CN110476243A - 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 - Google Patents
电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110476243A CN110476243A CN201880022516.2A CN201880022516A CN110476243A CN 110476243 A CN110476243 A CN 110476243A CN 201880022516 A CN201880022516 A CN 201880022516A CN 110476243 A CN110476243 A CN 110476243A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electronic circuit
- circuit protection
- protection materials
- viscosity
- epoxy resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 244
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 38
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 title claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 50
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 70
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 70
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 11
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000010008 shearing Methods 0.000 claims description 6
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 38
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- -1 o-cresol phenol aldehyde Chemical class 0.000 description 35
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- 239000002585 base Substances 0.000 description 17
- 238000005040 ion trap Methods 0.000 description 13
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 11
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 9
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 9
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethyl-6-methylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC(C)=C(N)C(CC)=C1N PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 3
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 1-nonene Chemical compound CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTYYGFLRBWMFRY-UHFFFAOYSA-N 2-[6-(oxiran-2-ylmethoxy)hexoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCCCOCC1CO1 WTYYGFLRBWMFRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RQEOBXYYEPMCPJ-UHFFFAOYSA-N 4,6-diethyl-2-methylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC(CC)=C(N)C(C)=C1N RQEOBXYYEPMCPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 4-aminophenol Chemical compound NC1=CC=C(O)C=C1 PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 5-valerolactone Chemical compound O=C1CCCCO1 OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAKKAJFQPIKKDP-UHFFFAOYSA-N N(C1=CC=CC=C1)CO[Si](OC)(C)CCCO Chemical compound N(C1=CC=CC=C1)CO[Si](OC)(C)CCCO IAKKAJFQPIKKDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004057 1,4-benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000000191 1,4-naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-phenylimidazole Chemical compound C1=CN=C(C=2C=CC=CC=2)N1CC1=CC=CC=C1 XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NADHCXOXVRHBHC-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxycyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class COC1=C(OC)C(=O)C=CC1=O NADHCXOXVRHBHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDPLHDGYGLENEI-UHFFFAOYSA-N 2-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propan-2-yloxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC(C)COCC1CO1 HDPLHDGYGLENEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIGURUTWFKYJCH-UHFFFAOYSA-N 2-[[1-(oxiran-2-ylmethoxymethyl)cyclohexyl]methoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCC1(COCC2OC2)CCCCC1 HIGURUTWFKYJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLQZIECDMISZHS-UHFFFAOYSA-N 2-phenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1 RLQZIECDMISZHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWVIWIDTBYWXGB-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminophenyl)methyl]-2-ethylaniline Chemical compound C1=C(N)C(CC)=CC(CC=2C=CC(N)=CC=2)=C1 HWVIWIDTBYWXGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFVPEIKDMMISQO-UHFFFAOYSA-N 4-[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC=C(O)C=C1 NFVPEIKDMMISQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMGWHMKXSXDWRB-UHFFFAOYSA-N 4-propylbenzene-1,3-diamine Chemical class CCCC1=CC=C(N)C=C1N LMGWHMKXSXDWRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical class OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016300 BiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHLFYBDHEZEBSW-UHFFFAOYSA-N COC1=C(C(=C(C=C1)CC2CO2)CC3CO3)N Chemical compound COC1=C(C(=C(C=C1)CC2CO2)CC3CO3)N KHLFYBDHEZEBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YZGQDNOIGFBYKF-UHFFFAOYSA-N Ethoxyacetic acid Natural products CCOCC(O)=O YZGQDNOIGFBYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBAYHOBYFPKQQA-UHFFFAOYSA-N N'-(1,3,3-trimethoxy-3-silylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound COC(CC([SiH3])(OC)OC)NCCN SBAYHOBYFPKQQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical class CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical class N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCEBKLYUUDGVMD-UHFFFAOYSA-N [SiH3]S(=O)=O Chemical compound [SiH3]S(=O)=O MCEBKLYUUDGVMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910021502 aluminium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- PGHZVTMEEDNLDB-UHFFFAOYSA-N benzenediazonium methane Chemical compound C.C1(=CC=CC=C1)[N+]#N PGHZVTMEEDNLDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004054 benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012241 calcium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005474 detonation Methods 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000006471 dimerization reaction Methods 0.000 description 1
- YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N dimethoxysilane Chemical compound CO[SiH2]OC YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HASCQPSFPAKVEK-UHFFFAOYSA-N dimethyl(phenyl)phosphine Chemical compound CP(C)C1=CC=CC=C1 HASCQPSFPAKVEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940113088 dimethylacetamide Drugs 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006735 epoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- XIHJPXJLKOHUCV-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(oxiran-2-ylmethyl)-3-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(N(CC2OC2)CC2OC2)=C1 XIHJPXJLKOHUCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAYXSROKFZAHRQ-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(oxiran-2-ylmethyl)aniline Chemical compound C1OC1CN(C=1C=CC=CC=1)CC1CO1 JAYXSROKFZAHRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical group CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 1
- 125000002801 octanoyl group Chemical group C(CCCCCCC)(=O)* 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- XPPWLXNXHSNMKC-UHFFFAOYSA-N phenylboron Chemical class [B]C1=CC=CC=C1 XPPWLXNXHSNMKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001921 poly-methyl-phenyl-siloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N silylurea Chemical compound NC(=O)N[SiH3] IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M sodium docusate Chemical group [Na+].CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004992 toluidines Chemical class 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHUUYVZLXJHWDV-UHFFFAOYSA-N trimethyl(methylsilyloxy)silane Chemical class C[SiH2]O[Si](C)(C)C UHUUYVZLXJHWDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIXPTCZPFCVOQF-UHFFFAOYSA-N ubiquinone-0 Chemical class COC1=C(OC)C(=O)C(C)=CC1=O UIXPTCZPFCVOQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical class [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- XAEWLETZEZXLHR-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(dioxo)molybdenum Chemical compound [Zn+2].[O-][Mo]([O-])(=O)=O XAEWLETZEZXLHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
一种电子电路保护材料,其满足下述(1)或(2)中的至少任一者。(1)一种电子电路保护材料,其含有树脂成分和无机填充材料,上述无机填充材料的含有率为整体的50质量%以上。(2)一种电子电路保护材料,其含有树脂成分和无机填充材料,在将75℃、剪切速度5s-1的条件下所测定的粘度(Pa·s)设为粘度A,且将75℃、剪切速度50s-1的条件下所测定的粘度(Pa·s)设为粘度B时,作为粘度A/粘度B的值而得到的75℃下的触变指数为0.1~2.5。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法。
背景技术
作为半导体芯片和基板电连接而成的结构,有通过线将半导体元件和基板连接的、被称为引线键合结构的结构。在引线键合结构中,通过将半导体芯片、基板和对它们进行电连接的线用树脂组合物密封而形成半导体装置。此时,会由于树脂组合物的流动而对线施加压力,存在产生线的位置偏移(线移动)、或无法充分进行半导体芯片的保护之类的问题。
半导体封装体的密封中所使用的树脂组合物通常含有无机填充材料,若无机填充材料的量减少,则树脂组合物的流动性通常提高。因此,专利文献1记载了一种密封结构,其包含内层和外层这两层结构,通过将形成与线接触的内层的树脂组合物的无机填充材料的量设为5质量%~40质量%,从而提高流动性且抑制线移动,另一方面,将形成外层的树脂组合物的无机填充材料的量相比于内层增加到60质量%~95质量%。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-35334号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1中记载的密封结构中,尝试通过将无机填充材料的量不同的两种树脂组合物分别用于内层用途和外层用途,来消除线移动的抑制与放热性提高的此消彼长的关系。但是,在对半导体装置要求特别高的放热性的领域中,期望不仅密封结构的外层的放热性优异、而且内层的放热性也优异。另外,专利文献1记载的密封结构中,内层中的无机填充材料量少,担心得不到对于半导体芯片保护而言充分的强度。
本发明的一实施方式的目的在于提供:能够形成放热性和电子电路的保护性能优异的密封结构的电子电路保护材料、与该电子电路保护材料一起使用的电子电路保护材料用密封材料、组合使用这些电子电路保护材料和电子电路保护材料用密封材料的密封方法、以及放热性和电子电路的保护性能优异的半导体装置的制造方法。
此外,为了抑制线移动,认为提高树脂组合物的流动性的方案是有效的,但如果仅仅单纯地降低粘度,则不能充分保持赋予在线的周围的状态,担心不能在线的周围形成良好的密封结构。
本发明的一实施方式的目的在于,提供:一种能够在电子电路的周围形成良好的密封结构的电子电路保护材料、与该电子电路保护材料一起使用的电子电路保护材料用密封材料、组合使用这些电子电路保护材料和电子电路保护材料用密封材料的密封方法、以及在电子电路的周围具备良好的密封结构的半导体装置的制造方法。
用于解决课题的方案
用于解决上述课题的方案包含以下的实施方式。
<1>一种电子电路保护材料,其含有树脂成分和无机填充材料,上述无机填充材料的含有率为整体的50质量%以上。
<2>一种电子电路保护材料,其含有树脂成分和无机填充材料,在将75℃、剪切速度5s-1的条件下所测定的粘度(Pa·s)设为粘度A,且将75℃、剪切速度50s-1的条件下所测定的粘度(Pa·s)设为粘度B时,作为粘度A/粘度B的值而得到的75℃下的触变指数为0.1~2.5。
<3>根据<1>或<2>所述的电子电路保护材料,其中,上述树脂成分为热固化性的树脂成分。
<4>根据<1>~<3>中任一项所述的电子电路保护材料,其中,氯离子量为100ppm以下。
<5>根据<1>~<4>中任一项所述的电子电路保护材料,其中,上述无机填充材料的最大粒径为75μm以下。
<6>根据<1>~<5>中任一项所述的电子电路保护材料,其中,在75℃、剪切速度5s-1下测定的粘度为3.0Pa·s以下。
<7>根据<1>~<6>中任一项所述的电子电路保护材料,其中,在25℃、剪切速度10s-1下测定的粘度为30Pa·s以下。
<8>根据<1>~<7>中任一项所述的电子电路保护材料,其中,上述树脂成分包含环氧树脂。
<9>根据<1>~<8>中任一项所述的电子电路保护材料,其中,上述树脂成分包含具有芳香环的环氧树脂、和脂肪族环氧树脂。
<10>根据<1>~<9>中任一项所述的电子电路保护材料,其中,上述树脂成分包含:作为上述具有芳香环的环氧树脂的选自液状的双酚型环氧树脂和液状的缩水甘油胺型环氧树脂中的至少1种、以及作为上述脂肪族环氧树脂的线状脂肪族环氧树脂。
<11>一种电子电路保护材料用密封材料,其用于密封<1>~<10>中任一项所述的电子电路保护材料的固化物的周围。
<12>一种密封方法,其将<1>~<10>中任一项所述的电子电路保护材料和<11>所述的电子电路保护材料用密封材料组合而对电子电路的周围进行密封。
<13>一种半导体装置的制造方法,其具有下述工序:在电子电路的周围赋予<1>~<10>中任一项所述的电子电路保护材料,形成电子电路保护材料的固化物。
<14>根据<13>所述的半导体装置的制造方法,其还具有下述工序:使用电子电路保护材料用密封材料对上述电子电路保护材料的固化物的周围进行密封。
<15>根据<13>或<14>所述的半导体装置的制造方法,其中,上述电子电路为连接半导体芯片和基板的线。
发明效果
根据本发明的一实施方式,提供:能够形成放热性和电子电路的保护性能优异的密封结构的电子电路保护材料、与该电子电路保护材料一起使用的电子电路保护材料用密封材料、组合使用这些电子电路保护材料和电子电路保护材料用密封材料的密封方法、以及放热性和电子电路的保护性能优异的半导体装置的制造方法。
根据本发明的一实施方式,提供:能够在电子电路的周围形成良好的密封结构的电子电路保护材料、与该电子电路保护材料一起使用的电子电路保护材料用密封材料、组合使用这些电子电路保护材料和电子电路保护材料用密封材料的密封方法、以及在电子电路的周围具备良好的密封结构的半导体装置的制造方法。
附图说明
图1是说明电子电路保护材料的流动性的评价方法的图。
具体实施方式
以下对用于实施本发明的方式进行详细说明。但是,本发明不限于以下的实施方式。在以下的实施方式中,其构成要素(也包括要素步骤等)除特别明示的情况外均非必需。数值和其范围也同样,并非对本发明进行限制。
在本公开中,“工序”这一术语除了包括从其它工序中独立出来的工序外,即使在与其它工序无法明确区别的情况下,只要达成该工序的目的则也包括该工序。
在本公开中,使用“~”示出的数值范围包括记载于“~”的前后的数值且将其分别作为最小值及最大值。
在本公开中分阶段而记载的数值范围中,1个数值范围中所记载的上限值或下限值也可以替换为其它分阶段记载的数值范围的上限值或下限值。另外,在本公开中所记载的数值范围中,该数值范围的上限值或下限值也可以替换为实施例中所示的值。
在本公开中,各成分可以包含两种以上与其相符的物质。当在组合物中存在两种以上与各成分相符的物质的情况下,只要没有特别声明,则各成分的含有率或含量是指存在于组合物中的该两种以上物质的合计的含有率或含量。
在本公开中,可以包含两种以上与各成分相符的粒子。当在组合物中存在两种以上与各成分相符的粒子的情况下,只要没有特别声明,则各成分的粒径是指与组合物中所存在的该两种以上粒子的混合物相关的值。
在本公开中,就“层”或“膜”的术语而言,除了包括在观察该层或膜所存在的区域时、形成于该区域整体的情况外,还包括仅形成于该区域的一部分的情况。
在本公开中,“层叠”这一术语表示将层堆叠,可以是二个以上的层相结合,也可以是二个以上的层可拆装。
<电子电路保护材料(第1实施方式)>
本实施方式的电子电路保护材料含有树脂成分和无机填充材料,无机填充材料的含有率为整体的50质量%以上。电子电路保护材料可以根据需要含有除树脂成分和无机填充材料以外的成分。
在本公开中,“电子电路保护材料”是指:用于在半导体装置中保护电子电路的周围的材料,可列举:在引线键合结构中,为了对连接半导体芯片和基板的线的周围进行密封而使用的树脂材料(线涂敷材料)、对半导体芯片和基板之间进行填充的树脂材料(底部填充材料)等。在使用电子电路保护材料保护电子电路的周围、将其外侧进一步用密封材料密封时,可以避免产生由密封材料引起的线移动等问题。另外,不再需要考虑产生由密封材料引起的线移动等问题的可能性,可以拓宽密封材料的选择自由度。
我们认为,无机填充材料的含有率为整体的40质量%以下的电子电路保护材料为了提高流动性而降低了无机填充材料的含有率,另一方面,电子电路附近的放热性和强度下降。本实施方式的电子电路保护材料通过将无机填充材料的含有率设为整体的50质量%以上,而可以形成放热性和强度比以往优异的密封结构。
电子电路保护材料在75℃、剪切速度5s-1下测定的粘度优选为3.0Pa·s以下,更优选为2.0Pa·s以下。电子电路保护材料的75℃、剪切速度5s-1下的粘度为3.0Pa·s以下时,在线的周围赋予电子电路保护材料时,存在有效地抑制线发生移动的倾向。上述粘度的下限没有特别限制,从保持赋予在线的周围的状态的观点出发,优选为0.01Pa·s以上。
电子电路保护材料在25℃、剪切速度10s-1下测定的粘度优选为30Pa·s以下,更优选为20Pa·s以下。上述粘度的下限没有特别限制,从保持赋予在线的周围的状态的观点出发,优选为0.1Pa·s以上。
在本公开中,电子电路保护材料的25℃下的粘度为使用E型粘度计测定的值,75℃下的粘度为使用流变仪(例如TA Instruments公司的商品名“AR2000”)测定的值。
电子电路保护材料的触变指数可以根据用途(例如是用作线涂敷材料还是用作底部填充材料)、电子电路和半导体装置的状态等来设定。例如,75℃下的触变指数优选为0.1~2.5。
电子电路保护材料的75℃下的触变指数是在将75℃、剪切速度5s-1的条件下所测定的粘度设为粘度A且将75℃、剪切速度50s-1的条件下所测定的粘度设为粘度B时,以粘度A/粘度B的值的形式得到的。
对用于使电子电路保护材料满足上述的粘度条件的方法,没有特别限制。例如,作为降低电子电路保护材料的粘度的方法,可列举使用低粘度的树脂成分的方法、添加溶剂的方法等,这些方法可以单独使用或组合使用。
<电子电路保护材料(第2实施方式)>
本实施方式的电子电路保护材料含有树脂成分和无机填充材料,在将75℃、剪切速度5s-1的条件下所测定的粘度(Pa·s)设为粘度A,且将75℃、剪切速度50s-1的条件下所测定的粘度(Pa·s)设为粘度B时,作为粘度A/粘度B的值得到的75℃下的触变指数为0.1~2.5。电子电路保护材料可以根据需要含有除树脂成分和无机填充材料以外的成分。
通过使本实施方式的电子电路保护材料的75℃下的触变指数为0.1~2.5,可以在电子电路的周围形成良好的密封结构。
电子电路保护材料的75℃下的触变指数可以根据其用途(例如是用作线涂敷材料还是用作底部填充材料)、电子电路和半导体装置的状态等来设定。例如,将电子电路保护材料作为线涂敷材料使用时的75℃下的触变指数优选为0.1~2.5,作为底部填充材料使用时的75℃下的触变指数优选为0.1~1.0,但本实施方式不限定于这些范围。
电子电路保护材料的75℃、剪切速度5s-1下测定的粘度优选为3.0Pa·s以下,更优选为2.0Pa·s以下。电子电路保护材料的75℃、剪切速度5s-1下的粘度为3.0Pa·s以下时,有在线的周围赋予电子电路保护材料时线移动的发生得到有效抑制的倾向。上述粘度的下限没有特别限制,从保持赋予在线的周围的状态的观点出发,优选为0.01Pa·s以上。
电子电路保护材料的25℃、剪切速度10s-1下测定的粘度优选为30Pa·s以下,更优选为20Pa·s以下。上述粘度的下限没有特别限制,从保持赋予至线的周围的状态的观点出发,优选为0.1Pa·s以上。
[树脂成分]
各实施方式的电子电路保护材料中所含的树脂成分只要是可使电子电路保护材料满足上述条件的成分,则没有特别限制。从与现有设备的适合性、作为电子电路保护材料的特性的稳定性等观点出发,优选使用热固化性的树脂成分,更优选使用环氧树脂。另外,优选使用在常温(25℃)下为液状(以下也简称为“液状的”)的树脂成分,更优选使用液状的环氧树脂。树脂成分可以是环氧树脂与固化剂的组合。
(环氧树脂)
作为可以用于电子电路保护材料的环氧树脂,可列举例如:双酚A、双酚F、双酚AD、双酚S、氢化双酚A等二缩水甘油醚型环氧树脂;对以邻甲酚酚醛型环氧树脂为代表的酚类与醛类的酚醛树脂进行环氧化而得的环氧树脂(酚醛型环氧树脂);通过邻苯二甲酸、二聚酸等多元酸与表氯醇的反应而得到的缩水甘油酯型环氧树脂;通过对氨基苯酚、二氨基二苯基甲烷、异氰脲酸等胺化合物与表氯醇的反应而得到的缩水甘油胺型环氧树脂;将烯烃键用过乙酸等过酸进行氧化而得到的线状脂肪族环氧树脂、脂环族环氧树脂等。环氧树脂可以单独使用一种,也可以将两种以上组合使用。
上述的环氧树脂中,从粘度、使用的实际成绩、材料价格等观点出发,优选选自二缩水甘油醚型环氧树脂和缩水甘油胺型环氧树脂中的至少1种。其中,从流动性的观点出发,优选液状的双酚型环氧树脂,从耐热性、粘接性和流动性的观点出发,优选液状的缩水甘油胺型环氧树脂。
在电子电路保护材料的某一实施方式中,使用具有芳香环的环氧树脂、和脂肪族环氧树脂作为树脂成分。例如,作为树脂成分,使用:作为具有芳香环的环氧树脂的液状的双酚F型环氧树脂和液状的缩水甘油胺型环氧树脂、以及作为脂肪族环氧树脂的线状脂肪族环氧树脂。
作为缩水甘油胺型环氧树脂,可列举:对(2,3-环氧丙氧基)-N,N-双(2,3-环氧丙基)苯胺、二缩水甘油基苯胺、二缩水甘油基甲苯胺、二缩水甘油基甲氧基苯胺、二缩水甘油基二甲基苯胺、二缩水甘油基三氟甲基苯胺等。
作为线状脂肪族环氧树脂,可列举1,6-己二醇二缩水甘油醚、间苯二酚二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)四甲基二硅氧烷、环己烷二甲醇二缩水甘油醚等。
组合使用液状的双酚F型环氧树脂、液状的缩水甘油胺型环氧树脂和线状脂肪族环氧树脂作为环氧树脂时,它们的配合比没有特别限制,例如可以是液状的缩水甘油胺型环氧树脂为整体的40质量%~70质量%、液状的双酚F型环氧树脂与线状脂肪族环氧树脂的合计为整体的30质量%~60质量%的配合比。
关于上述所例示的环氧树脂在环氧树脂整体中所占的含有率(使用两种以上所例示的环氧树脂时,为其合计),从充分发挥其性能的观点出发,优选为20质量%以上,更优选为30质量%以上,进一步优选为50质量%以上。该含有率的上限值没有特别限制,可以在可得到电子电路保护材料的所期望的性状和特性的范围内决定。
作为环氧树脂,优选使用液状的环氧树脂,可以将常温(25℃)下为固态的环氧树脂组合使用。将常温下为固态的环氧树脂组合使用时,其比例优选设为环氧树脂整体的20质量%以下。
从抑制线的腐蚀的观点出发,电子电路保护材料的氯离子量越少越优选。具体而言,例如优选为100ppm以下。
在本公开中,电子电路保护材料的氯离子量是利用离子色谱法在121℃、20hr的条件下进行处理、并且以2.5g/50cc换算而得到的值(ppm)。
(固化剂)
作为固化剂,可以没有特别限制地使用胺系固化剂、酚固化剂、酸酐等通常用作环氧树脂的固化剂的物质。从抑制线移动的观点出发,优选使用液状的固化剂。从耐温度循环性和耐湿性等优异、可以提高半导体封装体的可靠性的观点出发,固化剂优选为芳香族胺化合物,更优选为液状的芳香族胺化合物。固化剂可单独使用1种,也可以将两种以上组合使用。
作为液状的芳香族胺化合物,可列举:二乙基甲苯二胺、1-甲基-3,5-二乙基-2,4-二氨基苯、1-甲基-3,5-二乙基-2,6-二氨基苯、1,3,5-三乙基-2,6-二氨基苯、3,3’-二乙基-4,4’-二氨基二苯基甲烷、3,5,3’,5’-四甲基-4,4’-二氨基二苯基甲烷、二甲硫基甲苯二胺等。
也能够以市售品形式获得液状的芳香族胺化合物。例如,可获得JERCure W(三菱化学株式会社、商品名)、Kayahard A-A、Kayahard A-B、Kayahard A-S(日本化药株式会社、商品名)、Tohtoamine HM-205(新日铁住金化学株式会社、商品名)、Adeka hardenerEH-101(株式会社Adeka、商品名)、Epomik Q-640、Epomik Q-643(三井化学株式会社、商品名)、DETDA80(Lonza公司、商品名)等。
从电子电路保护材料的保存稳定性的观点出发,液状的芳香族胺化合物中,优选3,3’-二乙基-4,4’-二氨基二苯基甲烷、二乙基甲苯二胺和二甲硫基甲苯二胺,固化剂优选以这些中的任一者或这些的混合物为主要成分。作为二乙基甲苯二胺,可列举3,5-二乙基甲苯-2,4-二胺和3,5-二乙基甲苯-2,6-二胺,可以将这些单独使用或组合使用,优选将3,5-二乙基甲苯-2,4-二胺的比例设为二乙基甲苯二胺整体的60质量%以上。
电子电路保护材料中的固化剂的量没有特别限制,可以考虑与环氧树脂的当量比等来选择。从将环氧树脂或固化剂的未反应部分抑制得较少的观点出发,固化剂的量优选为使固化剂的官能团的当量数(例如胺系固化剂的情况下,为活性氢的当量数)相对于环氧树脂的环氧基的当量数之比达到0.7~1.6的范围的量,更优选为达到0.8~1.4的范围的量,进一步优选为达到0.9~1.2的范围的量。
[无机填充材料]
各实施方式的电子电路保护材料中所含的无机填充材料的种类没有特别限制。可列举例如:二氧化硅、碳酸钙、粘土、氧化铝、氮化硅、碳化硅、氮化硼、硅酸钙、钛酸钾、氮化铝、氧化铍、氧化锆、锆石、镁橄榄石、块滑石、尖晶石、富铝红柱石、二氧化钛等的粉体、或将这些球形化而成的珠、玻璃纤维等。此外,可以使用具有阻燃效果的无机填充材料,作为这样的无机填充材料,可列举氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸锌、钼酸锌等。无机填充材料可以单独使用一种,也可以将两种以上组合使用。
无机填充材料中,从入手的容易程度、化学稳定性、材料成本的观点出发,优选二氧化硅。作为二氧化硅,可列举球状二氧化硅、结晶二氧化硅等,从对于电子电路保护材料的微细间隙的流动性以及渗透性的观点出发,优选球状二氧化硅。作为球状二氧化硅,可列举利用爆燃法得到的二氧化硅、熔融二氧化硅等。
无机填充材料的表面可经过表面处理。例如,可以使用后述的偶联剂进行表面处理。
无机填充材料的体积平均粒径优选为0.1μm~30μm,更优选为0.3μm~5μm,进一步优选为0.5μm~3μm。特别是,在球形二氧化硅的情况下,体积平均粒径优选在上述范围内。当体积平均粒径为0.1μm以上时,有电子电路保护材料的分散性优异、流动性优异的倾向。当体积平均粒径为30μm以下时,无机填充材料在电子电路保护材料中的沉降减轻,对电子电路保护材料的微细间隙的渗透性和流动性提高,有抑制空隙和未填充的产生的倾向。
在本公开中,无机填充材料的体积平均粒径是指:在使用激光衍射式粒度分布测定装置得到的体积基准的粒度分布中,从小粒径侧起的累积达到50%时的粒径(D50%)。
无机填充材料的最大粒径优选为75μm以下,更优选为50μm以下,进一步优选为20μm以下。
在本公开中,无机填充材料的最大粒径是指:在体积基准的粒度分布中,从小粒径侧起的累积达到99%时的粒径(D99%)。
无机填充材料的配合量可以为电子电路保护材料整体的50质量%。从充分得到配合无机填充材料的效果的观点出发,无机填充材料的配合量可以为电子电路保护材料整体的60质量%以上,也可以为70质量%以上。
从抑制电子电路保护材料的粘度上升的观点出发,无机填充材料的配合量优选为电子电路保护材料整体的80质量%以下。
[溶剂]
各实施方式的电子电路保护材料可以含有溶剂。通过包含溶剂,可以将电子电路保护材料的粘度调节到期望的范围内。溶剂可以单独使用一种,也可以将两种以上组合使用。
溶剂的种类没有特别限制,可以从半导体装置的安装技术所使用的树脂组合物中通常使用的溶剂中选择。具体而言,可列举:丁基卡必醇乙酸酯、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇系溶剂;丙酮、甲乙酮等酮系溶剂;乙二醇乙醚、乙二醇甲醚、乙二醇丁醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇甲醚乙酸酯等二醇醚系溶剂;γ-丁内酯、δ-戊内酯、ε-己内酯等内酯系溶剂;二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂;甲苯、二甲苯等芳香族系溶剂等。
从避免在对电子电路用电子电路保护材料进行固化时,由于急剧的挥发而形成气泡的观点出发,优选使用沸点高的(例如常压下的沸点为170℃以上的)溶剂。
电子电路保护材料包含溶剂时,其量没有特别限制,优选为电子电路保护材料整体的1质量%~70质量%。
[固化促进剂]
各实施方式的电子电路保护材料可以根据需要含有用于促进环氧树脂与固化剂的反应的固化促进剂。
固化促进剂没有特别限制,可以使用现有公知的固化促进剂。可列举例如:1,8-二氮杂-双环(5,4,0)十一碳烯-7、1,5-二氮杂-双环(4,3,0)壬烯、5,6-二丁基氨基-1,8-二氮杂-双环(5,4,0)十一碳烯-7等环脒化合物;三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺化合物;以及2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑、2,4-二氨基-6-(2’-甲基咪唑基-(1’))-乙基均三嗪、2-十七烷基咪唑等咪唑化合物;三烷基膦(三丁基膦等)、二烷基芳基膦(二甲基苯基膦等)、烷基二芳基膦(甲基二苯基膦等)、三苯基膦、烷基取代三苯基膦等有机膦化合物;以及在这些有机磷化合物上加成马来酸酐、醌化合物(1,4-苯醌、2,5-甲基苯醌、1,4-萘醌、2,3-二甲基苯醌、2,6-二甲基苯醌、2,3-二甲氧基-5-甲基-1,4-苯醌、2,3-二甲氧基-1,4-苯醌、苯基-1,4-苯醌等)、重氮苯基甲烷、酚醛树脂等具有π键的化合物而成的具有分子内极化的化合物;以及它们的衍生物。还可列举:2-乙基-4-甲基咪唑四苯基硼酸盐、N-甲基吗啉四苯基硼酸盐等苯基硼盐。另外,作为具有潜伏性的固化促进剂,可列举:以常温下为固体的具有氨基的化合物为核、并覆盖常温下为固体的环氧化合物的壳而成的核-壳粒子。固化促进剂可以单独使用一种,也可以将两种以上组合使用。
电子电路保护材料包含固化促进剂时,其量没有特别限制,相对于环氧树脂100质量份优选为0.1质量份~40质量份,更优选为1质量份~20质量份。
[挠性剂]
从提高耐热冲击性、降低对半导体元件的应力等观点出发,各实施方式的电子电路保护材料可以根据需要含有挠性剂。
挠性剂没有特别限制,可以从通常用于树脂组合物的挠性剂中进行选择。其中,优选橡胶粒子。作为橡胶粒子,可列举:丁苯橡胶(SBR)、丁腈橡胶(NBR)、丁二烯橡胶(BR)、氨基甲酸酯橡胶(UR)、丙烯酸类橡胶(AR)等的粒子。这些中,从耐热性和耐湿性的观点出发,优选丙烯酸类橡胶的粒子,更优选具有核壳结构的丙烯酸系聚合物的粒子(即核壳型丙烯酸类橡胶粒子)。
另外,也可以适当使用硅橡胶粒子。作为硅橡胶粒子,可列举:将直链状的聚二甲基硅氧烷、聚甲基苯基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷等聚有机硅氧烷交联而得的硅橡胶粒子;用有机硅树脂覆盖硅橡胶粒子的表面的硅橡胶粒子;通过乳液聚合等得到的包含固态硅酮粒子的核和丙烯酸类树脂等有机聚合物的壳的核-壳聚合物粒子等。这些硅橡胶粒子的形状可以为不定形,也可以为球形,为了将电子电路保护材料的粘度抑制得较低,优选球形的硅橡胶粒子。这些硅橡胶粒子可以从例如TORAY DOW CORNING SILICONE株式会社、信越化学工业株式会社等获得市售品。
(偶联剂)
出于提高树脂成分与无机填充材料、或者树脂成分与线的界面处的粘接性的目的,各实施方式的电子电路保护材料可以使用偶联剂。偶联剂可以用于无机填充材料的表面处理,也可以与无机填充材料分开地进行配合。
偶联剂没有特别限制,可以使用公知的偶联剂。可列举例如:具有氨基(伯、仲或叔)的硅烷化合物、环氧硅烷、巯基硅烷、烷基硅烷、脲基硅烷、乙烯基硅烷等各种硅烷化合物、钛化合物、铝螯合物类、铝/锆系化合物等。偶联剂可以单独使用一种,也可以将两种以上组合使用。
作为硅烷偶联剂,具体可列举:乙烯基三氯硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、γ-苯胺基丙基三乙氧基硅烷、γ-(N,N-二甲基)氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(N,N-二乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(N,N-二丁基)氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(N-甲基)苯胺基丙基三甲氧基硅烷、γ-(N-乙基)苯胺基丙基三甲氧基硅烷、γ-(N,N-二甲基)氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-(N,N-二乙基)氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-(N,N-二丁基)氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-(N-甲基)苯胺基丙基三乙氧基硅烷、γ-(N-乙基)苯胺基丙基三乙氧基硅烷、γ-(N,N-二甲基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-(N,N-二乙基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-(N,N-二丁基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-(N-甲基)苯胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-(N-乙基)苯胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(三甲氧基甲硅烷基丙基)乙二胺、N-(二甲氧基甲基甲硅烷基异丙基)乙二胺、甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、六甲基二硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷等。
作为钛偶联剂,具体可列举:三异硬脂酰基钛酸异丙酯、三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸异丙酯、异丙基三(N-氨基乙基-氨基乙基)钛酸酯、四辛基双(双十三烷基亚磷酰氧基)钛酸酯、四(2,2-二烯丙基氧基甲基-1-丁基)双(双十三烷基)亚磷酰氧基钛酸酯、双(二辛基焦磷酸酰氧基)氧基乙酸酯钛酸酯(日文:ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート)、双(二辛基焦磷酸酰氧基)乙撑钛酸酯、异丙基三辛酰基钛酸酯、异丙基二甲基丙烯酰基异硬脂酰基钛酸酯、异丙基三(十二烷基)苯磺酰基钛酸酯、异丙基异硬脂酰基二丙烯酰基钛酸酯、异丙基三(二辛基磷酸酰氧基)钛酸酯、异丙基三枯基苯基钛酸酯、四异丙基双(二辛基亚亚磷酰氧基)钛酸酯等。
在电子电路保护材料包含偶联剂的情况下,其量没有特别限制,相对于无机填充材料100质量份优选为1质量份~30质量份。
[离子捕获剂]
从提高半导体封装体的耐迁移性、耐湿性、高温放置特性等的观点出发,各实施方式的电子电路保护材料可以含有离子捕获剂。离子捕获剂可以单独使用一种,也可以将两种以上组合使用。
作为离子捕获剂,可列举下述组成式(V)和(VI)所示的阴离子交换体。
Mg1-xAlx(OH)2(CO3)x/2·mH2O···(V)
(0<X≤0.5、m为正数)
BiOx(OH)y(NO3)2···(VI)
(0.9≤x≤1.1、0.6≤y≤0.8、0.2≤z≤0.4)
上述式(V)的化合物可以以市售品(协和化学工业株式会社、商品名“DHT-4A”)形式获得。另外,上述式(VI)的化合物可以以市售品(东亚合成株式会社、商品名“IXE500”)形式获得。上述化合物以外的阴离子交换体也能够作为离子捕获剂使用。可列举例如选自镁、铝、钛、锆、锑等中的元素的含水氧化物等。
当电子电路保护材料包含离子捕获剂时,其量没有特别限制。例如,优选为电子电路保护材料整体的0.1质量%~3.0质量%,更优选为0.3质量%~1.5质量%。
离子捕获剂为粒子状时,其体积平均粒径(D50%)优选为0.1μm~3.0μm。另外,最大粒径优选为10μm以下。
[其它成分]
各实施方式的电子电路保护材料可以根据需要含有上述成分以外的成分。例如,可以根据需要配合染料、炭黑等着色剂、稀释剂、流平剂、消泡剂等。
[电子电路保护材料的制造方法]
各实施方式的电子电路保护材料的制造方法只要可以使电子电路保护材料的各成分充分地分散混合则没有特别限制。例如,作为常规的方法,可以通过将规定配合量的成分用擂溃机、混合辊、行星搅拌机等进行混合和混炼、并根据需要进行脱泡而制造。
[电子电路保护材料的使用方法]
各实施方式的电子电路保护材料可以用于所有的引线键合方式的安装技术。具体而言,例如,在将半导体元件和基板电连接的线的周围赋予电子电路保护材料、使其固化而将线密封,并与此同时将线的位置固定来避免产生线移动。电子电路保护材料只要至少赋予在线周围即可,可以赋予在基板的整面,也可以仅赋予在一部分。在线周围赋予电子电路保护材料的方法没有特别限制,可以采用分配方式、注塑方式、印刷方式等。
<电子电路保护材料用密封材料>
各实施方式的实施方式的电子电路保护材料用密封材料是用于对上述的电子电路保护材料的固化物的周围进行密封的材料。
电子电路保护材料用密封材料并不是直接对电子电路的周围进行密封,而是对形成于电子电路周围的电子电路保护材料的固化物的周围进行密封。因此,无需考虑由电子电路保护材料用密封材料的流动导致的线移动等问题的发生。因此,电子电路保护材料用密封材料的种类没有特别限制,可以使用半导体装置的安装技术中通常使用的种类。
作为电子电路保护材料用密封材料的优选组成,可列举环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂的组合。作为环氧树脂,可列举:联苯型环氧树脂、双酚型(双酚F型、双酚A型等)环氧树脂、三苯基甲烷型环氧树脂、邻甲酚酚醛型环氧树脂、萘型环氧树脂等。作为酚醛树脂,可列举三苯基甲烷型酚醛树脂、苯酚芳烷基型酚醛树脂、Xyloc型酚醛树脂(日文:ザイロック型フェノール樹脂)、共聚苯酚芳烷基型酚醛树脂、萘酚芳烷基型酚醛树脂、联苯撑芳烷基型酚醛树脂等。这些既可以分别单独使用一种,也可以组合使用两种以上。
<密封方法>
各实施方式的密封方法是:将上述的电子电路保护材料和上述的电子电路保护材料用密封材料组合,对电子电路的周围进行密封。
上述密封方法所使用的手法没有特别限制,可以从半导体装置的安装技术通常所使用的手法中进行选择。
<半导体装置的制造方法>
各实施方式的半导体装置的制造方法具有下述工序:在电子电路的周围赋予上述的电子电路保护材料,形成电子电路保护材料的固化物。在电子电路的周围赋予电子电路保护材料的方法没有特别限制,可以采用分配方式、注塑方式、印刷方式等。
上述方法可以还具有下述工序:使用上述的电子电路用密封材料,对使用电子电路保护材料形成的固化物的周围进行密封。使用密封材料对电子电路保护材料的固化物的周围进行密封的方法没有特别限制,可以采用分配方式、注塑方式、印刷方式等。
上述方法中,电子电路保护材料和电子电路用密封材料的详细情况如上所述。电子电路例如可以是连接半导体芯片和基板的线。
实施例
以下通过实施例更具体地说明上述实施方式,但上述实施方式不受这些实施例限定。需要说明的是,表中的与各材料相当的项目的单位为“质量份”,空白栏表示未使用该材料。
(1)电子电路保护材料的制备
将表1所示的材料按照表1所示的组成比例进行配合,用三辊机和真空擂溃机进行混炼分散,制备实施例的电子电路保护材料。分别测定所制备的电子电路保护材料的25℃、剪切速度10s-1下的粘度与75℃、剪切速度5s-1下的粘度。另外,测定75℃、剪切速度50s-1下的粘度,求出75℃下的触变指数。将结果示于表1。
(2)流动性的评价
关于电子电路保护材料的流动性,根据使用电子电路保护材料对使用PBGA(Plastic Ball Grid Array)的封装体而形成的引线键合结构进行密封时的线移动的状态来进行评价。
具体而言,如图1所示,通过X射线来确认使用电子电路保护材料密封引线键合结构后的线的最大位移量a,用最大位移量a除以线弧长度b再将所得的值乘以100,从而求出W/S(%)。W/S(%)的值为3%以下时,判断为流动性“良好”。将结果示于表1。
(3)氯离子量的评价
利用离子色谱法在上述的条件下测定电子电路保护材料的氯离子量(ppm)。将结果示于表2。
表1和表2所示的材料的详细情况如下。
·环氧树脂1…对(2,3-环氧丙氧基)-N,N-双(2,3-环氧丙基)苯胺(株式会社ADEKA、商品名“EP-3950S”、总氯量为1500ppm以下)
·环氧树脂2…对(2,3-环氧丙氧基)-N,N-双(2,3-环氧丙基)苯胺(三菱化学株式会社、商品名“jER630”、总氯量为5500ppm以下)
·环氧树脂3…双酚F型环氧树脂(新日铁住金化学株式会社、商品名“YDF-8170C”)
·环氧树脂4…1,6-己二醇二缩水甘油醚(阪本药品工业株式会社、商品名“SR-16HL”)
·固化剂…二乙基甲苯二胺(三菱化学株式会社、商品名“jER Cure W”)
·离子捕获剂…铋系离子捕获剂(东亚合成株式会社、商品名“IXE-500”)
·溶剂…丁基卡必醇乙酸酯
·无机填充材料1…用硅烷偶联剂进行了表面处理的球状熔融二氧化硅(Admatechs株式会社、商品名“SE5050-SEJ”、体积平均粒径1.5μm
·无机填充材料2…用硅烷偶联剂进行了表面处理的球状熔融二氧化硅(Admatechs株式会社、商品名“SE2050-SEJ”、体积平均粒径0.5μm)
[表1]
实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | |
环氧树脂1 | 60 | 60 | 60 |
环氧树脂2 | 0 | 0 | 0 |
环氧树脂3 | 20 | 20 | 20 |
环氧树脂4 | 20 | 20 | 20 |
固化剂 | 42 | 42 | 42 |
离子捕获剂 | 3 | 3 | 3 |
溶剂 | 57 | 57 | 57 |
无机填充材料1 | 707 | 693 | 693 |
无机填充材料2 | 235 | 231 | 231 |
无机填充材料含有率(质量%) | 75 | 60 | 50 |
25℃粘度(Pa·s) | 2.0 | 0.6 | 0.4 |
75℃粘度(Pa·s)5s<sup>-1</sup> | 0.21 | 0.05 | 0.03 |
75℃触变指数(5s<sup>-1</sup>/50s<sup>-1</sup>) | 1.7 | 1.0 | 0.8 |
流动性 | 良好 | 良好 | 良好 |
如表1的结果所示,实施例1~3中制作的电子电路用保护材料虽然无机填充材料的含有率为整体的50质量%以上,但也显示出优异的流动性。另外,实施例1~3中制作的电子电路用保护材料的75℃下的触变指数在0.1~2.5的范围内。
[表2]
实施例4 | 实施例5 | 参考例1 | 参考例2 | |
环氧树脂1 | 0 | 60 | 0 | 0 |
环氧树脂2 | 60 | 0 | 60 | 60 |
环氧树脂3 | 20 | 20 | 20 | 20 |
环氧树脂4 | 20 | 20 | 20 | 20 |
固化剂 | 42 | 42 | 42 | 42 |
离子捕获剂 | 3 | 3 | 0 | 3 |
溶剂 | 12 | 12 | 12 | 17 |
无机填充材料1 | 707 | 707 | 693 | 1036 |
无机填充材料2 | 235 | 235 | 231 | 345 |
无机填充材料含有率(质量%) | 86 | 86 | 86 | 90 |
氯离子量(ppm) | 43 | 7 | 110 | 未评价 |
如表2的结果所示,就组合使用了环氧树脂2和离子捕获剂的实施例4的氯离子量而言,虽然氯离子量高于使用了高纯度的环氧树脂1的实施例5,但与未组合使用离子捕获剂的参考例1的110ppm相比为43ppm,作为电子电路用保护材料,达到了高水准。
就为了降低氯离子量而增大了无机填充材料的量的参考例2而言,无法实施采用三辊机的混炼,因此未进行氯离子量的评价。
日本专利申请第2017-072893号和第2017-072894号的公开的整体均通过参照而引入本说明书。
就本说明书中记载的全部文献、专利申请和技术标准而言,各个文献、专利申请及技术标准通过参照而引入的做法与具体且分别记载的情形为同等程度,进而被引入本说明书中。
Claims (15)
1.一种电子电路保护材料,其含有树脂成分和无机填充材料,所述无机填充材料的含有率为整体的50质量%以上。
2.一种电子电路保护材料,其含有树脂成分和无机填充材料,在将75℃、剪切速度5s-1的条件下所测定的粘度设为粘度A,且将75℃、剪切速度50s-1的条件下所测定的粘度设为粘度B时,作为粘度A/粘度B的值而得到的75℃下的触变指数为0.1~2.5,所述粘度的单位均为Pa·s。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的电子电路保护材料,其中,所述树脂成分为热固化性的树脂成分。
4.根据权利要求1~权利要求3中任一项所述的电子电路保护材料,其中,氯离子量为100ppm以下。
5.根据权利要求1~权利要求4中任一项所述的电子电路保护材料,其中,所述无机填充材料的最大粒径为75μm以下。
6.根据权利要求1~权利要求5中任一项所述的电子电路保护材料,其中,在75℃、剪切速度5s-1下测定的粘度为3.0Pa·s以下。
7.根据权利要求1~权利要求6中任一项所述的电子电路保护材料,其中,在25℃、剪切速度10s-1下测定的粘度为30Pa·s以下。
8.根据权利要求1~权利要求7中任一项所述的电子电路保护材料,其中,所述树脂成分包含环氧树脂。
9.根据权利要求1~权利要求8中任一项所述的电子电路保护材料,其中,所述树脂成分包含具有芳香环的环氧树脂、和脂肪族环氧树脂。
10.根据权利要求1~权利要求9中任一项所述的电子电路保护材料,其中,所述树脂成分包含:作为所述具有芳香环的环氧树脂的选自液状的双酚型环氧树脂和液状的缩水甘油胺型环氧树脂中的至少1种、以及作为所述脂肪族环氧树脂的线状脂肪族环氧树脂。
11.一种电子电路保护材料用密封材料,其用于密封权利要求1~权利要求10中任一项所述的电子电路保护材料的固化物的周围。
12.一种密封方法,其将权利要求1~权利要求10中任一项所述的电子电路保护材料和权利要求11所述的电子电路保护材料用密封材料组合而对电子电路的周围进行密封。
13.一种半导体装置的制造方法,其具有下述工序:
在电子电路的周围赋予权利要求1~权利要求10中任一项所述的电子电路保护材料,形成电子电路保护材料的固化物。
14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法,其还具有下述工序:
使用电子电路保护材料用密封材料对所述电子电路保护材料的固化物的周围进行密封。
15.根据权利要求13或权利要求14所述的半导体装置的制造方法,其中,所述电子电路为连接半导体芯片和基板的线。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110722820.1A CN113388229A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
CN202110722818.4A CN113410182A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
CN202110722886.0A CN113345813A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017072893A JP6292334B1 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2017-072894 | 2017-03-31 | ||
JP2017072894A JP6288344B1 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2017-072893 | 2017-03-31 | ||
PCT/JP2018/013019 WO2018181602A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110722886.0A Division CN113345813A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
CN202110722818.4A Division CN113410182A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
CN202110722820.1A Division CN113388229A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110476243A true CN110476243A (zh) | 2019-11-19 |
Family
ID=63676048
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880022516.2A Pending CN110476243A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
CN202110722820.1A Pending CN113388229A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
CN202110722886.0A Pending CN113345813A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
CN202110722818.4A Pending CN113410182A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110722820.1A Pending CN113388229A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
CN202110722886.0A Pending CN113345813A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
CN202110722818.4A Pending CN113410182A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-28 | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
KR (2) | KR102070113B1 (zh) |
CN (4) | CN110476243A (zh) |
MY (1) | MY177304A (zh) |
TW (2) | TW202328334A (zh) |
WO (1) | WO2018181602A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114507415A (zh) * | 2022-03-01 | 2022-05-17 | 郭亚莹 | 一种快速流动耐高温底部填充胶及其制备方法 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0272656A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Fujikura Ltd | 半導体素子の封止構造 |
CN1179444A (zh) * | 1996-08-29 | 1998-04-22 | 三菱电机株式会社 | 环氧树脂组合物以及用环氧树脂组合物包封的半导体元件 |
JPH10261741A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN102471464A (zh) * | 2009-07-31 | 2012-05-23 | 住友电木株式会社 | 液态树脂组合物及使用其的半导体装置 |
CN104066788A (zh) * | 2012-01-18 | 2014-09-24 | 三井化学株式会社 | 组合物、含有组合物的显示器件端面密封剂用组合物、显示器件及其制造方法 |
CN104419114A (zh) * | 2013-08-28 | 2015-03-18 | 信越化学工业株式会社 | 半导体密封用树脂组合物及具有所述组合物的硬化物的半导体装置 |
CN104684957A (zh) * | 2012-12-27 | 2015-06-03 | 纳美仕有限公司 | 液态环氧树脂组合物 |
CN104910845A (zh) * | 2015-06-12 | 2015-09-16 | 深圳先进技术研究院 | 底部填充胶及其制备方法 |
CN105637031A (zh) * | 2013-11-29 | 2016-06-01 | 纳美仕有限公司 | 环氧树脂组合物、半导体密封剂和半导体装置 |
CN105647114A (zh) * | 2014-12-02 | 2016-06-08 | 信越化学工业株式会社 | 半导体封装用树脂组合物以及使用该树脂组合物的半导体封装方法 |
CN105924899A (zh) * | 2015-02-27 | 2016-09-07 | 信越化学工业株式会社 | 半导体封装用树脂组合物及半导体装置 |
CN106232763A (zh) * | 2014-05-16 | 2016-12-14 | 纳美仕有限公司 | 液状封装材、及使用该液状封装材的电子部件 |
CN106471035A (zh) * | 2014-07-02 | 2017-03-01 | Dic株式会社 | 电子材料用环氧树脂组合物、其固化物及电子构件 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3729225B2 (ja) * | 1996-08-29 | 2005-12-21 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置 |
JP3611066B2 (ja) * | 1996-08-29 | 2005-01-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 無機質充填剤及びエポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JP2000269388A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Toshiba Corp | 半導体封止用樹脂および樹脂封止型半導体装置 |
JP4103342B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2008-06-18 | 日立電線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5586185B2 (ja) | 2009-08-06 | 2014-09-10 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP5906673B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2016-04-20 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの成形材料で封止した素子を備えた電子部品装置 |
JP6125967B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-05-10 | 明和化成株式会社 | エポキシ樹脂組成物、封止材、その硬化物、及びフェノール樹脂 |
JP6331570B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2018-05-30 | 日立化成株式会社 | アンダーフィル材及び該アンダーフィル材により封止する電子部品とその製造方法 |
-
2018
- 2018-03-28 MY MYPI2019005630A patent/MY177304A/en unknown
- 2018-03-28 WO PCT/JP2018/013019 patent/WO2018181602A1/ja active Application Filing
- 2018-03-28 CN CN201880022516.2A patent/CN110476243A/zh active Pending
- 2018-03-28 KR KR1020197028983A patent/KR102070113B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-28 CN CN202110722820.1A patent/CN113388229A/zh active Pending
- 2018-03-28 KR KR1020207000965A patent/KR102450897B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-28 CN CN202110722886.0A patent/CN113345813A/zh active Pending
- 2018-03-28 CN CN202110722818.4A patent/CN113410182A/zh active Pending
- 2018-03-29 TW TW112111416A patent/TW202328334A/zh unknown
- 2018-03-29 TW TW107110909A patent/TWI800504B/zh active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0272656A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Fujikura Ltd | 半導体素子の封止構造 |
CN1179444A (zh) * | 1996-08-29 | 1998-04-22 | 三菱电机株式会社 | 环氧树脂组合物以及用环氧树脂组合物包封的半导体元件 |
JPH10261741A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN102471464A (zh) * | 2009-07-31 | 2012-05-23 | 住友电木株式会社 | 液态树脂组合物及使用其的半导体装置 |
CN104066788A (zh) * | 2012-01-18 | 2014-09-24 | 三井化学株式会社 | 组合物、含有组合物的显示器件端面密封剂用组合物、显示器件及其制造方法 |
CN104684957A (zh) * | 2012-12-27 | 2015-06-03 | 纳美仕有限公司 | 液态环氧树脂组合物 |
CN104419114A (zh) * | 2013-08-28 | 2015-03-18 | 信越化学工业株式会社 | 半导体密封用树脂组合物及具有所述组合物的硬化物的半导体装置 |
CN105637031A (zh) * | 2013-11-29 | 2016-06-01 | 纳美仕有限公司 | 环氧树脂组合物、半导体密封剂和半导体装置 |
CN106232763A (zh) * | 2014-05-16 | 2016-12-14 | 纳美仕有限公司 | 液状封装材、及使用该液状封装材的电子部件 |
CN106471035A (zh) * | 2014-07-02 | 2017-03-01 | Dic株式会社 | 电子材料用环氧树脂组合物、其固化物及电子构件 |
CN105647114A (zh) * | 2014-12-02 | 2016-06-08 | 信越化学工业株式会社 | 半导体封装用树脂组合物以及使用该树脂组合物的半导体封装方法 |
CN105924899A (zh) * | 2015-02-27 | 2016-09-07 | 信越化学工业株式会社 | 半导体封装用树脂组合物及半导体装置 |
CN104910845A (zh) * | 2015-06-12 | 2015-09-16 | 深圳先进技术研究院 | 底部填充胶及其制备方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114507415A (zh) * | 2022-03-01 | 2022-05-17 | 郭亚莹 | 一种快速流动耐高温底部填充胶及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202328334A (zh) | 2023-07-16 |
KR20190119143A (ko) | 2019-10-21 |
TW201842051A (zh) | 2018-12-01 |
KR102450897B1 (ko) | 2022-10-04 |
WO2018181602A1 (ja) | 2018-10-04 |
MY177304A (en) | 2020-09-11 |
KR102070113B1 (ko) | 2020-01-29 |
CN113410182A (zh) | 2021-09-17 |
TWI800504B (zh) | 2023-05-01 |
CN113345813A (zh) | 2021-09-03 |
KR20200007090A (ko) | 2020-01-21 |
CN113388229A (zh) | 2021-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102626002B1 (ko) | 에폭시 수지 조성물 | |
CN108137904A (zh) | 底部填充用树脂组合物、电子部件装置和电子部件装置的制造方法 | |
CN109071922A (zh) | 密封用液状环氧树脂组合物及电子部件装置 | |
US20170130006A1 (en) | Thermosetting resin composition and molded body thereof | |
JP2015189848A (ja) | 電子部品用液状樹脂組成物及び電子部品装置 | |
KR102628332B1 (ko) | 경화성 수지 조성물, 전자 부품 장치 및 전자 부품 장치의 제조 방법 | |
CN110476243A (zh) | 电子电路用保护材料、电子电路用保护材料用密封材料、密封方法和半导体装置的制造方法 | |
JP6292334B1 (ja) | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP6288344B1 (ja) | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP6547819B2 (ja) | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 | |
WO2006038530A1 (ja) | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JP2018172599A (ja) | 液状封止材、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP6825643B2 (ja) | 電子部品用液状樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2022103215A (ja) | アンダーフィル材、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 | |
JP6930555B2 (ja) | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP6870706B2 (ja) | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 | |
CN110168016A (zh) | 液状环氧树脂密封材料及半导体装置 | |
JP6547818B2 (ja) | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2017197698A (ja) | コアシェル構造を有する粒子及びその製造方法 | |
JP2017066364A (ja) | 樹脂組成物 | |
JPWO2019004457A1 (ja) | 封止用樹脂組成物、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 | |
JP2019011409A (ja) | アンダーフィル材、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 | |
JP2019065224A (ja) | 硬化性樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 | |
JP2019065225A (ja) | 硬化性樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20191119 |