CN110291594A - 闪烁体模块、闪烁体传感器单元和闪烁体模块的制造方法 - Google Patents

闪烁体模块、闪烁体传感器单元和闪烁体模块的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110291594A
CN110291594A CN201780086351.0A CN201780086351A CN110291594A CN 110291594 A CN110291594 A CN 110291594A CN 201780086351 A CN201780086351 A CN 201780086351A CN 110291594 A CN110291594 A CN 110291594A
Authority
CN
China
Prior art keywords
scintillator
resin
optical fibre
face plate
fibre face
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201780086351.0A
Other languages
English (en)
Inventor
国本文亨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yasu Medical Imaging Technology Co Ltd
Original Assignee
Yasu Medical Imaging Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yasu Medical Imaging Technology Co Ltd filed Critical Yasu Medical Imaging Technology Co Ltd
Publication of CN110291594A publication Critical patent/CN110291594A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • G21K2004/04—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with an intermediate layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)

Abstract

闪烁体模块具备：由具有熔敷性和防湿性的材料形成的防湿熔敷层，其延伸至光学纤维面板的侧面并以密闭状态覆盖层积在光学纤维面板上的闪烁体层和可见光反射层；以及覆盖防湿熔敷层的树脂制壳体，因此闪烁体模块能够容易地制造，可得到禁得起机械冲击、能够维持高防湿性的闪烁体模块。

Description

闪烁体模块、闪烁体传感器单元和闪烁体模块的制造方法
技术领域
本发明涉及闪烁体模块、闪烁体传感器单元和闪烁体模块的制造方法。
背景技术
近年来，在医疗、工业用的X射线拍摄中使用了感光膜，但从实时性和维持管理费的方面出发，正在普及具备放射线图像传感器的放射线成像系统。
作为可适用于这样的放射线成像系统的放射线图像传感器，进行了各种考虑，作为一例，可以举出平板探测器(例如，参见专利文献1)。
作为这样的平板探测器中使用的闪烁体模块，已知有使用了光学纤维面板(FOP)的闪烁体模块。
在使用了光学纤维面板的闪烁体模块中，在光学纤维面板上进行闪烁体层的成膜后，需要进行铝等金属的真空蒸镀而形成反射层以反射来自放射线入射侧的可见光，利用树脂层(例如聚对二甲苯聚合物)进行涂布而形成防湿涂布层以使其具有防湿性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-116258号公报
发明内容
发明所要解决的课题
另外，为了形成反射层和防湿涂布层需要高级的真空蒸镀装置，具有制造工序复杂化、生产成本提高的问题。
另外，关于防湿涂布层的透湿性(WVTR：Water Vapor Transmission Rate，水蒸气透过率)，在膜厚为20μm的情况下为4g/m2·24h(＝4g/m2·天)左右，绝不能说透湿性高。
另外，如上所述，防湿涂布层的厚度非常薄，因此禁不起来自外部的冲击，可能产生伤痕或剥离而使防湿性显著劣化，进而可能使平板探测器的性能降低。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其在于提供一种能够容易地制造、禁得起机械冲击、能够维持高防湿性的闪烁体模块、闪烁体传感器单元和闪烁体模块的制造方法。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题、实现目的，实施方式的闪烁体模块具备：由具有熔敷性和防湿性的材料形成的防湿熔敷层，其延伸至光学纤维面板的侧面并以密闭状态覆盖层积在光学纤维面板上的闪烁体层和可见光反射层；以及覆盖防湿熔敷层的树脂制壳体。
这种情况下，树脂制壳体可以具有隔着防湿熔敷层与可见光反射膜层对置的面以及沿着光学纤维面板的周面的形状的周壁面。
另外，树脂制壳体可以按照隔着周壁面和防湿熔敷层与上述光学纤维面板对置的方式嵌入。
另外，树脂制壳体可以由热塑性树脂形成。
进而，树脂制壳体可以由结晶性树脂形成。
另外，防湿熔敷层可以由丁基橡胶系熔敷材料形成。
另外，实施方式的闪烁体传感器单元具备上述任一闪烁体模块、以及配置在与光学纤维面板对置的位置的光电二极管阵列单元。
另外，实施方式的闪烁体模块的制造方法具备下述工序：在光学纤维面板上层积形成闪烁体层和可见光反射层的工序；使由热塑性树脂形成的具有盖形状的树脂制壳体抵接并覆盖载置在可见光反射层上的由具有熔敷性和防湿性的材料形成的片的工序；利用模具对树脂制壳体和片进行加热并同时朝向光学纤维面板侧对树脂制壳体加压，使片延伸至光学纤维面板的侧面而形成防湿熔敷层的工序；以及拆下模具并进行冷却的工序。
附图说明
图1是实施方式的闪烁体传感器单元的概要构成图。
图2是闪烁体模块的概要构成截面图。
图3是闪烁体模块的制作过程的流程图。
图4是闪烁体模块的制作过程的说明图(其一)。
图5是闪烁体模块的制作过程的说明图(其二)。
具体实施方式
接着参照附图对实施方式进行详细说明。
图1是实施方式的闪烁体传感器单元的概要构成图。
闪烁体传感器单元10大致具备：将从入射面11A侧入射的放射线(例如X射线)转换成可见光并从射出面11B侧输出的闪烁体模块11；以及接收利用闪烁体模块11转换的可见光并以图像数据形式输出的光电二极管阵列单元12。
图2是闪烁体模块的概要构成截面图。
闪烁体模块11具备：闪烁体层21，其将入射的放射线转换成可见光；作为导光部件的光学纤维面板22，其将利用闪烁体层21转换的可见光引导至光电二极管阵列单元12；以及可见光反射膜层23，其层积在闪烁体层21上并反射从放射线的入射面11A侧入射的可见光而阻碍入射，并且将利用闪烁体层21转换的可见光反射至光学纤维面板22侧。
闪烁体模块11进一步具备：丁基橡胶系熔敷材料层24，其覆盖可见光反射膜层23的入射面11A侧和侧面、闪烁体层21的侧面(周面)以及光学纤维面板22的侧面的一部分，将闪烁体层21和可见光反射膜层23以防湿状态收纳在其与光学纤维面板22之间；以及树脂制壳体(树脂制罩部件)25，其具有覆盖丁基橡胶系熔敷材料层24的入射面11A侧的面和可见光反射膜层23、俯视观察时呈长方形状的盖形状，与和闪烁体层21和光学纤维面板22的侧面对置的面整体相对地维持压接状态并对丁基橡胶系熔敷材料层(防湿熔敷层)24进行机械保护。
上述构成中，闪烁体层21在光学纤维面板22上成膜而形成，例如以CsI(Tl)[铊活性化碘化铯]、CsI(Na)[钠活性化碘化铯]、NaI(Tl)[铊活性化碘化钠]等的形式构成。
另外，光学纤维面板22由多根单模光纤、以及形成在单模光纤的周围并吸收漏光的吸收体玻璃形成为平板状，将入射光直接引导至光电二极管阵列单元12。
可见光反射膜层23构成为例如具有使用了铝薄膜等金属薄膜和聚酯系树脂的多层膜结构的膜。
作为丁基橡胶系熔敷材料层24，使用透湿性低(例如<<4g/m2·24h)即防湿性高、具有粘着性、与光学纤维面板22和树脂制壳体25的密合性高的材料。例如使用AICA工业株式会社制造的HX-779BT等。
作为树脂制壳体25，使用作为加工容易、不容易阻碍放射线的入射的树脂材料的热塑性树脂。特别优选使用收缩率为10/1000％以上的结晶性树脂。例如使用聚乙烯树脂(收缩率20/1000～60/1000％)、聚丙烯树脂(收缩率10/1000～25/1000％)。
此处，作为树脂制壳体25的厚度，从加工容易性、处理容易性和强度的方面出发、根据由搭载闪烁体传感器单元10的暗盒或设备的形状所致的厚度限制等源于应用的要求等，使用厚度0.1mm～1.0mm的程度的壳体，但只要可确保加工时所需要的强度(必要时进一步可确保所需要的形状)，该厚度基本上为任意的。
并且，这些树脂通过模具成型形成为树脂制壳体25，使其形状例如为俯视观察时呈长方形状的盖形状。需要说明的是，俯视观察时的形状并不限定于此，只要为圆形状、多边形状等闪烁体传感器单元10所要求的形状，即可以为任一种形状。
另外，对于上述丁基橡胶系熔敷材料层24来说，由于其粘着性和软质性，因而其本身禁不起物理接触或冲击等，但由于覆盖树脂制壳体25，因而对丁基橡胶系熔敷材料层24的影响降低。
此处，对实施方式的闪烁体模块的制作过程进行说明。
图3是闪烁体模块的制作过程的流程图。
图4是闪烁体模块的制作过程的说明图(其一)。
首先，如图4(A)所示，在俯视观察呈长方形状的光学纤维面板22的一面上进行闪烁体层21的成膜(步骤S11)。
接着，如图4(B)所示，在闪烁体层21上粘贴可见光反射用膜，形成可见光反射膜层23(步骤S12)。
接着，如图4(C)所示，在可见光反射膜层23的上表面载置丁基橡胶系熔敷材料片24S(步骤S13)，进一步如图4(D)所示覆盖树脂制壳体25(步骤S14)。
在该状态下，如图4(C)所示，丁基橡胶系熔敷材料片24S仅位于可见光反射膜层23的上表面，而未达到光学纤维面板22的侧面，未成为对可见光反射膜层23和闪烁体层21进行收纳的状态。
图5是闪烁体模块的制作过程的说明图(其二)。
接着，如图5(A)所示，按照能够加热、加压的上部模具31U从树脂制壳体25的上表面侧(远离光学纤维面板22的一侧)覆盖树脂制壳体25的上表面和侧面，下部模具31L支承光学纤维面板22的方式使模具31抵接，进行加压和加热的热压处理(步骤S15)。
这种情况下，模具31的内部尺寸优选为考虑了树脂制壳体25在加热时的膨胀量的尺寸。这是为了抑制加工后的丁基橡胶系熔敷材料层24的厚度变得过薄、抑制防湿性降低。
其结果，由热塑性树脂形成的树脂制壳体25通过加热发生膨胀，丁基橡胶系熔敷材料片24S的硬度降低、流动性增高，如图5(B)所示，沿着树脂制壳体25与可见光反射膜层23、闪烁体层21和光学纤维面板22的侧面之间的间隙流动，覆盖可见光反射膜层23的入射面11A侧和侧面、闪烁体层21的侧面(周面)以及光学纤维面板22的侧面的一部分，成为将闪烁体层21和可见光反射膜层23收纳在其与光学纤维面板22之间的状态。
在该状态下停止利用模具31进行的加热，进行脱模、冷却，由此使由热塑性树脂形成的树脂制壳体25收缩(步骤S16)。
由此使丁基橡胶系熔敷材料片24S熔敷在可见光反射膜层23的入射面11A侧和侧面、闪烁体层21的侧面(周面)以及光学纤维面板22的侧面的一部分，如图5(C)所示，形成为丁基橡胶系熔敷材料层24，将闪烁体层21和可见光反射膜层23以防湿状态收纳在其与光学纤维面板22之间。
在该状态下，丁基橡胶系熔敷材料层24以压接状态被夹设于在加热、冷却时尺寸几乎不发生变化的光学纤维面板22与加热时发生膨胀、冷却时发生收缩的树脂制壳体25之间，由此能够可靠地确保防湿性能，并且还通过树脂制壳体25进行物理性保护。
如以上说明所述，根据本实施方式，可在不使用高级的真空蒸镀装置的情况下低成本地进行闪烁体模块的防湿保护和封装。
在以上的说明中，使丁基橡胶系熔敷材料片24S为一片具有片形状的材料片而进行了说明，但在闪烁体传感器单元10的尺寸较大的情况下等，也可以构成为铺满多个片，或者铺满多根具有带形状且具有规定宽度的丁基橡胶系熔敷材料带、作为整体以片状形式使用。
另外，在以上的说明中，作为防湿熔敷层使用了丁基橡胶系熔敷材料，但并不限于此，只要为经加热和加压显示出同样性状的材料，即能够同样地适用。
对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例而呈现的，并非旨在限定发明的范围。这些新颖的实施方式可以以其他各种方式来实施，可以在不脱离发明要点的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式或其变形包含在发明的范围或要点中，并且包含在权利要求所记载的发明及其均等范围中。

Claims (8)

1.一种闪烁体模块，其中，该闪烁体模块具备：
由具有熔敷性和防湿性的材料形成的防湿熔敷层，其延伸至光学纤维面板的侧面并以密闭状态覆盖层积在所述光学纤维面板上的闪烁体层和可见光反射层，以及
覆盖所述防湿熔敷层的树脂制壳体。
2.如权利要求1所述的闪烁体模块，其中，所述树脂制壳体具有隔着所述防湿熔敷层与所述可见光反射膜层对置的面以及沿着所述光学纤维面板的周面的形状的周壁面。
3.如权利要求2所述的闪烁体模块，其中，所述树脂制壳体按照隔着所述周壁面和所述防湿熔敷层与所述光学纤维面板对置的方式嵌入。
4.如权利要求1～3中任一项所述的闪烁体模块，其中，所述树脂制壳体由热塑性树脂形成。
5.如权利要求4所述的闪烁体模块，其中，所述树脂制壳体由结晶性树脂形成。
6.如权利要求1～5中任一项所述的闪烁体模块，其中，所述防湿熔敷层由丁基橡胶系熔敷材料形成。
7.一种闪烁体传感器单元，其中，该闪烁体传感器单元具备：
权利要求1～6中任一项所述的闪烁体模块，以及
配置在与所述光学纤维面板对置的位置的光电二极管阵列单元。
8.一种闪烁体模块的制造方法，其中，该制造方法具备下述工序：
在光学纤维面板上层积形成闪烁体层和可见光反射层的工序；
使由热塑性树脂形成的具有盖形状的树脂制壳体抵接并覆盖载置在所述可见光反射层上的由具有熔敷性和防湿性的材料形成的片的工序；
利用模具对所述树脂制壳体和所述片进行加热并同时朝向所述光学纤维面板侧对所述树脂制壳体加压，使所述片延伸至所述光学纤维面板的侧面而形成防湿熔敷层的工序；以及
拆下所述模具并进行冷却的工序。
CN201780086351.0A 2017-02-17 2017-02-17 闪烁体模块、闪烁体传感器单元和闪烁体模块的制造方法 Pending CN110291594A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/005831 WO2018150529A1 (ja) 2017-02-17 2017-02-17 シンチレータモジュール、シンチレータセンサユニット及びシンチレータモジュールの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110291594A true CN110291594A (zh) 2019-09-27

Family

ID=63169177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780086351.0A Pending CN110291594A (zh) 2017-02-17 2017-02-17 闪烁体模块、闪烁体传感器单元和闪烁体模块的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10871581B2 (zh)
JP (1) JP6454451B1 (zh)
KR (1) KR20190099539A (zh)
CN (1) CN110291594A (zh)
WO (1) WO2018150529A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112020007005T5 (de) * 2020-06-17 2023-01-26 Hitachi High-Tech Corporation Vorrichtung zum nachweis von geladene teilchen oder strahlung

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003098299A (ja) * 2001-09-21 2003-04-03 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線像変換パネル
JP2005114397A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像変換パネル及びその製造方法
CN101002110A (zh) * 2004-08-10 2007-07-18 佳能株式会社 放射线探测装置、闪烁体板及其制造方法和放射线探测系统
CN102110698A (zh) * 2009-12-26 2011-06-29 佳能株式会社 闪烁体板、放射线成像装置和系统及其制造方法
CN102610292A (zh) * 2011-01-24 2012-07-25 佳能株式会社 闪烁体面板、放射线检测装置和制造它们的方法
CN102650697A (zh) * 2011-02-24 2012-08-29 富士胶片株式会社 放射图像检测设备及其制造方法
CN102655160A (zh) * 2011-03-01 2012-09-05 佳能株式会社 放射线检测装置、闪烁体板、制造方法和放射线检测系统
CN102654583A (zh) * 2011-03-02 2012-09-05 佳能株式会社 放射线检测装置及其制造方法、以及放射线检测系统
JP2016095189A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2310017C (en) 1998-06-18 2005-10-25 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
JP2004294137A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Konica Minolta Holdings Inc 放射線像変換パネル及びその製造方法
JP4612815B2 (ja) 2004-08-10 2011-01-12 キヤノン株式会社 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム
JP2008215951A (ja) 2007-03-01 2008-09-18 Toshiba Corp 放射線検出器
CN101900824B (zh) * 2010-06-24 2012-05-09 江苏康众数字医疗设备有限公司 闪烁体封装薄膜及封装方法
JP2014153074A (ja) * 2013-02-05 2014-08-25 Hamamatsu Photonics Kk 放射線像変換パネルの製造方法、及び、放射線像変換パネル
JP5936584B2 (ja) * 2013-08-29 2016-06-22 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置及び製造方法
JP6519195B2 (ja) * 2015-01-23 2019-05-29 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003098299A (ja) * 2001-09-21 2003-04-03 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線像変換パネル
JP2005114397A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像変換パネル及びその製造方法
CN101002110A (zh) * 2004-08-10 2007-07-18 佳能株式会社 放射线探测装置、闪烁体板及其制造方法和放射线探测系统
CN102110698A (zh) * 2009-12-26 2011-06-29 佳能株式会社 闪烁体板、放射线成像装置和系统及其制造方法
CN102610292A (zh) * 2011-01-24 2012-07-25 佳能株式会社 闪烁体面板、放射线检测装置和制造它们的方法
CN102650697A (zh) * 2011-02-24 2012-08-29 富士胶片株式会社 放射图像检测设备及其制造方法
CN102655160A (zh) * 2011-03-01 2012-09-05 佳能株式会社 放射线检测装置、闪烁体板、制造方法和放射线检测系统
CN102654583A (zh) * 2011-03-02 2012-09-05 佳能株式会社 放射线检测装置及其制造方法、以及放射线检测系统
JP2016095189A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190099539A (ko) 2019-08-27
WO2018150529A1 (ja) 2018-08-23
US10871581B2 (en) 2020-12-22
US20190369270A1 (en) 2019-12-05
JP6454451B1 (ja) 2019-01-16
JPWO2018150529A1 (ja) 2019-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2141708B1 (en) Scintillator panel and radiation detector
US9806132B2 (en) Organic X-ray detector with barrier layer
JP4764407B2 (ja) 放射線検出器及びその製造方法
CN210294542U (zh) 放射线检测器以及放射线图像摄影装置
CN1207575C (zh) 放射线检测装置和系统及其闪烁体面板
EP3004930B1 (en) A moisture protection structure for a device and a fabrication method thereof
CN103705256A (zh) 放射线成像系统、放射线成像装置及其制造方法
US10436917B2 (en) Radiation detector and scintillator panel
CN104488038A (zh) 闪烁器面板及放射线检测器
US20210247529A1 (en) Radiation detection module, radiation detector, and method for manufacturing radiation detection module
US8779373B2 (en) Radiation detection apparatus, radiation detection system and method of manufacturing radiation detection apparatus
CN110286402A (zh) 放射线检测器以及放射线图像拍摄装置
US10983225B2 (en) Radiation detector manufacturing method
CN110291594A (zh) 闪烁体模块、闪烁体传感器单元和闪烁体模块的制造方法
JP7029217B2 (ja) 放射線検出器
JP2010101640A (ja) 放射線検出器
US20100012854A1 (en) Scintillator plate
CN112292616A (zh) 放射线检测器及放射线图像摄影装置
CN114023845B (zh) X射线装置及其制造方法
JP2015155799A (ja) シンチレータ、放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法及び放射線検出システム
JP2003287571A (ja) シンチレーターパネルおよびその製造方法
WO2015115027A1 (ja) 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、蛍光体
JP2022048302A (ja) 放射線検出器
JPWO2018020555A1 (ja) シンチレータセンサ基板及びシンチレータセンサ基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: Shiga

Applicant after: Ymit Co.,Ltd.

Address before: Shiga

Applicant before: YASU MEDICAL IMAGING TECHNOLOGY Co.,Ltd.

RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190927