CN110323166B - 一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具及使用方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体器件的封装技术领域，本发明公开了一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具，包括烧结模具底板、烧结模具盖板、框架、框架定位销及盖板定位销，所述烧结模具底板上安装有框架定位销用于框架定位，所述烧结模具盖板中间设置有烧结应力释放槽，所述烧结模具盖板上开有芯片、定位槽，所述烧结模具盖板与烧结模具底板通过盖板定位销连接。本发明结构简单，使用方便，能很好解决由于烧结模具与框架之间膨胀系数不匹配造成的产品失效，大大提高了烧结产品尤其是汽车用二极管产品的可靠性，带来了很好的经济效益及社会效益。

Description

一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具及使用方法
技术领域
本发明涉及半导体器件的封装技术领域，具体为一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具及使用方法。
背景技术
中国汽车工业发展迅速，作为汽车核心零部件配套行业——汽车二极管行业及其制造技术也已迎来快速发展的大好时机。但是在烧结过程中，框架会因受热膨胀带动模具挤压芯片，造成芯片受到应力并对产品性能造成影响。在这个问题上，一般厂家都采取了减短框架长度的方法，但这种方法会导致生产效率的降低。因此，需要提供一种新的技术方案来解决上述技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具及使用方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具，包括烧结模具底板、烧结模具盖板、框架、框架定位销及盖板定位销，所述烧结模具底板上安装有框架定位销用于框架定位，所述烧结模具盖板中间设置有烧结应力释放槽，所述烧结模具盖板上开有芯片、定位槽，所述烧结模具盖板与烧结模具底板通过盖板定位销连接。
优选的，所述框架受热膨胀，框架受高温延展出的长度l=1/2框架长×1.76×10^- 5m/℃×烧结温度，框架受高温延展出的长度l为框架高温延展部分。
优选的，所述烧结模具盖板由一整块盖板在所有加工尺寸完成后将中间部分面积去除后一分为二得到应力消除槽。
优选的，所述盖板定位销与模具匹配公差为1/2框架长度在烧结最高温度所膨胀增加长度。
优选的，所述定位槽中依次设置有第一层焊膏、芯片和第二层焊膏。
优选的，所述第二次焊膏上放置CLIP 。
优选的，所述盖板定位销及框架定位销均采用模具钢制造。
优选的，所述烧结模具底板和烧结模具盖板的材料采用电子石墨。
一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具使用方法，包括以下步骤，
S1、将框架5对准烧结底板1上的框架定位销2位置放置好；
S2、将盖板定位销4插入烧结盖板3的定位销孔中；
S3、在框架5上放置好装有盖板定位销4的烧结盖板3，此时烧结底板、框架、烧结盖板及盖板定位销装配在一块；
S4、将一分为二的两个烧结模具盖板3往模具2头拨，使模具盖板的烧结应力释放槽间隙最大；
S5、在定位槽6中依次放入第一层焊膏7、芯片8、第二层焊膏9；
S6、在第二次焊膏9上放置CLIP 10；
S7、将装填好零件的模具放入烧结炉内进炉烧结。
本发明提出一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具，有益效果是：
1、模具材料采用电子石墨，可以保证在烧结过程中良好的传热，另外，因为石墨的膨胀系数很小（2.4×10-4），所以在烧结后的冷却过程中不会因为模具收缩而损伤二极管芯片；
2、本发明的盖板定位销及框架定位销采用模具钢制造，耐温、耐磨，有很好的使用寿命；
3、为了减少产品在装配及烧结过程中受到模具与框架匹配应力，采用一体加工后切割的方式，即先将烧结盖板进行整块制作，在完成所有加工尺寸后，在烧结盖板中心线位置取一定宽度的槽（槽宽设置不小于框架在最高烧结温度得到的膨胀量），将烧结盖板一分为二得到烧结应力释放槽；
4、为了减少产品在装配及烧结过程中受到模具与框架匹配应力，盖板定位销与模具匹配公差不小于1/2框架长度在烧结最高温度所膨胀增加长度，保证烧结工程中框架膨胀所带动芯片；
5 、模具采取了分裂式盖板，缩短盖板的长度，减少烧结过程中框架热胀冷缩对芯片产生的应力；
6、结构简单，使用方便，能很好解决由于烧结模具与框架之间膨胀系数不匹配造成的产品失效，大大提高了烧结产品尤其是汽车用二极管产品的可靠性，带来了很好的经济效益及社会效益。
附图说明
图1为本发明烧结底板的结构示意图；
图2为本发明烧结盖板的结构示意图；
图3为本发明组装后的零件示意图；
图4为本发明模具-产品装配完成的示意图；
图5为本发明模具-产品高温状态的示意图；
图6为本发明模具-产品出炉冷却状态的示意图。
图中：1、烧结模具底板，2、框架定位销，3、烧结模具盖板，4、盖板定位销，5、框架，6、定位槽，7、第一层焊膏，8、芯片，9、第二层焊膏，10、CLIP，11、框架高温延展部分，12、烧结应力释放槽。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-2，本发明提供一种技术方案：一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具，包括烧结模具底板1、烧结模具盖板3、框架5、框架定位销2及盖板定位销4，所述烧结模具底板1上安装有框架定位销2用于框架5定位，所述烧结模具盖板3中间设置有烧结应力释放槽12，所述烧结模具盖板3上开有芯片8、定位槽6，所述烧结模具盖板3与烧结模具底板1通过盖板定位销4连接。
如图2所示，烧结模具盖板3由一整块盖板在所有加工尺寸完成后将中间部分面积去除后一分为二得到烧结应力释放槽；
如图3所示，框架5及烧结模具盖板3的宽度方向由烧结模具底板1的定位槽6固定；
如图4所示，在初始装配过程，将一分为二的两个烧结模具盖板3往模具2头拨，使模具烧结应力释放槽间隙最大，盖板定位销4与模具匹配公差不小于1/2框架5长度在烧结最高温度所膨胀增加长度；
如图5所示，在烧结过程中框架在高温状态，框架5受热膨胀，由中间定位位置往2头延展，由此带动框架上的芯片、CLIP及盖板由中间往2边移动，框架高温延展部分11阴影部分为框架高温延展出的长度l=1/2框架长×1.76×10^-5m/℃×烧结温度；
如图6所示，模具-产品冷却出炉后，由于框架5冷却收宿，以此带动已经与框架5焊接完成的芯片、CLIP10往中间移动，而烧结模具盖板3中间设置有烧结应力释放槽12，盖板定位销4也留有足够间隙，烧结模具盖板3随着芯片8、CLIP10往中间移动，避免了传统模具结构由于热膨胀而带给芯片、CLIP的应力，提高了产品的可靠性。
模具材料采用电子石墨，可以保证在烧结过程中良好的导热；模具的通透性能好，可以便于真空的抽取和焊膏中助焊剂的排除，因为石墨的膨胀系数很小（石墨膨胀系数2.4×10-4），所以在烧结后的冷却过程中不会因为模具收缩而损伤二极管芯片，模具采取了分裂式盖板，缩短盖板的长度，同时设置有烧结应力释放槽12，减少烧结过程中框架热胀冷缩对芯片产生的应力，盖板定位销4及框架定位销2采用模具钢制造，耐温、耐磨，有很好的使用寿命。
一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具使用方法，包括以下步骤，
S1、将框架5对准烧结底板1上的框架定位销2位置放置好；
S2、将盖板定位销4插入烧结盖板3的定位销孔中；
S3、在框架5上放置好装有盖板定位销4的烧结盖板3，此时烧结底板、框架、烧结盖板及盖板定位销装配在一块；
S4、将一分为二的2个盖板往模具2头拨，使模具盖板的烧结应力释放槽间隙最大；
S5、在定位槽6中依次放入第一层焊膏7、芯片8、第二层焊膏9；
S6、在第二次焊膏9上放置CLIP 10；
S7、将装填好零件的模具放入烧结炉内进炉烧结。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具，其特征在于：包括烧结模具底板（1）、烧结模具盖板（3）、框架（5）、框架定位销（2）及盖板定位销（4），所述烧结模具底板（1）上安装有框架定位销（2）用于框架（5）定位，所述烧结模具盖板（3）中间设置有烧结应力释放槽（12），所述烧结模具盖板（3）上开有芯片（8）、定位槽（6），所述烧结模具盖板（3）与烧结模具底板（1）通过盖板定位销（4）连接；
所述框架（5）受热膨胀，框架（5）受高温延展出的长度l=1/2框架长×1.76×10^-5m/℃×烧结温度，框架（5）受高温延展出的长度l为框架高温延展部分（11）；
所述烧结模具盖板（3）由一整块盖板在所有加工尺寸完成后将中间部分面积去除后一分为二得到应力消除槽，应力消除槽的槽宽设置不小于框架（5）在最高烧结温度得到的膨胀量；
所述盖板定位销（4）与模具匹配公差为1/2框架长度在烧结最高温度所膨胀增加长度。
2.根据权利要求1所述的一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具，其特征在于：所述定位槽（6）中依次设置有第一层焊膏（7）、芯片（8）和第二层焊膏（9）。
3.根据权利要求2所述的一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具，其特征在于：所述第二层焊膏（9）上放置CLIP （10）。
4.根据权利要求3所述的一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具，其特征在于：所述盖板定位销（4）及框架定位销（2）均采用模具钢制造。
5.根据权利要求4所述的一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具，其特征在于：所述烧结模具底板（1）和烧结模具盖板（3）的材料采用电子石墨。
6.根据权利要求5所述的一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具使用方法，其特征在于：包括以下步骤，
S1、将框架（5）对准烧结底板（1）上的框架定位销（2）位置放置好；
S2、将盖板定位销（4）插入烧结模具盖板（3）的定位销孔中；
S3、在框架（5）上放置好装有盖板定位销（4）的烧结模具盖板（3），此时烧结底板（1）、框架（5）、烧结模具盖板（3）及盖板定位销（4）装配在一块；
S4、将一分为二的两个烧结模具盖板（3）往模具头拨，使烧结模具盖板（3）的烧结应力释放槽间隙最大；
S5、在定位槽（6）中依次放入第一层焊膏（7）、芯片（8）、第二层焊膏（9）；
S6、在第二层焊膏（9）上放置CLIP（10）；
S7、将装填好零件的模具放入烧结炉内进炉烧结。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60254648A (ja) * 1984-05-30 1985-12-16 Hitachi Chem Co Ltd プラスチツク封止型半導体装置
JP2004063899A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Hitachi Cable Ltd 放熱体、放熱体形成用金型、及び放熱体の製造方法
CN101244476A (zh) * 2008-03-27 2008-08-20 徐州奥尼克电气有限公司 汽车整流管反烧真空烧结技术
JP2010185716A (ja) * 2009-02-10 2010-08-26 Murata Mfg Co Ltd 角速度センサモジュール
CN101913046A (zh) * 2010-05-21 2010-12-15 苏州固锝电子股份有限公司 一种用于二极管焊接的焊接装置
CN102290353A (zh) * 2011-07-05 2011-12-21 启东市捷捷微电子有限公司 一种可控硅芯片与钼片的烧结模具及其使用方法
KR20120113970A (ko) * 2011-04-06 2012-10-16 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템 및 그에 사용되는 트레이
CN105108417A (zh) * 2015-09-17 2015-12-02 贵州雅光电子科技股份有限公司 一种二极管烧焊模具及其使用方法
CN204913167U (zh) * 2015-09-17 2015-12-30 贵州雅光电子科技股份有限公司 一种二极管烧焊模具
WO2019053256A1 (en) * 2017-09-15 2019-03-21 Finar Module Sagl PACKAGING METHOD AND ASSEMBLY TECHNOLOGY FOR AN ELECTRONIC DEVICE
CN210182349U (zh) * 2019-08-03 2020-03-24 捷捷半导体有限公司 一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8399997B2 (en) * 2011-06-10 2013-03-19 Shanghai Kalhong Electronic Company Limited Power package including multiple semiconductor devices

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60254648A (ja) * 1984-05-30 1985-12-16 Hitachi Chem Co Ltd プラスチツク封止型半導体装置
JP2004063899A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Hitachi Cable Ltd 放熱体、放熱体形成用金型、及び放熱体の製造方法
CN101244476A (zh) * 2008-03-27 2008-08-20 徐州奥尼克电气有限公司 汽车整流管反烧真空烧结技术
JP2010185716A (ja) * 2009-02-10 2010-08-26 Murata Mfg Co Ltd 角速度センサモジュール
CN101913046A (zh) * 2010-05-21 2010-12-15 苏州固锝电子股份有限公司 一种用于二极管焊接的焊接装置
KR20120113970A (ko) * 2011-04-06 2012-10-16 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템 및 그에 사용되는 트레이
CN102290353A (zh) * 2011-07-05 2011-12-21 启东市捷捷微电子有限公司 一种可控硅芯片与钼片的烧结模具及其使用方法
CN105108417A (zh) * 2015-09-17 2015-12-02 贵州雅光电子科技股份有限公司 一种二极管烧焊模具及其使用方法
CN204913167U (zh) * 2015-09-17 2015-12-30 贵州雅光电子科技股份有限公司 一种二极管烧焊模具
WO2019053256A1 (en) * 2017-09-15 2019-03-21 Finar Module Sagl PACKAGING METHOD AND ASSEMBLY TECHNOLOGY FOR AN ELECTRONIC DEVICE
CN210182349U (zh) * 2019-08-03 2020-03-24 捷捷半导体有限公司 一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具

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