具有主族元素，X具有碳和/或氮，并且其中n=1、2或3，并且其中所述薄膜传感器（1）具有绝缘体，所述绝缘体将所述压阻层（3）与所述载体（6）和所述膜片（5）绝缘。
CN201880026319.8A 2017-04-21 2018-04-12 薄膜电阻和薄膜传感器 Active CN110520943B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017108582.3A DE102017108582A1 (de) 2017-04-21 2017-04-21 Schichtwiderstand und Dünnfilmsensor
DE102017108582.3 2017-04-21
PCT/EP2018/059433 WO2018192837A1 (de) 2017-04-21 2018-04-12 Schichtwiderstand und dünnfilmsensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110520943A true CN110520943A (zh) 2019-11-29
CN110520943B CN110520943B (zh) 2021-07-16

Family

ID=61972533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880026319.8A Active CN110520943B (zh) 2017-04-21 2018-04-12 薄膜电阻和薄膜传感器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11177059B2 (zh)
EP (1) EP3613065B1 (zh)
JP (1) JP6801155B2 (zh)
CN (1) CN110520943B (zh)
DE (1) DE102017108582A1 (zh)
WO (1) WO2018192837A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020124477A1 (zh) * 2018-12-20 2020-06-25 深圳纽迪瑞科技开发有限公司 压力感应装置、压力感应方法及电子终端

Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4028276A (en) * 1973-10-31 1977-06-07 E. I. Du Pont De Nemours & Company Pressure-sensitive elastic resistor compositions
GB2151398A (en) * 1983-12-14 1985-07-17 Hitachi Ltd A semiconductor pressure sensor and a method of manufacture thereof
US4651120A (en) * 1985-09-09 1987-03-17 Honeywell Inc. Piezoresistive pressure sensor
CN87215217U (zh) * 1987-12-24 1988-08-31 航空部南方动力机械公司科技咨询服务中心 一种微力压敏电阻
JP2000169234A (ja) * 1998-11-27 2000-06-20 Toshiba Ceramics Co Ltd 炭化珪素焼結体、その製造方法、それを用いたマイクロ波吸収体及びそれを用いた電力用抵抗体
CN1116594C (zh) * 1998-01-21 2003-07-30 光磊科技股份有限公司 白金电阻温度感测元件及其制造方法
US20040074306A1 (en) * 2000-11-06 2004-04-22 Kiyotaka Kinoshita Mechanical quantity sensor element, load sensor element, acceleration sensor element, and pressure sensor element
US20060087399A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-27 Barge Timothy S Fine line thick film resistors by photolithography
CN1989578A (zh) * 2004-07-27 2007-06-27 松下电器产业株式会社 芯片电阻器及其制造方法
US20090078040A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Yamatake Corporation Flow sensor and manufacturing method therefor
US20100116808A1 (en) * 2008-11-11 2010-05-13 Boquan Wang Electric heating material and laminate floor containing same and method for producing the laminate floor
CN101784137A (zh) * 2009-01-16 2010-07-21 富铄科技股份有限公司 软性电热装置及其制造方法
CN101839703A (zh) * 2008-11-28 2010-09-22 香港理工大学 应变传感器
US7892599B2 (en) * 1996-09-03 2011-02-22 Ppg Industries Ohio, Inc. Surface functionalization of nanomaterials for improved processing into devices and products
CN102272566A (zh) * 2009-11-24 2011-12-07 东海橡胶工业株式会社 弯曲传感器及变形形状测量方法
CN102314978A (zh) * 2011-06-24 2012-01-11 贵州大学 高性能薄膜电阻及其制备方法
US20130015537A1 (en) * 2009-12-23 2013-01-17 Epcos Ag Piezoresistive pressure sensor and process for producing a piezoresistive pressure sensor
CN202839176U (zh) * 2012-10-25 2013-03-27 重庆协邦电子科技有限公司 一种汽车空调顶蒸开关调速电阻
JP2015053358A (ja) * 2013-09-06 2015-03-19 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにサーミスタセンサ
CN104838453A (zh) * 2012-12-21 2015-08-12 三菱综合材料株式会社 热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3451030A (en) 1966-07-01 1969-06-17 Gen Electric Solder-bonded semiconductor strain gauges
DE3522427A1 (de) 1985-06-22 1986-02-20 Helmut Dipl Ing Fischer Titanoxinitridschicht fuer sensoranwendungen
DE3918818B4 (de) 1989-06-09 2006-03-30 Hartmann & Braun Ag Drucksensor
JP3156593B2 (ja) 1996-07-24 2001-04-16 松下電工株式会社 薄膜素子及びその製造方法
JP3642449B2 (ja) 1997-03-21 2005-04-27 財団法人電気磁気材料研究所 Ｃｒ−Ｎ基歪抵抗膜およびその製造法ならびに歪センサ
US5898359A (en) 1997-12-19 1999-04-27 Delco Electronics Corp. Diffusion-barrier materials for thick-film piezoresistors and sensors formed therewith
JP3250558B2 (ja) 2000-02-28 2002-01-28 株式会社豊田中央研究所 力学量センサ材料
DE10153424A1 (de) 2001-11-03 2003-05-15 Kmw Duennschichttechnik Und Mi Druckaufnehmer, insbesondere zur Zylinderdruckmessung bei Motoren und Verfahren zur Herstellung desselben
EP1365216B1 (en) * 2002-05-10 2018-01-17 Azbil Corporation Flow sensor and method of manufacturing the same
JPWO2004015385A1 (ja) 2002-08-09 2005-12-02 ボッシュ株式会社 圧力センサー、圧力センサーの製造方法および内燃機関の筒内圧検出構造
US7181963B2 (en) * 2004-06-30 2007-02-27 Codman & Shurtleff, Inc Thermal flow sensor having streamlined packaging
JP2009020061A (ja) 2007-07-13 2009-01-29 Denso Corp 力学量センサ素子
US8198978B2 (en) * 2008-04-24 2012-06-12 Hochschule fur Technik und Wirtschaft des Sarlandes Film resistor with a constant temperature coefficient and production of a film resistor of this type
US8568027B2 (en) * 2009-08-26 2013-10-29 Ut-Battelle, Llc Carbon nanotube temperature and pressure sensors
JP5884110B2 (ja) 2011-12-02 2016-03-15 株式会社アサヒ電子研究所 歪抵抗素子およびそれを用いた歪検出装置
US20130192379A1 (en) 2012-01-27 2013-08-01 Neil S. Petrarca Small form factor microfused silicon strain gage (msg) pressure sensor packaging
US9909944B2 (en) 2013-06-11 2018-03-06 Danfoss A/S Thin film sensor
AT515945B1 (de) 2014-09-05 2016-01-15 Piezocryst Advanced Sensorics Sensorelement
DE102015006057A1 (de) 2015-05-15 2016-11-17 Hochschule Für Technik Und Wirtschaft Des Saarlandes Schichtwiderstand mit einem kohlenstoffhaltigen Widerstandsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4028276A (en) * 1973-10-31 1977-06-07 E. I. Du Pont De Nemours & Company Pressure-sensitive elastic resistor compositions
GB2151398A (en) * 1983-12-14 1985-07-17 Hitachi Ltd A semiconductor pressure sensor and a method of manufacture thereof
US4651120A (en) * 1985-09-09 1987-03-17 Honeywell Inc. Piezoresistive pressure sensor
CN87215217U (zh) * 1987-12-24 1988-08-31 航空部南方动力机械公司科技咨询服务中心 一种微力压敏电阻
US7892599B2 (en) * 1996-09-03 2011-02-22 Ppg Industries Ohio, Inc. Surface functionalization of nanomaterials for improved processing into devices and products
CN1116594C (zh) * 1998-01-21 2003-07-30 光磊科技股份有限公司 白金电阻温度感测元件及其制造方法
JP2000169234A (ja) * 1998-11-27 2000-06-20 Toshiba Ceramics Co Ltd 炭化珪素焼結体、その製造方法、それを用いたマイクロ波吸収体及びそれを用いた電力用抵抗体
US20040074306A1 (en) * 2000-11-06 2004-04-22 Kiyotaka Kinoshita Mechanical quantity sensor element, load sensor element, acceleration sensor element, and pressure sensor element
CN1989578A (zh) * 2004-07-27 2007-06-27 松下电器产业株式会社 芯片电阻器及其制造方法
US20060087399A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-27 Barge Timothy S Fine line thick film resistors by photolithography
US20090078040A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Yamatake Corporation Flow sensor and manufacturing method therefor
US20100116808A1 (en) * 2008-11-11 2010-05-13 Boquan Wang Electric heating material and laminate floor containing same and method for producing the laminate floor
CN101839703A (zh) * 2008-11-28 2010-09-22 香港理工大学 应变传感器
CN101784137A (zh) * 2009-01-16 2010-07-21 富铄科技股份有限公司 软性电热装置及其制造方法
CN102272566A (zh) * 2009-11-24 2011-12-07 东海橡胶工业株式会社 弯曲传感器及变形形状测量方法
US20130015537A1 (en) * 2009-12-23 2013-01-17 Epcos Ag Piezoresistive pressure sensor and process for producing a piezoresistive pressure sensor
CN102314978A (zh) * 2011-06-24 2012-01-11 贵州大学 高性能薄膜电阻及其制备方法
CN202839176U (zh) * 2012-10-25 2013-03-27 重庆协邦电子科技有限公司 一种汽车空调顶蒸开关调速电阻
CN104838453A (zh) * 2012-12-21 2015-08-12 三菱综合材料株式会社 热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器
JP2015053358A (ja) * 2013-09-06 2015-03-19 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにサーミスタセンサ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
葛川: "电阻应变式位移传感器电路设计与实现", 《国外电子测量技术》 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE102017108582A1 (de) 2018-10-25
US11177059B2 (en) 2021-11-16
EP3613065A1 (de) 2020-02-26
US20200118721A1 (en) 2020-04-16
CN110520943B (zh) 2021-07-16
JP6801155B2 (ja) 2020-12-16
JP2020517925A (ja) 2020-06-18
WO2018192837A1 (de) 2018-10-25
EP3613065B1 (de) 2021-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5719333A (en) Acceleration sensor
JP5884110B2 (ja) 歪抵抗素子およびそれを用いた歪検出装置
CN105899924B (zh) 压力传感器
CN105393099A (zh) 薄膜传感器
Sheeparamatti et al. Fabrication and characterization of polysilicon-on-insulator (PolySOI) and a-SOI based micro piezoresistive pressure sensor for harsh environment applications
US9972768B2 (en) Actuator structure and method
JP2007529002A (ja) 圧力センサーを定電流又は定電圧で動作する多機能用途の統合抵抗ネットワーク
US20080127727A1 (en) Piezoelectric Sensor Comprising a Thermal Sensor and an Amplifier Circuit
CN110520943A (zh) 薄膜电阻和薄膜传感器
JP2002527767A (ja) ブリッジ回路内に接続されている圧抵抗性測定抵抗の特性曲線の温度非線形性補償のための回路装置
JP6977157B2 (ja) シート抵抗及び薄膜センサ
JP2001527652A (ja) 超低温での零シフト非線形性を補償する圧力センサ
CN108139281A (zh) 用于测量压力的传感器和方法
JP6978611B2 (ja) 圧力及び温度測定用のセンサ素子
JP2585681B2 (ja) 金属薄膜抵抗ひずみゲ―ジ
JPS5844323A (ja) 圧力センサ
JP2003214962A (ja) 荷重センサー
JP6920114B2 (ja) 電流センサ
WO2008040656A2 (de) Mikro-elektro-mechanischer system (mems) sensor für extreme umgebungsbedingungen
Steinhausen et al. Poling and bending behavior of piezoelectric multilayers based on Ba (Ti, Sn) O3 ceramics
JP7479927B2 (ja) 振動センサ
JP2022074104A (ja) ひずみゲージおよびその製造方法
GB2365206A (en) Piezoelectric driver device with integral piezoresistive sensing layer
JP6837349B2 (ja) 圧力変化測定装置、高度測定装置、及び圧力変化測定方法
CN116861595B (zh) 一种基于热压电半导体复合薄膜的温度传感器设计方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant