CN110400765B - 基片处理装置、基片处理方法和刷 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种使刷的管理变得容易的技术。本发明的一个方式的基片处理装置包括处理部、信息保持部和信息获取部。处理部进行使用刷的基片处理。信息保持部设置在处理部,并保持关于刷的信息。信息获取部获取从信息保持部读出的上述信息。

Description

基片处理装置、基片处理方法和刷
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和刷。
背景技术
一直以来,已知一边使基片转动,一边将刷按压到转动的基片,由此进行清洗处理等基片处理的基片处理装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-228961号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种使刷的管理变得容易的技术。
用于解决技术问题的技术手段
本发明的一个方式的基片处理装置包括处理部、信息保持部和信息获取部。处理部进行使用刷的基片处理。信息保持部设置在处理部,并保持关于刷的信息。信息获取部获取从信息保持部读出的信息。
发明效果
依照本发明,能够提供一种使刷的管理变得容易的技术。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基片处理装置的结构的图。
图2是表示第一实施方式的处理部的结构的图。
图3是表示第一实施方式的处理部的结构的图。
图4是表示第一实施方式的存取部的结构的图。
图5是表示第一实施方式的控制装置的构成的框图。
图6是表示刷的信息的一例的图。
图7是表示参数设定处理的一例的流程图。
图8是表示第一实施方式中的第一变形例的读写器的配置的图。
图9是表示第一实施方式中的第二变形例的读写器的配置的图。
图10是表示第二实施方式的清洗部和存取部的结构的一例的图。
图11是表示第二实施方式的清洗部和存取部的结构的另一例的图。
图12是表示第二实施方式的清洗部和存取部的结构的一例的图。
图13是表示第二实施方式的清洗部的结构的另一例的图。
图14是表示第三实施方式的清洗部的结构的图。
图15是表示转动板的结构的一例的图。
图16是表示由旋转编码器检测的脉冲的占空比的一例的图。
附图标记说明
W 晶片
1 基片处理装置
5 控制装置
51 控制部
52 存储部
18 处理部
104 清洗部
106 存取部
141 刷
143 臂
145 RFID标签(信息保持部的一例)
162 读写器
511 信息获取部
512 参数设定部。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的用于实施基片处理装置、基片处理方法和刷的方式(以下记为“实施方式”)详细地进行说明。此外,本发明的基片处理装置、基片处理方法和刷不限定于该实施方式。另外,各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当地组合。另外,在以下的各实施方式中,对相同的部位标注相同的附图标记,并省略重复的说明。
对于基片处理所使用的刷,有例如耐压、推荐的使用压力的范围、寿命等多个参数,对于每个刷,上述参数的值不同。一直以来,对基片处理装置的刷的参数值的设定可以通过用户手动输入来进行。但是,在由用户进行的手动输入中,存在例如在发生了输入错误的情况下设定错误的参数值的可能性。另外,在手动地输入参数值对于用户而言耗费工夫。
另外,近年来,由于3D打印等的普及,将刷的仿品安装在基片处理装置的风险变高。然而,在现有的基片处理装置中,难以区别刷的正品和仿品。
因此,希望一种能够容易地进行刷的参数管理、品质管理等的技术。
首先,参照图1,说明第一实施方式的基片处理装置的结构。图1是表示第一实施方式的基片处理装置的结构的图。
此外,在以下参照的各附图中,为了使说明容易理解,有时表示规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向并以Z轴正方向为铅垂向上方向的直角坐标系。另外,有时将以铅垂轴为转动中心的转动方向称为θ方向。
如图1如示,基片处理装置1包括送入送出区块2、交接区块3和处理区块4。上述区块按送入送出区块2、交接区块3和处理区块4的顺序排列地配置。
基片处理装置1将从送入送出区块2送入的半导体晶片等基片(以下记为“晶片W”)经由交接区块3输送到处理区块4,在处理区块4中进行处理。另外,基片处理装置1将处理后的晶片W从处理区块4经由交接区块3返回送入送出区块2,从送入送出区块2运出到外部。以下说明各区块2~4的结构。
送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。在载置部11载置以水平状态收纳多个半导体晶片W的多个载体C。输送部12与载置部11相邻设置,在内部设有输送装置13。输送装置13在载置部11与交接区块3之间进行晶片W的输送。
交接区块3包括交接部22。交接部22能够多层地收纳多个晶片W。
处理区块4包括输送部16、输送装置17和多个处理部18。输送装置17配置在输送部16的内部,多个处理部18配置在输送部16的外部。另外,多个处理部18与输送部16相邻配置。
输送装置17在交接区块3的交接部22与处理部18之间进行晶片W的输送。具体而言,输送装置17将晶片W从交接部22取出并输送到处理部18。另外,输送装置17将由处理部18处理过的晶片W从处理部18取出并输送到交接部22。
处理部18对由输送装置17送入的晶片W进行使用刷的基片处理。在此,说明处理部18进行除去附着于晶片W的表面的颗粒等的清洗处理的情况的例子,但是处理部18进行的基片处理不限于清洗处理。例如,处理部18进行的基片处理也可以为从晶片W的表面除去凸部的处理、对晶片W的表面进行研磨的处理。
在此,参照图2和图3说明处理部18的结构。图2和图3是表示第一实施方式的处理部18的结构的图。此外,图2是从上方观察处理部18的内部的示意图,图3是从侧方观察处理部18的内部的示意图。另外,在图3中,省略表示液体供给部105。
如图2和图3所示,处理部18包括腔室101、基片保持部102、罩体部103、清洗部104、液体供给部105和存取部106。
腔室101收纳基片保持部102、罩体部103、清洗部104、液体供给部105和存取部106。在腔室101的顶部设置有在腔室101内形成下降流的FFU(Fun Filter Unit,风机过滤机组)111(参照图3)。
基片保持部102包括:直径比晶片W大的主体部121;设置于主体部121的上表面的多个抓持部122;支承主体部121的支柱部件123;和使支柱部件123转动的驱动部124。此外,抓持部122的数量不限于图示的数量。
该基片保持部102使用多个抓持部122来抓持晶片W的周缘部,从而保持晶片W。由此,晶片W以与主体部121的上表面稍微隔开间隔的状态保持为水平的。
罩体部103以包围基片保持部102的方式配置。在罩体部103的底部形成有:排液口131,其用于将供给到晶片W的处理液排出到腔室101的外部;和排气口132,其用于排出腔室101内的气氛。
清洗部104包括:刷141;和在铅垂方向延伸并且可转动地支承刷141的轴142(转动轴的一例)。轴142与未图示的转动机构连接,转动机构使轴142转动,从而使刷141绕铅垂轴转动。
刷141例如包括:具有圆筒形状的树脂制的刷主体;和清洗体,其设置在刷主体的下部,并能够被按压到晶片W。清洗体例如由多个毛束构成。另外,清洗体也可以由海绵等构成。
另外,清洗部104包括:臂143,其在水平方向延伸,并经由轴142从上方支承刷141;和使臂143旋转及升降的旋转升降机构144。利用旋转升降机构144,臂143能够使刷141在晶片W的上方的处理位置与晶片W的外侧的待机位置之间移动。
另外,清洗部104经由阀146、流量调节器(未图示)等与第一处理液供给源148连接。清洗部104将从第一处理液供给源148供给的第一处理液从上下贯通刷141的中空部排出到晶片W。第一处理液例如是DHF(稀氟酸)。此外,第一处理液不限于DHF,也可以为SC1、纯水(Deionized Water)等其他处理液。
液体供给部105包括:喷嘴151;在水平方向延伸并从上方支承喷嘴151的喷嘴臂152;和使喷嘴臂152旋转及升降的旋转升降机构153。
喷嘴151经由阀156、流量调节器(未图示)等与第二处理液供给源158连接。该液体供给部105将从第二处理液供给源158供给的第二处理液排出到晶片W。第二处理液例如为纯水等冲洗液。此外,第二处理液不限于冲洗液,也可以为其他处理液。
在处理部18设置有保持关于刷141的信息的RFID标签145(信息保持部的一例)。在第一实施方式中,RFID标签145埋设于刷141中。此外,刷141相对于处理部18是可拆装的。因此,RFID标签145相对于处理部18也是可拆装的。
RFID标签145预先保持关于刷141的信息,例如“刷的种类”“序列号(serialnumber)”“部件编号”“耐压”“使用压力范围”“寿命”“认证代码”等信息。
“刷的种类”是表示刷141的种类的信息。将“刷的种类”存储于RFID标签145,由此能够使基片处理装置1识别刷141的种类。由此,例如基片处理装置1在将某种类(称为种类A)的刷141安装于臂143时,能够使作为种类A的刷141的参数值的、预先存储的值自动地反映在该处理部18的方案信息。
“序列号”是分配给刷141的固有的识别编号。通过将“序列号”存储于RFID标签145,由此例如在刷141发生了问题的情况下,追踪制造时间、制造场所等变得容易等,能够使品质管理变得容易。
“部件编号”例如是刷141的产品编号。通过将“部件编号”存储于RFID标签145,由此例如在将刷141与相同种类的新品进行更换的情况下,能够使新品的安排变得容易。
“耐压”是表示刷141的耐压的信息。另外,“使用压力范围”是表示刷141的所推荐的使用压力的范围的信息。将“耐压”“使用压力范围”存储于RFID标签145,由此例如未在基片处理装置1中注册的新的刷安装在臂143时,能够使使用压力范围等信息自动地反映在处理部18的方案信息。因此,不需要用于在基片处理装置1注册新的刷的软件的版本升级等。
“寿命”是关于刷141的寿命的信息。刷141的寿命例如由刷141的使用压力和使用时间的相乘值来表示。将“寿命”存储于RFID标签145,由此例如在基片处理装置1中计测刷141的使用压力和使用时间,基于计测结果与寿命之差来预测141的更换时间。另外,能够决定对多个处理部18的基片处理的分配,以使得在多个处理部18间更换刷141时间一致。例如,对于剩余寿命长的处理部18,分配比剩余寿命短的处理部18更多的基片处理,由此能够使上述的处理部18的更换时间一致。由此,能够有效地进行处理部18的更换。另外,定期维护的计划方案变得容易。
“认证代码”是用于认证正品的刷141的信息。将“认证代码”存储于RFID标签145,由此能够提前防止将仿品的刷安装在臂143并使用的情况。
此外,关于RFID标签145,例如在刷141开孔,在该孔中放入RFID标签145后,利用树脂材料进行封装(mold),由此能够将其埋设在刷141中。在将RFID标签145埋设在刷141中的情况下,RFID标签145优选使用极小型的标签。例如,作为RFID标签145,优选使用圆筒型、硬币型、标签(label)型的RFID标签。
另外,RFID标签145优选使用在与后述的存取部106进行数据通信的情况下不易对周围的水、金属产生影响的电磁感应方式的RFID。
存取部106与埋设于刷141的RFID标签145之间进行数据通信。参照图4,说明该存取部106的结构。图4是表示第一实施方式的存取部106的结构的图。
如图4所示,存取部106包括:壳体161;配置于壳体161的内部的读写器162;和将读写器162与后述的控制装置5连接的通信电缆163。
读写器162从RFID标签145读出关于刷141的信息并经由通信电缆163将其发送到控制装置5。另外,读写器162将从控制装置5经由通信电缆163发送的信息写入RFID标签145。
在此,作为要写入RFID标签145的信息,例如有“使用压力”“使用时间”“使用压力和使用时间的相乘值”“使用装置”“使用模块”“已使用标志”等。
“使用压力”是表示刷141的使用压力的信息。“使用时间”是表示刷141的使用时间的信息。“使用压力和使用时间的相乘值”是将上述“使用时间”乘以上述“使用压力”而得到的值。例如在更换刷141时,将上述的信息写入RFID标签145,由此能够容易地掌握至更换为止的刷141的使用状况,有助于新的刷的开发和品质管理。
“使用装置”是用于识别使用刷141的基片处理装置1的信息。另外,“使用模块”是用于识别使用刷141的处理部18的信息。例如在更换刷141时,将上述的信息写入RFID标签145,由此能够容易地掌握是由哪个基片处理装置1的哪个处理部18使用的刷141。
“已使用标志”是表示刷141是是已使用过的刷的状态的信息。例如在更换刷141时,将“已使用标志”写入RFID标签145,由此例如能够防止已使用过的刷141被再次利用。另外,例如,在从已使用过的刷141取出RFID标签145,将取出的RFID标签145安装于仿品的刷的情况下,也能够防止该仿品的使用。
如上所述,存取部106的读写器162是从RFID标签145读出关于刷141的信息的信息读出部的一例。另外,读写器162也是对RFID标签145写入表示刷141是已使用过的刷的状态信息的信息写入部的一例。
在晶片W的附近进行对RFID标签145的信息的读出、写入时,存在晶片W受到电磁波的影响的可能性。另外,存取部106优选设置在处理液不直接接触的位置。因此,如图3所示,存取部106配置在刷141的待机位置。具体而言,存取部106配置在如下位置:在能够与RFID标签145通信的范围包括待机位置,且不包含保持于基片保持部102的晶片W的位置不包含在能够通信的范围的位置。
如图2所示,基片处理装置1还包括控制装置5。控制装置5控制基片处理装置1的动作。具体而言,输送装置13按照控制装置5的控制,从盒C将多个未处理的晶片W一并取出并收纳在交接部22。接着,输送装置17按照控制装置5的控制,将晶片W从交接部22取出并输送到处理部18。
接着,处理部18按照控制装置5的控制,对晶片W进行使用刷141的清洗处理。此处,说明清洗处理的工序的一例。
首先,处理部18使基片保持部102保持被输送装置17送入的晶片W的周缘部。另外,处理部18驱动驱动部124,由此使晶片W以规定的转速转动。
接着,处理部18驱动旋转升降机构144,使刷141从待机位置向处理位置移动。另外,处理部18使旋转升降机构144和未图示的转动机构驱动,从而使刷141转动,并且将转动的刷141以规定的按压力按压到晶片W。然后,处理部18驱动旋转升降机构144,由此使刷141从晶片W的中心向外周移动。此时,处理部18打开阀146,由此从刷141的中空部向晶片W供给处理液。由此,利用刷141除去附着于晶片W的颗粒等。之后,处理部18关闭阀146,使在未图示的转动机构停止后,驱动旋转升降机构144驱动使刷141向待机位置移动。
接着,处理部18控制旋转升降机构153,使之从喷嘴151的待机位置向处理位置移动后,打开阀156以从喷嘴151向晶片W供给冲洗液。由此,残存在晶片W上的处理液、颗粒等与冲洗液一同从晶片W被排出。然后,处理部18关闭阀156,驱动旋转升降机构153以使喷嘴151向待机位置移动。
接着,处理部18使由驱动部124进行的晶片W的转动加速,在使晶片W干燥后,使驱动部124停止。由此,由处理部18进行的清洗处理结束。
当清洗处理结束时,输送装置17按照控制装置5的控制,将处理结束的晶片W从处理部18取出并收纳在交接部22。然后,输送装置13按照控制装置5的控制,将多个处理结束的晶片W从交接部22一并取出并收纳在盒C。由此,由基片处理装置1进行的一系列基片处理结束。
接着,参照图5,说明控制装置5的具体的构成例。图5是表示第一实施方式的控制装置5的构成的框图。
控制装置5包括控制部51和存储部52。另外,控制部51包括信息获取部511、参数设定部512、认证处理部513、方案执行部514、使用状况获取部515和、剩余寿命计算部516、写入控制部517。存储部52存储刷的信息521、方案信息522和使用状况信息523。在此,控制装置5例如包括具有CPU(Central Processing Unit,中央处理器)、ROM(Read Only Memory,只读存储器)、RAM(Random Access Memory,随机存取存储器)、HDD(Hard Disk Drive,硬件驱动器)、输入输出端口等的计算机、各种电路。
计算机的CPU例如读出并执行存储于ROM的程序。由此,计算机的CPU作为控制部51的信息获取部511、参数设定部512、认证处理部513、方案执行部514、使用状况获取部515、剩余寿命计算部516和写入控制部517发挥作用。也可以为信息获取部511、参数设定部512、认证处理部513、方案执行部514、使用状况获取部515、剩余寿命计算部516和写入控制部517的至少之一或者全部由软件构成。硬件例如是ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit,专用集成电路)、FPGA(Field Programmable Gate Array,现场可编程门阵列)等。
另外,存储部52例如与RAM、HDD对应。RAM、HDD能够存储刷的信息521、方案信息522和使用状况信息523。此外,也可以为控制装置5经由利用有线或无线的网络连接的其他计算机、移动式存储介质而获取的上述的程序和各种信息。作为计算机可读取的存储介质,例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
信息获取部511经由通信电缆163获取由存取部106从RFID标签145读出的信息。另外,信息获取部511将获取的信息作为刷的信息521存储在存储部52。
例如,可以为信息获取部511在利用未图示的传感器检测到刷141安装于臂143的情况下,使存取部106读出来自RFID标签145的信息。由此,能够获取关于新安装的刷141的信息。此外,也可以为信息获取部511利用由用户对输入部108的输入操作来检测刷141安装于臂143的状况。
此处,参照图6,说明刷的信息521的内容。图6是表示刷的信息521的一例的图。
如图6所示,在刷的信息521中,关联地存储“刷的种类”、“序列号”、“部件编号”、“耐压”、“使用压力范围”、“寿命”和“认证代码”等。
例如,信息获取部511获取作为刷141的信息的刷的种类“D”、序列号“a4”、部件编号“b4”、耐压“c4”、使用压力范围“d4~e4”、寿命“f4”和认证代码“g5”。在该信息是新的信息的情况下,即作为刷的信息521未存储在存储部52的情况下,信息获取部511将获取的上述信息存储在存储部52。
由此,在将未在基片处理装置1注册的新的刷安装于臂143的情况下,能够使耐压、使用压力范围的信息自动地反映在处理部18的方案信息。因此,不需要用于在基片处理装置1注册新的刷的软件的版本升级等。
此外,也可以为控制部51进行在基片处理装置1的显示部107显示由信息获取部511获取的信息的处理。
参数设定部512使用由信息获取部511获取的信息来设定基片处理的参数。具体而言,参数设定部512使存储于存储部52的方案信息522反映由信息获取部511获取的关于刷141的信息。
方案信息522是表示对处理部18执行的处理的内容的信息、换言之规定晶片W的处理条件的信息。方案信息522包括基片处理中的各工序步骤的所需时间、晶片W的转速、刷141的位置(起点和终点)、使用压力范围和移动速度等参数。参数设定部512将由信息获取部511获取的信息之中、例如使用压力范围的值反映为方案信息522的使用压力范围的参数值。另外,也可以为参数设定部512将使用压力范围以外的信息例如耐压的信息等反映在方案信息522。
如上所述,使从RFID标签145读出的关于刷141的信息自动地反映在方案信息522,由此不需要由用户的手动输入进行的参数设定。因此,能够防止参数值的输入错误等。另外,能够节省用户手动输入参数值的工夫。
此外,也可以为参数设定部512在例如用户通过手动来改变使用压力范围的参数值的情况下,禁止超过耐压的参数值的输入,或者在显示部107显示所输入的参数值不适合的信息。
认证处理部513在由用户输入到输入部108的代码与由信息获取部511获取的认证代码一致的情况下,允许执行基片处理。
例如,认证处理部513在检测到刷141安装于臂143的情况下,使显示部107对用户显示要求输入认证代码的认证画面。当用户输入代码时,认证处理部513判断输入的代码与由信息获取部511获取的信息所包含的认证代码是否一致。然后,在两者一致的情况下,认证处理部513例如将允许标志存储在存储部52等,来允许执行基片处理。
如上所述,通过进行刷141的认证处理,能够提前防止将仿品的刷安装在臂143并使用该仿品。
方案执行部514基于方案信息522控制处理部18的各部,由此对处理部18执行基片处理。
方案执行部514在不由认证处理部513允许执行基片处理的情况下,即使在由用户指示了执行基片处理的情况下,也不执行基片处理。由此,能够防止使用仿品的刷。
使用状况获取部515获取包含刷141的使用压力和使用时间在内的使用状况。例如,在清洗部104设置有检测刷141的使用压力(对晶片W的按压力)的压力传感器109。使用状况获取部515从该压力传感器109获取刷141的使用压力,将获取的使用压力的经时变化作为使用状况信息523存储在存储部52。此外,也可以为使用状况获取部515基于方案信息522和基片处理的执行次数等来获取刷141的使用压力和使用时间。
另外,例如,也可以为在由使用压力和使用时间的相乘值表示刷141的寿命的情况下,使用状况获取部515求取使用压力和使用时间的相乘值作为使用状况信息523存储在存储部52。
另外,也可以为使用状况获取部515将作为其他使用状况的上述的“使用装置”“使用模块”“已使用标志”的信息作为使用状况信息523存储在存储部52。使用状况获取部515在例如执行了使用该刷141的最初的基片处理的情况下将上述的信息存储在存储部52。
剩余寿命计算部516基于由使用状况获取部515获取的刷141的使用状况和由信息获取部511获取的关于刷141的寿命的信息,计算刷141的剩余寿命。
例如,剩余寿命计算部516将作为使用状况信息523存储的“使用压力和使用时间的相乘值”的信息从存储部52取出,基于其与由信息获取部511获取的寿命之差来计算刷141的剩余寿命。上述的差越大刷141的剩余寿命越长,上述的差越小刷141的剩余寿命越短。
剩余寿命计算部516经常计算剩余寿命,在计算出的剩余寿命低于阈值的情况下,能够在显示部107显示催促刷141的更换的信息,或者向未图示的上位装置发送信息。
也可以为控制部51基于由多个处理部18使用的各刷141的剩余寿命,决定对多个处理部18的基片处理的分配,以使得多个处理部18间刷141的更换时间一致。例如,控制部51对剩余寿命长的处理部18分配比剩余寿命短的处理部18更多的基片处理,由此能够使上述的处理部18的更换时间一致。由此,能够有效地进行处理部18的更换。另外,定期维护的计划方案变得容易。
写入控制部517控制存取部106,将作为使用状况信息523的、存储于存储部52的各种信息写入RFID标签145。例如,写入控制部517可以在刷141移动到待机位置时,使存取部106将使用状况信息523写入RFID标签145。另外,也可以为写入控制部517在更换刷141时,使存取部106将使用状况信息523写入RFID标签145。
接着,参照图7,说明参数设定处理的一例。图7是表示参数设定处理的一例的流程图。此外,例如在检测到刷141安装于臂143的情况下执行参数设定处理。
如图7所示,控制部51首先判断是否由存取部106读取了关于刷141的信息(步骤S101)。
接着,在步骤S101中判断为读取了关于刷141的信息的情况下(步骤S101,是(Yes)),控制部51判断所安装的刷141是否是未使用的(步骤S102)。例如,控制部51在关于刷141的信息不包含“已使用标志”的情况下,判断为所安装的刷141是未使用的。
在步骤S102中,在判断为刷141是未使用的的情况下(步骤S102,是),控制部51判断是否能够认证刷141(步骤S103)。
例如,控制部51使显示部107显示从RFID标签145读出的刷的种类等信息,并且使显示部107显示确认催促刷141的更换作业是否完成的画面。另外,控制部51在由用户进行了表示刷141的更换作业完成的、对输入部108的输入操作的情况下,使显示部107显示催促认证代码的输入的画面。然后,控制部51在由用户输入到输入部108的代码与由信息获取部511获取的认证代码一致的情况下,判断为能够认证刷141。
在步骤S103中判断为能够认证刷141的情况下(步骤S103,是),控制部51例如在存储部52存储允许标志等,由此允许执行基片处理(步骤S104)。
然后,控制部51进行参数设定(步骤S105)。即,使由信息获取部511获取的关于刷141的信息反映在方案信息522。
另一方面,在步骤S101中,在没能读取关于刷141的信息的情况下(步骤S101,否(No)),控制部51例如将禁止标志存储在存储部52,禁止执行基片处理(步骤S106)。在存储有禁止标志的情况下,控制部51即使在由用户指示了执行基片处理的情况下,也不执行基片处理。由此,能够防止使用仿品的刷。
另外,在步骤S102中,在刷141不是未使用的的情况下(步骤S102,否),即在RFID标签145中写入有已使用的标志的情况下,控制部51也禁止执行基片处理(步骤S106)。由此,能够防止已使用过的刷141被再次利用。另外,例如,在从已使用过的刷141取出RFID标签145,将取出的RFID标签145安装于仿品的刷的情况下,也能够防止使用该仿品。
另外,在步骤S103中,在无法认证刷141的情况下(步骤S103,否),控制部51也禁止执行基片处理(步骤S106)。由此,能够防止不正当使用刷141等的情况。
在结束步骤S105或者步骤S106的处理时,控制部51结束参数设定处理。
但是,在上述的例子中,将存取部106的读写器162配置在待机位置,但是读写器162的配置不限于本例。参照图8和图9,说明读写器162的配置的变形例。图8是表示第一实施方式中的第一变形例的读写器162的配置的图。另外,图9是表示第一实施方式中的第二变形例的读写器162的配置的图。
如图8所示,读写器162也可以配置在清洗部104中的臂143的内部。此外,在RFID标签145的通信方式为电磁感应方式的情况下,通信距离比较短,因此优选在臂143内非常靠近刷141的部位配置读写器162。
另外,如图9所示,读写器162也可以配置在便携式的存取部106A的壳体161A内。在该情况下,能够将存取部106A配置在腔室101的外部,因此能够防止存取部106A的污损等。如上所述,读写器162并不一定必须设置在处理部18。
另外,在上述的例子中,将RFID标签145埋设在刷141中,但是RFID标签145不一定必须埋设在刷141中。例如,也可以在刷141的周面粘贴RFID标签145并利用树脂材料进行封装。
在上述的第一实施方式中,作为保持关于刷141的信息的信息保持部的一例,列举RFID标签145进行了说明,但是信息保持部不限于RFID标签145,例如也可以为条形码。条形码在读出信息时不利用电波,因此具有对其他设备的影响少的优点。
因此,在第二实施方式中,说明信息保持部为条形码的情况的例子。此外,在此,以一维条形码为例进行说明,但是不限于一维条形码,也可以为二维条形码。
图10是表示第二实施方式的清洗部和存取部的结构的一例的图。另外,图11和图12是表示第二实施方式的清洗部和存取部的结构的另一例的图,图13是表示第二实施方式的存取部的结构的另一例的图。
如图10所示,关于第二实施方式的清洗部104B,在刷141设置有条形码145B。条形码145B可以印在刷141的周面。在该情况下,优选由透明且具有耐药品性的保护部件保护印有条形码145B的刷141的周面。由此,能够抑制条形码145B的污损、劣化,此外作为保护部件优选使用例如FEP等氟树脂。
条形码145B设置于刷141,刷141相对于处理部18可拆装。因此,条形码145B相对于处理部18也可拆装。
存取部106B包括:壳体161B;配置于壳体161B的内部的条形码读出器162B(信息读出部的一例);和将条形码读出器162B与控制装置5连接的通信电缆163B。存取部106B例如配置在待机位置。
另外,如图11所示,也可以为存取部106C安装在清洗部104B的臂143,构成为能够与臂143一体地移动。
也可以为在该情况下,壳体161C例如包括:沿臂143在水平方向延伸的水平部分;和从水平部分的前端向下方延伸至刷141的高度位置的铅垂部分。而且,也可以为条形码读出器162B配置在壳体161C的铅垂部分的下部与条形码145B相对的位置。另外,也可以为通信电缆163B插入臂143的内部。
另外,图12如所示,条形码读出器162B也可以配置在便携式的存取部106D的壳体161D内。在该情况下,能够将存取部106D配置于腔室101的外部,因此能够防止存取部106D污损等。
另外,条形码145B在能够由存取部106B~106D读出的位置即可,也可以设置在刷141以外的部位。例如,如图13所示,条形码145B也可以设置在清洗部104B的臂143。在该情况下,考虑例如令印有条形码145B的密封件与刷141组成一组,将刷141安装在臂143,并且在能够由存取部106B~106D读出的位置粘贴条形码145B的密封件的方式。设置有条形码145B的位置优选为已知与刷141的对应关系的部位。从这样的观点出发,设置有条形码145B的位置至少为处理部18的任一场所,优选为能够由存取部106B~106D进行读出的位置,更优选为刷141的附近。
在第二实施方式中,信息获取部511在利用未图示的传感器检测到通过更换作业等将刷141安装到臂143的情况下,使存取部106B~106D读出来自条形码145B的信息的。然后,参数设定部512使用由信息获取部511获取的信息来设定基片处理的参数。由此,能够使耐压、使用压力范围的信息自动地反映在处理部18的方案信息。
信息保持部不限于RFID标签145和条形码145B。例如,信息保持部可以为旋转编码器的转动板。
因此,在第三实施方式中,参照图14~图16,说明信息保持部为旋转编码器的转动板的情况的例子。图14是表示第三实施方式的清洗部的结构的图。另外,图15是表示转动板的结构的一例的图。另外,图16是表示由旋转编码器检测的脉冲的占空比的一例的图。
如图14所示,清洗部104E具有用于检测刷141的转速的旋转编码器106E。旋转编码器106E具有转动板145E和传感器部162E(信息读出部的一例)。转动板145E可拆装地安装在轴142,与轴142一体地转动。
在转动板145E,沿周向以一定的间距配置有多个隙缝145E1(参照图15)。传感器部162E具有发光部和受光部,发光部和受光部夹着转动板145E相对配置。另外,在此,省略图示,但是在发光部与转动板145E之间,配置有具有与转动板145E相同间距的隙缝的固定隙缝板。
另外,清洗部104E具有用于使轴142转动的电机等驱动部110。驱动部110和轴142例如通过滑轮(pully)111、112和传送带113连接。旋转编码器106E、驱动部110、滑轮111、112和传送带113收纳在臂143(此处未图示)内。
旋转编码器106E从传感器部162E的发光部向受光部向照射光。此时,转动板145E随着轴142的转动而转动时,每转动1间距,受光部检测1个波形(脉冲)。控制部51对由受光部检测出的脉冲的数量进行计数,根据每单位时间的脉冲的计数来检测刷141的转速。
在第三实施方式中,在转动板145E形成的多个隙缝145E1根据特有的图案形成在各个刷141。具体而言,多个隙缝145E1的宽度形成为在多个刷141间不同。另一方面,多个隙缝145E1的间距形成为在多个刷141间相同。换言之,多个隙缝145E1的个数,即至转动板145E1次转动为止的期间检测出的脉冲的数量形成为在多个刷141间相同。
如上所述,多个隙缝145E1的宽度形成为在多个刷141间不同。因此,如图16所示,从传感器部162E输出的脉冲的占空比(τ/T)在各个刷141(此处为刷A~刷C)为固有的值。
在第三实施方式中,在存储部52中,例如存储除图6所示的刷的信息521的各项目之外还包括占空比的项目的刷的信息。另外,在第三实施方式中,控制部51的信息获取部511计算从传感器部162E输出的脉冲的占空比。然后,信息获取部511能够从存储部52获取与计算出的占空比有关的刷的种类、耐压等信息作为关于刷141的信息。
如上所述,实施方式的基片处理装置1包括处理部18、信息保持部(作为一例,RFID标签145、条形码145B和转动板145E)、信息获取部511。处理部18进行使用刷141的基片处理。信息保持部设置在处理部18,保持关于刷141的信息。信息获取部511获取从信息保持部读出的信息。
如上所述,实施方式的基片处理装置1获取从保持关于刷141的信息的信息保持部读出的信息,能够使参数管理、品质管理等刷141的管理变得容易。
另外,在实施方式的基片处理装置1中,信息保持部也可以为RFID标签145。作为信息保持部使用RFID标签145,由此不仅能够从RFID标签145读出信息,也能够对RFID标签145写入信息。另外,RFID标签145在埋设于部件的内部的状态下仍能够读出信息,因此使之难以收到处理液的影响这一特性变得容易。
另外,在实施方式的基片处理装置1中,信息保持部也可以为条形码145B。条形码145B在读出信息时不利用电波,因此具有对其他设备的影响少的优点。
另外,实施方式的基片处理装置1也可以具有从信息保持部读出关于刷141的信息的信息读出部(作为一例,读写器162、条形码读出器162B和传感器部162E)。另外,处理部18也可以具有支承刷141臂143,其能够使刷141在基片(作为一例,晶片W)的上方的处理位置与基片的外部的待机位置之间移动。另外,也可以为信息保持部设置在刷141或者臂143,信息读出部配置在待机位置。
由此,例如,在信息保持部为RFID标签145的情况下,从RFID标签145读出信息时,能够抑制晶片W受到电磁波的影响。另外,通过将信息读出部配置在待机位置,能够使处理液挂在信息读出部。
另外,在实施方式的基片处理装置1中,信息保持部也可以为安装于刷141的转动轴(作为一例,轴142)的旋转编码器106E的转动板145E。在该情况下,也可以为转动板145E具有以与刷141相应的图案排列于周向的多个隙缝145E1。
如上所述,在转动板145E设置以与刷141相应的图案排列于周向的多个隙缝145E1,由此例如能够利用由旋转编码器106E检测到的脉冲的占空比来识别刷141。
另外,实施方式的基片处理装置1也可以具有使用由信息获取部511获取的信息来设定基片处理的参数的参数设定部512。由此,例如,不需要由用户的手动输入进行参数设定,因此,能够防止参数值的输入错误等。另外,能够节省用户手动输入参数值的工夫。
另外,在实施方式的基片处理装置1中,也可以为关于刷141的信息包括关于刷141的寿命的信息。在该情况下,实施方式的基片处理装置1也可以包括使用状况获取部515和剩余寿命计算部516。使用状况获取部515获取包括刷141的使用压力和使用时间在内的使用状况。剩余寿命计算部516基于由使用状况获取部获取的使用状况和由信息获取部511获取的关于刷的寿命的信息,计算刷141的剩余寿命。
由此,例如能够预测更换刷141时间。另外,能够决定对多个处理部18的基片处理的分配,以使得在多个处理部18间更换刷141时间一致。
另外,在实施方式的基片处理装置1中,也可以为关于刷141的信息包括认证代码。在该情况下,实施方式的基片处理装置1也可以包括认证处理部513,其在由用户输入的代码与由信息获取部511获取的认证代码一致的情况下,允许执行基片处理。
由此,例如能够提前防止将仿品的刷安装在臂143并使用该仿品。
另外,实施方式的基片处理装置1也可以包括对信息保持部写入表示刷141是已使用过的刷的信息的信息写入部(作为一例,读写器162)。
由此,例如能够防止已使用过的刷141被再次利用。另外,例如,从已使用过的刷141取出RFID标签145,将取出的RFID标签145安装于仿品的刷的情况下,也能够防止使用该仿品。
本发明的实施方式在所有的方面均是例示,不应认为是限制。实际上,上述的实施方式能够具现为各种方式。另外,上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下,可以以各种方式省略、置换、改变。

Claims (5)

1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:
进行使用刷的基片处理的处理部;
信息保持部,其设置在所述处理部,并保持关于所述刷的信息;和
信息获取部,其获取从所述信息保持部读出的所述信息,
所述信息保持部是RFID标签或者条形码,
所述基片处理装置包括从所述信息保持部读出所述信息的信息读出部,
所述处理部包括臂,所述臂支承所述刷,并能使所述刷在基片的上方的处理位置与所述基片的外部的待机位置之间移动,
所述信息保持部设置在所述刷或者所述臂,
所述信息读出部配置在所述待机位置。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
包括参数设定部,其使用由所述信息获取部获取的所述信息来设定所述基片处理的参数。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述信息包含关于所述刷的寿命的信息,
所述基片处理装置包括:
使用状况获取部,其获取包括所述刷的使用压力和使用时间在内的使用状况;和
剩余寿命计算部,其基于由所述使用状况获取部获取的所述使用状况和由所述信息获取部获取的关于所述刷的寿命的信息,计算所述刷的剩余寿命。
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述信息包括认证代码,
所述基片处理装置包括认证处理部,其在由用户输入的代码与由所述信息获取部获取的所述认证代码一致的情况下,允许执行所述基片处理。
5.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
包括信息写入部,其对所述信息保持部写入表示所述刷是已使用过的刷的信息。
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Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006001279A1 (ja) * 2004-06-25 2006-01-05 Shinko Electric Co., Ltd. Icチップ実装体の製造装置
CN101064320A (zh) * 2006-04-28 2007-10-31 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP2008310404A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Nikon Corp 研磨装置
JP2009542449A (ja) * 2006-06-28 2009-12-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 研磨物品、cmpモニタリングシステム及び方法
CN101687228A (zh) * 2007-04-27 2010-03-31 佳益私人有限公司 清洁方法及装置
DE102009022299A1 (de) * 2008-05-26 2010-05-27 Technische Universität Chemnitz Verfahren und Vorrichtung zur Applikation von RFID-Chips
CN102640253A (zh) * 2010-10-04 2012-08-15 晟碟半导体(上海)有限公司 分立组件后向可追溯性和半导体装置前向可追溯性
CN102800552A (zh) * 2009-03-05 2012-11-28 东京毅力科创株式会社 基板处理方法
JP2014024152A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
CN103901079A (zh) * 2013-12-20 2014-07-02 杭州世佳电子有限公司 具有代码信息的试纸及其制造方法
JP2015128087A (ja) * 2013-12-27 2015-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
FR3027139A1 (fr) * 2014-10-13 2016-04-15 Solystic Installation pour l'identification de colis manutentionnes
WO2017123834A1 (en) * 2016-01-14 2017-07-20 3M Innovative Properties Company Cmp pad conditioner, pad conditioning system and method
CN107275253A (zh) * 2016-03-30 2017-10-20 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、液处理方法以及存储介质
CN107818927A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005228961A (ja) 2004-02-13 2005-08-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
JP4757882B2 (ja) * 2006-01-10 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体
US10149135B1 (en) 2017-05-30 2018-12-04 Illinois Tool Works Inc. Methods and apparatuses for wireless communication with a brush

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006001279A1 (ja) * 2004-06-25 2006-01-05 Shinko Electric Co., Ltd. Icチップ実装体の製造装置
CN101064320A (zh) * 2006-04-28 2007-10-31 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP2009542449A (ja) * 2006-06-28 2009-12-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 研磨物品、cmpモニタリングシステム及び方法
CN101687228A (zh) * 2007-04-27 2010-03-31 佳益私人有限公司 清洁方法及装置
JP2008310404A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Nikon Corp 研磨装置
DE102009022299A1 (de) * 2008-05-26 2010-05-27 Technische Universität Chemnitz Verfahren und Vorrichtung zur Applikation von RFID-Chips
CN102800552A (zh) * 2009-03-05 2012-11-28 东京毅力科创株式会社 基板处理方法
CN102640253A (zh) * 2010-10-04 2012-08-15 晟碟半导体(上海)有限公司 分立组件后向可追溯性和半导体装置前向可追溯性
JP2014024152A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
CN103901079A (zh) * 2013-12-20 2014-07-02 杭州世佳电子有限公司 具有代码信息的试纸及其制造方法
JP2015128087A (ja) * 2013-12-27 2015-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
FR3027139A1 (fr) * 2014-10-13 2016-04-15 Solystic Installation pour l'identification de colis manutentionnes
WO2017123834A1 (en) * 2016-01-14 2017-07-20 3M Innovative Properties Company Cmp pad conditioner, pad conditioning system and method
CN107275253A (zh) * 2016-03-30 2017-10-20 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、液处理方法以及存储介质
CN107818927A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法

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