CN110282657A - 无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料及其制备和应用 - Google Patents
无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料及其制备和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110282657A CN110282657A CN201910519316.4A CN201910519316A CN110282657A CN 110282657 A CN110282657 A CN 110282657A CN 201910519316 A CN201910519316 A CN 201910519316A CN 110282657 A CN110282657 A CN 110282657A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- preparation
- unleaded
- crystal material
- multiple halogenation
- perovskite crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 8
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 caddy Chemical compound 0.000 claims description 4
- 229910001451 bismuth ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FAWGZAFXDJGWBB-UHFFFAOYSA-N antimony(3+) Chemical compound [Sb+3] FAWGZAFXDJGWBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WLZRMCYVCSSEQC-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+) Chemical compound [Cd+2] WLZRMCYVCSSEQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 abstract description 27
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 abstract 1
- NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N caesium(1+) Chemical compound [Cs+] NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 abstract 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 3
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G29/00—Compounds of bismuth
- C01G29/006—Compounds containing, besides bismuth, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G30/00—Compounds of antimony
- C01G30/002—Compounds containing, besides antimony, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
- C01G30/003—Compounds containing, besides antimony, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen containing halogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料及其制备和应用,所述的无铅多重卤化物钙钛矿材料为以铯离子为阳离子,二价三价金属与氯连接成的三维框架结构为阴离子,具有如下通式:Cs4CdX2Cl12,X为Bi或Sb等三价金属。本发明提供的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料具有三维空位有序晶体结构,具有400至800 nm的宽带发射以及低温下微秒级的荧光寿命,在白光LED器件上具有很高的应用价值。
Description
技术领域
本发明涉及无机合成与发光技术领域,尤其涉及无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料及其制备和应用。
背景技术
APbX3型钙钛矿(A位可以为铯,铷等阳离子;X位可为氯,溴,碘)具有很高的能量转换效率。截止2019年,它的效率已经达到最高为24.2%。但是含铅卤化物钙钛矿,由于铅毒性和稳定性问题,限制了其进一步发展。非专利文献1(《Journal of the American ChemicalSociety》, 2016年,第2138-2141页)报道,通过实现无毒铋离子的掺杂,解决铅毒性问题,制备出的Cs2AgBiBr6双钙钛矿晶体材料可以应用于光伏领域。非专利文献2(《Journal ofMaterials Chemistry A》, 2017年,第19972-19981页)报道,采用双钙钛矿策略可以应对上述问题,基于Cs2AgBiBr6的器件具有很高的稳定性。然而,还可以通过等效替代方法,把双钙钛矿延伸至多重卤化物钙钛矿,进而实现较高的稳定性和能量转换效率。非专利文献3(《Advanced Optical Materials》, 2019年,第1900319页)报道,当前主要通过调节不同发光荧光粉的比例获得白色发光,已经实现商业化生产,但会遇到诸如能量损耗、生产成本高等问题。非专利文献4(《Dye and Pigments》,2017年,第361-367页)报道,传统的铅卤化物钙钛矿量子点在实际应用中存在稳定性不佳等问题,通过在全无机CsPbX3钙钛矿量子点(X位可为氯,溴,碘)上涂覆二氧化硅,得到两者的复合材料,再与荧光粉有效结合,将改善其发光性能,尤其是在白光二极管(WLED)的应用上。非专利文献5(《Angewandte ChemieInternational Edition》,2019年,第1-5页)报道,全无机铯铅卤化物钙钛矿量子点有望作为白光的来源。非专利文献6(《ACS Appl Mater Interfaces》,2019年,第1-8页)报道,通过对铯铅卤化物钙钛的带隙工程调节,比如改变表面配体浓度,从而实现高质量白光发射。但是,铅的毒性和钙钛矿晶体的稳定性问题,限制了钙钛矿在白光二极管(WLED)的进一步应用。
发明内容
本发明的目的在于提供无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料及其制备和应用。该无铅多重卤化物钙钛矿型晶体为Cs4CdBi2Cl12和Cs4CdSb2Cl12,是一例全新的具有三维空位有序的钙钛矿结构,具有400至800 nm的宽带发射,当温度从室温降至77 K 时,光致发光寿命可以从8.6 s延长到2891.5 ns。本发明所提供的晶体材料在白光LED器件上具有极高的应用价值。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案:
无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料,其具有如下通式:Cs4CdX2Cl12 ,其中X为+3价态的金属元素。
优选地,X为Bi或Sb。
本发明公开了无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,制备方法为:当目标晶体为Cs4CdSb2Cl12晶体时,其制备方法为:将氯化铯、氯化锑、氯化镉、盐酸加入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,控温反应,反应完成得到Cs4CdSb2Cl12晶体;
当目标晶体为Cs4CdBi2Cl12晶体时,其制备方法为:将氯化铯、氯化铋、氯化镉、盐酸加入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,控温反应,反应完成得到Cs4CdBi2Cl12晶体。
优选地,制备Cs4CdSb2Cl12晶体时氯化铯、氯化锑、氯化镉摩尔比为4:2:1;制备Cs4CdBi2Cl12晶体时氯化铯、氯化铋、氯化镉摩尔比为4:2:1。
优选地,制备方法中的控温反应最高温度为:95~220℃,恒温时间为0.5~10天,起始温度与终了温度选自20~40℃。
优选地,制备方法中的二价镉离子用二价金属离子代替,二价金属离子为锰、钴、镍、锌、铜、镁、钙或钡。
优选地,制备方法中的三价锑/铋离子用三价金属离子代替,三价金属离子为铝、镓、铟或铁。
优选地,制备方法中的金属氯盐用相关离子的氧化物代替,铯、锑/铋、镉原子摩尔比为4:2:1。
优选地,制备方法中的盐酸浓度范围为30%~37%,每100mg固体原料使用的体积量为1~7 mL。
本发明还公开了无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的应用,将所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料应用在白光LED器件上。
本发明采用以上技术方案,本发明所具备的优点有:一锅法制备出多重卤化物钙钛矿,具有如下通式:Cs4CdX2Cl12 (X= Bi, Sb等)。该材料具有三维空位有序晶体结构,为首次报道;同时具有400至800 nm的宽带发射以及低温下微秒级的荧光寿命。本发明所提供的多重卤化物钙钛矿晶体材料在白光LED器件上具有极高的应用价值。
附图说明
为了让本发明的目的、发明内容、优点更为清楚,下面结合以下附图对本发明做更为详细的描述,其中:
图1为具体实施例1和例2中合成的全新的具有三维空位有序的钙钛矿Cs4CdX2Cl12(其中X为Bi)的晶体结构图;
图2为具体实施例1和例2中合成的全新的具有三维空位有序的钙钛矿Cs4CdX2Cl12(其中X为Bi或Sb)的荧光激发和发射光谱图;
图3为具体实施例1和例2中合成的全新的具有三维空位有序的钙钛矿Cs4CdX2Cl12,(其中X为Bi)的荧光寿命图。
具体实施方式
实施例1:
(1)当目标晶体为Cs4CdSb2Cl12晶体时,在10.0 mL的聚四氟乙烯内衬的反应釜中分别加入123 mg氯化铯、70.0 mg氯化锑、35.0 mg氯化镉、3.0 mL质量分数为30~37%的盐酸。设置起始温度为20.0℃,以0.94 ℃/min的升温速率加热至127℃,恒温2530 min后以0.08℃/min的降温速率降至20.0℃,所得产物通过滤纸分离开,得到Cs4CdSb2Cl12晶体。
(2)当目标晶体为Cs4CdBi2Cl12晶体时,在10.0 mL的聚四氟乙烯内衬的反应釜中分别加入101.0 mg氯化铯、80.1 mg氯化铋、35.0 mg氯化镉、3.4 mL质量分数为30~37%的盐酸。设置起始温度为30.0℃,以0.94 ℃/min的升温速率加热至127℃,恒温2480 min后以0.08 ℃/min的降温速率降至35.0℃,所得产物通过滤纸分离开,得到Cs4CdBi2Cl12晶体。
实施例2:
(1)当目标晶体为Cs4CdSb2Cl12晶体时,在28.0 mL的聚四氟乙烯内衬的反应釜中分别加入111 mg氯化铯、80.0 mg氯化锑、30.0 mg氯化镉、3.2 mL质量分数为30~37%的盐酸。设置起始温度为30.0℃,以0.94 ℃/min的升温速率加热至135℃,恒温2430 min后以0.08℃/min的降温速率降至30.0℃,所得产物通过滤纸分离开,得到Cs4CdSb2Cl12晶体。
(2)当目标晶体为Cs4CdBi2Cl12晶体时,在28.0 mL的聚四氟乙烯内衬的反应釜中分别加入99.0 mg氯化铯、88.4 mg氯化铋、28.7 mg氯化镉、3.0mL质量分数为30~37%的盐酸。设置起始温度为25.0℃,以0.94 ℃/min的升温速率加热至135℃,恒温2480 min后以0.08 ℃/min的降温速率降至25.0℃,所得产物通过滤纸分离开,得到Cs4CdBi2Cl12晶体。
如图1-3之一所示,该无铅多重卤化物钙钛矿型晶体为Cs4CdBi2Cl12和Cs4CdSb2Cl12,是一例全新的具有三维空位有序的钙钛矿结构,具有400至800 nm的宽带发射,当温度从室温降至77 K 时,光致发光寿命可以从8.6 s延长到2891.5 ns。本发明所提供的晶体材料在白光LED器件上具有极高的应用价值,其具体应用方法类似于非专利文献4中相关复合材料在白光LED器件上的应用。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以同等替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料,其特征在于:其具有如下通式:Cs4CdX2Cl12 ,其中X为+3价态的金属元素。
2.根据权利要求1所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料,其特征在于:X为Bi或Sb。
3.根据权利要求2所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备方法为:当目标晶体为Cs4CdSb2Cl12晶体时,其制备方法为:将氯化铯、氯化锑、氯化镉、盐酸加入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,控温反应,反应完成得到Cs4CdSb2Cl12晶体;
当目标晶体为Cs4CdBi2Cl12晶体时,其制备方法为:将氯化铯、氯化铋、氯化镉、盐酸加入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,控温反应,反应完成得到Cs4CdBi2Cl12晶体。
4.根据权利要求3所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备Cs4CdSb2Cl12晶体时氯化铯、氯化锑、氯化镉最优的摩尔比为4:2:1;制备Cs4CdBi2Cl12晶体时氯化铯、氯化铋、氯化镉最优的摩尔比为4:2:1。
5.根据权利要求3所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备方法中的控温反应最高温度为:85~220℃,恒温时间为0.5~10天,起始温度与终了温度选自20~40℃。
6.根据权利要求3所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备方法中的二价镉离子用二价金属离子代替,二价金属离子为锰、钴、镍、锌、铜、镁、钙或钡。
7.根据权利要求3所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备方法中的三价锑/铋离子用三价金属离子代替,三价金属离子为铝、镓、铟或铁。
8.根据权利要求3所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备方法中的金属氯盐用相关离子的氧化物代替,铯、锑/铋、镉最优的原子摩尔比为4:2:1。
9.根据权利要求3所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料的制备方法,其特征在于:制备方法中的盐酸浓度范围为30%~37%,每100mg固体原料使用体积量为1~7 mL。
10.根据权利要求1所述的无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料在白光LED器件上的应用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910519316.4A CN110282657A (zh) | 2019-06-17 | 2019-06-17 | 无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料及其制备和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910519316.4A CN110282657A (zh) | 2019-06-17 | 2019-06-17 | 无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料及其制备和应用 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110282657A true CN110282657A (zh) | 2019-09-27 |
Family
ID=68004729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910519316.4A Pending CN110282657A (zh) | 2019-06-17 | 2019-06-17 | 无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料及其制备和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110282657A (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110863239A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-06 | 暨南大学 | 一种掺杂卤化金属盐的无铅双钙钛矿型单晶及其制备方法与应用 |
CN111926388A (zh) * | 2020-09-11 | 2020-11-13 | 江西理工大学 | 氯化铯晶体及制备方法和应用 |
CN112357958A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-02-12 | 桂林理工大学 | 一种含铯无铅卤化物双钙钛矿材料Cs2NaBi1-xSnxCl6-x的制备方法 |
CN113321239A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-08-31 | 福建师范大学 | 一种无Cl2法制备多重钙钛矿材料的方法及其应用 |
CN113955792A (zh) * | 2021-10-20 | 2022-01-21 | 许昌学院 | 一种卤铜铯晶体的制备方法 |
CN115305086A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-11-08 | 中国地质大学(武汉)浙江研究院 | 一种钙钛矿材料及其制备方法和应用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105951168A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-09-21 | 中山大学 | 大面积abx3型钙钛矿晶体薄膜生长方法及装置 |
-
2019
- 2019-06-17 CN CN201910519316.4A patent/CN110282657A/zh active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105951168A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-09-21 | 中山大学 | 大面积abx3型钙钛矿晶体薄膜生长方法及装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
BRENDA VARGAS等: "A Direct Bandgap Copper−Antimony Halide Perovskite", 《J. AM. CHEM. SOC.》 * |
JIAN XU等: "Prediction of Novel p-Type Transparent Conductors in Layered Double Perovskites: A First-Principles Study", 《ADV. FUNCT. MATER.》 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110863239A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-06 | 暨南大学 | 一种掺杂卤化金属盐的无铅双钙钛矿型单晶及其制备方法与应用 |
CN111926388A (zh) * | 2020-09-11 | 2020-11-13 | 江西理工大学 | 氯化铯晶体及制备方法和应用 |
CN112357958A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-02-12 | 桂林理工大学 | 一种含铯无铅卤化物双钙钛矿材料Cs2NaBi1-xSnxCl6-x的制备方法 |
CN113321239A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-08-31 | 福建师范大学 | 一种无Cl2法制备多重钙钛矿材料的方法及其应用 |
CN113955792A (zh) * | 2021-10-20 | 2022-01-21 | 许昌学院 | 一种卤铜铯晶体的制备方法 |
CN115305086A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-11-08 | 中国地质大学(武汉)浙江研究院 | 一种钙钛矿材料及其制备方法和应用 |
CN115305086B (zh) * | 2022-07-21 | 2023-10-20 | 中国地质大学(武汉)浙江研究院 | 一种钙钛矿材料及其制备方法和应用 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110282657A (zh) | 无铅多重卤化物钙钛矿型晶体材料及其制备和应用 | |
CN108659827B (zh) | 近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料及制备与应用 | |
KR102047116B1 (ko) | I-ⅲ-vi계 양자점, 이를 이용한 백색 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
CN113831914B (zh) | 铜掺杂零维全无机锌卤化合物材料及合成和应用 | |
CN108219770A (zh) | 发光复合材料 | |
JP6475257B2 (ja) | 固体照明用のスーパーテトラヘドロン蛍光体 | |
US20160280991A1 (en) | Process for increasing the photoluminescence internal quantum efficiency of nanocrystals, in particular of agins2-zns nanocrystals | |
Khan et al. | Development of structure and tuning ability of the luminescence of lead-free halide perovskite nanocrystals (NCs) | |
JP6445544B2 (ja) | Ib−vii二元化合物に基づく発光ハイブリッド半導体 | |
CN111778017A (zh) | 一种具有高光产额的锰掺杂Cs3Cu2I5卤化物闪烁体 | |
Masai et al. | Emission property of Sn2+-doped ZnO–P2O5 glass | |
CN111876156A (zh) | 一种白光荧光粉及其制备方法和应用 | |
CN106753359A (zh) | 一种蓝光激发Mn4+掺杂的氟氧化物红色荧光粉及制备方法 | |
KR102017951B1 (ko) | 납 할로겐화물 페로브스카이트 양자점의 발광파장 변환방법 | |
CN112794864A (zh) | 一种层状双元钙钛矿结构发光材料及其制备方法 | |
CN113667475A (zh) | 一种锑掺杂无铅锆基钙钛矿衍生物及其制备方法和应用 | |
Singh et al. | Recent progress in Trivalent Europium (Eu3+) based Inorganic phosphors for solid-state lightings–An Overview | |
Liu et al. | Near‐infrared light emitting metal halides: materials, mechanisms, and applications | |
CN111253940A (zh) | 一系列三维非铅铟铋混合双钙钛矿黄光材料及合成与应用 | |
US7834135B2 (en) | Light emitting device and polymeric mixed-metal complex | |
CN112812769A (zh) | 一种铟基钙钛矿物质及其制备方法 | |
JP5583403B2 (ja) | 青色蛍光体 | |
CN116285979A (zh) | 一种Te掺杂Rb2SnCl6空位有序双钙钛矿荧光粉的制备方法和应用 | |
CN113937245A (zh) | 一种高效白光有机无机杂化锌基二维钙钛矿材料与制备 | |
CN106433637A (zh) | 一种新型Mn4+激活的高色纯度氟化物红色发光材料制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190927 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |