CN110471252A - 反向曝光辅助图形添加方法及其添加系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于半导体芯片线形测试版图的反向曝光辅助图形添加方法，包括：筛选出反向曝光辅助图形添加区域；根据测试版图边缘线之间距离，将反向曝光辅助图形添加区域划分为不同的反向曝光辅助图形添加类型；根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；获取基于OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值作为工艺窗口尺寸评判标准；对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准。本发明能提高各种线宽环境下主图形的工艺窗口，能避免添加相同参数SRAF造成对不同线宽环境下的主图形无法产生最优辅助图形的缺陷。

Description

反向曝光辅助图形添加方法及其添加系统
技术领域
本发明涉及一种半导体制造领域，特别是涉及一种用于半导体芯片线形测试版图通过添加亚分辨率曝光辅助图形(SRAF:Sub-resolution-assist-feature)来提高光刻工艺的分辨率的反向曝光辅助图形添加方法。本发明还涉及一种于半导体芯片线形测试版图通过添加亚分辨率曝光辅助图形来提高光刻工艺的分辨率的反向曝光辅助图形添加系统。
背景技术
随着半导体制造工艺技术节点的不断降低，通常会添加亚分辨率曝光辅助图形(SRAF:Sub-resolution-assist-feature)来提高光刻工艺的分辨率，图形的景深(DOF,depth of focus)，半密集(semi-dense)及孤立(iso)图形的工艺窗口。当图形尺寸不断接近光刻极限，工艺窗口越来越小，此时曝光辅助图形的优化，例如参数选择，放置位置等，也变得越来越重要，简单的规则式曝光辅助图形已经不能满足严苛的工艺窗口的要求。
传统的SRAF添加规则，是对不同环境下的版图添加相同参数分批的SRAF。但由于不同环境下SRAF被曝光到硅片上的风险是不同的，添加相同的参数SRAF对不同环境下的主图形不是最优的结果，因此不能最大限度的提高各个环境下主图形的工艺窗口。另外对于在版图上允许添加一根反向曝光辅助图形时，都是基于规则加在版图的中心位置，但中心位置不一定都是SRAF的最佳位置，可能会导致相同尺寸的SRAF在硅片上被曝出来，最终在选择SRAF尺寸时会往小尺寸的方向选择，这样会使得SRAF对主图形的作用减弱，对提高工艺窗口非常有限。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用于半导体芯片线形测试版图，相对现有技术能提高版图的工艺窗口，能增大曝光辅助图形尺寸的反向曝光辅助图形添加方法。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种用于半导体芯片线形测试版图，相对现有技术能提高版图的工艺窗口，能增大曝光辅助图形尺寸的反向曝光辅助图形添加系统。
为解决上述技术问题，本发明提供用于半导体芯片线形测试版图的反向曝光辅助图形添加方法，包括以下步骤：
S1，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出反向曝光辅助图形添加区域；
S2，根据测试版图边缘线之间距离，将反向曝光辅助图形添加区域划分为不同的反向曝光辅助图形添加类型；
S3，根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；
S4，获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值(PV-band)作为工艺窗口尺寸评判标准；
S5，对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。
进一步改进所述的反向曝光辅助图形添加方法，实施步骤S1时，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于N倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域，N＞1。
进一步改进所述的反向曝光辅助图形添加方法，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于2.5倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域。
进一步改进所述的反向曝光辅助图形添加方法，实施步骤S2时，采用以下方式划分添加类型；
D1≤(A×W1)，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第一类添加类型；
(A×W1)＜D1＜(B×W1)，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第二类添加类型；
(B×W1)≤D1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第三类添加类型；
其中，1＜A＜B，D1是测试版图两根边缘线之间距离，W1是边缘线的线宽。
进一步改进所述的反向曝光辅助图形添加方法，A＝3，B＝5。
进一步改进所述的反向曝光辅助图形添加方法，当线形测试版图边缘线只能添加一根反向曝光辅助图形时，在偏离线形测试版图边缘线中心的位置添加反向曝光辅助图形。只能添加一根反向曝光辅助图形时，将曝光辅助图形添加在偏离边缘线edge line中心的位置，能够增大曝光辅助图形的尺寸，不仅能够实现SRAF对主图形的最大作用效果，而且降低其在硅片上被曝光出来的风险。
本发明提供一种用于半导体芯片线形测试版图的反向曝光辅助图形添加系统，包括：
添加区域筛选模块，其通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出反向曝光辅助图形添加区域；
添加类型划分模块，其根据测试版图边缘线之间距离，将反向曝光辅助图形添加区域划分为不同的反向曝光辅助图形添加类型；
参数模块，其根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；
评判标准获取模块，其获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值(PV-band)作为工艺窗口尺寸评判标准；
辅助图形添加模块，其对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。
进一步改进所述的反向曝光辅助图形添加系统，添加区域筛选模块，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于N倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域，N＞1。
进一步改进所述的反向曝光辅助图形添加系统，添加区域筛选模块，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于2.5倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域。
进一步改进所述的反向曝光辅助图形添加系统，添加类型划分模块，采用以下方式划分添加类型；
D1≤(A×W1)，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第一类添加类型；
(A×W1)＜D1＜(B×W1)，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第二类添加类型；
(B×W1)≤D1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第三类添加类型；
其中，1＜A＜B，D1是测试版图两根边缘线之间距离，W1是边缘线的线宽。
进一步改进所述的反向曝光辅助图形添加系统，使A＝3，B＝5。
进一步改进所述的反向曝光辅助图形添加系统，辅助图形添加模块执行辅助图形添加时，当线形测试版图边缘线只能添加一根反向曝光辅助图形时，在偏离线形测试版图边缘线中心的位置添加反向曝光辅助图形。
本发明通过在线形测试版图边缘线(edge line)的线宽大于等于预设倍数相邻line的线宽区域添加反向曝光辅助图形，按边缘线和边缘线之间的距离不同，将线形版图的边缘线根据环境划分反向曝光辅助图形添加类型。根据已经建立的工艺窗口OPC(PWOPC)模型，确定曝光辅助图形主要参数的安全范围；利用OPC(PW OPC)模型及OPC结果检查程序，将得到的工艺波动带宽值(PV-band)用作工艺窗口尺寸的评判标准。针对不同反向曝光辅助图形添加类型分别优化曝光辅助图形添加规则。并且，当边缘线上只能添加一根反向曝光辅助图形时，在偏离边缘线中心的位置优化反向曝光辅助图形，使基于规则的结果不断逼近基于模型的参考目标，实现曝光辅助图形的规则优化。本发明通过划分不同添加区域的对版图分别进行优化，能够最大限度的提高版图的工艺窗口，能避免添加相同的参数SRAF造成对不同线宽环境下的主图形无法产生最优辅助图形的缺陷，能最大限度的提高各种线宽环境下主图形的工艺窗口，降低辅助图形在硅片上被曝光出来的风险。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是反向曝光辅助图形添加区域划分为第一类添加类型示意图。
图2是反向曝光辅助图形添加区域划分为第二类添加类型示意图。
图3是反向曝光辅助图形添加区域划分为第三类添加类型示意图。
图4是不同线宽环境下的边缘线添加相同参数的反向曝光辅助图形的光强曲线示意图。
图5是反向曝光辅助图形添加在边缘线中心和偏离中心位置时的光强曲线对比示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
本发明提供用于半导体芯片线形测试版图的反向曝光辅助图形添加方法第一实施例，包括以下步骤：
S1，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出反向曝光辅助图形添加区域；
S2，根据测试版图边缘线之间距离，将反向曝光辅助图形添加区域划分为不同的反向曝光辅助图形添加类型；
S3，根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；
S4，获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值(PV-band)作为工艺窗口尺寸评判标准；
S5，对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。
本发明反向曝光辅助图形添加方法第一实施例，将线形版图的边缘线根据线宽环境划分反向曝光辅助图形添加类型。根据已经建立的工艺窗口OPC(PW OPC)模型，确定曝光辅助图形主要参数的安全范围；利用OPC(PW OPC)模型及OPC结果检查程序，将得到的工艺波动带宽值(PV-band)用作工艺窗口尺寸的评判标准。针对不同反向曝光辅助图形添加类型分别优化曝光辅助图形添加规则。本发明第一实施例通过划分不同添加区域的对版图分别进行优化，能够最大限度的提高版图的工艺窗口，能避免添加相同的参数SRAF造成对不同线宽环境下的主图形无法产生最优辅助图形的缺陷，能最大限度的提高各种线宽环境下主图形的工艺窗口，降低辅助图形在硅片上被曝光出来的风险。
本发明提供用于半导体芯片线形测试版图的反向曝光辅助图形添加方法第二实施例，包括以下步骤：
S1，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于N倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域，N＞1。
S2，根据测试版图边缘线之间距离，将反向曝光辅助图形添加区域划分为不同的反向曝光辅助图形添加类型；
S3，根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；
S4，获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值(PV-band)作为工艺窗口尺寸评判标准；
S5，对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。
本发明提供用于半导体芯片线形测试版图的反向曝光辅助图形添加方法第三实施例，包括以下步骤：
S1，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于2.5倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域。
S2，根据测试版图边缘线之间距离，采用以下方式划分添加类型；
D1≤(A×W1)，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第一类添加类型；
(A×W1)＜D1＜(B×W1)，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第二类添加类型；
(B×W1)≤D1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第三类添加类型；
其中，1＜A＜B，D1是测试版图两根边缘线之间距离，W1是边缘线的线宽；
S3，根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；
S4，获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值(PV-band)作为工艺窗口尺寸评判标准；
S5，对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。
本发明提供用于半导体芯片线形测试版图的反向曝光辅助图形添加方法第四实施例，包括以下步骤：
S1，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于2.5倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域。
S2，根据测试版图边缘线之间距离，采用以下方式划分添加类型；
D1≤3W1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第一类添加类型；
3W1＜D1＜5W1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第二类添加类型；
5W1≤D1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第三类添加类型；
其中，D1是测试版图两根边缘线之间距离，W1是边缘线的线宽；
S3，根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；
S4，获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值(PV-band)作为工艺窗口尺寸评判标准；
S5，对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。
对本发明上述反向曝光辅助图形添加方法第一～第四实施例进行进一步改进，当线形测试版图边缘线只能添加一根反向曝光辅助图形时，在偏离线形测试版图边缘线中心的位置添加反向曝光辅助图形。只能添加一根反向曝光辅助图形时，将曝光辅助图形添加在偏离边缘线edge line中心的位置，能够增大曝光辅助图形的尺寸，不仅能够实现SRAF对主图形的最大作用效果，而且降低其在硅片上被曝光出来的风险。
本发明提供一种用于半导体芯片线形测试版图的反向曝光辅助图形添加系统第一实施例，本发明的反向曝光辅助图形添加系统可集成作为OPC修正的一个子系统执行，包括：
添加区域筛选模块，其通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出反向曝光辅助图形添加区域；
添加类型划分模块，其根据测试版图边缘线之间距离，将反向曝光辅助图形添加区域划分为不同的反向曝光辅助图形添加类型；
参数模块，其根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；
评判标准获取模块，其获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值(PV-band)作为工艺窗口尺寸评判标准；
辅助图形添加模块，其对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。
本发明反向曝光辅助图形添加系统第一实施例，将线形版图的边缘线根据线宽环境划分反向曝光辅助图形添加类型。根据已经建立的工艺窗口OPC(PW OPC)模型，确定曝光辅助图形主要参数的安全范围；利用OPC(PW OPC)模型及OPC结果检查程序，将得到的工艺波动带宽值(PV-band)用作工艺窗口尺寸的评判标准。针对不同反向曝光辅助图形添加类型分别优化曝光辅助图形添加规则。本发明第一实施例通过划分不同添加区域的对版图分别进行优化，能够最大限度的提高版图的工艺窗口，能避免添加相同的参数SRAF造成对不同线宽环境下的主图形无法产生最优辅助图形的缺陷，能最大限度的提高各种线宽环境下主图形的工艺窗口，降低辅助图形在硅片上被曝光出来的风险。
本发明提供一种用于半导体芯片线形测试版图的反向曝光辅助图形添加系统第二实施例，本发明的反向曝光辅助图形添加系统可集成作为OPC修正的一个子系统执行，包括：
添加区域筛选模块，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于N倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域，N＞1。
添加类型划分模块，采用以下方式划分添加类型；
D1≤(A×W1)，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第一类添加类型；
(A×W1)＜D1＜(B×W1)，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第二类添加类型；
(B×W1)≤D1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第三类添加类型；
其中，1＜A＜B，D1是测试版图两根边缘线之间距离，W1是边缘线的线宽。
参数模块，其根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；
评判标准获取模块，其获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值(PV-band)作为工艺窗口尺寸评判标准；
辅助图形添加模块，其对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。
本发明提供一种用于半导体芯片线形测试版图的反向曝光辅助图形添加系统第三实施例，本发明的反向曝光辅助图形添加系统可集成作为OPC修正的一个子系统执行，包括：
添加区域筛选模块，添加区域筛选模块，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于2.5倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域。
添加类型划分模块，采用以下方式划分添加类型；
D1≤3W1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第一类添加类型；
3W1＜D1＜5W1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第二类添加类型；
5W1≤D1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第三类添加类型；
其中，D1是测试版图两根边缘线之间距离，W1是边缘线的线宽。
参数模块，其根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；
评判标准获取模块，其获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值(PV-band)作为工艺窗口尺寸评判标准；
辅助图形添加模块，其对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。
对本发明上述反向曝光辅助图形添加系统第一～第三实施例进行进一步改进，辅助图形添加模块执行辅助图形添加时，当线形测试版图边缘线只能添加一根反向曝光辅助图形时，在偏离线形测试版图边缘线中心的位置添加反向曝光辅助图形。只能添加一根反向曝光辅助图形时，将曝光辅助图形添加在偏离边缘线edge line中心的位置，能够增大曝光辅助图形的尺寸，不仅能够实现SRAF对主图形的最大作用效果，而且降低其在硅片上被曝光出来的风险。
以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种反向曝光辅助图形添加方法，用于半导体芯片线形测试版图，其特征在于，包括以下步骤：
S1，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出反向曝光辅助图形添加区域；
S2，根据测试版图边缘线之间距离，将反向曝光辅助图形添加区域划分为不同的反向曝光辅助图形添加类型；
S3，根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；
S4，获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值作为工艺窗口尺寸评判标准；
S5，对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。
2.如权利要求1所述的反向曝光辅助图形添加方法，其特征在于：实施步骤S1时，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于N倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域，N＞1。
3.如权利要求2所述的反向曝光辅助图形添加方法，其特征在于：通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于2.5倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域。
4.如权利要求1所述的反向曝光辅助图形添加方法，其特征在于：实施步骤S2时，采用以下方式划分添加类型；
D1≤(A×W1)，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第一类添加类型；
(A×W1)＜D1＜(B×W1)，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第二类添加类型；
(B×W1)≤D1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第三类添加类型；
其中，1＜A＜B，D1是测试版图两根边缘线之间距离，W1是边缘线的线宽。
5.如权利要求4所述的反向曝光辅助图形添加方法，其特征在于：A＝3，B＝5。
6.如权利要求1所述的反向曝光辅助图形添加方法，其特征在于：
当线形测试版图边缘线只能添加一根反向曝光辅助图形时，在偏离线形测试版图边缘线中心的位置添加反向曝光辅助图形。
7.一种反向曝光辅助图形添加系统，用于半导体芯片线形测试版图，其特征在于，包括：
添加区域筛选模块，其通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出反向曝光辅助图形添加区域；
添加类型划分模块，其根据测试版图边缘线之间距离，将反向曝光辅助图形添加区域划分为不同的反向曝光辅助图形添加类型；
参数模块，其根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；
评判标准获取模块，其获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值(PV-band)作为工艺窗口尺寸评判标准；
辅助图形添加模块，其对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。
8.如权利要求1所述的反向曝光辅助图形添加系统，其特征在于：添加区域筛选模块，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于N倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域，N＞1。
9.如权利要求8所述的反向曝光辅助图形添加系统，其特征在于：添加区域筛选模块，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于2.5倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域。
10.如权利要求7所述的反向曝光辅助图形添加系统，其特征在于：添加类型划分模块，采用以下方式划分添加类型；
D1≤(A×W1)，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第一类添加类型；
(A×W1)＜D1＜(B×W1)，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第二类添加类型；
(B×W1)≤D1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第三类添加类型；
其中，1＜A＜B，D1是测试版图两根边缘线之间距离，W1是边缘线的线宽。
11.如权利要求10所述的反向曝光辅助图形添加系统，其特征在于：A＝3，B＝5。
12.如权利要求7所述的反向曝光辅助图形添加系统，其特征在于：辅助图形添加模块执行辅助图形添加时，当线形测试版图边缘线只能添加一根反向曝光辅助图形时，在偏离线形测试版图边缘线中心的位置添加反向曝光辅助图形。
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