JPH0667403A - ホトマスク及びマスクパタンデータ処理方法 - Google Patents
ホトマスク及びマスクパタンデータ処理方法Info
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- JPH0667403A JPH0667403A JP7078692A JP7078692A JPH0667403A JP H0667403 A JPH0667403 A JP H0667403A JP 7078692 A JP7078692 A JP 7078692A JP 7078692 A JP7078692 A JP 7078692A JP H0667403 A JPH0667403 A JP H0667403A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】多重転写法におけるマスクパターンの容易な自
動生成を可能とし、さらに複数マスク間における位置合
わせずれの影響を減少させるマスクパターンを提供す
る。 【構成】位相シフトパタン１５００を含むマスクＭ１を
用いた露光と、それによる不要なパタンを消去する露光
を含む複数回露光のパタン形成において、露光領域を位
相シフタが必要な微細パタン１１００を有する領域とそ
うでない領域３に分割し１０３、１枚のマスクはシフタ
を設け、領域１では、微細パタンに対応したエッジを持
つマスクシフタパタンと他のパタン１６００に対応した
パタンを持ち、領域３は遮蔽するマスクパタンとし、シ
フタなしの別の１枚のマスクは、領域３に存在するパタ
ン２６００を形成する通常のパタンと、シフタ形成領域
のパタンで不要なパタンを除去するためのパタンをもた
せるように自動生成する。さらに、１枚のマスクではマ
スクパタンを一つの軸方向に太らせ、他のマスクでは直
交する方向にマスクパタンを太らせる。
動生成を可能とし、さらに複数マスク間における位置合
わせずれの影響を減少させるマスクパターンを提供す
る。 【構成】位相シフトパタン１５００を含むマスクＭ１を
用いた露光と、それによる不要なパタンを消去する露光
を含む複数回露光のパタン形成において、露光領域を位
相シフタが必要な微細パタン１１００を有する領域とそ
うでない領域３に分割し１０３、１枚のマスクはシフタ
を設け、領域１では、微細パタンに対応したエッジを持
つマスクシフタパタンと他のパタン１６００に対応した
パタンを持ち、領域３は遮蔽するマスクパタンとし、シ
フタなしの別の１枚のマスクは、領域３に存在するパタ
ン２６００を形成する通常のパタンと、シフタ形成領域
のパタンで不要なパタンを除去するためのパタンをもた
せるように自動生成する。さらに、１枚のマスクではマ
スクパタンを一つの軸方向に太らせ、他のマスクでは直
交する方向にマスクパタンを太らせる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の微細パタン
を投影レンズを用いてウエハ（基板）上に形成するとき
のマスクパタン作成方法、マスクならびにパタン形成方
法に関するものである。
を投影レンズを用いてウエハ（基板）上に形成するとき
のマスクパタン作成方法、マスクならびにパタン形成方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＬＳＩ等の微細パタンを形成す
るための投影露光技術では、高い解像度が要求されてい
る。そのため投影露光装置の投影レンズでは、光の波長
から決まる理論限界に近い解像度を有するに至ってい
る。さらに近年においては、より微細なパタンを転写す
るための方法として位相シフト法の検討が進んでいる。
位相シフト法では、投影レンズの物面に置かれるマスク
上の光透過部の一部に、透過光におおよそπの位相差が
生じるような透明膜を付加することで、解像度を高める
ことが可能となる。この位相シフト法はいくつかの手法
に分類することができるが、孤立した微細な線パタンを
形成する方法として、位相シフト膜の端部で生じるおお
よそπの位相差を利用したパタン形成法がある。この方
法を図１７を用いて説明する。図１７（ａ）は、位相シ
フトマスクの断面の一部を示しており、60はマスクを照
明する光、61はマスク基板、1500は位相シフト膜で、図
中には位相シフト膜1500の存在する部分と存在しない部
分との境界辺（シフタエッヂ）が存在している。このマ
スクを通過した光の複素振幅分布は図１７（ｂ）のよう
になり、対応する光強度分布は図１７（ｃ）のようにな
る。ここで、図１７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は横軸が対
応しているものとする。これらの図は、エッヂ部で位相
がπ変化するため、対応する部分の光強度が０になるこ
とを示している。このように位相シフト膜の端辺は非常
に細い遮光部を形成し、例えば高圧水銀灯のｇ線（波長
が４３６ｎｍ）を用いる場合、焦点深度まで考慮する
と、通常のクロム等でできた遮光体パタンを転写すると
０．５μｍ幅程度が限界だが、このシフタエッヂを用い
ると０．２μｍ幅のパタンまで形成できる。この線幅を
限界解像線幅と呼ぶこととする。このようにシフタエッ
ヂの利用は、微細なパタン形成への適用が期待されてい
る。
るための投影露光技術では、高い解像度が要求されてい
る。そのため投影露光装置の投影レンズでは、光の波長
から決まる理論限界に近い解像度を有するに至ってい
る。さらに近年においては、より微細なパタンを転写す
るための方法として位相シフト法の検討が進んでいる。
位相シフト法では、投影レンズの物面に置かれるマスク
上の光透過部の一部に、透過光におおよそπの位相差が
生じるような透明膜を付加することで、解像度を高める
ことが可能となる。この位相シフト法はいくつかの手法
に分類することができるが、孤立した微細な線パタンを
形成する方法として、位相シフト膜の端部で生じるおお
よそπの位相差を利用したパタン形成法がある。この方
法を図１７を用いて説明する。図１７（ａ）は、位相シ
フトマスクの断面の一部を示しており、60はマスクを照
明する光、61はマスク基板、1500は位相シフト膜で、図
中には位相シフト膜1500の存在する部分と存在しない部
分との境界辺（シフタエッヂ）が存在している。このマ
スクを通過した光の複素振幅分布は図１７（ｂ）のよう
になり、対応する光強度分布は図１７（ｃ）のようにな
る。ここで、図１７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は横軸が対
応しているものとする。これらの図は、エッヂ部で位相
がπ変化するため、対応する部分の光強度が０になるこ
とを示している。このように位相シフト膜の端辺は非常
に細い遮光部を形成し、例えば高圧水銀灯のｇ線（波長
が４３６ｎｍ）を用いる場合、焦点深度まで考慮する
と、通常のクロム等でできた遮光体パタンを転写すると
０．５μｍ幅程度が限界だが、このシフタエッヂを用い
ると０．２μｍ幅のパタンまで形成できる。この線幅を
限界解像線幅と呼ぶこととする。このようにシフタエッ
ヂの利用は、微細なパタン形成への適用が期待されてい
る。
【０００３】このシフタエッヂの利用にあたり、２つの
点を補足説明しておく。１つはパタン密度の限界につい
てである。シフタエッヂを用いると微細幅の遮光部が形
成できるが、そのためには遮光部の両側に位相差のある
光が透過していることが必要である。このことは、２本
の微細幅の遮光部を近づけて形成するには、その間隔に
限界があることを示している。図１７（ｄ）は、０．２
μｍ幅の遮光部を間隔ｐで連続して形成する場合を示し
たものだが、遮光部の間隔ｐは１μｍ近くが必要とな
る。
点を補足説明しておく。１つはパタン密度の限界につい
てである。シフタエッヂを用いると微細幅の遮光部が形
成できるが、そのためには遮光部の両側に位相差のある
光が透過していることが必要である。このことは、２本
の微細幅の遮光部を近づけて形成するには、その間隔に
限界があることを示している。図１７（ｄ）は、０．２
μｍ幅の遮光部を間隔ｐで連続して形成する場合を示し
たものだが、遮光部の間隔ｐは１μｍ近くが必要とな
る。
【０００４】他の１点は、遮光部の線幅の制御について
である。最も微細な線幅を得るには位相差πのシフタエ
ッヂを用いれば良く、そのとき線幅０．２μｍが可能と
なる。しかし実際のＬＳＩパタンの形成では、通常の遮
光体を転写して得られる最小線幅、例えば０．５μｍよ
りも細く、先のシフタエッヂで得られる寸法、０．２μ
ｍよりも太い線の形成が要求される場合がある。図１８
（ａ）、（ｂ）にこれらの間の線幅の形成方法を示す。
（ａ）は、位相シフトマスクの断面を示している。シフ
タエッヂ部にクロム等でできた遮光体を挿入し、その遮
光体の線幅を調整することで、限界解像線幅以上のパタ
ン幅を実現できる。（ｂ）は、位相シフトマスクの平面
構造を示している。位相シフト膜のエッヂ部に、細かい
折り返しを設けることにより限界解像線幅以上のパタン
を実現できる。このように、通常の遮光体を転写して得
られる線幅以下でも限界解像線幅以上のパタンであれ
ば、シフタのエッヂを利用して形成可能となる。図１８
（ａ）、（ｂ）も含めてこのようなパタン形成法をここ
ではシフタエッヂ法と呼ぶこととする。
である。最も微細な線幅を得るには位相差πのシフタエ
ッヂを用いれば良く、そのとき線幅０．２μｍが可能と
なる。しかし実際のＬＳＩパタンの形成では、通常の遮
光体を転写して得られる最小線幅、例えば０．５μｍよ
りも細く、先のシフタエッヂで得られる寸法、０．２μ
ｍよりも太い線の形成が要求される場合がある。図１８
（ａ）、（ｂ）にこれらの間の線幅の形成方法を示す。
（ａ）は、位相シフトマスクの断面を示している。シフ
タエッヂ部にクロム等でできた遮光体を挿入し、その遮
光体の線幅を調整することで、限界解像線幅以上のパタ
ン幅を実現できる。（ｂ）は、位相シフトマスクの平面
構造を示している。位相シフト膜のエッヂ部に、細かい
折り返しを設けることにより限界解像線幅以上のパタン
を実現できる。このように、通常の遮光体を転写して得
られる線幅以下でも限界解像線幅以上のパタンであれ
ば、シフタのエッヂを利用して形成可能となる。図１８
（ａ）、（ｂ）も含めてこのようなパタン形成法をここ
ではシフタエッヂ法と呼ぶこととする。
【０００５】シフタエッヂ法を用いたパタン形成の最大
の問題点は、全てのエッヂで微細なパタンが形成されて
しまうことにある。図１９はその説明図で、（ａ）に形
成したい微細パタン1100を、（ｂ）に（ａ）で示した微
細パタンをシフタエッヂ法で形成するための位相シフト
パタン1500を含む位相シフトマスクを、（ｃ）に（ｂ）
で示したマスクを用いて形成されるパタン15を示す。シ
フタのエッヂ部で不要なパタンが形成されるのが判る。
この不要パタンを生成させない方法として、多段位相
シフト膜を利用した手法と複数枚マスクを用いた多重
転写法とが提案されている。
の問題点は、全てのエッヂで微細なパタンが形成されて
しまうことにある。図１９はその説明図で、（ａ）に形
成したい微細パタン1100を、（ｂ）に（ａ）で示した微
細パタンをシフタエッヂ法で形成するための位相シフト
パタン1500を含む位相シフトマスクを、（ｃ）に（ｂ）
で示したマスクを用いて形成されるパタン15を示す。シ
フタのエッヂ部で不要なパタンが形成されるのが判る。
この不要パタンを生成させない方法として、多段位相
シフト膜を利用した手法と複数枚マスクを用いた多重
転写法とが提案されている。
【０００６】多段位相シフト膜を利用した手法とは、位
相差の異なる複数の位相シフト膜を用い、微細パタンが
必要な部分はその両側の位相差をπとするものの、パタ
ン形成が不要な部分はその両側の位相差を例えば60度と
してパタンを形成させない手法である。この方法は、１
枚の位相シフトマスクで所望のパタンが形成可能だが、
多段の位相シフト膜を作る必要があり、マスク製作が難
しい致命的欠点を有する。
相差の異なる複数の位相シフト膜を用い、微細パタンが
必要な部分はその両側の位相差をπとするものの、パタ
ン形成が不要な部分はその両側の位相差を例えば60度と
してパタンを形成させない手法である。この方法は、１
枚の位相シフトマスクで所望のパタンが形成可能だが、
多段の位相シフト膜を作る必要があり、マスク製作が難
しい致命的欠点を有する。
【０００７】図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、２枚の
マスクを用いた多重転写法を説明した図で、図１９の
（ａ）を形成すべきパタンとしている。図２０（ａ）は
図１９（ｂ）と同じ位相シフト膜付きのマスク１、
（ｂ）は遮光体のみで構成されるマスク２を示してい
る。（ｃ）はこれら２枚のマスクをパタン形成のために
重ねた状態で示してある。２枚のマスクを用いて露光し
た後現像すると、２枚のマスク両方で遮光された部分の
みが、最終的な遮光部としてパタン形成される。（ｃ）
の破線で示したパタンがこれに相当する。即ち、マスク
１の位相差がπとなる境界辺で微細なパタンを形成して
おき、マスク２で、不要な部分は露光して除去する。こ
の多重転写法は、使用する位相シフト膜として、透過す
る光の位相差でπ相当となる１種だけで良く、マスク製
作が容易な利点を有している。
マスクを用いた多重転写法を説明した図で、図１９の
（ａ）を形成すべきパタンとしている。図２０（ａ）は
図１９（ｂ）と同じ位相シフト膜付きのマスク１、
（ｂ）は遮光体のみで構成されるマスク２を示してい
る。（ｃ）はこれら２枚のマスクをパタン形成のために
重ねた状態で示してある。２枚のマスクを用いて露光し
た後現像すると、２枚のマスク両方で遮光された部分の
みが、最終的な遮光部としてパタン形成される。（ｃ）
の破線で示したパタンがこれに相当する。即ち、マスク
１の位相差がπとなる境界辺で微細なパタンを形成して
おき、マスク２で、不要な部分は露光して除去する。こ
の多重転写法は、使用する位相シフト膜として、透過す
る光の位相差でπ相当となる１種だけで良く、マスク製
作が容易な利点を有している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来、この多重転写法
を用いた不要パタンの除去法として、個々のパタンに対
して人手でシフタや遮光部を配置することは可能だった
が、複雑にパタンが混在する場合に、それらのパタンを
自動的に発生・配置させる方法は提案されていなかっ
た。また、実際のパタン形成プロセスにおいて、異なる
マスクを用いた２回の露光により一つの層のパタンを形
成しようとする場合、その２回の露光の間での位置合わ
せの誤差発生はさけられない。図２１は２回の露光にお
いて相対的な位置ずれが生じた際にパタンが受ける変形
の一例を示している。図２１（ａ）は形成しようとする
パタン 8、（ｂ）はそのため用いる１枚目のマスク（Ｍ
１）で、遮光体部13と位相シフトパタン1500とから構成
され、（ｃ）はＭ１を用いた露光によって潜像として得
られたパタン10に、２枚目のマスク（Ｍ２）を位置ずれ
無しに重ねた様子を示している。Ｍ２の光透過部14に対
応する領域に存在する潜像は除去されるので、（ａ）に
示した目的のパタンが形成できる。これに対して（ｄ）
はＭ２がＭ１に対し上に位置ずれを生じながら転写され
た場合を示している。Ｍ１で形成される不要パタンを除
去するためのＭ２上の光透過部が、形成すべきパタンの
潜像に重なって、微細なパタンの両側の通常パタン部は
一部を失う変形を受け、微細パタン部にもくびれを生じ
させている。
を用いた不要パタンの除去法として、個々のパタンに対
して人手でシフタや遮光部を配置することは可能だった
が、複雑にパタンが混在する場合に、それらのパタンを
自動的に発生・配置させる方法は提案されていなかっ
た。また、実際のパタン形成プロセスにおいて、異なる
マスクを用いた２回の露光により一つの層のパタンを形
成しようとする場合、その２回の露光の間での位置合わ
せの誤差発生はさけられない。図２１は２回の露光にお
いて相対的な位置ずれが生じた際にパタンが受ける変形
の一例を示している。図２１（ａ）は形成しようとする
パタン 8、（ｂ）はそのため用いる１枚目のマスク（Ｍ
１）で、遮光体部13と位相シフトパタン1500とから構成
され、（ｃ）はＭ１を用いた露光によって潜像として得
られたパタン10に、２枚目のマスク（Ｍ２）を位置ずれ
無しに重ねた様子を示している。Ｍ２の光透過部14に対
応する領域に存在する潜像は除去されるので、（ａ）に
示した目的のパタンが形成できる。これに対して（ｄ）
はＭ２がＭ１に対し上に位置ずれを生じながら転写され
た場合を示している。Ｍ１で形成される不要パタンを除
去するためのＭ２上の光透過部が、形成すべきパタンの
潜像に重なって、微細なパタンの両側の通常パタン部は
一部を失う変形を受け、微細パタン部にもくびれを生じ
させている。
【０００９】本発明は以上の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は位相シフト法を用いたＬＳＩ等の回路
パタン形成にあたり、複数枚のマスクを用いた一層のパ
タン形成において、使用する複数枚のマスク間での位置
合わせ誤差の影響を少なくするようならしめたマスクパ
タン作成方法およびそのマスクの提供であり、さらに
は、適用するＬＳＩ等に一部のパタン上の制約を加える
もののシフタのパタンを含むマスクパタンの自動生成法
を提供することにある。
あり、その目的は位相シフト法を用いたＬＳＩ等の回路
パタン形成にあたり、複数枚のマスクを用いた一層のパ
タン形成において、使用する複数枚のマスク間での位置
合わせ誤差の影響を少なくするようならしめたマスクパ
タン作成方法およびそのマスクの提供であり、さらに
は、適用するＬＳＩ等に一部のパタン上の制約を加える
もののシフタのパタンを含むマスクパタンの自動生成法
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】はじめに、ここで用いる
用語を解説しておく。形成するパタンのうち、シフタエ
ッジを用いて形成する幅の狭いパタンを微細パタン110
0、従来通りマスク上に存在する遮光体を転写して形成
するパタンを通常パタン1200と呼ぶ。形成するパタン、
すなわち与えられたパタン1000は、必ず微細パタン1100
あるいは通常パタン1200に分類され、例えば幅が０．５
μｍ以上のパタンは通常パタン1200、０．５μｍ未満は
微細パタン1100として分類することが可能である。ま
た、微細パタン1100の長さは、その幅に対して充分に、
例えば４倍以上、長いとし、その長く伸びている方向を
軸方向、軸方向に対して直角の方向を幅方向と呼ぶこと
にする。また、シフタエッヂ法を用いて微細パタンを形
成するには、その微細パタンの両側に位相がおおよそπ
離れた光が透過する領域が必要で、その領域を位相指定
領域Ｒ 1あるいはＲ領域 1と呼ぶ。パタンを形成しよう
としている領域 4、例えばチップ領域で、Ｒ領域以外の
部分をＳ領域 3と呼ぶ。パタン形成領域全体 4は、Ｒ領
域 1とＳ領域 3とから成り、Ｒ領域 1とＳ領域 3は重な
ることがない。また、Ｒ領域とＳ領域の境界をＲＳ境界
2と呼ぶ。図２２、図２３、図２４にこれらを図示し
た。微細パタン1100は本来幅のあるパタンだが、図２２
では、図が煩雑となるのを避けるため一本の線分として
記述した。
用語を解説しておく。形成するパタンのうち、シフタエ
ッジを用いて形成する幅の狭いパタンを微細パタン110
0、従来通りマスク上に存在する遮光体を転写して形成
するパタンを通常パタン1200と呼ぶ。形成するパタン、
すなわち与えられたパタン1000は、必ず微細パタン1100
あるいは通常パタン1200に分類され、例えば幅が０．５
μｍ以上のパタンは通常パタン1200、０．５μｍ未満は
微細パタン1100として分類することが可能である。ま
た、微細パタン1100の長さは、その幅に対して充分に、
例えば４倍以上、長いとし、その長く伸びている方向を
軸方向、軸方向に対して直角の方向を幅方向と呼ぶこと
にする。また、シフタエッヂ法を用いて微細パタンを形
成するには、その微細パタンの両側に位相がおおよそπ
離れた光が透過する領域が必要で、その領域を位相指定
領域Ｒ 1あるいはＲ領域 1と呼ぶ。パタンを形成しよう
としている領域 4、例えばチップ領域で、Ｒ領域以外の
部分をＳ領域 3と呼ぶ。パタン形成領域全体 4は、Ｒ領
域 1とＳ領域 3とから成り、Ｒ領域 1とＳ領域 3は重な
ることがない。また、Ｒ領域とＳ領域の境界をＲＳ境界
2と呼ぶ。図２２、図２３、図２４にこれらを図示し
た。微細パタン1100は本来幅のあるパタンだが、図２２
では、図が煩雑となるのを避けるため一本の線分として
記述した。
【００１１】まず、本発明を概略的に説明する。多重転
写法を用いるが、ここでは２枚のマスクを用いた２回の
露光に限定し、１枚目（Ｍ１）は位相シフト膜（シフ
タ）のあるマスク、２枚目（Ｍ２）はシフタのないマス
クとする。すなわち、１回目の露光でシフタエッヂを用
いた微細パタンを形成し、２回目の露光では形成された
微細パタンのうち、必要な部分は保護し、また不要な部
分は露光して除去する。
写法を用いるが、ここでは２枚のマスクを用いた２回の
露光に限定し、１枚目（Ｍ１）は位相シフト膜（シフ
タ）のあるマスク、２枚目（Ｍ２）はシフタのないマス
クとする。すなわち、１回目の露光でシフタエッヂを用
いた微細パタンを形成し、２回目の露光では形成された
微細パタンのうち、必要な部分は保護し、また不要な部
分は露光して除去する。
【００１２】ここで説明等を容易にするため、次の３つ
の前提条件を導入する。 （前提条件１）微細パタン1100は全てＸ軸に平行とす
る。 （前提条件２）お互いに近傍に隣接して存在する微細パ
タン1100の中心線の間隔は、一定値ｐに一致するか、あ
るいはｐの整数倍に一致する。
の前提条件を導入する。 （前提条件１）微細パタン1100は全てＸ軸に平行とす
る。 （前提条件２）お互いに近傍に隣接して存在する微細パ
タン1100の中心線の間隔は、一定値ｐに一致するか、あ
るいはｐの整数倍に一致する。
【００１３】（前提条件３）微細パタン1100の線幅は１
種類のみとし、その線幅ｄは、幅ｐのシフタが間隔ｐで
並んでいるときにできる遮光部で形成されるパタンの幅
に等しいとする。 図２２のパタンは、これらの条件を満足している。さ
て、本発明の目的の一つは、与えられたパタンからＭ１
用のシフタパタンと遮光体パタン、およびＭ２用の遮光
体パタンを自動的に生成することである。そのために与
えられたパタン1000から、位相指定領域Ｒ 1を算出し、
通常パタン1200をＲ領域内に存在するパタン1300と、Ｒ
領域外すなわちＳ領域に存在するパタン1400とに分離す
る。
種類のみとし、その線幅ｄは、幅ｐのシフタが間隔ｐで
並んでいるときにできる遮光部で形成されるパタンの幅
に等しいとする。 図２２のパタンは、これらの条件を満足している。さ
て、本発明の目的の一つは、与えられたパタンからＭ１
用のシフタパタンと遮光体パタン、およびＭ２用の遮光
体パタンを自動的に生成することである。そのために与
えられたパタン1000から、位相指定領域Ｒ 1を算出し、
通常パタン1200をＲ領域内に存在するパタン1300と、Ｒ
領域外すなわちＳ領域に存在するパタン1400とに分離す
る。
【００１４】図２２を与えられたパタン1000としたと
き、位相指定領域Ｒ 1としては、例えば図２３、図２４
に示した領域が考えられる。この図では省略したが、ど
ちらにおいても位相差πを生じさせる位相シフト膜が、
図２６のように周期的に存在している。図２３、図２４
とも、一番上の微細パタンの上部と一番下の微細パタン
の下部に、それぞれ微細パタンの中心線から、距離ｐ離
れた領域までをＲ領域 1としている。
き、位相指定領域Ｒ 1としては、例えば図２３、図２４
に示した領域が考えられる。この図では省略したが、ど
ちらにおいても位相差πを生じさせる位相シフト膜が、
図２６のように周期的に存在している。図２３、図２４
とも、一番上の微細パタンの上部と一番下の微細パタン
の下部に、それぞれ微細パタンの中心線から、距離ｐ離
れた領域までをＲ領域 1としている。
【００１５】図２３は、微細パタン1100形成に必要とさ
れる光透過部分のみをＲ領域 1としているため、Ｒ領域
1は微細パタン1100に応じた複雑な形状の領域となって
いる。それに対し、図２４は、Ｒ領域 1を長方形領域と
し、そのＸ方向の境界は微細パタン1100形成で必要とさ
れる境界のなかから、最も広範囲な領域をおおうことが
できるように決める。ここでは、Ｒ領域 1として、その
算出が容易な長方形領域を採用する。Ｒ領域を求める具
体的手順については実施例で述べる。
れる光透過部分のみをＲ領域 1としているため、Ｒ領域
1は微細パタン1100に応じた複雑な形状の領域となって
いる。それに対し、図２４は、Ｒ領域 1を長方形領域と
し、そのＸ方向の境界は微細パタン1100形成で必要とさ
れる境界のなかから、最も広範囲な領域をおおうことが
できるように決める。ここでは、Ｒ領域 1として、その
算出が容易な長方形領域を採用する。Ｒ領域を求める具
体的手順については実施例で述べる。
【００１６】Ｒ領域 1が求まれば、与えられたパタン10
00を、Ｒ領域内に存在するパタン1300と、Ｓ領域に存在
するパタン1400とに分離することは容易である。その結
果、１枚目のマスクＭ１は、図２６のような平面構造と
し、Ｒ領域 1内の微細パタンを含むパタン（図２６では
微細パタンのみ）を形成し、Ｓ領域 3は遮光して保護す
る。図２６で、点が散りばめてある領域はシフタ1500で
あり、そのエッヂで微細パタン1100が形成される。左下
がりの斜線で覆った領域1700が遮光部である。一方、２
枚目のマスクＭ２では、図２７のようにＳ領域 3の通常
パタンを形成し、Ｒ領域 1は遮光して保護するととも
に、Ｍ１で形成された不要な微細パタンを露光して除去
する。右下がりの斜線で覆った領域が遮光部である。
00を、Ｒ領域内に存在するパタン1300と、Ｓ領域に存在
するパタン1400とに分離することは容易である。その結
果、１枚目のマスクＭ１は、図２６のような平面構造と
し、Ｒ領域 1内の微細パタンを含むパタン（図２６では
微細パタンのみ）を形成し、Ｓ領域 3は遮光して保護す
る。図２６で、点が散りばめてある領域はシフタ1500で
あり、そのエッヂで微細パタン1100が形成される。左下
がりの斜線で覆った領域1700が遮光部である。一方、２
枚目のマスクＭ２では、図２７のようにＳ領域 3の通常
パタンを形成し、Ｒ領域 1は遮光して保護するととも
に、Ｍ１で形成された不要な微細パタンを露光して除去
する。右下がりの斜線で覆った領域が遮光部である。
【００１７】このようにＲ領域 1の導入は、微細パタン
を形成する領域とそれ以外の領域を分離し、それぞれの
領域内のパタンを独立にパタン形成することを可能なら
しめ、シフタを含むそれぞれの領域内のパタンを与えら
れたパタン1100から自動発生させることを可能としてい
る。図２６、図２７は、そのままではまだ欠点を有して
いるものの、これから述べるように改良した手法におい
ても、Ｒ領域 1の導入がパタンの自動発生に大きな役割
を果たしている。
を形成する領域とそれ以外の領域を分離し、それぞれの
領域内のパタンを独立にパタン形成することを可能なら
しめ、シフタを含むそれぞれの領域内のパタンを与えら
れたパタン1100から自動発生させることを可能としてい
る。図２６、図２７は、そのままではまだ欠点を有して
いるものの、これから述べるように改良した手法におい
ても、Ｒ領域 1の導入がパタンの自動発生に大きな役割
を果たしている。
【００１８】本発明のもう一つの目的は、複数のマスク
間に相対的な位置ずれがあった場合でも、できるだけ忠
実にパタンを転写できるようにすることである。図２
６、図２７に示したＭ１とＭ２を誤差無しに転写できれ
ば、目的とする与えられたパタン1100が形成できるが、
実際には、Ｍ１とＭ２とには相対的な位置ずれが存在す
る。すなわち、Ｍ１のＲＳ境界 2とＭ２のＲＳ境界 2と
は重ならない。その結果、例えば、Ｍ２がＭ１に対して
右上に位置がずれて転写された場合を考えると、Ｍ２の
Ｒ領域 1の上辺部と右辺部は、Ｍ１のＳ領域と重なり、
Ｍ１でもＭ２でも遮光され、未露光となって不要パタン
が形成される。このことは、ＲＳ境界 2近傍で露光すべ
き部分に対しては、Ｍ１とＭ２の両方から露光されなけ
ればならないことを示している。
間に相対的な位置ずれがあった場合でも、できるだけ忠
実にパタンを転写できるようにすることである。図２
６、図２７に示したＭ１とＭ２を誤差無しに転写できれ
ば、目的とする与えられたパタン1100が形成できるが、
実際には、Ｍ１とＭ２とには相対的な位置ずれが存在す
る。すなわち、Ｍ１のＲＳ境界 2とＭ２のＲＳ境界 2と
は重ならない。その結果、例えば、Ｍ２がＭ１に対して
右上に位置がずれて転写された場合を考えると、Ｍ２の
Ｒ領域 1の上辺部と右辺部は、Ｍ１のＳ領域と重なり、
Ｍ１でもＭ２でも遮光され、未露光となって不要パタン
が形成される。このことは、ＲＳ境界 2近傍で露光すべ
き部分に対しては、Ｍ１とＭ２の両方から露光されなけ
ればならないことを示している。
【００１９】図２７のＭ２では、Ｒ領域 1の必要な微細
パタンの潜像を保護するため、不要な潜像部分を除いて
領域内全てを遮光部としたが、保護しなければならない
のはＲ領域内のパタン部のみである。そこで、マスクの
位置ずれがあってもパタン部が露光されないように、合
わせずれを見込んだ量だけＲ領域内のパタン部を少し大
きくした領域のみを遮光部とし、他の部分は透過部とす
る。このようにすると、領域Ｒの境界でパタンが存在し
ない部分（例えば図２７のＲ領域の上辺部）については
合わせの位置ずれが生じても、未露光パタンが生じるこ
とはなくなる。
パタンの潜像を保護するため、不要な潜像部分を除いて
領域内全てを遮光部としたが、保護しなければならない
のはＲ領域内のパタン部のみである。そこで、マスクの
位置ずれがあってもパタン部が露光されないように、合
わせずれを見込んだ量だけＲ領域内のパタン部を少し大
きくした領域のみを遮光部とし、他の部分は透過部とす
る。このようにすると、領域Ｒの境界でパタンが存在し
ない部分（例えば図２７のＲ領域の上辺部）については
合わせの位置ずれが生じても、未露光パタンが生じるこ
とはなくなる。
【００２０】さらに、ＲＳ境界部 ２にパタンが存在す
る場合について、マスクの合わせずれがあったときの対
処法について本発明を説明する。まず、微細パタンの端
部がＲＳ境界部 2にある場合について述べる。図２４の
円で囲った部分51がこれに相当する。この部分を拡大
し、Ｍ１で形成される潜像10と、Ｍ２で保護される部分
12との重なりおよびその結果得られるパタン15につい
て、マスクの合わせずれが無い場合を図２８（ａ）に、
Ｍ２が左にずれた場合を（ｂ）に示す。合わせずれの無
い図２８（ａ）では、予定通りのパタンが形成されてい
るが、合わせずれの有る（ｂ）では、得られる微細パタ
ン15の先端がふくらんでしまう。この現象を解決するた
め、Ｒ領域 1の左右端の決定に際し、図２５に示すよう
に、微細パタンが存在する区間よりも、軸方向両側にそ
れぞれαだけ広げた領域をＲ領域 1とする。また、Ｍ１
で形成した微細パタンに対してのＭ２での保護パタン25
00は、微細パタン1100の幅方向には、合わせずれを考慮
して太らせるものの、軸方向には太らせないこととす
る。このように処理を施した場合に得られる図形を、図
２９に示す。図２９（ａ）は形成すべき微細パタン1100
とＲＳ境界 2の位置関係を、（ｂ）、（ｃ）は合わせず
れが無い場合と有る場合に、Ｍ１で形成される潜像10と
Ｍ２で保護される部分12との重なりおよびその結果得ら
れるパタン15を示している。合わせずれの有無にかかわ
らず、忠実なパタンが転写できている。微細パタン1100
の形成において、領域Ｒ 1を軸方向両側にαずつ広げる
ことで、マスクの合わせずれが生じた場合でも、パタン
の変形が生じないこと、微細パタンのＹ方向の位置はＭ
１により、Ｘ軸方向の位置はＭ２により決めることが可
能となる。
る場合について、マスクの合わせずれがあったときの対
処法について本発明を説明する。まず、微細パタンの端
部がＲＳ境界部 2にある場合について述べる。図２４の
円で囲った部分51がこれに相当する。この部分を拡大
し、Ｍ１で形成される潜像10と、Ｍ２で保護される部分
12との重なりおよびその結果得られるパタン15につい
て、マスクの合わせずれが無い場合を図２８（ａ）に、
Ｍ２が左にずれた場合を（ｂ）に示す。合わせずれの無
い図２８（ａ）では、予定通りのパタンが形成されてい
るが、合わせずれの有る（ｂ）では、得られる微細パタ
ン15の先端がふくらんでしまう。この現象を解決するた
め、Ｒ領域 1の左右端の決定に際し、図２５に示すよう
に、微細パタンが存在する区間よりも、軸方向両側にそ
れぞれαだけ広げた領域をＲ領域 1とする。また、Ｍ１
で形成した微細パタンに対してのＭ２での保護パタン25
00は、微細パタン1100の幅方向には、合わせずれを考慮
して太らせるものの、軸方向には太らせないこととす
る。このように処理を施した場合に得られる図形を、図
２９に示す。図２９（ａ）は形成すべき微細パタン1100
とＲＳ境界 2の位置関係を、（ｂ）、（ｃ）は合わせず
れが無い場合と有る場合に、Ｍ１で形成される潜像10と
Ｍ２で保護される部分12との重なりおよびその結果得ら
れるパタン15を示している。合わせずれの有無にかかわ
らず、忠実なパタンが転写できている。微細パタン1100
の形成において、領域Ｒ 1を軸方向両側にαずつ広げる
ことで、マスクの合わせずれが生じた場合でも、パタン
の変形が生じないこと、微細パタンのＹ方向の位置はＭ
１により、Ｘ軸方向の位置はＭ２により決めることが可
能となる。
【００２１】次に領域Ｒを軸方向にαだけ広げたことに
より、通常パタン1200がＲＳ境界部に存在する図３０
（ａ）の場合について述べる。まず、合わせずれに対し
て何も対処していない今までの場合にパタンがどのよう
な変形を受けるかを述べる。図３０（ｂ）、（ｃ）は、
それぞれＭ１、Ｍ２のパタンを示す。Ｍ２ではＲ領域内
1の通常パタンに対し一様に太らせて大きくしてある。
これは、既に述べたように、マスクの合わせずれがあっ
てもＭ１で形成した潜像を保護するためである。合わせ
の誤差なく転写されれば、図３０（ａ）のパタンが得ら
れるが、例えばＭ２が左下にずれて転写されると、図３
０（ｄ）のように、形成パタン15は、Ｒ領域1 内の太ら
せた部分がＳ領域3 に侵入してパタンに突起を生じさ
せ、隣接する他のパタンの妨げとなる。
より、通常パタン1200がＲＳ境界部に存在する図３０
（ａ）の場合について述べる。まず、合わせずれに対し
て何も対処していない今までの場合にパタンがどのよう
な変形を受けるかを述べる。図３０（ｂ）、（ｃ）は、
それぞれＭ１、Ｍ２のパタンを示す。Ｍ２ではＲ領域内
1の通常パタンに対し一様に太らせて大きくしてある。
これは、既に述べたように、マスクの合わせずれがあっ
てもＭ１で形成した潜像を保護するためである。合わせ
の誤差なく転写されれば、図３０（ａ）のパタンが得ら
れるが、例えばＭ２が左下にずれて転写されると、図３
０（ｄ）のように、形成パタン15は、Ｒ領域1 内の太ら
せた部分がＳ領域3 に侵入してパタンに突起を生じさ
せ、隣接する他のパタンの妨げとなる。
【００２２】本発明では、このような問題を避けるた
め、Ｒ領域内の通常パタンに対し、Ｍ１では幅方向（ｙ
方向）にのみ片側δだけ太らせ、Ｍ２では軸方向（ｘ方
向）にのみ片側δだけ太らせる処理を施す。図３０
（ａ）のパタンに対す本発明を適用したＭ１、Ｍ２のパ
タンを図３１（ａ）、（ｂ）に示す。Ｍ１、Ｍ２が合わ
せ誤差無く転写された場合、Ｍ２が右上にずれた場合、
Ｍ２が左下にずれた場合を、それぞれ図３１（ｃ）、
（ｄ）、（ｅ）に示す。いずれも形成されるパタン形状
はくびれや突起を生じさせず、設計パタンをほぼ忠実に
反映している。これは、Ｒ領域内の通常パタンをＭ１で
は上下方向に、Ｍ２では左右方向に分離して太らせたた
め、合わせずれが生じても、領域の内外に関係なく、領
域内通常パタンの左右辺（図３０の例では右側の辺）の
みがＭ１で規定され、残る辺はＭ２で規定されることに
よる。
め、Ｒ領域内の通常パタンに対し、Ｍ１では幅方向（ｙ
方向）にのみ片側δだけ太らせ、Ｍ２では軸方向（ｘ方
向）にのみ片側δだけ太らせる処理を施す。図３０
（ａ）のパタンに対す本発明を適用したＭ１、Ｍ２のパ
タンを図３１（ａ）、（ｂ）に示す。Ｍ１、Ｍ２が合わ
せ誤差無く転写された場合、Ｍ２が右上にずれた場合、
Ｍ２が左下にずれた場合を、それぞれ図３１（ｃ）、
（ｄ）、（ｅ）に示す。いずれも形成されるパタン形状
はくびれや突起を生じさせず、設計パタンをほぼ忠実に
反映している。これは、Ｒ領域内の通常パタンをＭ１で
は上下方向に、Ｍ２では左右方向に分離して太らせたた
め、合わせずれが生じても、領域の内外に関係なく、領
域内通常パタンの左右辺（図３０の例では右側の辺）の
みがＭ１で規定され、残る辺はＭ２で規定されることに
よる。
【００２３】
【作用】形成しようとする微細パタンの両側を透過する
光の位相差をおおよそπとするように位相をシフトさせ
るパタンを含むマスクを用いた露光と、それにより生じ
る不要なパタンを消去するための露光を含む複数回の露
光により、一つの層のパタンを形成するパタン形成にお
いては、複数のマスクで共通に露光が遮蔽された領域が
パタンとして残る。露光領域を位相シフタが必要な微細
パタン有する領域とそうでない領域に分割することによ
り、１枚はシフタを設け、微細パタンを有する領域で
は、微細パタンに対応したエッジを持つマスクシフタパ
タンと他のパタンに対応したマスクパタンを持ち、微細
パタンを有しない領域は遮蔽するマスクパタンとし、別
の１枚のマスクはシフタを設けずに、シフタを設けない
領域に存在するパタンを形成する通常のマスクパタン
と、シフタを形成する領域に属するパタンで不要なパタ
ンを除去するためのマスクパタンをもたせるというよう
に、２枚のマスクに於けるシフタパタンとマスクパタン
を容易に自動生成できるようになる。さらに、形成され
るパタンは２枚のマスクで共に遮蔽される部分であるの
で、１枚のマスクではマスクパタンを一つの軸方向に太
らせ、この軸と直行する方向に、他のマスクではマスク
パタンを太らせることにより、マスク間の位置ずれが形
成するパタンに与える影響を著しく減少させ、位置合わ
せ余裕度を大きくできる。
光の位相差をおおよそπとするように位相をシフトさせ
るパタンを含むマスクを用いた露光と、それにより生じ
る不要なパタンを消去するための露光を含む複数回の露
光により、一つの層のパタンを形成するパタン形成にお
いては、複数のマスクで共通に露光が遮蔽された領域が
パタンとして残る。露光領域を位相シフタが必要な微細
パタン有する領域とそうでない領域に分割することによ
り、１枚はシフタを設け、微細パタンを有する領域で
は、微細パタンに対応したエッジを持つマスクシフタパ
タンと他のパタンに対応したマスクパタンを持ち、微細
パタンを有しない領域は遮蔽するマスクパタンとし、別
の１枚のマスクはシフタを設けずに、シフタを設けない
領域に存在するパタンを形成する通常のマスクパタン
と、シフタを形成する領域に属するパタンで不要なパタ
ンを除去するためのマスクパタンをもたせるというよう
に、２枚のマスクに於けるシフタパタンとマスクパタン
を容易に自動生成できるようになる。さらに、形成され
るパタンは２枚のマスクで共に遮蔽される部分であるの
で、１枚のマスクではマスクパタンを一つの軸方向に太
らせ、この軸と直行する方向に、他のマスクではマスク
パタンを太らせることにより、マスク間の位置ずれが形
成するパタンに与える影響を著しく減少させ、位置合わ
せ余裕度を大きくできる。
【００２４】
【実施例】ＬＳＩで微細なパタン形成が要求されるゲー
ト層に本発明を実施する場合をのべる。実施例の処理の
流れを図１に、与えられた入力パタンデータと本発明を
用いて作成したマスク製作用のパタンデータを図２から
図６に示す。図２は、微細パタンを含む入力パタンデー
タ1000で、「課題を解決するための手段」で述べた三つ
の前提条件を満足していることとする。図３、図４は２
枚のマスクＭ１、Ｍ２で、これらを用いて図２のパタン
を形成する。Ｍ１はシフタ付き、Ｍ２はシフタ無しであ
る。既に述べたように、通常パタンはＲ領域とＳ領域と
に分離してパタン発生させるので、Ｍ１のマスクを製作
するには、シフタ用のパタンデータ1500、Ｒ領域パタン
データ1600、Ｓ領域保護パタンデータ1700の３種類パタ
ンデータが必要となる。同様に、Ｍ２のマスクを製作す
るには、Ｍ１のシフタで作成した微細パタンを保護する
ためのパタンデータ2500、Ｒ領域パタンデータ2600、Ｓ
領域パタンデータ2700の３種類パタンデータが必要とな
る。図３、図４にこれらのパタンを示す。
ト層に本発明を実施する場合をのべる。実施例の処理の
流れを図１に、与えられた入力パタンデータと本発明を
用いて作成したマスク製作用のパタンデータを図２から
図６に示す。図２は、微細パタンを含む入力パタンデー
タ1000で、「課題を解決するための手段」で述べた三つ
の前提条件を満足していることとする。図３、図４は２
枚のマスクＭ１、Ｍ２で、これらを用いて図２のパタン
を形成する。Ｍ１はシフタ付き、Ｍ２はシフタ無しであ
る。既に述べたように、通常パタンはＲ領域とＳ領域と
に分離してパタン発生させるので、Ｍ１のマスクを製作
するには、シフタ用のパタンデータ1500、Ｒ領域パタン
データ1600、Ｓ領域保護パタンデータ1700の３種類パタ
ンデータが必要となる。同様に、Ｍ２のマスクを製作す
るには、Ｍ１のシフタで作成した微細パタンを保護する
ためのパタンデータ2500、Ｒ領域パタンデータ2600、Ｓ
領域パタンデータ2700の３種類パタンデータが必要とな
る。図３、図４にこれらのパタンを示す。
【００２５】図１は、入力パタンデータ1000から、Ｍ１
とＭ２用それぞれ３種の計６種のパタンデータ1500、16
00、1700、2500、2600、2700を作成する処理の流れを示
している。角の丸い四角はデータ処理を表し、その入出
力は普通の四角で示したパタンデータとなっている。デ
ータ処理は 101から 109まで九種類が必要で、以下にそ
れぞれの処理内容と具体的な実現方法を示す。なお、こ
こで述べる実現方法はあくまでも一手法であって、これ
に限定されるものではない。
とＭ２用それぞれ３種の計６種のパタンデータ1500、16
00、1700、2500、2600、2700を作成する処理の流れを示
している。角の丸い四角はデータ処理を表し、その入出
力は普通の四角で示したパタンデータとなっている。デ
ータ処理は 101から 109まで九種類が必要で、以下にそ
れぞれの処理内容と具体的な実現方法を示す。なお、こ
こで述べる実現方法はあくまでも一手法であって、これ
に限定されるものではない。
【００２６】以下に述べるデータ処理は、２次元の図形
データであるマスクデータを扱う。２次元図形データに
対しての輪郭抽出、リサイズと呼ばれる一律幅の太らせ
や細らせ、チップ領域に対しての白黒反転処理、あるい
は複数の入力データがあるときの積集合演算などは、Ｌ
ＳＩマスクパタンデータの設計規則チェック（ＤＲＣ、
Design Rule Check ）あるいはマスクを電子ビームを用
いて描画するたのデータ処理で、すでに一般的に処理が
行われている。従って、ここでは一般的に行われている
処理であれば、処理の具体的な手法は説明を省くことと
する。具体的な手法については、例えば、『自動化が進
むＬＳＩマスク・パターン・データの検査』、日経エレ
クトロニクス、1980.4.28.、pp90-107を参照されたい。
データであるマスクデータを扱う。２次元図形データに
対しての輪郭抽出、リサイズと呼ばれる一律幅の太らせ
や細らせ、チップ領域に対しての白黒反転処理、あるい
は複数の入力データがあるときの積集合演算などは、Ｌ
ＳＩマスクパタンデータの設計規則チェック（ＤＲＣ、
Design Rule Check ）あるいはマスクを電子ビームを用
いて描画するたのデータ処理で、すでに一般的に処理が
行われている。従って、ここでは一般的に行われている
処理であれば、処理の具体的な手法は説明を省くことと
する。具体的な手法については、例えば、『自動化が進
むＬＳＩマスク・パターン・データの検査』、日経エレ
クトロニクス、1980.4.28.、pp90-107を参照されたい。
【００２７】微細パタン抽出処理 101 与えられたパタン1000を、微細パタン1100と通常パタン
1200とに分離する。微細パタンの幅ｄが既知であれば、
以下の処理で求められる。 (1)与えられたパタン1000を、距離 d/2細らせる。 (2)輪郭を抽出する。 (3)(2)の結果を、距離 d/2太らせる。得られた結果が通
常パタン1200である。 (4)与えられたパタン1000から、通常パタン1200を減算
すれば、得られた結果が幅ｄの微細パタン1100である。
1200とに分離する。微細パタンの幅ｄが既知であれば、
以下の処理で求められる。 (1)与えられたパタン1000を、距離 d/2細らせる。 (2)輪郭を抽出する。 (3)(2)の結果を、距離 d/2太らせる。得られた結果が通
常パタン1200である。 (4)与えられたパタン1000から、通常パタン1200を減算
すれば、得られた結果が幅ｄの微細パタン1100である。
【００２８】図２を与えられたパタン1000とし、図７に
与えられたパタン1000とともに、距離 d/2細らせて、輪
郭抽出した結果の図形1010-1から1010-4を、図８に図形
1010-1から1010-4を距離 d/2太らせて得られた通常パタ
ン1200-1から1200-4と、これを基に得られた微細パタン
1100-1から1100-4を示す。普通、微細パタンの線幅は既
知であるが、不明な場合には、微細パタンとして考えら
れる最大の大きさ、例えば0.49μｍをｄとして、上記の
処理をまず実行する。得られた微細パタン1100は、幅0.
49μｍ以下のパタン全てを含んでいる。次にｄを僅かに
小さくして、同じ処理を実行する。この処理を、順次ｄ
を僅かに小さくしながら繰り返すと、いつか微細パタン
が無くなり、零集合となる。その直前のｄが微細パタン
の幅に一致している。
与えられたパタン1000とともに、距離 d/2細らせて、輪
郭抽出した結果の図形1010-1から1010-4を、図８に図形
1010-1から1010-4を距離 d/2太らせて得られた通常パタ
ン1200-1から1200-4と、これを基に得られた微細パタン
1100-1から1100-4を示す。普通、微細パタンの線幅は既
知であるが、不明な場合には、微細パタンとして考えら
れる最大の大きさ、例えば0.49μｍをｄとして、上記の
処理をまず実行する。得られた微細パタン1100は、幅0.
49μｍ以下のパタン全てを含んでいる。次にｄを僅かに
小さくして、同じ処理を実行する。この処理を、順次ｄ
を僅かに小さくしながら繰り返すと、いつか微細パタン
が無くなり、零集合となる。その直前のｄが微細パタン
の幅に一致している。
【００２９】中心線抽出処理 102 微細パタンの中心線分1250を求める処理である。前提よ
り、微細パタンの線幅は一種類であり、微細パタン抽出
処理 101より線幅は既知だから、処理は容易である。微
細パタン1100-1から1100-3と、中心線分1250-1から1250
-4の関係を図９に示す。
り、微細パタンの線幅は一種類であり、微細パタン抽出
処理 101より線幅は既知だから、処理は容易である。微
細パタン1100-1から1100-3と、中心線分1250-1から1250
-4の関係を図９に示す。
【００３０】Ｒ、Ｓ領域決定処理 103 微細パタンの中心線分データ1250を基に、Ｒ領域 1およ
びＳ領域 3を決める処理である。中心線分データは全て
でｎ個あるとし、また、近接した中心線分データが並ん
でいる間隔ｐは既知とする。未知の場合でも、データを
解析することで知ることができるからである。 (1)中心線分データ1250の幅方向に、両側に距離Ｌずつ
太らせて、幅２Ｌの矩形とする。 (2)(1)で得られたｎ個の矩形をもとに輪郭抽出処理を施
し、矩形同士が繋がって形成される多角形に番号づけ
し、多角形を構成する各矩形にその多角形番号を付与す
る。 (3)ｎ個の矩形データを多角形番号でソーティングし、
同一多角形を形成する矩形を取り出し、その多角形領域
を覆うことができる最小の矩形領域を求める。 (4)(3)で求めた矩形領域を軸方向両側にαずつ広げ、新
たな矩形領域とする。この新たな矩形領域同士が互いに
重なるか接する場合には、それらに同一の多角形番号を
付与し、(3)へ戻る。 (5)(4)で得られた矩形領域の幅方向を両側Ｌずつ細ら
せ、その後ｐずつ太らせる。得られた領域がＲ領域 1で
ある。 (6)パタン形成領域に対して(5)で得られたＲ領域 1を減
算してＳ領域 3が求まる。
びＳ領域 3を決める処理である。中心線分データは全て
でｎ個あるとし、また、近接した中心線分データが並ん
でいる間隔ｐは既知とする。未知の場合でも、データを
解析することで知ることができるからである。 (1)中心線分データ1250の幅方向に、両側に距離Ｌずつ
太らせて、幅２Ｌの矩形とする。 (2)(1)で得られたｎ個の矩形をもとに輪郭抽出処理を施
し、矩形同士が繋がって形成される多角形に番号づけ
し、多角形を構成する各矩形にその多角形番号を付与す
る。 (3)ｎ個の矩形データを多角形番号でソーティングし、
同一多角形を形成する矩形を取り出し、その多角形領域
を覆うことができる最小の矩形領域を求める。 (4)(3)で求めた矩形領域を軸方向両側にαずつ広げ、新
たな矩形領域とする。この新たな矩形領域同士が互いに
重なるか接する場合には、それらに同一の多角形番号を
付与し、(3)へ戻る。 (5)(4)で得られた矩形領域の幅方向を両側Ｌずつ細ら
せ、その後ｐずつ太らせる。得られた領域がＲ領域 1で
ある。 (6)パタン形成領域に対して(5)で得られたＲ領域 1を減
算してＳ領域 3が求まる。
【００３１】おたがいに近傍に存在する中心線分を集め
て、Ｒ領域を求める処理である。本実施例での処理の説
明を図１０、図１１に示す。中心線分1250-1から1250-4
それぞれを、幅２Ｌの矩形とすると全てつながり、一つ
の多角形となる。他に多角形が存在しないため、上記処
理の(3)(4)(5)により、図１１のＲ領域 1が求まる。(1)
の処理で、隣接する中心線分データの間隔が２Ｌ以下で
あれば、２つの矩形は繋がって一つの多角形とすること
ができる。従って、 ２ｐ ＜ ２Ｌ ＜ ３ｐ とすれば、図１０に示すように、隣接する中心線分デー
タの間隔が２ｐまでなら一つのＲ領域となり、３ｐ離れ
ていれば別のＲ領域と見なすことができる。
て、Ｒ領域を求める処理である。本実施例での処理の説
明を図１０、図１１に示す。中心線分1250-1から1250-4
それぞれを、幅２Ｌの矩形とすると全てつながり、一つ
の多角形となる。他に多角形が存在しないため、上記処
理の(3)(4)(5)により、図１１のＲ領域 1が求まる。(1)
の処理で、隣接する中心線分データの間隔が２Ｌ以下で
あれば、２つの矩形は繋がって一つの多角形とすること
ができる。従って、 ２ｐ ＜ ２Ｌ ＜ ３ｐ とすれば、図１０に示すように、隣接する中心線分デー
タの間隔が２ｐまでなら一つのＲ領域となり、３ｐ離れ
ていれば別のＲ領域と見なすことができる。
【００３２】Ｒ領域内通常パタン抽出処理 104 及び
Ｓ領域内通常パタン抽出処理 105 Ｒ領域内通常パタン抽出処理 104では、Ｒ領域決定処理
103で得られたＲ領域データと通常パタンデータの積集
合演算により、Ｒ領域内通常パタンデータが容易に求め
られる。Ｓ領域内通常パタン抽出処理 105も同様であ
る。図１２に、Ｒ領域内通常パタン1300-1から1300-4、
およびＳ領域内通常パタン1400-1から1400-2を示す。
Ｓ領域内通常パタン抽出処理 105 Ｒ領域内通常パタン抽出処理 104では、Ｒ領域決定処理
103で得られたＲ領域データと通常パタンデータの積集
合演算により、Ｒ領域内通常パタンデータが容易に求め
られる。Ｓ領域内通常パタン抽出処理 105も同様であ
る。図１２に、Ｒ領域内通常パタン1300-1から1300-4、
およびＳ領域内通常パタン1400-1から1400-2を示す。
【００３３】幅方向太らせ処理 106 Ｒ領域内通常パタン1300を幅方向に、両側それぞれにδ
太らせる。結果を図１３に示す。Ｒ領域内通常パタン13
00-1から1300-4が、Ｍ１用Ｒ領域パタン1600-1から1600
-4となる。δは２枚のマスクの相対的な合わせ精度で決
まる量で、例えば０．２μｍという値が考えられる。
太らせる。結果を図１３に示す。Ｒ領域内通常パタン13
00-1から1300-4が、Ｍ１用Ｒ領域パタン1600-1から1600
-4となる。δは２枚のマスクの相対的な合わせ精度で決
まる量で、例えば０．２μｍという値が考えられる。
【００３４】軸方向太らせ処理 107 Ｒ領域内通常パタン1300を軸方向に、Ｒ領域内において
δ太らせる。結果を図１４に示す。Ｒ領域内通常パタン
1300-1から1300-4が、Ｍ２用Ｒ領域パタン2600-1から26
00-4となる。同図に、Ｍ２用Ｓ領域パタン2700-1、2700
-2もあわせて示す。δは、幅方向太らせ処理 106と考え
方が同じであり、同一の値とした。
δ太らせる。結果を図１４に示す。Ｒ領域内通常パタン
1300-1から1300-4が、Ｍ２用Ｒ領域パタン2600-1から26
00-4となる。同図に、Ｍ２用Ｓ領域パタン2700-1、2700
-2もあわせて示す。δは、幅方向太らせ処理 106と考え
方が同じであり、同一の値とした。
【００３５】シフタパタン生成処理 108 Ｒ領域データとそれに対応する中心線分データを入力し
て、シフタ用パタンを生成する。Ｒ領域毎に、中心線分
データ1250を幅方向（例えば図１５では、ｙ方向に上か
ら下へ）ソーティングしておけば、中心線分データ1250
を順に取り出して、シフタの無い領域、有る領域と割り
当てれば良い。図１５が割り当てた結果である。微細パタン保護処理 109 中心線分データ1250を、幅方向にε太らせて、Ｍ２用の
微細パタン保護パタン2500を作成する。図１６に実施例
を示す。εは、幅方向太らせ処理 106で用いた、マスク
間の合わせを考慮した値δと同一でも良いが、ゲート電
極となる微細パタンを完全に遮光して寸法精度を高める
意味で、ε＞δとし、例えば０３．μｍの値が用いられ
る。
て、シフタ用パタンを生成する。Ｒ領域毎に、中心線分
データ1250を幅方向（例えば図１５では、ｙ方向に上か
ら下へ）ソーティングしておけば、中心線分データ1250
を順に取り出して、シフタの無い領域、有る領域と割り
当てれば良い。図１５が割り当てた結果である。微細パタン保護処理 109 中心線分データ1250を、幅方向にε太らせて、Ｍ２用の
微細パタン保護パタン2500を作成する。図１６に実施例
を示す。εは、幅方向太らせ処理 106で用いた、マスク
間の合わせを考慮した値δと同一でも良いが、ゲート電
極となる微細パタンを完全に遮光して寸法精度を高める
意味で、ε＞δとし、例えば０３．μｍの値が用いられ
る。
【００３６】以上述べてきた九種類の演算処理を実施す
ることにより、Ｍ１、Ｍ２のパタンの自動発生が可能と
なる。Ｍ１は、図３に示すように、シフタパタン1500-
1、1500-2、Ｓ領域の保護パタン1700、およびＲ領域通
常パタン1600-1から1600-4を用いて構成される。Ｍ２
は、図４に示すように、微細パタン保護パタン2500-1か
ら2500-4、Ｒ領域パタン2600-1から2600-4、およびＳ領
域パタン2700-1、2700-2を用いて構成される。
ることにより、Ｍ１、Ｍ２のパタンの自動発生が可能と
なる。Ｍ１は、図３に示すように、シフタパタン1500-
1、1500-2、Ｓ領域の保護パタン1700、およびＲ領域通
常パタン1600-1から1600-4を用いて構成される。Ｍ２
は、図４に示すように、微細パタン保護パタン2500-1か
ら2500-4、Ｒ領域パタン2600-1から2600-4、およびＳ領
域パタン2700-1、2700-2を用いて構成される。
【００３７】図５に、２枚のマスクが誤差無しに重なっ
た場合を示す。光で露光した部分が現像により溶解する
ポジ形レジストを使用すると、Ｍ１で形成される潜像領
域10とＭ２の遮光部で保護される領域12の積集合部分が
未露光となって、パタンが形成される。図２のパタンが
形成されていることが判る。図６は、Ｍ２がＭ１に対し
て、左下にずれて転写された場合である。微細パタンと
通常パタンとの相対位置等がずれているものの、パタン
形状に致命的な欠点はない。ゲートパタンでは、他の
層、例えばコンタクトホール層との重ね精度が問題とな
るが、この点では、１枚のマスクを用いる普通の手法と
本発明による手法とで有為な差は存在していない。
た場合を示す。光で露光した部分が現像により溶解する
ポジ形レジストを使用すると、Ｍ１で形成される潜像領
域10とＭ２の遮光部で保護される領域12の積集合部分が
未露光となって、パタンが形成される。図２のパタンが
形成されていることが判る。図６は、Ｍ２がＭ１に対し
て、左下にずれて転写された場合である。微細パタンと
通常パタンとの相対位置等がずれているものの、パタン
形状に致命的な欠点はない。ゲートパタンでは、他の
層、例えばコンタクトホール層との重ね精度が問題とな
るが、この点では、１枚のマスクを用いる普通の手法と
本発明による手法とで有為な差は存在していない。
【００３８】さて、スタンダードセル設計方式を用いた
ゲート層パタンを前提として、課題を解決するための手
段で述べた３つの前提条件の制約について補足説明をし
ておく、微細パタンが全てＸ軸に平行となる前提条件１
は、全てがＹ軸に平行であったとしてももちろんかまわ
ないし、さらに言えば位相が指定されている第一の領域
が複数ある場合には、それぞれの領域について、その領
域に含まれる微細パタン全てがＸ軸あるいはＹ軸に平行
であれば良い。
ゲート層パタンを前提として、課題を解決するための手
段で述べた３つの前提条件の制約について補足説明をし
ておく、微細パタンが全てＸ軸に平行となる前提条件１
は、全てがＹ軸に平行であったとしてももちろんかまわ
ないし、さらに言えば位相が指定されている第一の領域
が複数ある場合には、それぞれの領域について、その領
域に含まれる微細パタン全てがＸ軸あるいはＹ軸に平行
であれば良い。
【００３９】微細パタンの中心線部分の間隔がｐないし
ｐの整数倍という条件２は、スタンダードセル方式では
満たされていると考えて良い。微細パタンの線幅に対し
ての第３の条件については、図１８に説明したシフタエ
ッヂ法を適用すれば、線幅に対しての制約はなくなる。
また線幅の種類に対しては、微細パタン抽出処理101,そ
の微細パタン形成に必要な、例えばシフタエッヂ部に要
求される遮光体の幅の決定とそのパタン発生処理，およ
びＭ２での微細パタン保護処理109 におけるパタン幅が
複数種類になることを考慮すれば、１種類に限定する必
要はない。実際、ＣＭＯＳのゲートパタンはＰ型ＭＯＳ
トランジスタとＮ型ＭＯＳトランジスタとでゲートパタ
ンの幅が異なることが生じるが、以上のことから対応は
容易である。
ｐの整数倍という条件２は、スタンダードセル方式では
満たされていると考えて良い。微細パタンの線幅に対し
ての第３の条件については、図１８に説明したシフタエ
ッヂ法を適用すれば、線幅に対しての制約はなくなる。
また線幅の種類に対しては、微細パタン抽出処理101,そ
の微細パタン形成に必要な、例えばシフタエッヂ部に要
求される遮光体の幅の決定とそのパタン発生処理，およ
びＭ２での微細パタン保護処理109 におけるパタン幅が
複数種類になることを考慮すれば、１種類に限定する必
要はない。実際、ＣＭＯＳのゲートパタンはＰ型ＭＯＳ
トランジスタとＮ型ＭＯＳトランジスタとでゲートパタ
ンの幅が異なることが生じるが、以上のことから対応は
容易である。
【００４０】従って、本発明手法は、スタンダードセル
設計方式を用いたゲート層パタンの形成に適用可能であ
り、さらには、微細パタンが等間隔に並んでいる等のパ
タン形成に、適用可能な可能性が高い。
設計方式を用いたゲート層パタンの形成に適用可能であ
り、さらには、微細パタンが等間隔に並んでいる等のパ
タン形成に、適用可能な可能性が高い。
【００４１】
【発明の効果】本願発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
露光領域を位相シフタが必要な微細パタン有する領域と
そうでない領域に分割することにより、微細パタンを形
成する領域とそれ以外の領域を分離し、それぞれの領域
内のパタンを独立にパタン形成することを可能ならし
め、シフタを含むそれぞれの領域内のパタンを与えられ
た形成すべきパタンから自動発生させることを可能とし
ている。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
露光領域を位相シフタが必要な微細パタン有する領域と
そうでない領域に分割することにより、微細パタンを形
成する領域とそれ以外の領域を分離し、それぞれの領域
内のパタンを独立にパタン形成することを可能ならし
め、シフタを含むそれぞれの領域内のパタンを与えられ
た形成すべきパタンから自動発生させることを可能とし
ている。
【００４２】そして、位相シフタが必要な領域の通常パ
タンをマスクＭ１では上下方向に、マスクＭ２では左右
方向に分離して太らせることにより、Ｍ２がＭ１に対し
て位置ずれして転写された場合でも形成されるパタン形
状はくびれや突起を生じさせず、設計パタンをほぼ忠実
に反映したパタンが形成できるというように位置ずれの
影響を小さくできる。
タンをマスクＭ１では上下方向に、マスクＭ２では左右
方向に分離して太らせることにより、Ｍ２がＭ１に対し
て位置ずれして転写された場合でも形成されるパタン形
状はくびれや突起を生じさせず、設計パタンをほぼ忠実
に反映したパタンが形成できるというように位置ずれの
影響を小さくできる。
【図１】与えられたマスクパタンから位相シフト膜のパ
タンを含む位相シフトマスク用のパタンを自動発生させ
る処理の流れ
タンを含む位相シフトマスク用のパタンを自動発生させ
る処理の流れ
【図２】形成すべきパタン。
【図３】本発明を実施したときの図２のパタンを形成す
るための１枚目のマスクの平坦配置図。
るための１枚目のマスクの平坦配置図。
【図４】本発明を実施したときの図２のパタンを形成す
るための２枚目のマスクの平坦配置図。
るための２枚目のマスクの平坦配置図。
【図５】図３と図４の２枚のマスクが位置ずれなく重な
って転写したときのパタン説明
って転写したときのパタン説明
【図６】図４のマスクが図３のマスクに対し左下方向に
位置ずれして転写したときのパタン説明。
位置ずれして転写したときのパタン説明。
【図７】微細パタン抽出処理１０１の説明。
【図８】微細パタン抽出処理１０１の説明。
【図９】微細パタンの中心線分抽出処理１０２説明。
【図１０】Ｒ，Ｓ領域決定処理１０３の説明
【図１１】Ｒ，Ｓ領域決定処理１０３の説明
【図１２】Ｒ領域ないの画像パタン抽出処理１０４の説
明とＲ領域ないの画像パタン抽出処理１０５の説明。
明とＲ領域ないの画像パタン抽出処理１０５の説明。
【図１３】Ｒ領域ないの通常パタンに対して幅方向太ら
せ処理１０６の説明。
せ処理１０６の説明。
【図１４】Ｒ領域ないの通常パタンに対して軸方向太ら
せ処理１０７の説明。
せ処理１０７の説明。
【図１５】シフタパタン生々処理１０８の説明。
【図１６】微細パタン保護処理の説明。
【図１７】位相シフト膜のエッジを利用した位相シフト
法の説明 （ａ）位相シフトマスクの断面図 （ｂ）（ａ）のマスクを透過した光の複素振幅 （ｃ）（ａ）のマスクを透過した光の強度分布 （ｄ）位相シフト膜のエッジを利用した微細パタンを周
期ｐｄｅ形成するための位相シフトマスク断面図
法の説明 （ａ）位相シフトマスクの断面図 （ｂ）（ａ）のマスクを透過した光の複素振幅 （ｃ）（ａ）のマスクを透過した光の強度分布 （ｄ）位相シフト膜のエッジを利用した微細パタンを周
期ｐｄｅ形成するための位相シフトマスク断面図
【図１８】位相シフト膜のエッジを利用した微細パタン
形成でパタン幅を制御するための手法の説明（ａ）位相
シフト膜のエッジに社交対を入れたマスクの断面図、
（ｂ）位相シフト膜のエッジを周期の細かい折り返し形
状にしたマスクの平面図
形成でパタン幅を制御するための手法の説明（ａ）位相
シフト膜のエッジに社交対を入れたマスクの断面図、
（ｂ）位相シフト膜のエッジを周期の細かい折り返し形
状にしたマスクの平面図
【図１９】位相シフト膜を用いると不要なパタンが形成
される例
される例
【図２０】図１９で示した不要なパタンを２枚のマスク
を用いて除去する手法の説明
を用いて除去する手法の説明
【図２１】２枚のマスク間の合わせの位置ずれがあった
ときに形成パタンに与える悪影響の説明
ときに形成パタンに与える悪影響の説明
【図２２】マスク間の合わせずれに対処するため、Ｒ領
域の決定にあたり微細パタンの軸方向に距離αだけ領域
を広げる説明での形成したいパタン
域の決定にあたり微細パタンの軸方向に距離αだけ領域
を広げる説明での形成したいパタン
【図２３】マスク間の合わせずれに対処するため、Ｒ領
域の決定にあたり微細パタンの軸方向に距離αだけ領域
を広げる説明でのＲ領域の形成例
域の決定にあたり微細パタンの軸方向に距離αだけ領域
を広げる説明でのＲ領域の形成例
【図２４】マスク間の合わせずれに対処するため、Ｒ領
域の決定にあたり微細パタンの軸方向に距離αだけ領域
を広げる説明でのＲ領域を矩形に形成した例
域の決定にあたり微細パタンの軸方向に距離αだけ領域
を広げる説明でのＲ領域を矩形に形成した例
【図２５】マスク間の合わせずれに対処するため、Ｒ領
域の決定にあたり微細パタンの軸方向に距離αだけ領域
を広げる説明での広げたＲ領域の例
域の決定にあたり微細パタンの軸方向に距離αだけ領域
を広げる説明での広げたＲ領域の例
【図２６】マスク間に合わせずれに対処してない場合の
シフタを設けるマスクのマスクパタン例
シフタを設けるマスクのマスクパタン例
【図２７】マスク間に合わせずれに対処してない場合の
シフタを設けないマスクのマスクパタン例
シフタを設けないマスクのマスクパタン例
【図２８】図２７及び図２８のマスクを用いたときに、
マスク間の合わせずてがあったときのパタン形成例。
マスク間の合わせずてがあったときのパタン形成例。
【図２９】Ｒ領域の決定に際して距離α領域を広げた場
合にマスク合わせずれがあったときのパタン形成例
合にマスク合わせずれがあったときのパタン形成例
【図３０】マスク間の合わせずれに十分な対応がなされ
ていない場合に合わせずれが生じた場合の説明 （ａ）形成すべきパタン（ｂ）マスク１の平面図（ｃ）
マスクの平面図（ｄ）合わせずれがあったときの形成パ
タン
ていない場合に合わせずれが生じた場合の説明 （ａ）形成すべきパタン（ｂ）マスク１の平面図（ｃ）
マスクの平面図（ｄ）合わせずれがあったときの形成パ
タン
【図３１】本発明によりマスク間の合わせずれに対処し
た場合の説明図 （ａ）マスク１のパタン平面図 （ｂ）マスク２のパタン平面図 （ｃ）合わせずれがないときの形成パタン （ｄ）Ｍ２がＭ１に対して右上にずれて転写されたとき
の形成パタン （ｅ）Ｍ２がＭ１に対して左下にずれて転写されたとき
の形成パタン
た場合の説明図 （ａ）マスク１のパタン平面図 （ｂ）マスク２のパタン平面図 （ｃ）合わせずれがないときの形成パタン （ｄ）Ｍ２がＭ１に対して右上にずれて転写されたとき
の形成パタン （ｅ）Ｍ２がＭ１に対して左下にずれて転写されたとき
の形成パタン
Claims (4)
- 【請求項１】形成しようとする微細パタンの両側を透過
する光の位相差をおおよそπとするように位相をシフト
させるパタンを含むマスクを用いた露光と、それにより
生じる不要なパタンを消去するための露光を含む複数回
の露光により、一つの層のパタンを形成するパタン形成
において、 前記微細パタンを形成するため位相差のある光が透過す
るために必要となる第１の領域を設定する第１の工程
と、形成する全パタンあるいは前記微細パタンを除く全
パタンを前記第１の領域の内と外とに分離する第２の工
程を含むことを特徴とするマスクパタンデータ処理方
法。 - 【請求項２】前記第１の領域を決定するにあたり、両側
を透過する光の位相差をおおよそπとして形成される微
細パタンの長さが、最終的に形成される細線の長さより
も、少なくとも複数枚のマスク間の相互の重ね合わせで
生ずる重ね誤差に相等する距離だけ、微細パタンの軸方
向の両側それぞれに長くなるように前記第１の領域の境
界を設定することを特徴とする請求項１記載のマスクパ
タンデータ処理方法。 - 【請求項３】形成しようとする微細パタンの両側を透過
する光の位相差をおおよそπとするように位相をシフト
させるパタンを含むマスクを用いた露光と、それにより
生じる不要なパタンを消去するための露光を含む複数回
の露光により、一つの層のパタンを形成するホトマスク
において、位相差のある光を用いて形成しなければなら
ないパタンを微細パタン、微細パタン以外の従来用いら
れてきたマスク上の遮光体を転写して形成するパタンを
通常パタンと呼ぶこととし、また微細パタンの細い線が
伸びている長手方向を軸方向、軸方向と直角の向きを幅
方向と表現することとしたとき、前記微細パタンを形成
するため位相差のある光が透過するために必要となる第
１の領域内のパタンに対し、微細パタンを形成するマス
クでは、前記第１の領域内の通常パタンは軸方向には最
終的に前記複数回の露光により形成されるパタンの長さ
で、かつ幅方向には最終的に前記複数回の露光により形
成されるパタンの幅より所定の長さだけ広げた寸法を有
し、他のマスクでは、前記第１の領域内の通常パタンは
軸方向には最終的に前記複数回の露光により形成される
パタンの長さより所定の長さだけ広げた寸法を、かつ幅
方向には最終的に前記複数回の露光により形成されるパ
タンの幅の寸法を有することを特徴とするホトマスク。 - 【請求項４】形成しようとする微細パタンの両側を透過
する光の位相差をおおよそπとするように位相をシフト
させるパタンを含むマスクを用いた露光と、それにより
生じる不要なパタンを消去するための露光を含む複数回
の露光により、一つの層のパタンを形成するホトマスク
において、 両側を透過する光の位相差をおおよそπとして形成され
る微細パタンの長さが、最終的に前記複数回の露光によ
り形成される細線の長さよりも、所定の距離だけ、微細
パタンの軸方向の両側それぞれに長くなるように前記第
１の領域の境界が設定されていることを特徴とするホト
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7078692A JP3148770B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | ホトマスク及びマスクパタンデータ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7078692A JP3148770B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | ホトマスク及びマスクパタンデータ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0667403A true JPH0667403A (ja) | 1994-03-11 |
| JP3148770B2 JP3148770B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=13441561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7078692A Expired - Fee Related JP3148770B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | ホトマスク及びマスクパタンデータ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3148770B2 (ja) |
Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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