CN110462524B - 反射镜,特别是微光刻投射曝光设备的反射镜 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及反射镜,特别是微光刻投射照明系统的反射镜,其中反射镜具有光学操作表面,包括基板(11、61、71、81、91);反射层系统(16、66、76、86、96),反射在光学操作表面(10a、60a、70a、80a、90a)上入射的电磁辐射;电极组装件(13、63、73、83),配备在基板(11、61、71、81、91)上并由具有第一电导率的第一材料构成;以及中介层(12、62、72、82、92),由具有第二电导率的第二材料构成。第一电导率和第二电导率之间的比率至少为100,并且反射镜具有至少一个补偿层(88),其至少部分地补偿电极组装件(83)的热膨胀对光学操作表面(80a)的形变的影响。
Description
本申请要求2017年3月30日提交的德国专利申请DE 10 2017 205 405.0的优先权。该德国申请的全部内容通过引用并入本申请文本中。
发明背景
技术领域
本发明涉及反射镜,特别是微光刻投射曝光设备的反射镜。
背景技术
微光刻用于制造诸如集成电路或LCD的微结构部件。在包括照明装置和投射镜头的称为光刻曝光设备中实行微光刻工艺。在这种情况下,通过投射镜头将通过照明装置所照明的掩模(=掩模母版)的像投射到涂有感光层(光刻胶)且在投射镜头的像平面中布置的基板(例如硅晶片)上,以便于将掩模结构转印至基板的感光涂层。
在针对EUV范围(即在例如近似13nm或近似7nm的波长处)所设计的投射曝光设备中,由于缺乏可利用的适当光透射折射材料,所以将反射光学元件用作成像过程的光学部件。
在这种情况下,已知的是,尤其使用波前校正元件以便校正操作光学系统期间发生的波前像差。除了成像光学单元的像差以外,还可以校正掩模母版和/或晶片的缺陷以及在在晶片上的结构产生期间的整个过程链中发生的其他缺陷。在操作针对EUV设计的投射曝光设备期间所发生的像差可能例如由以下事实而引起:特别是由于对由EUV光源发射的辐射的吸收,EUV反射镜经历加热并伴随热膨胀或形变,这可能继而导致对光学系统的成像性质的损坏。这正是这样的情况,特别是使用具有相对较少照明极的照明设定(例如双极或四极照明设定),其中反射镜加热或形变在反射镜的光学有效表面上大大地变化。
克服该问题的一个可能方法是具有在至少一个表面处以分布的方式布置的电学导电导体轨道的波前校正元件,波前校正元件与照射的电磁辐射的相互作用能够通过电驱动所述导体轨道来影响。根据(透射或反射)配置,电磁辐射的波前的所得到的可实现操纵可以特别是基于通过电驱动导体轨道所引起的波前校正元件的变形和/或折射率变化。
然而,实际上在此发生的一个问题在于,在波前校正元件的产生过程的期间和/或在其操作期间,可发生波前校正元件相对于埋入绝缘层中的导体轨道的充电,其中随着电场强度增加,可能最终发生穿过相关绝缘层的电击穿。伴随的闪光状的电学放电可能导致部分地熔穿,以损坏或者甚至破坏导体轨道以及可能连接于其的电部件。
此外,这样的波前校正元件的制造过程由于制造步骤要部分地在镀膜设备的外部实行而变得相对复杂。
还已知的方法包括使用红外(IR)加热装置,然而它尤其具有以下缺点:相对较高热负载生成位于在各个情况下实际要加热的区域的外部(特别是还在相邻光学部件的区域中)。
关于现有技术,仅作为示例参考DE 10 2006 045 075 A1、US 8,508,854 B2、US7,112,772 B2、EP 0 965 871 B1、WO 2004/036316 A1、EP 1 103 857 B1、DE 10 2012 212757 A1和EP 2 103 978 A1。
发明内容
本发明的目的为提供反射镜,特别是微光刻投射曝光设备的反射镜,该反射镜使得可以设定在反射镜表面上横向变化的温度场,该设定局部地定界于反射镜,并且同时在相对简单且稳健制造工艺中是可制造的。
通过根据独立专利权利要求1的特征反射镜来实现该目的。
根据本发明的反射镜,其中反射镜具有光学有效表面,具有:
-基板;
-反射层系统,反射在光学有效表面上照射的电磁辐射;
-电极布置,由具有第一电导率的第一材料构成,所述电极布置配备在基板上;以及
-中介层,由具有第二电导率的第二材料构成;
-其中第一电导率和第二电导率之间的比率至少为100;
-其中反射镜包括至少一个补偿层,其至少部分地补偿电极布置的热膨胀对光学有效表面的形变的影响。
本公开还包括反射镜,其中反射镜具有光学有效表面,该反射镜包括:基板;反射层系统,反射在光学有效表面上照射的电磁辐射;电极布置,由具有第一电导率的第一材料构成,所述电极布置配备在基板上;以及中介层,由具有第二电导率的第二材料构成,其中第一电导率和第二电导率之间的比率至少为100。
根据一个实施例,在反射镜上照射的电磁辐射的波前通过电极布置的电驱动以及光学有效表面的伴随的热诱导的形变是可操纵的。
根据其他实施例,通过电极布置的电学驱动,反射镜的表面温度是可设定的,使得在光学有效表面上、来自热膨胀系数的零交叉温度的表面温度的最大局部偏差——在操作反射镜期间发生——小于5开(K)。
本发明首先可以应用于,即使反射镜上功率消耗及其分布例如由于吸收的(EUV)所使用的光而随时间变化,仍保持反射镜的表面温度恒定。其次,本发明还可以应用于,通过设定反射镜由于局部温度变化而发生的目标形变,借助于形变来校正成像中所确定的像差。
本发明基于以下构思,特别是通过电极布置和中介层(用作“加热层”)的组合实现在反射镜表面之上横向变化的温度场的生成。在该构造中,通过电流在电极布置的单独电极之间流动,在中介层中生成提供期望的温度场所需要的热量,因此首先实现以目标方式可设定的可局部变化的反射镜加热,其次还实现由于相对简单层构造而显著简化制造工艺(其中中介层可以实施为例如实质上均匀的且具有恒定厚度,并且由于中介层的使用,电极布置的电极数目还被允许相对较少)。
因此,本发明使用例如关于电极布置相对简单和稳健的构造,实现期望的温度分布(并且因此还有例如热诱导的表面形变的对应校正)的精确设定(特别是局部地受限于反射镜自身)。在这种情况下,特别是关于制造方面以有利的方式,在根据本发明的相关反射镜部件的制造期间的单独处理步骤可以连续地直接实行,而不用临时地留下镀膜设备。
根据本发明,反射镜包括至少一个补偿层,其至少部分地补偿电极布置的热膨胀对光学有效表面的形变的影响。在这种情况下,补偿层可以补偿电极布置的和电引线的关于光学有效表面的形变的贡献所出现的不可避免的热膨胀,因此总体上导致对于耦入温度场的局部恒定或均匀“形变响应”。
根据一个实施例,反射镜包括至少一个冷却元件。在这种情况下,优选地,至少一个冷却元件的冷却功率可以动态地适配于通过中介层和电极布置的组合而提供的加热功率。因此,在根据本发明的构造中(其中如已经解释的电极可以各具有关于引言中所描述的常规波前校正元件相对较大的横截面),因此可以获得在相对较大区域之上整体提供加热功率的变化。仅作为示例,电极、中介层和引线在横截面中的厚度可以在10nm至5μm的范围中,特别是50nm至500nm的范围中。此外,电极可以分布在整个区域之上并且由大于1μm(特别是大于1mm)的(间隙)间隔来彼此间隔开,以达到绝缘的目的。
根据一个实施例,补偿层具有实质上与电极布置和/或引线布置互补的区域占用。在这种情况下,本发明包括特别是允许借助于以下事实再次出现的“平坦的”区域的构思:通过补偿层,将具有相反区域占用的附加层添加到层构造。在这种情况下,为了获得期望的补偿效应,在一方面补偿层的局部厚度和热膨胀系数的乘积与另一方面电极布置的局部厚度和热膨胀系数的乘积的相应值,在绝对值方面优选地对应于50%、更特别地多达20%对应。
根据一个实施例,补偿层包括一材料,其热膨胀系数具有与第一材料的热膨胀系数相反的符号。对此合适的材料例如是氰化锌和钨酸锆。在此,同样,为了获得期望的补偿效应,在一方面补偿层的局部厚度和热膨胀系数的乘积与另一方面电极布置的局部厚度和热膨胀系数的乘积的相应值,在绝对值方面优选地对应于50%、更特别地多达20%。此外,该实施例中的补偿层优选地具有与电极布置和/或引线布置相同或类似的区域占用。在这种情况下,相似区域占用被认为意味着其中在一方面电极布置和/或引线布置与另一方面补偿层之间的最大边缘偏移相对于引线的宽度和/或电极的最大直径而言小于30%的区域占用。
补偿层构成导电层,原则上,其还可以接触连接穿通到中介层并且因此还可以用于施加信号,从而有利地创造更多的布线空间而不需要附加的片层。
根据一个实施例,电极布置包括相对于反射镜的光学元件轴线沿着方位角方向关于彼此偏移的多个电极布置。这样的方位角分布的接触连接可以使不期望耦合到反射镜中的机械振动最小化。在本发明的实施例中,出于该目的,电极布置的适当接触连接位置的定义还可以基于关于最小化耦合进振动的预先实行的灵敏度分析来实现(其中接触连接可以特别是沿着反射镜的固有振荡模式的节点线来实现)。
根据一个实施例,反射镜还包括在反射层系统和电极布置之间布置的吸收层。这样的吸收层在根据本发明的反射镜的制造工艺期间具有有利的效应,使得可以在中介层或电极布置处出现的结构对测量不会产生任何影响的情况下来实现相应表面处理的层的干涉测量,该测量在典型地施加反射层系统之前的制造期间来实行。换言之,这样的吸收层使得精确表面处理成为可能,该处理不会被根据本发明的电极布置或中介层损坏。
根据一个实施例,反射镜设计用于小于200nm的操作波长。
根据其他实施例,反射镜设计用于小于30nm、特别地小于15nm的操作波长。
本发明还涉及微光刻投射曝光设备的光学系统,特别是照明装置或投射镜头,并且涉及微光刻投射曝光设备,该微光刻投射曝光设备包括根据本发明的至少一个反射镜。
可以从说明书和从属权利要求获得本发明的其他配置。
下面基于所附附图中所图示的示例性实施例更详细地解释本发明。
附图说明
附图中:
图1-9示出了解释本发明的各种实施例的示意图;以及
图10示出了设计为在EUV中操作的微光刻投射曝光设备的可能构造的示意图。
具体实施方式
图10示出了设计为在EUV中操作且其中可以实现本发明的投射曝光设备1000的示意图。
根据图10,针对EUV所设计的投射曝光设备1000中的照明装置包括场分面反射镜1003和光瞳分面反射镜1004。来自包括等离子体光源1001和集光器反射镜1002的光源单元的光被指引到场分面反射镜1003上。第一望远镜反射镜1005和第二望远镜反射镜1006布置在光瞳分面反射镜1004下游的光路径中。偏转反射镜1007布置在光路的下游,所述偏转反射镜将入射其上的辐射指引到包括六个反射镜1051-1056的投射镜头的物平面中的物场上。在物场的位置处,反射结构承载的掩模1021布置在掩模台1020上,借助于投射镜头将所述掩模成像到像平面中,其中涂有感光层(光刻胶)的基板1061位于晶片台1060上。
在操作投射曝光设备1000期间,然后至少一个任意反射镜可以实施为校正发生的波前像差,其中下面参考图2-7中的示意图描述该反射镜的可能配置。
图1示出了解释本发明可以实现的反射镜的构造的示意图。反射镜10可以特别是光学系统的EUV反射镜、特别是投射镜头的EUV反射镜或者微光刻投射曝光设备的照明装置的EUV反射镜。
反射镜10包括特别是反射镜基板11,其由任何期望的合适反射镜基板材料来制造。合适的反射镜基板材料例如是掺杂二氧化钛(TiO2)的石英玻璃,其中该材料仅作为示例是可使用的(但本发明受限于此),这些在商品名称(来自康宁公司)或(来自Schott AG)下出售。此外,反射镜10包括(原则上以本身已知的方式)反射层系统16,该反射层系统在所图示的实施例中包括仅作为示例的钼-硅(Mo-Si)层堆叠体。
在本发明不受限于反射层系统的具体配置的情况下,一个仅作为示例的合适构造可以包括层系统的约50个片层或层分组,该层系统包括层厚度各为2.4nm的钼(Mo)层和层厚度各为3.3nm的硅(Si)层。
在操作光学系统期间电磁EUV辐射在反射镜10的光学有效表面10a上的照射可能由于由光学有效表面10a上不均匀照射的辐射的吸收而产生的温度分布,而导致反射镜基板11的不均匀体积变化。为了校正这样的不期望体积变化或者以便于校正在操作微光刻投射曝光设备期间所发生的其他像差,反射镜10以根据本发明的方式进行设计,如下文更详细地解释。
应该指出的是,在所谓的零交叉温度处的上述的反射镜基板材料中,热膨胀系数具有与其温度相关性的零交叉,在零交叉附近没有发生热膨胀或仅发生可忽略的热膨胀。因此,在具体的情景下,将反射镜维持在所述零交叉温度处也是足够的。在具有有限热膨胀的反射镜的情况下,形变可以通过适配局部功率来控制。在这种情况下,连续地提供某一加热功率可以是有利的,其可以被向下调节或如必要的话关闭,因此可省略附加的冷却器。在这种情况下,基板的零交叉温度有意地选择成较高是有利的,以便在“操作点”的对应选择的情况下也能够移除热功率并且因此使相反或负向致动方向是可能的。
根据图1的根据本发明的反射镜10包括含有多个电极的电极布置13,该多个电极是可电驱动的或者能够具有经由电引线14向多个电极施加的可选择设定的电流。此外,反射镜10包括电学导电中介层12。
图1中,“15”指示平滑绝缘层,其特别是将电极布置13的电极彼此电绝缘,并且可以由例如石英玻璃(SiO2)制造。
在其他的实施例中,反射镜还可以配置为以所谓的掠入射来被使用。在这种情况下,反射层系统例如特别是可以包括只有一个单独层,其由例如具有示例性厚度为30nm的钼(Ru)构成。
此外,图1中没有描绘的附加的功能层(诸如扩散势垒层、粘合增强层等)还可以配备在反射镜10的层构造中。
在操作根据本发明的反射镜10期间,可以向电极布置13的单独电极施加不同电位,其中在电极之间从而生成的电压引起电流流经中介层12。由所述电流诱导的热导致根据向电极相应施加的电位对反射镜表面局部变化地加热。
因此,尽管电极布置的相对粗糙结构——例如与引言中所描述的波前校正元件相比较,但是在根据本发明的反射镜10的情况下电极布置13和中介层12的组合使用使得向根据本发明的反射镜中的连续变化的功率输入成为可能,其中同时耦合进热功率——例如与如引言中所描述的红外(IR)加热装置的常规使用相比——被限于反射镜自身。根据本发明,由于材料选择,中介层中存在相对较高电阻,使得那里电压下降,然而由于在引线中的相对显著更高的电导率,在引线中不会发生电压或热量下降,并且在该方面不需要精细结构以便于生成高电阻。
本发明不限于电极布置的特定几何配置。下面参考图2至5描述电极布置和/或引线的仅示例性配置,该配置在分别不同方面是有利的。
图2示出了多个电极22以在反射镜的光学表面(由“20”指定)之上分布的方式进行布置的配置,其中该分布超过“足印”边界延伸,其指定对反射镜表面上光束或光学使用区域的定界。
电极22可以配备在任何合适的分布中(例如笛卡尔网格中、六边形布置中,等)。在其他的实施例中,电极22还可以仅定位在特定的区域中(例如在光学使用区域或“足印”边界21的外部)。根据图2,在光学使用的区域上电流可以横向地流动。
图3示出了电极布置的配置,其中第一电极32由第二电极33围住(其中第二电极33在示例性实施例中实施为正方形方式,但是还可以具有与所选择网格无关的不同(例如圆形)几何形状。
在图3所选择的布置的情况中,其中第二电极33围住第一电极32,第二电极33需要相应引线的附加层片(作为“传导层”)。在其他的实施例中,然而,第二电极33还可以在相应位置处被打断或保留开口,其中相应第一电极32的接触连接可以被指引通向剩余开口,以便排除所述其他传导层。根据图3,电流各在第一电极32和相关联的第二电极33之间流动,使得可以实现局部电流流动并且因此还可以实现局部加热的位置。
在其他的实施例中,所述第二传导层还可以附加地被使用或执行双重功能,使得它可以进一步用作补偿层,如下文附加地解释地,该补偿层补偿电极布置和/或相关联引线的不可避免的热膨胀。
图4a示出了,在其他示例性实施例中,第一电极42由环形形状的第二电极43来相应地围绕的六边形布置。该配置是有利的,尤其是相对于均匀的网格以及彼此分配的第一和第二电极42、43之间的相应恒定距离而言。
图4b示出了实质上类似于图4a的配置,并且该配置包括第一电极44和第二电极45,其中该布置与来自图4a的布置的不同仅在于第二电极45被中断以便排除如上所提及的附加传导层。然而,如上所描述的,在图4a中的示例性实施例中所需要的附加传导层还可以用作补偿层,以补偿电极布置和/或引线的热膨胀。出于该目的,例如包含第一和/或第二电极的相应引线的传导层可以实施为具有相反区域占用或相反热膨胀系数。
图5示出了示例性实施例,其中省略电极布置的单独区域的选择性驱动性有利于显著降低集成费用或减少所需要的电连接件数目,在此提供仅两个电极52、53以实现环场加热。“51”表示在反射镜表面上的光学上所使用的区域或光束的界限(“足印边界”)。
图6示出了根据本发明的反射镜的层序列的图1的替代例配置,其中与图1相比较类似或实质上功能相同的部件用增加了“50”的附图标记来指定。
根据图6,关于电极布置63和中介层62,与图1相比较,层构造是相反的,根据图6,中介层62布置在电极布置63的面向反射层系统66的一侧上或在所述电极布置的背离基板61的一侧上。特别是在中介层62的吸收体(=“黑体”)配置的情况中,根据图6的配置可以是有利的,因为在各种情况下要处理的表面的干涉测量(在施加反射层系统66之前)——在制造工艺期间典型地实现——不受电极布置63的影响(在该实施例中对于正在照射的电磁辐射不再可见),使得可以因此实现精确干涉表面测量和对应的可靠表面处理。
在图7所图示的其他实施例中,如已经在上文所描述的效果(即,制造工艺期间的干涉测量辐射的电极布置的“遮蔽”)通过具体地出于该目的而提供的吸收层77来实现,所述吸收层布置在反射层系统76和电极布置73之间。图7中,至于其他与图6的构造相比较类似的或实质上功能相同的部件用继而增加了“10”的附图标记来指定。
图8示出了根据本发明的反射镜的层序列的其他配置,其中与图1相比较类似或实质上功能相同的部件用增加了“70”的附图标记来指定。根据该实施例,提供至少一个附加补偿层88,其具有与电极布置83和/或引线84互补的区域占用,以及/或者与电极布置和/或引线84互补的厚度轮廓。根据该实施例,本发明因此包括在此借助于以下事实允许“平坦的”区域出现的构思:通过至少一个补偿层88来添加具有相反区域占用的附加层。
补偿层可以构成导电层,原则上,其还可以接触连接穿通到中介层并且因此还可以用于施加信号,从而有利地创造更多的布线空间而不需要附加的片层。图9示出了根据本发明的反射镜的层序列的其他配置,其中与图1相比较类似或实质上功能相同的部件用增加了“80”的附图标记来指定。根据图9,第一电极93a和第二电极93b(其在此执行类似于图8的实施例的补偿层的附加功能)电接触连接到中介层92。借助于图9的补偿层同时用作电极93a的事实,排除附加的片层并且更好地利用可用的空间。
尽管已经基于具体实施例描述本发明,但是例如通过组合和/或交换单独实施例的特征,许多的变型和替代性实施例对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,对于本领域技术人员而言更不用说,本发明附随地涵盖这样的变型和替代性实施例,并且本发明的范围仅受限于所附的专利权利要求及其等同的含义内。
Claims (24)
1.一种反射镜,其中所述反射镜具有光学有效表面,包括:
基板(11、61、71、81、91);
反射层系统(16、66、76、86、96),反射在所述光学有效表面(10a、60a、70a、80a、90a)上照射的电磁辐射;
电极布置(13、63、73、83),由具有第一电导率的第一材料构成,所述电极布置配备在所述基板(11、61、71、81、91)上;以及
中介层(12、62、72、82、92),由具有第二电导率的第二材料构成;
其中所述第一电导率和所述第二电导率之间的比率至少为100;
其中所述反射镜包括至少一个补偿层(88),其至少部分地补偿所述电极布置(83)的热膨胀对所述光学有效表面(80a)的形变的影响;
其中所述电极布置和所述中介层形成为使得通过所述电极布置的电驱动,提供在所述光学有效表面之上横向变化的温度场所需的热量能够在所述中介层中生成;以及
其中所述电极布置和所述中介层配置为产生电流,所述电流关于所述光学有效表面横向地流动,在所述电极布置的至少两个电极之间通过所述中介层。
2.根据权利要求1所述的反射镜,其特征在于,在所述反射镜上照射的电磁辐射的波前通过所述电极布置(13、63、73、83)的电驱动以及所述光学有效表面的伴随的热诱导的形变是可操纵的。
3.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,通过所述电极布置(13、63、73、83)的电驱动,所述反射镜的表面温度是可设定的,使得在所述光学有效表面上、来自热膨胀系数的零交叉温度的表面温度的最大局部偏差——在操作所述反射镜期间发生——小于5开(K)。
4.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,在所述第一电导率和所述第二电导率之间的比率至少为1000。
5.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,所述中介层(12、62、72、82、92)的电导率小于10 000西门子/米(S/m)。
6.根据权利要求5所述的反射镜,其特征在于,所述电导率小于5000西门子/米(S/m)。
7.根据权利要求5所述的反射镜,其特征在于,所述电导率小于200西门子/米(S/m)。
8.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,第一材料选自包含以下的组合:铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、锌(Zn)、锡(Sn)、镍(Ni)、钨(W)、镁(Mg)及其合金。
9.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,所述第二材料选自包含以下的组合:电学导电氧化物,电学导电碳化物,电学导电硼化物,电学导电氮化物以及金属性的半导体。
10.根据权利要求9所述的反射镜,其特征在于,所述电学导电氧化物包括LaNiO3、SrCoO3、SrRuO3、SrTiO3、以及CaMnO3。
11.根据权利要求9所述的反射镜,其特征在于,所述金属性的半导体包括锗(Ge)或硅(Si)。
12.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,所述反射镜进一步包括绝缘层(15、65、75、85、95),其将所述电极布置(13、63、73、83)的互不相同的电极彼此电绝缘。
13.根据权利要求12所述的反射镜,其特征在于,所述绝缘层(15、65、75、85、95)由石英玻璃(SiO2)制成。
14.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,所述反射镜包括至少一个冷却元件。
15.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,所述补偿层(88)具有实质上与所述电极布置(83)互补的区域占用。
16.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,所述补偿层(88)包括具有与所述第一材料的热膨胀系数相反符号的热膨胀系数的材料。
17.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,所述电极布置(13、63、73、83)包括关于所述反射镜的光学元件轴线沿着方位角方向相对于彼此偏移布置的多个电极。
18.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,所述反射镜进一步包括在所述反射层系统(76)与所述电极布置(73)之间布置的吸收层(77)。
19.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,所述反射镜设计用于小于200nm的操作波长。
20.根据权利要求1或2所述的反射镜,其特征在于,所述反射镜设计用于小于30nm的操作波长。
21.根据权利要求20所述的反射镜,其特征在于,所述操作波长小于15nm。
22.一种微光刻投射曝光设备的光学系统,所述光学系统包括如权利要求1至21中任一项所述的至少一个反射镜。
23.根据权利要求22所述的光学系统,其特征在于,所述光学系统是照明装置或投射镜头。
24.一种微光刻投射曝光设备(1000),包括照明装置和投射镜头,其特征在于,所述投射曝光设备包括如权利要求1至21中任一项所述的反射镜。
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