JPS60254648A - プラスチツク封止型半導体装置 - Google Patents
プラスチツク封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS60254648A JPS60254648A JP10998984A JP10998984A JPS60254648A JP S60254648 A JPS60254648 A JP S60254648A JP 10998984 A JP10998984 A JP 10998984A JP 10998984 A JP10998984 A JP 10998984A JP S60254648 A JPS60254648 A JP S60254648A
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- JP
- Japan
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- frame
- island
- semiconductor device
- holes
- metallic frame
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔題業上の利用分野〕
本発明はグラスナック封止型半導体装置に関する。
さらに詳しくは直接午導悴素子を金I!47レームに固
定する部分(アイランド)の形状に胸するものである。
定する部分(アイランド)の形状に胸するものである。
通常トランジスタ,IC% LSIなどの牛導体素子は
,7レームのアイランド上に金メッキをしてシリコン〜
金との共晶で接着固定するか銀ペーストと呼ばnるエポ
キシ樹脂を主成分とする接着剤固定するかもしくはポリ
イミド4l1 hIrを主成分とする接着剤でa!i1
足するかの6逼りで行なわれている@アイランドのサイ
ズは、搭載する索子サイズL9も若干入きめの通常0.
5〜[l5叩程度の余裕をもった大きさとなっているO
ICパッケージの断面図を第2図に、金If4フレーム
の概略−をM4S図に示す〇 第2図、第5図において1はアイランド、2は牛4停累
子、3は金蔵、4はリードビン、5は封止材料である。
,7レームのアイランド上に金メッキをしてシリコン〜
金との共晶で接着固定するか銀ペーストと呼ばnるエポ
キシ樹脂を主成分とする接着剤固定するかもしくはポリ
イミド4l1 hIrを主成分とする接着剤でa!i1
足するかの6逼りで行なわれている@アイランドのサイ
ズは、搭載する索子サイズL9も若干入きめの通常0.
5〜[l5叩程度の余裕をもった大きさとなっているO
ICパッケージの断面図を第2図に、金If4フレーム
の概略−をM4S図に示す〇 第2図、第5図において1はアイランド、2は牛4停累
子、3は金蔵、4はリードビン、5は封止材料である。
そして1の部分[金メッキをするかもしくは接着剤を塗
布して素子を固定するわけである。
布して素子を固定するわけである。
プラスチック封止さrtたICの信頼性試験は、破近l
tます鰍しくなり#I4熱爾隼性、劇牛出耐湿性などユ
ーザーからのレベルアップの安来が強1っている0しか
もパッケージ形状は博型小型化して↓・り、物性同上r
c ta、=しい傾向にある。
tます鰍しくなり#I4熱爾隼性、劇牛出耐湿性などユ
ーザーからのレベルアップの安来が強1っている0しか
もパッケージ形状は博型小型化して↓・り、物性同上r
c ta、=しい傾向にある。
(発明CMl的〕
本発明は素子を搭載するアイランドを工夫とすることに
Lり耐#l備筆性、耐直性の同上紫図ることを目的とす
る。
Lり耐#l備筆性、耐直性の同上紫図ることを目的とす
る。
不発明は千4俸索子を金属フレームに搭載して封止用成
形材料で成形するプラスチック封止型子4体装置におい
て、牛尋悸素子を金属フレームに固定する部分(アイラ
ンド)の金属フレームに穴tりけたフレーム勿用いたこ
と’(f−%徴とする。
形材料で成形するプラスチック封止型子4体装置におい
て、牛尋悸素子を金属フレームに固定する部分(アイラ
ンド)の金属フレームに穴tりけたフレーム勿用いたこ
と’(f−%徴とする。
耐熱働撃性試験、耐湿性試験による不良品を詳細にナエ
ックし7c結釆、1ずクラックの発生は素子搭載側では
なくてアイランド側に起こっていることがわかった。こ
の理由は、封止する材料と金属(フレーム)(J機盾刀
の力が索子と材料の接着力Lr)も小さいため、七の結
果ヒートサイクルによって劣化し弱いアイランド11!
iに剥離葡生じてり2ツクとなるためである01だ高如
嶋湿下に長時間暴露さt″L罠暮台も上記と1hノ独に
接着力の舞い部分もしくは剥嘔した部分V(水分が縦果
し、その結果材料中の不純vlJ幽度2hiJs的に嶋
めて不良の原因となることかわかっ’fc、。
ックし7c結釆、1ずクラックの発生は素子搭載側では
なくてアイランド側に起こっていることがわかった。こ
の理由は、封止する材料と金属(フレーム)(J機盾刀
の力が索子と材料の接着力Lr)も小さいため、七の結
果ヒートサイクルによって劣化し弱いアイランド11!
iに剥離葡生じてり2ツクとなるためである01だ高如
嶋湿下に長時間暴露さt″L罠暮台も上記と1hノ独に
接着力の舞い部分もしくは剥嘔した部分V(水分が縦果
し、その結果材料中の不純vlJ幽度2hiJs的に嶋
めて不良の原因となることかわかっ’fc、。
本発明によf′Lは、貝通し友人を・設けることi/(
1−エフ、封止する材料と金属フレームの熱膨加保数の
差によって発生する応力t1 この人によって小姑(分
取さぞるCとができる。発生する応力は従来フレームの
姻会アイランドのコーナ部に集中するが、本発明に工2
1.はアイランドに設けた八に光横した材料がフックの
役目tは罠しその結果応力のコーナ部への集中ヶ避ける
ことができる。プラスチック封止によって発生する全応
力値は笈化し11/′Iか、局所に集中することがない
ため接着力が小さい場合でもアイランドと材料の剥瀦を
抑えることがでさる〇 本発明に採用する穴は、数において@定はないが、穴径
については@伜Q、 3 IIItn以上か望ましい。
1−エフ、封止する材料と金属フレームの熱膨加保数の
差によって発生する応力t1 この人によって小姑(分
取さぞるCとができる。発生する応力は従来フレームの
姻会アイランドのコーナ部に集中するが、本発明に工2
1.はアイランドに設けた八に光横した材料がフックの
役目tは罠しその結果応力のコーナ部への集中ヶ避ける
ことができる。プラスチック封止によって発生する全応
力値は笈化し11/′Iか、局所に集中することがない
ため接着力が小さい場合でもアイランドと材料の剥瀦を
抑えることがでさる〇 本発明に採用する穴は、数において@定はないが、穴径
については@伜Q、 3 IIItn以上か望ましい。
この理由は直径Q、 5 mm未満では強度が不十分で
収縮、膨張時のくり返しの@会、人の根元で折nてしま
つ恐f′Lがあるからである。穴の数と位置については
砿は4ヶ以上あることか望1しく、位fft%アイラン
ドのコーナからコーナの対角縁上に位置することが望ま
しい。距離は対角線の父点とコーナからの距離の1/2
エクもコーナ餉にあった力が望ましい。
収縮、膨張時のくり返しの@会、人の根元で折nてしま
つ恐f′Lがあるからである。穴の数と位置については
砿は4ヶ以上あることか望1しく、位fft%アイラン
ドのコーナからコーナの対角縁上に位置することが望ま
しい。距離は対角線の父点とコーナからの距離の1/2
エクもコーナ餉にあった力が望ましい。
以下実施例に従って本発明の効未葡d発明するが、本発
明を何ら制限するものではない0〔実施?1j1) 第4図は用いるアイランド部の形状を示す平面図である
0図のLうIL金メッキしたアイランド部にコーナから
中心に向かってj、 5 mmの位置に■径1 mra
の入6を4グ辺L!111.5 ff1m11Mn7j
位ii[c2ヶ八tあけた16ビンD I P (Du
alInline Package ) フv−ムfr
hmし、このツー−■■■−1■■−−■− レームt350“CQ)熱板VCふいて素子と共晶を作
って接層した0用いたフレーム(1)@寅は4270イ
で?〉る。この系子恰載フレーム?用いて、エポキシ倒
脂成形材桝(日立化成製CEL−F−7078に−1)
で成形して試験サンプルAr作成した。サンプルAの即
「面図盆第4図r(ボす。成形栄件は金型飴変180℃
、映化時−190秒で行ない、アフタギュア朱汗は17
5℃、5時間を採用した。同時比軟として、前述した7
レ一ム′?r人めけぜずに索子を搭載して同条杆でu4
形し、凡戦サンプルB勿作成した。耐熱衝撃試験による
サンプルA、Hの結果全表1にボすO 表 1 表中の分母は試験総数、分子は党生不艮数を示す。
明を何ら制限するものではない0〔実施?1j1) 第4図は用いるアイランド部の形状を示す平面図である
0図のLうIL金メッキしたアイランド部にコーナから
中心に向かってj、 5 mmの位置に■径1 mra
の入6を4グ辺L!111.5 ff1m11Mn7j
位ii[c2ヶ八tあけた16ビンD I P (Du
alInline Package ) フv−ムfr
hmし、このツー−■■■−1■■−−■− レームt350“CQ)熱板VCふいて素子と共晶を作
って接層した0用いたフレーム(1)@寅は4270イ
で?〉る。この系子恰載フレーム?用いて、エポキシ倒
脂成形材桝(日立化成製CEL−F−7078に−1)
で成形して試験サンプルAr作成した。サンプルAの即
「面図盆第4図r(ボす。成形栄件は金型飴変180℃
、映化時−190秒で行ない、アフタギュア朱汗は17
5℃、5時間を採用した。同時比軟として、前述した7
レ一ム′?r人めけぜずに索子を搭載して同条杆でu4
形し、凡戦サンプルB勿作成した。耐熱衝撃試験による
サンプルA、Hの結果全表1にボすO 表 1 表中の分母は試験総数、分子は党生不艮数を示す。
耐熱衝撃性試練は欣悴鼠累(−196℃〕とシリコーン
オイル(150℃)葡用い各2分間役漬し、途中の呈崗
放置は行なわなかった。
オイル(150℃)葡用い各2分間役漬し、途中の呈崗
放置は行なわなかった。
衣1の結果エリ本発明による効果が大きいことがわかる
。
。
作成し1ζサンプルA、Bi月いてこnら全耐湿性試j
li12Kかけた結果′f第5凶に示す。谷サンプルは
260℃の半田浴K 2.0秒1目〕浸漬し、その俊2
気圧、121℃の水盛気中に放直し、系子上の回路断憇
で1占頼性勿ナエツクし友。第5図よV耐磯性試厭に対
しても効釆のあることがわかる。
li12Kかけた結果′f第5凶に示す。谷サンプルは
260℃の半田浴K 2.0秒1目〕浸漬し、その俊2
気圧、121℃の水盛気中に放直し、系子上の回路断憇
で1占頼性勿ナエツクし友。第5図よV耐磯性試厭に対
しても効釆のあることがわかる。
〔実施例2〕
第6丙は用いるアイランドの平面図で図に示したように
戴メッヤしたアイランドSにコーナから対角線の中心に
向かって1.7 mruQ位[に直径1.2 mmφθ
八を4ケ、対角線の中心に1ケ計5りあけ友54ビンF
P (Flat Package ) 7レームを作
成し、このフレームを660℃の熱板上において素子紫
金〜シリコン共晶で接層した。用い罠フレームの材質は
4270イである。
戴メッヤしたアイランドSにコーナから対角線の中心に
向かって1.7 mruQ位[に直径1.2 mmφθ
八を4ケ、対角線の中心に1ケ計5りあけ友54ビンF
P (Flat Package ) 7レームを作
成し、このフレームを660℃の熱板上において素子紫
金〜シリコン共晶で接層した。用い罠フレームの材質は
4270イである。
同時比較として、八tあけないフレームに素子を雀〜シ
リコン共晶で接層した。こnらフレーム忙用いて実21
1!8?li1と同様に封止用成形材料C!!、L−F
−7078に−1で、成形してサンプルC,D(比較サ
ンプル)ケ作成した0サンプルC,Dの幻熱資単性の結
果を表2に示す。
リコン共晶で接層した。こnらフレーム忙用いて実21
1!8?li1と同様に封止用成形材料C!!、L−F
−7078に−1で、成形してサンプルC,D(比較サ
ンプル)ケ作成した0サンプルC,Dの幻熱資単性の結
果を表2に示す。
本発131]tcよる効釆の人きいこと:かわかる。
表 2
〔発明の幼果〕
本発明により釦熱衝撃註、剛併性に彼Iしたプラスナッ
ク對止型午専坏装置が侍らnlこ0
ク對止型午専坏装置が侍らnlこ0
第1図は夾り例1で用いたアイランド匍の平面図、尿2
図はプラスチックICのfJT面図、第6図ISL索子
ケ搭載し1こリードフレームの千囲図、第4図は実施例
1で作成したゲラステック封止ICの断面図、第5図は
耐湿性試緩箱米忙示すグラフ、第6図tri火り例2で
用ににアイランドの平面図である。 符号の説明 1 アイランド 2 半導俸素子 6 金脈 4 リードビン 5 到止剃科 6 アイランド匍(lこあけに穴第4図 第5図 放置時間(毘) 第6図
図はプラスチックICのfJT面図、第6図ISL索子
ケ搭載し1こリードフレームの千囲図、第4図は実施例
1で作成したゲラステック封止ICの断面図、第5図は
耐湿性試緩箱米忙示すグラフ、第6図tri火り例2で
用ににアイランドの平面図である。 符号の説明 1 アイランド 2 半導俸素子 6 金脈 4 リードビン 5 到止剃科 6 アイランド匍(lこあけに穴第4図 第5図 放置時間(毘) 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 牛尋俸素子を金庫フV−ムに搭載して封止用成形
材料で成形するグラスナック封止型半導体装置において
、金属フレームにへ會あけ1ζフレームを用いたことを
特徴とする半導体装置。 2、金執フレームの穴の直径がQ、 3 mm以上であ
ることを特徴とする特許請求範曲第1項記載−すの対角
線上[4ケ以上あること全特徴とする特許請求の範囲第
1項又は第2項記載の半導体装置。 4、金属フレームの人の索子を搭載する面のコ☆ −すからコーナ対角線の父点とコーナからの短離の/2
Lt)もコーナーにあることt特徴とする轡許請求#L
囲第3項記載の半導体装置〇
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10998984A JPS60254648A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | プラスチツク封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10998984A JPS60254648A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | プラスチツク封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60254648A true JPS60254648A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14524262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10998984A Pending JPS60254648A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | プラスチツク封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60254648A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01278757A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-09 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム |
JP2008300587A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN110323166A (zh) * | 2019-08-03 | 2019-10-11 | 捷捷半导体有限公司 | 一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具及使用方法 |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP10998984A patent/JPS60254648A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01278757A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-09 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム |
JP2008300587A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN110323166A (zh) * | 2019-08-03 | 2019-10-11 | 捷捷半导体有限公司 | 一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具及使用方法 |
CN110323166B (zh) * | 2019-08-03 | 2024-04-30 | 捷捷半导体有限公司 | 一种带有应力释放槽的汽车二极管用烧结模具及使用方法 |
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