KR20190133169A - 특히 마이크로리소그래픽 투영 조명 시스템용 미러 - Google Patents

특히 마이크로리소그래픽 투영 조명 시스템용 미러 Download PDF

Info

Publication number
KR20190133169A
KR20190133169A KR1020197027726A KR20197027726A KR20190133169A KR 20190133169 A KR20190133169 A KR 20190133169A KR 1020197027726 A KR1020197027726 A KR 1020197027726A KR 20197027726 A KR20197027726 A KR 20197027726A KR 20190133169 A KR20190133169 A KR 20190133169A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mirror
layer
electrode
electrical conductivity
electrode arrangement
Prior art date
Application number
KR1020197027726A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102531330B1 (ko
Inventor
요하네스 리페르트
토랄프 그루너
케르스틴 힐트
Original Assignee
칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 filed Critical 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
Publication of KR20190133169A publication Critical patent/KR20190133169A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102531330B1 publication Critical patent/KR102531330B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/062—Devices having a multilayer structure
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/065—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements provided with cooling means
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/067—Construction details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 특히 마이크로리소그래픽 투영 조명 시스템용 미러에 관한 것으로서, 미러는 광학적 유효면을 갖고, 기판(11, 61, 71, 81, 91), 광학적 유효면(10a, 60a, 70a, 80a, 90a) 상에 입사하는 전자기 방사선을 반사하기 위한 반사층 시스템(16, 66, 76, 86, 96), 기판(11, 61, 71, 81, 91) 상에 제공되고 제1 전기 전도도를 갖는 제1 재료로 제조된 전극 조립체(13, 63, 73, 83), 및 제2 전기 전도도를 갖는 제2 재료로 제조된 매개체층(12, 62, 72, 82, 92)을 포함한다. 제1 및 제2 전기 전도도 사이의 비는 적어도 100이고, 미러는 광학적 유효면(80a)의 변형에 대한 전극 조립체(83)의 열팽창의 영향을 적어도 부분적으로 보상하는 적어도 하나의 보상층(88)을 갖는다.

Description

특히 마이크로리소그래픽 투영 조명 시스템용 미러
본 출원은 2017년 3월 30일 출원된 독일 특허 출원 DE 10 2017 205 405.0호의 우선권을 주장한다. 이 DE 출원의 내용은 본 출원 명세서에 참조로서 합체되어 있다.
발명의 분야
본 발명은 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 미러에 관한 것이다.
마이크로리소그래피가 예를 들어, 집적 회로 또는 LCD와 같은 마이크로구조화된 구성요소(microstructured component)를 제조하기 위해 사용된다. 마이크로리소그래피 프로세스는 조명 디바이스 및 투영 렌즈를 포함하는 소위 투영 노광 장치에서 수행된다. 조명 디바이스에 의해 조명되는 마스크(= 레티클)의 화상은, 기판의 감광 코팅에 마스크 구조를 전사하기 위해, 이 경우에 감광층(포토레지스트)으로 코팅된 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상에 투영 렌즈에 의해 투영되고 투영 렌즈의 화상 평면 내에 배열된다.
EUV 범위에 대해, 즉, 예로서 대략 13 nm 또는 대략 7 nm의 파장에서 설계된 투영 노광 장치에 있어서, 적합한 투광 굴절성 재료의 이용 가능성의 결여에 기인하여, 반사 광학 요소가 이미징 프로세스를 위한 광학 구성요소로서 사용된다.
이 경우에, 특히 광학 시스템의 동작 중에 발생하는 파면 수차를 보정하기 위해 파면 보정 요소를 사용하는 것이 알려져 있다. 이미징 광학 유닛의 수차 이외에, 레티클 및/또는 웨이퍼의 결함 및 웨이퍼 상의 구조체의 제조 중에 전체 프로세스 체인에서 발생하는 다른 결함을 보정하는 것이 또한 가능하다. EUV를 위해 설계된 투영 노광 장치의 동작 중에 발생하는 수차는 예를 들어, 특히 EUV 광원에 의해 방출된 방사선의 흡수에 기인하여, EUV 미러가 가열 및 수반하는 열팽창 또는 변형을 경험하는데, 이는 이어서 광학 시스템의 이미징 특성의 손상을 야기할 수도 있다는 사실에 의해 발생될 수도 있다. 이는 미러 가열 또는 변형이 미러의 광학적 유효면에 걸쳐 상당히 변하는, 특히 비교적 작은 조명 극(illumination poles)을 갖는 조명 세팅이 사용되는 경우에(예를 들어, 쌍극 또는 4중극 조명 세팅에서) 해당한다.
이 문제점을 극복하기 위한 일 가능한 접근법은 적어도 하나의 표면에서 분포 방식으로 배열된 전기 전도성 전도체 트랙을 갖는 파면 보정 요소의 구성인데, 충돌하는 전자기 방사선과 파면 보정 요소의 상호 작용은 상기 전도체 트랙의 전기 구동에 의해 영향을 받는 것이 가능하다. 전자기 방사선의 파면의 결과적인 달성 가능한 조작은 (투과 또는 반사) 구성에 따라, 특히 전도체 트랙의 전기 구동에 의해 발생된 파면 보정 요소의 굴절률의 변화 및/또는 변형에 기초할 수도 있다.
그러나, 실제로 여기서 발생하는 일 문제점은, 파면 보정 요소의 제조 프로세스 중에 그리고/또는 그 동작 중에, 절연층 내에 매립된 전도체 트랙에 마주하는 파면 보정 요소의 표면의 전기 하전이 발생할 수 있고, 여기서 전기장 강도가 증가함에 따라, 관련 절연층을 통한 전기 파괴가 최종적으로 발생할 수 있다는 것이다. 수반하는 플래시형 전기 방전은 전도체 트랙 및 가능하게는 그에 연결된 전기 구성요소의 부분 용융 내지 손상 또는 심지어 파괴를 야기할 수 있다.
더욱이, 이러한 파면 보정 요소의 제조 프로세스는 코팅 장치의 외부에 부분적으로 수행될 제조 단계에 기인하여 비교적 복잡한 것으로 판명되었다.
그러나, 다른 공지의 접근법은 특히 각각의 경우에 실제로 가열될 영역의 외부에서(특히 또한 인접한 광학 구성요소의 영역에서) 비교적 높은 열 부하의 발생의 단점을 갖는 적외선(IR) 가열 디바이스의 사용을 포함한다.
종래 기술과 관련하여, 단지 예로서, DE 10 2006 045 075 A1호, US 8,508,854 B2호, US 7,112,772 B2호, EP 0 965 871 B1호, WO 2004/036316 A1호, EP 1 103 857 B1호, DE 10 2012 212 757 A1호 및 EP 2 103 978 A1호를 참조한다.
본 발명의 목적은 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 미러를 제공하는 것이고, 이 미러는 미러면 위에서 측방향으로 변화하는 온도장의 설정을 가능하게 하고, 이 설정은 미러에 국소적으로 경계 한정되고, 동시에 비교적 간단하고 강건한 제조 프로세스에서 재현 가능하다.
이 목적은 독립 특허 청구항 1의 특징에 따른 미러에 의해 달성된다.
광학적 유효면을 갖는 본 발명에 따른 미러는,
- 기판;
- 광학적 유효면 상에 충돌하는 전자기 방사선을 반사하기 위한 반사층 시스템;
- 제1 전기 전도도를 갖는 제1 재료로 구성된 전극 배열체로서, - 상기 전극 배열체는 기판 상에 제공되는 것인 전극 배열체; 및
- 제2 전기 전도도를 갖는 제2 재료로 구성된 매개체층을 갖고,
- 제1 전기 전도도와 제2 전기 전도도 사이의 비는 적어도 100이고;
- 미러는 광학적 유효면의 변형에 대한 전극 배열체의 열팽창의 영향을 적어도 부분적으로 보상하는 적어도 하나의 보상층을 포함한다.
본 개시내용은 미러를 더 포함하고, 미러는 광학적 유효면을 갖고, 기판, 광학적 유효면 상에 충돌하는 전자기 방사선을 반사하기 위한 반사층 시스템, 제1 전기 전도도를 갖는 제1 재료로 구성된 전극 배열체로서, 상기 전극 배열체는 기판 상에 제공되는 것인 전극 배열체, 및 제2 전기 전도도를 갖는 제2 재료로 구성된 매개체층을 포함하고, 제1 전기 전도도와 제2 전기 전도도 사이의 비는 적어도 100이다.
일 실시예에 따르면, 미러 상에 충돌하는 전자기 방사선의 파면은 전극 배열체의 전기 구동 및 광학적 유효면의 수반하는 열적으로 유도된 변형에 의해 조작 가능하다.
다른 실시예에 따르면, 전극 배열체의 전기 구동에 의해, 미러의 표면 온도는 광학적 유효면을 가로질러, 열팽창 계수의 제로 교차 온도로부터 표면 온도의 최대 국소 편차 - 미러의 동작 중에 발생하는 - 는 5 켈빈(K) 미만인 이러한 방식으로 설정 가능하다.
본 발명은 첫째로, 미러 상의 출력 소비 및 그 분포가 예를 들어, 흡수된 (EUV) 사용된 광의 결과로서 시간 경과에 따라 변화하더라도 미러의 표면 온도를 일정하게 유지하도록 적용될 수 있다. 둘째로, 본 발명은 국소 온도 편차의 결과로서 미러의 타겟화된 변형을 설정함으로써, 변형의 도움으로 이미징의 확인된 수차를 보정하도록 또한 적용될 수 있다.
본 발명은 특히 전극 배열체 및 매개체층("가열층"으로서 역할을 함)의 조합된 사용을 경유하여 미러면 위에 측방향으로 변화하는 온도장의 발생을 실현하는 개념에 기초한다. 이 구성에서, 원하는 온도장을 제공하기 위해 요구된 열은, 첫째로 타겟화된 방식으로 설정 가능한 국소적으로 가변적인 미러 가열을 실현하고, 둘째로 또한 비교적 간단한 층 구성(여기서, 매개체층은 예를 들어 실질적으로 균질하게 일정한 두께를 갖고 구체화될 수 있고, 전극 배열체 내의 전극의 수는 또한 매개체층의 사용에 기인하여 비교적 작아지는 것이 허용됨)에 기인하여 제조 프로세스를 상당히 간단화하는 결과를 갖고 전극 배열체의 개별 전극들 사이에서 흐르는 전류를 경유하여 매개체층에서 발생된다.
그 결과, 본 발명은 원하는 온도 분포의 정밀한 설정 - 특히 미러 자체에 국소적으로 제한됨 - 및 따라서 또한 예를 들어 열적으로 유도된 표면 변형의 대응 보정 - 예를 들어 전극 배열체에 관하여 비교적 간단하고 강건한 구성을 가짐 - 을 달성한다. 이 경우에, 특히 제조 양태에 관하여 유리한 방식으로, 본 발명에 따른 관련 미러 구성요소의 제조 중에 개별 프로세스 단계는 코팅 장치를 일시적으로 떠나지 않고 직접 연속적으로 수행될 수 있다.
본 발명에 따르면, 미러는 광학적 유효면의 변형에 대한 전극 배열체의 열팽창의 영향을 적어도 부분적으로 보상하는 적어도 하나의 보상층을 포함한다. 이 경우에, 보상층은 광학적 유효면의 변형으로의 기여에 관하여 존재하는 전극 배열체 및 전기 리드의 회피 불가능한 열팽창을 보상하는 것을 가능하게 하고, 그 결과 커플링된 온도장에 대한 국소적으로 일정한 또는 균일한 "변형 응답"이 전체적으로 발생한다.
일 실시예에 따르면, 미러는 적어도 하나의 냉각 요소를 포함한다. 이 경우에, 바람직하게는, 적어도 하나의 냉각 요소의 냉각 출력은 매개체층과 전극 배열체의 조합을 경유하여 제공된 가열 출력에 동적으로 적응될 수 있다. 그 결과, 본 발명에 따른 구성에서(전극이 미리 전술된 바와 같이, 서두에서 설명된 종래의 파면 보정 요소에 대해 비교적 큰 단면을 각각 가질 수 있음), 따라서 비교적 큰 영역에 걸쳐 전체적으로 제공된 가열 출력의 편차를 얻는 것이 가능하다. 단지 예로서, 전극, 매개체층 및 리드는 단면에서, 10 nm 내지 5 ㎛, 특히 50 nm 내지 500 nm의 범위의 두께를 가질 수 있다. 더욱이, 전극은 전체 영역에 걸쳐 분포될 수 있고, 절연의 목적으로, 1 ㎛ 초과, 특히 1 mm 초과의 (간극) 간격만큼 서로로부터 이격될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 보상층은 전극 배열체 및/또는 리드 배열체에 실질적으로 상보적인 면적 점유율을 갖는다. 이 경우에, 본 발명은 특히, 보상층에 의해, 역 면적 점유율을 갖는 부가의 층이 층 구성에 추가되는 사실에 의해 "평면형" 면적이 재차 발생하는 개념을 포함한다. 이 경우에, 원하는 보상 효과를 얻기 위해, 절대값의 견지에서, 한편으로는 보상층, 및 다른 한편으로는 전극 배열체의 국소 두께와 열팽창 계수의 적(product)의 각각의 값은 최대 50%, 더 구체적으로 최대 20%에 대응한다.
일 실시예에 따르면, 보상층은 제1 재료의 열팽창 계수에 반대 부호를 갖는 열팽창 계수를 갖는 재료를 포함한다. 이를 위한 적합한 재료는 예를 들어, 아연 시아나이드 및 지르코늄 텅스테이트이다. 여기서도, 또한, 원하는 보상 효과를 얻기 위해, 절대값의 견지에서, 한편으로는 보상층, 및 다른 한편으로는 전극 배열체의 국소 두께와 열팽창 계수의 적의 각각의 값은 최대 50%, 더 구체적으로 최대 20%에 대응한다. 더욱이, 보상층은 본 실시예에서 바람직하게는 전극 배열체 및/또는 리드 배열체와 동일한 또는 유사한 면적 점유율을 갖는다. 이 경우에, 유사한 면적 점유율은 한편으로는 전극 배열체 및/또는 리드 배열체 사이, 및 다른 한편으로는 보상층의 최대 에지 오프셋이 리드의 폭 및/또는 전극의 최대 직경에 대해 30% 미만인 면적 점유율을 의미하는 것으로 이해된다.
보상층은 원리적으로 매개체층으로 관통 접촉-접속될 수 있고 따라서 또한 신호를 인가하기 위해 사용될 수 있는 전도층을 구성할 수 있고, 이에 의해 유리하게는 라인을 부설하기 위한 더 많은 공간이 부가의 겹 없이 생성된다.
일 실시예에 따르면, 전극 배열체는 미러의 광학 요소축에 대해 방위각 방향을 따라 서로에 관해 오프셋되어 배열된 복수의 전극을 포함한다. 이러한 방위각 분포된 접촉-접속은 미러 내로의 기계적 진동의 원하지 않는 커플링을 최소화하는 것을 가능하게 한다. 본 발명의 실시예에서, 이 목적으로, 전극 배열체의 적합한 접촉-접속의 정의는 또한 진동의 커플링을 최소화하는 것과 관련하여 미리 수행된 감도 분석에 기초하여 실행될 수 있다(여기서, 접촉-접속은 특히 미러의 고유 진동 모드의 노드 라인을 따라 실행될 수 있음).
일 실시예에 따르면, 미러는 반사층 시스템과 전극 배열체 사이에 배열된 흡수층을 더 포함한다. 이러한 흡수층은, 통상적으로 반사층 시스템이 적용되기 전에 제조 중에 수행되는, 각각의 표면-처리된 층의 간섭 측정이 매개체층 또는 전극 배열체에 존재하는 구조체에 의한 측정의 임의의 영향 없이 실행될 수 있는 한, 본 발명에 따른 미러의 제조 프로세스 중에 유리한 효과를 갖는다. 달리 말하면, 이러한 흡수층은 본 발명에 따른 전극 배열체 또는 매개체층에 의해 손상되지 않는 정밀한 표면 처리를 가능하게 한다.
일 실시예에 따르면, 미러는 200 nm 미만의 동작 파장을 위해 설계된다.
다른 실시예에 따르면, 미러는 30 nm 미만, 특히 15 nm 미만의 동작 파장을 위해 설계된다.
본 발명은 또한 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 광학 시스템, 특히 조명 디바이스 또는 투영 렌즈, 및 본 발명에 따른 적어도 하나의 미러를 포함하는 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치에 관한 것이다.
본 발명의 다른 구성은 상세한 설명 및 종속 청구항으로부터 얻어질 수 있다.
본 발명은 첨부 도면에 도시되어 있는 예시적인 실시예에 기초하여 이하에 더 상세히 설명된다.
도면에서:
도 1 내지 도 9는 본 발명의 다양한 실시예를 설명하기 위한 개략도를 도시하고 있다.
도 10은 EUV에서 동작을 위해 설계된 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 가능한 구성의 개략도를 도시하고 있다.
도 10은 EUV 내의 동작을 위해 설계되고 본 발명이 실현될 수 있는 예시적인 투영 노광 장치(1000)의 개략도를 도시하고 있다.
도 10에 따르면, EUV를 위해 설계된 투영 노광 장치(1000) 내의 조명 디바이스는 필드 파셋 미러(1003) 및 동공 파셋 미러(1004)를 포함한다. 플라즈마 광원(1001) 및 집광기 미러(1002)를 포함하는 광원 유닛으로부터의 광은 필드 파셋 미러(1003) 상에 지향된다. 제1 신축식 미러(1005) 및 제2 신축식 미러(1006)가 동공 파셋 미러(1004)의 하류측에서 광로 내에 배열된다. 편향 미러(1007)가 광로의 하류측에 배열되고, 상기 편향 미러는 그 위에 입사된 방사선을 6개의 미러(1051 내지 1056)를 포함하는 투영 렌즈의 대물 평면 내의 대물 필드 상에 지향한다. 대물 필드의 장소에서, 반사 구조체 지지 마스크(1021)가 마스크 스테이지(1020) 상에 배열되는데, 상기 마스크는 투영 렌즈의 보조로 화상 평면 내에 이미징되고, 이 화상 평면에는 감광층(포토레지스트)으로 코팅된 기판(1061)이 웨이퍼 스테이지(1060) 상에 위치되어 있다.
투영 노광 장치(1000)의 동작 중에, 이어서 적어도 하나의 임의의 미러가 발생하는 파면 수차를 보정하기 위해 구체화되는 것이 가능하고, 여기서 이 미러의 가능한 구성은 도 2 내지 도 7의 개략도를 참조하여 이하에 설명된다.
도 1은 본 발명이 실현될 수 있는 미러의 구성을 설명하기 위한 개략도를 도시하고 있다. 미러(10)는 특히, 광학 시스템의, 특히 투영 렌즈의 또는 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 디바이스의 EUV 미러일 수 있다.
미러(10)는 특히 임의의 원하는 적합한 미러 기판 재료로부터 제조되는 미러 기판(11)을 포함한다. 적합한 미러 기판 재료는 예를 들어, 티타늄 디옥사이드(TiO2)로 도핑된 석영 유리이고, 사용 가능한 재료는 단지 예로서(그리고 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아님), 상표명 ULE®(Corning Inc.로부터의) 또는 Zerodur®(Schott AG로부터의) 하에서 시판되는 것들이다. 더욱이, 미러(10)는 원리적으로 그 자체로 공지되어 있는 방식으로, 예시된 실시예에서, 단지 예로서 몰리브덴-실리콘(Mo-Si) 층 스택을 포함하는 반사층 시스템(16)을 포함한다.
반사층 시스템의 특정 구성에 본 발명을 한정하지 않고, 단지 예시일 뿐인 일 적합한 구성은 각각의 경우에 2.4 nm의 층 두께를 갖는 몰리브덴(Mo) 층 및 각각의 경우에 3.3 nm의 층 두께를 갖는 실리콘(Si) 층을 포함하는 층 시스템의 대략 50겹 또는 층의 패킷을 포함할 수 있다.
광학 시스템의 동작 중에 미러(10)의 광학적 유효면(10a) 상의 전자기 EUV 방사선의 충돌은 광학적 유효면(10a) 상에 불균질하게 충돌하는 방사선의 흡수로부터 발생하는 온도 분포에 기인하여 미러 기판(11)의 불균질한 체적 변화를 야기할 수 있다. 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 동작 중에 발생하는 다른 수차를 보정하기 위해 이러한 원하지 않는 체적 변화 등을 보정하기 위해, 미러(10)는 이어서 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 본 발명에 따른 방식으로 설계된다.
전술된 미러 기판 재료에서, 소위 제로 교차 온도에서, 열팽창 계수는 그 온도에 의존하여 제로 교차를 갖고, 그 제로 교차 부근에서 어떠한 열팽창도 발생하지 않거나 단지 무시할만한 열팽창만이 발생한다는 것이 지적되어야 한다. 따라서, 특정 시나리오에서, 상기 제로 교차 온도에서 미러를 유지하는 것이 또한 충분할 수도 있다. 유한 열팽창을 갖는 미러의 경우에, 변형은 국소 출력의 적응을 경유하여 제어될 수 있다. 이 경우에, 필요에 따라 하향 조절되거나 스위칭 오프될 수 있는 특정 가열 출력을 연속적으로 제공하는 것이 유리할 수 있고, 그 결과 부가의 냉각기가 생략 가능하다. 이 경우에, "동작점"의 대응 선택에 의해, 또한 열 출력을 제거하는 것이 가능하고 따라서 대향 또는 음의 작동 방향을 가능하게 하기 위해, 기판의 제로 교차 온도를 고의적으로 더 높은 차수로 선택하는 것이 적절할 수 있다.
도 1에 따른 본 발명에 따른 미러(10)는 전기 리드(14)를 거쳐 이들에 인가된 선택적으로 설정 가능한 전류를 갖는 것이 가능하거나 전기적으로 구동 가능한 복수의 전극을 포함하는 전극 배열체(13)를 포함한다. 더욱이, 미러(10)는 전기 전도성 매개체층(12)을 포함한다.
도 1에서, "15"는 특히 전극 배열체(13)의 전극을 서로로부터 전기적으로 절연하고 예를 들어 석영 유리(SiO2)로부터 제조될 수 있는 평활한 절연층을 나타낸다.
다른 실시예에서, 미러는 또한 소위 스침각 입사(grazing incidence)와 함께 사용을 위해 구성될 수 있다. 이 경우에, 반사층 시스템은 예를 들어, 특히 30 nm의 예시적인 두께를 갖는 루테늄(Ru)으로 구성된 단지 하나의 개별층을 포함할 수 있다.
더욱이, 도 1에는 도시되어 있지 않은 부가의 기능층(예를 들어, 확산 배리어층, 접착 향상층 등)이 또한 미러(10)의 층 구성에 제공될 수 있다.
본 발명에 따른 미러(10)의 동작 중에, 상이한 전위가 전극 배열체(13)의 개별 전극에 인가될 수 있고, 여기서 전극들 사이에 이에 의해 발생된 전압은 매개체층(12)을 거치는 전류 흐름을 유발한다. 상기 전류에 의해 유도된 열은 전극에 각각 인가된 전위에 따라 미러 표면의 국소적으로 변화하는 가열을 야기한다.
그 결과, 본 발명에 따른 미러(10)의 경우에 전극 배열체(13)와 매개체층(12)의 조합된 사용은, 전극 배열체의 비교적 거친 구조체에도 불구하고 - 예를 들어, 서두에 설명된 파면 보정 요소와 비교하여 -, 본 발명에 따른 미러 내로 연속적으로 변화하는 출력 입력을 가능하게 하고, 동시에 열 출력의 커플링 - 예를 들어 서두에 설명된 바와 같은 적외선(IR) 가열 디바이스의 통상의 사용에 대조적으로 - 은 미러 자체에 제한된다. 본 발명에 따르면, 재료 선택에 기인하여, 매개체층 내에 비교적 높은 전기 저항이 존재하여, 전압이 여기서 강하되고, 반면에 리드 내의 비교적 상당히 더 높은 전기 전도도에 기인하여, 전압 또는 열이 리드 내에서 강하하지 않고 이와 관련하여 미세한 구조체가 높은 전기 저항을 발생하기 위해 요구되지 않는다.
본 발명은 전극 배열체의 특정 기하학적 구성에 한정되지 않는다. 그 구성이 각각의 상이한 관점에서 유리한 전극 배열체 및/또는 리드의 단지 예시적인 구성만이 도 2 내지 도 5를 참조하여 이하에 설명된다.
도 2는 다수의 전극(22)이 미러의 광학면("20"으로 나타냄) 위에 분포된 방식으로 배열되어 있는 구성을 도시하고 있고, 여기서 이 분포는 "푸트프린트" 경계를 넘어 연장하여, 미러면 상의 광빔 또는 광학적으로 사용된 영역의 경계 한정을 나타낸다.
전극(22)은 임의의 적합한 분포로(예를 들어, 카르테시안 그리드로, 육각 배열로 등) 제공될 수 있다. 다른 실시예에서, 전극(22)은 또한 단지 특정 영역(예를 들어, 광학적으로 사용된 영역 또는 "푸트프린트" 경계(21) 외부에)에 위치될 수 있다. 도 2에 따르면, 전류는 가능하게는 광학적으로 사용된 영역을 가로질러 횡방향으로 흐른다.
도 3은 제1 전극(32)이 제2 전극(33)에 의해 에워싸인 전극 배열체의 구성을 도시하고 있다(제2 전극(33)은 예시적인 실시예에서 정사각형 방식으로 구체화되지만, 선택된 그리드에 독립적인 상이한, 예를 들어 원형 기하학적 형상을 또한 가질 수 있음).
제2 전극(33)이 제1 전극(32)을 에워싸고 있는 도 3에서 선택된 배열체의 경우에, 각각의 리드를 위한 부가의 겹("전도층"으로서)이 제2 전극(33)을 위해 요구된다. 그러나, 다른 실시예에서, 제2 전극(33)은 또한 각각의 장소에서 중단되거나 개방 유지될 수 있고, 여기서 각각의 제1 전극(32)을 위한 접촉-접속부는 상기 다른 전도층을 제거하기 위해 나머지 개구를 통해 이어질 수 있다. 도 3에 따르면, 전류는 각각의 경우에 제1 전극(32)과 연관된 제2 전극(33) 사이에서 흘러, 국소 전류가 흐르고 따라서 또한 국소적으로 가열된 위치가 실현될 수 있게 된다.
다른 실시예에서, 이하에 추가로 설명되는 바와 같이, 전극 배열체 및/또는 연관된 리드의 회피 불가능한 열팽창을 보상하는 보상층으로서 또한 역할을 하는 한, 상기 제2 전도층이 또한 부가적으로 사용되거나 이중 기능을 수행할 수 있다.
도 4의 a)는 다른 예시적인 실시예에서, 링형 제2 전극(43)에 의해 각각 둘러싸인 제1 전극(42)의 육각형 배열을 도시하고 있다. 이 구성은 특히, 서로 연관된 제1 및 제2 전극(42, 43) 사이의 균일한 그리드 및 각각의 일정한 거리에 관하여 유리하다.
도 4의 b)는 도 4의 a)와 실질적으로 유사하고 제1 전극(44) 및 제2 전극(45)을 포함하는 구성을 도시하고 있고, 여기서 이 배열은 단지 제2 전극(45)이 전술된 바와 같이 부가의 전도층을 제거하기 위해 중단되는 점에서 도 4의 a)로부터의 것과는 상이하다. 그러나, 전술된 바와 같이, 도 4의 a)의 예시적인 실시예에서 요구된 부가의 전도층은 또한 전극 배열체 및/또는 리드의 열팽창을 보상하기 위한 보상층으로서 역할을 할 수 있다. 이 목적으로, 예를 들어 제1 및/또는 제2 전극을 위한 각각의 리드를 포함하는 전도층은 역 면적 점유율 또는 반대 열팽창 계수로 구체화될 수 있다.
도 5는 전극 배열체의 개별 구역의 선택적 구동성이 상당히 감소된 통합 비용 또는 전기 접속부의 요구되는 수의 감소를 위해 생략되고, 링 필드 가열을 실현하기 위한 단지 2개의 전극(52, 53)이 여기서 제공되는 예시적인 실시예를 도시하고 있다. "51"은 미러면 상의 광학적으로 사용된 영역("푸트프린트 경계") 또는 광빔의 경계 한정을 나타낸다.
도 6은 본 발명에 따른 미러의 층 시퀀스의 도 1에 대한 대안 구성을 도시하고 있고, 여기서 도 1과 비교하여 유사하거나 실질적으로 기능적으로 동일한 구성요소는 "50"만큼 증가된 도면 부호에 의해 나타낸다.
도 6에 따르면, 층 구성은, 도 6에 따라, 매개체층(62)이 반사층 시스템(66)에 대면하는 전극 배열체(63)의 측 상에 또는 기판(61)으로부터 이격하는 상기 전극 배열체의 측 상에 배열되는 한, 전극 배열체(63) 및 매개체층(62)에 관하여 도 1에 비교하여 역전되어 있다. 특히, 매개체층(62)의 흡수성(="블랙") 구성의 경우에, 도 6에 따른 구성은, 이어서, 각각의 경우에 처리될(반사층 시스템(66)이 적용되기 전에) 표면의 간섭 측정 - 통상적으로 제조 프로세스 중에 실행됨 - 이 전극 배열체(63)(본 실시예에서 충돌하는 전자기 방사선에 더 이상 가시적이지 않음)에 의해 영향을 받지 않아, 정밀한 간섭 표면 측정 및 대응적으로 신뢰적인 표면 처리가 그 결과로서 실행될 수 있게 되는 한 유리할 수 있다.
도 7에 도시되어 있는 다른 실시예에서, 미리 전술된 효과(즉, 제조 프로세스 중에 간섭 측정 방사선을 위한 전극 배열체의 "마스킹")는 특히 이 목적으로 제공된 흡수층(77)에 의해 달성되고, 상기 흡수층은 반사층 시스템(76)과 전극 배열체(73) 사이에 배열된다. 도 7에서, 도 6의 구성과 비교하여 유사하거나 실질적으로 기능적으로 동일한 구성요소는 이어서 "10"만큼 증가된 도면 부호로 나타낸다.
도 8은 본 발명에 따른 미러의 층 시퀀스의 다른 구성을 도시하고 있고, 여기서 도 1과 비교하여 유사하거나 실질적으로 기능적으로 동일한 구성요소는 "70"만큼 증가된 도면 부호에 의해 나타낸다. 본 실시예에 따르면, 전극 배열체(83) 및/또는 리드(84)에 상보적인 면적 점유율 및/또는 전극 배열체 및/또는 리드(84)에 상보적인 두께 프로파일을 갖는 적어도 하나의 부가의 보상층(88)이 제공된다. 본 실시예에 따르면, 본 발명은 따라서 역 면적 점유율을 갖는 부가의 층이 적어도 하나의 보상층(88)에 의해 추가되는 사실에 의해 "평면형" 면적이 재차 발생하는 개념을 포함한다.
보상층은 원리적으로 매개체층으로 관통 접촉-접속될 수 있고 따라서 또한 신호를 인가하기 위해 사용될 수 있는 전도층을 구성할 수 있고, 이에 의해 유리하게는 라인을 부설하기 위한 더 많은 공간이 부가의 겹 없이 생성된다. 도 9는 본 발명에 따른 미러의 층 시퀀스의 다른 구성을 도시하고 있고, 여기서 도 1과 비교하여 유사하거나 실질적으로 기능적으로 동일한 구성요소는 "80"만큼 증가된 도면 부호에 의해 나타낸다. 도 9에 따르면, 제1 전극(93a) 및 제2 전극(93b)의 모두(여기서, 도 8의 실시예와 유사하게 보상층의 부가의 기능을 수행함)는 매개체층(92)에 전기적으로 접촉 접속된다. 도 9의 보상층이 동시에 전극(93b)으로서 사용된다는 사실에 의해, 부가의 겹이 제거되고 이용 가능한 공간이 더 양호하게 이용된다.
본 발명이 특정 실시예에 기초하여 설명되었지만, 수많은 변형 및 대안 실시예가 예를 들어 개별 실시예의 특징의 조합 및/또는 교환에 의해 통상의 기술자에게 명백하다. 이에 따라, 이러한 변형 및 대안 실시예는 본 발명에 의해 부수적으로 포함되고, 본 발명의 범주는 단지 첨부된 특허 청구범위 및 이의 등가물의 의미 내에서만 한정된다는 것이 통상의 기술자에게 자명하다.

Claims (18)

  1. 광학적 유효면을 갖는 미러이며,
    · 기판(11, 61, 71, 81, 91);
    · 상기 광학적 유효면(10a, 60a, 70a, 80a, 90a) 상에 충돌하는 전자기 방사선을 반사하기 위한 반사층 시스템(16, 66, 76, 86, 96);
    · 제1 전기 전도도를 갖는 제1 재료로 구성된 전극 배열체(13, 63, 73, 83)로서, 상기 전극 배열체는 상기 기판(11, 61, 71, 81, 91) 상에 제공되는 것인 전극 배열체(13, 63, 73, 83); 및
    · 제2 전기 전도도를 갖는 제2 재료로 구성된 매개체층(12, 62, 72, 82, 92)을 포함하고,
    · 상기 제1 전기 전도도와 상기 제2 전기 전도도 사이의 비는 적어도 100이고;
    · 상기 미러는 상기 광학적 유효면(80a)의 변형에 대한 상기 전극 배열체(83)의 열팽창의 영향을 적어도 부분적으로 보상하는 적어도 하나의 보상층(88)을 포함하는, 미러.
  2. 제1항에 있어서, 상기 미러 상에 충돌하는 전자기 방사선의 파면은 상기 전극 배열체(13, 63, 73, 83)의 전기 구동 및 상기 광학적 유효면의 수반하는 열적으로 유도된 변형에 의해 조작 가능한 것을 특징으로 하는 미러.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전극 배열체(13, 63, 73, 83)의 전기 구동에 의해, 상기 미러의 표면 온도는 상기 광학적 유효면을 가로질러, 열팽창 계수의 제로 교차 온도로부터 표면 온도의 최대 국소 편차 - 상기 미러의 동작 중에 발생하는 - 는 5 켈빈(K) 미만인 이러한 방식으로 설정 가능한 것을 특징으로 하는 미러.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전기 전도도와 상기 제2 전기 전도도 사이의 비는 적어도 1000인 것을 특징으로 하는 미러.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 매개체층(12, 62, 72, 82, 92)은 10,000 지멘스/미터(S/m) 미만, 특히 5000 지멘스/미터(S/m) 미만, 더 구체적으로 200 지멘스/미터(S/m)의 전기 전도도를 갖는 것을 특징으로 하는 미러.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 재료는 플래티늄(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 주석(Sn), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg) 및 이들의 합금을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 미러.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 재료는 전기 전도성 산화물, 특히 LaNiO3, SrCoO3, SrRuO3, SrTiO3, CaMnO3, 전기 전도성 탄화물, 전기 전도성 불화물, 전기 전도성 질화물 및 금속 반도체, 특히 게르마늄(Ge) 또는 실리콘(Si)을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 미러.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극 배열체(13, 63, 73, 83)의 서로 상이한 전극을 서로로부터 전기적으로 절연하는 절연층(15, 65, 75, 85, 95)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미러.
  9. 제8항에 있어서, 상기 절연층(15, 65, 75, 85, 95)은 석영 유리(SiO2)로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 미러.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 냉각 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 미러.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보상층(88)은 상기 전극 배열체(83)에 실질적으로 상보적인 면적 점유율을 갖는 것을 특징으로 하는 미러.
  12. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보상층(88)은 상기 제1 재료의 열팽창 계수에 반대 부호를 갖는 열팽창 계수를 갖는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 미러.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극 배열체(13, 63, 73, 83)는 상기 미러의 광학 요소축에 대해 방위각 방향을 따라 서로에 관해 오프셋되어 배열된 복수의 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 미러.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사층 시스템(76)과 상기 전극 배열체(73) 사이에 배열된 흡수층(77)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미러.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 200 nm 미만의 동작 파장을 위해 설계되는 것을 특징으로 하는 미러.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 30 nm 미만, 특히 15 nm 미만의 동작 파장을 위해 설계되는 것을 특징으로 하는 미러.
  17. 특히, 조명 디바이스 또는 투영 렌즈와 같은, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 광학 시스템이며, 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따라 구체화된 적어도 하나의 미러를 포함하는, 광학 시스템.
  18. 조명 디바이스 및 투영 렌즈를 포함하는 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(1000)에 있어서, 상기 투영 노광 장치는 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따라 구체화된 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치.
KR1020197027726A 2017-03-30 2018-02-15 특히 마이크로리소그래픽 투영 조명 시스템용 미러 KR102531330B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017205405.0A DE102017205405A1 (de) 2017-03-30 2017-03-30 Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102017205405.0 2017-03-30
PCT/EP2018/053769 WO2018177649A1 (de) 2017-03-30 2018-02-15 Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190133169A true KR20190133169A (ko) 2019-12-02
KR102531330B1 KR102531330B1 (ko) 2023-05-12

Family

ID=61386811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197027726A KR102531330B1 (ko) 2017-03-30 2018-02-15 특히 마이크로리소그래픽 투영 조명 시스템용 미러

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10908509B2 (ko)
KR (1) KR102531330B1 (ko)
CN (1) CN110462524B (ko)
DE (1) DE102017205405A1 (ko)
WO (1) WO2018177649A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018203241A1 (de) 2018-03-05 2019-09-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element, sowie Verfahren zur Korrektur der Wellenfrontwirkung eines optischen Elements
CN112313303B (zh) * 2018-05-18 2022-12-30 尤尼斯拜特罗有限责任公司 具有膨胀补偿功能的光学装置
DE102019208934A1 (de) * 2019-06-19 2020-12-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102019219289A1 (de) 2019-12-11 2021-06-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, sowie Heizanordnung und Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System
DE102020201774A1 (de) 2020-02-13 2021-08-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe mit Kompensationselement und Projektionsbelichtungsanlage
EP4193222A1 (en) 2020-08-07 2023-06-14 Carl Zeiss SMT GmbH Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
CN116324621A (zh) 2020-08-07 2023-06-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学系统与操作光学系统的方法
DE102021201258A1 (de) 2021-02-10 2022-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie optisches System
DE102022205302A1 (de) 2022-05-25 2023-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102022114969A1 (de) * 2022-06-14 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Heizen eines optischen Elements sowie optisches System
DE102022211636A1 (de) 2022-11-04 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, sowie Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130141707A1 (en) * 2010-07-30 2013-06-06 Asml Netherlands B.V. EUV Exposure Apparatus
US20140300876A1 (en) * 2012-01-25 2014-10-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical arrangement, euv lithography apparatus and method for configuring an optical arrangement
US20150116703A1 (en) * 2013-10-30 2015-04-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflective Optical Element
DE102015213273A1 (de) * 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10284390A (ja) * 1997-04-02 1998-10-23 Nikon Corp 反射鏡の形状制御装置、形状制御方法及び露光装置
US7112772B2 (en) 1998-05-29 2006-09-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with adaptive mirror and projection exposure method
DE19827602A1 (de) 1998-06-20 1999-12-23 Zeiss Carl Fa Verfahren zur Korrektur nicht-rotationssymmetrischer Bildfehler
DE19956353C1 (de) 1999-11-24 2001-08-09 Zeiss Carl Optische Anordnung
US6464364B2 (en) * 2000-01-27 2002-10-15 Aoptix Technologies, Inc. Deformable curvature mirror
AU2002346911A1 (en) 2002-10-15 2004-05-04 Carl Zeiss Smt Ag Optical arrangement and method of specifying and performing a deformation of an optical surface of an optical element being part of the optical arrangement
DE102006045075A1 (de) 2006-09-21 2008-04-03 Carl Zeiss Smt Ag Steuerbares optisches Element
JP2008220771A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Topcon Corp 波面収差補正装置
DE102008014900A1 (de) 2008-03-19 2009-09-24 Rodenstock Gmbh Schichtsystem zur Beheizung optischer Oberflächen und gleichzeitiger Reflexminderung
DE102011077784A1 (de) * 2011-06-20 2012-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsanordnung
DE102012212757A1 (de) 2012-07-20 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum betreiben einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
DE102013219583A1 (de) * 2013-09-27 2015-04-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102015213275A1 (de) * 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung für eine Lithographiebelichtungsanlage und Spiegelanordnung umfassendes optisches System
DE102016201445A1 (de) * 2016-02-01 2017-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102016224202A1 (de) * 2016-12-06 2017-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Modifizieren des Deformationsverhaltens eines deformierbaren Spiegels

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130141707A1 (en) * 2010-07-30 2013-06-06 Asml Netherlands B.V. EUV Exposure Apparatus
US20140300876A1 (en) * 2012-01-25 2014-10-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical arrangement, euv lithography apparatus and method for configuring an optical arrangement
US20150116703A1 (en) * 2013-10-30 2015-04-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflective Optical Element
DE102015213273A1 (de) * 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Also Published As

Publication number Publication date
CN110462524B (zh) 2022-03-01
CN110462524A (zh) 2019-11-15
US10908509B2 (en) 2021-02-02
KR102531330B1 (ko) 2023-05-12
WO2018177649A1 (de) 2018-10-04
US20200026195A1 (en) 2020-01-23
DE102017205405A1 (de) 2018-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102531330B1 (ko) 특히 마이크로리소그래픽 투영 조명 시스템용 미러
KR102214738B1 (ko) 특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울
US10684466B2 (en) Mirror arrangement for lithography exposure apparatus and optical system comprising mirror arrangement
JP5453673B2 (ja) 光学要素及び方法
JP4639092B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR102598729B1 (ko) 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 시스템용 거울
US11809085B2 (en) Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2015155061A1 (en) Mirror arrangement, projection lens and euv lithography apparatus
US11366395B2 (en) Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure system
TW202210953A (zh) 反射鏡、特別是用於微影投射曝光裝置的反射鏡
CN115698860A (zh) 特别用于微光刻的反射镜
JP7496839B2 (ja) 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー
JP2023530521A (ja) 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置のミラー

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant