JP2003318100A - マスクパターン及び照明条件の設定方法 - Google Patents
マスクパターン及び照明条件の設定方法Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクパターンと照明条件を比較的簡単に設
定する方法を提供する。 【解決手段】 所望のパターンと、当該所望のパターン
のよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマス
クを、前記所望のパターンが解像され、かつ、前記補助
パターンの解像が抑制されるように、複数種類の光で照
明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介
して投影する露光方法に適したマスクパターン及び照明
条件を設定する方法であって、前記所望のパターンのデ
ータを形成する工程と、前記補助パターンのデータを形
成する工程と、前記所望のパターンのデータ及び前記補
助パターンのデータに基づいて前記複数種類の光を使用
した照明の有効光源を規定する照明条件を設定する工程
と、前記所望のパターンが露光可能かどうかを判断する
工程とを有することを特徴とする。
定する方法を提供する。 【解決手段】 所望のパターンと、当該所望のパターン
のよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマス
クを、前記所望のパターンが解像され、かつ、前記補助
パターンの解像が抑制されるように、複数種類の光で照
明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介
して投影する露光方法に適したマスクパターン及び照明
条件を設定する方法であって、前記所望のパターンのデ
ータを形成する工程と、前記補助パターンのデータを形
成する工程と、前記所望のパターンのデータ及び前記補
助パターンのデータに基づいて前記複数種類の光を使用
した照明の有効光源を規定する照明条件を設定する工程
と、前記所望のパターンが露光可能かどうかを判断する
工程とを有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクパターン及
び前記マスクパターンに最適な照明条件を設定する方法
に係り、特に、所望のパターンと、当該所望のパターン
のよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマス
クを、前記所望のパターンが解像され、かつ、前記補助
パターンの解像が抑制されるように、複数種類の光で照
明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介
して投影する露光方法に適したマスクパターン及び照明
条件を設定する方法に関する。
び前記マスクパターンに最適な照明条件を設定する方法
に係り、特に、所望のパターンと、当該所望のパターン
のよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマス
クを、前記所望のパターンが解像され、かつ、前記補助
パターンの解像が抑制されるように、複数種類の光で照
明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介
して投影する露光方法に適したマスクパターン及び照明
条件を設定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】投影露光装置は、フォトリソグラフィ技
術を用いてＩＣやＬＳＩ及び液晶パネル等のデバイスを
製造する際に用いられる。投影露光装置を用いたフォト
リソグラフィ技術の微細化を行なうために、様々な改善
がおこなわれてきたが、一般的には投影露光装置の露光
波長を短くし、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくす
る方法が採用されてきた。
術を用いてＩＣやＬＳＩ及び液晶パネル等のデバイスを
製造する際に用いられる。投影露光装置を用いたフォト
リソグラフィ技術の微細化を行なうために、様々な改善
がおこなわれてきたが、一般的には投影露光装置の露光
波長を短くし、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくす
る方法が採用されてきた。
【０００３】露光波長を短くし、投影光学系のＮＡを大
きくすると解像力は良くなる。投影露光装置の性質上、
解像しやすいパターンと解像しにくいパターンがあり、
一般的に線パターン（以下、Ｌ／Ｓパターン）とコンタ
クトホールパターン（以下、Ｃ／Ｈパターン）を比較す
ると、Ｌ／Ｓパターンのほうが解像しやすいといわれて
いる。そのため、半導体チップなどに用いられるＬ／Ｓ
パターンの幅よりＣ／Ｈパターンの幅のほうが大きいの
が通常である。以上のことから、フォトリソグラフィ技
術の微細化における問題点は微細Ｃ／Ｈパターンの作成
であるということもできる。
きくすると解像力は良くなる。投影露光装置の性質上、
解像しやすいパターンと解像しにくいパターンがあり、
一般的に線パターン（以下、Ｌ／Ｓパターン）とコンタ
クトホールパターン（以下、Ｃ／Ｈパターン）を比較す
ると、Ｌ／Ｓパターンのほうが解像しやすいといわれて
いる。そのため、半導体チップなどに用いられるＬ／Ｓ
パターンの幅よりＣ／Ｈパターンの幅のほうが大きいの
が通常である。以上のことから、フォトリソグラフィ技
術の微細化における問題点は微細Ｃ／Ｈパターンの作成
であるということもできる。
【０００４】そこで、本発明者らは所望Ｃ／Ｈパターン
の周辺に所望Ｃ／Ｈパターンより小さなホール径を有す
るダミーＣ／Ｈパターンを配置して、所望Ｃ／Ｈパター
ンだけを解像させることにより微細Ｃ／Ｈを形成する方
法を研究している。
の周辺に所望Ｃ／Ｈパターンより小さなホール径を有す
るダミーＣ／Ｈパターンを配置して、所望Ｃ／Ｈパター
ンだけを解像させることにより微細Ｃ／Ｈを形成する方
法を研究している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記実施例によれば、
ダミーＣ／Ｈの入れ方により所望Ｃ／Ｈパターンの結像
状態が変化することがわかっている。本発明者の研究に
より、所望Ｃ／Ｈパターンの大きさや周期、所望Ｃ／Ｈ
パターンの配置などからダミーＣ／Ｈパターン挿入ルー
ルが明らかになった。ダミーＣ／Ｈの挿入ルールに従い
決定されたマスクパターンに対して適した照明系を選ば
ないと前期実施例の効果を十分に得ることができないこ
とも明らかにあった。ダミーＣ／Ｈパターンの挿入ルー
ルに従い決定されたマスクパターンに適した照明系を用
いてもマスク上の所望パターンが再現されないことがあ
る。その場合は、所望パターンを補正する必要が生じ
る。
ダミーＣ／Ｈの入れ方により所望Ｃ／Ｈパターンの結像
状態が変化することがわかっている。本発明者の研究に
より、所望Ｃ／Ｈパターンの大きさや周期、所望Ｃ／Ｈ
パターンの配置などからダミーＣ／Ｈパターン挿入ルー
ルが明らかになった。ダミーＣ／Ｈの挿入ルールに従い
決定されたマスクパターンに対して適した照明系を選ば
ないと前期実施例の効果を十分に得ることができないこ
とも明らかにあった。ダミーＣ／Ｈパターンの挿入ルー
ルに従い決定されたマスクパターンに適した照明系を用
いてもマスク上の所望パターンが再現されないことがあ
る。その場合は、所望パターンを補正する必要が生じ
る。
【０００６】実際のマスクにおいて、Ｃ／Ｈパターンの
利用個所は非常に多い。回路設計者が非常に多くのＣ／
Ｈパターンに対して上記の条件を満たすようにダミーＣ
／Ｈを挿入することは非常に困難である。
利用個所は非常に多い。回路設計者が非常に多くのＣ／
Ｈパターンに対して上記の条件を満たすようにダミーＣ
／Ｈを挿入することは非常に困難である。
【０００７】そこで、本発明は、マスクパターンと照明
条件を比較的簡単に設定する方法を提供することを例示
的目的とする。
条件を比較的簡単に設定する方法を提供することを例示
的目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の一側面としての方法は、所望のパターン
と、当該所望のパターンのよりも寸法の小さな補助パタ
ーンとが配列されたマスクを、前記所望のパターンが解
像され、かつ、前記補助パターンの解像が抑制されるよ
うに、複数種類の光で照明して前記マスクを経た光を被
露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に適した
マスクパターン及び照明条件を設定する方法であって、
前記所望のパターンのデータを形成する工程と、前記補
助パターンのデータを形成する工程と、前記所望のパタ
ーンのデータ及び前記補助パターンのデータに基づいて
前記複数種類の光を使用した照明の有効光源を規定する
照明条件を設定する工程と、前記所望のパターンが露光
可能かどうかを判断する工程とを有することを特徴とす
る。かかる方法は、マスクパターンと照明条件を所望の
パターンが露光可能な状態で設定することができる。
に、本発明の一側面としての方法は、所望のパターン
と、当該所望のパターンのよりも寸法の小さな補助パタ
ーンとが配列されたマスクを、前記所望のパターンが解
像され、かつ、前記補助パターンの解像が抑制されるよ
うに、複数種類の光で照明して前記マスクを経た光を被
露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に適した
マスクパターン及び照明条件を設定する方法であって、
前記所望のパターンのデータを形成する工程と、前記補
助パターンのデータを形成する工程と、前記所望のパタ
ーンのデータ及び前記補助パターンのデータに基づいて
前記複数種類の光を使用した照明の有効光源を規定する
照明条件を設定する工程と、前記所望のパターンが露光
可能かどうかを判断する工程とを有することを特徴とす
る。かかる方法は、マスクパターンと照明条件を所望の
パターンが露光可能な状態で設定することができる。
【０００９】前記判断工程が露光不能と判断した場合
に、前記所望のパターンの（形状や大きさの）データを
補正する工程を更に有してもよい。前記マスクパターン
のデータが所定の設計ルールを満たしているか否かを判
断する工程と、前記設計ルールを満たしてないならば前
記設計ルールを満たすように前記補正パターンを修正す
る工程を更に有してもよい。同様に、前記照明条件が所
定の設計ルールを満たしているか否かを判断する工程
と、前記設計ルールを満たしてないならば前記設計ルー
ルを満たすように前記照明条件を修正する工程を更に有
してもよい。
に、前記所望のパターンの（形状や大きさの）データを
補正する工程を更に有してもよい。前記マスクパターン
のデータが所定の設計ルールを満たしているか否かを判
断する工程と、前記設計ルールを満たしてないならば前
記設計ルールを満たすように前記補正パターンを修正す
る工程を更に有してもよい。同様に、前記照明条件が所
定の設計ルールを満たしているか否かを判断する工程
と、前記設計ルールを満たしてないならば前記設計ルー
ルを満たすように前記照明条件を修正する工程を更に有
してもよい。
【００１０】前記所望のパターンを複数の領域に分割
し、領域毎に前記各工程を適用し、各領域で得られた結
果に基づいて前記所望のマスクパターンを作成してもよ
い。前記照明条件設定工程は、複数種類の光学部材の中
から所望の光学部材（例えば、開口絞り）を照明系に選
択してもよい。前記照明条件設定工程は、開口絞りの開
口の形状及び大きさを所望のものに変更してもよい。
し、領域毎に前記各工程を適用し、各領域で得られた結
果に基づいて前記所望のマスクパターンを作成してもよ
い。前記照明条件設定工程は、複数種類の光学部材の中
から所望の光学部材（例えば、開口絞り）を照明系に選
択してもよい。前記照明条件設定工程は、開口絞りの開
口の形状及び大きさを所望のものに変更してもよい。
【００１１】本発明の別の側面としての方法は、所望の
パターンと、当該所望のパターンのよりも寸法の小さな
補助パターンとが配列されたマスクを、前記所望のパタ
ーンが解像され、かつ、前記補助パターンの解像が抑制
されるように、複数種類の光で照明して前記マスクを経
た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法
に適したマスクパターン及び照明条件を設定する方法で
あって、前記マスクパターンの最小ピッチを算出する工
程と、前記最小ピッチに基づいて前記複数種類の光を使
用した照明の有効光源を規定する照明条件を算出する工
程とを有することを特徴とする。かかる方法は、前記マ
スクパターンの最小ピッチに基づいて照明条件を算出す
る。かかる方法を実現するプログラムやそれに使用され
るデータベースも本発明の一側面を構成する。データベ
ースはシミュレーションによって作成されても実際に実
験を行って作成されてもよい。前記最小ピッチ算出工程
は、前記所望のパターンから前期最小ピッチを算出して
もよい。
パターンと、当該所望のパターンのよりも寸法の小さな
補助パターンとが配列されたマスクを、前記所望のパタ
ーンが解像され、かつ、前記補助パターンの解像が抑制
されるように、複数種類の光で照明して前記マスクを経
た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法
に適したマスクパターン及び照明条件を設定する方法で
あって、前記マスクパターンの最小ピッチを算出する工
程と、前記最小ピッチに基づいて前記複数種類の光を使
用した照明の有効光源を規定する照明条件を算出する工
程とを有することを特徴とする。かかる方法は、前記マ
スクパターンの最小ピッチに基づいて照明条件を算出す
る。かかる方法を実現するプログラムやそれに使用され
るデータベースも本発明の一側面を構成する。データベ
ースはシミュレーションによって作成されても実際に実
験を行って作成されてもよい。前記最小ピッチ算出工程
は、前記所望のパターンから前期最小ピッチを算出して
もよい。
【００１２】前記照明条件算出工程は、解像度Ｒ、開口
数ＮＡ、露光光源の波長λを利用してｋ１＝Ｒ・ＮＡ／
λで表されるｋ１に前記最小ピッチを換算した後で利用
してもよい。前記照明条件算出工程は、前記最小ピッチ
と前記照明条件との関係を定めるデータベースを参照す
ることによって前記照明条件を算出してもよい。
数ＮＡ、露光光源の波長λを利用してｋ１＝Ｒ・ＮＡ／
λで表されるｋ１に前記最小ピッチを換算した後で利用
してもよい。前記照明条件算出工程は、前記最小ピッチ
と前記照明条件との関係を定めるデータベースを参照す
ることによって前記照明条件を算出してもよい。
【００１３】前記方法は、前記所望のパターンが露光可
能かどうかを判断する工程を更に有し、前記所望のパタ
ーンが露光できないと判断した場合に、前記マスクの位
相、前記被露光体に塗布されるフォトレジストが感光す
る閾値、前記被露光体に塗布されるフォトレジスト、前
記有効光源の形状及びコヒーレンスファクターσ、前記
所望のパターンの大きさ又は形状、前記補助パターンな
どを変更してもよい。
能かどうかを判断する工程を更に有し、前記所望のパタ
ーンが露光できないと判断した場合に、前記マスクの位
相、前記被露光体に塗布されるフォトレジストが感光す
る閾値、前記被露光体に塗布されるフォトレジスト、前
記有効光源の形状及びコヒーレンスファクターσ、前記
所望のパターンの大きさ又は形状、前記補助パターンな
どを変更してもよい。
【００１４】前記所望のパターンは、第１のパターン
と、当該第１のパターンよりも最小ピッチの小さな第２
のパターンとを有し、前記照明条件算出工程は前記第２
のパターンの前記最小ピッチに基づいて前記照明条件を
算出してもよい。
と、当該第１のパターンよりも最小ピッチの小さな第２
のパターンとを有し、前記照明条件算出工程は前記第２
のパターンの前記最小ピッチに基づいて前記照明条件を
算出してもよい。
【００１５】本発明の更なる目的又はその他の特徴は、
以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によ
って明らかにされるであろう。
以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によ
って明らかにされるであろう。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態を説明する。ここで、図１は、本実施形
態のマスクパターン及び照明条件を設定する方法を説明
するためのフローチャートである。所望のＣ／Ｈパター
ンと、当該パターンのホール径よりも小さなホール径を
有するダミーＣ／Ｈとが配列されたマスクを形成し、所
望Ｃ／Ｈパターン部のみを解像させることによる露光方
法を露光方法Ｉと呼ぶことにする。
明の実施の形態を説明する。ここで、図１は、本実施形
態のマスクパターン及び照明条件を設定する方法を説明
するためのフローチャートである。所望のＣ／Ｈパター
ンと、当該パターンのホール径よりも小さなホール径を
有するダミーＣ／Ｈとが配列されたマスクを形成し、所
望Ｃ／Ｈパターン部のみを解像させることによる露光方
法を露光方法Ｉと呼ぶことにする。
【００１７】まず、始めに露光後に形成したいＣ／Ｈパ
ターンに応じて所望パターンがないところの透過率を０
とし、所望パターンがあるところの透過率を１として対
応する所望パターンデータ（Ｄｐｄ）を作成する（ステ
ップ１００２）。所望のパターンの設定後に使用される
マスクの種類（例えば、バイナリーマスク、ハーフトー
ンマスク、位相シフトマスクなど）が決定される（ステ
ップ１００４）。
ターンに応じて所望パターンがないところの透過率を０
とし、所望パターンがあるところの透過率を１として対
応する所望パターンデータ（Ｄｐｄ）を作成する（ステ
ップ１００２）。所望のパターンの設定後に使用される
マスクの種類（例えば、バイナリーマスク、ハーフトー
ンマスク、位相シフトマスクなど）が決定される（ステ
ップ１００４）。
【００１８】その後、一つは、露光方法Ｉに対するマス
クデータの作成方法において以下の工程を持つ。第１−
１の工程は、Ｄｐｄをもとに必要なダミーＣ／Ｈパター
ンデータ（Ｄｕｍ）を引き出し、露光方式Ｉに適したマ
スクデータ（Ｆｐｄ）を作成する。第１−２の工程は、
論理演算をもとにＤｕｍデータを作成し、Ｆｐｄを作成
する。第１−３の工程は、Ｆｐｄがマスクパターン設計
ルールを満たしているかを判定する。通常は第１−１も
しくは第１−２あるいはその両方の工程、第１−３の工
程の順で必要に応じて繰り返される。
クデータの作成方法において以下の工程を持つ。第１−
１の工程は、Ｄｐｄをもとに必要なダミーＣ／Ｈパター
ンデータ（Ｄｕｍ）を引き出し、露光方式Ｉに適したマ
スクデータ（Ｆｐｄ）を作成する。第１−２の工程は、
論理演算をもとにＤｕｍデータを作成し、Ｆｐｄを作成
する。第１−３の工程は、Ｆｐｄがマスクパターン設計
ルールを満たしているかを判定する。通常は第１−１も
しくは第１−２あるいはその両方の工程、第１−３の工
程の順で必要に応じて繰り返される。
【００１９】二つめは、露光方式Ｉに対応するマスクに
適した照明系の有効光源形状の設定方法に関するもので
以下の工程を持つ。第２−１の工程は、Ｆｐｄから露光
方式Ｉに適した照明系データ（Ｏｉ）を引き出してく
る。第２−２の工程は、Ｆｐｄから論理演算を行いＯｉ
を作成する。第２−３の工程はＤｐｄからＯｉを引き出
してくる。第２−４の工程は、Ｄｐｄから論理演算を行
いＯｉを作成する。第２−５の工程は、Ｏｉが照明モー
ド設計ルールを満たしているかを判定する。Ｆｐｄが決
まっていれば、第２−１の工程もしくは第２−２の工程
あるいはその両方の工程、第２−５の工程の順で必要に
応じて繰り返され、Ｆｐｄが決まっていなければ第２−
３の工程、もしくは第２−４の工程あるいはその両方の
工程、第２−５の工程の順で必要に応じて繰り返され
る。
適した照明系の有効光源形状の設定方法に関するもので
以下の工程を持つ。第２−１の工程は、Ｆｐｄから露光
方式Ｉに適した照明系データ（Ｏｉ）を引き出してく
る。第２−２の工程は、Ｆｐｄから論理演算を行いＯｉ
を作成する。第２−３の工程はＤｐｄからＯｉを引き出
してくる。第２−４の工程は、Ｄｐｄから論理演算を行
いＯｉを作成する。第２−５の工程は、Ｏｉが照明モー
ド設計ルールを満たしているかを判定する。Ｆｐｄが決
まっていれば、第２−１の工程もしくは第２−２の工程
あるいはその両方の工程、第２−５の工程の順で必要に
応じて繰り返され、Ｆｐｄが決まっていなければ第２−
３の工程、もしくは第２−４の工程あるいはその両方の
工程、第２−５の工程の順で必要に応じて繰り返され
る。
【００２０】ダミーパターンの挿入と照明条件の設定は
ステップ１００６で行われる。ステップ１００６の詳細
を図２に示す。図２（ａ）及び図２（ｂ）は、ダミーパ
ターンの挿入を説明するための２種類のフローチャート
を示しており、図２（ａ）は演算からダミーパターンの
データを作成し、図２（ｂ）はデータベースからダミー
パターンのデータを作成する。図２（ｃ）及び図２
（ｄ）は照明条件の設定を説明するための２種類のフロ
ーチャートを示しており、図２（ｃ）は演算から照明条
件を設定し、図２（ｄ）はデータベースから照明条件を
設定する。ステップ１００６では、図２（ａ）及び図２
（ｂ）と、図２（ｃ）及び図２（ｄ）とは任意の順番で
組み合わせ可能である。即ち、図２（ａ）から図２
（ｃ）又は図２（ｄ）のフローに移行する場合、図２
（ｂ）から図２（ｃ）又は図２（ｄ）のフローに移行す
る場合、図２（ｃ）から図２（ａ）又は図２（ｂ）のフ
ローに移行する場合、図２（ｄ）から図２（ａ）又は図
２（ｂ）のフローに移行する場合がある。
ステップ１００６で行われる。ステップ１００６の詳細
を図２に示す。図２（ａ）及び図２（ｂ）は、ダミーパ
ターンの挿入を説明するための２種類のフローチャート
を示しており、図２（ａ）は演算からダミーパターンの
データを作成し、図２（ｂ）はデータベースからダミー
パターンのデータを作成する。図２（ｃ）及び図２
（ｄ）は照明条件の設定を説明するための２種類のフロ
ーチャートを示しており、図２（ｃ）は演算から照明条
件を設定し、図２（ｄ）はデータベースから照明条件を
設定する。ステップ１００６では、図２（ａ）及び図２
（ｂ）と、図２（ｃ）及び図２（ｄ）とは任意の順番で
組み合わせ可能である。即ち、図２（ａ）から図２
（ｃ）又は図２（ｄ）のフローに移行する場合、図２
（ｂ）から図２（ｃ）又は図２（ｄ）のフローに移行す
る場合、図２（ｃ）から図２（ａ）又は図２（ｂ）のフ
ローに移行する場合、図２（ｄ）から図２（ａ）又は図
２（ｂ）のフローに移行する場合がある。
【００２１】図２（ａ）は、演算を行い（ステップ１１
０２）、ダミーホールをチェックし（ステップ１１０
４）、ダミーホールが所定の設計ルール内に作成されて
いれば終了し（ステップ１１１２）、ダミーホールが所
定の設計ルール内に作成されていなければ演算ステップ
に帰還することを所定回数だけ繰り返す（ステップ１１
０６、１１０８）。所定回数以内にダミーホールの作成
が合格とステップ１１０４で判断されなければ異常とし
て終了する（ステップ１１１０）。
０２）、ダミーホールをチェックし（ステップ１１０
４）、ダミーホールが所定の設計ルール内に作成されて
いれば終了し（ステップ１１１２）、ダミーホールが所
定の設計ルール内に作成されていなければ演算ステップ
に帰還することを所定回数だけ繰り返す（ステップ１１
０６、１１０８）。所定回数以内にダミーホールの作成
が合格とステップ１１０４で判断されなければ異常とし
て終了する（ステップ１１１０）。
【００２２】図２（ｂ）は、データベース（テーブルデ
ータ）を引き出し（ステップ１２０２）、ダミーホール
をチェックし、ダミーホールが所定の設計ルール内に作
成されていれば終了し（ステップ１２１２）、ダミーホ
ールが所定の設計ルール内に作成されていなければ演算
ステップに帰還することを所定回数だけ繰り返す（ステ
ップ１２０６、１２０８）。所定回数以内にダミーホー
ルの作成が合格とステップ１２０４で判断されなければ
異常として終了する（ステップ１２１０）。
ータ）を引き出し（ステップ１２０２）、ダミーホール
をチェックし、ダミーホールが所定の設計ルール内に作
成されていれば終了し（ステップ１２１２）、ダミーホ
ールが所定の設計ルール内に作成されていなければ演算
ステップに帰還することを所定回数だけ繰り返す（ステ
ップ１２０６、１２０８）。所定回数以内にダミーホー
ルの作成が合格とステップ１２０４で判断されなければ
異常として終了する（ステップ１２１０）。
【００２３】図２（ｂ）のステップに使用されるデータ
ベースの例を下の表１及び表２に示す。表１は、図１６
に示す有効光源の最大σが０．９２でａ＝０．７、ｂ＝
０．５でマスクパターンハーフピッチが１２０ｎｍであ
る場合、表２は、図１６に示す有効光源形状の最大σが
０．９２でａ＝０．７、ｂ＝０．５でマスクパターンハ
ーフピッチが１１０ｎｍである場合を示している。
ベースの例を下の表１及び表２に示す。表１は、図１６
に示す有効光源の最大σが０．９２でａ＝０．７、ｂ＝
０．５でマスクパターンハーフピッチが１２０ｎｍであ
る場合、表２は、図１６に示す有効光源形状の最大σが
０．９２でａ＝０．７、ｂ＝０．５でマスクパターンハ
ーフピッチが１１０ｎｍである場合を示している。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】図２（ｃ）は、演算を行い（ステップ１３
０２）、照明条件をチェックし（ステップ１３０４）、
照明条件が所定の設計ルール内に作成されていれば終了
し（ステップ１３１２）、照明条件が所定の設計ルール
内に作成されていなければ演算ステップに帰還すること
を所定回数だけ繰り返す（ステップ１３０６、１３０
８）。所定回数以内に照明条件の作成が合格とステップ
１３０４で判断されなければ異常として終了する（ステ
ップ１３１０）。
０２）、照明条件をチェックし（ステップ１３０４）、
照明条件が所定の設計ルール内に作成されていれば終了
し（ステップ１３１２）、照明条件が所定の設計ルール
内に作成されていなければ演算ステップに帰還すること
を所定回数だけ繰り返す（ステップ１３０６、１３０
８）。所定回数以内に照明条件の作成が合格とステップ
１３０４で判断されなければ異常として終了する（ステ
ップ１３１０）。
【００２７】図２（ｄ）は、データベース（テーブルデ
ータ）を引き出し（ステップ１４０２）、照明条件をチ
ェックし、照明条件が所定の設計ルール内に作成されて
いれば終了し（ステップ１４１２）、照明条件が所定の
設計ルール内に作成されていなければ演算ステップに帰
還することを所定回数だけ繰り返す（ステップ１４０
６、１４０８）。所定回数以内に照明条件の作成が合格
とステップ１４０４で判断されなければ異常として終了
する（ステップ１４１０）。
ータ）を引き出し（ステップ１４０２）、照明条件をチ
ェックし、照明条件が所定の設計ルール内に作成されて
いれば終了し（ステップ１４１２）、照明条件が所定の
設計ルール内に作成されていなければ演算ステップに帰
還することを所定回数だけ繰り返す（ステップ１４０
６、１４０８）。所定回数以内に照明条件の作成が合格
とステップ１４０４で判断されなければ異常として終了
する（ステップ１４１０）。
【００２８】三つめは、ＦｐｄとＯｉをもとに露光方式
Ｉの効果を検証することに関するもので以下の工程を持
つ。第３−１の工程は、Ｆｄｐに対してＯｉを用いたと
きに所望Ｃ／Ｈパターンが精度よく形成されるのかを判
定する。第３−２の工程は、Ｄｐｄを補正する。上記第
３−１から第３−２の工程は必要に応じて繰り返され
る。工程３−２ではＤｐｄを補正するので、Ｄｕｍの挿
入をやり直す必要がでる。この判断次第ではＤｐｄに補
正を入れた状態でステップ１００６に戻る必要性が生じ
る。露光方式Ｉは、ダミーＣ／Ｈパターンの数と大きさ
を変えることによって露光量を調節できるので、Ｄｐｄ
を分割して上記の工程を適用していき、最後に合成する
という方法をとっても良い。
Ｉの効果を検証することに関するもので以下の工程を持
つ。第３−１の工程は、Ｆｄｐに対してＯｉを用いたと
きに所望Ｃ／Ｈパターンが精度よく形成されるのかを判
定する。第３−２の工程は、Ｄｐｄを補正する。上記第
３−１から第３−２の工程は必要に応じて繰り返され
る。工程３−２ではＤｐｄを補正するので、Ｄｕｍの挿
入をやり直す必要がでる。この判断次第ではＤｐｄに補
正を入れた状態でステップ１００６に戻る必要性が生じ
る。露光方式Ｉは、ダミーＣ／Ｈパターンの数と大きさ
を変えることによって露光量を調節できるので、Ｄｐｄ
を分割して上記の工程を適用していき、最後に合成する
という方法をとっても良い。
【００２９】これらは、図１においてステップ１００８
及び１０１４においてなされる。チェックは、ダミーパ
ターンは解像されずに所望のパターンのみが精度良くが
解像されるかどうかで判断する。精度の度合いは一定の
基準に従い決まっているが、使用者が決めても良い。所
望のパターンのみが解像されるダミーパターンや照明条
件の候補が複数あれば、コントラストの大きい方、線幅
（クリティカルディメンジョン）の誤差ばらつきが小さ
い方が選択されることが好ましい。
及び１０１４においてなされる。チェックは、ダミーパ
ターンは解像されずに所望のパターンのみが精度良くが
解像されるかどうかで判断する。精度の度合いは一定の
基準に従い決まっているが、使用者が決めても良い。所
望のパターンのみが解像されるダミーパターンや照明条
件の候補が複数あれば、コントラストの大きい方、線幅
（クリティカルディメンジョン）の誤差ばらつきが小さ
い方が選択されることが好ましい。
【００３０】本発明の形態は、上記の工程を繰り返し、
ＦｐｄとＯｉを見出す繰り返し演算工程、およびＤｕｍ
とＯｉのテーブルとを備えたマスクデータおよび照明系
データの作成方法である。かかる繰り返しは、図１にお
いてステップ１０１６乃至１０２０に記載されている。
最終的に、図１に示す処理手順は、マスクパターンデー
タと照明条件が決定されるか（ステップ１０１０）、異
常として終了する（ステップ１０２４）。
ＦｐｄとＯｉを見出す繰り返し演算工程、およびＤｕｍ
とＯｉのテーブルとを備えたマスクデータおよび照明系
データの作成方法である。かかる繰り返しは、図１にお
いてステップ１０１６乃至１０２０に記載されている。
最終的に、図１に示す処理手順は、マスクパターンデー
タと照明条件が決定されるか（ステップ１０１０）、異
常として終了する（ステップ１０２４）。
【００３１】Ｄｐｄは、所望パターンがないところの透
過率を０とし、所望パターンがあるところの透過率を１
として決定される（バイナリーマスクの場合）。基本的
なＤｕｍの挿入方法はＤｐｄによって決定され、以下の
ようなルールが考えられる。
過率を０とし、所望パターンがあるところの透過率を１
として決定される（バイナリーマスクの場合）。基本的
なＤｕｍの挿入方法はＤｐｄによって決定され、以下の
ようなルールが考えられる。
【００３２】一般的にＤｕｍの形状には制限がないが、
正方形もしくは長方形が基本である。図９に模式的に示
したように、Ｄｐｄに対して一定の周期を形成するよう
に配置する。Ｄｐｄの周りに２周以上のＤｕｍがあると
効果的である。Ｄｕｍは重なってはいけない。図１０
（ａ）に模式的に示したように、Ｄｕｍの横方向・縦方
向の周期を同じにすると円形ホールを形成しやすくな
り、図１０（ｂ）に模式的に示したように縦方向・横方
向の周期を変えると楕円形のホールが形成しやすくな
る。
正方形もしくは長方形が基本である。図９に模式的に示
したように、Ｄｐｄに対して一定の周期を形成するよう
に配置する。Ｄｐｄの周りに２周以上のＤｕｍがあると
効果的である。Ｄｕｍは重なってはいけない。図１０
（ａ）に模式的に示したように、Ｄｕｍの横方向・縦方
向の周期を同じにすると円形ホールを形成しやすくな
り、図１０（ｂ）に模式的に示したように縦方向・横方
向の周期を変えると楕円形のホールが形成しやすくな
る。
【００３３】孤立Ｄｐｄに対しては以下のようなＤｕｍ
の挿入方法が考えられる。図１１に模式的に示したよう
に、孤立Ｄｐｄにはホール径をハーフピッチにしてＤｕ
ｍを挿入する。孤立Ｄｐｄは光量が弱いため、ハーフピ
ッチを縮めることも効果的に働く。図１２に模式的に示
したように、孤立Ｄｐｄの周辺にあるピッチを持ったＤ
ｐｄが混在するときは、前記のピッチにあわせてＤｕｍ
を挿入してもよい。
の挿入方法が考えられる。図１１に模式的に示したよう
に、孤立Ｄｐｄにはホール径をハーフピッチにしてＤｕ
ｍを挿入する。孤立Ｄｐｄは光量が弱いため、ハーフピ
ッチを縮めることも効果的に働く。図１２に模式的に示
したように、孤立Ｄｐｄの周辺にあるピッチを持ったＤ
ｐｄが混在するときは、前記のピッチにあわせてＤｕｍ
を挿入してもよい。
【００３４】周期的に並んでいるＤｐｄにはその周期を
くずさないようにＤｕｍを挿入する。上記のＤｕｍ挿入
ルールの基本的思想は、瞳面での回折光の分布を制御す
ることにある。例えば、図１３（ａ）に示したバイナリ
ーマスクの投影光学系の瞳面上での回折光分布は図１３
（ｂ）に示したようになるが、図１３（ａ）に示したバ
イナリーマスクにＤｕｍを挿入した図１４（ａ）のよう
なバイナリーマスクでは、瞳面上の回折光分布が図１４
（ｂ）に示したようになる。これにより、Ｄｕｍの挿入
により、特定の位置に所望の回折光を集めるように制御
できることがわかる。
くずさないようにＤｕｍを挿入する。上記のＤｕｍ挿入
ルールの基本的思想は、瞳面での回折光の分布を制御す
ることにある。例えば、図１３（ａ）に示したバイナリ
ーマスクの投影光学系の瞳面上での回折光分布は図１３
（ｂ）に示したようになるが、図１３（ａ）に示したバ
イナリーマスクにＤｕｍを挿入した図１４（ａ）のよう
なバイナリーマスクでは、瞳面上の回折光分布が図１４
（ｂ）に示したようになる。これにより、Ｄｕｍの挿入
により、特定の位置に所望の回折光を集めるように制御
できることがわかる。
【００３５】Ｏｉを決定するには、以下の方法が考えら
れる。バイナリーマスクの場合は図１６に模式的に示し
た有効光源分布を持つ照明系により照明するのがよく、
十字型の遮光領域を変えることにより結像性能を変化さ
せることができる。具体的には、図中のａ、ｂの値を変
えていくのが良い。さらに図１６において、最大σの値
を変えることも効果的である。位相シフトマスクには図
１７に模式的に示した照明系が良く、遮光領域の大きさ
を変えることが効果的である。ここでも、図中のａ、ｂ
の値を変えていくのが良い。図１７において、最大σを
変えることも効果的である。図１８は、いわゆる小σ照
明と大σ照明からなり、小σ照明の強度と大σ照明の強
度の比を変えたり、大σ照明の位置を変えることが効果
的である。Ｄｕｍを入れることで、擬似的に形成された
マスクパターンの周期が縦方向・横方向で明らかに違う
ときは図１６乃至図１８に模式的に示した９０度回転対
称な照明系でなくても良く、図１９に示したように１８
０度回転対象になるようにしてもよい。
れる。バイナリーマスクの場合は図１６に模式的に示し
た有効光源分布を持つ照明系により照明するのがよく、
十字型の遮光領域を変えることにより結像性能を変化さ
せることができる。具体的には、図中のａ、ｂの値を変
えていくのが良い。さらに図１６において、最大σの値
を変えることも効果的である。位相シフトマスクには図
１７に模式的に示した照明系が良く、遮光領域の大きさ
を変えることが効果的である。ここでも、図中のａ、ｂ
の値を変えていくのが良い。図１７において、最大σを
変えることも効果的である。図１８は、いわゆる小σ照
明と大σ照明からなり、小σ照明の強度と大σ照明の強
度の比を変えたり、大σ照明の位置を変えることが効果
的である。Ｄｕｍを入れることで、擬似的に形成された
マスクパターンの周期が縦方向・横方向で明らかに違う
ときは図１６乃至図１８に模式的に示した９０度回転対
称な照明系でなくても良く、図１９に示したように１８
０度回転対象になるようにしてもよい。
【００３６】ＦｄｐとＯｉが求まったとしても所望パタ
ーンが精度良く転写可能であるとは限らない。転写され
るべきパターンが特定の基準を満たしていないとき、も
ともとのＤｐｄに補正を入れる必要が生じる。これはい
わゆる光学近接補正（以下、ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎと呼ぶ）と
呼ばれる（ステップ１０１２）。所望パターンを精度良
く転写可能にするためには以下のような方法が考えられ
る。基本的には図１５に示したように、転写されるべき
パターンサイズが所望の値より小さかったらＤｐｄを大
きくするようにＯＰＣを入れ（図１５（ａ））、所望サ
イズより大きかったらＤｐｄを小さくするようにＯＰＣ
を入れる（図１５（ｄ））。Ｄｕｍを変えることも所望
パターンに作用するため、所望パターンサイズが所望の
値より小さかった場合、Ｄｐｄ近傍に配置してあるＤｕ
ｍを大きくしたり周期を小さくする、その逆で所望パタ
ーンサイズが所望の値より大きかった場合、Ｄｐｄ近傍
に配置してあるＤｕｍを小さくしたり周期を大きくする
などの方法もある。Ｄｐｄ近傍にあるＤｕｍの数を変え
て所望パターンに作用させても良く、Ｄｕｍの数を減ら
せば所望パターンの光量を小さくさせることができ、Ｄ
ｕｍの数を増やせば所望パターンの光量を大きくするこ
とができる。照明系を変えてもよい。例えば、バイナリ
ーマスクにおいては図１６に示した有効光源分布を持つ
照明系による照明が有効であるとされているが、遮光領
域の大きさを変えることでホール形状を丸くしたり、解
像力や焦点深度を変えることが可能になる。
ーンが精度良く転写可能であるとは限らない。転写され
るべきパターンが特定の基準を満たしていないとき、も
ともとのＤｐｄに補正を入れる必要が生じる。これはい
わゆる光学近接補正（以下、ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎと呼ぶ）と
呼ばれる（ステップ１０１２）。所望パターンを精度良
く転写可能にするためには以下のような方法が考えられ
る。基本的には図１５に示したように、転写されるべき
パターンサイズが所望の値より小さかったらＤｐｄを大
きくするようにＯＰＣを入れ（図１５（ａ））、所望サ
イズより大きかったらＤｐｄを小さくするようにＯＰＣ
を入れる（図１５（ｄ））。Ｄｕｍを変えることも所望
パターンに作用するため、所望パターンサイズが所望の
値より小さかった場合、Ｄｐｄ近傍に配置してあるＤｕ
ｍを大きくしたり周期を小さくする、その逆で所望パタ
ーンサイズが所望の値より大きかった場合、Ｄｐｄ近傍
に配置してあるＤｕｍを小さくしたり周期を大きくする
などの方法もある。Ｄｐｄ近傍にあるＤｕｍの数を変え
て所望パターンに作用させても良く、Ｄｕｍの数を減ら
せば所望パターンの光量を小さくさせることができ、Ｄ
ｕｍの数を増やせば所望パターンの光量を大きくするこ
とができる。照明系を変えてもよい。例えば、バイナリ
ーマスクにおいては図１６に示した有効光源分布を持つ
照明系による照明が有効であるとされているが、遮光領
域の大きさを変えることでホール形状を丸くしたり、解
像力や焦点深度を変えることが可能になる。
【００３７】本発明の大部分はコンピュータが実行可能
であるから、データ作成者は最終的にレジスト上に形成
したいパターンを作成して入力するのみで、その後のマ
スクパターンデータ及び照明条件の生成は上記手順でコ
ンピュータにより自動的に行なうことができるので、大
規模な半導体集積回路の設計においても最適なマスクパ
ターン及び照明条件を効率よく作成することができる。
膨大なマスクデータを一括して処理しなくとも、マスク
パターンデータを分割して処理でき、最後に合成すると
いう方法もとれるため、コンピュータにとっても都合が
よい。
であるから、データ作成者は最終的にレジスト上に形成
したいパターンを作成して入力するのみで、その後のマ
スクパターンデータ及び照明条件の生成は上記手順でコ
ンピュータにより自動的に行なうことができるので、大
規模な半導体集積回路の設計においても最適なマスクパ
ターン及び照明条件を効率よく作成することができる。
膨大なマスクデータを一括して処理しなくとも、マスク
パターンデータを分割して処理でき、最後に合成すると
いう方法もとれるため、コンピュータにとっても都合が
よい。
【００３８】ステップ１０１２では、その他、マスクの
種類（バイナリーマスク、ハーフトーンマスク、位相シ
フトマスク等）、被露光体に塗布されるフォトレジスト
が感光する閾値、前記被露光体に塗布されるフォトレジ
ストを変更して変更されたフォトレジストの閾値、有効
光源のコヒーレンスファクターσを変更してもよい。例
えば、位相シフトマスクは焦点深度を延ばしたり、線幅
誤差ばらつきを多少低減したりする効果があるのでバイ
ナリーマスクで焦点深度が足りない場合には位相シフト
マスクを変更することも効果的である。
種類（バイナリーマスク、ハーフトーンマスク、位相シ
フトマスク等）、被露光体に塗布されるフォトレジスト
が感光する閾値、前記被露光体に塗布されるフォトレジ
ストを変更して変更されたフォトレジストの閾値、有効
光源のコヒーレンスファクターσを変更してもよい。例
えば、位相シフトマスクは焦点深度を延ばしたり、線幅
誤差ばらつきを多少低減したりする効果があるのでバイ
ナリーマスクで焦点深度が足りない場合には位相シフト
マスクを変更することも効果的である。
【００３９】
【実施例１】本実施例で用いられた露光装置の露光光の
波長は２４８ｎｍで、開口数ＮＡは０．７３である。図
２０（ａ）のようなバイナリーマスクがあり、全てのＣ
／Ｈの大きさはウェハ上で１２０ｎｍであり、横方向に
は間隔１２０ｎｍ、縦方向には間隔３６０ｎｍであっ
た。これは横方向に周期２４０ｎｍ、縦方向に周期４８
０ｎｍであることを意味する。図２０（ｂ）のように、
縦方向・横方向それぞれに周期２４０ｎｍのダミーホー
ルを挿入した。このとき、所望パターンの３周までダミ
ーパターンを配置した。照明系は図１６において最大σ
を０．９２とし、ａ＝０．７、ｂ＝０．５としたときの
実験結果を図２１（ａ）に、ａ＝０．６、ｂ＝０．５と
したときの実験結果を図２２（ｂ）に示す。いずれの場
合も、像がきれいに形成されていることがわかる。この
ときのレジストはＴＯＫ−ＤＰ７４６ＨＣであるが、他
のレジスト、例えば、ＪＳＡ−ＫＲＦＭ１７０ＹやＵＶ
６−ＳＬなどでも像が形成されることを確かめてある。
波長は２４８ｎｍで、開口数ＮＡは０．７３である。図
２０（ａ）のようなバイナリーマスクがあり、全てのＣ
／Ｈの大きさはウェハ上で１２０ｎｍであり、横方向に
は間隔１２０ｎｍ、縦方向には間隔３６０ｎｍであっ
た。これは横方向に周期２４０ｎｍ、縦方向に周期４８
０ｎｍであることを意味する。図２０（ｂ）のように、
縦方向・横方向それぞれに周期２４０ｎｍのダミーホー
ルを挿入した。このとき、所望パターンの３周までダミ
ーパターンを配置した。照明系は図１６において最大σ
を０．９２とし、ａ＝０．７、ｂ＝０．５としたときの
実験結果を図２１（ａ）に、ａ＝０．６、ｂ＝０．５と
したときの実験結果を図２２（ｂ）に示す。いずれの場
合も、像がきれいに形成されていることがわかる。この
ときのレジストはＴＯＫ−ＤＰ７４６ＨＣであるが、他
のレジスト、例えば、ＪＳＡ−ＫＲＦＭ１７０ＹやＵＶ
６−ＳＬなどでも像が形成されることを確かめてある。
【００４０】図２０（ａ）に示したマスクパターンの横
方向の周期がウェハ上で２２０ｎｍ、縦方向の周期がウ
ェハ上で４４０ｎｍのときは、それぞれの方向に周期２
２０ｎｍでダミーホールを入れ図１６の照明において、
ａ＝０．７、ｂ＝０．５としたときもきれいな像を解像
できた。その結果を図２１（ｃ）に示す。
方向の周期がウェハ上で２２０ｎｍ、縦方向の周期がウ
ェハ上で４４０ｎｍのときは、それぞれの方向に周期２
２０ｎｍでダミーホールを入れ図１６の照明において、
ａ＝０．７、ｂ＝０．５としたときもきれいな像を解像
できた。その結果を図２１（ｃ）に示す。
【００４１】図２０（ａ）に示したマスクパターンの横
方向の周期がウェハ上で２００ｎｍ、縦方向の周期がウ
ェハ上で４００ｎｍのときは、それぞれの方向に周期２
００ｎｍでダミーホールを入図１６の照明において、ａ
＝０．８、ｂ＝０．６としたときもきれいな像を解像で
きた。その結果を図２１（ｄ）に示す。
方向の周期がウェハ上で２００ｎｍ、縦方向の周期がウ
ェハ上で４００ｎｍのときは、それぞれの方向に周期２
００ｎｍでダミーホールを入図１６の照明において、ａ
＝０．８、ｂ＝０．６としたときもきれいな像を解像で
きた。その結果を図２１（ｄ）に示す。
【００４２】上記実施例には所望パターンにＯＰＣを入
れてある。例えば、孤立ホールの強度が弱いため、若干
大きめに所望パターンを設定してある。
れてある。例えば、孤立ホールの強度が弱いため、若干
大きめに所望パターンを設定してある。
【００４３】
【実施例２】本実施例で仮定している露光装置の波長は
２４８ｎｍで、開口数は０．７３である。図２０（ａ）
に示したようなマスクが、強度の透過率６％のハーフト
ーンマスクであるとする。全てのＣ／Ｈの大きさはウェ
ハ上で１２０ｎｍであり、横方向には間隔１２０ｎｍ、
縦方向には間隔３６０ｎｍであった。これは横方向に周
期２４０ｎｍ、縦方向に周期４８０ｎｍであることを意
味する。図２０（ｂ）のように、縦方向・横方向それぞ
れに周期２４０ｎｍのダミーホールを挿入した。このと
き、所望パターンの３周までダミーパターンを配置し
た。照明系は図１６において最大σを０．９２とし、ａ
＝０．７、ｂ＝０．５としたときのシミュレーション結
果を図２２に示す。像がきれいに解像していることが確
認できる。
２４８ｎｍで、開口数は０．７３である。図２０（ａ）
に示したようなマスクが、強度の透過率６％のハーフト
ーンマスクであるとする。全てのＣ／Ｈの大きさはウェ
ハ上で１２０ｎｍであり、横方向には間隔１２０ｎｍ、
縦方向には間隔３６０ｎｍであった。これは横方向に周
期２４０ｎｍ、縦方向に周期４８０ｎｍであることを意
味する。図２０（ｂ）のように、縦方向・横方向それぞ
れに周期２４０ｎｍのダミーホールを挿入した。このと
き、所望パターンの３周までダミーパターンを配置し
た。照明系は図１６において最大σを０．９２とし、ａ
＝０．７、ｂ＝０．５としたときのシミュレーション結
果を図２２に示す。像がきれいに解像していることが確
認できる。
【００４４】
【実施例３】本実施例で仮定している露光装置の波長は
２４８ｎｍで、開口数は０．７３である。図２０（ａ）
に示したようなマスクにおいて、上下左右に互いに隣接
するホールの位相差が１８０度の位相シフトマスクであ
るとする。全てのＣ／Ｈの大きさはウェハ上で１２０ｎ
ｍであり、横方向には間隔１２０ｎｍ、縦方向には間隔
３６０ｎｍであった。これは横方向に周期２４０ｎｍ、
縦方向に周期４８０ｎｍであることを意味する。図２０
（ｂ）のように、縦方向・横方向それぞれに周期２４０
ｎｍのダミーホールを挿入し、互いに隣あうホールの位
相差が１８０度になるようにした。このとき、所望パタ
ーンの３周までダミーパターンを配置した。照明系は図
１７において最大σを０．９２とし、ａ＝０．２、ｂ＝
０．１としたときのシミュレーション結果を図２３に示
す。像がきれいに解像していることが確認できる。
２４８ｎｍで、開口数は０．７３である。図２０（ａ）
に示したようなマスクにおいて、上下左右に互いに隣接
するホールの位相差が１８０度の位相シフトマスクであ
るとする。全てのＣ／Ｈの大きさはウェハ上で１２０ｎ
ｍであり、横方向には間隔１２０ｎｍ、縦方向には間隔
３６０ｎｍであった。これは横方向に周期２４０ｎｍ、
縦方向に周期４８０ｎｍであることを意味する。図２０
（ｂ）のように、縦方向・横方向それぞれに周期２４０
ｎｍのダミーホールを挿入し、互いに隣あうホールの位
相差が１８０度になるようにした。このとき、所望パタ
ーンの３周までダミーパターンを配置した。照明系は図
１７において最大σを０．９２とし、ａ＝０．２、ｂ＝
０．１としたときのシミュレーション結果を図２３に示
す。像がきれいに解像していることが確認できる。
【００４５】
【実施例４】本実施例で仮定している露光装置の波長は
２４８ｎｍで、開口数は０．７３である。図２４（ａ）
に示すバイナリーマスクを考える。図２４（ａ）のマス
クには様々な周期でホール径がｓであるホールが混在し
ている。その結果、横方向には少なくとも２種類の周期
ｐとｐ’’’が混在している。縦方向にも少なくとも２
種類周期ｐ’とｐ’’が混在している。このようなマス
クの場合にも本発明は効果を示し、例えば図２４（ｂ）
に示すようにダミーホールを挿入すればよい。このダミ
ーホール挿入の原理は実施の形態で述べたことを組み合
わせた結果である。これらのダミーホールの挿入に加
え、図１６に示した照明形においてａとｂの値を変える
ことによって、通常では解像しないパターンまでも解像
させることができた。具体的には、ｐ＝２４０ｎｍ、
ｐ’’＝２８０ｎｍ、ｐ’＝２６０ｎｍ、ｐ’’’＝２
２０ｎｍのときに、ダミーホールがなく輪帯照明のとき
は孤立ホールが弱くなるため像がきれいに形成されな
い。対して、図２４（ｂ）に示すようにダミーホールを
挿入した場合は全ての像がきれいに解像した。このとき
の照明系は図１６において、ａ＝０．７、ｂ＝０．５で
あった。
２４８ｎｍで、開口数は０．７３である。図２４（ａ）
に示すバイナリーマスクを考える。図２４（ａ）のマス
クには様々な周期でホール径がｓであるホールが混在し
ている。その結果、横方向には少なくとも２種類の周期
ｐとｐ’’’が混在している。縦方向にも少なくとも２
種類周期ｐ’とｐ’’が混在している。このようなマス
クの場合にも本発明は効果を示し、例えば図２４（ｂ）
に示すようにダミーホールを挿入すればよい。このダミ
ーホール挿入の原理は実施の形態で述べたことを組み合
わせた結果である。これらのダミーホールの挿入に加
え、図１６に示した照明形においてａとｂの値を変える
ことによって、通常では解像しないパターンまでも解像
させることができた。具体的には、ｐ＝２４０ｎｍ、
ｐ’’＝２８０ｎｍ、ｐ’＝２６０ｎｍ、ｐ’’’＝２
２０ｎｍのときに、ダミーホールがなく輪帯照明のとき
は孤立ホールが弱くなるため像がきれいに形成されな
い。対して、図２４（ｂ）に示すようにダミーホールを
挿入した場合は全ての像がきれいに解像した。このとき
の照明系は図１６において、ａ＝０．７、ｂ＝０．５で
あった。
【００４６】
【実施例５】図２５（ａ）に示すように、周期がｐのパ
ターンが間隔２ｐ＋ｐ’で並んでいるマスクを考える。
ただし、ｐは０．５＜ｋ１＜１．０に相当する周期で、
ｐ’は１．０＜ｋ１＜１．５に相当する周期であるとす
る。ここで、解像度をＲ、開口数をＮＡ、露光光源の波
長をλとするとｋ１＝Ｒ・ＮＡ／λで表される。各パタ
ーンに２周分だけ周期ｐでダミーホールを入れていった
とき、ダミーホール間隔がｐ’−ｐになるところが現れ
る。このようなダミーホールは、互いの近接効果が働き
レジストを感光させてしまう恐れがある。そのようなこ
とを避けるため、図２５（ｂ）に示すように、一部に
ｐ’／２の周期を持つようにダミーホールを配置した。
このように配置されたダミーホールは隣接するダミーホ
ールに近接効果を及ぼすため、間接的に所望パターンに
も効果を及ぼすことが確認された。特に、焦点深度など
の改善がみられた。
ターンが間隔２ｐ＋ｐ’で並んでいるマスクを考える。
ただし、ｐは０．５＜ｋ１＜１．０に相当する周期で、
ｐ’は１．０＜ｋ１＜１．５に相当する周期であるとす
る。ここで、解像度をＲ、開口数をＮＡ、露光光源の波
長をλとするとｋ１＝Ｒ・ＮＡ／λで表される。各パタ
ーンに２周分だけ周期ｐでダミーホールを入れていった
とき、ダミーホール間隔がｐ’−ｐになるところが現れ
る。このようなダミーホールは、互いの近接効果が働き
レジストを感光させてしまう恐れがある。そのようなこ
とを避けるため、図２５（ｂ）に示すように、一部に
ｐ’／２の周期を持つようにダミーホールを配置した。
このように配置されたダミーホールは隣接するダミーホ
ールに近接効果を及ぼすため、間接的に所望パターンに
も効果を及ぼすことが確認された。特に、焦点深度など
の改善がみられた。
【００４７】
【実施例６】本実施例では、演算によりダミーホールを
決定する。まず、図３に示されたような所望パターンが
与えられたとする。図３において、横方向の周期ｐは２
４０ｎｍで縦方向の周期は２ｐであるとする。ホール径
ｓはｐ／２であるとする。所望パターンに対応して、マ
スクデータがないところの透過率が０、マスクパターン
があるところの透過率を１としてマスクパターンを決定
する。こうして出来たマスクパターンが図４（ａ）であ
る。
決定する。まず、図３に示されたような所望パターンが
与えられたとする。図３において、横方向の周期ｐは２
４０ｎｍで縦方向の周期は２ｐであるとする。ホール径
ｓはｐ／２であるとする。所望パターンに対応して、マ
スクデータがないところの透過率が０、マスクパターン
があるところの透過率を１としてマスクパターンを決定
する。こうして出来たマスクパターンが図４（ａ）であ
る。
【００４８】ダミーホール配置は所望パターンから決め
ることができる。ダミーホール配置には様々なルールが
あることは先に述べたとおりで、図６に示したような経
験則も得られている。まず、図６（ａ）は、所望のパタ
ーンからダミーホールのホール径を設定する方法を示す
フローチャートである。まず、所望のパターンの最小ハ
ーフピッチｐに対応するｋ１が０．２５×√２よりも小
さいかどうかを判断して（ステップ２００２）、そうで
あればダミーホールの大きさをｐの７５％とし（ステッ
プ２００４）、そうでなければダミーホールの大きさを
ｋ１が０．２５以下に相当するように設定する（ステッ
プ２００６）。なぜこのような経験則が得られたのかに
ついて説明する。一般的なデンスコンタクトホールをバ
イナリーマスクで露光するとき、回折光は図２８に示し
たように発生する。２次元的に分布する回折光の呼び方
を図２８に示したように呼ぶことにする。ここでは、話
を簡単にするため、照明系の最大σは１とする。（１，
０）次光もしくは（０，１）次光が瞳に入るにはｐに対
応するｋ１が０．２５以上でなくてはならない。対し
て、（１，１）次光が瞳面内に入るためにはｐに対応す
るｋ１が０．２５×√２以上でなくてはならない。この
ため、コンタクトホールはｐに対応するｋ１が０．２５
×√２以下になると極端に解像が困難になる。そのた
め、ｐに対応するｋ１が０．２５×√２というところで
分岐条件を設けるのはあながち間違ったことではない。
ｐに対応するｋ１が０．２５×√２より小さいときは解
像が困難になるため、ダミーホールの大きさをｐの７５
％と比較的大きな値にしてもダミーホールは解像しにく
い。対して、ｐに対応するｋ１が０．２５×√２より大
きいときはダミーホールの大きさを、解像しにくい大き
さであるｋ１が０．２５以下に設定するのが良い。これ
らは照明系の最大σが１のときの話である。実際の露光
装置において、照明系の最大σをσｍａｘとしたときσ
ｍａｘは１より小さいのが普通である。その結果、ｐに
対応するｋ１が０．２５×√２／σｍａｘ以下になると
極端に解像が困難になる。よって、ｐに対応するｋ１が
０．２５×√２／σｍａｘ以下というところを分岐条件
にしてもよい。
ることができる。ダミーホール配置には様々なルールが
あることは先に述べたとおりで、図６に示したような経
験則も得られている。まず、図６（ａ）は、所望のパタ
ーンからダミーホールのホール径を設定する方法を示す
フローチャートである。まず、所望のパターンの最小ハ
ーフピッチｐに対応するｋ１が０．２５×√２よりも小
さいかどうかを判断して（ステップ２００２）、そうで
あればダミーホールの大きさをｐの７５％とし（ステッ
プ２００４）、そうでなければダミーホールの大きさを
ｋ１が０．２５以下に相当するように設定する（ステッ
プ２００６）。なぜこのような経験則が得られたのかに
ついて説明する。一般的なデンスコンタクトホールをバ
イナリーマスクで露光するとき、回折光は図２８に示し
たように発生する。２次元的に分布する回折光の呼び方
を図２８に示したように呼ぶことにする。ここでは、話
を簡単にするため、照明系の最大σは１とする。（１，
０）次光もしくは（０，１）次光が瞳に入るにはｐに対
応するｋ１が０．２５以上でなくてはならない。対し
て、（１，１）次光が瞳面内に入るためにはｐに対応す
るｋ１が０．２５×√２以上でなくてはならない。この
ため、コンタクトホールはｐに対応するｋ１が０．２５
×√２以下になると極端に解像が困難になる。そのた
め、ｐに対応するｋ１が０．２５×√２というところで
分岐条件を設けるのはあながち間違ったことではない。
ｐに対応するｋ１が０．２５×√２より小さいときは解
像が困難になるため、ダミーホールの大きさをｐの７５
％と比較的大きな値にしてもダミーホールは解像しにく
い。対して、ｐに対応するｋ１が０．２５×√２より大
きいときはダミーホールの大きさを、解像しにくい大き
さであるｋ１が０．２５以下に設定するのが良い。これ
らは照明系の最大σが１のときの話である。実際の露光
装置において、照明系の最大σをσｍａｘとしたときσ
ｍａｘは１より小さいのが普通である。その結果、ｐに
対応するｋ１が０．２５×√２／σｍａｘ以下になると
極端に解像が困難になる。よって、ｐに対応するｋ１が
０．２５×√２／σｍａｘ以下というところを分岐条件
にしてもよい。
【００４９】図６（ｂ）はダミーホールパターンの周期
決定方法を説明するためのフローチャートである。図６
（ｂ）において、ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４は使用者が決
めてよい。理論的にはｇ１＝０．２５、ｇ２＝０．５
０、ｇ３＝２×ｇ２、ｇ４＝２×ｇ２がよい。理論的な
ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４の意味について説明する。ｇ１
を０．２５に設定する理由は解像限界だからである。ｇ
２を０．５に設定した理由は１次回折光が瞳内に入る条
件だからで、これ以上大きいパターンは比較的楽に解像
する。ｇ３はパターン周期を表すので、もしｇ２の２倍
以上のｇ３ならば比較的楽に解像することができ、ある
整数で割ることによりｇ２以上ｇ３以下の周期を擬似的
に作れるようにダミーホールを挿入すればよいので、ｇ
３はｇ２の２倍にすればよい。ｇ４もｇ３と同じ理由で
ある。もっとも、過去の経験や露光装置の性能を考慮し
てそれぞれの値を変えてもよい。例えば、露光装置に設
定されている最大σやレジストの種類などが考慮され
る。本実施例では、キヤノンＦＰＡ−５０００ＥＳなる
露光装置（波長２４５ｎｍ、開口数０．７３）とＴＯＫ
−ＤＰ７４６ＨＣというレジストを使用した結果、ｇ１
＝０．３０、ｇ２＝０．４５、ｇ３＝１．２、ｇ４＝
０．９としても解が収束した。これらを考慮し、所望パ
ターンがある場所にもダミーホールの配置だけを決定し
てしまう。そうして決定されたダミーホール配置グリッ
ドが図４（ｂ）である。具体的には、本実施例において
ホール径は１２０ｎｍなので、異常終了することはな
い。最小ホール径１２０ｎｍのｋ１は約０．３５なの
で、ｇ１以上ｇ２以下である。パターン周期Ｐ１は２４
０ｎｍであるので、Ｐ２も２４０ｎｍである。パターン
周期Ｐ２はｋ１で約０．７０なのでｇ３以上に相当しな
い。その結果、周期Ｐ２＝２４０ｎｍでダミーホールを
挿入すればよい。ダミーホールの大きさは最小ハーフピ
ッチの大きさが０．２５×√２以下なので、１２０ｎｍ
の７５％である９０ｎｍにすればよい。
決定方法を説明するためのフローチャートである。図６
（ｂ）において、ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４は使用者が決
めてよい。理論的にはｇ１＝０．２５、ｇ２＝０．５
０、ｇ３＝２×ｇ２、ｇ４＝２×ｇ２がよい。理論的な
ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４の意味について説明する。ｇ１
を０．２５に設定する理由は解像限界だからである。ｇ
２を０．５に設定した理由は１次回折光が瞳内に入る条
件だからで、これ以上大きいパターンは比較的楽に解像
する。ｇ３はパターン周期を表すので、もしｇ２の２倍
以上のｇ３ならば比較的楽に解像することができ、ある
整数で割ることによりｇ２以上ｇ３以下の周期を擬似的
に作れるようにダミーホールを挿入すればよいので、ｇ
３はｇ２の２倍にすればよい。ｇ４もｇ３と同じ理由で
ある。もっとも、過去の経験や露光装置の性能を考慮し
てそれぞれの値を変えてもよい。例えば、露光装置に設
定されている最大σやレジストの種類などが考慮され
る。本実施例では、キヤノンＦＰＡ−５０００ＥＳなる
露光装置（波長２４５ｎｍ、開口数０．７３）とＴＯＫ
−ＤＰ７４６ＨＣというレジストを使用した結果、ｇ１
＝０．３０、ｇ２＝０．４５、ｇ３＝１．２、ｇ４＝
０．９としても解が収束した。これらを考慮し、所望パ
ターンがある場所にもダミーホールの配置だけを決定し
てしまう。そうして決定されたダミーホール配置グリッ
ドが図４（ｂ）である。具体的には、本実施例において
ホール径は１２０ｎｍなので、異常終了することはな
い。最小ホール径１２０ｎｍのｋ１は約０．３５なの
で、ｇ１以上ｇ２以下である。パターン周期Ｐ１は２４
０ｎｍであるので、Ｐ２も２４０ｎｍである。パターン
周期Ｐ２はｋ１で約０．７０なのでｇ３以上に相当しな
い。その結果、周期Ｐ２＝２４０ｎｍでダミーホールを
挿入すればよい。ダミーホールの大きさは最小ハーフピ
ッチの大きさが０．２５×√２以下なので、１２０ｎｍ
の７５％である９０ｎｍにすればよい。
【００５０】ダミーホールは図５（ａ）に模式的に示し
たように重なってはいけないため、この場合は挿入ルー
ルを見直す必要がある。図５（ｂ）に模式的に示したよ
うに、隣接するダミーホールが密着している場合も挿入
ルールをみなおす必要がある。図５（ｃ）のように隣あ
う間隔がｋ１＜０．２５であったときは現時点では無視
してよい。図４（ｂ）から所望パターン部に対応する部
分に置かれているダミーホールを演算により排除したマ
スクパターンが図４（ｃ）である。図４（ｃ）と図４
（ａ）のマスクパターンを演算により合成すると、本露
光方式に適したマスク図４（ｄ）ができ上がる。こうし
て得られたマスクパターンを用いて、照明系の最適化を
おこない所望パターンを得ることができた。
たように重なってはいけないため、この場合は挿入ルー
ルを見直す必要がある。図５（ｂ）に模式的に示したよ
うに、隣接するダミーホールが密着している場合も挿入
ルールをみなおす必要がある。図５（ｃ）のように隣あ
う間隔がｋ１＜０．２５であったときは現時点では無視
してよい。図４（ｂ）から所望パターン部に対応する部
分に置かれているダミーホールを演算により排除したマ
スクパターンが図４（ｃ）である。図４（ｃ）と図４
（ａ）のマスクパターンを演算により合成すると、本露
光方式に適したマスク図４（ｄ）ができ上がる。こうし
て得られたマスクパターンを用いて、照明系の最適化を
おこない所望パターンを得ることができた。
【００５１】
【実施例７】本実施例では、テーブルによりダミーホー
ルを決定する。図３に示されたような所望パターンが与
えられたとする。図３において、横方向の周期は０．５
＜ｋ１＜１．０に対応するｐで縦方向の周期は２ｐであ
るとする。ホール径ｓはｐ／２であるとする。図６は経
験則によって得られたダミーホールの大きさと周期の決
定方法であり、これに従ってダミーパターンの大きさを
挿入するわけであるが、このときはまだ所望パターンに
対するマスクを考慮していない。図６に示したようなル
ールに従って用意されているダミーホールの挿入テーブ
ルから所望パターン最小ピッチに対応して所望パターン
とダミーホールパターンを一度に作成する方法がある。
このような方法でも図４（ｄ）のようなマスクパターン
が得られ、そのマスクに適した照明系を選ぶことによっ
て所望パターンを露光することができた。
ルを決定する。図３に示されたような所望パターンが与
えられたとする。図３において、横方向の周期は０．５
＜ｋ１＜１．０に対応するｐで縦方向の周期は２ｐであ
るとする。ホール径ｓはｐ／２であるとする。図６は経
験則によって得られたダミーホールの大きさと周期の決
定方法であり、これに従ってダミーパターンの大きさを
挿入するわけであるが、このときはまだ所望パターンに
対するマスクを考慮していない。図６に示したようなル
ールに従って用意されているダミーホールの挿入テーブ
ルから所望パターン最小ピッチに対応して所望パターン
とダミーホールパターンを一度に作成する方法がある。
このような方法でも図４（ｄ）のようなマスクパターン
が得られ、そのマスクに適した照明系を選ぶことによっ
て所望パターンを露光することができた。
【００５２】
【実施例８】本実施例では、演算により照明系を決定す
る。演算またはテーブルによりダミーホールが挿入され
たマスクデータがあるとする。本露光方式における照明
系では、図７（ａ）に模式的に示した所望パターンを解
像させる照明部分と図７（ｂ）に模式的に示したダミー
ホールを押さえつける役割を果たす照明部分からなる。
図７（ａ）に示した照明部分と図７（ｂ）に示した照明
部分を演算で足し合わせ、もし重なり部分があれば、重
なり部ではどちらか一方の照明系を採用する。こうして
得られた照明系の、図７（ｃ）で示した最大σより大き
い領域にある部分を演算により取り除いてできた照明系
が図７（ｄ）である。こうして得られた照明系を用いた
とき、所望パターンをきれいに解像することができた。
る。演算またはテーブルによりダミーホールが挿入され
たマスクデータがあるとする。本露光方式における照明
系では、図７（ａ）に模式的に示した所望パターンを解
像させる照明部分と図７（ｂ）に模式的に示したダミー
ホールを押さえつける役割を果たす照明部分からなる。
図７（ａ）に示した照明部分と図７（ｂ）に示した照明
部分を演算で足し合わせ、もし重なり部分があれば、重
なり部ではどちらか一方の照明系を採用する。こうして
得られた照明系の、図７（ｃ）で示した最大σより大き
い領域にある部分を演算により取り除いてできた照明系
が図７（ｄ）である。こうして得られた照明系を用いた
とき、所望パターンをきれいに解像することができた。
【００５３】
【実施例９】本実施例では、テーブルにより照明系を決
定する。テーブルは経験的に得られている。例えば、バ
イナリーマスクを用いた本露光方式において適した照明
系は図１６に示した照明形になるわけであるが、ａの値
は最小ハーフピッチに対応するｋ１を求めたとき、
（（１／ｋ１）／２−０．１）／２にすれば解に近いこ
とを見出した。これは実施例１からもわかる。ｂの果た
す役割はダミーパターンを解像させないためである。こ
れも経験的に最小ピッチに対するｋ１が０．２５×√２
以下のときは０．５以上であることが適していることが
わかっている。最小ピッチに対するｋ１が０．２５×√
２以上のときは比較的所望パターンが解像しやすいた
め、ｂの値に気を使う必要があまりない。そのため、
（（１／ｋ１）／２−０．１）／２以下であれば良く、
通常は（（１／ｋ１）／２−０．１）／２−０．１とし
たところで差し支えがない。このようなルールをもとに
作成されたテーブルからａとｂの値を引き出して導き出
した照明系を用いて所望パターンをきれいに解像するこ
とができた。さらに、図２９、図３０に示したようなテ
ーブルデータを活用してもよい。このテーブルデータは
シミュレーションにより得られたものであるが、実験よ
り得られたデータをテーブルデータにしてもよい。図２
９、図３０のテーブルデータは図１６のａ、ｂの値にお
けるコントラストの変化を１２０ｎｍ、１１０ｎｍのパ
ターンについて調べたものである。このように用意され
たテーブルデータからマスクパターンにあった照明系を
選んできても所望パターンをきれいに解像することがで
きた。
定する。テーブルは経験的に得られている。例えば、バ
イナリーマスクを用いた本露光方式において適した照明
系は図１６に示した照明形になるわけであるが、ａの値
は最小ハーフピッチに対応するｋ１を求めたとき、
（（１／ｋ１）／２−０．１）／２にすれば解に近いこ
とを見出した。これは実施例１からもわかる。ｂの果た
す役割はダミーパターンを解像させないためである。こ
れも経験的に最小ピッチに対するｋ１が０．２５×√２
以下のときは０．５以上であることが適していることが
わかっている。最小ピッチに対するｋ１が０．２５×√
２以上のときは比較的所望パターンが解像しやすいた
め、ｂの値に気を使う必要があまりない。そのため、
（（１／ｋ１）／２−０．１）／２以下であれば良く、
通常は（（１／ｋ１）／２−０．１）／２−０．１とし
たところで差し支えがない。このようなルールをもとに
作成されたテーブルからａとｂの値を引き出して導き出
した照明系を用いて所望パターンをきれいに解像するこ
とができた。さらに、図２９、図３０に示したようなテ
ーブルデータを活用してもよい。このテーブルデータは
シミュレーションにより得られたものであるが、実験よ
り得られたデータをテーブルデータにしてもよい。図２
９、図３０のテーブルデータは図１６のａ、ｂの値にお
けるコントラストの変化を１２０ｎｍ、１１０ｎｍのパ
ターンについて調べたものである。このように用意され
たテーブルデータからマスクパターンにあった照明系を
選んできても所望パターンをきれいに解像することがで
きた。
【００５４】
【実施例１０】本実施例では、ある所望パターンに対し
て先に照明系を決定した後にダミーホールを形成する。
本実施例で用いられた露光装置の波長は２４８ｎｍで、
開口数は０．７３である。
て先に照明系を決定した後にダミーホールを形成する。
本実施例で用いられた露光装置の波長は２４８ｎｍで、
開口数は０．７３である。
【００５５】図３に模式的に示したような所望パターン
を得たいとする。ここで、すべてのホール径は１１０ｎ
ｍであるとし、横方向のホール間隔は１１０ｎｍ、縦方
向のホール間隔は３３０ｎｍであるとする。
を得たいとする。ここで、すべてのホール径は１１０ｎ
ｍであるとし、横方向のホール間隔は１１０ｎｍ、縦方
向のホール間隔は３３０ｎｍであるとする。
【００５６】所望パターンの配置に応じてダミーホール
を挿入することにより瞳面での回折光の分布を制御でき
ることは先に述べたとおりである。ダミーホール挿入は
もともとの所望パターンの周期を効果的にするので瞳面
での回折光を制御できる。ダミーホールがなくとも所望
パターンの周期に応じて回折光が発生するので、ダミー
ホールを挿入する前に所望パターンの周期に応じて照明
系を決めてもよい。このようにして決められた照明系は
ダミーパターンがなくとも解像力を向上させる効果があ
る。
を挿入することにより瞳面での回折光の分布を制御でき
ることは先に述べたとおりである。ダミーホール挿入は
もともとの所望パターンの周期を効果的にするので瞳面
での回折光を制御できる。ダミーホールがなくとも所望
パターンの周期に応じて回折光が発生するので、ダミー
ホールを挿入する前に所望パターンの周期に応じて照明
系を決めてもよい。このようにして決められた照明系は
ダミーパターンがなくとも解像力を向上させる効果があ
る。
【００５７】例えば、本実施例のマスクにダミーホール
がないとき最大σが０．９２である２／３輪帯照明で露
光を行なったときの実験結果を図８（ａ）に紹介する。
図８（ａ）を見てわかるとおり、所望パターンが解像し
ていない。対して、図１６の照明において最大σ０．９
２、ａ＝０．７、ｂ＝０．５となる照明系を用いて露光
を行なったときの結果が図８（ｂ）である。ダミーパタ
ーンを挿入しなくとも解像性能がよくなっていることが
わかる。
がないとき最大σが０．９２である２／３輪帯照明で露
光を行なったときの実験結果を図８（ａ）に紹介する。
図８（ａ）を見てわかるとおり、所望パターンが解像し
ていない。対して、図１６の照明において最大σ０．９
２、ａ＝０．７、ｂ＝０．５となる照明系を用いて露光
を行なったときの結果が図８（ｂ）である。ダミーパタ
ーンを挿入しなくとも解像性能がよくなっていることが
わかる。
【００５８】先に照明系を決めたあとでダミーパターン
を挿入することによっても所望パターンをきれいに解像
させることができた。
を挿入することによっても所望パターンをきれいに解像
させることができた。
【００５９】
【実施例１１】図１は本実施例に係るマスクパターンデ
ータ作成、および照明系データ作成の方法をフローチャ
ートにより示したものである。
ータ作成、および照明系データ作成の方法をフローチャ
ートにより示したものである。
【００６０】ウェハ上に形成したい所望パターンに応じ
て、マスクデータがないところの透過率が０、マスクパ
ターンがあるところの透過率を１としてマスクパターン
を決定する。ダミーホールの配置を先に決定するか、照
明条件を先に設定するかはかまわないことが前述の実施
例でわかっている。ダミーホールは演算により求めて
も、テーブルから求めてもよい。照明条件も演算より求
めても、テーブルから求めても良い。
て、マスクデータがないところの透過率が０、マスクパ
ターンがあるところの透過率を１としてマスクパターン
を決定する。ダミーホールの配置を先に決定するか、照
明条件を先に設定するかはかまわないことが前述の実施
例でわかっている。ダミーホールは演算により求めて
も、テーブルから求めてもよい。照明条件も演算より求
めても、テーブルから求めても良い。
【００６１】ダミーホールを配置したマスクに適した照
明条件を適用したときに、所望パターンが形成されるか
を確認する必要がある。もし、所望パターンが形成され
ない場合、所望パターンに応じて作成されたマスクデー
タにＯＰＣを入れるなどの方法がとられる。
明条件を適用したときに、所望パターンが形成されるか
を確認する必要がある。もし、所望パターンが形成され
ない場合、所望パターンに応じて作成されたマスクデー
タにＯＰＣを入れるなどの方法がとられる。
【００６２】ＯＰＣを入れた状態で、所望パターンが形
成されているのかと再び確認する必要がある。もし、ど
のようにＯＰＣを入れても所望パターンが形成されない
場合は、ダミーホールの挿入の仕方を変えたり、照明系
を変える必要がある。
成されているのかと再び確認する必要がある。もし、ど
のようにＯＰＣを入れても所望パターンが形成されない
場合は、ダミーホールの挿入の仕方を変えたり、照明系
を変える必要がある。
【００６３】これらの工程を繰り返し行なうことで、露
光方式Ｉに適したマスクデータ、及び照明モードを決定
することができた。それにより所望パターンをきれいに
解像することができた。
光方式Ｉに適したマスクデータ、及び照明モードを決定
することができた。それにより所望パターンをきれいに
解像することができた。
【００６４】
【実施例１２】図２６に模式的に示すような所望パター
ンデータがあったとする。我々が用いた露光装置の波長
は２４８ｎｍで、開口数は０．７３である。所望パター
ンデータ図２６（ａ）に示したように、ホール径が１１
０ｎｍで、横方向パターンハーフピッチが１１０ｎｍで
縦方向パターンハーフピッチが２２０ｎｍのマスクデー
タ２６ｄと、ホール径が１２０ｎｍで、横方向パターン
ハーフピッチが１２０ｎｍで縦方向パターンハーフピッ
チが２４０ｎｍのマスクデータ２６ｅが混在していた。
所望マスクデータを２６ｄと２６ｅに分割して独立にダ
ミーデータを挿入することにした。まず、マスクデータ
２６ｄに対してだけダミーホールを挿入したのち、マス
クデータ２６ｅに対してだけダミーホールを挿入した。
ついで、両者に共通な照明モードを決定したところ、マ
スクデータ２６ｄと２６ｅでは露光量に差が生じること
がわかった。これは、マスクデータ２６ｅのほうがホー
ル径が大きいことが原因となっている。
ンデータがあったとする。我々が用いた露光装置の波長
は２４８ｎｍで、開口数は０．７３である。所望パター
ンデータ図２６（ａ）に示したように、ホール径が１１
０ｎｍで、横方向パターンハーフピッチが１１０ｎｍで
縦方向パターンハーフピッチが２２０ｎｍのマスクデー
タ２６ｄと、ホール径が１２０ｎｍで、横方向パターン
ハーフピッチが１２０ｎｍで縦方向パターンハーフピッ
チが２４０ｎｍのマスクデータ２６ｅが混在していた。
所望マスクデータを２６ｄと２６ｅに分割して独立にダ
ミーデータを挿入することにした。まず、マスクデータ
２６ｄに対してだけダミーホールを挿入したのち、マス
クデータ２６ｅに対してだけダミーホールを挿入した。
ついで、両者に共通な照明モードを決定したところ、マ
スクデータ２６ｄと２６ｅでは露光量に差が生じること
がわかった。これは、マスクデータ２６ｅのほうがホー
ル径が大きいことが原因となっている。
【００６５】そこで、ダミーホールの大きさと数を変え
ることによって、マスクデータ２６ｄと２６ｅに生じる
露光量差をなくすことができた。最終的なマスクパター
ンが図２６（ｂ）に示したように、マスクパターン２６
ｄには縦横方向に１１０ｎｍの周期で大きさ８０ｎｍの
ダミーホールを所望パターンの周り３周分挿入し、マス
クパターン２６ｅには縦横方向に１２０ｎｍの周期で大
きさ８０ｎｍのダミーホールを所望パターンの周り３周
分挿入した。照明系は図１６において、ａ＝０．７、ｂ
＝０．５とした。レジストとして、ＴＯＫ−ＤＰ７４６
ＨＣを使ったときは４６０Ｊ／ｍ２の露光量でパターン
を解像することができた。その結果は図２７に載せたと
おりである。図２７（ａ）はマスクパターン２６ｄに対
応する露光結果で、図２７（ｂ）はマスクパターン２６
ｅに対応する露光結果である。
ることによって、マスクデータ２６ｄと２６ｅに生じる
露光量差をなくすことができた。最終的なマスクパター
ンが図２６（ｂ）に示したように、マスクパターン２６
ｄには縦横方向に１１０ｎｍの周期で大きさ８０ｎｍの
ダミーホールを所望パターンの周り３周分挿入し、マス
クパターン２６ｅには縦横方向に１２０ｎｍの周期で大
きさ８０ｎｍのダミーホールを所望パターンの周り３周
分挿入した。照明系は図１６において、ａ＝０．７、ｂ
＝０．５とした。レジストとして、ＴＯＫ−ＤＰ７４６
ＨＣを使ったときは４６０Ｊ／ｍ２の露光量でパターン
を解像することができた。その結果は図２７に載せたと
おりである。図２７（ａ）はマスクパターン２６ｄに対
応する露光結果で、図２７（ｂ）はマスクパターン２６
ｅに対応する露光結果である。
【００６６】以上、本発明の好ましい実施例を説明した
が、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様
々な変形や変更が可能である。
が、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様
々な変形や変更が可能である。
【００６７】
【発明の効果】以上のように本発明によると、データ作
成者は最終的にレジスト上に形成したいパターンを作成
して入力するだけでたり、その後のマスクパターンデー
タ及び照明条件の生成は上記手順でコンピュータにより
自動的に行なうことができるので、大規模な半導体集積
回路の設計においても最適なマスクパターン及び照明条
件を効率よく作成することができる。
成者は最終的にレジスト上に形成したいパターンを作成
して入力するだけでたり、その後のマスクパターンデー
タ及び照明条件の生成は上記手順でコンピュータにより
自動的に行なうことができるので、大規模な半導体集積
回路の設計においても最適なマスクパターン及び照明条
件を効率よく作成することができる。
【図１】 本発明の設定方法を説明するフローチャート
である。
である。
【図２】 図１に示すフローチャートのダミーホール挿
入工程及び照明条件設定工程を詳細に説明するフローチ
ャートである。
入工程及び照明条件設定工程を詳細に説明するフローチ
ャートである。
【図３】 所望のコンタクトホールパターンを示す図で
ある。
ある。
【図４】 演算により露光方式Ｉに適したマスクを作成
するときの説明図である。
するときの説明図である。
【図５】 ダミーホール挿入ルールを満たしていない可
能性がある状態を説明する図である。
能性がある状態を説明する図である。
【図６】 経験によって得られたダミーホールの大きさ
と周期の決定方法を示す図である。
と周期の決定方法を示す図である。
【図７】 演算により本露光方式に適した照明条件を設
定する方法を説明するための図である。
定する方法を説明するための図である。
【図８】 ダミーホールがなくとも、照明系の変更だけ
で解像力に効果が現れることを説明するための図であ
る。
で解像力に効果が現れることを説明するための図であ
る。
【図９】 ダミーホールの挿入原理を示す図である。
【図１０】 ダミーホールの挿入原理を示す図である。
【図１１】 ダミーホールの挿入原理を示す図である。
【図１２】 ダミーホールの挿入原理を示す図である。
【図１３】 ダミーパターン挿入前の回折光の発生の仕
方を示す図である。
方を示す図である。
【図１４】 ダミーパターン挿入前の回折光の発生の仕
方を示す図である。
方を示す図である。
【図１５】 ＯＰＣの一例を示す図である。
【図１６】 本露光方式に適した照明モードの一例を示
す図である。
す図である。
【図１７】 本露光方式に適した照明モードの一例を示
す図である。
す図である。
【図１８】 本露光方式に適した照明モードの一例を示
す図である。
す図である。
【図１９】 本露光方式に適した照明モードの一例を示
す図である。
す図である。
【図２０】 ダミーホール挿入前と挿入後のマスクパタ
ーンを示す図である。
ーンを示す図である。
【図２１】 本発明の効果を表す図である。
【図２２】 本発明の効果を表す図である
【図２３】 本発明の効果を表す図である。
【図２４】 ダミーホール挿入例を示す図である。
【図２５】 ダミーホール挿入例を示す図である。
【図２６】 本実施例の一例を示す図である。
【図２７】 本発明の効果を表す図である。
【図２８】 バイナリマスクによるデンスホールから得
られる瞳面回折光分布を表す図である。
られる瞳面回折光分布を表す図である。
【図２９】照明系テーブルデータの一例を示す図であ
る。
る。
【図３０】照明系テーブルデータの一例を示す図であ
る。
る。
３ 所望のコンタクトホール
４ａ、１３ａ、１４ａ、２０ａ、２６ａ マ
スク遮光部 ４ｂ、１３ｂ、１４ｂ、２０ｂ、２６ｂ、２６ｃ 所
望パターンに対応するマスク透光部 ４ｃ、１４ｃ、２０ｃ ダミーホールに対応するマ
スク透光部 ７ａ 主に所望パターン形成に寄与する照明光分布 ７ｂ 主に不要パターンの発生を押さえつけるのに寄
与する照明光分布 ７ｃ、１６ａ、１７ａ、１８ａ、１９ａ 照明
系遮光部 ７ｄ、１６ｂ、１７ｂ、１８ｂ、１９ｂ 照明
系透光部 ９ａ、１０ａ、１１ａ、１２ａ、２４ａ、２５ａ 所望
のパターンに対応して作成されたマスクパターン ９ｂ、１０ｂ、１１ｂ、１２ｂ、２４ｂ、２５ｂ ダミ
ーホール １５ａ 所望パターンの大きさに対応したマ
スクパターン １５ｂ 所望パターンにＯＰＣを入れたあと
のマスクパターン ２６ｄ、２６ｅ 分割されたマスクパターンデータ ２６ｆ、２７ｇ ダミーホールに対応するマスク透光
部
スク遮光部 ４ｂ、１３ｂ、１４ｂ、２０ｂ、２６ｂ、２６ｃ 所
望パターンに対応するマスク透光部 ４ｃ、１４ｃ、２０ｃ ダミーホールに対応するマ
スク透光部 ７ａ 主に所望パターン形成に寄与する照明光分布 ７ｂ 主に不要パターンの発生を押さえつけるのに寄
与する照明光分布 ７ｃ、１６ａ、１７ａ、１８ａ、１９ａ 照明
系遮光部 ７ｄ、１６ｂ、１７ｂ、１８ｂ、１９ｂ 照明
系透光部 ９ａ、１０ａ、１１ａ、１２ａ、２４ａ、２５ａ 所望
のパターンに対応して作成されたマスクパターン ９ｂ、１０ｂ、１１ｂ、１２ｂ、２４ｂ、２５ｂ ダミ
ーホール １５ａ 所望パターンの大きさに対応したマ
スクパターン １５ｂ 所望パターンにＯＰＣを入れたあと
のマスクパターン ２６ｄ、２６ｅ 分割されたマスクパターンデータ ２６ｆ、２７ｇ ダミーホールに対応するマスク透光
部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年７月５日（２００２．７．５）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の設定方法を説明するフローチャート
である。
である。
【図２】 図１に示すフローチャートのダミーホール挿
入工程及び照明条件設定工程を詳細に説明するフローチ
ャートである。
入工程及び照明条件設定工程を詳細に説明するフローチ
ャートである。
【図３】 所望のコンタクトホールパターンを示す図で
ある。
ある。
【図４】 演算により露光方式Ｉに適したマスクを作成
するときの説明図である。
するときの説明図である。
【図５】 ダミーホール挿入ルールを満たしていない可
能性がある状態を説明する図である。
能性がある状態を説明する図である。
【図６】 経験によって得られたダミーホールの大きさ
と周期の決定方法を示す図である。
と周期の決定方法を示す図である。
【図７】 演算により本露光方式に適した照明条件を設
定する方法を説明するための図である。
定する方法を説明するための図である。
【図８】 ダミーホールがなくとも、照明系の変更だけ
で解像力に効果が現れることを説明するための図であ
る。
で解像力に効果が現れることを説明するための図であ
る。
【図９】 ダミーホールの挿入原理を示す図である。
【図１０】 ダミーホールの挿入原理を示す図である。
【図１１】 ダミーホールの挿入原理を示す図である。
【図１２】 ダミーホールの挿入原理を示す図である。
【図１３】 ダミーパターン挿入前の回折光の発生の仕
方を示す図である。
方を示す図である。
【図１４】 ダミーパターン挿入前の回折光の発生の仕
方を示す図である。
方を示す図である。
【図１５】 ＯＰＣの一例を示す図である。
【図１６】 本露光方式に適した照明モードの一例を示
す図である。
す図である。
【図１７】 本露光方式に適した照明モードの一例を示
す図である。
す図である。
【図１８】 本露光方式に適した照明モードの一例を示
す図である。
す図である。
【図１９】 本露光方式に適した照明モードの一例を示
す図である。
す図である。
【図２０】 ダミーホール挿入前と挿入後のマスクパタ
ーンを示す図である。
ーンを示す図である。
【図２１】 本発明の効果を表す図である。
【図２２】 本発明の効果を表す図である
【図２３】 本発明の効果を表す図である。
【図２４】 ダミーホール挿入例を示す図である。
【図２５】 ダミーホール挿入例を示す図である。
【図２６】 本実施例の一例を示す図である。
【図２７】 本発明の効果を表す図である。
【図２８】 バイナリマスクによるデンスホールから得
られる瞳面回折光分布を表す図である。
られる瞳面回折光分布を表す図である。
【図２９】照明系テーブルデータの一例を示す図であ
る。
る。
【図３０】照明系テーブルデータの一例を示す図であ
る。
る。
【符号の説明】
３ 所望のコンタクトホール
４ａ、１３ａ、１４ａ、２０ａ、２６ａ マ
スク遮光部 ４ｂ、１３ｂ、１４ｂ、２０ｂ、２６ｂ、２６ｃ 所
望パターンに対応するマスク透光部 ４ｃ、１４ｃ、２０ｃ ダミーホールに対応するマ
スク透光部 ７ａ 主に所望パターン形成に寄与する照明光分布 ７ｂ 主に不要パターンの発生を押さえつけるのに寄
与する照明光分布 ７ｃ、１６ａ、１７ａ、１８ａ、１９ａ 照明
系遮光部 ７ｄ、１６ｂ、１７ｂ、１８ｂ、１９ｂ 照明
系透光部 ９ａ、１０ａ、１１ａ、１２ａ、２４ａ、２５ａ 所望
のパターンに対応して作成されたマスクパターン ９ｂ、１０ｂ、１１ｂ、１２ｂ、２４ｂ、２５ｂ ダミ
ーホール １５ａ 所望パターンの大きさに対応したマ
スクパターン １５ｂ 所望パターンにＯＰＣを入れたあと
のマスクパターン ２６ｄ、２６ｅ 分割されたマスクパターンデータ ２６ｆ、２７ｇ ダミーホールに対応するマスク透光
部
スク遮光部 ４ｂ、１３ｂ、１４ｂ、２０ｂ、２６ｂ、２６ｃ 所
望パターンに対応するマスク透光部 ４ｃ、１４ｃ、２０ｃ ダミーホールに対応するマ
スク透光部 ７ａ 主に所望パターン形成に寄与する照明光分布 ７ｂ 主に不要パターンの発生を押さえつけるのに寄
与する照明光分布 ７ｃ、１６ａ、１７ａ、１８ａ、１９ａ 照明
系遮光部 ７ｄ、１６ｂ、１７ｂ、１８ｂ、１９ｂ 照明
系透光部 ９ａ、１０ａ、１１ａ、１２ａ、２４ａ、２５ａ 所望
のパターンに対応して作成されたマスクパターン ９ｂ、１０ｂ、１１ｂ、１２ｂ、２４ｂ、２５ｂ ダミ
ーホール １５ａ 所望パターンの大きさに対応したマ
スクパターン １５ｂ 所望パターンにＯＰＣを入れたあと
のマスクパターン ２６ｄ、２６ｅ 分割されたマスクパターンデータ ２６ｆ、２７ｇ ダミーホールに対応するマスク透光
部
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【図５】
【図１０】
【図１】
【図２】
【図４】
【図７】
【図９】
【図６】
【図８】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１７】
【図１６】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 鈴木 章義
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
Ｆターム(参考） 2H095 BB01 BB02 BB36
5F046 AA25 BA04 DA30
Claims (24)
- 【請求項１】 所望のパターンと、当該所望のパターン
よりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスク
を、前記所望のパターンが解像され、かつ、前記補助パ
ターンの解像が抑制されるように、照明して前記マスク
を経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光
方法に適したマスクパターン及び照明条件を設定する方
法であって、 前記所望のパターンのデータを形成する工程と、 前記補助パターンのデータを形成する工程と、 前記所望のパターンのデータ及び前記補助パターンのデ
ータに基づいて前記複数種類の光を使用した照明の有効
光源を規定する照明条件を設定する工程と、 前記所望のパターンが露光可能かどうかを判断する工程
とを有することを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記マスクは、前記所望のパターンを解
像するための光と前記補助パターンの解像を抑制する光
を含む複数種類の光で照明されることを特徴とする請求
項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記判断工程が露光不能と判断した場合
に、前記所望のパターンのデータを補正する工程を更に
有することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記マスクパターンのデータが所定の設
計ルールを満たしているか否かを判断する工程と、 前記設計ルールを満たしてないならば前記設計ルールを
満たすように前記補正パターンを修正する工程を更に有
することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 前記照明条件が所定の設計ルールを満た
しているか否かを判断する工程と、 前記設計ルールを満たしてないならば前記設計ルールを
満たすように前記照明条件を修正する工程を更に有する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 前記所望のパターンを複数の領域に分割
し、領域毎に前記各工程を適用し、各領域で得られた結
果に基づいて前記所望のマスクパターンを作成すること
を特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項７】 前記照明条件設定工程は、複数種類の光
学部材の中から所望の光学部材を照明系に選択すること
を特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記光学部材は開口絞りであることを特
徴とする請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 前記照明条件設定工程は、開口絞りの開
口の形状及び大きさを所望のものに変更することを特徴
とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】 所望のパターンと、当該所望のパター
ンのよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマ
スクを、前記所望のパターンが解像され、かつ、前記補
助パターンの解像が抑制されるように、照明して前記マ
スクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する
露光方法に適したマスクパターン及び照明条件を設定す
る方法であって、 前記マスクパターンの最小ピッチを算出する工程と、 前記最小ピッチに基づいて前記複数種類の光を使用した
照明の有効光源を規定する照明条件を算出する工程とを
有することを特徴とする方法。 - 【請求項１１】 前記マスクは、前記所望のパターンを
解像するための光と前記補助パターンの解像を抑制する
光を含む複数種類の光で照明されることを特徴とする請
求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 前記照明条件算出工程は、解像度Ｒ、
開口数ＮＡ、露光光源の波長λを利用してｋ１＝Ｒ・Ｎ
Ａ／λで表されるｋ１に前記最小ピッチを換算した後で
利用することを特徴とする請求項１０記載の方法。 - 【請求項１３】 前記照明条件算出工程は、前記最小ピ
ッチと前記照明条件との関係を定めるデータベースを参
照することによって前記照明条件を算出することを特徴
とする請求項１０記載の方法。 - 【請求項１４】 前記方法は、前記所望のパターンが露
光可能かどうかを判断する工程を更に有し、 前記所望のパターンが露光できないと判断した場合に、
前記マスクの位相を変更する工程を更に有し、 前記照明条件算出工程は前記照明条件を算出する際に前
記位相も考慮する請求項１０記載の方法。 - 【請求項１５】 前記方法は、前記所望のパターンが露
光可能かどうかを判断する工程を更に有し、 前記所望のパターンが露光できないと判断した場合に、
前記被露光体に塗布されるフォトレジストが感光する閾
値を変更する工程を更に有し、 前記照明条件算出工程は前記照明条件を算出する際に前
記閾値も考慮する請求項１０記載の方法。 - 【請求項１６】 前記方法は、前記所望のパターンが露
光可能かどうかを判断する工程を更に有し、 前記所望のパターンが露光できないと判断した場合に、
前記被露光体に塗布されるフォトレジストを変更する工
程を更に有し、 前記照明条件算出工程は前記照明条件を算出する際に前
記変更されたフォトレジストの位相も考慮する請求項１
０記載の方法。 - 【請求項１７】 前記方法は、前記所望のパターンが露
光可能かどうかを判断する工程を更に有し、 前記所望のパターンが露光できないと判断した場合に、
前記有効光源のコヒーレンスファクターσを変更する工
程を更に有し、 前記照明条件算出工程は前記照明条件を算出する際に前
記コヒーレンスファクターσも考慮する請求項１０記載
の方法。 - 【請求項１８】 前記方法は、前記所望のパターンが露
光可能かどうかを判断する工程を更に有し、 前記所望のパターンが露光できないと判断した場合に、
前記所望のパターンの大きさ又は形状を部分的に変更す
る工程を更に有する請求項１０記載の方法。 - 【請求項１９】 前記方法は、前記所望のパターンが露
光可能かどうかを判断する工程を更に有し、 前記所望のパターンが露光できないと判断した場合に、
前記補助パターンを変更する工程を更に有する請求項１
０記載の方法。 - 【請求項２０】 前記所望のパターンは、第１のパター
ンと、当該第１のパターンよりも最小ピッチの小さな第
２のパターンとを有し、前記照明条件算出工程は前記第
２のパターンの前記最小ピッチに基づいて前記照明条件
を算出することを特徴とする請求項１０記載の方法。 - 【請求項２１】 前記最小ピッチ算出工程は、前記所望
のパターンから算出することを特徴とする請求項１０記
載の方法。 - 【請求項２２】 請求項１０乃至２１のうちいずれか一
項記載の方法を実行するプログラム。 - 【請求項２３】 所望のパターンと、当該所望のパター
ンのよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマ
スクを、前記所望のパターンが解像され、かつ、前記補
助パターンの解像が抑制されるように照明して前記マス
クを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露
光方法に適したマスクパターン及び照明条件を設定する
方法に使用されるデータベースであって、 前記マスクパターンの最小ピッチが入力されると、前記
複数種類の光を使用した照明の有効光源を規定する照明
条件を表示することを特徴とするデータベース。 - 【請求項２４】 前記マスクは、前記所望のパターンを
解像するための光と前記補助パターンの解像を抑制する
光を含む複数種類の光で照明されることを特徴とする請
求項２３記載のデータベース。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002160741A JP3754934B2 (ja) | 2002-04-23 | 2002-04-23 | マスクパターン及び照明条件の設定方法 |
| TW091121661A TWI315027B (en) | 2002-04-23 | 2002-09-20 | Mask designing method, and exposure method for illuminatiing a mask and exposing an object |
| EP02256555A EP1357426A3 (en) | 2002-04-23 | 2002-09-20 | Method for setting mask pattern and its illumination condition |
| US10/251,581 US7107573B2 (en) | 2002-04-23 | 2002-09-20 | Method for setting mask pattern and illumination condition |
| KR10-2002-0067238A KR100533145B1 (ko) | 2002-04-23 | 2002-10-31 | 마스크패턴 및 그 조명조건의 설정방법 |
| KR1020050075017A KR100633461B1 (ko) | 2002-04-23 | 2005-08-17 | 마스크패턴 및 그 조명조건의 설정방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004272228A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-30 | Canon Inc | マスク及びその製造方法、露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
| JP2006085175A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Kla Tencor Technologies Corp | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 |
| US7547502B2 (en) | 2005-10-25 | 2009-06-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
| US7592130B2 (en) | 2005-10-14 | 2009-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
| JP2010191403A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Hynix Semiconductor Inc | フォトマスク |
| JP2011151423A (ja) * | 2004-02-03 | 2011-08-04 | Mentor Graphics Corp | イメージの忠実度およびスループットに対する光源の最適化 |
| US8043797B2 (en) | 2004-10-12 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2012098397A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Canon Inc | マスクのデータを作成するためのプログラム |
-
2002
- 2002-04-23 JP JP2002160741A patent/JP3754934B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004272228A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-30 | Canon Inc | マスク及びその製造方法、露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
| JP2014222774A (ja) * | 2004-02-03 | 2014-11-27 | メンター・グラフィクス・コーポレーション | イメージの忠実度およびスループットに対する光源の最適化 |
| JP2011151423A (ja) * | 2004-02-03 | 2011-08-04 | Mentor Graphics Corp | イメージの忠実度およびスループットに対する光源の最適化 |
| US9323161B2 (en) | 2004-02-03 | 2016-04-26 | Mentor Graphics Corporation | Source optimization by assigning pixel intensities for diffractive optical element using mathematical relationship |
| US10248028B2 (en) | 2004-02-03 | 2019-04-02 | Mentor Graphics Corporation | Source optimization for image fidelity and throughput |
| JP2006085175A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Kla Tencor Technologies Corp | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 |
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| US7592130B2 (en) | 2005-10-14 | 2009-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
| US7947433B2 (en) | 2005-10-14 | 2011-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
| US7547502B2 (en) | 2005-10-25 | 2009-06-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
| JP2010191403A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Hynix Semiconductor Inc | フォトマスク |
| JP2012098397A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Canon Inc | マスクのデータを作成するためのプログラム |
| US8949748B2 (en) | 2010-10-29 | 2015-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording medium recording program for generating mask data, method for manufacturing mask, and exposure method |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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