CN110476263B - 调节压电膜的应力状态的方法和使用这种膜的声波器件 - Google Patents
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Abstract
公开了一种用于调节在室温下具有第一应力状态的压电膜(4)的应力状态的方法，所述方法包括形成组件(1)的步骤，该组件(1)包括具有热膨胀系数的载体(2)、置于该载体上的柔性层(3)以及置于该柔性层上的所述压电膜(4)，所述压电膜具有与所述载体的热膨胀系数不同的热膨胀系数。所述方法还包括热处理所述组件的步骤，从而将所述组件升高至高于所述柔性层的玻璃转化温度的处理温度。本发明还涉及一种用于制作声波器件的方法，该声波器件包括其应力状态被调节的压电层。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于调节压电膜的应力状态的方法。本发明还涉及一种用于制造使用这种膜的声波器件的方法。
背景技术
压电材料(即具有压电特性的材料)具有在机械应力下产生电荷并且相反地在电场的作用下机械地变形的特质。这些特性被用在诸如声波滤波器、声换能器、谐振器、压力或加速度传感器、发生器这样的大量电子器件中。在压电材料当中，我们因此可不寻求任何穷尽地提及钽酸锂、铌酸锂、石英、PZT。
《应用物理杂志》第73期第7145页(1993年)D.Gafka和J.Tani的“Sensitivity ofsurface acoustic wave velocity in lithium niobate to electric field orbiasing stress”报告了设法示出施加到铌酸锂的应力对表面声波的速度的影响的科学研究的结果。它提供了这些波的速度相对于强加于材料的应力的灵敏度图并且提议在基于铌酸锂的滤波器、传感器或控制器件的设计中利用应力的影响。然而，此文献未公开如何调节这种材料的应力状态。
US2015249033提出一种通过在材料上强加曲率并将弯曲膜转移到柔性载体来调节材料特别是压电材料的应力状态的方法。这种方法的实施方式要求部署在电子学的领域中非标准的设备，这对用于在此领域中制造器件的这种工艺的集成来说是不利的。另外从文献EP2159836和2000年《电子材料杂志》第29卷第7期K.D.Hobart等人的文章“Compliantsubstrates:a comparative study of the relaxation mechanisms of strained filmsbonded to high and low viscosity oxides”获知了用于使应力膜松弛的方法。
本发明的目的是为了提供一种用于调节特别容易实现的压电膜的应力状态的方法。目的还旨在使用从此方法获得的压电膜来制造声波器件。
发明内容
为了实现这些目的一个，本发明的主题提出一种调节在室温下具有第一应力状态的压电膜的应力状态的方法，所述方法包括：
-形成组件的步骤，该组件包括
i.具有热膨胀系数的载体；
ii.布置在所述载体上的蠕变层，该蠕变层具有比环境温度高的玻璃转化温度；
iii.布置在所述蠕变层上的压电膜，该压电膜具有与所述载体的热膨胀系数不同的热膨胀系数；
-所述组件的热处理步骤，所述热处理步骤包括：
i.第一阶段，该第一阶段将所述组件带至比所述蠕变层的玻璃转化温度高的处理温度以便释放通过所述载体和所述压电膜的热膨胀差异所产生的所述压电膜的应力的至少一部分并且以便将所述压电膜置于第二应力状态下；
ii.第二阶段，在所述第一阶段之后，将所述组件带至室温以便通过所述载体和所述压电膜的热收缩差异来修改所述压电膜的第二应力状态并且将它置于与所述第一应力状态不同的第三应力状态下。
根据本发明的其它有利的和非限制性特性，单独或按照任何技术上可行的组合进行：
-所述压电膜是结晶的；
-所述压电膜具有介于10nm到20μm之间并优选地介于0.3μm到1μm之间的厚度；
-所述压电膜具有最多为所述载体的厚度的1/10的厚度；
-所述蠕变层的玻璃转化温度介于300℃到1000℃之间；
-所述蠕变层由玻璃制成；
-所述蠕变层具有范围从0.1μm到2μm的厚度；
-所述载体具有范围从300μm到1mm的厚度；
-所述载体具有比所述压电膜的热膨胀系数高的热膨胀系数并且所述第三应力状态低于所述第一应力状态；
-所述载体具有比所述压电膜的热膨胀系数低的热膨胀系数并且所述第三应力状态大于所述第一应力状态；
-所述组件的形成步骤包括使所述蠕变层沉积在所述载体上和/或在包括所述压电膜的供体衬底上；
-所述组件的形成步骤包括将所述供体衬底结合到所述载体并且包括使所述供体衬底变薄和/或破裂；
-所述压电膜是不连续的，并且具有被沟槽分开的多个岛；
-所述岛在正在调节所述应力状态的方向上具有介于100μm到1000μm之间的尺寸；
-所述方法包括在所述热处理步骤之后将所述压电膜转移到最终载体的步骤；
-所述热处理分布、所述蠕变层的性质和所述载体的性质被选择为使得所述第三应力状态对应于预定应力状态。
在另一方面中，本发明提出一种制造声波器件的方法，该方法包括将在之前描述的调节方法之后获得的压电膜转移到最终载体。
根据此方法的有利的和非详尽的特性，单独地或根据任何技术上可行的组合来考虑：
-所述方法包括在所述压电膜上形成电极；
-所述最终载体包括电荷俘获表面层；
-所述最终载体包括已在上面形成多晶硅层的硅衬底；
-所述压电膜的转移包括在所述压电膜与所述最终载体之间形成结合层，该结合层足够刚性以维持所述压电膜的应力状态；
-所述结合层包括氧化硅或氮化硅；
-所述压电层的转移包括所述压电膜的自由表面与所述最终载体的粘附以及所述载体的消除或去除。
附图说明
本发明的其它特性和优点将从参考附图对本发明的详细描述中显露出来，在附图上：
-图1示意性地例示了根据本发明的用于调节压电膜的应力状态的方法；
-图2a和图2b表示本发明的实施方式的特定示例中的热处理期间的温度演变以及组件的应力状态在此热处理期间的演变。
具体实施方式
图1示意性地例示了根据本发明的用于调节压电膜的应力状态的方法。
在图1a中所示的此方法的第一步中，形成组件1，该组件1包括载体2、布置在载体2上的蠕变层3以及布置在蠕变层3上的压电膜4。
膜4可由具有压电特性的任何材料制成。这可以包括晶体切口Z或切口42°Y或切口36°Y或切口X或任何其它晶体切口的钽酸锂。这可以是晶体切口Z或切口Y或切口128°Y或任何其它切口的铌酸锂。它也可以是PZT、石英或ZnO。
压电膜4优选地是单晶或多晶形式的晶体。在室温下，压电膜4展示任何应力状态(并在下文中被称为第一应力状态)。第一应力状态可以对应于松弛状态、受压应力状态或受拉应力状态。例如，可使用已知的X射线衍射技术或拉曼光谱法来测量此状态。
压电膜4有利地具有介于10nm与20μm之间并优选地介于0.3μm与1μm之间的厚度。太薄或太厚的厚度使根据本发明的应力调节方法变得对压电膜4的翘曲现象或对其破裂更敏感。通常，有利的是压电膜4具有比载体2的厚度低得多(例如达到一个数量级)的厚度，使得载体2在该方法期间的变形被几乎完全传递到膜4。因此，压电膜4的厚度有利地最多是载体2的厚度的1/10倍。
蠕变层3由玻璃转化温度Tg高于环境温度的材料制成。回想一下，此温度Tg对应于这样的温度：在低于该温度材料被认为是刚性的，而在高于该温度材料被认为是柔性的且可变形的。蠕变层3可由玻璃(例如硼磷硅酸盐(BPSG)或磷硅酸盐(PSG)或硼硅酸盐(BSG)或锗磷硅酸盐)制成。
蠕变层3被选取，或者构成此层的元素被选取，使得玻璃转化温度Tg足够高以便本发明方法具有显著的效果，然而不会超过将难以在工业上达到的极限温度。通常，蠕变层3的玻璃转化温度Tg介于300℃与1000℃之间。蠕变层3通常通过沉积形成在载体2上并具有可介于0.1μm与2μm之间的厚度。载体2由任何材料块制成。它可采取材料板的形式，即厚度为1mm或更小并且其直径可被标准化(例如100mm、200mm或300mm)的圆盘。
通常，如上所述，载体2比压电膜4厚很多，例如达到一个数量级。它可以是厚度介于300μm与1mm之间的材料块，并且可由硅、蓝宝石、石英或诸如铌酸锂这样的压电材料制成(或者包括这些)。它也可以是砷化镓、钼、氮化铝、碳化硅。构成载体的材料可采取结晶或多晶形式。
根据本发明，载体2的热膨胀系数不同于压电膜4的热膨胀系数。有利地，此差超过5％或10％，以便引起特别显著的效果。当形成载体2或压电膜4的材料不是各向同性的时，在由膜4所限定的平面内存在载体2和压电膜4的热膨胀系数不同的至少一个方向。
注意的是，应力状态在本申请中被表达为实数，其绝对值指代应力的强度(例如以帕斯卡为单位)并且其符号指代所述应力的性质，要么受压(负号)要么受拉(正号)。完全松弛状态根本没有应力。因此，术语“增加”或“减小”应力状态指代反映所述应力状态的实际数，而不是其强度。
如下所述，可选择热膨胀系数高比压电膜4的热膨胀系数高的载体2以减小压电膜4的第一应力状态并且将它置于第三应力状态下。换句话说，第三应力状态在这种情况下低于第一应力状态。
另选地，可选择热膨胀系数比压电膜4低的载体2以增加压电膜4的第一应力状态，并且将它置于第三应力状态下。换句话说，第三应力状态在这种情况下大于第一应力状态。
所有组装方法可以适合于形成组件1。这可以是例如载体2到包括压电膜4的供体衬底的粘合组装，并且通过使供体衬底变薄和/或破裂进行。这包括Smart CutTM技术，其本身是众所周知的并且在US6190998中教导了其到压电材料的应用。载体2和/或供体衬底可在被彼此组装之前设置有蠕变层3。在使供体衬底变薄之后，如上所述获得组件1。还可通过使压电材料沉积在蠕变层3上来执行组装方法，该蠕变层3它本身被置于载体2上。经沉积的压电材料然后形成膜4。
可在蠕变层3与压电膜4之间、在蠕变层3与载体2之间或者在压电膜4上设置一个或更多个附加层。这些附加层中的至少一个尤其当被直接地定位在膜4下方时，可形成阻挡层以防止可能源自蠕变层3或载体2的杂质扩散到压电膜4。它还可以是缓冲层，当通过沉积实际地形成压电膜4时，该缓冲层旨在促进压电膜4在特定晶体取向上沉积。它们也可以是定位在载体2与膜4之间从而允许或者促进在方法结束时从压电膜4拆卸载体2的层。它可以是置于压电层4上的加强层，如将在本陈述中稍后详述的。
在任何情况下并且无论使用什么组装方法，在刚刚描述的步骤结束时，包括至少载体2、布置在载体2上的蠕变层3以及布置在该蠕变层上的压电膜4的组件1是可用的。
根据本发明的方法还包括在上述步骤之后用于组件1的热处理的第二步骤。此热处理步骤由两个阶段组成。
在第一阶段中，最初可能在室温下(即介于10℃与50℃之间)的组件1被加热到高于蠕变层3的玻璃转化温度Tg的处理温度Tr。在此第一阶段期间，并且只要组件1被暴露于的温度低于玻璃转化温度Tg，载体2和压电膜4就膨胀。此状态被示意性地表示在图1b中。在不同的热膨胀系数情况下，膜4和载体2的膨胀是不相同的。由于载体2比膜4厚得多，所以后者往往将其变形强加于膜4上，所述膜4因此被置于与第一应力状态不同的应力状态下。膜4在热处理的第一阶段开始时的应力在载体2的热膨胀系数高于压电膜4的热膨胀系数时为受拉，否则为受压。
组件1被暴露于的温度一超过蠕变层3的玻璃转化温度Tg，它就变得易于变形。由载体2与膜4之间的热膨胀系数差异引起的压电膜4的应力然后至少部分地松弛。这种松弛是通过在加工温度Tr下通过蠕变层的低粘度使压电膜4横向膨胀或收缩变得可能而实现的。此状态被示意性地表示在图1c中。压电膜4因此在此第一阶段结束时被置于可以对应于或者接近于松弛状态的第二应力状态下。
为了促进这种松弛，组件1被暴露于的处理温度Tr可以超过蠕变层3的玻璃转化温度Tg达到10℃或高于10℃。并且组件1被暴露于比蠕变温度Tg高的温度的时间段可以比1小时长。热处理的第一阶段可以包括温度斜坡或者由温度斜坡构成，该温度斜坡从初始温度向处理温度Tr线性地或不线性地增加。第一阶段因此可以包括处于此加工温度Tr的平稳段或在此加工温度Tr或任何其它温度分布附近循环到它超过蠕变层3的玻璃转化温度Tg的程度，以便促进压电膜4的横向膨胀或收缩。
在热处理的第二阶段中，在第一阶段之后，处理温度Tr的组件1被带到室温。组件的温度一下降至低于蠕变层3的玻璃转化温度Tg，它就再次凝固。类似于在第一阶段中发生的情况，一旦组件1已返回到室温，与压电膜4的收缩不同的载体2的收缩就导致将压电膜4置于第三应力状态下，如图1d中示意性地所示的。第二阶段可以包括线性或非线性的温度斜坡或者由线性或非线性的温度斜坡构成，从而将组件1的温度从方法温度Tr带回到室温。
假定压电膜在方法开始时的第一应力状态基本上是松弛状态，膜4在热处理之后的应力在载体2的热膨胀系数比压电膜4的热膨胀系数高时为受压，否则为受拉。
在任何情况下，并且无论载体2和压电膜4的热膨胀系数的相对值怎样，在热处理步骤的第二阶段结束时，压电膜4都产生有与第一应力状态不同的第三应力状态，受拉或受压。应力在高于玻璃转化温度Tg在第一阶段结束时和/或在第二阶段开始时的松弛导致膜的应力状态的调节。通过适当地选择热处理分布、蠕变层3的性质和载体2的性质，可调节膜的应力状态(第三应力状态)以对应于预定应力状态。
图2a示出了根据本发明的热处理期间的温度演变并且图2b示出了组件1的压电膜4在此热处理期间的应力演变。在所示的示例中，膜4的第一应力状态a1基本上是松弛的。载体2的热膨胀系数低于压电膜4的热膨胀系数。因此，在组件介于环境温度Ta与玻璃转化温度Tg之间的温度上升期间，压电膜4被置于受压的中间应力状态ai下。当温度超过玻璃转化温度Tg时，特别是在处于加工温度Tr的平稳段期间，观察到膜4的应力的部分松弛，这与蠕变层的变形和膜4的横向膨胀有关。在热处理的第一阶段结束时，压电膜具有接近于松弛状态的第二应力状态a2。尤其当温度下降至低于玻璃转化温度Tg时，热处理的第二阶段导致调节压电膜4的应力状态以将它置于与第一应力状态不同的第三应力状态a3下。
根据本发明的方法可以包括附加步骤。
这允许对组件1应用至少一个附加热处理以促进第二应力状态的松弛并且必要时更精细地调节第三应力状态。当然，为了具有效果，此附加热处理必须将组件1带到比蠕变层3的玻璃转化温度Tg高的处理温度。
为了在膜4在加工温度下的横向膨胀或收缩期间限制压电膜4的可能的翘曲或破裂，可以在热处理步骤之前使压电膜4变得不连续。当压电膜4具有大尺寸(例如遍布几厘米或毫米)时，并且当目的是为了保存其形态质量时，此可选步骤是特别有利的。例如通过对膜4的表面施加光刻掩模，并且通过蚀刻从而贯穿膜4的厚度并可能进入到蠕变层3中，可因此形成沟槽。这些沟槽在压电膜4中限定岛。这些岛在正在调节应力状态的方向(或多个方向)上具有介于100μm与1000μm之间的尺寸。这些岛可具有任何形状，正方形、圆形、六边形，特别是当在热处理期间通过载体施加到膜4的应力是各向同性的时。当载体2和膜4的热膨胀系数之间的差异仅存在于主平面的特权方向上(如果载体2或压电膜4是各向异性的则情况可能是这样的)并且因此应力被主要在主平面的此特权方向上施加到压电膜4的岛时，它们可以呈垂直于主方向的带的形式，其宽度介于100μm与1mm之间。这些岛也可以形式为矩形，其长度和宽度根据在两个方向上施加的应力的强度被调节。
无论岛的形状如何，使两个岛分开的沟槽的宽度都可介于1μm与50μm之间。
根据本发明的方法还可以在热处理步骤之前包括在压电膜4上施加加强层。此加强层可有助于压电膜4(或形成此膜的岛)的横向膨胀或收缩并限制其翘曲，如"Bucklingsuppression of SiGe islands on compliant substrates",Yin et al(2003),Journalof Applied Physics,94(10),6875-6882中所详述的。
应力调节方法用于制造利用压电层4的调节应力状态的器件。它可以是包括最终载体和压电层4的声波器件，如在刚刚呈现的应力状态调节方法结束时获得的。该器件可以包括布置在压电层4上的电极，以将在那里传播的声波与电导体耦合。
因此可以在调节压电膜4的应力状态的方法的热处理阶段结束时计划将此处于其第三应力状态的膜4转移在最终载体上。当蠕变层3与针对膜4展望的最终应用不相容时情况尤其是这样的。将膜4转移到最终载体也使得有可能使载体的所需特性分离以根据载体在其最终应用中的所需特性最好地调节膜的应力状态。因此，当压电膜4旨在制造用于射频应用的声波滤波器时，它可以被认为提供包括电荷俘获表面层的最终载体，如例如文献FR2860341、FR2933233、FR2 953640、US2015115480、US7268060或US6544656中所描述的。通常，此最终载体可包括已在上面形成多晶硅层的硅衬底。
必须确保的是，将膜4转移到最终介质的步骤保存在根据本发明的方法期间指派给它的应力状态的至少部分。这可通过利用足够刚性以维持此应力状态的结合层在压电膜与最终载体之间形成组件来实现。在通过将膜4直接结合到最终载体来执行转移的情况下，此结合层可以由氧化硅或氮化硅构成，或者包括氧化硅或氮化硅。
可以通过本身已知的任何手段来执行此转移。例如，这可以涉及将压电膜4的自由表面粘附到最终载体并且然后消除或者去除载体2。就此而言，可以在蠕变层3与载体2之间或者在蠕变层3与压电膜之间设置解体层，该解体层能够例如通过湿式化学蚀刻或者在被激光光照照射时分解。
示例1
通过在由硅载体(具有675微米的厚度并且在10℃与1000℃之间具有2.6至4.4E-6K-l的热膨胀系数)构成的载体2上进行气相沉积，掺杂有硼和磷的二氧化硅的层被设置以形成1μm厚的蠕变层3。除了二氧化硅之外，蠕变层还包含6摩尔％的B2O3和2摩尔％的P2O3，使得此层的玻璃转化温度Tg是大约700℃。
为了形成本发明的组件1，具有蠕变层3的硅载体2通过直接结合被与晶体切口Z的铌酸锂供体衬底(沿着Y轴且沿着X轴具有15.4E-6的热膨胀系数)组装在一起。然后通过化学机械抛光使此供体衬底变薄以形成4μm厚的压电膜4。然后通过干式蚀刻使它变薄至1.5μm的厚度。可选地，可通过光刻法对膜进行掩模处理，并且通过化学蚀刻可在压电膜4中限定300μm正方形岛。膜4无论它是否由岛组成都具有在室温下基本上松弛的第一应力状态。
然后应用根据本发明的热处理，包括由把组件1带至710°的处理温度Tr下持续一个小时的线性斜坡构成的第一阶段。作为膜4与载体2之间的热膨胀差异的结果，在压电膜4在处于加工温度Tr(其超过蠕变层的玻璃转化温度Tg达到10℃)的平稳段期间松弛之前，在压电膜4中引发大约2.5GPa的应力。
第二阶段包括将组件1的温度向下带至室温的线性斜坡。压电膜4与硅载体2之间的热膨胀系数的差异导致将膜置于受拉应力状态下。在室温下，形成膜的岛中的这种应力可达到2GPa。
在此示例中，形成张应力膜4的压电岛然后被转移到例如硅中的最终载体，以便最终完成声器件(诸如滤波器)的制造。
示例2
在此第二示例中，在切口Z(具有625微米的厚度并且在X方向上的热膨胀系数介于5E-6K1与7.5E-6K1之间)的蓝宝石载体2上形成堆叠，该堆叠包括与载体2接触的二氧化硅的第一层、氮化硅的第二层以及位于第二层上的BPSG的蠕变层3。第一层和第二层具有大约1.5μm的厚度。蠕变层3厚1.2μm。蠕变层3中的硼和磷的比例导致其在600℃的玻璃转化温度Tg的定义。
在蠕变层3上据报道42°Y切口的钽酸锂膜(在X方向上的热膨胀系数为16E-6并且在垂直于X的方向上且包含在膜平面中的热膨胀系数为大约10.6E-6)通过采用Smart CutTM技术厚0.5μm。为此，钽酸锂载体已植入有轻核素(例如氢、氦)以限定压电膜4。然后通过与具有蠕变层3的载体2直接结合来组装此供体衬底，并且对植入区域施加机械和/或热力以导致其破裂并将膜转移在载体2上。在室温下，膜展示基本上松弛应力的第一状态。
使用与第一示例中所示的技术类似的技术，连续压电膜4形成在压电膜5的X方向上宽度为大约为100μm且在垂直于此X方向的方向上长度为500μm的矩形岛。
热处理被应用来将组件1的温度增加到650℃持续三个小时，从而超过蠕变层3的玻璃转化温度Tg。
如在前一个示例中一样，压电膜4与蓝宝石载体2之间的热膨胀系数的差异导致膜在热处理后被置于受拉应力状态下。在室温下，形成膜的岛中的这种应力可达到2GPa。
然后，形成压电膜4的应力岛被转移到最终硅载体。为此，二氧化硅的膜被沉积在岛上且在岛之间并平面化。然后，如此制备的表面被组装到硅接收载体，并且用被选择为穿透蓝宝石载体2和第一层的厚度的波长的激光照射蓝宝石载体的背面，并且被第二氮化硅层吸收以使它分解。一旦此第二层已被分解，就可从组件1去除蓝宝石载体2。
示例3
在此第三示例中，组件是通过通过在硅载体2(具有675微米的厚度并且在10℃与1000℃之间热膨胀系数为2.6E-6至4.4E-6K-l)上进行化学气相沉积来在具有800℃的玻璃转化温度的BPSG中沉积蠕变层3而形成的。在蠕变层上施加钛层，然后在此钛层上，也通过沉积来形成铅和钛酸锆(PZT)的压电膜4。膜4的第一应力状态取决于沉积条件和载体2的性质。它可以是基本上松弛的，或者具有不同的应力状态，受拉或受压。在膜4中形成在每侧300微米的正方形岛，并且应用本发明的热处理，从而把组件1带至850℃的处理温度持续1小时。如在前一个示例中一样，压电膜4与载体2之间的热膨胀系数的差异导致将热处理之后的膜置于与第一应力状态不同的应力状态下。
当然，本发明不限于所描述的实施方式，并且在不脱离如权利要求中所限定的本发明的范围的情况下，可使用另选的技术方案。
Claims (16)
1.一种声波器件的制造方法，该制造方法包括将在应力调节工艺之后获得的压电膜(4)转移在最终载体上，在室温下具有第一应力状态的所述压电膜(4)的应力状态的调节工艺包括：
-用于形成组件(1)的步骤，该组件(1)包括：
i.具有热膨胀系数的载体(2)；
ii.布置在所述载体(2)上的蠕变层(3)，该蠕变层(3)具有比环境温度高的玻璃转化温度(Tg)；
iii.布置在所述蠕变层(3)上的所述压电膜(4)，所述压电膜具有与所述载体的热膨胀系数不同达至少5％的热膨胀系数；
-所述组件(1)的热处理步骤，所述热处理步骤包括：
i.第一阶段，该第一阶段将所述组件(1)带至比所述蠕变层(3)的玻璃转化温度(Tg)高的处理温度以便释放通过所述载体(2)和所述压电膜(4)的热膨胀差异所产生的所述压电膜的应力的至少一部分并且以便将所述压电膜(4)置于第二应力状态下；
ii.在所述第一阶段之后的第二阶段，该第二阶段将所述组件(1)带至室温以便通过所述载体(2)和所述压电膜(4)的热收缩差异来修改所述压电膜(4)的所述第二应力状态并且将所述压电膜(4)置于与所述第一应力状态不同的第三应力状态下。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述压电膜(4)是晶体。
3.根据权利要求1至2中的一项所述的制造方法，其中，所述压电膜(4)的厚度最多是所述载体(2)的厚度的1/10。
4.根据权利要求1至2中的一项所述的制造方法，其中，所述蠕变层(3)的玻璃转化温度(Tg)被包括在300℃到1000℃之间。
5.根据权利要求1至2中的一项所述的制造方法，其中，所述载体(2)具有比所述压电膜(4)的热膨胀系数高的热膨胀系数并且所述第三应力状态低于所述第一应力状态。
6.根据权利要求1至2中的一项所述的制造方法，其中，所述载体(2)具有比所述压电膜(4)的热膨胀系数低的热膨胀系数并且所述第三应力状态高于所述第一应力状态。
7.根据权利要求1至2中的一项所述的制造方法，其中，形成所述组件(1)的步骤包括：将所述蠕变层(1)沉积在所述载体(2)上和/或沉积在包括所述压电膜(4)的供体衬底上。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，形成所述组件(1)的步骤包括将所述供体衬底结合到所述载体(3)并且包括使所述供体衬底变薄和/或破裂。
9.根据权利要求1至2中的一项所述的制造方法，其中，所述压电膜(4)是不连续的，并且具有被沟槽分开的多个岛。
10.根据权利要求1至2中的一项所述的制造方法，其中，所述热处理分布、所述蠕变层(3)的性质和所述载体(2)的性质被选择为使得所述第三应力状态对应于预定应力状态。
11.根据权利要求1至2中的一项所述的制造方法，所述制造方法包括在所述压电膜(4)上形成电极。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述最终载体包括电荷俘获表面层。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，所述最终载体包括已在上面形成多晶硅层的硅衬底。
14.根据权利要求1至2中的一项所述的制造方法，其中，所述压电膜的转移包括在所述压电膜与所述最终载体之间形成结合层，该结合层足够刚性以维持所述压电膜的应力状态。
15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述结合层包括氧化硅和/或氮化硅。
16.根据权利要求1至2中的一项所述的制造方法，其中，所述压电膜(4)的转移包括将所述压电膜的自由表面粘附到所述最终载体并且消除或者去除所述载体(2)。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000244030A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 圧電体薄膜素子 |
| EP2159836A1 (en) * | 2008-08-25 | 2010-03-03 | S.O.I. TEC Silicon | Stiffening layers for the relaxation of strained layers |
| CN101720426A (zh) * | 2007-04-30 | 2010-06-02 | 霍尼韦尔国际公司 | 用于传感应用的表面声波器件的机械封装 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2748850B1 (fr) | 1996-05-15 | 1998-07-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un film mince de materiau solide et applications de ce procede |
| EP2037009B1 (en) | 1999-03-16 | 2013-07-31 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing a bonded SOI wafer |
| WO2001075985A1 (fr) * | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Fujitsu Limited | Actionneur piezoelectrique, son procede de fabrication et tete a jet d'encre dotee de cet actionneur |
| FR2838865B1 (fr) | 2002-04-23 | 2005-10-14 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat avec couche utile sur support de resistivite elevee |
| US7018909B2 (en) * | 2003-02-28 | 2006-03-28 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Forming structures that include a relaxed or pseudo-relaxed layer on a substrate |
| FR2860341B1 (fr) | 2003-09-26 | 2005-12-30 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de structure multicouche a pertes diminuees |
| JP2009201101A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-09-03 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Ｂａｗ共振装置およびその製造方法 |
| FR2933233B1 (fr) | 2008-06-30 | 2010-11-26 | Soitec Silicon On Insulator | Substrat de haute resistivite bon marche et procede de fabrication associe |
| DE102008055116A1 (de) * | 2008-12-23 | 2010-07-01 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Ultraschallwandlers |
| FR2943174B1 (fr) * | 2009-03-12 | 2011-04-15 | Soitec Silicon On Insulator | Adaptation du parametre de maille d'une couche de materiau contraint |
| JP2011053845A (ja) | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Rakuten Inc | グループ予約支援システム |
| US9136819B2 (en) * | 2012-10-27 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator having piezoelectric layer with multiple dopants |
| US9219464B2 (en) * | 2009-11-25 | 2015-12-22 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) resonator structure having an electrode with a cantilevered portion and a piezoelectric layer with multiple dopants |
| FR2953640B1 (fr) | 2009-12-04 | 2012-02-10 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Procede de fabrication d'une structure de type semi-conducteur sur isolant, a pertes electriques diminuees et structure correspondante |
| JP5447682B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-03-19 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイスの製造方法 |
| FR2973157B1 (fr) * | 2011-03-25 | 2014-03-14 | Soitec Silicon On Insulator | Procédé de réalisation d'ilots de matériau contraint au moins partiellement relaxe |
| US9689748B2 (en) * | 2011-08-08 | 2017-06-27 | Panasonic Corporation | Infrared detection element |
| FR2997554B1 (fr) | 2012-10-31 | 2016-04-08 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de modification d'un etat de contrainte initial d'une couche active vers un etat de contrainte final |
| US9768056B2 (en) * | 2013-10-31 | 2017-09-19 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Method of manufacturing high resistivity SOI wafers with charge trapping layers based on terminated Si deposition |
-
2017
- 2017-03-31 FR FR1752733A patent/FR3064820B1/fr active Active
-
2018
- 2018-03-27 WO PCT/FR2018/050744 patent/WO2018178562A1/fr active Application Filing
- 2018-03-27 US US16/496,893 patent/US11462676B2/en active Active
- 2018-03-27 CN CN201880022947.9A patent/CN110476263B/zh active Active
- 2018-03-27 EP EP18722093.4A patent/EP3602644B1/fr active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000244030A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 圧電体薄膜素子 |
| CN101720426A (zh) * | 2007-04-30 | 2010-06-02 | 霍尼韦尔国际公司 | 用于传感应用的表面声波器件的机械封装 |
| EP2159836A1 (en) * | 2008-08-25 | 2010-03-03 | S.O.I. TEC Silicon | Stiffening layers for the relaxation of strained layers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11462676B2 (en) | 2022-10-04 |
| EP3602644A1 (fr) | 2020-02-05 |
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