CN110462807A - 电子部件的回流及返工装置 - Google Patents

电子部件的回流及返工装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110462807A
CN110462807A CN201980000268.6A CN201980000268A CN110462807A CN 110462807 A CN110462807 A CN 110462807A CN 201980000268 A CN201980000268 A CN 201980000268A CN 110462807 A CN110462807 A CN 110462807A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic component
mentioned
over again
reflux
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201980000268.6A
Other languages
English (en)
Inventor
崔在浚
金南成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Laser Shih Co Ltd
Original Assignee
Laser Shih Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Laser Shih Co Ltd filed Critical Laser Shih Co Ltd
Priority to CN202310751139.9A priority Critical patent/CN116685076A/zh
Publication of CN110462807A publication Critical patent/CN110462807A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20—Bonding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20—Bonding
    • B23K26/21—Bonding by welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/60—Preliminary treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

本发明涉及电子部件的回流及返工装置。本发明包括：工作台，用于配置基板，在上述基板安装有作为回流或返工对象的电子部件；加热部，通过对包括上述电子部件的区域进行加热来对设置于上述电子部件的电连接图案进行加热；激光照射部，通过向上述电子部件照射激光来对设置于上述电子部件的电连接图案进行加热；控制指令输入部，用于接收作业控制指令；以及控制部，根据通过上述控制指令输入部接收的作业控制指令来使上述加热部和上述激光照射部进行工作，以使得上述电子部件向上述基板回流或使向上述基板回流的电子部件进行返工的方式进行控制。

Description

电子部件的回流及返工装置
技术领域
本发明涉及电子部件的回流及返工装置。更具体地，本发明涉及如下的电子部件的回流及返工装置：在不影响其他电子部件的同时仅使目标电子部件稳定地向基板回流及返工，减少为了使如目标电子部件的焊球的电连接图案达到熔点所需的时间，使得减少整体的回流及返工工序时间，并提高产品收益率。
并且，涉及如下的电子部件的回流及返工装置：为了去除安装于印刷电路基板的电子部件，仅向作为去除对象的电子部件区域照射激光束来使热量不会向相邻的电子部件传递，使得仅可去除作为去除对象的电子部件。
背景技术
通常，包括集成电路芯片(IC)、手动元件等的电子部件通过回流(reflow)工序来以焊接(soldering)方式向印刷电路基板回流，在发现所回流的电子部件中的缺陷的情况下，可在通过返工(rework)工序去除缺陷部件之后更换为正常的电子部件。当然，为了回流和返工，在印刷电路基板设置有焊盘，在电子部件设置有与焊盘相对应的焊球。
另一方面，如图1所示，以往，为了回流工序及返工工序，将供给热风的方式用作使设置于电子部件的焊球加热至熔点的方法。
但是，这种现有技术具有如下的问题。
第一，在执行与特定电子部件有关的返工或回流工序的过程中供给的热风不可避免地还向与上述特定部件相邻的其他电子部件供给，因此，对并不是作为返工或回流工序的对象的其他电子部件具有恶劣影响。
对此的具体说明如下。
如图1所示，根据现有技术，在返工的目标为电子部件A的情况下，用于对设置于电子部件A的焊球进行熔融的热风不仅向电子部件A供给，还向与电子部件A相邻的电子部件B、C供给，因此，使正常的设置于电子部件B、C的多个焊球被熔融等无意地对电子部件B、C起到恶劣影响。
第二，如上所述的热风方式等以往的方法从非接触方式的热源向作为加热对象的电子部件的全部的面施加辐射热且电子部件安装及焊接部位的温度通过辐射热逐渐升高，因此，从加热部至焊接熔融为止的时间过长。即，为了使焊球达到熔点，供给热风的时间过长，因此，整体的工序时间增加，从而使产品收益率降低。
第三，最近，在基板上以高密度安装很小尺寸的部件，因此，例如，在小芯片部件(统称为0201尺寸，即，0.2mm×0.1mm或0402尺寸，即，0.4mm×0.2mm等)的情况下，仅对相应部件范围进行加热等局部加热成为必要条件，以往的使用热风或者卤素或氙灯等的热源的方式无法取出对象部件。
另一方面，厚度为1000μm以上的厚的半导体芯片等电子部件，为了确保自身重量和可靠性特性，不在半导体芯片下部配置焊球而在电子部件的侧面配线厚的铅电极线(或引线)的情况较多，这种部件通常为排出较多热量的电子部件，因此，使用散热性能非常优秀的厚的铅电极线，为了提高散热性能，印刷电路基板也以宽且厚的方式形成印刷电路基板内部配线，还在印刷电路基板的下部附着具有1mm以上的厚度的散热板来同时使用。因此，若同时对半导体芯片等的电子部件和铅电极线进行加热，则由于电子部件自身的散热性能，大部分的热量容易地被散热，使得不易对接触部进行熔融，若为了使铅电极线和基板的基础部充分地熔融而充分地加热，反而使半导体芯片等的电子部件的温度过于高，由于过长时间的加热，柔性印刷电路板(PCB)和散热板吸收的热量甚至对周围电子部件进行加热，从而使不必要去除且需要避免破损的周围电子部件产生故障。
发明内容
技术问题
本发明的目的在于，提供如下的电子部件的回流及返工装置：在不影响其他电子部件的同时仅使目标电子部件稳定地向基板回流及返工。
并且，本发明的目的在于，提供如下的电子部件的回流及返工装置：减少使目标电子部件的焊球等的电连接图案达到熔点所需的时间来减少整体的回流及返工工序时间，并可提高产品收益率。
并且，本发明的目的在于，提供如下的回流及返工装置：仅向安装于印刷电路基板的电子部件中的受损的电子部件照射红外线激光束来使热量不向相邻的正常电子部件传递，并可仅去除受损的电子部件。
并且，本发明的目的在于，提供如下的回流及返工装置：在印刷电路基板安装互不相同的尺寸的电子部件的情况下，通过调节激光束照射部与安装的部件之间的距离来改变激光束照射面积，使得单独去除互不相同的尺寸的电子部件。
并且，本发明的目的在于，提供如下的回流及返工装置：在印刷电路基板安装互不相同的尺寸的电子部件的情况下，利用与最小尺寸的部件相对应的面积的激光束来去除各种尺寸的部件。
并且，本发明的目的在于，提供如下的回流及返工装置：在由于电子部件的厚度厚而在红外线激光束的透射功率少或散热特性优秀的印刷电路基板安装电子部件的情况下，以电子部件周围的铅电极线为主施加红外线激光束，使得不向电子部件施加过多的热冲击，并可在基板去除电子部件。
并且，本发明的目的在于，提供如下的回流及返工装置：仅向安装于印刷电路基板的电子部件中的受损的电子部件照射红外线激光束，在如球珊阵列(BGA，Ball GridArray)的在安装的下部面形成有多个焊球的情况下，也可减少分离作为去除对象的电子部件所需的时间。
并且，本发明的目的在于，提供如下的回流及返工装置：包括红外线激光束照射部和照射用于分解树脂粘结剂的紫外线的紫外线照射部，在使半导体芯片与焊球一同利用树脂粘结剂粘结于印刷电路基板的情况下，也可对焊球进行熔融并分解树脂粘结剂来在基板去除电子部件。
解决问题的方案
用于实现上述技术目的的本发明的电子部件的回流及返工装置包括；工作台，用于配置基板，在上述基板安装有作为回流或返工对象的电子部件；加热部，通过对包括上述电子部件的区域进行加热来对设置于上述电子部件的电连接图案进行加热；激光照射部，通过向上述电子部件照射激光来对设置于上述电子部件的电连接图案进行加热；控制指令输入部，用于接收作业控制指令；以及控制部，根据通过上述控制指令输入部接收的作业控制指令来使上述加热部和上述激光照射部进行工作，以使得上述电子部件向上述基板回流或使向上述基板回流的电子部件进行返工的方式进行控制。
并且，本发明的特征在于，上述电子部件的电连接图案通过从上述加热部及上述激光照射部传递的各自的热量来单独被加热，由此减少用于回流或返工的加热时间，在用于回流或返工的加热过程中，防止作为激光照射面的上述电子部件的表面的受损。
并且，本发明的特征在于，在上述作业控制指令为依次工作模式的情况下，上述控制部以使上述加热部和上述激光照射部依次进行工作的方式进行控制。
并且，本发明的特征在于，在上述作业控制指令为同时工作模式的情况下，上述控制部以使上述加热部和上述激光照射部同时进行工作的方式进行控制。
并且，本发明的特征在于，在上述作业控制指令为重叠工作模式的情况下，上述控制部以使上述加热部和上述激光照射部在至少一部分区域重叠工作的方式进行控制。
并且，本发明的特征在于，上述加热部以空气对流加热方式或光辐射加热方式对包括上述电子部件的区域进行加热。
并且，本发明的特征在于，上述加热部通过向包括上述电子部件的区域供给热风来对包括上述电子部件的区域进行加热。
并且，本发明的特征在于，上述加热部向包括上述电子部件的区域照射包括紫外线或红外线中的一种以上的光来对包括上述电子部件的区域进行加热。
并且，本发明的特征在于，通过上述激光照射部供给的光源为同时照射属于激光照射区域的所有地方的同时照射面光源。
并且，本发明的特征在于，通过上述激光照射部供给的光源为依次照射属于激光照射区域的多个个别地方的依次照射面光源。
并且，本发明的特征在于，通过上述激光照射部供给的光源为点光源，上述点光源通过高速镜扫描来以上述激光照射区域为基准获取面光源照射效果。
并且，本发明的特征在于，从上述激光照射部照射的激光束中，所入射的激光束的光学功率部分性地透射作为去除对象的电子部件来对焊接部进行加热而进行熔融，上述焊接部对上述基板和上述电子部件进行焊接。
并且，本发明的特征在于，上述激光照射部包括：光束整形器，将从激光振荡器产生并通过光纤维传递的红外线激光转换为面光源形态；光学透镜模块，使在上述光束整形器转换为面光源形态的红外线激光束向作为去除对象的上述电子部件照射；驱动装置，以使上述红外线激光束的面积与作为去除对象的上述电子部件的表面积相对应或小于上述电子部件的表面积的方式驱动上述光学透镜模块；以及控制装置，对上述驱动装置的工作进行控制。
并且，本发明的特征在于，从上述激光照射部照射的激光束具有能够以相当的比率透射作为去除对象的上述电子部件的碳酸甲乙酯(EMC)模具层和硅芯片的波长范围。
并且，本发明的特征在于，上述激光束具有800nm至1200nm的范围、1400nm至1600nm的范围、1800nm至2200nm的范围及2500nm至3200nm的范围中的一个波长范围，上述电子部件的碳酸甲乙酯模具层具有1000μm以下的厚度。
并且，本发明的特征在于，上述激光照射部将焊接部的加热温度控制在220℃至260℃的范围内，将作为去除对象的上述电子部件的表面温度控制在300℃至350℃的范围或以下，将激光束的照射时间控制在1毫秒以上且30秒以下。
并且，本发明的特征在于，在基板为易受高温影响的聚合物材料的情况下，上述激光照射部将基板温度控制在200℃范围或以下，将激光束的照射时间控制在1毫秒以上且30秒以下。
并且，本发明的特征在于，本发明还包括激光束阻隔用罩，上述激光束阻隔用罩设置于上述激光照射部与作为去除对象的电子部件之间，以从上述激光照射部照射的激光束无法透射作为去除对象的上述电子部件的方式进行阻隔，上述激光照射部照射具有包括在作为去除对象的上述电子部件的侧面配线的引线区域为止在内的照射面积的激光束。
并且，本发明的特征在于，本发明还包括以各种角度和方向照射用于对附加于作为去除对象的电子部件与上述基板之间的焊接部的树脂粘结剂进行分解的紫外线的紫外线照射部。
并且，本发明的特征在于，上述紫外线照射部为生成紫外线激光束的紫外线激光振荡器或生成高输出紫外线光束的高输出紫外线发光二极管(LED)模块。
发明的效果
根据本发明，提供如下的电子部件的回流及返工装置：在不影响其他电子部件的同时仅使目标电子部件稳定地向基板回流及返工。
并且，根据本发明，提供如下的电子部件的回流及返工装置：减少使如目标电子部件的焊球的电连接图案达到熔点所需的时间来减少整体的回流及返工工序时间，并可提高产品收益率。
并且，根据本发明，提供如下的电子部件的回流及返工装置：在使如目标电子部件的焊球的电连接图案达到熔点的过程中，上述加热部使整体电子部件和整体上述基板的温度加热至低于熔点的特定温度为止，之后使为了或同时或在时域部分重叠(partiallyoverlapped in time domain)地对焊接部加热至熔点以上而所需的电子部件的上部面的温度维持在低温，在执行回流及返工的过程中，可完全出去除电子部件的损伤。
并且，根据本发明，提供如下的电子部件的回流及返工装置：在使如目标电子部件的焊球的电连接图案达到熔点的过程中，即使与电子部件的激光有关的吸收率过低或过高，也可使激光有效地到达至焊球，并可调节激光的追加温度上升幅度，因此，可对具有与各种激光有关的吸收率的电子部件执行回流及返工。
并且，根据本发明，提供如下的回流及返工装置：仅向安装于印刷电路基板的电子部件中的受损的电子部件照射红外线激光束来使热量不向相邻的正常电子部件传递，并可仅去除受损的电子部件。
并且，根据本发明，提供如下的回流及返工装置：在印刷电路基板安装互不相同的尺寸的电子部件的情况下，通过调节激光束照射部与安装的部件之间的距离来改变激光束照射面积，使得单独去除互不相同的尺寸的电子部件。
并且，根据本发明，提供如下的回流及返工装置：在印刷电路基板安装互不相同的尺寸的电子部件的情况下，利用与最小尺寸的部件相对应的面积的激光束来去除各种尺寸的部件。
并且，根据本发明，提供如下的回流及返工装置：在由于电子部件的厚度厚而在红外线激光束的透射功率小或散热性能优秀的印刷电路基板安装电子部件的情况下，也在以电子部件周围的铅电极线为主施加红外线激光束，从而不向电子部件施加过多的热冲击，并可在基板去除电子部件。
并且，根据本发明，提供如下的回流及返工装置：仅向安装于印刷电路基板的电子部件中的受损的电子部件照射红外线激光束，在如球珊阵列(BGA，Ball Grid Array)的在安装的下部面形成有多个焊球的情况下，也可减少分离作为去除对象的电子部件所需的时间。
并且，根据本发明，提供如下的回流及返工装置：包括红外线激光束照射部和照射用于分解树脂粘结剂的紫外线的紫外线照射部，在使半导体芯片与焊球一同利用树脂粘结剂粘结于印刷电路基板的情况下，也可对焊球进行熔融并分解树脂粘结剂来在基板去除电子部件。
附图说明
图1为用于说明以往的利用热风的回流及返工方式的图。
图2为本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置的功能框图。
图3为本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置的例示性结构图。
图4为本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置的激光照射部的结构图。
图5为在本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置中使用的激光照射部的工作示意图。
图6为在本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置中使用的激光照射部的光学透镜模块的结构图。
图7为吸收本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置的激光照射部中照射的红外线激光束的半导体芯片的表面温度曲线图。
图8为本发明再一实施例的电子部件的回流及返工装置的工作示意图。
图9为本发明另一实施例的电子部件的回流及返工装置的工作意图。
具体实施方式
对于在本说明书中公开的根据本发明的概念的实施例，特定的结构或功能性说明仅用于说明根据本发明的概念的实施例，根据本发明的概念的实施例能够以多种形态实施，在本说明书中说明的实施例并不局限于此。
根据本发明的概念的实施例可进行多种变更并可具有各种形态，因此，在附图例示实施例并在本说明书中进行详细说明。但是，并不将根据本发明的概念的实施例局限于特定公开形态，包括在本发明的思想及技术范围所包括的所有变更、等同技术方案或代替技术方案。
以下，参照附图对本发明的优选实施例进行详细说明。
图2为本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置的功能框图，图3为示出本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置的例示结构的图。
参照图2及图3，本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置包括工作台10、加热部20、激光照射部30、控制指令输入部40以及控制部50。
工作台10(stage)为用于配置基板3结构要素，在上述基板3安装有作为回流或返工的对象的电子部件1。例如，基板3可为印刷电路基板，在上述印刷电路基板可设置有用于与电子部件1电连接的多个焊盘。电子部件1可为包括集成电路芯片(IC)、手动元件等来安装于印刷电路基板的任意元件，在上述电子部件1设置有与设置于如印刷电路基板的基板3的多个焊盘电连接的电连接图案2。例如，设置于电子部件1的电连接图案2可以为焊球，但并不限定于此，可以为如引线的可与基板3电连接的任意单元。另一方面，例如，用于配置基板3的工作台10可以为机械性添加的结构要素，但并不限定于此，还可指常规底面，而不是机械性添加的结构要素。
加热部20通过对包括安装于基板3的电子部件1的区域进行加热来对设置于电子部件1的电连接图案2进行加热。例如，加热部20能够以空气对流加热方式或光辐射加热方式对包括电子部件1的区域进行加热。
如具体的一例，加热部20可向包括电子部件1的区域供给热风来对包括电子部件1的区域进行加热。如具体的另一例，加热部20可向包括电子部件1的区域照射紫外线或红外线或包括紫外线和红外线的光来对包括电子部件1的区域进行加热。在后述内容中，将通过另一实施例对此进行详细说明。
激光照射部30通过向电子部件1照射激光来对设置于电子部件1的电连接图案2进行加热。
如一例，通过激光照射部30供给的光源可以为同时照射属于激光照射区域的所有地方的同时照射面光源。如再一例，通过激光照射部30供给的光源可以为依次照射属于激光照射区域的多个个别地方的依次照射面光源。如另一例，通过激光照射部30供给的光源实际上为点光源，上述点光源可通过高速镜扫描或下部的工作台驱动来以激光照射区域为基准获取面光源照射效果。
控制指令输入部40为用于接收作业控制指令的结构要素，作业控制指令可通过操作人员输入或根据预设的作业程序自动输入。在以下的其他图中，将省略控制指令输入部40的示出及相关说明。
控制部50根据通过控制指令输入部40接收的作业控制指令使加热部20和激光照射部30进行工作，以使得电子部件1向基板3回流(或回流焊接、焊接、接合)或使向基板3回流的电子部件1进行返工(或解键合、分离、解除)。
根据这种控制部50的控制，电子部件1的电连接图案2通过从加热部20及激光照射部30传递的热量来单独被加热或被重叠加热，1)由此减少用于回流或返工的加热时间，2)在用于回流或返工的加热过程中防止作为激光的第一照射面的电子部件1的表面的受损，3)不影响除回流或返工的目标电子部件之外的其他电子部件并仅使目标电子部件稳定地向基板3回流或返工。
控制部50的具体且例示性控制工作的说明如下。
第一，在作业控制指令为依次工作模式的情况下，控制部50可使加热部20和激光照射部30依次进行工作，而不是在同一时间同时进行工作。如具体例，1)控制部50使加热部20进行工作来对目标电子部件及其周围区域进行加热，将设置于电子部件的电连接图案2加热至熔点之前的温度为止之后，2)使加热部20停止工作，并使激光照射部30进行工作来使设置于目标电子部件的电连接图案2达到熔点。
第二，在作业控制指令为同时工作模式的情况下，控制部50可使加热部20和激光照射部30在时间上同时进行工作。据此，1)虽目标电子部件及其周围区域的温度通过加热部20供给的热量上升，但电连接图案2无法达到熔点。2)与此同时，激光加热部20向目标电子部件照射激光，因此，设置于目标转印元件的电连接图案2达到熔点，但激光不向在位于目标电子部件周围的电子部件设置的电连接图案照射，因此，设置于周围电子部件的电连接图案无法达到熔点。
第三，在作业控制指令为重叠工作模式的情况下，控制部50可使加热部20和激光照射部30在至少一部分时间区域重叠地进行工作。如具体例，1)控制部50仅使加热部20在第一时间内进行工作来使目标电子部件及其周围区域的温度上升，之后，2)使加热部20及激光照射部30在第二时间内进行工作来使目标电子部件的温度比周围区域更高，使得设置于目标电子部件的电连接图案2达到熔点。
图4为本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置的激光照射部的结构图。
如图4所示，本发明包括红外线激光照射部120，上述红外线激光照射部120包括用于供电的供电部110和生成红外线激光束的激光振荡器121。
从激光照射部120照射的红外线激光束透射作为去除对象的电子部件来对焊接部进行加热并熔融，上述焊接部对基板和电子部件进行焊接。焊接部意味着形成如焊球(SOLDER BALL)、焊接凸点(SOLDER BUMP)等且通过焊膏(SOLDER PASTE)等的接合部，以下，在本说明书中统称为焊球。
从红外线激光束照射部120照射的红外线激光束透射电子部件的碳酸甲乙酯模具层和硅芯片来向焊球照射，为此，可具有有效透射碳酸甲乙酯模具层的红外线波长范围，例如，“800nm至1200nm”或“1400nm至1600nm”或“1800nm至2200nm”或“2500nm至3200nm”。激光束的一部分根据激光束各波长的透射率不透射碳酸甲乙酯模具层并对其表面进行加热来使热量向电子部件的下部的焊接部传递。
在以往的半导体芯片的情况下，碳酸甲乙酯模具层厚度为数mm以上，因此，通过半导体芯片的红外线激光束的透射量少，但最近的半导体芯片的碳酸甲乙酯模具层的厚度变得很薄，1000μm至600μm以下称为主流产品。因此，在设置有如上所述的薄膜型碳酸甲乙酯模具层的半导体芯片的情况下，本发明的红外线激光束的透射量可充分地对配置于半导体芯片的下部的焊接部的焊球进行加热并熔融为液体状态。并且，作为半导体芯片的主要材料的硅的激光束透射率也在红外线波长范围内急剧增加，激光束透射率随着红外线波长的增加急剧增加，因此，在向硅芯片照射本发明的红外线激光束的情况下，可以确认优秀的透射率。
图5为本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置的激光照射部的工作示意图。
如图4和图5所示，如一例，红外线激光束照射部120包括：光束整形器122，将从激光振荡器121产生并通过光纤维100传递的点(spot)形态的红外线激光转换为面光源形态；光学透镜模块123，向作为去除对象的电子部件照射转换为面光源形态的红外线激光束；驱动装置124，以使从激光振荡器121输出的红外线激光束的面积与作为去除对象的电子部件的表面积相对应或小于相应电子部件的表面积的方式驱动光学透镜模块123；以及控制装置(未图示)，控制驱动装置124的工作。控制装置还可用于控制除驱动装置124之外的激光束照射部结构要素，在此情况下，其功能合并于控制部50。
例如，光束整形器122(beam shaper)将高斯形态的激光束转换为在截面上具有均匀的能源分布的面光源。光束整形器122可包括光纤维100和用于形成均匀的四边形激光的方形光管(Square Light Pipe)。或者，光束整形器还能够以衍射光学器件(DiffractiveOptical Element)型或不是衍射光学器件的折射光学元件(Refractive OpticalElement)型或在入射面或出射面设置多个微透镜的微透镜阵列(Micro Lens Array)型等实现。
另一方面，控制部50可对驱动装置124进行控制来使通过光学透镜模块123照射的红外线激光束的面积与作为去除对象的多个电子部件141中表面积最小的电子部件的表面积相对应或小于电子部件141的表面积。
根据实施例，使用人员可手动控制驱动装置124，在此情况下，也可任意调节，以使通过光学透镜模块123照射的红外线激光束的面积与作为去除对象的多个电子部件141中的表面积最小的电子部件的表面积相对应或小于电子部件141的表面积。
如上所述，可通过使激光束的面积最小化来使通过激光束的热量向位于基板140的相邻的其他电子部件或正常电子部件施加的现象最小化，由此，仅可去除作为去除对象的电子部件。
并且，在红外线激光束的面积小于电子部件141的表面积的情况下，若通过向电子部件照射的激光束加热电子部件的一部分区域，则热量从上述一部分区域向该电子部件的其他区域扩散，因此，除激光束的照射区域之外，还可对需要进行脱焊(De-soldering)或解键合(De-boding)的电子部件的剩余区域进行熔融。
根据情况，在半导体芯片的周围配置多个元件，例如，以非常窄的间隔高密度地配置200μm×100μm尺寸的电容器或1004(1000μm×400μm)尺寸的电容器，在所要去除其中的受损的一个电容器时，若根据对象元件的尺寸改变激光束的面积，则需要可以改变激光束的截面积的光学仪器，因此，设备的整体价格的提高幅度相当大。
因此，当利用可变型光学透镜模块时，若代替避免持续更换透镜来安装的麻烦而适用固定型光学透镜模块来使激光束的截面积根据最小的电子部件的面积且表面积稍大于最小的电子部件的电子部件利用通过激光束形成的照射热的热传导，则无需更换透镜也可去除小型元件。
如一例，这种方式的光学透镜模块123由至少一个固定透镜构成，控制部50以光学透镜模块123沿着红外线激光束照射的光轴方向移动的方式控制驱动装置124，以使调整通过光学透镜模块123照射的红外线激光束到达电子部件时的面积。
为了配置互不相同的倍率的多个透镜，在透镜板以规则的环形阵列(例如，圆柱形)排列至少一个固定透镜，以使根据使用人员的手动操作适用互不相同的倍率的透镜。
如上所述的具有固定透镜结构的光学透镜模块123和用于使光学透镜模块123直线驱动的驱动装置124的结合结构整体上简单，因此，故障可能性低且可充分执行实现本发明的目的所需的面积调整功能。
图6为本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置的激光照射部的光学透镜模块的例示性结构图。
图6所示的装置采用具有多个透镜的可变型光学透镜模块123。控制部50以由多个透镜构成的光学透镜模块123沿着红外线激光束照射的光轴方向移动的方式控制驱动装置124，由此，调整通过光学透镜模块123照射的红外线激光束的截面积。
如一例，在光学透镜模块123中，多个透镜在规定的镜筒内部以相互隔开的方式安装，驱动装置124使多个透镜模块单独上升或下降，来改变面光源的面积和照射范围。如上所述，相比于设置固定透镜的情况，设置多个透镜的光学透镜模块123容易调节面光源的形状及面积，从而可进行精密地控制。
参照图6，构成光学透镜模块123的多个透镜包括凸透镜1231、第一圆柱透镜1232、第二圆柱透镜1233以及聚焦透镜1234。多个透镜位于光束整形器122的出口侧来调节激光的照射区域的大小和形状。此时，以使聚焦方向垂直的方式配置第一圆柱透镜和第二圆柱透镜来使各透镜在相互垂直的方向调节光束大小，从而构成各种矩形形状的光束。
首先，凸透镜1231可与使激光均匀的光束整形器122的出口侧相邻来设置，以使面照射的激光聚光。当通过光束整形器122的出口侧时，激光可发散来扩散。因此，凸透镜1231以使均匀的光束无法发散的方式进行聚光，并可将聚光的激光向第一圆柱透镜1232传递。通过凸透镜1231的激光可形成第一照射区域A1。
第一圆柱透镜1232可调节通过凸透镜1231的激光的第一轴方向长度。第一圆柱透镜1232能够以在使圆柱站立的状态下沿着纵轴切断的形状设置，第一圆柱透镜1232设置于凸透镜1231的下部，可使第一圆柱透镜1232的凸面朝向上侧的方式配置。透射第一圆柱透镜1232的激光的照射区域能够以使第一轴方向长度缩小的方式设置。由于照射区域的第一轴方向长度缩小，透射第一圆柱透镜1232的激光的照射区域可从第一照射区域A1改变为第二照射区域A2。
第二圆柱透镜1233可调节通过第一圆柱透镜1232的激光的第二轴方向长度。第二轴方向长度与第一轴方向长度相互正交，第二圆柱透镜1233可呈与第一圆柱透镜1232相同的形状。第二圆柱透镜1233设置于第一圆柱透镜1232的下部，以凸面朝向上侧的方式配置，能够以方向与第一圆柱透镜1232正交的方式配置。透射第二圆柱透镜1233的激光的照射区域可使第二轴方向长度缩小。由于照射区域的第二轴方向长度缩小，透射第二圆柱透镜1233的激光的照射区域可从第二照射区域A2改变为第三照射区域A3。
第一圆柱透镜1232及第二圆柱透镜1233可容易调节激光的照射区域的形状。第一圆柱透镜1232及第二圆柱透镜1233只要是容易调节激光的照射区域的第一轴方向长度及第二轴方向长度的结构均可包括。第一圆柱透镜1232及第二圆柱透镜1233能够以使凸面朝向下部的方式配置，上部面凹陷的透镜还可配置于第一圆柱透镜1232及第二圆柱透镜1233的位置。能够以使第一轴方向长度和第二轴方向长度延伸的方式调节激光的照射区域。第一圆柱透镜1232及第二圆柱透镜1233只要可通过调节激光的照射区域的第一轴方向长度和第二轴方向长度来调节照射区域的横向及纵向长度比率均可包括于一实施例。
第一圆柱透镜1232和第二圆柱透镜1233可互换位置。即，使透射凸透镜1231的激光束比第一圆柱透镜1232优先透射第二圆柱透镜1233来调节照射区域的第二轴方向长度之后调节第一轴方向长度。
聚焦透镜1234可使通过第一圆柱透镜1232和第二圆柱透镜1233的激光的照射区域具有预设的宽度。聚焦透镜1234维持通过第二圆柱透镜1233形成的照射区域的形状，并可增加或减少照射区域的宽度。聚焦透镜1234可在通过第二圆柱透镜1233形成的照射区域的第一轴方向长度比第二轴方向长度的比率来维持形状的状态下增加或减少照射区域的宽度。可利用聚焦透镜1234放大作为透射第二圆柱透镜1233的激光的照射区域的第三照射区域A3来具有第四照射区域A4的宽度。聚焦透镜1234还可减少第三照射区域A3的宽度。聚焦透镜1234能够以可更换的方式设置。
图7为吸收从本发明一实施例的电子部件的回流及返工装置的激光照射部照射的红外线激光束的半导体芯片的表面温度曲线图。
根据本发明人的检测结果，当韩阶层的温度以高于熔点的220℃至260℃的范围吸收激光束并进行加热时，能够以使半导体芯片的表面温度成为约300℃至350℃的范围的方式进行控制。在约1毫秒以上且30秒以内的时间内，可通过照射红外线激光束以不影响半导体芯片而对焊料进行熔融。
发明实施方式
图8为本发明再一实施例的电子部件的回流及返工装置的工作示意图。
如具有1000μm以上的厚度的半导体芯片或功率晶体管的电元件等的电子部件释放较多的热量，因此，散热性能非常优秀的厚铅电极线在侧面配线的情况较多，在此情况下，通常，适用散热性能优秀的印刷电路基板并在印刷电路基板的下部额外的附着散热板来同时使用。因此，若向这种电子部件照射激光束，则大部分的热量被释放，因此，为了对铅电极线，即，引线的焊膏进行熔融，具有需要过多的激光照射及其引起的电子部件的温度过于上升等的问题。
图8所示的实施例的回流及返工装置适合如上所述的情况，设置于激光照射部30与作为去除对象的电子部件之间，包括以使从激光照射部30照射的红外线激光束无法透射作为去除对象的电子部件的方式进行阻隔的激光束阻隔用罩210。
激光照射部30照射与在作为去除对象的基板3上焊接的电子部件1的侧面引线4区域为止在内的区域相对应的面积的激光束。
用于选择性地阻隔及透射激光束的激光束阻隔用罩210包括使红外线激光束透射的开放部211和阻隔红外线激光束的阻隔部212，阻隔部212用于阻隔向电子部件1照射的红外线激光束，开放部211以使红外线激光束向引线4照射的方式使红外线激光束通过来使引线4附着于基板3并对焊料进行熔融。
图9为本发明另一实施例的电子部件的回流及返工装置的工作示意图。
在如半导体芯片的电子部件1利用焊球(SODLER BALL)4和树脂粘结剂5粘结固定于基板3的情况下，若为了熔融焊球4而通过激光照射部30照射红外线激光束，则树脂粘结剂5通过激光束的热量碳化来更加紧固，因此，即使焊球4被熔融，由于紧固的树脂粘结剂5，难以去除电子部件1。
因此，通过利用红外线激光束对焊球2进行加热来熔融及去除，同时，若利用树脂粘结剂5为高分子化合物的特性通过紫外线照射部510向树脂粘结剂5照射紫外线激光束，则紫外线可切断树脂粘结剂5的高分子连接链来以非热(Non-thermal)的方式分解树脂粘结剂5。
紫外线照射部22可由生成紫外线激光束的紫外线激光振荡器或生成高输出紫外线激光束的高输出紫外线发光二极管模块实现，如上所述，可通过同时执行红外线激光束和紫外线的照射顺畅地去除利用焊球2和树脂粘结剂5在基板3上焊接的电子部件1。
在此情况下，紫外线照射部22可作为能源代替热风加热，与此不同地，可通过额外的加热单元在对基板3和电子部件1进行预热的状态下同时，依次或重叠地进行激光束和紫外线的照射。
以上，通过各种实施例说明的本发明并不局限于上述实施例及附图，可在不超出本发明的技术事项的范围内进行各种取代、变形及变更，这对本发明所属技术领域的普通技术人员很明确。因此，本发明的真正的技术保护范围需通过发明要求保护范围定义。

Claims (20)

1.一种电子部件的回流及返工装置，其特征在于，包括：
工作台，用于配置基板，在上述基板安装有作为回流或返工对象的电子部件；
加热部，通过对包括上述电子部件的区域进行加热来对设置于上述电子部件的电连接图案进行加热；
激光照射部，通过向上述电子部件照射激光来对设置于上述电子部件的电连接图案进行加热；
控制指令输入部，用于接收作业控制指令；以及
控制部，根据通过上述控制指令输入部接收的作业控制指令来使上述加热部和上述激光照射部进行工作，以使得上述电子部件向上述基板回流或使向上述基板回流的电子部件进行返工的方式进行控制。
2.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，上述电子部件的电连接图案通过从上述加热部及上述激光照射部传递的各自的热量来单独被加热，由此减少用于回流或返工的加热时间，在用于回流或返工的加热过程中，防止作为激光照射面的上述电子部件的表面的受损。
3.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，在上述作业控制指令为依次工作模式的情况下，上述控制部以使上述加热部和上述激光照射部依次进行工作的方式进行控制。
4.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，在上述作业控制指令为同时工作模式的情况下，上述控制部以使上述加热部和上述激光照射部同时进行工作的方式进行控制。
5.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，在上述作业控制指令为重叠工作模式的情况下，上述控制部以使上述加热部和上述激光照射部在至少一部分区域重叠工作的方式进行控制。
6.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，上述加热部以空气对流加热方式或光辐射加热方式对包括上述电子部件的区域进行加热。
7.根据权利要求6所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，上述加热部通过向包括上述电子部件的区域供给热风来对包括上述电子部件的区域进行加热。
8.根据权利要求6所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，上述加热部向包括上述电子部件的区域照射包括紫外线或红外线中的一种以上的光来对包括上述电子部件的区域进行加热。
9.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，通过上述激光照射部供给的光源为同时照射属于激光照射区域的所有地方的同时照射面光源。
10.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，通过上述激光照射部供给的光源为依次照射属于激光照射区域的多个个别地方的依次照射面光源。
11.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，通过上述激光照射部供给的光源为点光源，上述点光源通过高速镜扫描来以上述激光照射区域为基准获取面光源照射效果。
12.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，从上述激光照射部照射的激光束中，所入射的激光束的光学功率部分性地透射作为去除对象的电子部件来对焊接部进行加热而进行熔融，上述焊接部对上述基板和上述电子部件进行焊接。
13.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，上述激光照射部包括：
光束整形器，将从激光振荡器产生并通过光纤维传递的红外线激光转换为面光源形态；
光学透镜模块，使在上述光束整形器转换为面光源形态的红外线激光束向作为去除对象的上述电子部件照射；
驱动装置，以使上述红外线激光束的面积与作为去除对象的上述电子部件的表面积相对应或小于上述电子部件的表面积的方式驱动上述光学透镜模块；以及
控制装置，对上述驱动装置的工作进行控制。
14.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，从上述激光照射部照射的激光束具有能够以相当的比率透射作为去除对象的上述电子部件的碳酸甲乙酯模具层和硅芯片的波长范围。
15.根据权利要求14所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，上述激光束具有800nm至1200nm的范围、1400nm至1600nm的范围、1800nm至2200nm的范围及2500nm至3200nm的范围中的一个波长范围，上述电子部件的碳酸甲乙酯模具层具有1000μm以下的厚度。
16.根据权利要求14所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，上述激光照射部将焊接部的加热温度控制在220℃至260℃的范围内，将作为去除对象的上述电子部件的表面温度控制在300℃至350℃的范围或以下，将激光束的照射时间控制在1毫秒以上且30秒以下。
17.根据权利要求14所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，在基板为易受高温影响的聚合物材料的情况下，上述激光照射部将基板温度控制在200℃范围或以下，将激光束的照射时间控制在1毫秒以上且30秒以下。
18.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，
还包括激光束阻隔用罩，上述激光束阻隔用罩设置于上述激光照射部与作为去除对象的电子部件之间，以从上述激光照射部照射的激光束无法透射作为去除对象的上述电子部件的方式进行阻隔，
上述激光照射部照射具有包括在作为去除对象的上述电子部件的侧面配线的引线区域为止在内的照射面积的激光束。
19.根据权利要求1所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，还包括以各种角度和方向照射用于对附加于作为去除对象的电子部件与上述基板之间的焊接部的树脂粘结剂进行分解的紫外线的紫外线照射部。
20.根据权利要求19所述的电子部件的回流及返工装置，其特征在于，上述紫外线照射部为生成紫外线激光束的紫外线激光振荡器或生成高输出紫外线光束的高输出紫外线发光二极管模块。
CN201980000268.6A 2018-02-05 2019-02-07 电子部件的回流及返工装置 Pending CN110462807A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310751139.9A CN116685076A (zh) 2018-02-05 2019-02-07 电子部件的回流及返工装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0014277 2018-02-05
KR1020180014277A KR102047445B1 (ko) 2018-02-05 2018-02-05 전자소자의 본딩 및 디본딩 장치
PCT/KR2019/001519 WO2019151842A1 (ko) 2018-02-05 2019-02-07 전자부품의 리플로우 및 리워크 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310751139.9A Division CN116685076A (zh) 2018-02-05 2019-02-07 电子部件的回流及返工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110462807A true CN110462807A (zh) 2019-11-15

Family

ID=67478851

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310751139.9A Pending CN116685076A (zh) 2018-02-05 2019-02-07 电子部件的回流及返工装置
CN201980000268.6A Pending CN110462807A (zh) 2018-02-05 2019-02-07 电子部件的回流及返工装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310751139.9A Pending CN116685076A (zh) 2018-02-05 2019-02-07 电子部件的回流及返工装置

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102047445B1 (zh)
CN (2) CN116685076A (zh)
WO (1) WO2019151842A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102436955B1 (ko) * 2020-03-11 2022-08-26 넥스타테크놀로지 주식회사 실장 헤드 및 이를 포함하는 부품 실장 장치
KR20220133377A (ko) 2021-03-24 2022-10-05 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040245228A1 (en) * 2003-06-04 2004-12-09 Hongwei Liu Attach aligned optics and microelectronics with laser soldering methods
KR20080101329A (ko) * 2007-05-17 2008-11-21 서울산업대학교 산학협력단 반도체칩 접합장치
KR20090046368A (ko) * 2007-11-06 2009-05-11 엘에스산전 주식회사 레이저 솔더링 장치 및 방법과 이를 이용한 전력용 반도체모듈의 제조방법
CN101583456A (zh) * 2007-01-15 2009-11-18 日本优尼可思股份有限公司 激光焊接装置
US20160181120A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Ultratech, Inc. Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times
CN107359134A (zh) * 2017-07-28 2017-11-17 湖北三江航天红峰控制有限公司 一种利用激光实现bga芯片返修的方法和装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2596267B2 (ja) * 1991-08-01 1997-04-02 松下電器産業株式会社 振動板切断装置
JP2707189B2 (ja) * 1992-08-26 1998-01-28 株式会社日立製作所 電子部品の基板からの取外し方法及び装置
KR100841582B1 (ko) 2004-08-04 2008-06-26 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 리플로우 오븐
KR101113850B1 (ko) * 2005-08-11 2012-02-29 삼성테크윈 주식회사 플립 칩 본딩 방법 및 이를 채택한 플립 칩 본딩 장치
JP4887086B2 (ja) * 2006-07-19 2012-02-29 武井電機工業株式会社 薄膜除去方法及び薄膜除去装置
KR20090123280A (ko) * 2008-05-27 2009-12-02 삼성전자주식회사 반도체 칩 패키지의 제조 방법, 반도체 웨이퍼 및 그 절단방법
WO2015072598A1 (ko) * 2013-11-14 2015-05-21 (주)정원기술 레이저 압착 방식의 플립 칩 본딩을 위한 레이저 옵틱 장치
KR101702104B1 (ko) 2015-11-20 2017-02-02 세교 (주) 반도체 소자를 포함한 전자소자의 리워크 작업을 위한 리워크 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040245228A1 (en) * 2003-06-04 2004-12-09 Hongwei Liu Attach aligned optics and microelectronics with laser soldering methods
CN101583456A (zh) * 2007-01-15 2009-11-18 日本优尼可思股份有限公司 激光焊接装置
KR20080101329A (ko) * 2007-05-17 2008-11-21 서울산업대학교 산학협력단 반도체칩 접합장치
KR20090046368A (ko) * 2007-11-06 2009-05-11 엘에스산전 주식회사 레이저 솔더링 장치 및 방법과 이를 이용한 전력용 반도체모듈의 제조방법
US20160181120A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Ultratech, Inc. Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times
CN107359134A (zh) * 2017-07-28 2017-11-17 湖北三江航天红峰控制有限公司 一种利用激光实现bga芯片返修的方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN116685076A (zh) 2023-09-01
WO2019151842A1 (ko) 2019-08-08
KR102047445B1 (ko) 2019-11-21
KR20190094755A (ko) 2019-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4963714A (en) Diode laser soldering system
CN110899885B (zh) 与微米级厚度的电子部件有关的激光回流焊装置
KR102608011B1 (ko) 빅셀 소자를 이용한 플립칩 본딩 장치 및 솔더 볼 본딩 장치
EP2045034A1 (en) Flip-chip mounting apparatus
JP2001260232A (ja) 高エネルギー密度のレーザー光線により少なくとも２個の素子を加熱する方法と装置
CN110462807A (zh) 电子部件的回流及返工装置
JP2011211073A (ja) 電子部品のリペア装置、リペア方法、およびリペア用伝熱キャップ部材
JP5214345B2 (ja) レーザーリフロー方法および装置
US5532457A (en) Modified quartz plate to provide non-uniform light source
KR20170024491A (ko) 레이저 솔더링 장치
JP5324320B2 (ja) 電子部品加工装置及び電子部品加工方法
JP5126712B2 (ja) ボンディング装置
JP3195970B2 (ja) 半導体チップボンダにおけるチップ加熱機構
TWI765143B (zh) 電子部件的回流及返工裝置
KR20200103583A (ko) 기판에서 전자부품을 제거하는 장치
KR102430967B1 (ko) 레이저 디본딩 장치의 레이저 헤드 모듈
TWI735149B (zh) 雷射剝離裝置的雷射頭模組
KR20210099782A (ko) 레이저 디본딩 장치
KR20190030113A (ko) 기판에서 전자부품을 제거하는 장치
JP2010046701A (ja) レーザ加工装置
KR100809669B1 (ko) 레이저 국부 가열을 이용한 광전모듈의 수동정렬 접속방법
KR20210019785A (ko) 불량 전자부품 검사방법 및 이를 이용한 레이저 리웍 장치
GB2261620A (en) Soldering
JPH0951162A (ja) 電子部品搭載装置
JP5126711B2 (ja) ボンディング装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191115

RJ01 Rejection of invention patent application after publication